JP7331521B2 - 電子部品内蔵基板 - Google Patents
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Description
11~14 絶縁層
21,22 ソルダーレジスト
31~34 ビア導体
40 電子部品
41 端子電極
42~44 領域
51~54 エッジ
A 矩形領域
A1 第1の領域
A2 第2の領域
A3 第3の領域
C 点
D 重なり
E1,E2 外部端子
G グランドプレーン
H,H4 開口部
L1~L4 配線層
Claims (8)
- 第1、第2及び第3の絶縁層と、
前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層の間に埋め込まれた第1の配線層と、
前記第2の絶縁層と前記第3の絶縁層の間に埋め込まれた電子部品と、を備え、
前記第1の配線層は、グランドプレーンを含み、
前記電子部品は半導体ICであり、端子電極が形成された主面とは反対側に位置する裏面が前記グランドプレーンと向かい合うよう、前記第2の絶縁層と前記第3の絶縁層の間に埋め込まれており、
前記電子部品は、平面視で前記グランドプレーンと重なる位置に配置され、
前記第1の配線層は、平面視で前記電子部品の角部と重なる点を中心に前記電子部品の短辺の1/3を半径とした円に囲まれた第1の領域と、平面視で前記電子部品と重なり、且つ、前記第1の領域と重複しない第2の領域とを含み、
前記第1の領域に位置するグランドプレーンには、開口部が形成されており、
前記第1の領域におけるグランドプレーンのパターン形成密度は、前記第2の領域におけるグランドプレーンのパターン形成密度よりも低いことを特徴とする電子部品内蔵基板。 - 前記電子部品は、第1及び第2のエッジを有し、
前記角部は、前記第1及び第2のエッジの終端部によって構成され、
前記第1及び第2のエッジの少なくとも一方は、前記グランドプレーンと重ならない区間よりも、前記グランドプレーンと重なる区間の方が長いことを特徴とする請求項1に記載の電子部品内蔵基板。 - 前記第1及び第2のエッジの少なくとも一方は、全区間が前記グランドプレーンと重なることを特徴とする請求項2に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記第2の領域の全面に前記グランドプレーンが存在することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記第1及び第2の領域を包含する矩形領域を前記第1の配線層に定義した場合、前記第1の配線層は、前記矩形領域に包含され、且つ、前記第1及び第2の領域のいずれとも重複しない第3の領域をさらに含み、
前記第1の領域におけるグランドプレーンのパターン形成密度は、前記第3の領域におけるグランドプレーンのパターン形成密度よりも低いことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。 - 前記第3の領域の全面に前記グランドプレーンが存在することを特徴とする請求項5に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記第1の絶縁層を介して前記第1の配線層とは反対側に位置する第2の配線層をさらに備え、
前記第2の配線層は、グランドプレーンを含み、
前記第2の配線層は、前記第1の配線層の前記第1の領域と重なる第4の領域を含み、
前記第4の領域に位置するグランドプレーンには、開口部が形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。 - 前記第1の領域に形成された前記開口部と、前記第4の領域に形成された前記開口部は、平面視で重なりを有していることを特徴とする請求項7に記載の電子部品内蔵基板。
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