TWI732036B - 電漿處理裝置 - Google Patents

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TWI732036B
TWI732036B TW106129630A TW106129630A TWI732036B TW I732036 B TWI732036 B TW I732036B TW 106129630 A TW106129630 A TW 106129630A TW 106129630 A TW106129630 A TW 106129630A TW I732036 B TWI732036 B TW I732036B
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Abstract

電漿處理裝置10具備：處理室1、閘門20及接觸部。處理室1於側壁具有用以搬入晶圓W的開口部74，藉由供給至內部的處理氣體的電漿，對晶圓W實施既定處理。閘門20藉由沿著處理室1的側壁移動，而使開口部74開啟/關閉。接觸部由導電性材料所構成，於閘門20為移動中的情形時，不與閘門接觸；於閘門20位於關閉開口部74之位置的情形時，往與閘門20的移動方向相異的方向位移，而與閘門20接觸。

Description

電漿處理裝置
本發明的各種面向及實施形態係關於電漿處理裝置。
半導體的製造裝置中，吾人已知進行利用電漿的處理的電漿處理裝置。於如此的電漿處理裝置中，將成為處理對象的被處理基板搬入處理室內，藉由於處理室內施加既定處理氣體及高頻電力，而於處理室內產生處理氣體的電漿。
又，被處理基板係從設於處理室側壁的搬入口被搬入至處理室內。設有搬入口的處理室側壁部分，從外部雖利用閘閥關閉，但於處理室內，與產生電漿的處理空間相連通。因此，有時會有處理室內產生的電漿擴散至搬入口附近的空間，而造成電漿均勻性降低的情形。藉此，有時會有對被處理基板的處理的均勻性降低的情形。
為了避免上述情形，形成於處理室側壁的搬入口，於處理室內側中利用閘門關閉。於被處理基板的搬入及搬出時，閘門移動而使處理室側壁的搬入口開啟。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-126197號公報
[發明欲解決之問題] 另外，於處理室內，處理室的側壁或閘門等必須連接至接地電位以作為高頻的返回通路。於習知的電漿處理裝置中，先使處理室整體接地，而於移動閘門以使處理室側壁的搬入口關閉時，藉由利用閘門壓扁設於閘門移動方向的作為導電性密封構件的圈線，而確保閘門與處理室側壁的確實導通。
然而，於利用閘門壓扁圈線的情形時，係藉由驅動閘門的驅動機構進行閘門的移動與對圈線的推壓。因此，必須有可產生強大驅動力的驅動機構，因此使得驅動機構大型化。又，如此的驅動機構係設置於電漿處理裝置內，故使得難以達成電漿處理裝置的小型化。 [解決問題之方法]
本發明的一面向為一種電漿處理裝置，其具備：處理室、閘門及接觸部。處理室於側壁具有用以搬入被處理基板的開口部，藉由供給至內部的處理氣體的電漿，對被處理基板施行既定處理。閘門藉由沿著處理室的側壁移動，而使開口部開啟/關閉。接觸部由導電性材料所構成，於閘門為移動中的情形時，不與閘門接觸；於閘門位於關閉開口部之位置的情形時，往與閘門移動方向相異的方向位移，而與閘門接觸。 [發明效果]
依據本發明的各種面向及實施形態，使電漿處理裝置有可能小型化。
本發明所揭示的電漿處理裝置，其具備：處理室、閘門及接觸部。處理室於側壁具有用以搬入被處理基板的開口部，藉由供給至內部的處理氣體的電漿， 對被處理基板實施既定處理。閘門藉由沿著處理室的側壁移動，而使開口部開啟/關閉。接觸部由導電性材料所構成，於閘門為移動中的情形時，不與閘門接觸；於閘門位於關閉開口部的位置時，往與閘門移動方向相異的方向位移，而與閘門接觸。
又，於所揭示的電漿處理裝置的一實施形態中，接觸部亦可為由導電性材料所構成的板片彈簧的一部分。又，電漿處理裝置亦可具備：管體，具有彈性；及控制部，於閘門位於關閉處理室的開口部的位置時，藉由使填充於管體內之流體的壓力增高，而使管體膨脹，利用膨脹的管體使接觸部接觸至閘門。
又，於所揭示的電漿處理裝置的一實施形態中，接觸部亦可為具有彈性及導電性的環狀管體。又，電漿處理裝置亦可具備控制填充於管體內之流體的壓力的控制部。又，閘門亦可配置於環狀管體的管圈的內側。又，控制部亦可於閘門位於關閉處理室的開口部的位置時，藉由使填充於管體內之流體的壓力減小，而使由管體所形成的管圈的直徑減小，使管體與閘門接觸。
又，於所揭示的電漿處理裝置的一實施形態中，接觸部亦可為具有彈性及導電性的環狀管體。又，電漿處理裝置亦可具備控制填充於管體內之流體的壓力的控制部。又，閘門亦可配置於環狀管體的管圈的外側。又，控制部亦可於閘門位於關閉開口部的位置時，藉由使填充於管體內之流體的壓力增高，而使由管體所形成的管圈的直徑增大，而使管體與閘門接觸。
又，於所揭示的電漿處理裝置的一實施形態中，亦可具有移動機構，該移動機構於閘門位於關閉開口部的位置時，藉由凸輪的旋轉，使接觸部往接觸至閘門的位置位移；於閘門非位於關閉開口部的位置時，藉由凸輪的旋轉，使接觸部往與閘門分開的位置位移。
又，於所揭示的電漿處理裝置的一實施形態中，亦可具備：固持部，固持接觸部；及控制部，藉由控制固持部的溫度，使固持部熱膨脹，而使接觸部位移。
又，於所揭示的電漿處理裝置的一實施形態中，亦可具備：第1固持部，固持接觸部；第1電磁鐵，設於第1固持部；第2固持部，固持第1固持部；第2電磁鐵，設於第2固持部，且設於與第1電磁鐵相對的位置；及控制部，藉由控制第1電磁鐵及第2電磁鐵的極性，而使接觸部位移。
又，於所揭示的電漿處理裝置的一實施形態中，處理室亦可具有圓筒狀的側壁，閘門亦可具有圓筒狀的側壁，而閘門的中心軸以與處理室的中心軸重疊的方式配置於處理室內。
以下，針對所揭示的電漿處理裝置的實施形態，根據圖式詳細說明。又，所揭示的電漿處理裝置並不以本實施形態加以限定。 [實施例1]
[電漿處理裝置10的構成] 圖1係電漿處理裝置10的構成的一例的剖面圖。圖2係處理室1及閘門20的位置關係的一例的示意剖面圖。圖3係圖2所示處理室1的A-A剖面的一例的示意圖。 圖4係圖2所示處理室1的B-B剖面的一例的示意圖。圖3及圖4所示的處理室1的C- C剖面對應於圖2所示的剖面。
電漿處理裝置10，例如為電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝置。電漿處理裝置10具有處理室1，處理室1例如由表面經陽極氧化處理的鋁所構成，且於內部形成有大致圓筒狀的空間。處理室1為安全接地。圖1~圖4中，將由處理室1的內側壁所形成的大致圓筒狀的空間的中心軸，定義為Z軸。
於處理室1的底部，形成大致圓筒狀的排氣口83。於排氣口83的上方，設置從下方支撐載置台2的台座100。台座100係由從處理室1的內側壁往靠近Z軸方向延伸而成的複數根支撐樑101所支撐。本實施例中，各支撐樑101從處理室1的內側壁朝著Z軸於與Z軸垂直的方向延伸。本實施例中，如圖3及圖4所示，於電漿處理裝置10內，設置3根支撐樑101，該等支撐樑101相對於Z軸例如配置成軸對稱。亦即，通過3根支撐樑101的配置中心的線與Z軸一致，相鄰的2根支撐樑101以Z軸為中心成120度的角度。本實施例中，台座100及各支撐樑101由與處理室1相同的材料所構成。
本實施例中，載置台2為大致圓筒狀，以載置台2的外側壁的中心軸與Z軸一致的方式，配置於處理室1內。載置台2具有下部電極2a、基材4、對焦環5及靜電吸盤6。基材4由陶瓷等形成為大致圓筒狀，經由絕緣板3而配置於台座100上。於基材4上，設置例如由鋁等所形成的下部電極2a。
於下部電極2a的頂面設置靜電吸盤6，靜電吸盤6利用靜電力將作為被處理基板的一例的晶圓W加以吸附固持。靜電吸盤6具有利用一對絕緣層或絕緣薄片夾住由導電膜所形成的電極6a的構造。電極6a與直流電源13電連接。晶圓W載置於靜電吸盤6的頂面，並藉由從直流電源13供給的直流電壓，利用靜電吸盤6所產生的靜電力而吸附固持於靜電吸盤6的頂面。晶圓W為大致圓形。晶圓W以晶圓W的中心軸與圖1的Z軸為一致的方式，載置於靜電吸盤6的頂面。
於下部電極2a的頂面，以圍住靜電吸盤6的方式，設置由例如單結晶矽等所形成的導電性對焦環5。藉由對焦環5，可使晶圓W的表面中蝕刻等電漿處理的均勻性提升。下部電極2a及基材4的側面，以由例如石英等所形成的圓筒狀內壁構件3a加以包圍。
於下部電極2a的內部，例如形成環狀冷媒室2b。從設於外部的未圖示的急冷器單元，經由配管2c及2d，對冷媒室2b循環供給例如冷卻水等既定溫度的冷媒。藉由循環於冷媒室2b內的冷媒，控制下部電極2a、基材4及靜電吸盤6的溫度，而將靜電吸盤6上的晶圓W控制為既定溫度。
又，從未圖示的傳熱氣體供給機構，經由配管17，將例如He氣等的傳熱氣體，供給至於靜電吸盤6的頂面與晶圓W的背面之間。
下部電極2a經由匹配器11a，連接著高頻電源12a。又，下部電極2a經由匹配器11b，連接著高頻電源12b。高頻電源12a將電漿產生用的既定頻率(例如100 MHz)的高頻電力，供給至下部電極2a。又，高頻電源12b將離子引入(偏壓)用的既定頻率的高頻電力且頻率較高頻電源12a所供給的高頻電力為低(例如13MHz)的高頻電力，供給至下部電極2a。
如圖1~圖4所示，於載置台2的周圍，以圍住載置台2的方式設置排氣通道86。 排氣通道86於相鄰支撐樑101間的空間中，與形成於台座100下方的排氣室85相連通。本實施例中，形成於載置台2周邊的排氣通道86，以對Z軸成軸對稱的方式，形成於相鄰2根支撐樑101之間。因此，由上部電極16供給並從排氣口83排出的氣體的流向，相對於通過載放於載置台2上的晶圓W的中心的Z軸，成為軸對稱。
於排氣通道86內，以圍住載置台2的方式，設置大致圓筒狀的閘門20。如圖5所示，閘門20由鋁等的導電性材料所形成，具有：於Z軸方向延伸的壁部20a、及往靠近Z軸的方向延伸的底部20b。圖5為顯示閘門20的一例的俯視圖。於底部20b形成複數個穿孔，底部20b亦具有作為擋板的功能。
於閘門20的底面，連接著軸21，軸21連接至設於支撐樑101上的驅動部22。驅動部22藉由使軸21往上下方向亦即Z軸方向移動，而使閘門20上下移動。如圖4所示，本實施例中，於處理室1設置3根支撐樑101，並於各支撐樑101設置驅動部22。因此，閘門20藉由3個驅動部22而上下移動。又，閘門20亦可藉由4個以上的驅動部22所驅動。又，驅動部22不一定要設於支撐樑101上，亦可設置為固定於處理室1的內側壁。
於較靜電吸盤6更為上方的處理室1的側壁，設有開口部74，開口部74用於將晶圓W往處理室1內搬入及將晶圓W從處理室1內搬出。開口部74於處理室1的內側，藉由閘門20開啟/關閉。又，於處理室1的外側，設有用以使開口部74開啟/關閉的閘閥G。
藉由閘門20往上方移動，從處理室1的內側以閘門20將開口部74關閉。圖1及圖2係顯示以閘門20將開口部74關閉的狀態的電漿處理裝置10。又，藉由閘門20往下方移動，而於處理室1的內側使開口部74開啟。
於處理室1的內側壁，以圍住閘門20的方式，沿著處理室1的側壁，設置用以使閘門20連接至接地電位的第1連接部18a。又，於內壁構件3a，以圍住載置台2的方式，沿著內壁構件3a，設置用以使閘門20連接至接地電位的第2連接部18b。 第1連接部18a及第2連接部18b，電連接於已接地的處理室1。因此，藉由第1連接部18a及第2連接部18b與閘門20連接，使閘門20經由處理室1而連接至接地電位。於第1連接部18a及第2連接部18b，連接著連接控制部19。連接控制部19於閘門20位於關閉開口部74的位置時，控制第1連接部18a及第2連接部18b，使第1連接部18a及第2連接部18b連接至閘門20。
第1連接部18a及第2連接部18b，藉由連接控制部19的控制，使連接於處理室1的導電性構件，往與Z軸方向相異的方向移動。本實施例中，第1連接部18a藉由連接控制部19的控制，使連接於處理室1的導電性構件，往靠近Z軸的方向移動。另一方面，第2連接部18b藉由連接控制部19的控制，使連接於處理室1的導電性構件，往遠離Z軸的方向移動。藉此，連接於處理室1的導電性構件與閘門20接觸，閘門20經由處理室1連接至接地電位，閘門20整體用作為高頻的返回通路。
在此，考慮下述情形：於閘門20與處理室1之間，配置例如稱為圈線的導電性密封材，於關閉開口部74時，藉由使閘門20往上方移動並以閘門20壓扁圈線，而使閘門20與處理室1相導通。於此情形時，使閘門20移動的驅動部22，除了使閘門20移動的驅動力外，尚必須有用以壓扁圈線的力。因此，驅動部22必須有更大的驅動力，而使得驅動部22變得大型化，而設置複數個驅動部22的電漿處理裝置10亦變得大型化。
又，於處理空間S內，為了使閘門20對電漿的影響於晶圓W的圓周方向更為均勻，考慮於處理室1內設置可圍住處理空間S的環狀閘門20。於如此的環狀閘門20中，若壓扁配置於閘門20與處理室1之間的圈線，則圈線所配置的面積變大， 因此驅動部22須有更大的驅動力。
對此，本實施例的電漿處理裝置10中，於閘門20移動至關閉開口部74之位置的情形時，第1連接部18a及第2連接部18b，使連接於處理室1的導電性構件接觸至閘門20。因此，於關閉開口部74時，驅動部22只要使閘門20移動至關閉開口部74的位置即可，而不必對閘門20施加用以壓扁圈線之力。
又，於本實施例的電漿處理裝置10中，第1連接部18a及第2連接部18b，藉由使連接於處理室1的導電性構件往與閘門20的移動方向亦即Z軸方向相異的方向移動，而接觸至閘門20。因此，驅動部22不必對閘門20施加對於第1連接部18a及第2連接部18b將導電性構件推抵至閘門20之力的反作用力。因此，藉由本實施例的電漿處理裝置10，可使驅動部22小型化。藉此，使具有複數驅動部22的電漿處理裝置10亦有可能小型化。
又，本實施例中，閘門20形成為環狀，第1連接部18a及第2連接部18b遍及閘門20的幾乎全周，使導電性構件接觸至閘門20。因此，於第1連接部18a為了使導電性構件接觸至閘門20而施加於閘門20之力中，夾著Z軸而相抵抗的2個由第1連接部18a而賦予至閘門20之力中的一力，作為反作用力而對另一力作用。同樣地，於第2連接部18b為了使導電性構件接觸至閘門20而施加於閘門20之力中，夾著Z軸相抵抗的2個藉由第2連接部18b而賦予至閘門20之力中之一力，作為反作用力而對另一力作用。因此，不須依賴驅動部22的驅動力，可藉由第1連接部18a及第2連接部18b而增加使導電性構件接觸至閘門20的力。藉此，可使連接於處理室1的導電性構件與閘門20確實接觸，可於遍及閘門20的幾乎全周，使閘門20確實連接至接地電位。
返回電漿處理裝置10的說明。大致圓形的排氣口83的中心軸與Z軸一致。排氣口83連接著排氣裝置84。排氣裝置84具有例如渦輪分子泵等的真空泵，可使處理室1內減壓至期望的真空度。又，排氣口83設有APC(Automatic Pressure Cont rol，自動壓力控制部)80。APC80具有蓋體81及複數根支撐棒82。蓋體81為大致圓形的板子，蓋體81的中心軸與Z軸一致。又，蓋體81以與排氣口83的開口面成大致平行的方式配置。蓋體81的直徑，較排氣口83的開口的直徑為長。
支撐棒82藉由控制蓋體81的高度，而可控制由形成於蓋體81與排氣口83周圍的處理室1的面間的間隙所形成的排氣傳導。圖1顯示2根支撐棒82，但亦可以圍住排氣口83的方式，於排氣口83的周圍設置3根以上的支撐棒82。APC80藉由以支撐棒82控制蓋體81的高度，可將處理室1內的壓力控制為既定壓力範圍。
如圖1~圖3所示，台座100及支撐樑101於內部形成空間102。空間102與形成於處理室1側壁的開口相連通。供給至載置台2的氣體或電力等，經由通過台座100及支撐樑101內的空間102的配管或配線，而供給至載置台2。本實施例中，如圖3及圖4所示，台座100由3根支撐樑101所支撐。於圖1所例示的電漿處理裝置10中，將氣體或電力等供給至載置台2的配管或配線，係經由1根支撐樑101而連接於處理室1外部的機器，但只要經由3根支撐樑101中的任一根連接於處理室1外部的機器即可。
於下部電極2a的上方，以與載置台2相對的方式，設置上部電極16。下部電極2a與上部電極16，以互成大致平行的方式，設置於處理室1內。以下，將設置於靜電吸盤6上的晶圓W與上部電極16的底面間的空間，稱為處理空間S。
上部電極16經由絕緣性構件45而支撐於處理室1的上部。上部電極16具有頂板支撐部16a及上部頂板16b。頂板支撐部16a由例如表面經陽極氧化處理的鋁等所形成，於其下部可任意拆裝地支撐上部頂板16b。上部頂板16b由例如石英等的含矽物質所形成。
於頂板支撐部16a的內部，設置氣體擴散室16c。本實施例中，氣體擴散室16c為大致圓筒狀，其中心軸與Z軸一致。於頂板支撐部16a的底部，以位於氣體擴散室16c的下部的方式，形成複數個氣體流通口16e。複數個氣體流通口16e，以Z軸為中心成同心圓狀的方式，以大致均等的間隔形成於氣體擴散室16c的下部。
於上部頂板16b，以於厚度方向貫穿上部頂板16b的方式，設置複數個氣體流通口16f。複數個氣體流通口16f，以Z軸為中心成同心圓狀的方式，以大致均等的間隔形成於上部頂板16b。各氣體流通口16f，與上述氣體流通口16e中之其一相連通。供給至氣體擴散室16c的處理氣體，經由複數個氣體流通口16e及16f，成噴淋狀地擴散並供給至處理室1內。又，複數個氣體流通口16e及16f，因以Z軸為中心成同心圓狀的方式以大致均等的間隔配置，故經由複數個氣體流通口16e及16f而供給至處理室1內的處理氣體，以Z軸為中心於圓周方向以大致均勻的流量供給至處理空間S內。
又，於頂板支撐部16a等，設置未圖示的加熱器或用以使冷媒循環的未圖示的配管等的溫度調整機構，而於晶圓W的處理中，可將上部電極16控制為期望範圍內的溫度。
於上部電極16的頂板支撐部16a，設置用以將處理氣體導入氣體擴散室16c的氣體導入口16g。本實施例中，氣體導入口16g的中心軸與Z軸一致。於氣體導入口16g上，連接著配管15b的一端。配管15b的另一端，經由閥V及質量流量控制器(MFC)15a，而連接至供給用於晶圓W處理的處理氣體的氣體供給源15。從氣體供給源15所供給的處理氣體，經由配管15b供給至氣體擴散室16c，再經由氣體流通口16e及16f，而成噴淋狀地擴散並供給至處理室1內。
於上部電極16上，經由低通濾波器(LPF)40及切換器41，電連接著輸出負直流電壓的可變直流電源42。切換器41，控制直流電壓從可變直流電源42往上部電極16的施加及阻斷。例如，於從高頻電源12a及高頻電源12b對下部電極2a施加高頻電力，而於處理室1內的處理空間S產生電漿之際，可依所需將切換器41設為開啟(ON)，而對上部電極16施加既定大小的負直流電壓。
又，於處理室1的周圍，將環形磁鐵90配置成同心圓狀。環形磁鐵90於上部電極16與載置台2間的處理空間S內形成磁場。環形磁鐵90藉由未圖示的旋轉機構而被旋轉自如地固持。
如上所述而構成的電漿處理裝置10的動作，由控制部60總括控制。控制部60具備：處理控制器61，具有CPU(Central Processing Unit)並控制電漿處理裝置10的各部；使用者介面62；及記憶部63。
使用者介面62包含：輸入作業員用以操作電漿處理裝置10的指令等所用的鍵盤、或使電漿處理裝置10的運作狀況視覺化顯示的顯示器等。
記憶部63儲存有配方，該配方記憶著處理控制器61用以實現於電漿處理裝置10所執行的各種處理的控制程式(軟體)或處理條件的資料等。處理控制器61讀出記憶於記憶部63內的控制程式，並根據所讀出的控制程式進行動作。又，處理控制器61因應經由使用者介面62而接收到的指示等，從記憶部63讀出配方等， 並根據所讀出的配方等，控制電漿處理裝置10。藉此，利用電漿處理裝置10進行所期望的處理。又，處理控制器61亦可將儲存於電腦可讀取的記錄媒體等的控制程式或配方等，從該記錄媒體讀出並執行。所謂「電腦可讀取的記錄媒體」，例如為硬碟、DVD(Digital Versatile Disc)、軟碟、半導體記憶體等。又，處理控制器61亦可將儲存於其他裝置的記憶部內的控制程式或配方等，經由例如通訊線路而從該其他裝置取得並執行。
於電漿處理裝置10中對晶圓W進行使用電漿的處理時，控制部60對電漿處理裝置10進行如下的控制。首先，控制部60控制連接控制部19，使第1連接部18a及第2連接部18b中連接於處理室1的導電性構件從閘門20分離。接著，控制部60控制驅動部22，藉由使閘門20往下方移動，而開啟開口部74的內側。接著，控制部60開啟閘閥G。藉此，將作為處理對象的晶圓W經由開口部74而搬入至靜電吸盤6上。
其次，控制部60關閉閘閥G。接著，控制部60控制驅動部22，藉由使閘門20往上方移動，而關閉開口部74的內側。之後，控制部60控制連接控制部19，使第1連接部18a及第2連接部18b中連接於處理室1的導電性構件接觸至閘門20。藉此，閘門20整體經由處理室1而連接至接地電位。
其次，控制部60使排氣裝置84運作，控制APC80使處理室1內進行真空排氣。 接著，控制部60控制閥V及MFC15a，對氣體擴散室16c內供給既定流量的處理氣體。供給至氣體擴散室16c內的處理氣體，經由複數個氣體流通口16e及16f成噴淋狀地擴散並供給至處理室1內。又，控制部60藉由APC80控制排氣傳導，而將處理室1內控制為既定壓力。
接著，控制部60分別使高頻電源12a及高頻電源12b產生既定高頻電力，並施加於下部電極2a，同時將切換器41控制為開啟(ON)，而對上部電極16施加既定直流電壓。藉此，於靜電吸盤6上的晶圓W與上部電極16間的處理空間S，產生處理氣體的電漿。之後，利用於處理空間S所產生的電漿所含的離子或自由基， 對靜電吸盤6上的晶圓W進行蝕刻等的既定處理。
[第1連接部18a及第2連接部18b的構成] 圖6係實施例1中的第1連接部18a的一例的說明圖。本實施例中，如圖6(A)所示，第1連接部18a設於形成在處理室1的側壁的凹部1a內，具有由導電性材料所形成的接觸構件180a、及由具有彈性的材料所形成管體23a。
接觸構件180a電連接於處理室1。如圖7所示，接觸構件180a具有：基部181a，形成為環狀；及複數個接觸部182a，沿著基部181a而設置於基部181a。本實施例中，基部181a與各接觸部182a以導電性材料形成為一體。又，於相鄰的接觸部182a之間形成間隙。本實施例中，接觸構件180a例如為板片彈簧，接觸部182a例如為板片彈簧的一部分。
管體23a形成為環狀，沿著基部181a配置於基部181a與各接觸部182a之間。管體23a連接至連接控制部19，藉由連接控制部19控制填充於內部之流體的壓力。本實施例中，填充於管體23a內的流體，例如為空氣等氣體。又，填充於管體23a內的流體，亦可為油等的液體。
連接控制部19藉由控制填充於管體23a內之流體的壓力，而控制第1連接部18a與閘門20的連接。具體而言，如圖6(A)所示，連接控制部19於閘門20位於關閉開口部74的位置以外之位置的情形時(包含閘門20為移動中的情形)，使填充於管體23a內之流體的壓力下降。藉此，管體23a收縮，而接觸部182a往與閘門20的移動方向(圖6(A)的Z方向)相異的方向(例如圖6(A)的-X方向)移動。藉此，接觸部182a從閘門20的移動路徑上退避至基部181a側。因此，可避免閘門20移動時的閘門20與接觸部182a的接觸，可防止因閘門20與接觸部182a的摩擦而導致微粒的產生。
又，如圖6(B)所示，連接控制部19於閘門20位於關閉開口部74之位置的情形時，使填充於管體23a內之流體的壓力上升。藉此，管體23a膨脹，而接觸部182a往與閘門20的移動方向(圖6(B)的Z方向)相異的方向(例如圖6(B)的+X方向)移動。 藉此，接觸部182a往閘門20側移動。因此，接觸部182a接觸至閘門20，閘門20經由接觸部182a而連接至接地電位。
又，本實施例中，使用具有基部181a及接觸部182a的接觸構件180a，利用管體23a的膨脹及收縮，使接觸部182a接觸至壁部20a或從壁部20a分離，但所揭示的技術不以此為限。例如，亦可沿著處理室1將複數個接觸部182a配置於處理室1的凹部1a內，使各接觸部182a的一端固定於處理室1，而於各接觸部182a與處理室1之間配置管體23a，對應管體23a的膨脹及收縮，使接觸部182a的另一端接觸至閘門20或從閘門20分離。
圖8係實施例1中的第2連接部18b的一例的說明圖。本實施例中，如圖8(A)所示，第2連接部18b設於形成在內壁構件3a的凹部3b內，具有由導電性材料所形成的接觸構件180b、及由具有彈性的材料所形成的管體23b。
接觸構件180b藉由未圖示的配線而連接至接地電位。接觸構件180b例如具有與圖7所示的第1連接部18a相同的構造。但是，接觸構件180b的數個接觸部182 b，係沿著基部181b配置於形成為環狀的基部181b的外側。
管體23b形成為環狀，沿著基部181b配置於基部181b與各接觸部182b之間。管體23b連接至連接控制部19，藉由連接控制部19，控制填充於內部之流體的壓力。連接控制部19藉由控制填充於管體23b內之流體的壓力，而控制第2連接部18b與閘門20的連接。具體而言，如圖8(A)所示，連接控制部19於閘門20位於關閉開口部74的位置以外之位置的情形時(包含閘門20為移動中的情形)，使填充於管體23b內之流體的壓力下降。藉此，管體23b收縮，而接觸部182b往與閘門20的移動方向(圖8(A)的Z方向)相異的方向(例如圖8(A)的+X方向)移動。藉此，接觸部182b從閘門20的移動路徑上退避至基部181b側。因此，可避免閘門20移動時的閘門20與接觸部182b的接觸，可防止因閘門20與接觸部182b的摩擦而導致微粒的產生。
又，如圖8(B)所示，連接控制部19於閘門20位於關閉開口部74之位置的情形時，使填充於管體23b內之流體的壓力上升。藉此，管體23b膨脹，而接觸部182b往與閘門20的移動方向(圖8(B)的Z方向)相異的方向(例如圖8(B)的-X方向)移動。 藉此，接觸部182b往閘門20側移動。因此，接觸部182b接觸至閘門20，閘門20經由接觸部182b而連接至接地電位。
以上，針對實施例1中的電漿處理裝置10加以說明。從上述說明可明白得知， 依據本實施例的電漿處理裝置10，使驅動閘門20的驅動部22有可能小型化，而使具有驅動部22的電漿處理裝置10有可能小型化。 [實施例2]
實施例2中，第1連接部18a、第2連接部18b及連接控制部19的構成與實施例1不同。又，針對電漿處理裝置10的整體構成等的第1連接部18a、第2連接部18b及連接控制部19以外的構成，因與於實施例1所說明的電漿處理裝置10相同，故省略詳細說明。
[第1連接部18a及第2連接部18b的構成] 圖9係實施例2中的第1連接部18a的一例的說明圖。本實施例中，如圖9(A)所示，第1連接部18a具有管體190a，該管體190a設置在形成於處理室1的側壁的凹部1a內。凹部1a係沿著處理室1的內側壁所形成的溝槽，如圖9(A)所示，溝槽的開口較溝槽的底部為窄。管體190a形成為環狀，其沿著凹部1a配置於凹部1a內。亦即，從Z軸方向觀看時，環狀閘門20配置於環狀管體190a的管圈的內側。管體190a具有：內層192a，由具有彈性的材料所形成；外層191a，覆蓋內層192a的外側，由具有彈性及導電性的材料所形成。外層191a接觸於凹部1a的內側壁亦即處理室1，經由處理室1連接至接地電位。管體190a連接至連接控制部19，藉由連接控制部19，控制填充於管體190a內部之流體的壓力。管體190a係接觸部的一例。
連接控制部19藉由控制填充於管體190a內之流體的壓力，而控制外層191a與閘門20的連接。具體而言，如圖9(A)所示，連接控制部19於閘門20位於關閉開口部74的位置以外之位置的情形時(包含閘門20為移動中的情形)，使填充於管體190a內之流體的壓力上升。藉此，環狀管體190a膨脹，從Z軸方向觀看時，管體190a的內徑相較於閘門20的外徑變長。藉此，管體190a往與閘門20的移動方向(圖9(A)的Z方向)相異的方向(例如圖9(A)的-X方向)移動。藉此，管體190a從閘門20的移動路徑上退避至處理室1的側壁側。因此，可避免閘門20移動時的閘門20與管體190a的接觸，可防止因閘門20與管體190a的摩擦而導致微粒的產生。
又，如圖9(B)所示，連接控制部19於閘門20位於關閉開口部74之位置的情形時，使填充於管體190a內之流體的壓力下降。藉此，環狀管體190a收縮，從Z軸方向觀看時，管體190a的內徑變短，閘門20的外徑與管體190a的內徑成大致相等。 藉此，管體190a往與閘門20的移動方向(圖9(B)的Z方向)相異的方向(例如圖9(B)的+X方向)移動。藉此，管體190a往閘門20側移動。因此，管體190a的外層191接觸至閘門20。此時，管體190a的外層191a接觸於凹部1a的開口附近。藉此，閘門20經由管體190a的外層191a而連接至接地電位。
又，本實施例中，係使用具有外層191a及內層192a的管體190a，但管體190a亦可為由具有彈性及導電性的樹脂等的材料所形成的1層的管體。又，本實施例的管體190a中，內層192a於遍及剖面的全周以外層191加以覆蓋，然所揭示技術不限於此，管體190a中，亦可僅有與處理室1及閘門20接觸的部分，以外層191a加以覆蓋。
圖10係實施例2中的第2連接部18b的一例的說明圖。本實施例中，如圖10(A)所示，第2連接部18b具有管體190b，該管體190b設置在形成於內壁構件3a的凹部3b內。凹部3b係沿著內壁構件3a的外側壁所形成的溝槽，如圖10(A)所示，溝槽的開口較溝槽的底部為窄。管體190b形成為環狀，其沿著凹部3b配置於凹部3b內。亦即，從Z軸方向觀看時，環狀閘門20配置於環狀管體190b的管圈的外側。管體190b具有：內層192b，由具有彈性的材料所形成；外層191b，覆蓋內層192b的外側，由具有彈性及導電性的材料所形成。外層191b藉由未圖示的配線連接至接地電位。管體190b連接至連接控制部19，藉由連接控制部19，控制填充於管體190b內部之流體的壓力。
連接控制部19藉由控制填充於管體190b內之流體的壓力，而控制外層191b與閘門20的連接。具體而言，如圖10(A)所示，連接控制部19於閘門20位於關閉開口部74的位置以外之位置的情形時(包含閘門20為移動中的情形)，使填充於管體190b內之流體的壓力下降。藉此，環狀管體190b收縮，從Z軸方向觀看時，管體190b的外徑相較於閘門20的內徑變短。藉此，管體190b往與閘門20的移動方向(圖10(A)的Z方向)相異的方向(例如圖10(A)的+X方向)移動。藉此，管體190b從閘門20的移動路徑上退避至內壁構件3a側。因此，可避免閘門20移動時的閘門20與管體190b的接觸，可防止因閘門20與管體190b的摩擦而導致微粒的產生。
又，如圖10(B)所示，連接控制部19於閘門20位於關閉開口部74之位置的情形時，使填充於管體190b內之流體的壓力上升。藉此，環狀管體190b膨脹，從Z軸方向觀看時，管體190b的外徑變長，閘門20的內徑與管體190b的外徑成大致相等。藉此，管體190b往與閘門20的移動方向(圖10(B)的Z方向)相異的方向(例如圖10(B)的-X方向)移動。藉此，管體190b以Z軸為中心，往閘門20側移動。因此，管體190b的外層191b接觸至閘門20，閘門20經由外層191b而連接至接地電位。 [實施例3]
實施例3中，第1連接部18a、第2連接部18b及連接控制部19的構成與實施例1不同。又，針對電漿處理裝置10的整體構成等的第1連接部18a、第2連接部18b及連接控制部19以外的構成，因與實施例1所說明的電漿處理裝置10相同，故省略詳細說明。又，因第1連接部18a及第2連接部18b為相同構成，故以下，主要針對第2連接部18b的構成加以說明。
[第2連接部18b的構成] 圖11係實施例3中的第2連接部18b的一例的說明圖。圖11(A)及(B)，概要顯示從Z軸的方向觀看時的第2連接部18b及閘門20。本實施例中，如圖11(A)所示，第2連接部18b具有：設有齒條202b的基材201b；及齒輪203b。
基材201b較閘門20的底部20b更配置於Z軸側。基材201b的閘門20側的面，形成為沿著閘門20的底部20b的圓弧狀。又，圖11(A)所示的第2連接部18b，沿著閘門20的底部20b的內側配置，於閘門20的底部20b的內側壁所形成的圓的圓周方向，分割成數個區塊(例如4個區塊)。各區塊於圓周方向隔著既定間隔而配置。於基材201b的閘門20側的面，配置作為導電性密封構件的圈線200b。圈線200b藉由未圖示的配線連接至接地電位。
齒輪203b嚙合於形成在齒條202b的凹凸之同時，藉由未圖示的馬達的驅動而旋轉。該馬達連接至連接控制部19。如圖11(A)所示，藉由齒輪203b繞逆時針旋轉，閘門20與圈線200b分離。另一方面，如圖11(B)所示，藉由齒輪203b繞順時針旋轉，閘門20與圈線200b接觸。連接控制部19藉由控制馬達，使齒輪203b旋轉，而控制閘門20與圈線200b的分離及接觸。
本實施例中，連接控制部19於位於閘門20關閉開口部74的位置以外之位置的情形時(包含閘門20為移動中的情形)，如圖11(A)所示，控制馬達以使齒輪203b繞逆時針旋轉。藉此，基材201b往與閘門20的移動方向(圖11(A)的Z方向)相異的方向(例如圖11(A)的-X方向)移動。藉此，設於基材201b的圈線200b從閘門20的移動路徑上退避至齒輪203b側。因此，可避免閘門20移動時的閘門20與圈線200b的接觸，可防因閘門20與圈線200b的摩擦而導致微粒的產生。
又，例如圖11(B)所示，連接控制部19於閘門20位於關閉開口部74之位置的情形時，控制馬達以使齒輪203b繞順時針旋轉。藉此，基材201b往與閘門20的移動方向(圖11(B)的Z方向)相異的方向(例如圖11(B)的+X方向)移動。藉此，設於基材201b的圈線200b往閘門20側移動。因此，圈線200b接觸至閘門20，閘門20經由圈線200b而連接至接地電位。 [實施例4]
實施例4中，第1連接部18a、第2連接部18b及連接控制部19的構成與實施例1不同。又，針對電漿處理裝置10的整體構成等的第1連接部18a、第2連接部18b及連接控制部19以外的構成，因與實施例1所說明的電漿處理裝置10相同，故省略詳細說明。又，因第1連接部18a及第2連接部18b為相同構成，故以下，主要針對第2連接部18b的構成加以說明。
[第2連接部18b的構成] 圖12係實施例4中的第2連接部18b的一例的說明圖。圖12(A)及(B)，概要顯示從Z軸的方向觀看時的第2連接部18b及閘門20。本實施例中，如圖12(A)所示，第2連接部18b具有：凸輪從動件211b；及凸輪212b。凸輪從動件211b，形成為沿著閘門20的底部20b的圓弧狀。沿著閘門20的底部20b的內側配置的凸輪從動件211b，於底部20b的內側壁所形成的圓的圓周方向，分割成數個區塊(例如4個區塊)，各區塊於圓周方向隔著既定間隔而配置。凸輪從動件211b及凸輪212b為移動機構的一例。
於凸輪從動件211b的閘門20側的面，配置作為導電性密封構件的圈線210b。 圈線210b藉由未圖示的配線連接至接地電位。凸輪從動件211b被壓抵而密接於凸輪212b。
凸輪212b於Z軸方向的剖面中，例如為橢圓形，以軸213b作為中心旋轉。軸213b連接著未圖示的馬達，該馬達連接至連接控制部19。連接控制部19藉由控制馬達，而控制以軸213b作為中心的凸輪212b的旋轉角度。本實施例中，因凸輪212b於Z軸方向的剖面中為例如橢圓形，故藉由以軸213b作為中心旋轉，而使於與Z軸交叉的方向(例如圖12所示的X方向)，軸213b與凸輪從動件211b的距離變化。藉此，凸輪從動件211b對應凸輪212b的旋轉角度，而使與閘門20的距離變化。
本實施例中，連接控制部19於位於閘門20關閉開口部74的位置以外之位置的情形時(包含閘門20為移動中的情形)，例如圖12(A)所示，控制馬達使凸輪212b旋轉，以使凸輪從動件211b往遠離閘門20的方向移動。藉此，凸輪從動件211b往與閘門20的移動方向(圖12(A)的Z方向)相異的方向(例如圖12(A)的-X方向)移動。藉此，設於凸輪從動件211b的圈線210b從閘門20的移動路徑上退避至凸輪212b側。因此，可避免閘門20移動時的閘門20與圈線210b的接觸，可防止因閘門20與圈線210b的摩擦而導致微粒的產生。
又，如圖12(B)所示，連接控制部19於閘門20位於關閉開口部74之位置的情形時，控制馬達使凸輪212b旋轉，以使凸輪從動件211b往靠近閘門20的方向移動。藉此，凸輪從動件211b往與閘門20的移動方向(圖12(B)的Z方向)相異的方向(例如圖12(B)的+X方向)移動。藉此，設於凸輪從動件211b的圈線210b往閘門20側移動。因此，圈線210b接觸至閘門20，閘門20經由圈線210b而連接至接地電位。
又，於本實施例中，凸輪212b的Z軸方向的剖面為例如橢圓形，但只要是從軸213b的中心至凸輪212b的外周的距離為部分相異的形狀的凸輪212b，則其Z軸方向的剖面亦可為例如多角形或長圓等的其他形狀。 [實施例5]
實施例5中，第1連接部18a、第2連接部18b及連接控制部19的構成與實施例1不同。又，針對電漿處理裝置10的整體構成等的第1連接部18a、第2連接部18b及連接控制部19以外的構成，因與實施例1所說明的電漿處理裝置10相同，故省略詳細說明。又，第1連接部18a及第2連接部18b因為相同構成，故於以下，主要針對第1連接部18a的構成加以說明。
[第1連接部18a的構成] 圖13係實施例5中的第1連接部18a的一例的說明圖。本實施例中，如圖13(A)所示，第1連接部18a具有變形構件225a，該變形構件225a設置在形成於處理室1的側壁的凹部1a內。變形構件225a具有：固持構件220a、圈線221a及加熱器222a。固持構件220a使用如銅等的高導電性且高熱膨脹率的材料，以沿著凹部1a的方式，形成為圓弧狀。又，固持構件220a於壁部20a的外側壁所形成的圓的圓周方向，分割成數個區塊(例如4個區塊)，各區塊於圓周方向隔著既定間隔而配置。
固持構件220a固持作為導電性密封構件的圈線221a。圈線221a為接觸部的一例。固持構件220a經由設於凹部1a內的作為導電性密封構件的圈線223a而連接於處理室1。加熱器222a藉由未圖示的配線連接至連接控制部19。加熱器222a利用從連接控制部19所供給的電力，加熱固持構件220a。
本實施例中的連接控制部19，藉由控制供給至加熱器222a的電力，控制利用加熱器222a而得的固持構件220a的熱膨脹。具體而言，如圖13(A)所示，連接控制部19於閘門20位於關閉開口部74的位置以外之位置的情形時(包含閘門20為移動中的情形)，停止對加熱器222a的電力供給。藉此，固持構件220a收縮，圈線221a往與閘門20的移動方向(圖13(A)的Z方向)相異的方向(例如圖13(A)的-X方向)移動。藉此，圈線221a從閘門20的移動路徑上退避至處理室1的側壁側。因此，可避免閘門20移動時的閘門20與圈線221a的接觸，可防止因閘門20與圈線221a的摩擦而導致微粒的產生。
又，如圖13(B)所示，連接控制部19於閘門20位於關閉開口部74之位置的情形時，對加熱器222a供給既定電力。藉此，固持構件220a熱膨脹，圈線221a往與閘門20的移動方向(圖13(B)的Z方向)相異的方向(例如圖13(B)的+X方向)移動。藉此，圈線221a往閘門20側移動。因此，圈線221a接觸至閘門20，閘門20經由圈線221a而連接至接地電位。
又，圖13所示的變形構件225a，亦可如圖14所示，熱膨脹部分由樹脂226a構成，而與圈線221a及圈線223a接觸的固持構件220a由金屬構成。 [實施例6]
實施例6中，第1連接部18a、第2連接部18b及連接控制部19的構成與實施例1不同。又，針對電漿處理裝置10的整體構成等的第1連接部18a、第2連接部18b及連接控制部19以外的構成，因與實施例1所說明的電漿處理裝置10相同，故省略詳細說明。又，因第1連接部18a及第2連接部18b為相同構成，故以下，主要針對第1連接部18a的構成加以說明。
[第1連接部18a的構成] 圖15係實施例6中的第1連接部18a的一例的說明圖。本實施例中，如圖15(A)所示，第1連接部18a具有固持構件230a，該固持構件230a設置在形成於處理室1的側壁的凹部1a內。固持構件230a使用高導電性的材料，以沿著凹部1a的方式，形成為圓弧狀。又，固持構件230a於壁部20a的外側壁所形成的圓的圓周方向，分割成數個區塊(例如4個區塊)，各區塊於圓周方向隔著既定間隔而配置。
固持構件230a固持作為導電性密封構件的圈線231a。圈線231a為接觸部的一例。固持構件230a經由設於凹部1a內的作為導電性密封構件的圈線236a而連接於處理室1。於固持構件230a內，設置電磁鐵232a。於處理室1內的位置且對應於固持構件230a內的電磁鐵232a的位置，設置電磁鐵235a。電磁鐵232a及電磁鐵235a， 分別藉由未圖示的配線而連接至連接控制部19。電磁鐵232a及電磁鐵235a，藉由來自連接控制部19的控制，而產生磁力。又，凹部1a內，於處理室1與固持構件230a之間，設置緩衝材233a及緩衝材234a。固持構件230a為第1固持部的一例，處理室1為第2固持部的一例。又，電磁鐵232a為第1電磁鐵的一例，電磁鐵235a為第2電磁鐵的一例。
本實施例中的連接控制部19，藉由控制使電磁鐵232a及電磁鐵235a產生的磁力的極性，而控制固持構件230a的位置。具體而言，如圖15(A)所示，連接控制部19於閘門20位於關閉開口部74的位置以外之位置的情形時(包含閘門20為移動中的情形)，控制電磁鐵232a及電磁鐵235a，使產生成為電磁鐵232a及電磁鐵235a相互拉近的極性的磁力。藉此，固持構件230a往與閘門20的移動方向(圖15(A)的Z方向)相異的方向(例如圖15(A)的-X方向)移動。藉此，圈線231a從閘門20的移動路徑上退避至處理室1的側壁側。因此，可避免閘門20移動時的閘門20與圈線231a的接觸，可防止因閘門20與圈線231a的摩擦而導致微粒的產生。
又，如圖15(B)所示，連接控制部19於閘門20位於關閉開口部74之位置的情形時，控制電磁鐵232a及電磁鐵235a，使產生成為電磁鐵232a及電磁鐵235a相互排斥的極性的磁力。藉此，固持構件230a往與閘門20的移動方向(圖15(B)的Z方向)相異的方向(例如圖15(B)的+X方向)移動。藉此，圈線231a往閘門20側移動。因此，圈線231a接觸至閘門20，閘門20經由圈線231a連接至接地電位。
以上，使用實施形態說明本發明，但本發明的技術範圍不限於上述實施形態所記載的範圍。熟悉該技藝者明顯可知能對上述實施形態施予多種改變或改良。又，從申請專利範圍的記載明顯可知施予如此改變或改良的形態，亦包含於本發明的技術範圍。
1‧‧‧處理室1a‧‧‧凹部2‧‧‧載置台2a‧‧‧下部電極2b‧‧‧冷媒室2c、2d‧‧‧配管3‧‧‧絕緣板3a‧‧‧內壁構件3b‧‧‧凹部4‧‧‧基材5‧‧‧對焦環6‧‧‧靜電吸盤6a‧‧‧電極10‧‧‧電漿處理裝置11a、11b‧‧‧匹配器12a、12b‧‧‧高頻電源13‧‧‧直流電源15‧‧‧氣體供給源15a‧‧‧質量流量控制器(MFC)15b‧‧‧配管16‧‧‧上部電極16a‧‧‧頂板支撐部16b‧‧‧上部頂板16c‧‧‧擴散室16e、16f‧‧‧氣體流通口16g‧‧‧氣體導入口17‧‧‧配管18a‧‧‧第1連接部18b‧‧‧第2連接部19‧‧‧連接控制部20‧‧‧閘門20a‧‧‧壁部20b‧‧‧底部21‧‧‧軸22‧‧‧驅動部23a、23b‧‧‧管體40‧‧‧低通濾波器(LPF)41‧‧‧切換器42‧‧‧可變直流電源45‧‧‧絕緣性構件60‧‧‧控制部61‧‧‧處理控制器62‧‧‧使用者介面63‧‧‧記憶部74‧‧‧開口部80‧‧‧自動壓力控制部(APC)81‧‧‧蓋體82‧‧‧支撐棒83‧‧‧排氣口84‧‧‧排氣裝置85‧‧‧排氣室86‧‧‧排氣通道90‧‧‧環形磁鐵100‧‧‧台座101‧‧‧支撐樑102‧‧‧空間180a、180b‧‧‧接觸構件181a、181b‧‧‧基部182a、182b‧‧‧接觸部190a、190b‧‧‧管體191a、191b‧‧‧外層192a、192b‧‧‧內層200b、210b、221a、223a、231a、236a‧‧‧圈線201b‧‧‧基材202b‧‧‧齒條203b‧‧‧齒輪211b‧‧‧凸輪從動件212b‧‧‧凸輪213b‧‧‧軸220a、230a‧‧‧固持構件222a‧‧‧加熱器225a‧‧‧變形構件226a‧‧‧樹脂232a、235a‧‧‧電磁鐵233a、234a‧‧‧緩衝材G‧‧‧閘閥S‧‧‧處理空間V‧‧‧閥W‧‧‧晶圓
【圖1】圖1係電漿處理裝置的構成的一例的剖面圖。 【圖2】圖2係處理室及閘門的位置關係的一例的示意剖面圖。 【圖3】圖3係圖2所示處理室的A-A剖面的一例的示意圖。 【圖4】圖4係圖2所示處理室的B-B剖面的一例的示意圖。 【圖5】圖5係閘門的一例的俯視圖。 【圖6】圖6(A)、(B)係實施例1中的第1連接部的一例的說明圖。 【圖7】圖7係接觸構件的構成的一例圖。 【圖8】圖8(A)、(B)係實施例1中的第2連接部的一例的說明圖。 【圖9】圖9(A)、(B)係實施例2中的第1連接部的一例的說明圖。 【圖10】圖10(A)、(B)係實施例2中的第2連接部的一例的說明圖。 【圖11】圖11(A)、(B)係實施例3中的第2連接部的一例的說明圖。 【圖12】圖12(A)、(B)係實施例4中的第2連接部的一例的說明圖。 【圖13】圖13(A)、(B)係實施例5中的第1連接部的一例的說明圖。 【圖14】圖14係變形構件的其他例圖。 【圖15】圖15(A)、(B)係實施例6中的第1連接部的一例的說明圖。
1‧‧‧處理室
2‧‧‧載置台
2a‧‧‧下部電極
2b‧‧‧冷媒室
2c、2d‧‧‧配管
3‧‧‧絕緣板
3a‧‧‧內壁構件
4‧‧‧基材
5‧‧‧對焦環
6‧‧‧靜電吸盤
6a‧‧‧電極
10‧‧‧電漿處理裝置
11a、11b‧‧‧匹配器
12a、12b‧‧‧高頻電源
13‧‧‧直流電源
15‧‧‧氣體供給源
15a‧‧‧質量流量控制器(MFC)
15b‧‧‧配管
16‧‧‧上部電極
16a‧‧‧頂板支撐部
16b‧‧‧上部頂板
16c‧‧‧擴散室
16e、16f‧‧‧氣體流通口
16g‧‧‧氣體導入口
17‧‧‧配管
18a‧‧‧第1連接部
18b‧‧‧第2連接部
19‧‧‧連接控制部
20‧‧‧閘門
20a‧‧‧壁部
20b‧‧‧底部
21‧‧‧軸
22‧‧‧驅動部
40‧‧‧低通濾波器(LPF)
41‧‧‧切換器
42‧‧‧可變直流電源
45‧‧‧絕緣性構件
60‧‧‧控制部
61‧‧‧處理控制器
62‧‧‧使用者介面
63‧‧‧記憶部
74‧‧‧開口部
80‧‧‧自動壓力控制部(APC)
81‧‧‧蓋體
82‧‧‧支撐棒
83‧‧‧排氣口
84‧‧‧排氣裝置
85‧‧‧排氣室
86‧‧‧排氣通道
90‧‧‧環形磁鐵
100‧‧‧台座
101‧‧‧支撐樑
102‧‧‧空間
G‧‧‧閘閥
S‧‧‧處理空間
V‧‧‧閥
W‧‧‧晶圓

Claims (12)

  1. 一種電漿處理裝置，包含：處理室，於其側壁具有用以搬入被處理基板的開口部，藉由供給至其內部的處理氣體的電漿，對載置於載置台上的該被處理基板施行既定處理；閘門，藉由沿著該側壁移動，而使該開口部開啟/關閉；及接觸部，由導電性材料所構成且設於形成在該處理室的側壁或該載置台的側壁的凹部內，於該閘門為移動中的情形時，該接觸部不與該閘門接觸；在該閘門位於關閉該開口部之位置的情形時，該接觸部朝向與該閘門移動方向相異的方向位移，而與該閘門接觸。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，該接觸部為由導電性材料所成的板片彈簧的一部分，該電漿處理裝置具備：管體，具有彈性；及控制部，在該閘門位於關閉該開口部之位置的情形時，藉由使填充於該管體內之流體的壓力增高，使該管體膨脹，利用膨脹的該管體，使該接觸部接觸該閘門。
  3. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，該接觸部為具有彈性及導電性的環狀管體，該電漿處理裝置具備控制部，用來控制填充於該管體內之流體的壓力，該閘門配置於環狀之該管體的管圈的內側或外側， 該控制部在該閘門位於關閉該開口部之位置的情形時，藉由使填充於該管體內之流體的壓力變化，而使由該管體所形成的管圈之直徑變化，令該管體與該閘門接觸。
  4. 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置，其中，該閘門配置於環狀的該管體之管圈的外側，該控制部在該閘門位於關閉該開口部之位置的情形時，藉由使填充於該管體內之流體的壓力增高，而使由該管體所形成的管圈的直徑增大，令該管體與該閘門接觸。
  5. 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置，其中，該閘門配置於環狀的該管體之管圈的內側，該控制部在該閘門位於關閉該開口部之位置的情形時，藉由使填充於該管體內之流體的壓力減小，而使由該管體所形成的管圈的直徑減小，令該管體與該閘門接觸。
  6. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，更包含移動機構，該移動機構在該閘門位於關閉該開口部之位置的情形時，使該接觸部位移至與該閘門接觸的位置，在該閘門非位於關閉該開口部之位置的情形時，使該接觸部位移至與該閘門分開的位置。
  7. 如申請專利範圍第6項之電漿處理裝置，其中， 該移動機構在該閘門位於關閉該開口部之位置的情形時，藉由凸輪的旋轉，使該接觸部位移至與該閘門接觸的位置；在該閘門非位於關閉該開口部之位置的情形時，藉由凸輪的旋轉，使該接觸部位移至與該閘門分開的位置。
  8. 如申請專利範圍第6項之電漿處理裝置，其中，該移動機構在該閘門位於關閉該開口部之位置的情形時，藉由嚙合於齒條的齒輪的旋轉，使該接觸部位移至與該閘門接觸的位置；在該閘門非位於關閉該開口部之位置的情形時，藉由齒輪的旋轉，使該接觸部位移至與該閘門分開的位置。
  9. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，更包含：固持部，固持該接觸部；及控制部，藉由控制該固持部的溫度，使該固持部熱膨脹，而使該接觸部位移。
  10. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，更包含：第1固持部，固持該接觸部；第1電磁鐵，設於該第1固持部；第2固持部，固持該第1固持部；第2電磁鐵，設於該第2固持部，且設於與該第1電磁鐵相對的位置；及控制部，藉由控制該第1電磁鐵及該第2電磁鐵的極性，而使該接觸部位移。
  11. 如申請專利範圍第1~10項中任一項之電漿處理裝置，其中，該處理室具有圓筒狀的側壁， 該閘門具有圓筒狀的側壁，且以該閘門的中心軸與該處理室的中心軸重疊的方式配置於該處理室內。
  12. 如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置，其中，該板片彈簧包含基部，該接觸部係連接至該基部，該管體係設於該基部與該接觸部之間。
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