JP7312233B2 - 支持ユニット及び基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は支持ユニット及び基板処理装置に関り、より詳細にはプラズマを利用して基板を処理する装置が有する支持ユニット、そしてプラズマを利用して基板を処理する基板処理装置に係る。
プラズマは非常に高い温度や、強い電界或いは高周波電磁界（ＲＦ Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｉｅｌｄｓ）によって生成され、イオンや電子、ラジカル等で成されたイオン化されたガス状態を言う。半導体素子製造工程はプラズマを利用して蝕刻、アッシング工程等を含むことができる。プラズマを利用してウエハ等の基板を処理する工程はプラズマに含有されたイオン及びラジカル粒子がウエハと衝突することによって遂行される。プラズマを利用して基板を処理する工程が適切に遂行されるためには、発生されたプラズマが基板に均一に伝達されることが重要である。プラズマが基板に均一に伝達されない場合、基板処理の均一性（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が悪化する。
韓国特許公開第10-2011-0124788号公報
本発明の一目的は基板を効率的に処理することができる支持ユニット及び基板処理装置を提供することにある。
また、本発明の一目的は基板処理の均一性（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）を改善することができる支持ユニット及び基板処理装置を提供することにある。
また、本発明の一目的はチャンバー内で発生されたプラズマの流動を制御することができる因子を提供する支持ユニット及び基板処理装置を提供することにある。
また、本発明の一目的は基板に伝達されるプラズマ均一性（Ｐｌａｓｍａ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）を制御することができる支持ユニット及び基板処理装置を提供することにある。
本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるべきである。
本発明はプラズマを利用して基板を処理する装置が有し、基板を支持する支持ユニットを提供する。支持ユニットは、高周波電源と連結される電力供給ロードと、前記電力供給ロードから電力が伝達される電極板と、上部から見る時、前記電極板を囲むように提供され、接地されるグラウンドリングと、を含むことができる。
一実施形態によれば、前記ユニットは、前記グラウンドリングを上下方向に移動させる昇降部材をさらに含むことができる。
一実施形態によれば、前記ユニットは、前記グラウンドリングと前記電極板との間に配置される絶縁部材をさらに含むことができる。
一実施形態によれば、前記グラウンドリングの上端には、前記グラウンドリングと異なる素材で提供されるリング部材が提供されることができる。
一実施形態によれば、前記リング部材は、クォーツ（Ｑｕａｒｔｚ）を含む素材で提供されることができる。
一実施形態によれば、前記リング部材の上面は、前記基板の中心に向かう方向に上向きに傾けることができる。
一実施形態によれば、前記絶縁部材の上部には、第１リングと、前記第１リングを囲むように提供される第２リングが配置されることができる。
一実施形態によれば、前記第２リングは、前記リング部材と互いに同一な素材で提供されることができる。
一実施形態によれば、前記第２リング、そして前記リング部材はクォーツ（Ｑｕａｒｔｚ）を含む素材で提供されることができる。
一実施形態によれば、前記グラウンドリングは、金属を含む素材で提供されることができる。
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、処理空間を有するチャンバーと、前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、前記処理空間にプラズマ状態に励起される工程ガスを供給するガス供給ユニットと、を含み、前記支持ユニットは、高周波電源と連結される電力供給ロードと、前記電力供給ロードから電力が伝達される電極板と、上部から見る時、前記電極板を囲むように提供され、接地されるグラウンドリングと、を含むことができる。
一実施形態によれば、前記装置は、前記支持ユニットと前記チャンバーの内壁との間に配置され、少なくとも１つ以上の通孔、そして前記グラウンドリングが挿入される移動ホールが形成されたバッフルをさらに含むことができる。
一実施形態によれば、前記移動ホールに挿入された前記グラウンドリングと前記バッフルとの間には、絶縁体が配置されることができる。
一実施形態によれば、前記ユニットは、前記グラウンドリングを上下方向に移動させる昇降部材をさらに含むことができる。
一実施形態によれば、前記装置は、制御器をさらに含み、前記制御器は、前記支持ユニットに支持された基板の縁領域に対する処理効率を高めようとする場合、前記グラウンドリングを上昇させるように前記昇降部材を制御することができる。
一実施形態によれば、前記装置は、制御器をさらに含み、前記制御器は、前記支持ユニットに支持された基板の中央領域に対する処理効率を高めようとする場合、前記グラウンドリングを下降させるように前記昇降部材を制御することができる。
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。処理空間を有するチャンバーと、前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、前記処理空間にプラズマ状態に励起される工程ガスを供給するガス供給ユニットと、前記支持ユニットと前記チャンバーの内壁との間に配置されるバッフルと、を含み、前記支持ユニットは、高周波電源と連結される電極板と、上部から見る時、前記電極板を囲むように提供され、前記バッフルと電気的に連結され、前記バッフルに形成された移動ホールに挿入されて上下方向に移動可能なグラウンドリングと、前記グラウンドリングと前記電極板との間に配置される絶縁部材と、を含むことができる。
一実施形態によれば、前記移動ホールに挿入された前記グラウンドリングと前記バッフルとの間には、絶縁体が配置されることができる。
一実施形態によれば、前記支持ユニットは、前記グラウンドリングを上下方向に移動させて、前記グラウンドリングが前記処理空間に露出される面積を変更させる昇降部材をさらに含むことができる。
一実施形態によれば、前記装置は、制御器をさらに含み、前記制御器は、前記支持ユニットに支持された基板の縁領域に対する処理効率を高めようとする場合、前記グラウンドリングを上昇させ、前記支持ユニットに支持された基板の中央領域に対する処理効率を高めようとする場合、前記グラウンドリングを下降させるように前記昇降部材を制御することができる。
本発明の一実施形態によれば、基板を効率的に処理することができる。
また、本発明の一実施形態によれば、基板処理の均一性（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）を改善することができる。
また、本発明の一実施形態によれば、チャンバー内で発生されたプラズマの流動を制御することができる因子を提供することができる。
また、本発明の一実施形態によれば、基板に伝達されるプラズマ均一性（Ｐｌａｓｍａ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）を制御することができる。
本発明の効果が上述した効果によって限定されることではなく、言及されない効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるべきである。
本発明の一実施形態による基板処理装置を示す図面である。 図１の支持ユニットの一部分を拡大して示す図面である。 図１のグラウンドリングが移動して、グラウンドリングが第１高さに位置した場合、基板の周辺領域でのプラズマ流動を示す図面である。 図１のグラウンドリングが移動して、グラウンドリングが第２高さに位置した場合、基板の周辺領域でのプラズマ流動を示す図面である。 本発明の他の実施形態に係る基板処理装置を示す図面である。 図５の支持ユニットの一部分を拡大して示す図面である。 図５のグラウンドリングが移動して、グラウンドリングが第１高さに位置した場合、基板の周辺領域でのプラズマ流動を示す図面である。 図５のグラウンドリングが移動して、グラウンドリングが第２高さに位置した場合、基板の周辺領域でのプラズマ流動を示す図面である。
以下では添付した図面を参考として本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。また、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明することにおいて、関連された公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができていると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面の全体に亘って同一な符号を使用する。
ある構成要素を‘含む’ということは、特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。具体的に、“含む”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることがであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されなければならない。
単数の表現は文脈の上に明確に異なりに表現しない限り、複数の表現を含む。また、図面で要素の形状及びサイズ等はより明確な説明のために誇張されることができる。
第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されることができるが、前記構成要素は前記用語によって限定されてはならない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的として使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま、第１構成要素は第２構成要素と称されることができ、類似に第２構成要素とも第１構成要素と称されることができる。
ある構成要素が他の構成要素に“連結されて”あるか、或いは“接続されて”いると言及された時には、その他の構成要素に直接的に連結されているか、又は接続されているが、中間に他の構成要素が存在することもあると理解されるべきである。反面に、ある構成要素が他の構成要素に“直接連結されて”いるか、或いは“直接接続されて”いると言及された時には、中間に他の構成要素が存在しないことと理解されるべきである。構成要素間の関係を説明する他の表現、即ち“～間に”と“すぐ～間に”又は“～に隣接する”と“～に直接隣接する“等も同様に解析されなければならない。
異なりに定義されない限り、技術的であるか、或いは科学的な用語を含んで、ここで使用されるすべての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されることと同一な意味である。一般的に使用される事前に定義されていることと同一の用語は関連技術の文脈の上に有する意味と一致する意味であることと解析されるべきであり、本出願で明確に定義しない限り、理想的であるか、或いは過度に形式的な意味として解釈されない。
以下では、図１は本発明の一実施形態による基板処理装置を示す図面である。図１を参照すれば、基板処理装置１０はプラズマＰを利用して基板Ｗを処理することができる。基板処理装置１０はプラズマＰを利用して基板Ｗに形成された薄膜、例えばシリコン酸化膜を除去する蝕刻（Ｅｔｃｈｉｎｇ）工程を遂行することができる。これと異なりに、基板処理装置１０はプラズマＰを利用して感光液膜を除去するアッシング（Ａｓｈｉｎｇ）工程を遂行することもできる。しかし、したがって限定されることではなく、基板処理装置１０はプラズマＰを利用して基板Ｗを処理する様々な処理工程に使用されることができる。
基板処理装置１０はチャンバー１００、支持ユニット２００、シャワーヘッドユニット３００、ガス供給ユニット４００、排気ユニット５００、バッフル６００、そして制御器７００を含むことができる。
チャンバー１００は内部に基板処理工程が遂行される処理空間１０２を有することができる。チャンバー１００は密閉された形状を有することができる。チャンバー１００は導電性素材で提供されることができる。例えば、チャンバー１００は金属を含む素材で提供されることができる。また、チャンバー１００は接地されることができる。チャンバー１００の底面には後述する排気ユニット５００と連結される排気ホール１０４が形成されることができる。
チャンバー１００にはヒーター（図示せず）が提供されることができる。ヒーターはチャンバー１００を加熱することができる。ヒーターは加熱電源（図示せず）と電気的に連結されることができる。ヒーターは加熱電源で印加された電流に抵抗することによって熱を発生させることができる。ヒーターで発生された熱は処理空間１０２に伝達されることができる。ヒーターで発生された熱によって処理空間１０２は所定の温度に維持されることができる。ヒーターはチャンバー１００内に複数が提供されることができる。ヒーターはコイル形状の熱線で提供されることができる。しかし、これに限定されることではなく、ヒーターはチャンバー１００を加熱することができる公知された装置で多様に変形されることができる。
支持ユニット２００は処理空間１０２で基板Ｗを支持することができる。支持ユニット２００は静電気力を利用して基板Ｗを吸着及び支持する静電チャックで提供されることができる。支持ユニット２００は誘電板２１０、電極板２２０、絶縁部材２３０、接地板２４０、下部カバー２５０、インターフェイスカバー２６０、第１リング２７１、第２リング２７２、そしてプラズマ制御アセンブリ２８０を含むことができる。
誘電板２１０には基板Ｗが置かれる。誘電板２１０は円板形状に提供される。誘電板２１０の上面は、中央領域の高さが縁領域の高さより高くなるように段差付けた形状を有することができる。誘電板２１０は誘電体（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｓｕｂｓｔａｎｃｅ）を含む素材で提供されることができる。誘電板２１０には静電電極２１１が提供されることができる。静電電極２１１は吸着電源２１３と電気的に連結されることができる。吸着電源２１３は直流電源であり得る。静電電極２１１と吸着電源２１３との間にはスイッチ（図示せず）が設置されることができる。静電電極２１１はスイッチのオン／オフ（ＯＮ／ＯＦＦ）によって吸着電源２１３と電気的に連結されることができる。スイッチがオン（ＯＮ）されれば、静電電極２１１には直流電流が印加されることができる。静電電極２１１に印加された電流によって静電電極２１１と基板Ｗとの間には静電気力が作用することができる。基板Ｗは静電気力によって誘電板２１０に吸着及び／又は固定されることができる。
電極板２２０は誘電板２１０の下に提供されることができる。電極板２２０の上部面は誘電板２１０の下部面と接触されることができる。電極板２２０は円板形状に提供されることができる。電極板２２０は導電性素材で提供されることができる。一例として、電極板２２０はアルミニウムを含む素材で提供されることができる。また、電極板２２０内には電極板を所定の温度に制御する流体通路（図示せず）が形成されることができる。流体通路には、冷却流体が流れることができる。電極板２２０は後述するように電力供給ロード２２１から高周波電力が伝達されることができる。即ち、電極板２２０は下部電極であり得る。
電力供給ロード２２１は電極板２２０に電力を印加することができる。電力供給ロード２２１は電極板２２０と電気的に連結されることができる。電力供給ロード２２１は下部電源２２３と連結されることができる。下部電源２２３は高周波電力を発生させる高周波電源であり得る。高周波電源はＲＦ電源であり得る。ＲＦ電源はハイバイアスパワーＲＦ（Ｈｉｇｈ Ｂｉａｓ Ｐｏｗｅｒ ＲＦ）電源であり得る。電力供給ロード２２１は下部電源２２３から高周波電力が印加され、印加された電力を電極板２２０に伝達することができる。電力供給ロード２２１は導電性材質で提供されることができる。例えば、電力供給ロード２２１は金属を含む材質で提供されることができる。電力供給ロード２２１は金属ロードであり得る。また、電力供給ロード２２１は整合器２２２と連結されることができる。電力供給ロード２２１は整合器２２２を経て下部電源２２３と連結されることができる。整合器２２５はインピーダンスマッチング（Ｉｍｐｅｄａｃｅ Ｍａｔｃｈｉｎｇ）を遂行することができる。
絶縁部材２３０は上述した電極板２２０と後述するグラウンドリング２８１との間に配置されることができる。絶縁部材２３０は第１絶縁部材２３１、そして第２絶縁部材２３０を含むことができる。第１絶縁部材２３１は後述する接地板２４０の上部に配置されることができる。第１絶縁部材２３１は上部から見る時、リング形状を有することができる。また、第１絶縁部材２３１の上面は外側上面の高さが内側上面の高さより高い段差付けた形状を有することができる。第１絶縁部材２３１の内側上面には上述した電極板２２０が置かれることができる。また、第１絶縁部材２３１の外側上面には後述する第１リング２７１が置かれることができる。
また、第２絶縁部材２３２は上部から見る時、リング形状を有することができる。第２絶縁部材２３２は上部から見る時、第１絶縁部材２３１よりさらに大きい直径を有することができる。第２絶縁部材２３２は第１絶縁部材２３１の外側に配置されることができる。第２絶縁部材２３２は第１絶縁部材２３１より後述するグラウンドリング２８１とさらに隣接するように配置されることができる。
第１絶縁部材２３１の下部には接地板２４０が配置されることができる。接地板２４０は接地されることができる。接地板２４０は第１絶縁部材２３１を支持することができる。接地板２４０は上部から見る時、円板形状を有することができる。
接地板２４０の下部には下部カバー２５０が配置されることができる。下部カバー２５０は上部が開放された筒形状を有することができる。下部カバー２５０は接地板２４０と互いに組み合わせて下部空間２５２を形成することができる。下部空間２５２には静電電極２１１、電力供給ロード２２１等と連結される各種インターフェイスラインが通過することができる。このようなインターフェイスラインは下部カバー２５０と連結されるインターフェイスカバー２６０を通じてチャンバー１００の外部に配置される基材と連結されることができる。
第１リング２７１は上部から見る時、リング形状を有することができる。第１リング２７１の上面は外側上面の高さが内側上面の高さより高くなるように段差付けた形状を有することができる。第１リング２７１は誘電板２１０の縁領域、そして第１絶縁部材２３１の外側上面に掛けて置かれることができる。第１リング２７１はフォーカスリング（Ｆｏｃｕｓ Ｒｉｎｇ）であり得る。
第２リング２７２は上部から見る時、リング形状を有することができる。第２リング２７２の上面は内側上面が平らな形状を有し、外側上面が支持ユニット２００に支持された基板Ｗの外側に向かう方向に下方傾いた形状を有することができる。第２リング２７２は後述するグラウンドリング２８１と互いに異なる素材で提供されることができる。また、第２リング２７２は後述するリング部材２８２と同一な素材で提供されることができる。例えば、第２リング２７２はクォーツ（Ｑｕａｒｔｚ）を含む素材で提供されることができる。
プラズマ制御アセンブリ２８０は処理空間１０２で発生されるプラズマＰの流動を制御することができる。プラズマ制御アセンブリ２８０は基板Ｗに伝達されるプラズマＰの均一性（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）を制御することができる。プラズマ制御アセンブリ２８０の具体的な内容は後述する。
シャワーヘッドユニット３００は上部で供給されるガスを分散させることができる。また、シャワーヘッドユニット３００はガス供給ユニット４００が供給するガスが処理空間１０２に均一に供給されるようにすることができる。シャワーヘッド３１０、ガス噴射板３２０を含むことができる。
シャワーヘッド３１０はガス噴射板３２０の下部に配置される。シャワーヘッド３１０はチャンバー１００の上面から下部に一定距離離隔されて位置する。シャワーヘッド３１０は支持ユニット２００の上部に位置する。シャワーヘッド３１０とチャンバー１００の上面はその間に一定の空間が形成される。シャワーヘッド３１０は厚さが一定の板形状に提供されることができる。シャワーヘッド３１０の底面はプラズマによるアーク発生を防止するためにその表面が陽極化処理されることができる。シャワーヘッド３１０の断面は支持ユニット２００と同一な形状と断面積を有するように提供されることができる。シャワーヘッド３１０には複数のガス供給ホール３１２が形成される。ガス供給ホール３１２はシャワーヘッド３１０の上面と下面を垂直方向に貫通して形成されることができる。
シャワーヘッド３１０はガス供給ユニット４００が供給するガスから発生されるプラズマと反応して化合物を生成する材質で提供されることができる。一例として、シャワーヘッド３１０はプラズマが含むイオンの中で電気陰性度が最も大きいイオンと反応して化合物を生成する材質で提供されることができる。例えば、シャワーヘッド３１０は珪素（Ｓｉ）を含む材質で提供されることができる。
ガス噴射板３２０はシャワーヘッド３１０の上部に配置されることができる。ガス噴射板３２０はチャンバー１００の上面で一定距離離隔されて位置されることができる。ガス噴射板３２０は上部から供給されるガスを拡散させることができる。ガス噴射板３２０にはガス導入ホール３２２が形成されることができる。ガス導入ホール３２２は上述したガス供給ホール３１２と対応される位置に形成されることができる。ガス導入ホール３２２はガス供給ホール３１２と連通されることができる。シャワーヘッドユニット３００の上部から供給されるガスはガス導入ホール３２２とガス供給ホール３１２を順次的に経てシャワーヘッド３１０の下部に供給されることができる。ガス噴射板３２０は金属材質を含むことができる。ガス噴射板３２０は接地されることができる。ガス噴射板３２０は接地されて上部電極として機能することができる。
絶縁リング３８０はシャワーヘッド３１０、ガス噴射板の周辺を囲むように配置される。絶縁リング３８０は全体的に円形のリング形状に提供されることができる。絶縁リング３８０は非金属素材で提供されることができる。
ガス供給ユニット４００はチャンバー１００の処理空間１０２に工程ガスを供給することができる。ガス供給ユニット４００が供給する工程ガスはプラズマ状態に励起されることができる。また、ガス供給ユニット４００が供給するガスはフルオリン（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ）を含むガスであり得る。例えば、ガス供給ユニット４００が供給する工程ガスは四フッ化炭素を含むことができる。
ガス供給ユニット４００はガス供給ノズル４１０、ガス供給ライン４２０、そしてガス貯蔵部４３０を含むことができる。ガス供給ノズル４１０はチャンバー１００の上面中央部に設置されることができる。ガス供給ノズル４１０の底面には噴射口が形成されることができる。噴射口はチャンバー１００の処理空間１０２に工程ガスを供給することができる。ガス供給ライン４２０はガス供給ノズル４１０とガス貯蔵部４３０を連結することができる。ガス供給ライン４２０はガス貯蔵部４３０に貯蔵された工程ガスをガス供給ノズル４１０に供給することができる。ガス供給ライン４２０にはバルブ４２１が設置される。バルブ４２１はガス供給ライン４２０を開閉し、ガス供給ライン４２０を通じて供給される工程ガスの流量を調節することができる。
排気ユニット５００は処理空間１０２を排気することができる。排気ユニット５００は処理空間１０２で基板Ｗを処理する過程で発生されることができる副産物又は処理空間１０２に供給される工程ガスをチャンバー１００の外部に排気することができる。排気ユニット５００は減圧部材５１０、そして減圧ライン５２０を含むことができる。減圧部材５１０は減圧ライン５２０に減圧を伝達することができる。減圧ライン５２０はチャンバー１００の排気ホール１０４と連結されることができる。減圧部材５１０が発生させる減圧は減圧ライン５２０を通じて排気ホール１０４に伝達され、排気ホール１０４に伝達された減圧は処理空間１０２に伝達されることができる。減圧部材５１０はポンプであり得る。しかし、これに限定されることではなく、減圧部材５１０は処理空間１０２に減圧を伝達することができる公知された装置で多様に変形されることができる。
バッフル６００は処理空間１０２に配置されることができる。バッフル６００はチャンバー１００の内壁と支持ユニット２００との間に配置されることができる。バッフル６００は上部から見る時、大体にリング形状を有することができる。バッフル６００は接地されることができる。例えば、バッフル６００は接地されたチャンバー１００と電気的に連結されて、チャンバー１００を通じて接地されることができる。しかし、したがって限定されることではなく、バッフル６００は接地ラインと直接的に連結されることができ、チャンバー１００ではない接地された他の基材と電気的に連結されて接地されてもよい。
また、バッフル６００には排気ユニット５００が提供する減圧によって発生する気流が流れる少なくとも１つ以上の通孔６０２が形成されることができる。例えば、通孔６０２は複数がバッフル６００に形成されることができ、通孔６０２はバッフル６００の上面から下面までバッフル６００を貫通するように形成されることができる。
また、バッフル６００には後述するグラウンドリング２８１が挿入される移動ホール６０３が形成されることができる。移動ホール６０３は通孔６０２より支持ユニット２００に隣接する位置に形成されることができる。また、移動ホール６０３はグラウンドリング２８１が挿入されて上下方向に移動可能な大きさに形成されることができる。また、移動ホール６０３に挿入されたグラウンドリング２８１とバッフル６００との間には絶縁体６０４が配置されることができる。絶縁体６０４はグラウンドリング２８１を囲むように提供されることができる。グラウンドリング２８１とバッフル６００がプラズマＰ等によってチャージング（Ｃｈａｒｇｉｎｇ）されることができる。したがって、グラウンドリング２８１とバッフル６００との間に電位差が発生されることができる。例えば、グラウンドリング２８１が２０Ｖでチャージングされ、バッフル６００が５Ｖでチャージングされる場合、グラウンドリング２８１とバッフル６００との間には電気場が形成されることができる。この場合、グラウンドリング２８１とバッフル６００との間でアーキング（Ａｒｃｈｉｎｇ）現象が発生されることができる。絶縁体６０４は移動ホール６０３に挿入されたグラウンドリング２８１とバッフル６００との間に配置されて、上述した電位差によるアーキング現像発生を最小化することができる。
制御器７００は基板処理装置１０を制御することができる。制御器７００は基板処理装置１０がプラズマＰを利用して基板Ｗを処理できるように基板処理装置１０を制御することができる。例えば、制御器７００は基板処理装置１０がプラズマＰを利用して基板Ｗを処理できるように支持ユニット２００、ガス供給ユニット４００、そして排気ユニット５００の中で少なくとも１つ以上を制御することができる。制御器７００は基板処理装置１０の制御を実行するマイクロプロセッサー（コンピュータ）で成されるプロセスコントローラと、オペレータが基板処理装置１０を管理するためにコマンド入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１０の稼動状況を可視化して表示するディスプレイ等で成されるユーザインターフェイスと、基板処理装置１０で実行される処理をプロセスコントローラの制御によって実行するための制御プログラムや、各種データ及び処理条件に応じて各構成部に処理を実行させるためのプログラム、即ち処理レシピが格納された格納部を具備することができる。また、ユーザインターフェイス及び格納部はプロセスコントローラに接続されていることができる。処理レシピは格納部の中で記憶媒体に記憶されていることができ、記憶媒体は、ハードディスクであってもよく、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性ディスクや、フラッシュメモリ等の半導体メモリであってもよい。
以下では、本発明の一実施形態によるプラズマ制御アセンブリ２８０に対して詳細に説明する。図２は図１の支持ユニットの一部分を拡大して示す図面である。図１、そして図２を参照すれば、プラズマ制御アセンブリ２８０はグラウンドリング２８１、リング部材２８２、昇降部材２８５、そしてカバー２８６を含むことができる。
グラウンドリング２８１は上部から見る時、支持ユニット２００を囲むように提供されることができる。グラウンドリング２８１は上部から見る時、電極板２２０を囲むように提供されることができる。グラウンドリング２８１は接地されることができる。例えば、グラウンドリング２８１は接地されたバッフル６００を媒介で接地されることができる。しかし、これに限定されることではなく、グラウンドリング２８１は基板処理装置１０が有する接地された他の構成と電気的に連結されて接地されてもよい。また、グラウンドリング２８１は接地ラインと直接的に連結されて接地されてもよい。また、グラウンドリング２８１（Ｇｒｏｕｎｄ Ｒｉｎｇ）は、グラウンド部材（Ｇｒｏｕｎｄ Ｍｅｍｂｅｒ）、グラウンドブロック（Ｇｒｏｕｎｄ Ｂｌｏｃｋ）等とも呼ばれることができる。グラウンドリング２８１は金属を含む素材で提供されることができる。例えば、グラウンドリング２８１はメタルリングであり得る。また、上下方向に移動するグラウンドリング２８１によってアーキングを発生することを防止できるようにグラウンドリング２８１はセラミック（Ｃｅｒａｍｉｃ）を含む素材で適切にコーティング（Ｃｏａｔｉｎｇ）されることができる。例えば、グラウンドリング２８１の表面はセラミック（Ｃｅｒａｍｉｃ）を含む素材でコーティング（Ｃｏａｔｉｎｇ）されることができる。また、グラウンドリング２８１の上下長さは第２絶縁部材２３２の側面を全て包むのに充分な長さに提供されることができる。
グラウンドリング２８１の上端にはグラウンドリング２８１と異なる素材で提供されるリング部材２８２が提供されることができる。例えば、リング部材２８２は第２リング２７２と同一な素材で提供されることができる。例えば、リング部材２８２はクォーツ（Ｑｕａｒｔｚ）を含む素材で提供されることができる。また、リング部材２８２の上面は基板を中心に向かう方向に上向傾斜することができる。言い換えれば、リング部材２８２の上面は基板Ｗの中心で基板Ｗの縁に向かう方向に下方傾いた形状を有することができる。処理空間１０２でプラズマＰが発生すれば、グラウンドリング２８１は接地されているので、基板Ｗの中央領域のプラズマＰは基板Ｗの縁領域を経てグラウンドリング２８１に向かう方向に流動されることができる。この場合、グラウンドリング２８１はプラズマＰによって蝕刻されることができる。グラウンドリング２８１の上端に提供されるリング部材２８２はクォーツを含む素材で提供され、その上面が基板Ｗの中心で基板Ｗの縁に向かう方向に下方傾いた形状を有するので、リング部材２８２はグラウンドリング２８１がプラズマＰから蝕刻されことを保護することができる。
昇降部材２８５はグラウンドリング２８１を上下方向に移動させることができる。昇降部材２８５はグラウンドリング２８１が処理空間１０２に露出される面積を変更させることができる。以下では、昇降部材２８５の一例に対して説明する。以下では説明する昇降部材２８５は一例に過ぎなく、昇降部材２８５はグラウンドリング２８１を上下方向に移動させることができる様々な装置に変形されることができる。
昇降部材２８５はモーター２８５ａ、第１回転軸２８５ｂ、第２回転軸２８５ｃ、ギアボックス２８５ｄ、第１ギヤ２８５ｅ、そして第２ギヤ２８５ｆを含むことができる。モーター２８５ａは第１回転軸２８５ｂを一方向に回転させることができる。第１回転軸２８５ｂの回転運動はギアボックス２８５ｄ内に提供されるベベルギヤ（Ｂｅｖｅｌ Ｇｅａｒ）である第１ギヤ２８５ｅを媒介で第２回転軸２８５ｂに伝達されることができる。また、第２回転軸２８５ｂの一端にはスパーギア（Ｓｐｕｒ Ｇｅａｒ）である第２ギヤ２８５ｆが提供されることができる。第２ギヤ２８５ｆはグラウンドリング２８１に形成された歯部２８１ａとかみ合って、グラウンドリング２８１を上下方向に移動させることができる。第２ギヤ２８５ｆと歯部２８１ａはラックアンドピニオンであり得る。また、第１ギヤ２８５ｅ、そして第２ギヤ２８５ｆの中で少なくともいずれか１つはアーキング現象が発生されることを最小化するために樹脂を含む素材で提供されることができる。また、第１ギヤ２８５ｅ、そして第２ギヤ２８５ｆの中で少なくともいずれか１つはメタルではないセラミック又はエンジニアリングプラスチックを含む素材で提供されることができる。例えば、第１ギヤ２８５ｅ、そして第２ギヤ２８５ｆはメタルではないセラミック又はエンジニアリングプラスチックを含む素材で提供されることができる。また、ギアボックス２８５ｄはアーキング現象が発生されることを最小化するためにメタルではないセラミック又はエンジニアリングプラスチックを含む素材で提供されることができる。
また、第１回転軸２８５ｂ、第２回転軸２８５ｃ、第１ギヤ２８５ｅ、そしてギアボックス２８５ｄは第１絶縁部材２３１に形成された第１絶縁部材溝２３１ａ、そして接地板２４０に形成された接地板溝２４０ａに配置されることができる。また、第１絶縁部材溝２３１ａ、そして接地板溝２４０ａが形成されてアーキングが発生されることができる問題点を最小化するために、第１絶縁部材２３１と接地板２４０との間には第２シーリング部材２９２が提供されることができ、接地板２４０とモーター２８５ａとの間には第１シーリング部材２９１が提供されることができる。
カバー２８６は第２ギヤ２８５ｆと歯部２８１ａが互いにかみ合わせる部分が処理空間１０２に露出されることを防止することができる。カバー２８６はＲＦシールドカバーであり得る。カバー２８６は処理空間１０２で発生される工程副産物が第２ギヤ２８５ｆと歯部２８１ａに付着されることを最小化することができる。カバー２８６はプラズマＰに対して耐プラズマ性を有する素材で提供されることができる。カバー２８６は耐食性及び耐熱性が優れた素材で提供されることができる。
制御器７００は昇降部材２８５を制御して基板Ｗの上部に発生されたプラズマＰの流動を制御することができる。例えば、制御器７００はグラウンドリング２８１が処理空間１０２に露出される面積を調節して基板Ｗの上部に発生されたプラズマＰの流動を制御するように昇降部材２８５を制御することができる。
例えば、支持ユニット２００に支持された基板Ｗの縁領域に対する処理効率を高めようとする場合、図３に図示されたようにグラウンドリング２８１を上昇させてグラウンドリング２８１を相対的に高い高さである第１高さに位置させることができる。この場合、接地されたグラウンドリング２８１が処理空間１０２に露出される面積は大きくなることができる。したがって、基板Ｗの中央領域に発生されたプラズマＰは接地されたグラウンドリング２８１に向かう方向に相対的に多く流動されることができる。即ち、基板Ｗの中央領域に発生されたプラズマＰが基板Ｗの縁領域に向かう方向にさらに多く流れるので、基板Ｗの縁領域に対する処理効率をより高めることができる。
これと異なりに、支持ユニット２００に支持された基板Ｗの中央領域に対する処理効率を高めようとする場合、図４に図示されたようにグラウンドリング２８１を下降させてグラウンドリング２８１を相対的に低い高さである第２高さに位置させることができる。この場合、接地されたグラウンドリング２８１が処理空間１０２に露出される面積は小さくなることができる。したがって、基板Ｗの中央領域に発生されたプラズマＰは接地されたグラウンドリング２８１に向かう方向に相対的に小さく流動することができる。即ち、基板Ｗの中央領域に発生されたプラズマＰが基板Ｗの縁領域に向かう方向に相対的に小さく流れるので、基板Ｗの中央領域に対する処理効率をより高めることができる。
即ち、本発明の一実施形態によれば、グラウンドリング２８１を上下方向に移動させて、処理空間１０２にグラウンドリング２８１が露出される面積を調節することができ、したがって、基板Ｗの上部に発生されたプラズマＰの流動を調節することができる。即ち、本発明の一実施形態によれば、プラズマＰの流動を制御する追加的な因子を提供することによって、基板Ｗの領域ごとにプラズマＰによる処理程度を調節することができ、結果的には基板Ｗに伝達されるプラズマＰの均一性（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）をより改善することができるようになる。
図５は本発明の他の実施形態による基板処理装置を示す図面であり、図６は図５の支持ユニットの一部分を拡大して示す図面である。本発明の他の実施形態による基板処理装置１０は昇降部材２８７をを除く、上述した一実施形態による基板処理装置１０と同一／類似であるので、以下では、昇降部材２８７を中心に説明する。
図５、そして図６を参照すれば、本発明の一実施形態による昇降部材２８７はモーター２８７ａ、ボールスクリュ２８７ｂ、ガイド２８７ｃ、サーポットコンポーネント２８７ｄ、スライディングコンポーネント２８７ｅ、ハウジング２８７ｆ、そしてシールドカバー２８７ｇを含むことができる。モーター２８７ａはボールスクリュ２８７ｂを一方向に回転させることができる。ボールスクリュ２８７ｂが一方向に回転すれば、スライディングコンポーネント２８７ｅはガイド２８７ｃとボールスクリュ２８７ｂに沿って上下方向に移動されることができる。サーポットコンポーネント２８７ｄはスライディングコンポーネント２７８ｅの移動範囲を制限することができる。スライディングコンポーネント２８７ｅは上述したグラウンドリング２８１と連結されることができる。また、モーター２８７ａ、ボールスクリュ２８７ｂ、ガイド２８７ｃ、サーポットコンポーネント２８７ｄ、そしてスライディングコンポーネント２８７ｅはハウジング２８７ｆの内部空間に配置されることができる。また、ハウジング２８７ｆはバッフル６００の下部に配置されることができる。ハウジング２８７ｆはバッフル６００の下部に配置されて、処理空間１０２に露出されることができる。シールドカバー２８７ｇはハウジング２８７ｆを囲むように提供されることができる。シールドカバー２８７ｇは耐食性、耐プラズマ性、耐熱性が優れた素材で提供されることができる。例えば、シールドカバー２８７ｇはエンジニアリングプラスチックで提供されることができる。シールドカバー２８７ｇはハウジング２８７ｆが処理空間１０２に露出されることを防止することができる。シールドカバー２８７ｇはＲＦシールドカバーであり得る。シールドカバー２８７ｇは処理空間１０２で発生されることができる工程副産物がハウジング２８７ｆ又はハウジング２８７ｆの内部空間に配置される基材に伝達されることを最小化することができる。
また、上述した一実施形態と類似に、制御器７００は昇降部材２８７を制御して基板Ｗの上部に発生されたプラズマＰの流動を制御することができる。例えば、制御器７００はグラウンドリング２８１が処理空間１０２に露出される面積を調節して基板Ｗの上部に発生されたプラズマＰの流動を制御するように昇降部材２８７を制御することができる。
例えば、支持ユニット２００に支持された基板Ｗの縁領域に対する処理効率を高めようとする場合、図７に図示されたようにグラウンドリング２８１を上昇させてグラウンドリング２８１を相対的に高い高さである第１高さに位置させることができる。この場合、接地されたグラウンドリング２８１が処理空間１０２に露出される面積は大きくなることができる。したがって、基板Ｗの中央領域に発生されたプラズマＰは接地されたグラウンドリング２８１に向かう方向に相対的に多く流動されることができる。即ち、基板Ｗの中央領域に発生されたプラズマＰが基板Ｗの縁領域に向かう方向にさらに多く流れるので、基板Ｗの縁領域に対する処理効率をより高めることができる。
これと異なりに、支持ユニット２００に支持された基板Ｗの中央領域に対する処理効率を高めようとする場合、図８に図示されたようにグラウンドリング２８１を下降させてグラウンドリング２８１を相対的に低い高さである第２高さに位置させることができる。この場合、接地されたグラウンドリング２８１が処理空間１０２に露出される面積は小さくなることができる。したがって、基板Ｗの中央領域に発生されたプラズマＰは接地されたグラウンドリング２８１に向かう方向に相対的に小さく流動することができる。即ち、基板Ｗの中央領域に発生されたプラズマＰが基板Ｗの縁領域に向かう方向に相対的に小さく流れるので、基板Ｗの中央領域に対する処理効率をより高めることができる。
上述した例では、シャワーヘッドユニット３００のガス噴射板３２０が接地され、電極板２２０に下部電源２２３が連結されることを例として説明したが、これに限定されることではない。例えば、ガス噴射板３２０に高周波電源が連結され、電極板２２０が接地されてもよい。これと異なりに、ガス噴射板３２０と電極板２２０に高周波電源が連結されてもよい。
また、上述した例ではプラズマＰを発生させる電界を形成する基材が電極板２２０であることを例として説明したが、これに限定されることではなく、例えばＩＣＰタイププラズマ発生装置のように、アンテナが電界を形成してプラズマＰを発生させてもよい。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲、及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される様々な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことと解析されなければならない。
１０ 基板処理装置
１００ チャンバー
１０２ 処理空間
１０４ 排気ホール
２００ 支持ユニット
２１０ 誘電板
２１１ 静電電極
２１３ 吸着電源
２２０ 電極板
２２１ 電力供給ロード
２２２ 整合器
２２３ 高周波電源
２３０ 絶縁部材
２３１ 第１絶縁部材
２３１ａ 第１絶縁部材溝
２３２ 第２絶縁部材
２４０ 接地板
２４０ａ 接地板溝
２５０ 下部カバー
２５２ 下部空間
２６０ インターフェイスカバー
２７１ 第１リング
２７２ 第２リング
２８０ プラズマ制御アセンブリ
２８１ グラウンドリング
２８１ａ 歯部
２８２ リング部材
２８５ 昇降部材
２８５ａ モーター
２８５ｂ 第１回転軸
２８５ｃ 第２回転軸
２８５ｄ ギアボックス
２８５ｅ 第１ギヤ
２８５ｆ 第２ギヤ
２８６ カバー
２８７ 昇降部材
２８７ａ モーター
２８７ｂ ボールスクリュ
２８７ｃ ガイド
２８７ｄ サーポットコンポーネント
２８７ｅ スライドコンポーネント
２８７ｆ ハウジング
２８７ｇ シールドカバー
２９１ 第１シーリング部材
２９２ 第２シーリング部材
３００ シャワーヘッドユニット
３１０ シャワーヘッド
３１２ ガス供給ホール
３２０ ガス噴射板
３２２ ガス導入ホール
４００ ガス供給ユニット
４１０ ガス供給ノズル
４２０ ガス供給ライン
４２１ バルブ
４３０ ガス貯蔵部
５００ 排気ユニット
５１０ 減圧部材
５２０ 減圧ライン
６００ バッフル
６０２ 通孔
６０３ 移動ホール
６０４ 絶縁体
７００ 制御器

Claims (18)

  1. プラズマを利用して基板を処理する装置が有し、基板を支持する支持ユニットにおいて、
    高周波電源と連結される電力供給ロードと、
    前記電力供給ロードから電力が伝達される電極板と、
    上部から見る時、前記電極板を囲むように提供され、接地されるグラウンドリングと、
    前記グラウンドリングを上下方向に移動させる昇降部材と、
    を含む支持ユニット。
  2. 前記ユニットは、
    上部から見る時、前記グラウンドリングと前記電極板との間に配置される絶縁部材をさらに含む請求項１に記載の支持ユニット。
  3. 前記グラウンドリングの上端には、
    前記グラウンドリングと異なる素材で提供されるリング部材が提供される請求項２に記載の支持ユニット。
  4. 前記リング部材は、
    クォーツ（Ｑｕａｒｔｚ）を含む素材で提供される請求項３に記載の支持ユニット。
  5. 前記リング部材の上面は、
    前記基板の中心に向かう方向に上向傾いた請求項３に記載の支持ユニット。
  6. 前記絶縁部材の上部には、
    第１リングと、
    上部から見る時、前記第１リングを囲むように提供される第２リングが配置される請求項５に記載の支持ユニット。
  7. 前記第２リングは、
    前記リング部材と互いに同一な素材で提供される請求項６に記載の支持ユニット。
  8. 前記第２リング、そして前記リング部材は、クォーツ（Ｑｕａｒｔｚ）を含む素材で提供される請求項７に記載の支持ユニット。
  9. 前記グラウンドリングは、
    金属を含む素材で提供される請求項１乃至請求項８のいずれかの一項に記載の支持ユニット。
  10. 基板を処理する装置において、
    処理空間を有するチャンバーと、
    前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、
    前記処理空間にプラズマ状態に励起される工程ガスを供給するガス供給ユニットと、を含み、
    前記支持ユニットは、
    高周波電源と連結される電力供給ロードと、
    前記電力供給ロードから電力が伝達される電極板と、
    上部から見る時、前記電極板を囲むように提供され、接地されるグラウンドリングと、
    を含み、
    前記装置は、
    前記支持ユニットと前記チャンバーの内壁との間に配置され、少なくとも１つ以上の通孔、そして前記グラウンドリングが挿入される移動ホールが形成されたバッフルをさらに含む
    基板処理装置。
  11. 前記移動ホールに挿入された前記グラウンドリングと前記バッフルとの間には、
    絶縁体が配置される請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 前記支持ユニットは、
    前記グラウンドリングを上下方向に移動させる昇降部材をさらに含む請求項１０乃至請求項１１のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
  13. 前記装置は、
    制御器をさらに含み、
    前記制御器は、
    前記支持ユニットに支持された基板の縁領域に対する処理効率を高めようとする場合、前記グラウンドリングを上昇させるように前記昇降部材を制御する請求項１２に記載の基板処理装置。
  14. 前記装置は、
    制御器をさらに含み、
    前記制御器は、
    前記支持ユニットに支持された基板の中央領域に対する処理効率を高めようとする場合、前記グラウンドリングを下降させるように前記昇降部材を制御する請求項１２に記載の基板処理装置。
  15. 基板を処理する装置において、
    処理空間を有するチャンバーと、
    前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、
    前記処理空間にプラズマ状態に励起される工程ガスを供給するガス供給ユニットと、
    前記支持ユニットと前記チャンバーの内壁との間に配置されるバッフルと、を含み、
    前記支持ユニットは、
    高周波電源と連結される電極板と、
    上部から見る時、前記電極板を囲むように提供され、前記バッフルと電気的に連結され、前記バッフルに形成された移動ホールに挿入されて上下方向に移動可能なグラウンドリングと、
    前記グラウンドリングと前記電極板との間に配置される絶縁部材を含む基板処理装置。
  16. 前記移動ホールに挿入された前記グラウンドリングと前記バッフルとの間には、
    絶縁体が配置される請求項１５に記載の基板処理装置。
  17. 前記支持ユニットは、
    前記グラウンドリングを上下方向に移動させて、前記グラウンドリングが前記処理空間に露出される面積を変更させる昇降部材をさらに含む請求項１５又は請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. 前記装置は、
    制御器をさらに含み、
    前記制御器は、
    前記支持ユニットに支持された基板の縁領域に対する処理効率を高めようとする場合、前記グラウンドリングを上昇させ、
    前記支持ユニットに支持された基板の中央領域に対する処理効率を高めようとする場合、前記グラウンドリングを下降させるように前記昇降部材を制御する請求項１７に記載の基板処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012015514A (ja) 2010-06-30 2012-01-19 Lam Res Corp プラズマ処理チャンバ用の可動接地リング
JP2012186224A (ja) 2011-03-03 2012-09-27 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2017228526A (ja) 2016-06-22 2017-12-28 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 結合リング内に電極を使用することによってエッジ領域におけるイオンの方向性を制御するためのシステム及び方法

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