JP7313143B2 - ブレ補正装置及び撮像装置 - Google Patents

Description

本発明は、撮影時のブレを補正するブレ補正装置と、ブレ補正装置を備える撮像装置に関する。

撮像装置に搭載されるブレ補正装置でのブレ補正方式には、光学レンズを光軸と直交する方向（以下「光軸直交方向」という）に移動させる方式と、撮像素子を光軸直交方向に移動させる方式とがある。例えば特許文献１は、磁石とコイルを有する所謂ボイスコイルモータを用いて撮像素子を光軸直交方向に移動させるブレ補正装置を提案している。また、例えば特許文献２は、撮影レンズ内にボイスコイルモータを用いたブレ補正装置を搭載し、コイルから発生する磁場を磁性体からなる遮蔽部材で遮蔽する構成を提案している。

特開２０１０－１５１０７号公報 特開２０１７－１７３７５７号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載された技術では、コイルから発生する電磁波が撮像装置本体に実装されている電子部品に誤作動を生じさせるおそれがある。例えば、コイルが撮像素子の近傍に配置されている場合には、コイルから発生した磁場が撮像素子へ到達し、磁気ノイズとして画像へ影響を与えることが考えられる。ここで、上記特許文献２に記載されている遮蔽部材を撮像素子とコイルとの間に配置する構成が考えられるが、遮蔽部材を撮像素子との間隔が狭いために遮蔽部材を置くことが困難な場合があり、或いは、遮蔽部材の配置により撮像装置が大型化してしまう。

本発明は、大型化を回避しながら撮像素子への磁場の影響を低減させることが可能なブレ補正装置を提供することを目的とする。

本発明に係るブレ補正装置は、撮像素子を有する可動部と、前記可動部を移動可能に支持する固定部とを有し、前記撮像素子の受光面と平行な平面内で前記撮像素子が移動可能なブレ補正装置であって、前記可動部は、１つ以上のコイルと、前記コイルを保持する保持部材と、非磁性金属からなり、前記保持部材において前記コイルが実装された面の反対側の面に配置される板状の第１の遮蔽部と、非磁性金属からなり、前記撮像素子において前記コイル側を向く側壁に沿って配置される第２の遮蔽部と、を備え、前記固定部は、前記コイルと対向する位置に配置される永久磁石を備え、前記撮像素子の受光面と直交する方向から見たときに、前記第１の遮蔽部が前記コイルの少なくとも一部を覆い、かつ、前記撮像素子の受光面と平行な第１の方向において前記コイルの中空部と前記永久磁石の中心とが重なる状態のときの前記第１の遮蔽部の端から前記撮像素子までの距離が前記永久磁石の端から前記撮像素子までの距離よりも短く、前記第１の方向において前記第１の遮蔽部と前記第２の遮蔽部との間に隙間が設けられていることを特徴とする。

本発明によれば、大型化を回避しながら撮像素子への磁場の影響を低減させたブレ補正装置を提供することができる。

撮像装置の中央断面図と、撮像装置の電気的構成を示すブロック図である。 第１実施形態に係るブレ補正ユニットの外観斜視図と分解斜視図である。 第１実施形態に係るブレ補正ユニットの上面図と断面図である。 第１実施形態に係るブレ補正ユニットと参考例に係るブレ補正ユニットのそれぞれでの磁場を模式的に表す図である。 第１実施形態に係るブレ補正ユニットでの遮蔽部材に発生する渦電流による磁気ノイズの低減効果を説明する図である。 第２実施形態に係るブレ補正ユニットを構成する可動部の概略構成を示す斜視図である。 図６の可動部を備えるブレ補正ユニットとその変形例に係るブレ補正ユニットでの磁場を模式的に表す図である。 図６の可動部の変形例を示す斜視図と、この可動部を備えるブレ補正ユニットでの磁場を模式的に表す図である。 遮蔽部材に設けられる立ち曲げ面部の望ましい形状を説明する図である。 遮蔽部材に設けられる立ち曲げ面部の別形状を説明する図である。

以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。図１（ａ）は本発明の実施形態に係る撮像装置の中央断面図であり、図１（ｂ）は撮像装置の電気的構成を示すブロック図である。

撮像装置は、カメラ本体１（撮像装置本体）と、カメラ本体１に装着された撮影レンズ２（レンズ鏡筒）を有する。ここでは、撮影レンズ２とカメラ本体１とは機械的に着脱可能であり、機械的に結合された状態では、電気接点１１において電気的にも接続される。なお、これに限られず、撮影レンズ２はカメラ本体１と一体的に（着脱不可に）構成されていてもよい。

撮影レンズ２は、複数のレンズからなる撮影光学系３と、撮影光学系３を構成するフォーカスレンズやズームレンズ等の各種レンズや不図示の絞りを駆動するレンズ駆動部１３と、レンズ駆動部１３の動作を制御するレンズシステム制御部１２を有する。カメラ本体１は、カメラシステム制御部５、撮像素子６、画像処理部７、記憶部８、表示部９、操作検出部１０、ブレ補正ユニット１４、ブレ検知部１５、シャッタユニット１６及びシャッタ駆動部１７を有する。表示部９は、背面表示装置９ａとＥＶＦ９ｂを含む。

説明の便宜上、図１（ａ）に示すように、撮像装置に対して互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を規定する。Ｚ軸は、撮影レンズ２の光軸と平行な軸であり、撮像素子６の受光面（撮像面）と略直交する軸である。Ｘ軸は、Ｚ軸が水平方向と平行であるときに、水平面内でＺ軸と直交する軸である。Ｙ軸は、Ｚ軸が水平方向と平行であるときに、鉛直方向と平行な軸である。

撮影光学系３を通過した光束は撮像素子６に結像し、撮像素子６は光電変換により光学像を電気信号に変換して画像処理部７へ出力する。その際、撮像素子６によりピント評価量と適当な露光量を得ることができ、得られた各量に基づいて適切に撮影光学系３が調整されることで、適切な光量の物体光が撮像素子６に露光される。また、シャッタユニット１６がシャッタ幕を走行させることにより、撮像素子６への露光量が制御される。シャッタユニット１６の駆動は、カメラシステム制御部５からの命令に従うシャッタ駆動部１７により制御される。

画像処理部７は、内部にＡ／Ｄ変換器、ホワイトバランス調整回路、ガンマ補正回路、補間演算回路等を有しており、記憶用画像（映像）のデジタルデータを生成する。なお、画像処理部７は色補間処理回路を有しており、色補間処理回路はベイヤ配列の信号から色補間（デモザイキング）処理を施してカラー画像を生成する。また、画像処理部７は、所定の方法を用いて画像データ、動画データ、音声データの圧縮を行う。記憶部８は、カメラシステム制御部５が実行するプログラム等を格納するＥＥＰＲＯＭ等の半導体記憶装置や、画像処理部７が生成した各種データを格納するメモリカード等を含む。

操作検出部１０は、カメラ本体１に設けられた種々の操作部材に対する操作を検出し、検出結果をカメラシステム制御部５へ通知する。カメラシステム制御部５は、操作検出部１０からの通知に対応する処理を実行する。例えば、操作検出部１０に含まれるレリーズボタンが押下されると、カメラシステム制御部５は、撮像準備処理、撮像処理、画像処理、記憶処理といった一連の周知の撮像動作が実行される。

背面表示装置９ａは、被写体像、撮影画像、撮像装置の設定情報等の各種の情報を表示する。なお、背面表示装置９ａはタッチパネルになっており、操作検出部１０の１つとしてタッチ操作を検出する機能を有する。撮影者（ユーザ）は、ＥＶＦ９ａを覗くことで、被写体像を確認することができる。

ブレ検知部１５は、振動ジャイロ等のセンサを有し、Ｘ軸まわり、Ｙ軸まわり及びＺ軸まわりの回転を含むカメラ本体１の回転ブレを検知し、ブレ検知結果をカメラシステム制御部５へ送信する。カメラシステム制御部５は、ブレ検知部１５からのブレ検知結果に基づいて、検知されたブレが相殺されるようにブレ補正ユニット１４の駆動を制御することにより、撮像素子６を光軸（Ｚ軸）と直交する方向（Ｘ方向、Ｙ方向）に駆動する。ブレ補正ユニット１４は、撮像素子６を光軸と直交する平面内（ＸＹ面内）に並進させ、且つ、光軸まわり（Ｚ軸まわり）に回転させることができるように構成されている。

カメラシステム制御部５は、撮像装置を構成する各部の動作を統括的に制御することにより、撮像装置の全体的な制御を行う。また、カメラシステム制御部５は、電気接点１１を介してレンズシステム制御部１２に指令を送信する。レンズシステム制御部１２は、カメラシステム制御部５からの指令に従ってレンズ駆動部１３を駆動し、その結果（撮影レンズ２での動作情報等）をカメラシステム制御部５へ送信する。

＜第１実施形態＞
次に、本発明の第１実施形態に係るブレ補正ユニット１４について説明する。図２（ａ）はブレ補正ユニット１４の外観斜視図であり、図２（ｂ）はブレ補正ユニット１４の分解斜視図である。図３（ａ）はブレ補正ユニット１４の上面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示す矢視Ａ－Ａでのブレ補正ユニット１４の断面図である。ブレ補正ユニット１４は撮像素子６を光軸と直交する平面内で移動させるため、図３及び図３には撮像素子６を併記している。なお、図３及び図３に不図示の撮影レンズ２は、Ｚ軸正方向側に配置されている。

ブレ補正ユニット１４は、大略的に、可動部５０、上面固定部６０及び下面固定部７０から構成されている。可動部５０は、上面固定部６０及び下面固定部７０に対して光軸と直交する平面内で移動可能に、上面固定部６０と下面固定部７０に支持されている。

撮像素子６は可動部５０に含まれる。可動部５０は、可動枠５１、コイル５３ａ，５３ｂ，５３ｃ、磁気センサ５４ａ，５４ｂ，５４ｃ、ＦＰＣ５５（フレキシブルプリント基板）及び遮蔽部材５６を有する。上面固定部６０は、上面ヨーク６１と、永久磁石である磁石６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄ，６２ｅ，６２ｆを有する。下面固定部７０は、ベース板７１、ボール転動面７２ａ，７２ｂ，７２ｃ、メインスペーサ７３ａ，７３ｂ，７３ｃ、サブスペーサ７４ａ，７４ｂ，７４ｃ及び下面ヨーク７５を有する。更に下面固定部７０は、永久磁石である磁石７６ａ，７６ｂ，７６ｃ，７６ｄ，７６ｅ，７６ｆと、転動ボール７７ａ，７７ｂ，７７ｃを有する。

上面固定部６０の上面ヨーク６１及び磁石６２ａ～６２ｆと下面固定部７０の下面ヨーク７５及び磁石７６ａ～７６ｆとが磁気回路（、所謂、閉磁路）を形成している。磁石６２ａ～６２ｆはそれぞれ、上面ヨーク６１に吸着した状態で接着固定されている。同様に、磁石７６ａ～７６ｆはそれぞれ、下面ヨーク７５に吸着した状態で接着固定されている。磁石６２ａ～６２ｆ，７６ａ～７６ｆはそれぞれ光軸方向（Ｚ軸方向）に着磁されている。具体的には、隣接する磁石同士の各組［磁石６２ａ，磁石６２ｂ］、［磁石６２ｃ，磁石６２ｄ］、［磁石６２ｅ，磁石６２ｆ］、［磁石７６ａ，磁石７６ｂ］、［磁石７６ｃ，磁石７６ｄ］、［磁石７６ｅ，磁石７６ｆ］で互いに異なる向きに着磁されている。一例として、図３（ｂ）に示す磁石６２ｅ，６２ｆ，７６ｅ，７６ｆに着磁方向を示す記号Ｓ，Ｎが示されており、隣接する磁石６２ｅ，６２ｆで着磁方向が異なる向きとなっており、磁石７６ｅ，７６ｆで着磁方向が異なる向きとなっていることがわかる。一方、Ｚ軸方向で対向するように配置される磁石同士は同じ向きに着磁されている。例えば図３（ｂ）に示すように、磁石６２ｅ，７６ｅで着磁方向が同じ向きであり、磁石６２ｆ，７６ｆで着磁方向が同じ向きとなっていることがわかる。同様のことが、磁石６２ａ，７６ａ、磁石６２ｂ，７６ｂ、磁石６２ｃ，７６ｃ、磁石６２ｄ，７６ｄの各組み合わせについて言える。このような構成により、上面ヨーク６１と下面ヨーク７５の間に光軸方向に強い磁束密度が生じる。

上面ヨーク６１と下面ヨーク７５の間は、これらの間に配置されたメインスペーサ７３ａ，７３ｂ，７３ｃとサブスペーサ７４ａ，７４ｂ，７４ｃにより、所定の間隔に保たれている。可動部５０は、上面ヨーク６１と下面ヨーク７５の間に所定の隙間を持って配置されている。メインスペーサ７３ａ，７３ｂ，７３ｃの円筒側面部にはゴムが設置されており、可動部の機械的端部（ストッパ）を形成している。ベース板７１と下面ヨーク７５は、不図示のビスによって固定されている。磁石７６ａ～７６ｆは、ベース板７１よりも厚み方向（Ｚ軸方向）の寸法が大きい。ベース板７１には磁石７６ａ～７６ｆを避けるように穴部が設けられている。磁石７６ａ～７６ｆは、Ｚ軸方向において磁石７６ａ～７６ｆの各面がベース板７１に設けられた各穴部を通してベース板７１から突出するように、下面ヨーク７５に固定されている。

可動部５０を構成する可動枠５１は、アルミダイカスト等の非磁性金属で形成されている。可動枠５１に撮像素子６、ＦＰＣ５５及び遮蔽部材５６が搭載されている。コイル５３ａ，５３ｂ，５３ｃは、ＦＰＣ５５の下面固定部７０側（Ｚ軸の負方向側）の面に実装（固定）されており、不図示のコネクタを介して外部との電気的なやり取りを行う。コイル５３ａ～５３ｃは、巻き線による中空部の軸方向が光軸と略平行になっており、撮像素子６に対して略同一平面に配置されている。

磁気センサ５４ａ，５４ｂ，５４ｃはそれぞれ、コイル５３ａ，５３ｂ，５３ｃの巻き線の内側である中空部内においてＦＰＣ５５に実装されており、不図示のコネクタを介して外部との電気的なやり取りを行う。例えば、コイル５３ｃの巻き線による中空部内に磁気センサ５４ｃが実装された状態が図３（ｂ）に示されている。磁気センサ５４ａ～５４ｃは、例えばホール素子等であり、前述の磁気回路を利用して可動部５０が光軸と直交する平面内で移動した際の位置を検出する。このように、ＦＰＣ５５は、コイル５３ａ～５３ｃ及び磁気センサ５４ａ～５４ｃを保持する保持部材として、且つ、コイル５３ａ～５３ｃ及び磁気センサ５４ａ～５４ｃとカメラシステム制御部５とを電気的に接続する接続部材としての役割を担う。

ＦＰＣ５５においてコイル５３ａ～５３ｃが実装されている面の反対側の面（上面固定部６０側）には、非磁性金属からなる薄い平板状の遮蔽部材５６が接着されている。遮蔽部材５６は、ＦＰＣ５５と略同等の形状を有しており、光軸方向で投影して見た際にコイル５３ａ～５３ｃの略全面を覆う形状に設計されている。遮蔽部材５６には、透磁率が小さく、且つ、導電率の高い材料が好適に用いられ、ここではアルミニウムが用いられている。遮蔽部材５６の厚みは、ブレ補正ユニット１４のＺ軸方向のサイズを考慮すると、０．１ｍｍ～０．５ｍｍ程度とすることが望ましい。

仮に遮蔽部材５６が透磁率の大きい磁性材で構成されていると、上面固定部６０と下面固定部７０からなる磁気回路の磁場を乱し、コイル５３ａ～５３ｃへの効率的な磁束の到達が妨げられるおそれがある。また、遮蔽部材５６の透磁率が大きいと、可動部５０が磁石６２ａ～６２ｆ，７６ａ～７６ｆからの磁力に引っ張られることによって可動部５０の駆動制御が妨げられるおそれがある。このような問題の発生を回避する観点から、遮蔽部材５６には透磁率の小さい材料を用いることが望ましい。なお、遮蔽部材５６に導電率の大きい材料を用いることが望ましい理由の詳細については後述する。

カメラシステム制御部５による制御下でコイル５３ａ～５３ｃに電流を流すと、フレミング左手の法則に従った力が発生することにより、可動部５０を動かすことができる。その際、磁気センサ５４ａ～５４ｃからの出力信号を用いることにより、フィードバック制御を行うことができる。磁気センサ５４ａ～５４ｃからの出力信号の値を適切に制御し、コイル５３ａ～５３ｃに流す電流を制御することにより、可動部５０を光軸と直交する平面内で並進移動させ、また、光軸と略平行な軸まわりに回転移動させることができる。例えば、コイル５３ｃに流す電流を制御することにより、可動部５０は示すＸ軸方向に並進移動する。また、コイル５３ａ，５３ｂに流す電流を制御することにより、可動部５０をＹ軸方向に並進移動させ、或いは、光軸と略平行な軸まわりに回転移動させることができる。フィードバック制御を含む制御方法の詳細については、多くの提案がなされており、そのような公知の技術を用いることができるため、ここでの詳細な説明は省略する。

ブレ補正ユニット１４は、コイル５３ａ～５３ｃと磁気センサ５４ａ～５４ｃの実装にＦＰＣ５５を用いることにより、薄型化（Ｚ軸方向での小型化）を図っている。しかし、ＦＰＣ５５は柔軟性を有するため、コイル５３ａ～５３ｃに電流を流した際にコイル５３ａ～５３ｃが電磁石として働くことでコイル５３ａ～５３ｃが磁石６２ａ～６２ｆ，７６ａ～７６ｆに引き寄せられる力を受けることで、ＦＰＣ５５が撓むおそれがある。そのため、磁気センサ５４ａ～５４ｃはそれぞれコイル５３ａ～５３ｃの中空部内に配置されているが、ＦＰＣ５５が撓むと磁気センサ５４ａ～５４ｃが磁石６２ａ～６２ｆ又は磁石７６ａ～７６ｆに近付くおそれがある。この場合、可動部５０が光軸と略直交する平面内で移動していなくとも磁気センサ５４ａ～５４ｃの出力信号が変化してしまうことで、可動部５０の位置を誤検出されてしまう。このような問題に対処するため、ＦＰＣ５５を金属からなる遮蔽部材５６と接着することによってＦＰＣ５５の撓みを防ぐことにより、磁気センサ５４ａ～５４ｃの移動による誤検出の発生を抑制している。

カメラシステム制御部５は、コイル５３ａ～５３ｃに電流を流す際に、高周波信号のパルス幅（デューティ比）を制御することで駆動電圧を制御する、所謂、ＰＷＭ制御を行う。ＰＷＭ制御では、コイル５３ａ～５３ｃには、ＰＷＭ制御での駆動電圧による低周波の直流電流に重畳して、ＰＷＭ制御の駆動周波数による高周波で振幅の小さい交流電流が流れる。そのため、コイル５３ａ～５３ｃへ電流を流すことによってコイル５３ａ～５３ｃから磁場が発生し、発生した磁場が撮像素子６に到達することによって撮像素子６の映像信号に磁気ノイズを発生させる。特に、ＰＷＭ制御の駆動周波数に起因する高周波電流の変化によって発生する磁場が撮像素子６の映像信号に影響を与えることが知られている。

図３（ｂ）に示すように、可動枠５１に配置される撮像素子６は、基材部６ａ、チップ部６ｂ及びガラス部６ｃを有する。チップ部６ｂは、シリコン層からなり、撮影光学系３からの光が結像する受光面を有し、受光面に結像した光学像を光電変換により電気信号に変換する受光部を有する。また、チップ部６ｂは、受光部からの信号のやり取りを行う回路が配置されている。チップ部６ｂのランド部は、不図示のワイヤーボンディングによって、基材部６ａに配置された配線層と接続されており、基材部６ａの配線層は更に不図示の基板に接続されている。

図３（ｂ）に示すようにブレ補正ユニット１４では、コイル５３ａ～５３ｃと撮像素子６は略同一平面に配置することにより、薄型化を図っている。しかしながら、撮像素子６とコイル５３ａ～５３ｃを可動部５０において略同一平面上に配置した構成には次のような課題がある。即ち、撮像素子６のチップ部６ｂにコイル５３ａ～５３ｃから発生する磁場が到達すると、磁気ノイズとして撮像素子６が取得する画像へ影響が現れる。例えば、撮影レンズにコイルを含むブレ補正装置が装備されている場合には、本実施形態と比べるとコイルが撮像素子から離れているため、コイルから発生する磁場の撮像素子への影響は小さい。しかしながら、ブレ補正ユニット１４のようにコイル５３ａ～５３ｃと撮像素子６が近接している構成では、コイル５３ａ～５３ｃから発生する磁場の撮像素子６への影響が大きくなり、撮像素子６からの出力信号への磁気ノイズが混入しやすくなる。

そこで、ブレ補正ユニット１４では、遮蔽部材５６を配置することにより、ブレ補正ユニット１４の薄型化を図る共に、コイル５３ａ～５３ｃから発生する磁場の撮像素子６への影響を軽減させる構成を実現している。続いて、図４を参照して、コイル５３ａ～５３ｃから発生する磁場の遮蔽部材５６による遮蔽効果について説明する。特に、ブレ補正ユニット１４は、ＰＷＭ制御の駆動周波数に起因する高周波電流の変化によって発生する高周波磁場の撮像素子６への影響を軽減させる効果を奏する。

図４（ａ）は、図３（ｂ）に示した断面図の要部（図３（ｂ）の左部）を拡大して、コイル５３ｃから発生する磁場を模式的に表した図である。図４（ｂ）は、ブレ補正ユニット１４から遮蔽部材５６を除いた参考例に係るブレ補正ユニットでのコイル５３ｃから発生する磁場を模式的に表した図である。

図４（ａ），（ｂ）中の矢印８１，８２はそれぞれ、コイル５３ｃから発生した磁場（磁束）の流れ（進行方向）を示している。なお、コイル５３ｃから発生する磁場は矢印８１，８２で示すよりも大量且つ密に発生しているが、撮像素子６への影響を説明するために模式的に１本ずつ示している。

先ず、参考例の構成を表した図４（ｂ）について説明する。コイル５３ｃの中空部の下面側から発生した磁場は矢印８２ａで示されるように進み、矢印８２ｂ，８２ｃ，８２ｄ，８２ｅ，８２ｆ，８２ｇで示すように分岐、合流を行い、コイル５３ｃの中空部の上面側（Ｚ軸正方向側）に到達する。このとき、可動枠５１は導電性の高いアルミダイカストで構成され、且つ、一定の厚みを有するため、高周波磁場は表皮効果によって可動枠５１内を殆ど通過することなく、矢印８２ｂ，８２ｆで示されるように可動枠５１を避けて進む。

コイル５３ｃと可動枠５１の隙間４０を通過する磁場は、矢印８２ｂで表されており、矢印８２ｂのように進む磁場は、その先で矢印８２ｃのようにコイル５３ｃの上面側に進むものと、矢印８２ｄ，８２ｇのように撮像素子６側に進むものに分岐する。この場合に、矢印８２ｇのように撮像素子６のチップ部６ｂに到達する磁場が強いと、撮像素子６の信号が磁気ノイズの影響を受ける。なお、上面ヨーク６１と下面ヨーク７５は磁性材からなるため、磁場は上面ヨーク６１内と下面ヨーク７５内を通過し、矢印８２ｅで示す磁場は上面ヨーク６１を通過してコイル５３ｃ上面側へ到達する。

続いて、本実施形態に係るブレ補正ユニット１４の構成を表した図４（ａ）について説明する。コイル５３ｃの中空部の下面側から発生した磁場は矢印８１ａで示されるように進み、矢印８１ｂ，８１ｃ，８１ｄ，８１ｅ，８１ｆ，８１ｇ，８１ｈで示すように分岐、合流を行い、コイル５３ｃの中空部の上面側（Ｚ軸正方向側）に到達する。矢印８１ｂの先の矢印８１ｈ，８１ｇは、コイル５３ｃと遮蔽部材５６の間に位置するＦＰＣ５５内を通過する磁場を模式的に表している。ＦＰＣ５５は主に樹脂で構成されているため、磁場の多くがＦＰＣ５５を通過する。

一方、遮蔽部材５６はアルミニウムで構成されており、且つ、一定の厚みを有するため、上述したように、表皮効果により高周波磁場の透過を妨げる効果がある。そのため、可動枠５１とコイル５３ｃの隙間４０を通過する矢印８１ｂで表される磁場は、遮蔽部材５６があるために、多くが矢印８１ｈで表される方向へ進み、残りの磁場が矢印８１ｄ，８１ｃ，８１ｇで表される方向へ進む。図４（ａ）では矢印８１ｄ，８１ｃ，８１ｇを、図４（ｂ）に示した矢印８２ｄ，８２ｃ，８２ｇの線幅よりも細い線幅で描画することにより、矢印８１ｄ，８１ｃ，８１ｇの磁場が矢印８２ｄ，８２ｃ，８２ｇの磁場よりも弱いことを模式的に表している。

遮蔽部材５６は磁場を完全遮蔽するわけではなく、遮蔽部材５６が薄いために一部の磁場は矢印８１ｃ，８１ｄで示すように遮蔽部材５６を通過する。また、矢印８１ｇに示すように、遮蔽部材５６に沿って進んだ後に撮像素子６のチップ部６ｂに到達する磁場も存在すると考えられる。しかし、矢印８１ｃ，８１ｄ，８１ｈを比較すると、矢印８１ｈで示される磁場が矢印８１ｃ，８１ｄで示される磁場よりも相対的に大きいため、チップ部６ｂへの到達する磁場を低減させることができる。

なお、図４（ａ），（ｂ）を参照して、コイル５３ｃの一方向に電流が流れた際の磁場の発生の態様について説明したが、ＰＷＭ制御による印加電圧には交流成分が含まれるため、ブレ補正ユニット１４の実際の駆動時には逆方向の電流の変化もある。その場合にコイル５３ｃから発生する磁場は、逆方向のベクトルとなって発生する。例えば図４（ａ）の場合、コイル５３ｃから発生する磁場は矢印８１ａ～８１ｈの逆の経路で進むだけであるため、上記説明の通りに遮蔽部材５６による効果を同様に得ることができる。

ところで、遮蔽部材５６にはコイル５３ｃの磁場を受けることで渦電流が発生し、矢印８１ａの磁場を打ち消すような反磁界が発生する。そこで次に、遮蔽部材５６に発生する渦電流の効果について説明する。図５は、遮蔽部材５６に発生する渦電流による磁気ノイズの低減効果を説明する図であり、ここでは、コイル５３を例に挙げて説明する。便宜上、図５では遮蔽部材５６の一部を長方形で示している。また、磁場はＦＰＣ５５を透過するため、コイル５３ｃと遮蔽部材５６の間に存在するＦＰＣ５５の図示を図５では省略している。更に、図５ではコイル５３ｃと遮蔽部材５６の間隔を広く描画している。

コイル５３ｃに矢印１１１で示す方向に電流Ｉを流すと、コイル５３ｃから矢印１１２で示す磁場が発生する。発生した磁場は、遮蔽部材５６においてコイル５３ｃと対面する面に鎖交し、遮蔽部材５６の面上に渦電流Ｉｅが発生する。渦電流Ｉｅにより、矢印１１２の磁場を打ち消すような矢印１１４で示す磁場Ｂｃが発生する。磁場Ｂｃの打ち消し効果により、コイル５３ｃから発生する磁場が全体として低減される。

なお、矢印１１１の方向の反対方向に電流Ｉを流した場合、コイル５３ｃから発生する磁場の向き（矢印１１２）と、渦電流Ｉｅが流れる向き、渦電流Ｉｅにより発生する磁場の向き（矢印１１４）はそれぞれ反転する。矢印１１２は、図４（ａ）に適用すると、Ｚ軸の正方向を向いている。つまり、図４（ａ）は、このような反転が生じている状態を表している。図４（ａ）に示す矢印８１ａの方向に磁場が発生すると、遮蔽部材５６で発生した渦電流により発生する磁場により、コイル５３ｃで発生する矢印８１ａの磁場の強度が全体的に小さくなる。その結果、撮像素子６に到達する磁場が更に低減される。

ここまで、コイル５３ｃで発生する磁場と遮蔽部材５６との関係について説明したが、コイル５３ａ，５３ｂと遮蔽部材５６との間でも、同様の効果（撮像素子６への磁場の影響を軽減する効果）が得られる。上記説明の通り、本実施形態に係るコイル５３ａ～５３ｃと撮像素子６を含む可動部５０を有するブレ補正ユニット１４では、コイル５３ａ～５３ｃの上面に薄い平板状の遮蔽部材５６が配置されている。これにより、大型化を回避して薄型化を図りながら、コイル５３ａ～５３ｃから発生した磁場の撮像素子６へ影響を軽減させることができる。その結果として、撮像素子６からの出力信号への電磁ノイズの混入を抑制して、質の高い画像信号（映像信号）を得ることが可能になる。

なお、本実施形態では、遮蔽部材５６を、ＦＰＣ５５と略同等の形状として、光軸方向で投影して見た際にコイル５３ａ～５３ｃの略全面を覆う形状とした。しかし、これに限られず、光軸方向で投影して見た際に、遮蔽部材５６がコイル５３ａ～５３ｃの少なくとも一部を覆う形状であれば、前述のコイル５３ａ～５３ｃから発生する磁場の撮像素子６への影響の軽減効果を得ることができる。例えば、光軸方向で投影して見た際に、遮蔽部材５６がコイル５３ａ～５３ｃの中空部を覆う構成であれば、遮蔽部材５６に渦電流を発生させることができ、コイル５３ａ～５３ｃから発生する磁場を全体として低減させることができる。また、可動枠５１とコイル５３ｃの隙間４０（図４（ａ）参照）を覆う位置（破線４０ｅの位置）まで遮蔽部材５６が延伸されていれば、矢印８１ｈで示す磁場を作ることができることで、撮像素子６への磁場の到達を低減させることができる。なお、遮蔽部材５６による磁場の低減効果は、表皮効果によって低減させたい磁場の周波数と遮蔽部材５６の導電率によって決まり、遮蔽部材５６に例えば銅等の導電性の高い座量を用いれば、より大きな効果が得られる。

＜第２実施形態＞
図６は、本発明の第２実施形態に係るブレ補正ユニット１４Ａ（図７（ａ）参照）が備える可動部５０Ａの概略構成を示す斜視図である。ブレ補正ユニット１４Ａの可動部５０Ａは、遮蔽部材５６の変形例に係る遮蔽部材５６Ｓを有する。第２実施形態に係るブレ補正ユニット１４Ａと第１実施形態に係るブレ補正ユニット１４との違いは、遮蔽部材５６Ｓと遮蔽部材５６との構造（形状）の違いである。

なお、第２実施形態に係るブレ補正ユニット１４Ａの全体的な構成は、遮蔽部材５６Ｓの構造（形状）を除いて、第１実施形態で説明したブレ補正ユニット１４と同等である。つまり、ブレ補正ユニット１４Ａは、可動部５０Ａと、上面固定部６０と、下面固定部７０を備える。そのため、以下の説明では、上面固定部６０と下面固定部７０についての説明を省略する。また、可動部５０Ａの構成要素のうち第１実施形態で説明した可動部５０と共通する構成要素については、可動部５０の構成要素をそのまま適用して説明を行う。但し、既説の事項については説明を省略する。

図６に示すように、遮蔽部材５６Ｓは、立ち曲げ面部５６ｂ，５６ｃと、切り欠き部５６ｄ，５６ｅを有しており、この点で遮蔽部材５６と異なる。立ち曲げ面部５６ｂ，５６ｃはそれぞれ、遮蔽部材５６Ｓにおける撮像素子６側の辺であって、コイル５３ａ～５３ｃが実装される面の反対側（Ｚ軸の正方向側）へ略垂直に曲げて形成されている。切り欠き部５６ｄ，５６ｅはそれぞれ、遮蔽部材５６Ｓにおいて光軸と直交する平面において、立ち曲げ面部５６ｂ、５６ｃの根元部に設けられている。つまり、切り欠き部５６ｄ，５６ｅは、立ち曲げ面部５６ｂ，５６ｃには設けられていない。

図７（ａ）は、可動部５０Ａを有するブレ補正ユニット１４Ａの要部の構成を図４（ａ）と同様に示す断面図であり、コイル５３ｃから発生する磁場を模式的に表した図である。図７（ｂ）は、遮蔽部材５６Ｓに代えて、切り欠き部５６ｄ，５６ｅが設けられていない遮蔽部材５６Ｔを有する可動部を有するブレ補正ユニット１４Ｂの要部の構成を図７（ａ）と同様に示す断面図であり、コイル５３ｃから発生する磁場を模式的に表した図である。矢印８３，矢印８４はそれぞれ、図４に示した矢印８１，８２と同様に、コイル５３ｃから発生した磁場を示しているが、図７（ａ），（ｂ）には立ち曲げ面部５６ｂと切り欠き部５６ｄに関わる代表的な磁場のみが模式的に表されている。

可動部５０Ａが表されている図７（ａ）について説明する。コイル５３ｃの中空部の下面側から発生した磁場は矢印８３ａで示される方向へ進み、その磁場の一部は、図４（ａ）と同様に、可動枠５１とコイル５３ｃの隙間４０を矢印８３ｂで示されるように通過する。矢印８３ｂで示される磁場は、遮蔽部材５６Ｓにより多くが矢印８３ｈの方向へ進み、分岐した残りの磁場が矢印８３ｃ，８３ｉの方向へ進む。

矢印８３ｉの方向へ進む磁場は、切り欠き部５６ｄを通過し、立ち曲げ面部５６ｂの磁石６２ｆ側の面に沿って矢印８３ｄで示される方向へ進んだ後、矢印８３ｅで示されるように他の磁場と合流する。可動部５０Ａでは、遮蔽部材５６Ｓに切り欠き部５６ｄと立ち曲げ面部５６ｂが設けられているため、切り欠き部５６ｄを通過して立ち曲げ面部５６ｂよりも右側（つまり、撮像素子６側）へ漏れる磁場の量を低減させることができる。

立ち曲げ面部５６ｂを有するが切り欠き部５６ｄを有さない遮蔽部材５６Ｔを備える可動部が表されている図７（ｂ）について説明する。遮蔽部材５６Ｔは、第１実施形態で説明した遮蔽部材５６と比較すると、立ち曲げ面部５６ｂを有するが、切り欠き部５６ｄを有さないため、体積増加によって抵抗値が下がることで、流れる渦電流は大きくなる。こうして、渦電流によって発生する磁場が大きくなることで、コイル５３ｃで発生する磁場を打ち消す作用も大きくなる。その結果、図７（ｂ）に矢印８４ａで表す磁場の大きさは、図４（ａ）に矢印８１ａで示した磁場よりも小さく（Ｚ軸負方向への流れが小さく）なっている。

一方、コイル５３ｃの中空部の下面側から発生した磁場は矢印８４ａで示されるように進み、その磁場の一部は、図４（ａ）と同様に、可動枠５１とコイル５３ｃの隙間４０を矢印８４ｂで示される方向へ進む。矢印８４ｂで示される磁場は、遮蔽部材５６Ｔにより多くが矢印８４ｈの方向へ進み、分岐した残りの磁場が矢印８４ｃ、８４ｉの方向へ進む。矢印８４ｉの方向へ進んだ磁場は、立ち曲げ面部５６ｂの根元から矢印８４ｇで示す方向へ進んだ後、矢印８４ｅに示されるように他の磁場と合流する。

矢印８４ｇで示す磁場は、撮像素子６のチップ部６ｂへ漏れて、撮像素子６の出力信号に磁気ノイズを混入させる原因となる。ここで、前述したように、遮蔽部材５６Ｔでは、図７（ｂ）に矢印８４ａで表す磁場の大きさは、図４（ａ）に矢印８１ａで示した磁場よりも小さくなっている。よって、図７（ｂ）の構成であっても、図４（ａ）に示した構成と比較すると、チップ部６ｂへの磁界の漏れを抑制することができる。但し、撮像素子６への磁場の漏れをより低減させるためには、図７（ａ）に示した遮蔽部材５６Ｓのように切り欠き部５６ｄ，５６ｅを更に設けることが望ましい。

次に、切り欠き部を有する遮蔽部材の別の例について説明する。図８（ａ）は、遮蔽部材５６Ｕを備える可動部５０Ｂの外観斜視図である。図８（ｂ）は、可動部５０Ｂを有するブレ補正ユニット１４Ｃの要部の構成を図４（ａ）と同様に示す断面図であり、コイル５３ｃから発生する磁場を模式的に表した図である。

遮蔽部材５６Ｕでは、切り欠き部５６ｍが立ち曲げ面部５６ｂに設けられると共に、切り欠き部５６ｎが立ち曲げ面部５６ｃに設けられている。ブレ補正ユニット１４Ｃでは、コイル５３ｃの中空部の下面側から発生した磁場は、矢印８５ａで示される方向へ進み、その磁場の一部は、図４（ａ）と同様に、可動枠５１とコイル５３ｃの隙間４０を矢印８５ｂで示されるように通過する。矢印８５ｂで示される磁場は、遮蔽部材５６Ｕにより多くが矢印８５ｈの方向へ進み、分岐した残りの磁場が矢印８５ｃ，８５ｉの方向へ進む。矢印８４ｉの方向へ進んだ磁場は、立ち曲げ面部５６ｂの根元から矢印８５ｇ，８５ｊで示す方向へ分岐して進む。

可動部５０Ｂの構成では、矢印８５ｇで示されるように撮像素子６のチップ部６ｂへ漏れ込む磁場が存在する。しかし、立ち曲げ面部５６ｂに切り欠き部５６ｍが設けられているため、矢印８５ｊで示されるように、撮像素子６へ侵入した磁場の一部が切り欠き部５６ｍを通過して撮像素子６の外部へ抜ける。これにより、ブレ補正ユニット１４Ｃでは、図７（ｂ）のブレ補正ユニット１４Ｂよりも、撮像素子６のチップ部６ｂへ漏れ込む磁場を減少させることができる。

上述の各構成では、撮像素子６に対する磁界ノイズの低減効果は、ブレ補正ユニット１４（図４（ａ））＜ブレ補正ユニット１４Ｂ（図７（ｂ））＜ブレ補正ユニット１４Ｃ（図８）＜ブレ補正ユニット１４Ａ（図７（ａ））、の順に大きくなることがわかる。このことから、撮像素子へ漏れる磁場をより効果的に低減させる条件は、遮蔽部材に立ち曲げ面部を設けること、立ち曲げ面部の近傍に切り欠き部を設けること、切り欠き部は立ち曲げ面部の根元において撮像面と平行な面に設けること、であることがわかる。

続いて、遮蔽部材５６Ｓに形成される立ち曲げ面部５６ｂのより望ましい形状について説明する。図９は、立ち曲げ面部５６ｂの望ましい形状を説明する図である。なお、図９は、図７（ａ）の断面図から可動部５０の部品のみを書き出し、更にその一部を拡大した図である。

図９において、矢印８３ｊ，８３ｋで示す磁場は、矢印８３ｄで示す磁場が分岐する様子を模式的に表している。立ち曲げ面部５６ｂは、立ち曲げ面部５６ｂの先端部である立ち曲げ面先端部５６ｆが破線４４よりもＺ軸の正方向側に位置する形状とすることが望ましい。ここで、破線４４は、切り欠き部５６ｄのＸ軸負方向側の端面である切り欠き端面部５６ｇと、撮像素子６のチップ部６ｂにおけるＸ軸負方向側の側壁（上面）の上端部６ｄとを結ぶ線である。つまり、立ち曲げ面先端部５６ｆが、切り欠き端面部５６ｇと上端部６ｄを結ぶ面よりも、Ｚ軸正方向側（撮影光学系側）へ延伸した構成とすることが望ましい。

仮に立ち曲げ面先端部５６ｆが破線４４よりもＺ軸負方向側に位置する構成とした場合に矢印８３ｄで示される磁場が立ち曲げ面先端部５６ｆから撮像素子６側に迂回するように分岐すると、撮像素子６側へ分岐した磁場がチップ部６ｂに到達しやすくなる。これに対して、立ち曲げ面先端部５６ｆが破線４４よりもＺ軸正方向側に位置する場合、切り欠き部５６ｄを通過した後の矢印８３ｄで示される磁場が、矢印８３ｋで示す磁場のように立ち曲げ面先端部５６ｆよりも上方で撮像素子６側に迂回することが考えられる。この場合には、チップ部６ｂに到達する磁場は少なく、よって、撮像素子６からの出力信号への影響を軽減させることができる。

なお、立ち曲げ面部５６ｂのＺ軸方向長さが長い（立ち曲げ面先端部５６ｆがＺ軸正方向側に長く延伸している）場合、コイル５３ｃから発生する磁場の撮像素子６への漏れを低減させることができるが、ブレ補正ユニット１４がＺ軸方向で厚くなってしまう。この問題を回避するため、立ち曲げ面先端部５６ｆを必要以上に破線４４よりもＺ軸正方向側（撮影光学系側）へ延伸させる必要はない。

＜第３実施形態＞
第３実施形態では、遮蔽部材５６Ｓの切り欠き部５６ｄ，５６ｅの別形状について説明する。図１０（ａ）は、切り欠き部５６ｈ，５６ｉが形成された遮蔽部材５６Ｕを有する可動部の外観斜視図である。図１０（ｂ）は、遮蔽部材５６Ｕを有する可動部の上面図である。

第２実施形態で説明した遮蔽部材５６Ｓでは、遮蔽部材５６Ｓにおいて光軸方向と直交する平面部と立ち曲げ面部５６ｃとは、立ち曲げ面部５６ｃのＸ軸方向両端で接続されており、その結果、切り欠き部５６ｅはロの字の開口形状で形成されている。これと同様の構造で、立ち曲げ面部５６ｂと切り欠き部５６ｄも形成されている。

遮蔽部材５６Ｕに形成された立ち曲げ面部５６ｂ及び切り欠き部５６ｄは、遮蔽部材５６Ｓに形成されているものと同じである。一方、遮蔽部材５６Ｕに形成された立ち曲げ面部５６ｃは、遮蔽部材５６Ｕにおいて光軸方向と直交する平面部に対して、立ち曲げ面部５６ｃのＸ軸方向中央部に設けられた曲げ部５６ｊによって接続されている。また、立ち曲げ面部５６ｂは撮像素子６の側壁（ＹＺ面）と接触するように配置されているが、立ち曲げ面部５６ｃは撮像素子６の側壁（ＺＸ面）と所定の間隙が形成されるように配置されている。その結果、立ち曲げ面部５６ｃの根元部に形成された切り欠き部５６ｈ，５６ｉはつながって、略Ｕ字形状をなしている。

曲げ部５６ｊは、コイル５３ａの中空部とチップ部６ｂの端部６ｅを結ぶ破線４５上に位置しないように設けられている。同様に、曲げ部５６ｊは、コイル５３ｂの中空部とチップ部６ｂの端部６ｅを結ぶ不図示の線上にも位置しないように設けられている。これにより、遮蔽部材５６Ｓの切り欠き部５６ｅと同様に、切り欠き部５６ｈ，５６ｉが磁場を導く効果を高めることができる。コイルと撮像素子の配置形態に応じて、切り欠き部５６ｈ，５６ｉのように切り欠き部を設けることも有効である。

＜第４実施形態＞
上述した遮蔽部材５６Ｓ，５６Ｔ，５６Ｕでは、撮像素子６においてコイル５３ａ～５３ｃと対向する２つの側壁に沿うように立ち曲げ面部５６ｂ，５６ｃを設けた。しかし、立ち曲げ面部５６ｂ，５６ｃの両方を設けることが困難な場合があり、その場合には、コイルからの撮像素子６への磁場の漏れ込みの影響が相対的に大きい方向に立ち曲げ面部を設けることが望ましい。

撮像素子６への磁場の漏れ込みの影響が大きい方向は、具体的に以下の通りに、決めることが可能である。例えば、図１（ａ）の通りに撮像装置について規定したＸ軸及びＺ軸が水平方向と略平行で、Ｙ軸が鉛直方向と略平行となっている姿勢（正姿勢）の場合を考える。撮像装置が正姿勢にあるときにブレ補正ユニット１４を駆動させると、可動部５０の自重を支えるためにコイル５３ｃよりもコイル５３ａ，５３ｂに大きな電流を流すことが必要となる。その結果、コイル５３ａ、５３ｂから発生する磁場が大きくなり、コイル５３ａ，５３ｂがコイル５３ｃよりも撮像素子６への磁場の漏れ込みの影響も大きくなる。また、撮影者が撮像装置を使用する際には、正姿勢で使用する頻度がもっとも高いと考えられる。よって、撮像装置が正姿勢にあるときに撮像素子６への磁場の漏れの影響が大きい方とは、コイル５３ａ，５３ｂ側となるため、コイル５３ａ，５３ｂ側の立ち曲げ面部５６ｃをコイル５３ｃ側の立ち曲げ面部５６ｂよりも優先して設けることが望ましい。

なお、次のような課題が理由となって、遮蔽部材５６Ｓ，５６Ｔ，５６Ｕに立ち曲げ面部５６ｂ，５６ｃの両方を設けことが困難となる場合がある。例えば、立ち曲げ面部５６ｂ，５６ｃを有する遮蔽部材５６Ｓは、曲げ加工前の平板形状に展開された状態では立ち曲げ面部５６ｂ，５６ｃは共に撮像素子６側に展開され、展開状態では立ち曲げ面部５６ｂ，５６ｃが互いに干渉しないようにする必要がある。そのため、立ち曲げ面部５６ｂ，５６ｃを所望の形状とすることができないことがある。その場合、撮像素子６への磁場の漏れ込みの影響が大きいほうのコイル側にのみ立ち曲げ面部を設けることが望ましい。別の課題としては可動部５０の軽量化が挙げられ、この場合にも撮像素子６への磁場の漏れ込みの影響が大きいほうのコイル側にのみ立ち曲げ面部を設ければよい。

また、可動部５０Ａでは、コイル５３ａ，５３ｂに流す電流の方向を制御することで、光軸と平行な軸まわりの回転方向と並進方向に移動させるための駆動力を発生させる。そこで、コイル５３ｃと撮像素子６の間に設けられる立ち曲げ面部５６ｂよりも、コイル５３ａ，５３ｂと撮像素子６の間に設けられる立ち曲げ面部５６ｃを優先的に設けるようにしてもよい。つまり、２つのコイル５３ａ，５３ｂが近接して配置されて同時に電流が流されることで、コイル５３ａ，５３ｂに流れる電流の向きによってはコイル５３ａ，５３ｂから発生する磁場が合成されて大きな磁場が形成される可能性があるからである。そこで、ブレ補正ユニット１４Ａのように、コイル５３ａ～５３ｃを備え、且つ、コイル５３ａ，５３ｂが撮像素子６の一辺と対向するように配置されて同時駆動される構成では、少なくともコイル５３ａ，５３ｂ側の立ち曲げ面部５６ｃを設けることが望ましい。

更に、複数のコイルを備える構成では、撮像素子６への磁場の漏れ込みの影響が大きい方向を撮像素子６と各コイルの間隔に基づいて決定してもよい。例えば、磁場の影響は距離に反比例するため、撮像素子６からの距離が短いコイルから発生する磁場は、撮像素子６からの距離が長いコイルから発生する磁場に比べて、撮像素子６へ与える影響が大きくなる。よって、相対的に撮像素子６に近付けて配置されているコイル側へ立ち曲げ面部を設けることが望ましい。その他にも、コイルの巻き線のターン数とコイルに流す電流の大きさ等からコイルから発生する磁場の大きさを類推することができるため、これらに基づいて撮像素子６への磁場の漏れ込みの影響が大きい方向を決定してもよい。

以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて詳述してきたが、本発明はこれら特定の実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の様々な形態も本発明に含まれる。更に、上述した各実施形態は本発明の一実施形態を示すものにすぎず、各実施形態を適宜組み合わせることも可能である。

１ カメラ本体
３ 撮影光学系
５ カメラシステム制御部
６ 撮像素子
１４，１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ ブレ補正ユニット
５０，５０Ａ，５０Ｂ 可動部
５３ａ～５３ｃ コイル
５４ａ～５４ｃ 磁気センサ
５６，５６Ｓ，５６Ｔ，５６Ｕ 遮蔽部材
５６ｂ，５６ｃ 立ち曲げ面部
５６ｄ，５６ｅ，５６ｈ，５６ｉ 切り欠き部
６０ 上面固定部
６２ａ～６２ｆ 磁石
７０ 下面固定部
７６ａ～７６ｆ 磁石

Claims (10)

1. 撮像素子を有する可動部と、前記可動部を移動可能に支持する固定部とを有し、前記撮像素子の受光面と平行な平面内で前記撮像素子が移動可能なブレ補正装置であって、
   前記可動部は、
   １つ以上のコイルと、
   前記コイルを保持する保持部材と、
   非磁性金属からなり、前記保持部材において前記コイルが実装された面の反対側の面に配置される板状の第１の遮蔽部と、
   非磁性金属からなり、前記撮像素子において前記コイル側を向く側壁に沿って配置される第２の遮蔽部と、を備え、
   前記固定部は、
   前記コイルと対向する位置に配置される永久磁石を備え、
   前記撮像素子の受光面と直交する方向から見たときに、前記第１の遮蔽部が前記コイルの少なくとも一部を覆い、かつ、前記撮像素子の受光面と平行な第１の方向において前記コイルの中空部と前記永久磁石の中心とが重なる状態のときの前記第１の遮蔽部の端から前記撮像素子までの距離が前記永久磁石の端から前記撮像素子までの距離よりも短く、前記第１の方向において前記第１の遮蔽部と前記第２の遮蔽部との間に隙間が設けられていることを特徴とするブレ補正装置。
2. 前記撮像素子と前記コイルは略同一平面に配置され、
   前記コイルの中空部の軸方向は前記受光面と直交する方向と略平行であることを特徴とする請求項１に記載のブレ補正装置。
3. 前記撮像素子の受光面と直交する方向から見たときに、前記第１の遮蔽部は、少なくとも前記コイルの中空部を覆うこと特徴とする請求項１又は２に記載のブレ補正装置。
4. 前記隙間は、前記撮像素子の受光面と平行な平面部に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のブレ補正装置。
5. 複数の前記コイルと、
   前記複数のコイルと対向する複数の前記永久磁石と、を備え、
   前記第２の遮蔽部は、前記複数のコイルのうち発生する磁場の影響が大きい方のコイルと前記撮像素子との間に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のブレ補正装置。
6. 複数の前記コイルと、
   前記複数のコイルと対向する複数の前記永久磁石と、を備え、
   前記第２の遮蔽部は、前記撮像素子の受光面が鉛直方向と略平行な状態で前記撮像素子を鉛直方向へ並進移動させる駆動力を発生させる前記コイルと前記撮像素子との間に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のブレ補正装置。
7. 複数の前記コイルと、
   前記複数のコイルと対向する複数の前記永久磁石と、を備え、
   前記第２の遮蔽部は、前記複数のコイルのうち前記撮像素子を前記平面内で並進移動させる駆動力と前記撮像素子を前記受光面と直交する軸まわりで回転させる駆動力とを発生させる２つのコイルと前記撮像素子との間に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のブレ補正装置。
8. 前記コイルの中空部内において前記保持部材に配置された磁気センサを有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のブレ補正装置。
9. 前記保持部材は、柔軟性を持つフレキシブルプリント基板であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のブレ補正装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載のブレ補正装置を備えることを特徴とする撮像装置。