JP7330552B2 - 炭化珪素ウエハーの製造方法、炭化珪素ウエハー及びウエハー製造用システム - Google Patents
炭化珪素ウエハーの製造方法、炭化珪素ウエハー及びウエハー製造用システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP7330552B2 JP7330552B2 JP2022003382A JP2022003382A JP7330552B2 JP 7330552 B2 JP7330552 B2 JP 7330552B2 JP 2022003382 A JP2022003382 A JP 2022003382A JP 2022003382 A JP2022003382 A JP 2022003382A JP 7330552 B2 JP7330552 B2 JP 7330552B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- cutting
- peripheral edge
- ingot
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 187
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 187
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 47
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 176
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 7
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 96
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0064—Devices for the automatic drive or the program control of the machines
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
- B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/002—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
前記第1周縁から前記一面の周縁に沿ってr×aの距離を有する第2周縁で、ワイヤソーを通じて前記一面と平行であるか、又は所定のオフ角を有するように切断を開始し、切断速度が第1切断速度まで減少する切断開始ステップと;
前記第1切断速度が±5%内外の一定の値を有する切断進行ステップと;
前記第1切断速度が増加しながら前記炭化珪素インゴットの切断が完了する仕上げステップと;を含んで炭化珪素ウエハーを製造し、
前記ワイヤソーの供給量(m/min)は、前記切断開始ステップで第1供給量に到達後、前記仕上げステップ以前まで±5%内外の一定の値を有し、
前記rは、前記一面の半径であり、
前記aは、i)1.4rad~1.75rad、又はii)2.96rad~3.32radである。
一面及び他面を含み、
前記一面の中心から外郭方向に半径の95%まで占める中央領域の平坦度の標準偏差が5μm~10μmであってもよい。
一面、他面及び一面と他面をつなぐ側面を含む炭化珪素インゴットの一面で反り程度が最も大きい第1周縁を測定する反り測定部と;
前記反り測定部で測定された炭化珪素インゴット一面の第1周縁から前記一面の周縁に沿ってr×aの距離を有する第2周縁を指定する制御部と;
前記制御部で指定された炭化珪素インゴット一面の第2周縁で、ワイヤソーを通じて前記一面と平行であるか、又は所定のオフ角を有するように切断する切断部と;を含み、
前記制御部で前記炭化珪素インゴットの前記切断部に向かう移動及び前記ワイヤソーの供給量を制御し、
前記切断部は、前記切断部の切断速度が第1切断速度まで減少する切断開始ステップと;
前記第1切断速度が±5%内外の一定の値を有する切断進行ステップと;
切断第1切断速度が増加しながら前記炭化珪素インゴットの切断が完了する仕上げステップと;を含んで炭化珪素ウエハーを製造し、
前記切断部のワイヤソーの供給量(m/min)は、前記切断開始ステップで第1供給量に到達後、前記仕上げステップ以前まで±5%内外の一定の値を有し、
前記rは、前記一面の半径であり、
前記aは、i)1.4rad~1.75rad、又はii)2.96rad~3.32radである。
一面120、他面110及び一面と他面をつなぐ側面を含む炭化珪素インゴット100において、前記一面で反り程度が最も大きい第1周縁21を測定する反り測定ステップと;
前記第1周縁から前記一面の周縁に沿ってr×aの距離を有する第2周縁22で、ワイヤソー15を通じて前記一面と平行であるか、又は所定のオフ角を有するように切断を開始し、切断速度が第1切断速度まで減少する切断開始ステップと;
前記第1切断速度が±5%以内の一定の値を有する切断進行ステップと;
前記第1切断速度が増加しながら前記炭化珪素インゴットの切断が完了する仕上げステップと;を含み、
前記ワイヤソーの供給量(m/min)は、前記切断開始ステップで第1供給量に到達後、前記仕上げステップ以前まで±5%以内の一定の値を有し、
前記rは、前記一面の半径であり、
前記aは、i)1.4rad~1.75rad、又はii)2.96rad~3.32radであってもよい。
一面11及び他面12を含み、前記一面の中心から外郭方向に半径の95%まで占める中央領域の平坦度の標準偏差が10μm以下であってもよい。
本発明に係る炭化珪素ウエハー製造用システムは、一面120、他面110及び一面と他面をつなぐ側面を含む炭化珪素インゴット100の一面で反り程度が最も大きい第1周縁21を測定する反り測定部1100;
前記反り測定部で測定された炭化珪素インゴット一面の第1周縁から前記一面の周縁に沿ってr×aの距離を有する第2周縁22を指定する制御部1200と;
前記制御部で指定された炭化珪素インゴット一面の第2周縁で、ワイヤソーを通じて前記一面と平行であるか、又は所定のオフ角を有するように切断する切断部1300;を含み、
前記制御部で前記炭化珪素インゴットが前記切断部に向かう移動及び前記ワイヤソーの供給量を制御し、
前記切断部は、前記切断部の切断速度が第1切断速度まで減少する切断開始ステップと;
前記第1切断速度が±5%内外の一定の値を有する切断進行ステップと;
切断第1切断速度が増加しながら前記炭化珪素インゴットの切断が完了する仕上げステップと;を通じて切断が行われ、
前記切断部のワイヤソーの供給量(m/min)は、前記切断開始ステップで第1供給量に到達後、前記仕上げステップ以前まで±5%内外の一定の値を有し、
前記rは、前記一面の半径であり、前記aは、i)1.4rad~1.75rad、又はii)2.96rad~3.32radであってもよい。
11:一面(炭化珪素ウエハーの一面)
12:他面(炭化珪素ウエハーの他面)
15:ワイヤソー(マルチワイヤソー)
16:ガイドローラ
21:第1周縁
22:第2周縁
100:炭化珪素インゴット
110:他面(炭化珪素インゴットの他面)
120:一面(炭化珪素インゴットの一面)
1100:反り測定部
1200:制御部
1300:切断部
Claims (6)
- 一面、他面及び一面と他面をつなぐ側面を含む炭化珪素インゴットにおいて、前記一面で反り程度が最も大きい第1周縁を測定する反り測定ステップと;
前記第1周縁から前記一面の周縁に沿ってr×aの距離を有する第2周縁で、ワイヤソーを通じて前記一面と平行であるか、又は所定のオフ角を有するように切断を開始し、切断速度が第1切断速度まで減少する切断開始ステップと;
前記第1切断速度が±5%内外の一定の値を有する切断進行ステップと;
前記第1切断速度が増加しながら前記炭化珪素インゴットの切断が完了する仕上げステップと;を含んで炭化珪素ウエハーを製造し、
前記ワイヤソーの供給量(m/min)は、前記切断開始ステップで第1供給量に到達後、前記仕上げステップ以前まで±5%内外の一定の値を有し、
前記rは、前記一面の半径であり、
前記aは、i)1.4rad~1.75rad、又はii)2.96rad~3.32radである、炭化珪素ウエハーの製造方法。 - 前記炭化珪素インゴットは、原料の昇華-再結晶により成長した4H炭化珪素を含む、請求項1に記載の炭化珪素ウエハーの製造方法。
- 前記切断開始ステップの切断は、前記一面の第2周縁から最も遠い他の周縁に向かう方向に行われる、請求項1に記載の炭化珪素ウエハーの製造方法。
- 前記第1切断速度は、3mm/hr~10mm/hrである、請求項1に記載の炭化珪素ウエハーの製造方法。
- 前記第1供給量は、0.5m/min~4m/minである、請求項1に記載の炭化珪素ウエハーの製造方法。
- 前記ワイヤソーは、前記炭化珪素インゴットの一面から他面方向に所定間隔に沿って複数個が備えられるマルチワイヤソーである、請求項1に記載の炭化珪素ウエハーの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210005463A KR102283879B1 (ko) | 2021-01-14 | 2021-01-14 | 탄화규소 웨이퍼의 제조방법, 탄화규소 웨이퍼 및 웨이퍼 제조용 시스템 |
KR10-2021-0005463 | 2021-01-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022109237A JP2022109237A (ja) | 2022-07-27 |
JP7330552B2 true JP7330552B2 (ja) | 2023-08-22 |
Family
ID=77127514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022003382A Active JP7330552B2 (ja) | 2021-01-14 | 2022-01-12 | 炭化珪素ウエハーの製造方法、炭化珪素ウエハー及びウエハー製造用システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11969917B2 (ja) |
EP (1) | EP4029669A1 (ja) |
JP (1) | JP7330552B2 (ja) |
KR (1) | KR102283879B1 (ja) |
CN (1) | CN114762995B (ja) |
TW (1) | TWI801094B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115648464A (zh) * | 2022-10-31 | 2023-01-31 | 北京天科合达半导体股份有限公司 | 一种晶棒的切割方法以及切割装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001334452A (ja) | 2000-05-30 | 2001-12-04 | Memc Japan Ltd | 円柱状ワークの切断方法 |
JP2013038116A (ja) | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶基板の製造方法 |
JP2013089937A (ja) | 2011-10-24 | 2013-05-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素基板の製造方法および炭化珪素基板 |
JP2019127415A (ja) | 2018-01-24 | 2019-08-01 | 昭和電工株式会社 | 単結晶4H−SiC成長用種結晶及びその加工方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100936894B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2010-01-14 | 주식회사 실트론 | 잉곳 고정유닛 및 이를 구비하는 잉곳 절단장치 |
JP4887418B2 (ja) * | 2009-12-14 | 2012-02-29 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
CN102569055B (zh) * | 2010-12-14 | 2014-05-21 | 北京天科合达蓝光半导体有限公司 | 一种碳化硅单晶晶片表面及平整度的调整方法 |
CN102543718A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-04 | 北京天科合达蓝光半导体有限公司 | 一种降低碳化硅晶片翘曲度、弯曲度的方法 |
JP6102927B2 (ja) | 2012-09-03 | 2017-03-29 | 日立金属株式会社 | 高硬度材料のマルチワイヤーソーによる切断方法 |
US9018639B2 (en) * | 2012-10-26 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Flat SiC semiconductor substrate |
JP6329733B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2018-05-23 | 一般財団法人ファインセラミックスセンター | 半導体ウェハのエッチング方法、半導体ウェハの製造方法および半導体ウェハの結晶欠陥検出方法 |
JP5944873B2 (ja) * | 2013-09-20 | 2016-07-05 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 炭化珪素単結晶ウェハの内部応力評価方法、及び炭化珪素単結晶ウェハの反りの予測方法 |
DE102013225104B4 (de) * | 2013-12-06 | 2019-11-28 | Siltronic Ag | Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück mittels einer Drahtsäge |
KR101613794B1 (ko) | 2014-11-10 | 2016-04-19 | 주식회사 엘지실트론 | 잉곳 절단장치 |
JP6287774B2 (ja) * | 2014-11-19 | 2018-03-07 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2017056691A1 (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法、炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置 |
CN105666300A (zh) * | 2016-02-02 | 2016-06-15 | 北京华进创威电子有限公司 | 一种碳化硅晶片的双面抛光方法 |
JP6500796B2 (ja) * | 2016-02-03 | 2019-04-17 | 株式会社Sumco | ウェーハの製造方法 |
JP2018074019A (ja) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 株式会社Sumco | ウェーハの製造方法およびウェーハ |
CN106596237A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-04-26 | 石长海 | 一种晶片切割产生弯曲片的检测方法 |
JP7002932B2 (ja) * | 2017-12-22 | 2022-01-20 | 昭和電工株式会社 | SiCインゴットの製造方法 |
CN111801771B (zh) * | 2018-02-27 | 2024-04-26 | 胜高股份有限公司 | 半导体单晶锭的切片方法 |
-
2021
- 2021-01-14 KR KR1020210005463A patent/KR102283879B1/ko active IP Right Grant
-
2022
- 2022-01-12 JP JP2022003382A patent/JP7330552B2/ja active Active
- 2022-01-12 TW TW111101336A patent/TWI801094B/zh active
- 2022-01-12 EP EP22151229.6A patent/EP4029669A1/en active Pending
- 2022-01-13 CN CN202210038941.9A patent/CN114762995B/zh active Active
- 2022-01-14 US US17/575,999 patent/US11969917B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001334452A (ja) | 2000-05-30 | 2001-12-04 | Memc Japan Ltd | 円柱状ワークの切断方法 |
JP2013038116A (ja) | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶基板の製造方法 |
JP2013089937A (ja) | 2011-10-24 | 2013-05-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素基板の製造方法および炭化珪素基板 |
JP2019127415A (ja) | 2018-01-24 | 2019-08-01 | 昭和電工株式会社 | 単結晶4H−SiC成長用種結晶及びその加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114762995A (zh) | 2022-07-19 |
US11969917B2 (en) | 2024-04-30 |
CN114762995B (zh) | 2024-04-26 |
EP4029669A1 (en) | 2022-07-20 |
TWI801094B (zh) | 2023-05-01 |
US20220219354A1 (en) | 2022-07-14 |
JP2022109237A (ja) | 2022-07-27 |
KR102283879B1 (ko) | 2021-07-29 |
TW202240035A (zh) | 2022-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10269554B2 (en) | Method for manufacturing SiC epitaxial wafer and SiC epitaxial wafer | |
JP5481198B2 (ja) | サファイア基板の研削方法 | |
TWI746817B (zh) | 鑄塊的切斷方法 | |
JP7330552B2 (ja) | 炭化珪素ウエハーの製造方法、炭化珪素ウエハー及びウエハー製造用システム | |
JP6579889B2 (ja) | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
JP2016139751A (ja) | サファイア基板の研磨方法及び得られるサファイア基板 | |
JP6011339B2 (ja) | 炭化珪素基板の製造方法 | |
JP7419233B2 (ja) | SiCウエハの製造方法 | |
WO2005080646A1 (ja) | 単結晶半導体の製造方法 | |
CN113512759B (zh) | 碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的*** | |
KR102239736B1 (ko) | 탄화규소 잉곳의 제조방법 및 이에 따라 제조된 탄화규소 잉곳 | |
JP6722578B2 (ja) | SiCウェハの製造方法 | |
JP4248804B2 (ja) | 半導体ウェーハおよび半導体ウェーハの製造方法 | |
JP6334253B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの加工方法 | |
CN113652748B (zh) | 一种具有环形阻隔带的籽晶及其加工方法 | |
TWI765810B (zh) | 碳化矽錠的製造方法、碳化矽晶圓的製造方法、碳化矽錠以及碳化矽錠製造裝置 | |
JP6471686B2 (ja) | シリコンウェーハの面取り方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ | |
JP6481790B2 (ja) | SiCエピタキシャルウェハ | |
CN112805810A (zh) | 硅晶片的热处理方法 | |
JP6551494B2 (ja) | 炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板の製造方法 | |
JP2016007690A (ja) | サファイア基板の製造方法 | |
JP2010080471A (ja) | SiC単結晶基板の研磨方法 | |
JP2003007659A (ja) | シリコン半導体ウエハの製造方法 | |
KR101626750B1 (ko) | 다수 가공 와이어 소우 장치 | |
JP2015127068A (ja) | 炭化珪素基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230606 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230704 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230802 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7330552 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |