JP6631508B2 - 金属錯体およびそれを用いた発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、金属錯体、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を含有する発光素子に関する。本発明はまた、該金属錯体の製造に関する。

発光素子の発光層に用いる発光材料として、三重項励起状態からの発光を示す燐光発光性化合物が種々検討されている。燐光発光性化合物としては、中心金属が第５周期または第６周期に属する遷移金属である金属錯体が数多く検討されている。例えば、特許文献１では、下記式で表される金属錯体が提案されている。

国際公開第２００２／０６６５５２号

しかしながら、上記の金属錯体を用いて製造される発光素子は、駆動電圧が高いという問題があった。
そこで本発明は、駆動電圧に優れる発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することを目的とする。本発明はまた、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を用いて得られる発光素子を提供することを目的とする。

本発明は、第一に、下記式（１）で表される金属錯体を提供する。

［式（１）中、
Ｍは、イリジウム原子または白金原子を表す。
ｎ_１は、１、２または３を表す。ｎ_２は、０、１または２を表す。Ｍがイリジウム原子の場合、ｎ_１＋ｎ_２＝３であり、Ｍが白金原子の場合、ｎ_１＋ｎ_２＝２である。
Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ^１は、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｍ_１およびｍ_２は、それぞれ独立に、３または４を表す。
Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３およびＥ^４は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。複数存在するＥ^１およびＥ^２は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｅ^３およびＥ^４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^１が窒素原子の場合、Ｒ^１は存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^２が窒素原子の場合、Ｒ^２は存在しても存在しなくてもよい。ただし、Ｅ^３およびＥ^４の少なくとも一方は、炭素原子である。
Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^１およびＲ^２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。隣接するＲ^１同士が結合して、それぞれが結合するＥ^１とともに環を形成していてもよい。隣接するＲ^２同士が結合して、それぞれが結合するＥ^２とともに環を形成していてもよい。Ｅ^３に隣接するＥ^１と結合するＲ^１と、Ｅ^４に隣接するＥ^２と結合するＲ^２とが結合して、Ｒ^１が結合するＥ^１およびＲ^２が結合するＥ^２とともに環を形成していてもよい。
複数存在するＲ^１およびＲ^２の少なくとも１つは、下記式（２−１）で表される基または下記式（２−２）で表される基である。
環Ａは、窒素原子、Ｅ^３およびｍ_１個のＥ^１とで構成される、５員環または６員環の芳香族複素環を表す。ただし、環Ａが６員環の芳香族複素環である場合、Ｅ^３は炭素原子である。
環Ｂは、炭素原子、Ｅ^４およびｍ_２個のＥ^２とで構成される、５員環もしくは６員環の芳香族炭化水素環、または、５員環もしくは６員環の芳香族複素環を表す。ただし、環Ｂが６員環の芳香族複素環である場合、Ｅ^４は炭素原子である。］

［式（２−１）および（２−２）中、
Ｒ^３は、アルキル基を表し、この基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^５は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^５は、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^３ａは、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^３ａは、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^４ａは、置換基を有さないアリール基、または、アルキル基もしくはシクロアルキル基を置換基として有するアリール基を表し、該アルキル基および該シクロアルキル基は更に置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^４ａは、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^６は、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^６は、同一でも異なっていてもよい。］
本発明は、第二に、上記金属錯体を含有する組成物を提供する。
本発明は、第三に、上記金属錯体を用いて得られる発光素子を提供する。
なお、上記金属錯体の製造には、例えば、下記式（３）で表される化合物が用いられる。

［式（３）中、
Ｒ^３およびＲ^５は、前記と同じ意味を表す。
ｍ_３は、０〜５の整数を表す。
Ａｒ^３は、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^４は、同一でも異なっていてもよいが、少なくとも１つのＲ^４は、置換基を有さないアリール基、アルキル基もしくはシクロアルキル基を置換基として有するアリール基、または、１価の複素環基を表し、該アルキル基および該シクロアルキル基は更に置換基を有していてもよい。
Ｗ^１は、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基（Ｒ^Ｗ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｗ１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
式（３）で表される化合物は、該化合物を用いて製造される本発明の金属錯体の溶媒への溶解性および成膜性が優れるので、下記式（８−１）で表される化合物または下記式（８−２）で表される化合物であることが好ましい。

［式（８−１）および（８−２）中、
Ｒ^３、Ｒ^３ａ、Ｒ^４ａ、Ｒ^５、Ｒ^６およびＷ^１は、前記と同じ意味を表す。］

本発明によれば、駆動電圧に優れる発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することができる。また、本発明によれば、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を用いて得られる発光素子を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
＜共通する用語の説明＞
以下、本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、Ｂｕはブチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。
本明細書において、水素原子は重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
本明細書において、金属錯体を表す構造式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合または配位結合を意味する。
「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×１０^３〜１×１０^８である重合体を意味する。高分子化合物に含まれる構成単位は、合計１００モル％である。
高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。
高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性や輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、主鎖と共役結合している基が好ましく、炭素−炭素結合を介してアリール基または１価の複素環基と結合している基が挙げられる。
「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×１０^４以下の化合物を意味する。
「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。
「アルキル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
アルキル基およびシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、２−エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−プロピルヘプチル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ヘキシル−デシル基、ドデシル基、シクロヘキシル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、置換基を有するアルキル基およびシクロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３−フェニルプロピル基、３−（４−メチルフェニル）プロピル基、３−（３，５−ジ−ヘキシルフェニル）プロピル基、６−エチルオキシヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。
「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０であり、より好ましくは６〜１０である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「アルコキシ基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜４０であり、好ましくは４〜１０である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
アルコキシ基およびシクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基が挙げられる。
「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは７〜４８である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントラセニルオキシ基、９−アントラセニルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、および、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。
１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜６０であり、好ましくは４〜２０である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。
「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。
「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基およびジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基が挙げられる。
「アルケニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜３０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルケニル基およびシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
「アルキニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルキニル基およびシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２０）で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表す。複数存在するＲおよびＲ^ａは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^ａ同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］
２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜６０であり、好ましくは、３〜２０であり、より好ましくは、４〜１５である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−３４）で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^ａは、前記と同じ意味を表す。］
「架橋基」とは、加熱処理、紫外線照射処理、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成する事が可能な基であり、好ましくは、式（Ｂ−１）、（Ｂ−２）、（Ｂ−３）、（Ｂ−４）、（Ｂ−５）、（Ｂ−６）、（Ｂ−７）、（Ｂ−８）、（Ｂ−９）、（Ｂ−１０）、（Ｂ−１１）、（Ｂ−１２）、（Ｂ−１３）、（Ｂ−１４）、（Ｂ−１５）、（Ｂ−１６）または（Ｂ−１７）で表される基である。

［式中、これらの基は置換基を有していてもよい。］
「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基またはシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。
「デンドロン」とは、原子または環を分岐点とする規則的な樹枝状分岐構造（デンドリマー構造）を有する基である。なお、デンドロンを部分構造として有する化合物（デンドリマーと呼ぶ場合がある。）としては、例えば、国際公開第０２／０６７３４３号、特開２００３−２３１６９２号公報、国際公開第２００３／０７９７３６号、国際公開第２００６／０９７７１７号等の文献に記載の構造が挙げられる。なお、前記式（２−１）又は（２−２）で表される基も、デンドロンである。
デンドロンとしては、好ましくは、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基である。

［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２およびｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２およびＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２およびＡｒ^ＤＡ３が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６およびｍ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＧ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６およびＡｒ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６およびＡｒ^ＤＡ７が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６およびｍ^ＤＡ７は、通常１０以下の整数であり、５以下の整数であることが好ましく、０または１であることがより好ましく、０であることが特に好ましい。また、ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６およびｍ^ＤＡ７は、同一の整数であることが好ましい。
Ｇ^ＤＡは、好ましくは式（ＧＤＡ−１１）〜（ＧＤＡ−１５）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、または、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３との結合を表す。
＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ４、または、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ６との結合を表す。
＊＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ５、または、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ７との結合を表す。
Ｒ^ＤＡは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＡが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
Ｒ^ＤＡは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６およびＡｒ^ＤＡ７は、好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）〜（ＡｒＤＡ−３）で表される基である。

［式中、
Ｒ^ＤＡは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^ＤＢは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＢが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
Ｒ^ＤＢは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基または１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基である。
Ｔ^ＤＡは、好ましくは式（ＴＤＡ−１）〜（ＴＤＡ−３）で表される基である。

［式中、Ｒ^ＤＡおよびＲ^ＤＢは前記と同じ意味を表す。］
式（Ｄ−Ａ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ａ１）〜（Ｄ−Ａ３）で表される基である。

［式中、
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２およびＲ^ｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１およびＲ^ｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
式（Ｄ−Ｂ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ｂ１）〜（Ｄ−Ｂ３）で表される基である。

［式中、
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２およびＲ^ｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１およびＲ^ｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。ｎｐ１およびｎｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
ｎｐ１は、好ましくは０または１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２およびＲ^ｐ３は、好ましくはアルキル基またはシクロアルキル基である。
＜金属錯体＞
次に、本発明の金属錯体について説明する。本発明の金属錯体は、式（１）で表される金属錯体である。
式（１）中、複数存在するＲ^１およびＲ^２の少なくとも１つは、式（２−１）または式（２−２）で表される基である。
式（２−１）および式（２−２）中、Ｒ^３は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、メチル基、エチル基またはプロピル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。
式（２−１）および式（２−２）中、Ｒ^５は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であることがより好ましく、水素原子またはアルキル基であることが更に好ましく、水素原子またはメチル基であることが特に好ましい。
式（２−１）で表される基は、式（２−３）で表される基であることが好ましい。

［式（２−３）中、
Ｒ^３およびＲ^６は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^７は、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^７は、同一でも異なっていてもよい。］
式（２−２）中、Ｒ^３ａは、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子またはアルキル基であることが好ましく、水素原子またはメチル基であることがより好ましい。
式（２−１）および式（２−２）中、Ｒ^４ａは、本発明の金属錯体の溶媒への溶解性および成膜性が優れるので、アルキル基もしくはシクロアルキル基を置換基として有するアリール基であることが好ましく、アルキル基を置換基として有するアリール基であることがより好ましい。アリール基が置換基として有するアルキル基もしくはシクロアルキル基は更に置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基またはハロゲン原子が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基がより好ましい。
式（２−２）および式（２−３）中、Ｒ^６は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子またはアルキル基であることが好ましく、水素原子またはメチル基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。
式（２−３）中、Ｒ^７は、本発明の金属錯体の溶媒への溶解性および成膜性が優れるので、水素原子またはアルキル基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。
式（１）で表される金属錯体は、Ｍで表されるイリジウム原子または白金原子と、添え字ｎ_１でその数を規定されている配位子と、添え字ｎ_２でその数を規定されている配位子とから構成されている。
式（１）中、Ｍは、イリジウム原子であることが好ましい。この場合、式（１）において、ｎ_１＋ｎ_２＝３となる。
式（１）中、ｎ_１は、２または３であることが好ましく、３であることがより好ましい。
式（１）中、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。

［式中、＊は、イリジウム原子または白金原子と結合する部位を示す。］
式（１）中、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子は、下記式で表される配位子であってもよい。ただし、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子は、添え字ｎ_１でその数を定義されている配位子とは異なる。

［式中、
＊は、イリジウム原子または白金原子と結合する部位を表す。
Ｒ^Ｌ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｌ１は、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^Ｌ２は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
式（１）中、ｍ_１は、本発明の発光素子の安定性が優れるため、３または４であることが好ましい。また、式（１）中、ｍ_２は、本発明の発光素子の安定性が優れるため、４であることが好ましい。
式（１）中、環Ａが、５員環の芳香族複素環である場合、本発明の発光素子の安定性が優れるため、３つあるＥ^１のうちの少なくとも一つが窒素原子であり、Ｅ^３が炭素原子であることが好ましい。また、環Ａが６員環の芳香族複素環である場合、本発明の発光素子の安定性が優れるため、４つあるＥ^１のすべてが炭素原子であり、Ｅ^３が炭素原子であることが好ましい。
式（１）中、環Ｂは、本発明の発光素子の駆動電圧がより優れるため、６員環の芳香族炭化水素環であることが好ましい。
式（１）中、Ｒ^１およびＲ^２は、本発明の発光素子の安定性が優れるためが優れるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることが好ましい。但し、複数存在するＲ^１およびＲ^２の少なくとも１つは、式（２−１）または式（２−２）で表される基である。
式（１）で表される金属錯体は、本発明の発光素子の駆動電圧がより優れるため、下記式（１−ａ）で表される金属錯体であることが好ましい。

［式（１−ａ）中、
Ｍ、ｎ_１、ｎ_２、Ｇ^１、Ａ^１、Ａ^２、ｍ_１、Ｅ^１、Ｅ^３、Ｒ^１および環Ａは、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^３に隣接するＥ^１と結合するＲ^１と、Ｒ^１１とが結合して、Ｒ^１が結合するＥ^１およびＲ^１１が結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^１１とＲ^１０とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^１０とＲ^９とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^９とＲ^８とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。ただし、Ｒ^１、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１の少なくとも１つは、前記式（２−１）または式（２−２）で表される基である。］
式（１−ａ）中、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１は、本発明の発光素子の外部量子収率が優れるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子またはアリール基であることがより好ましい。ただし、Ｒ^１、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１の少なくとも１つは、式（２−１）または式（２−２）で表される基であり、好ましくは、Ｒ^１およびＲ^１０の少なくとも一方が、式（２−１）または式（２−２）で表される基である。
Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１で表されるアリール基としては、アルキル基またはシクロアルキル基を置換基として有するアリール基であることが好ましく、アルキル基を置換基として有するアリール基であることがより好ましい。
Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１で表されるアリール基および１価の複素環基としては、デンドロンであることが好ましい。デンドロンとしては、式（２−１）で表される基、式（２−２）で表される基、式（Ｄ−Ａ）で表される基または式（Ｄ−Ｂ）で表される基であることが好ましい。
式（１−ａ）中、環Ａは、置換基を有していてもよいピリジン環、置換基を有していてもよいイミダゾール環、または、置換基を有していてもよいトリアゾール環であることが好ましい。
式（１−ａ）で表される錯体は、本発明の発光素子の安定性が優れるので、下記式（１−ｂ）で表される金属錯体または下記式（１−ｃ）で表される金属錯体であることが好ましい。

［式（１−ｂ）中、
Ｍ、ｎ_１、ｎ_２、Ｇ^１、Ａ^１、Ａ^２、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１１とＲ^１２とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^１２とＲ^１３とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^１３とＲ^１４とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^１４とＲ^１５とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。ただし、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５の少なくとも１つは、前記式（２−１）または式（２−２）で表される基である。］
Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５は、本発明の発光素子の外部量子収率が優れるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子またはアリール基であることがより好ましい。ただし、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５の少なくとも１つは、式（２−１）または式（２−２）で表される基であり、好ましくは、Ｒ^１０およびＲ^１４の少なくとも一方が、式（２−１）または式（２−２）で表される基である。
Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５で表されるアリール基としては、アルキル基またはシクロアルキル基を置換基として有するアリール基であることが好ましく、アルキル基を置換基として有するアリール基であることが好ましい。
Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５で表されるアリール基および１価の複素環基としては、デンドロンであることが好ましい。デンドロンとしては、式（２−１）で表される基、式（２−２）で表される基、式（Ｄ−Ａ）で表される基または式（Ｄ−Ｂ）で表される基であることが好ましい。

［式（１−ｃ）中、
Ｍ、ｎ_１、ｎ_２、Ｇ^１、Ａ^１、Ａ^２、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１は、前記と同じ意味を表す。
Ｅ^５およびＥ^６は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。Ｅ^５およびＥ^６が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^５が窒素原子の場合、Ｒ^１７は存在しない。Ｅ^６が窒素原子の場合、Ｒ^１８は存在しない。
Ｒ^１６、Ｒ^１７およびＲ^１８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１６、Ｒ^１７およびＲ^１８が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１１とＲ^１６とが結合して、Ｒ^１１が結合する炭素原子およびＲ^１６が結合する窒素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^１６とＲ^１７とが結合して、Ｒ^１６が結合する窒素原子およびＲ^１７が結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^１７とＲ^１８とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。ただし、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１６、Ｒ^１７およびＲ^１８の少なくとも１つは、前記式（２−１）または式（２−２）で表される基である。］
Ｒ^１６、Ｒ^１７およびＲ^１８は、本発明の発光素子の外部量子収率が優れるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子またはアリール基であることがより好ましい。ただし、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１６、Ｒ^１７およびＲ^１８の少なくとも１つは、式（２−１）または式（２−２）で表される基であり、好ましくは、Ｒ^１０が式（２−１）または式（２−２）で表される基である。
Ｒ^１６、Ｒ^１７およびＲ^１８で表されるアリール基としては、アルキル基またはシクロアルキル基を置換基として有するアリール基であることが好ましく、アルキル基を置換基として有するアリール基であることがより好ましい。
Ｒ^１６、Ｒ^１７およびＲ^１８で表されるアリール基および１価の複素環基としては、デンドロンであることが好ましい。デンドロンとしては、式（２−１）で表される基、式（２−２）で表される基、式（Ｄ−Ａ）で表される基または式（Ｄ−Ｂ）で表される基であることが好ましい。
式（１）で表される金属錯体としては、例えば、下記式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−１８）で表される金属錯体が挙げられ、本発明の発光素子の外部量子収率が優れるため、式（Ｉｒ−１）、（Ｉｒ−２）、（Ｉｒ−３）、（Ｉｒ−４）、（Ｉｒ−５）、（Ｉｒ−７）、（Ｉｒ−８）、（Ｉｒ−９）、（Ｉｒ−１０）または（Ｉｒ−１５）で表される金属錯体であることが好ましく、式（Ｉｒ−１）、（Ｉｒ−２）、（Ｉｒ−３）、（Ｉｒ−４）、（Ｉｒ−９）または（Ｉｒ−１５）で表される金属錯体であることがより好ましく、式（Ｉｒ−１）、式（Ｉｒ−２）、式（Ｉｒ−３）または（Ｉｒ−４）で表される金属錯体であることが更に好ましい。

［式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−１８）中、
Ｒ^Ｌ５は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有してもよい。Ｒ^Ｌ５が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ^１は、前記式（２−１）または式（２−２）で表される基である。Ｚ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−１８）中、Ｒ^Ｌ５は、下記群ＩＩの式（ＩＩ−０１）〜式（ＩＩ−２２）で表される基からなる群から選ばれる基であることが好ましい。
式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−１８）中、Ｚ^１は、式（２−１）または式（２−２）で表される基である下記群ＩＩＩの式（ＩＩＩ−０１）〜式（ＩＩＩ−１５）で表される基からなる群から選ばれる基であることが好ましい。
＜群ＩＩ＞

＜群ＩＩＩ＞

式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−１８）中、Ｒ^Ｌ５は、式（ＩＩ−０１）、式（ＩＩ−０２）、式（ＩＩ−０３）または式（ＩＩ−１７）〜式（ＩＩ−２２）で表される基であることが好ましい。
式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−１８）中、Ｚ^１は、式（ＩＩＩ−１）、式（ＩＩＩ−３）、式（ＩＩＩ−５）または（ＩＩＩ−１４）で表される基であることが好ましい。
式（１）、式（２−１）または式（２−２）で表される金属錯体の具体例としては、下記式（Ｉｒ−１０１）〜（Ｉｒ−１２２）で表される金属錯体が挙げられる。

本発明の発光素子には、本発明の金属錯体を１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
式（１）で表される金属錯体には、複数の幾何異性体が考えられ、いずれの幾何異性体であってもよいが、本発明の発光素子の輝度寿命が優れるため、ｆａｃｉａｌ体が金属錯体全体に対して８０モル％以上であることが好ましく、９０モル％以上であることがより好ましく、９９モル％以上であることが更に好ましく、１００モル％（すなわち、他の幾何異性体を含まないこと）が特に好ましい。
＜金属錯体の製造方法＞
［製造方法１］
本発明の金属錯体である式（１）で表される金属錯体は、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを反応させる方法により製造することができる。必要に応じて、金属錯体の配位子の官能基変換反応を行ってもよい。
式（１）で表される金属錯体の中で、Ｍがイリジウム原子であり、ｎ_１が３であるものは、例えば、
式（５）で表される化合物と、イリジウム化合物またはその水和物とを反応させることで、式（６）で表される金属錯体を合成する工程Ａ１、および、
式（６）で表される金属錯体と、式（５）で表される化合物またはＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される配位子の前駆体とを反応させる工程Ｂ１を含む方法により製造することができる。

［式中、ｍ_１、ｍ_２、Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３、Ｅ^４、Ｒ^１、Ｒ^２、環Ａおよび環Ｂは、前記と同じ意味を表す。］
工程Ａ１において、イリジウム化合物としては、例えば、塩化イリジウム、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、クロロ（シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）ダイマー、酢酸イリジウム（ＩＩＩ）が挙げられ、イリジウム化合物の水和物としては、例えば、塩化イリジウム・三水和物が挙げられる。
工程Ａ１および工程Ｂ１は、通常、溶媒中で行う。溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ジグライム等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；ヘキサン、デカリン、トルエン、キシレン、メシチレン等の炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；アセトン、ジメチルスルホキシド、水が挙げられる。
工程Ａ１および工程Ｂ１において、反応時間は、通常、３０分〜１５０時間であり、反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間である。
工程Ａ１において、式（５）で表される化合物の量は、イリジウム化合物またはその水和物１モルに対して、通常、２〜２０モルである。
工程Ｂ１において、式（５）で表される化合物またはＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される配位子の前駆体の量は、式（６）で表される金属錯体１モルに対して、通常、１〜１００モルである。
工程Ｂ１において、反応は、トリフルオロメタンスルホン酸銀等の銀化合物の存在下で行うことが好ましい。銀化合物を用いる場合、その量は、式（６）で表される金属錯体１モルに対して、通常、２〜２０モルである。
式（５）で表される化合物は、例えば、式（７）で表される化合物と、式（３）で表される化合物とを、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｋｕｍａｄａ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応等のカップリング反応させる工程により合成することができる。

［式中、
ｍ_１、ｍ_２、Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３、Ｅ^４、環Ａ、環Ｂ、ｍ_３、Ａｒ^３、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＷ^１は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^１ａおよびＲ^２ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基（Ｒ^Ｗ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｗ１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^１ａおよびＲ^２ａは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。隣接するＲ^１ａ同士が結合して、それぞれが結合するＥ^１とともに環を形成していてもよい。隣接するＲ^２ａ同士が結合して、それぞれが結合するＥ^２とともに環を形成していてもよい。Ｅ^３に隣接するＥ^１と結合するＲ^１ａと、Ｅ^４に隣接するＥ^２と結合するＲ^２とが結合して、Ｒ^１ａが結合するＥ^１およびＲ^２ａが結合するＥ^２とともに環を形成していてもよい。ただし、複数存在するＲ^１ａおよびＲ^２ａの少なくとも１つは、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である。］
−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基としては、例えば、下記式（Ｗ−１）〜（Ｗ−１０）で表される基が挙げられる。

Ｗ^１で表されるアルキルスルホニルオキシ基としては、例えば、メタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基が挙げられる。
Ｗ^１で表されるアリールスルホニルオキシ基としては、例えば、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙げられる。
Ｗ^１としては、式（３）で表される化合物と式（７）で表される金属錯体とのカップリング反応が容易に進行するので、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子が好ましく、これらの中でも、式（３）で表される化合物の合成が容易であるため、塩素原子、臭素原子または式（Ｗ−７）で表される基がより好ましい。
Ｒ^１ａおよびＲ^２ａで表されるアルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基およびアリールスルホニルオキシ基は、それぞれ、Ｗ^１で表されるアルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基およびアリールスルホニルオキシ基と同じ意味を表す。
Ｒ^１ａおよびＲ^２ａとしては、臭素原子、ヨウ素原子または式（Ｗ−７）で表される基が好ましい。
式（７）で表される化合物と式（３）で表される化合物とのカップリング反応は、通常、溶媒中で行う。用いられる溶媒、反応時間および反応温度は、工程Ａ１および工程Ｂ１について説明したものと同じである。
式（７）で表される化合物と式（３）で表される化合物とのカップリング反応において、式（３）で表される化合物の量は、式（７）で表される化合物１モルに対して、通常、０．０５〜２０モルである。
式（３）で表される化合物の実施形態の１つである式（３−１）で表される化合物は、例えば、下記の方法で合成することができる。

［式中、
Ｒ^３、Ｒ^４ａおよびＲ^５は、前記と同じ意味を表す。
Ｗ^２は−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
式（３−１ｃ）で表される化合物は、例えば、式（３−１ａ）で表される化合物と、式（３−１ｂ）で表される化合物とをカップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（５）で表される化合物について説明したものと同じである。
式（３−１）で表される化合物は、例えば、式（３−１ｃ）で表される化合物と、式（３−１ｄ）で表される化合物とを、石山−宮浦−Ｈａｒｔｗｉｇ反応させることにより合成することができる。
式（３）で表される化合物の実施形態の１つである式（３−２）で表される化合物は、例えば、下記の方法で合成することができる。

［式中、Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^３ａ、Ｒ^４ａおよびＷ^２は、前記と同じ意味を表す。］
式（３−２ｃ）で表される化合物は、例えば、式（３−２ａ）で表される化合物と、式（３−２ｂ）で表される化合物とをカップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（５）で表される化合物について説明したものと同じである。
式（３−２）で表される化合物は、例えば、式（３−２ｃ）で表される化合物と、式（３−２ｄ）で表される化合物とを、石山−宮浦−Ｈａｒｔｗｉｇ反応させることにより合成することができる。
［製造方法２］
本発明の金属錯体である式（１）で表される金属錯体は、例えば、金属錯体の前駆体と金属錯体の配位子の前駆体とを反応させる方法によっても製造することができる。
式（１）で表される金属錯体は、例えば、
式（３）で表される化合物と、式（４）で表される金属錯体とをカップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（５）で表される化合物について説明したものと同じである。

［式（３）および（４）中、ｍ_３、Ａｒ^３、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｗ^１、Ｍ、ｎ_１、ｎ_２、Ｇ^１、Ａ^１、Ａ^２、ｍ_１、ｍ_２、Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３、Ｅ^４、環Ａ、環Ｂ、Ｒ^１ａおよびＲ^２ａは、前記と同じ意味を表す。］
式（４）で表される金属錯体は、例えば、上記の［製造方法１］における工程Ａ１および工程Ｂ１において、式（５）で表される化合物の代わりに、式（７）で表される化合物を用いて同様の反応を行うことで合成することができる。
［製造方法１および製造方法２における式（３）で表される化合物］
式（３）で表される化合物は、製造される本発明の金属錯体の溶媒への溶解性および成膜性が優れるので、前記式（８−１）で表される化合物または前記式（８−２）で表される化合物であることが好ましい。また、式（８−１）で表される化合物は、式（８−３）で表される化合物であることが好ましい。

［式（８−３）中、
Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^７およびＷ^１は、前記と同じ意味を表す。］
［製造方法１および製造方法２におけるカップリング反応］
カップリング反応において、反応を促進するために、パラジウム触媒等の触媒を用いてもよい。パラジウム触媒としては、例えば、酢酸パラジウム、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）が挙げられる。
パラジウム触媒は、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等のリン化合物と併用してもよい。
カップリング反応においてパラジウム触媒を用いる場合、その量は、例えば、通常、有効量であり、好ましくは、それぞれのカップリング反応に用いる原料となる式（７）で表される化合物１モル若しくは式（４）で表される化合物１モル、または、式（３）で表される化合物１モルに対して、パラジウム元素換算で、０．００００１〜１０モルである。
カップリング反応において、必要に応じて、塩基を併用してもよい。
＜金属錯体の製造方法＞で説明した各反応において用いられる化合物、触媒および溶媒は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
＜組成物＞
本発明の組成物は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料（本発明の金属錯体とは異なる。）、酸化防止剤および溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料と、本発明の金属錯体とを含有する。
本発明の組成物において、本発明の金属錯体は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。
［ホスト材料］
本発明の金属錯体は、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性および電子輸送性から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料との組成物とすることにより、本発明の発光素子の駆動電圧がより優れたものとなる。本発明の組成物において、ホスト材料は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。
本発明の金属錯体と、ホスト材料とを含有する組成物において、本発明の金属錯体の含有量は、本発明の金属錯体とホスト材料との合計を１００重量部とした場合、通常、０．０５〜８０重量部であり、好ましくは０．１〜５０重量部であり、より好ましくは０．５〜４０重量部である。
ホスト材料の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）は、本発明の組成物を用いて得られる発光素子の発光効率が優れるため、本発明の金属錯体の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）と同等のエネルギー準位、または、より高いエネルギー準位であることが好ましい。
ホスト材料としては、本発明の発光素子を溶液塗布プロセスにて作製できるので、本発明の金属錯体を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示すものが好ましい。
ホスト材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。
ホスト材料に用いられる低分子化合物としては、例えば、カルバゾール構造を有する化合物、トリアリールアミン構造を有する化合物、フェナントロリン構造を有する化合物、トリアリールトリアジン構造を有する化合物、アゾール構造を有する化合物、ベンゾチオフェン構造を有する化合物、ベンゾフラン構造を有する化合物、フルオレン構造を有する化合物、スピロフルオレン構造を有する化合物が挙げられる。より具体的には、下記式で表される低分子化合物が挙げられる。

ホスト材料に用いられる高分子化合物としては、例えば、後述の正孔輸送材料である高分子化合物、後述の電子輸送材料である高分子化合物が挙げられる。
［高分子ホスト］
ホスト化合物として好ましい高分子化合物（以下、「高分子ホスト」ともいう。）に関して説明する。
高分子ホストとしては、式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい。

［式中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
Ａｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−６）〜式（Ａ−１０）、式（Ａ−１９）または式（Ａ−２０）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）または式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｙ１で表される２価の複素環基としては、より好ましくは式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−１５）、式（ＡＡ−１８）〜式（ＡＡ−２１）、式（Ａ−５３）または式（Ａ−５４）で表される基であり、更に好ましくは式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）、式（ＡＡ−１４）または式（ＡＡ−３３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
「少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^ＸＸは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
Ｒ^ＸＸは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｙ１で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１）〜（Ｙ−１０）で表される構成単位が挙げられ、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命の観点からは、好ましくは式（Ｙ−１）、（Ｙ−２）または（Ｙ−３）で表される構成単位であり、電子輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ−４）〜（Ｙ−７）で表される構成単位であり、正孔輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ−８）〜（Ｙ−１０）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｙ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｙ１同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
Ｒ^Ｙ１は、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
式（Ｙ−１）で表される構成単位は、式（Ｙ−１’）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Ｙ１１は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１１は、同一でも異なっていてもよい。］
Ｒ^Ｙ１１は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、より好ましくはアルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｘ^Ｙ１は、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）−またはＣ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基を表す。Ｒ^Ｙ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ２は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Ｙ２同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
Ｒ^Ｙ２は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、双方がアリール基、双方が１価の複素環基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基としては、好ましくは式（Ｙ−Ａ１）〜（Ｙ−Ａ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ａ４）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の４個のＲ^Ｙ２は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基またはシクロアルキル基である。複数あるＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基は、好ましくは式（Ｙ−Ｂ１）〜（Ｙ−Ｂ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ｂ３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Ｙ２は前記と同じ意味を表す。］
式（Ｙ−２）で表される構成単位は、式（Ｙ−２’）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Ｙ１およびＸ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Ｙ１およびＸ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。］
式（Ｙ−３）で表される構成単位は、式（Ｙ−３’）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Ｙ１１およびＸ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
Ｒ^Ｙ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
式（Ｙ−４）で表される構成単位は、式（Ｙ−４’）で表される構成単位であることが好ましく、式（Ｙ−６）で表される構成単位は、式（Ｙ−６’）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Ｙ１およびＲ^Ｙ３は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記を同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ４は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
Ｒ^Ｙ４は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１０１）〜（Ｙ−１２１）で表されるアリーレン基からなる構成単位、式（Ｙ−２０１）〜（Ｙ−２０６）で表される２価の複素環基からなる構成単位、式（Ｙ−３０１）〜（Ｙ−３０４）で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１がアリーレン基である構成単位は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜９５モル％であり、より好ましくは３０〜９５モル％である。
式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１が２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜５０モル％であり、より好ましくは３〜２０モル％である。
式（Ｙ）で表される構成単位は、高分子ホスト中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
高分子ホストは、正孔輸送性が優れるので、更に、下記式（Ｘ）で表される構成単位を含むことが好ましい。

［式中、ａ^Ｘ１およびａ^Ｘ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２およびＲ^Ｘ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
ａ^Ｘ１は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。
ａ^Ｘ２は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。
Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２およびＲ^Ｘ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）または式（Ａ−９）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基としては、より好ましくは式（ＡＡ−１）、式（ＡＡ−２）または式（ＡＡ−７）〜式（ＡＡ−２６）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−６）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）〜式（Ａ−１１）または式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式（Ｙ）のＡｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
Ａｒ^Ｘ１〜Ａｒ^Ｘ４およびＲ^Ｘ１〜Ｒ^Ｘ３で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
式（Ｘ）で表される構成単位としては、好ましくは式（Ｘ−１）〜（Ｘ−７）で表される構成単位であり、より好ましくは式（Ｘ−１）〜（Ｘ−６）で表される構成単位であり、更に好ましくは式（Ｘ−３）〜（Ｘ−６）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｘ４およびＲ^Ｘ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｘ４は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^Ｘ５は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｘ５同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
式（Ｘ）で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．１〜３０モル％であり、より好ましくは１〜２５モル％であり、更に好ましくは３〜２０モル％である。
式（Ｘ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｘ１−１）〜（Ｘ１−１１）で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式（Ｘ１−３）〜（Ｘ１−１０）で表される構成単位である。

高分子ホストにおいて、式（Ｘ）で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
高分子ホストとしては、例えば、下記表１の高分子化合物Ｐ−１〜Ｐ−６が挙げられる。ここで、「その他」の構成単位とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓおよびｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝１００であり、かつ、１００≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧７０である。その他の構成単位とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。］
高分子ホストは、本発明の金属錯体と高分子ホストとを含有する組成物を用いて得られる発光素子の駆動電圧がより優れるため、高分子化合物Ｐ−１または高分子化合物Ｐ−３であることが好ましい。高分子化合物Ｐ−１としては、下記表２の高分子化合物Ｐ−１Ａまたは高分子化合物Ｐ−１Ｂであることが好ましい。高分子化合物Ｐ−３としては、下記表２の高分子化合物Ｐ−３Ａが好ましい。ここで、本発明の金属錯体が青色発光を示す場合、該金属錯体と高分子化合物Ｐ−１ＡまたはＰ−１Ｂとを組み合わせることが好ましい。また、本発明の金属錯体が緑色発光を示す場合、該金属錯体と高分子化合物Ｐ−１Ａとを組み合わせることが好ましい。また、本発明の金属錯体が赤色発光を示す場合、該金属錯体と高分子化合物Ｐ−３Ａと組み合わせることが好ましい。

［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓおよびｔは、前記と同じ意味を表す。］
高分子ホストは、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。
＜高分子ホストの製造方法＞
高分子ホストは、ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第１０９巻，８９７−１０９１頁（２００９年）等に記載の公知の重合方法を用いて製造することができ、具体的には、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｙａｍａｍｏｔｏ反応、Ｂｕｃｈｗａｌｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応、Ｎｅｇｉｓｈｉ反応およびＫｕｍａｄａ反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法が挙げられる。
前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、例えば、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続または分割して仕込む方法、単量体を連続または分割して仕込む方法が挙げられる。
遷移金属触媒としては、特に限定されないが、例えば、パラジウム触媒、ニッケル触媒が挙げられる。
重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独または組み合わせて行う。高分子ホストの純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。
本明細書実施例において、本発明の高分子化合物の製造方法の一例として、パラジウム触媒を用いるＳｕｚｕｋｉカップリング反応を利用した重合方法を示す。
本発明の金属錯体および溶媒を含有する組成物（以下、「インク」ということがある。）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。
インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりを防止するために、好ましくは２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓである。
インクに含まれる溶媒は、該インク中の固形分を溶解または均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、例えば、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、４−メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
インクにおいて、溶媒の配合量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、１０００〜１０００００重量部であり、好ましくは２０００〜２００００重量部である。
［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、高分子化合物が好ましく、架橋基を有する高分子化合物がより好ましい。
高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体；側鎖または主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレンおよびその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノンが挙げられ、好ましくはフラーレンである。
本発明の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、１〜４００重量部であり、好ましくは５〜１５０重量部である。
正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレンおよびジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、および、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。
本発明の組成物において、電子輸送材料の配合量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、１〜４００重量部であり、好ましくは５〜１５０重量部である。
電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
［正孔注入材料および電子注入材料］
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料および電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリンおよびポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；式（Ｘ）で表される基を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。
本発明の組成物において、正孔注入材料および電子注入材料の配合量は、各々、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、１〜４００重量部であり、好ましくは５〜１５０重量部である。
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
［イオンドープ］
正孔注入材料または電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×１０^−５Ｓ／ｃｍ〜１×１０^３Ｓ／ｃｍである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。
ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。
ドープするイオンは、一種のみでも二種以上でもよい。
［発光材料］
発光材料（本発明の金属錯体とは異なる。）は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、ナフタレンおよびその誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体、並びに、イリジウム、白金またはユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式（Ｘ）で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。
発光材料は、低分子化合物および高分子化合物を含んでいてもよく、好ましくは、三重項発光錯体および高分子化合物を含む。
三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

本発明の組成物において、発光材料の含有量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、０．１〜４００重量部である。
［酸化防止剤］
酸化防止剤は、本発明の金属錯体と同じ溶媒に可溶であり、発光および電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。
本発明の組成物において、酸化防止剤の配合量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、０．００１〜１０重量部である。
酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
＜膜＞
膜は、本発明の金属錯体を含有する。
膜には、本発明の金属錯体を架橋により溶媒に対して不溶化させた、不溶化膜も含まれる。不溶化膜は、本発明の金属錯体を加熱、光照射等の外部刺激により架橋させて得られる膜である。不溶化膜は、溶媒に実質的に不溶であるため、発光素子の積層化に好適に使用することができる。
膜を架橋させるための加熱の温度は、通常、２５〜３００℃であり、外部量子収率が良好になるので、好ましくは５０〜２５０℃であり、より好ましくは１５０〜２００℃である。
膜を架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。
膜は、発光素子における発光層として好適である。
膜は、インクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法により作製することができる。
膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜１０μｍである。
＜発光素子＞
本発明の発光素子は、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子であり、本発明の金属錯体が分子内または分子間で架橋されたものであってもよく、本発明の金属錯体が分子内および分子間で架橋されたものであってもよい。
本発明の発光素子の構成としては、例えば、陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本発明の金属錯体を用いて得られる層とを有する。
［層構成］
本発明の金属錯体を用いて得られる層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは、発光層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させ、インクを調製して用い、上述した膜の作製と同じ方法を用いて形成することができる。
発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本発明の発光素子は、正孔注入性および正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層および正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性および電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層および電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。
正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層および電子注入層の材料としては、本発明の金属錯体の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料および電子注入材料が挙げられる。
正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料および発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層および発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。
本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。
積層する層の順番、数および厚さは、外部量子収率および素子寿命を勘案して調整すればよい。
［基板／電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明または半透明であることが好ましい。
陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅である。
陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイトおよびグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
陽極および陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。
［用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、または、両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、または、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源および表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
本実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）およびポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。なお、ＳＥＣの測定条件は、以下のとおりである。
［測定条件］
測定する高分子化合物を約０．０５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。ＳＥＣの移動相としてテトラヒドロフランを用い、２．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。
ＬＣ−ＭＳの測定は、下記の方法で行った。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルムまたはテトラヒドロフランに溶解させ、ＬＣ−ＭＳ（アジレント テクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、アセトニトリルおよびテトラヒドロフランの比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ ２ ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。
ＮＭＲの測定は、下記の方法で行った。
５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ_３）、重テトラヒドロフラン（ＴＨＦ−ｄ_８）または重塩化メチレン（ＣＤ_２Ｃｌ_２）に溶解させ、ＮＭＲ装置（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名 ＩＮＯＶＡ ３００）を用いて測定した。
化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ、島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）での２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランまたはクロロホルムに溶解させ、ＨＰＬＣに、濃度に応じて１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリルおよびテトラヒドロフランを用い、１ｍＬ／分の流速で、アセトニトリル／テトラヒドロフラン＝１００／０〜０／１００（容積比）のグラジエント分析で流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ ＬＣ ＯＤＳ ２０００（東京化成工業製）または同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。
ＴＬＣ−ＭＳの測定は、下記の方法で行った。
測定試料を、トルエン、テトラヒドロフランまたはクロロホルムに溶解させ、ＤＡＲＴ用ＴＬＣプレート（テクノアプリケーションズ社製 ＹＳＫ５−１００）上に塗布し、ＴＬＣ−ＭＳ（日本電子（ＪＥＯＬ Ｌｔｄ．）社製、商品名ＪＭＳ−Ｔ１００ＴＤ（Ｔｈｅ ＡｃｃｕＴＯＦ ＴＬＣ））を用いて測定した。測定時のヘリウムガス温度は、２００〜４００℃の範囲で調整した。
＜実施例１＞ 化合物Ｓ１および金属錯体Ｍ１の合成
化合物Ｓ１の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｓ１ａ（３０．０ｇ）、化合物Ｓ１ｂ（４４．９ｇ）、ビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウムジクロリド（２１５ｍｇ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２６６．３ｇ）およびトルエン（４８０ｍＬ）を加え、加熱還流下で４．５時間攪拌した。得られた反応混合物を分液し、有機層を得た。得られた有機層をイオン交換水で２回洗浄し、５重量％食塩水で２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮した後、再結晶（トルエン／アセトニトリル）により精製し、更に５０℃にて一晩減圧乾燥を行うことにより、化合物Ｓ１ｃ（３３．３ｇ）を白色固体として得た。収率は７８％であった。化合物Ｓ１ｃのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％以上を示した。
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３５７［Ｍ＋Ｈ］^＋
＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｓ１ｃ（５．０１ｇ）、化合物Ｓ１ｄ（４．００ｇ）、（１，５−シクロオクタジエン）（メトキシ）イリジウム（Ｉ）（ダイマー）（０．１４０ｇ）、４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，２’−ビピリジル（０．１１５ｇ）およびシクロヘキサン（７０ｍＬ）を加え、加熱還流下で４．５時間攪拌した。得られた反応混合物にシリカゲルを加え、３０分間攪拌した後に、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮した後、アセトニトリルを加え、室温で攪拌することにより析出した固体をろ取し、５０℃にて一晩減圧乾燥を行うことにより、目的物である化合物Ｓ１（５．０６ｇ）を白色固体として得た。収率は７４％であった。得られた化合物Ｓ１のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．３％を示した。この操作を繰り返すことにより、必要量の化合物Ｓ１を得た。
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４８２［Ｍ］^＋
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５２１［Ｍ＋Ｋ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．５７（ｓ，２Ｈ），７．４５（ｄ，４Ｈ），７．２９（ｄ，４Ｈ），２．１６（ｓ，３Ｈ），１．３７（ｓ，１８Ｈ），１．３０（ｓ，１２Ｈ）．
金属錯体Ｍ１の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、ｆａｃ−Ｉｒ（ｐｐｙ）_３（４０．０ｇ）、ジクロロメタン（８Ｌ）およびＮ−ブロモスクシンイミド（４７．１ｇ）を加え、６８時間攪拌した。その後、析出している固体をろ取し、ジクロロメタンで洗浄し、４５℃にて一晩減圧乾燥することにより、化合物Ｍ１ａ（２６．４ｇ）を黄色固体として得た。収率は４８％であった。得られた化合物のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２８０ｎｍ）は９７％を示した。
＜ｓｔａｇｅ２＞
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｍ１ａ（２．００ｇ）、前記と同様の方法で合成した化合物Ｓ１（６．４９ｇ）、テトラヒドロフラン（９１ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．３０ｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（８．２５ｇ）を加え、加熱還流下で３６時間攪拌した。得られた反応混合物を分液し、有機層を得た。得られた有機層をイオン交換水で２回洗浄し、５重量％食塩水で２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム）により精製し、目的物を含むフラクションを得た。得られたフラクションを減圧濃縮し、更に再結晶（トルエン／アセトニトリル）により精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、目的物である金属錯体Ｍ１（１．０５ｇ）を黄色固体として得た。収率は３５％であった。得られた金属錯体Ｍ１のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％以上を示した。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１７１９［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．０２（ｄ，３Ｈ），７．９６（ｓ，３Ｈ），７．６６（ｔ，３Ｈ），７．５９（ｄ，３Ｈ），７．４９−７．４５（ｍ，１８Ｈ），７．３８−７．３５（ｍ，１２Ｈ），７．１４（ｄ，３Ｈ），６．９７−６．９２（ｍ，６Ｈ），２．１４（ｓ，９Ｈ），１．３７（ｓ，５４Ｈ）．
＜実施例２＞ 化合物Ｓ２および金属錯体Ｍ２の合成
化合物Ｓ２の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｓ２ａ（２５０ｇ）、４−ジメチルアミノピリジン（１７８ｇ）およびジクロロメタン（３．１Ｌ）を加え、氷浴で冷却した。その後、そこへ、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（３７６ｇ）を１時間かけて滴下し、１．５時間攪拌した後、室温まで昇温した。その後、ヘキサン（３．１Ｌ）を加え、１０分間攪拌してから、シリカゲルショートカラムに通液し、減圧濃縮により溶媒を留去することにより、化合物Ｓ２ｂ（４４１ｇ）を白色固体として得た。
＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｓ２ｂ（４１０ｇ）、化合物Ｓ１ｄ（３３８ｇ）、酢酸パラジウム（４．０８ｇ）、トリ−シクロヘキシルホスフィン（１０．２ｇ）、酢酸カリウム（２３８ｇ）およびジオキサン（２．６Ｌ）を加え、加熱還流下で１５時間攪拌した。得られた反応混合物をセライトを敷いたろ過器に通液した後、得られたろ液を濃縮することにより固体を得た。得られた固体をヘキサン／ジクロロメタン＝１／１（体積比）の混合溶媒に溶解させた後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体にメタノールを加え、よく攪拌した後に、析出している固体をろ取し、５０℃で一晩減圧乾燥することにより、化合物Ｓ２ｃ（２７４ｇ）を白色固体として得た。化合物Ｓ２ｃのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９８％以上を示した。また、ろ液を減圧濃縮した後、メタノールを加え、よく攪拌した後に析出している固体をろ取し、５０℃で一晩減圧乾燥することにより、化合物Ｓ２ｃ（４５ｇ）を回収した（合計収率７５％）。
＜ｓｔａｇｅ３＞
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｓ１ａ（９０ｇ）、化合物Ｓ２ｃ（２３９ｇ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（７９５ｇ）、酢酸パラジウム（０．３４ｇ）、トリ−（オルトメトキシフェニル）ホスフィン（１．０７ｇ）およびトルエン（１．７Ｌ）を加え、９５℃で５．５時間攪拌した。得られた反応混合物を分液し、有機層を得た。得られた有機層をイオン交換水および５重量％食塩水で順次洗浄し、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／ジクロロメタン）により精製し、目的物を含むフラクションを得た。得られたフラクションを減圧濃縮し、５０℃にて一晩減圧乾燥を行うことにより、化合物Ｓ２ｄ（１６７ｇ）を白色固体として得た。収率は９８％であった。化合物Ｓ２ｄのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．４％を示した。
＜ｓｔａｇｅ４＞
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｓ２ｄ（１７５ｇ）、化合物Ｓ１ｄ（１０４ｇ）、（１，５−シクロオクタジエン）（メトキシ）イリジウム（Ｉ）（ダイマー）（３．７２ｇ）、４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，２’−ビピリジル（３．０１ｇ）およびシクロヘキサン（２．０Ｌ）を加え、加熱還流下で４時間攪拌した。得られた反応混合物にシリカゲルを加え、３０分間攪拌した。その後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮した後、ヘキサンを加え、室温で攪拌した後、析出している固体をろ取し、アセトニトリルで洗浄し、５０℃にて一晩減圧乾燥を行うことにより、目的物である化合物Ｓ２（１３７ｇ）を白色固体として得た。収率は６１％であった。化合物Ｓ２のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．３％を示した。この操作を繰り返し行うことで、化合物Ｓ２の必要量を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．５８（ｓ，２Ｈ），７．４３（ｄ，４Ｈ），７．２６（ｄ，４Ｈ），２．１１（ｓ，３Ｈ），１．８０（ｓ，４Ｈ），１．４１（ｓ，１２Ｈ），１．３２（ｓ，１２Ｈ），０．７６（ｓ，１８Ｈ）．
金属錯体Ｍ２の合成

遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｍ１ａ（４．４６ｇ）、化合物Ｓ２（１３．５ｇ）、テトラヒドロフラン（４０５ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．１２ｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２５．８ｇ）を加え、加熱還流下で３６時間攪拌した。得られた反応混合物にトルエンおよびイオン交換水を加えて分液し、水層および有機層を得た。得られた水層をトルエンで２回抽出し、先に得られた有機層に加え、イオン交換水および５重量％食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。その後、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮することにより得られた固体をトルエンに溶解させ、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除き、再結晶（トルエン／メタノール）を行うことにより精製した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム）により精製し、目的物を含むフラクションを得た。得られたフラクションを減圧濃縮し、再結晶（トルエン／メタノール）を行うことにより精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、目的物である金属錯体Ｍ２（５．３５ｇ）を黄色固体として得た。収率は５２％であった。得られた金属錯体Ｍ２のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．４％を示した。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２０５５［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．０４（ｄ，３Ｈ），７．９６（ｓ，３Ｈ），７．６６（ｔ，３Ｈ），７．６０（ｄ，３Ｈ），７．４９−７．４３（ｍ，１８Ｈ），７．３３（ｄ，１２Ｈ），７．１４（ｄ，３Ｈ），６．９７−６．９１（ｍ，６Ｈ），２．０９（ｓ，９Ｈ），１．７９（ｓ，１２Ｈ），１．４２（ｓ，３６Ｈ），０．７５（ｓ，５４Ｈ）．
＜実施例３＞ 化合物Ｓ３、化合物Ｓ４、および金属錯体Ｍ３の合成
化合物Ｓ３および化合物Ｓ４の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｓ３ａ（１２．４ｇ）、ベンジルトリメチルアンモニウムトリブロミド（８４．２ｇ）、ジクロロ亜鉛（３０．４ｇ）および酢酸（５００ｍｌ）を加え、５０℃で２時間攪拌した。室温まで冷却した後、５重量％亜硫酸水素ナトリウム水溶液を加えて室温で３０分攪拌したところ、固体の析出が見られた。ろ過により固体を得た。更に得られたろ液にヘキサンを加えて攪拌後に分液し有機層を得た。先に得られた固体を有機層に加え溶解させた後、イオン交換水で２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、活性アルミナを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除いた。得られたろ液から減圧濃縮により溶媒を留去し、化合物Ｓ３ｂ（２８．２２ｇ）を白色固体として得た。収率は９７％であった。得られた化合物Ｓ３ｂのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９６．０％を示した。
＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｓ３ｂ（３．７６ｇ）、化合物Ｓ３ｃ（５．２２ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１．５６ｇ）、炭酸カリウム（１０．８ｇ）、水（１２ｍＬ）およびジオキサン（５５ｍＬ）を加え、加熱還流下で６時間攪拌した。得られた反応混合物を減圧濃縮することにより溶媒を除去した後、トルエンを加え、イオン交換水で２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮することにより得られた固体をヘキサンに溶解させ、活性炭を加えて室温で３０分間攪拌した後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除き、得られたろ液を減圧濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル）により精製し、減圧濃縮した後に、５０℃で一晩減圧乾燥を行うことにより、化合物Ｓ３ｄ（３．８３ｇ）を無色油状物として得た。収率は７４％であった。得られた化合物Ｓ３ｄのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９６．９％を示した。
＜ｓｔａｇｅ３＞
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｓ３ｄ（１．９９ｇ）、ベンジルトリメチルアンモニウムトリブロミド（２．０２ｇ）、ジクロロ亜鉛（０．７８ｇ）および酢酸（１２ｍｌ）を加え、５０℃で２時間攪拌した。室温まで冷却した後、５重量％亜硫酸水素ナトリウム水溶液およびヘキサンを加えて分液し水層および有機層を得た。得られた水層をトルエンで２回抽出し、先に得られた有機層に加え、イオン交換水で２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、セライトを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除いた。得られたろ液から減圧濃縮により溶媒を留去した後、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル）により精製し、減圧濃縮した後に、５０℃で一晩減圧乾燥を行うことにより、化合物Ｓ３（２．１４ｇ）を得た。収率は８４％であった。得られた化合物Ｓ３のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９１．１％（化合物Ｓ３ｄが１．２％）を示した。この操作を繰り返し行うことで、化合物Ｓ３の必要量を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．２２（ｄ，４Ｈ），７．０３（ｄ，４Ｈ），２．６６（ｔ，４Ｈ），２．１７（ｓ，６Ｈ），１．７０−１．６１（ｍ，７Ｈ），１．３９（ｑ，４Ｈ），０．９５（ｔ，６Ｈ）．
＜ｓｔａｇｅ４＞
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、上記と同様の方法で合成した化合物Ｓ３（１３．０ｇ）、化合物Ｓ１ｄ（７．０９ｇ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン−パラジウム（ＩＩ）ジクロリド−ジクロロメタン錯体（１．４１ｇ）、酢酸カリウム（１６．４ｇ）およびジメトキシエタン（３４０ｍＬ）を加え、加熱還流下で４．５時間攪拌した。得られた反応混合物をセライトを敷いたろ過器に通液することにより、ろ液を得た。得られたろ液をイオン交換水で２回洗浄し、減圧濃縮することにより油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル）により精製し、減圧濃縮した後に、５０℃で一晩減圧乾燥を行うことにより、目的物である化合物Ｓ４（４．３ｇ）を黄白色固体として得た。収率は３０％であった。得られた化合物Ｓ４のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９８．４％を示した。
金属錯体Ｍ３の合成

遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｍ１ａ（０．８９１ｇ）、化合物Ｓ４（２．３０ｇ）、テトラヒドロフラン（８１ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．１３９ｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５．１５ｇ）を加え、加熱還流下で３６時間攪拌した。得られた反応混合物にトルエンおよびイオン交換水を加えて分液し、水層および有機層を得た。得られた水層をトルエンで２回抽出し、先に得られた有機層に加え、イオン交換水および５重量％食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。その後、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮することにより得られた固体をトルエンに溶解させ、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除き、減圧濃縮した後に、再結晶（トルエン／メタノール）、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム）、再結晶（トルエン／メタノール）により順次精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、目的物である金属錯体Ｍ３（０．５４２ｇ）を薄黄色固体として得た。収率は３０％であった。得られた金属錯体Ｍ３のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．３％を示した。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１８０３［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．８４（ｄ，３Ｈ），７．６１−７．５４（ｍ，９Ｈ），７．２６（ｓ，３Ｈ），７．２３−７．１７（ｍ，１２Ｈ），７．１４−７．０５（ｍ，１２Ｈ），６．７８（ｍ，６Ｈ），２．６４（ｄ，１２Ｈ），１．８２（ｓ，９Ｈ），１．７２−１．５４（ｍ，３０Ｈ），１．４３−１．３４（ｍ，１２Ｈ），０．９８−０．９１（ｍ，１８Ｈ）．
＜実施例４＞ 金属錯体Ｍ４の合成

遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｍ４ａ（１．０３３ｇ）、化合物Ｓ３（１．４６０ｇ）、トルエン（６ｍＬ）、酢酸パラジウム（４．５ｍｇ）、トリス−（オルトメトキシフェニル）ホスフィン（１．４ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３．３１ｇ）を加え、加熱還流下で３６時間攪拌した。得られた反応混合物にトルエンおよびイオン交換水を加えて分液し、水層および有機層を得た。得られた水層をトルエンで２回抽出し、先に得られた有機層に加え、イオン交換水および５重量％食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。その後、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮することにより得られた固体をトルエンに溶解させ、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除き、減圧濃縮した後に、再結晶（トルエン／メタノール）、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム）、再結晶（トルエン／メタノール）により順次精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、目的物である金属錯体Ｍ４（０．３３２ｇ）を薄黄色固体として得た。収率は１８％であった。得られた金属錯体Ｍ４のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％以上を示した。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１８０３［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．９８（ｄ，３Ｈ），７．７０−７．６７（ｄ，３Ｈ），７．５４−７．５１（ｍ，６Ｈ），７．３１−７．２４（ｍ，１２Ｈ），７．０１（ｔ，６Ｈ），６．９３−６．８６（ｍ，９Ｈ），６．８０（ｄ，３Ｈ），６．６７（ｄ，３Ｈ），２．７９−２．６７（ｍ，１２Ｈ），１．７６−１．６５（ｍ，１２Ｈ），１．５３−１．３９（ｍ，３０Ｈ），１．３５（ｓ，９Ｈ），１．０４−０．９７（ｍ，１８Ｈ）．
＜実施例５＞ 化合物Ｓ５および金属錯体Ｍ５の合成
化合物Ｓ５の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｓ１ａ（４６．０ｇ）、前記と同様の方法で合成した化合物Ｓ２（２３０ｇ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（４０７ｇ）、酢酸パラジウム（０．１７ｇ）、トリ−（オルトメトキシフェニル）ホスフィン（０．５５ｇ）およびトルエン（８８０ｍＬ）を加え、９５℃で５．５時間攪拌した。得られた反応混合物を分液し、有機層を得た。得られた有機層を、イオン交換水で１回洗浄し、５重量％食塩水で１回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過により固体分を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフイー（ヘキサン／クロロホルム）により精製し、減圧濃縮した後に、５０℃で一晩減圧乾燥を行うことにより、化合物Ｓ５ａ（１８１ｇ）を白色固体として得た。収率は９４％であった。得られた化合物Ｓ５ａのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９７．９％を示した。
＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｓ５ａ（１７１ｇ）、化合物Ｓ１ｄ（４６．５ｇ）、（１，５−シクロオクタジエン）（メトキシ）イリジウム（Ｉ）（ダイマー）（３．３１ｇ）、４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，２’−ビピリジル（２．６８ｇ）およびシクロヘキサン（９００ｍＬ）を加え、加熱還流下で１６時間攪拌した。得られた反応混合物にシリカゲル（１９２ｇ）を加え、３０分間攪拌した後に、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮した後、再結晶（ヘキサン）により精製し、得られた固体をメタノールで洗浄した後、５０℃にて一晩減圧乾燥を行うことにより、目的物である化合物Ｓ５（９５ｇ）を白色固体として得た。収率は４９％であった。得られた化合物Ｓ５のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９８．７％を示した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．６５（ｓ，２Ｈ），７．４４（ｄ，８Ｈ），７．３２（ｄ，８Ｈ），７．２２（ｓ，４Ｈ），２．３５（ｓ，３Ｈ），２．１４（ｓ，６Ｈ），１．７９（ｓ，８Ｈ），１．４１（ｓ，２４Ｈ），１．２９（ｓ，１２Ｈ），０．７４（ｓ，３６Ｈ）．
金属錯体Ｍ５の合成

金属錯体Ｍ５ａは、特開２０１１−１０５７０１号公報に記載の方法に準じて合成し、ＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）が９９．５％以上のものを用いた。
＜ｓｔａｇｅ１＞
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体Ｍ５ａ（４．５６ｇ）、化合物Ｓ５（８．３５ｇ）、テトラヒドロフラン（２４０ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．３３２ｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１７．７ｇ）を加え、加熱還流下で１６時間攪拌した。得られた反応混合物を減圧濃縮した後、トルエンおよびイオン交換水を加えて分液し、水層および有機層を得た。得られた水層にトルエンを加えて抽出し、先に得られた有機層に加え、５重量％食塩水で２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することによりろ液を得た。得られたろ液の溶媒を減圧濃縮により留去した後、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン）、再結晶（トルエン／イソプロパノール）により順次精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥を行うことにより、金属錯体Ｍ５（７．８９ｇ）を赤色固体として得た。収率は８６％であった。得られた金属錯体Ｍ５のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９８．５％を示した。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３７７８［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝９．３２（ｓ，１Ｈ），９．２０−９．１６（ｍ，２Ｈ），９．１２（ｄ，１Ｈ），８．９６（ｄ，１Ｈ），８．６２（ｓ，１Ｈ），８．４１−８．２５（ｍ，１０Ｈ），８．１５（ｄ，２Ｈ），７．９５−７．９０（ｍ，２Ｈ），７．７７（ｓ，２Ｈ），７．７０−７．５９（ｍ，１２Ｈ），７．５２（ｄ，２Ｈ），７．４６−７．１８（ｍ，５６Ｈ），２．３３（ｓ，６Ｈ），２．１５（ｓ，１２Ｈ），１．７６（ｓ，１６Ｈ），１．４５−１．２４（ｍ，１０２Ｈ），０．７２（ｓ，７２Ｈ）．
＜実施例６＞ 金属錯体Ｍ６の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、イリジウムクロライド３水和物（２０ｇ）および特開２０１３−１４７５５１号公報に記載の方法に従い合成した化合物Ｍ６ａ（３９．７ｇ）、エトキシエタノール（８００ｍＬ）およびイオン交換水（２７０ｍＬ）加えた後、加熱還流下で２２時間撹拌した。その後、イオン交換水（８００ｍＬ）を加え、１時間撹拌した。その後、析出した沈殿をろ取し、イオン交換水、ヘキサンで順次洗浄した後に、５０℃にて減圧乾燥することにより、目的とする化合物Ｍ６ｂ（４０．６ｇ）を黄色粉末として得た。金属錯体Ｍ６ｂのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９８．２％を示した。
＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、金属錯体Ｍ６ｂ（４０．６ｇ）、上記と同様の方法で合成した化合物Ｍ６ａ（９５．３ｇ）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（５７０ｍｌ）およびトリフルオロ酢酸銀（２９．２ｇ）を加えた後、１７０℃で２２時間攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、ろ過した。得られたろ液にイオン交換水を加えて撹拌し、析出した沈殿をろ過により固体として取出した。得られた固体を、イオン交換水、メタノールで順次洗浄し、減圧乾燥することにより、黄色固体を得た。得られた黄色固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）、再結晶（ジクロロメタン／メタノール）、再結晶（ジクロロメタン／酢酸エチル）、再結晶（酢酸エチル／メタノール）により順次精製した後、５０℃で一晩減圧乾燥することより、目的物である金属錯体Ｍ６ｃ（４８．０ｇ）を得た。得られた結晶のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．４％を示した。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１０２８［Ｍ＋Ｈ］^＋
＜ｓｔａｇｅ３＞
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体Ｍ６ｃ（３．５０ｇ）、化合物Ｓ２（６．４７ｇ）、テトラヒドロフラン（２７５ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１１８ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１７．５ｇ）を加え、加熱還流下で１０時間攪拌した。得られた反応混合物にトルエンおよびイオン交換水を加え、分液し、有機層を得た。得られた有機層をイオン交換水および５重量％食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、セライトを敷いたろ過器に通液することで固形分を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル）、再結晶（トルエン／アセトニトリル）により順次精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、目的物である金属錯体Ｍ６（５．７４ｇ）を黄色固体として得た。収率は７７％であった。得られた金属錯体Ｍ６のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％以上を示した。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２１９３［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．７２（ｓ，３Ｈ），７．４４−７．３９（ｍ，１８Ｈ），７．３０（ｄ，１２Ｈ），７．１７（ｄ，３Ｈ），７．０９（ｄ，３Ｈ），４．２０（ｓ，９Ｈ），２．０９（ｓ，９Ｈ），１．７７（ｓ，１２Ｈ），１．４７−１．３１（ｍ，４２Ｈ），０．７９−０．６３（ｍｍ，６９Ｈ）．
＜合成例１：金属錯体ＭＣ１およびＭＣ２、並びに、単量体ＣＭ１〜ＣＭ１１の合成＞
金属錯体ＭＣ１は、国際公開第２００２／０６６５５２号記載の合成法に準じて合成した。
金属錯体ＭＣ２は、特開２０１３−１４７５５１号公報記載の合成法に準じて合成した。
単量体ＣＭ１は、特開２０１１−１７４０６２号公報記載の合成法に準じて合成した。
単量体ＣＭ２は、下記の方法で合成した。
単量体ＣＭ３は、市販の材料を用いた。
単量体ＣＭ４は、特開２００８−１０６２４１号公報記載の合成法に準じて合成した。
単量体ＣＭ５および単量体ＣＭ７は、特開２０１０−１８９６３０号公報記載の合成法に準じて合成した。
単量体ＣＭ６および単量体ＣＭ８は、国際公開第２０１２／０８６６７１号記載の合成法に準じて合成した。
単量体ＣＭ９は、特開２００４−１４３４１９号公報記載の合成法に準じて合成した。
単量体ＣＭ１０および単量体ＣＭ１１は、国際公開第２０１３／１９１０８８号記載の合成法に準じて合成した。

＜合成例２：単量体ＣＭ２の合成＞

（Ｓｔａｇｅ１：化合物ＣＭ２ｂの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ２ａ（１１７．６ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン（１０７．２ｇ）およびジクロロメタン（１１７０ｍＬ）を加え、攪拌した。得られた溶液を氷浴により冷却した後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（１９８．０ｇ）を１時間かけて滴下した。その後、氷浴を外し、１．５時間攪拌した。その後、得られた溶液を氷浴により再度冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、分液により有機層（有機層１）と水層を得た。得られた水層にヘキサンを加え抽出することにより得られた有機層と、有機層１とを合一してから、イオン交換水、飽和食塩水で順次洗浄した。得られた有機層をシリカゲルショートカラムで精製した後に、減圧濃縮することにより、化合物ＣＭ２ｂを含む褐色液体（２００ｇ）を得た。
（Ｓｔａｇｅ２：化合物ＣＭ２ｃの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ２ｂを含む褐色液体（１００ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン付加物（ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ_２Ｃｌ_２、１．２ｇ）およびテトラヒドロフラン（１０００ｍＬ）を加えた。その後、攪拌しながら５５℃まで昇温した。そこへ、２ｍｏｌ／Ｌ濃度のｎ−ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラン溶液（４１．３ｇ）を５５℃にて滴下した後、５５℃で３．５時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた。得られた有機層を、イオン交換水、飽和食塩水で順次洗浄した。その後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。得られた油状物を減圧蒸留により精製することにより、化合物ＣＭ２ｃを無色液体として得た（２０ｇ）。収率は３０％であった。得られた化合物ＣＭ２ｃのＧＣ面積百分率値は９８％を示した。この操作を繰り返し行うことにより、化合物ＣＭ２ｃの必要量を得た。
（Ｓｔａｇｅ３：化合物ＣＭ２ｅの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ２ｃ（９７．３ｇ）、化合物３ｄ（５０．０ｇ）、トルエン（１．５Ｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（２．６４ｇ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロボレート塩（１．６７ｇ）およびナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（５５．４ｇ）を加え、加熱還流下で２０時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、イオン交換水を加えた。得られた有機層を、イオン交換水、飽和食塩水で順次洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させた後、シリカゲルショートカラム（トルエン）、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン）、再結晶（トルエン／アセトニトリル）により順次精製し、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、化合物ＣＭ２ｅ（８５．６ｇ）を白色固体として得た。収率は７７％であった。化合物ＣＭ２ｅのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
（Ｓｔａｇｅ４：化合物ＣＭ２の合成）
遮光した反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ２ｅ（４５ｇ）およびジクロロメタン（７５０ｍＬ）を加えた。得られた溶液を氷浴により５℃以下まで冷却した後、Ｎ−ブロモスクシンイミド（２８．３ｇ）を５℃以下の温度にて複数回に分けて加えた。その後、氷浴を外し、一晩攪拌した。得られた反応液をジクロロメタンで希釈した後、１０重量％濃度の炭酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水、イオン交換水で順次洗浄し、シリカゲルショートカラム（ジクロロメタン）に通液した後、減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体を再結晶（トルエン／イソプロパノール）で複数回精製することにより、化合物ＣＭ２（１９．９ｇ）を白色固体として得た。収率は３５％であった。化合物ＣＭ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．２３（ｄ，４Ｈ），６．９５（ｓ，４Ｈ），６．８８（ｓ，４Ｈ），６．７５（ｄ，４Ｈ），２．５６（ｔ，４Ｈ），１．９９（ｓ，１２Ｈ），１．６６−１．５５（ｍ，４Ｈ），１．４４−１．３２（ｍ，４Ｈ），０．９４（ｔ，６Ｈ）．
＜合成例２：高分子化合物Ｐ１の合成＞
高分子化合物Ｐ１は、下記表３に示される単量体を用いて合成した。
（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、単量体ＣＭ１（４．３４ｍｍｏｌ）、単量体ＣＭ２（２．６０ｍｍｏｌ）、単量体ＣＭ３（１．０８ｍｍｏｌ）、単量体ＣＭ４（０．６５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（１．０ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（６．１ｍｇ）およびトルエン（１１８ｍＬ）を加え、１０５℃に加熱した。
（工程２）反応液に、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（１５．３ｇ）を滴下し、１１時間還流させた。
（工程３）反応後、そこに、フェニルボロン酸（５３ｍｇ）、酢酸パラジウム（１．０ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（６．１ｍｇ）および２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（１５．３ｇ）を加え、一晩還流させた。
（工程４）その後、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。冷却後、反応液を、水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ１を３．７１ｇ得た。高分子化合物Ｐ１のＭｎは６．６×１０^４であり、Ｍｗは２．３×１０^５であった。
高分子化合物Ｐ１は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、下記表３に示されるモル比で構成される共重合体である。

＜合成例３：高分子化合物Ｐ２の合成＞
高分子化合物Ｐ２は、下記表４に示される単量体を用いて、特開２０１２−３６３８８号公報記載の合成法に従い合成した。高分子化合物Ｐ２のＭｎは９．２×１０^４であり、Ｍｗは２．３×１０^５であった。高分子化合物Ｐ２は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、下記表４に示されるモル比で構成される共重合体である。

＜合成例４：高分子化合物Ｐ３の合成＞
高分子化合物Ｐ３は、下記表５に示される単量体を用いて、特開２０１２−２１６８１５号公報記載の合成法に従い合成した。高分子化合物Ｐ３のＭｎは１．１×１０^５であり、Ｍｗは３．１×１０^５であった。高分子化合物Ｐ３は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、下記表５に示されるモル比で構成される共重合体である。

＜合成例５＞ 高分子化合物Ｐ４の合成
高分子化合物Ｐ４は、下記表６に示される単量体を用いて合成した。
（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、単量体ＣＭ５（１．９９３４ｇ、４．９４ｍｍｏｌ）、単量体ＣＭ１０（１．７７３９ｇ、２．６０ｍｍｏｌ）、単量体ＣＭ１１（１．６２００ｇ、２．４０ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（８．９ｍｇ）およびトルエン（１０５ｍＬ）を加え、１０５℃に加熱した。
（工程２）反応液に、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（１７．６ｇ）を滴下し、４時間還流させた。
（工程３）反応後、そこに、フェニルボロン酸（１２３ｍｇ）およびジクロロビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（４．４ｍｇ）を加え、１９時間還流させた。
（工程４）その後、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。冷却後、反応液を、水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ４を３．２１ｇ得た。高分子化合物Ｐ４のＭｎは８．８×１０^４であり、Ｍｗは２．３×１０^５であった。
高分子化合物Ｐ４は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、下記表６に示されるモル比で構成される共重合体である。

＜比較例ＣＤ１：発光素子ＣＤ１の作製および評価＞
スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、正孔注入材料としてポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製）を用いてスピンコートにより３５ｎｍの厚さで成膜し、これを大気雰囲気中において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱した。
次に、正孔輸送性高分子化合物Ｐ１のキシレン溶液を用いてスピンコートにより２０ｎｍの厚さで正孔輸送層を成膜し、これを窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱した。
次に、高分子化合物Ｐ２および金属錯体ＭＣ１を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体ＭＣ１＝６０重量％／４０重量％）を用いて、スピンコートにより８０ｎｍの厚さで発光層を成膜し、これを窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で１５０℃、１０分加熱した。
次に、電子注入層としてフッ化ナトリウムを約７ｎｍ、次いで陰極としてアルミニウムを約１２０ｎｍ蒸着した。なお、真空度が、１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
次に、ガラス基板を用いて、窒素ガス雰囲気下において、封止層を形成することによって、発光素子ＣＤ１を作製した。
発光素子ＣＤ１に電圧を印加したところ、５２０ｎｍに極大ピークを有する緑色ＥＬ発光が得られた。電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２における駆動電圧は８．０Ｖであり、外部量子収率は１１．２％であった。
＜実施例Ｄ１：発光素子Ｄ１の作製および評価＞
比較例ＣＤ１において、高分子化合物Ｐ２および金属錯体ＭＣ１を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体ＭＣ１＝６０重量％／４０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ２および金属錯体Ｍ１を溶解させたキシレン溶液（１．８重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体Ｍ１＝６０重量％／４０重量％）を用いたこと以外は、比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子Ｄ１を作製した。
発光素子Ｄ１に電圧を印加したところ、５２０ｎｍに極大ピークを有する緑色ＥＬ発光が得られた。電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２における駆動電圧は７．４Ｖであり、外部量子収率は１０．６％であった。
＜実施例Ｄ２：発光素子Ｄ２の作製および評価＞
比較例ＣＤ１において、高分子化合物Ｐ２および金属錯体ＭＣ１を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体ＭＣ１＝６０重量％／４０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ２および金属錯体Ｍ２を溶解させたキシレン溶液（１．８重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体Ｍ２＝６０重量％／４０重量％）を用いたこと以外は、比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子Ｄ２を作製した。
発光素子Ｄ２に電圧を印加したところ、５２０ｎｍに極大ピークを有する緑色ＥＬ発光が得られた。電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２における駆動電圧は７．１Ｖであり、外部量子収率は１１．６％であった。
＜実施例Ｄ３：発光素子Ｄ３の作製および評価＞
比較例ＣＤ１において、高分子化合物Ｐ２および金属錯体ＭＣ１を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体ＭＣ１＝６０重量％／４０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ２および金属錯体Ｍ３を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体Ｍ３＝６０重量％／４０重量％）を用いたこと以外は、比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子Ｄ３を作製した。
発光素子Ｄ３に電圧を印加したところ、５１５ｎｍに極大ピークを有する緑色ＥＬ発光が得られた。電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２における駆動電圧は６．９Ｖであり、外部量子収率は１１．４％であった。
＜実施例Ｄ４：発光素子Ｄ４の作製および評価＞
比較例ＣＤ１において、高分子化合物Ｐ２および金属錯体ＭＣ１を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体ＭＣ１＝６０重量％／４０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ２および金属錯体Ｍ４を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体Ｍ４＝６０重量％／４０重量％）を用いたこと以外は、比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子Ｄ４を作製した。
発光素子Ｄ４に電圧を印加したところ、５２０ｎｍに極大ピークを有する緑色ＥＬ発光が得られた。電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２における駆動電圧は６．５Ｖであり、外部量子収率は４．９％であった。
＜実施例Ｄ５：発光素子Ｄ５の作製および評価＞
比較例ＣＤ１において、高分子化合物Ｐ２および金属錯体ＭＣ１を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体ＭＣ１＝６０重量％／４０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ３および金属錯体Ｍ５を溶解させたキシレン溶液（１．６重量％、高分子化合物Ｐ３／金属錯体Ｍ５＝６０重量％／４０重量％）を用いたこと以外は、比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子Ｄ５を作製した。
発光素子Ｄ５に電圧を印加したところ、６２０ｎｍに極大ピークを有する赤色ＥＬ発光が得られた。電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２における駆動電圧は８．７Ｖであり、外部量子収率は７．８％であった。
＜比較例ＣＤ２：発光素子ＣＤ２の作製および評価＞
比較例ＣＤ１において、高分子化合物Ｐ２および金属錯体ＭＣ１を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体ＭＣ１＝６０重量％／４０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ４および金属錯体ＭＣ２を溶解させたキシレン溶液（１．８重量％、高分子化合物Ｐ４／金属錯体ＭＣ２＝６０重量％／４０重量％）を用いたこと以外は、比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子ＣＤ２を作製した。
発光素子ＣＤ２に電圧を印加したところ、４７５ｎｍに極大ピークを有する青色ＥＬ発光が得られた。電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２における駆動電圧は６．１Ｖであり、外部量子収率は６．０％であった。
＜実施例Ｄ６：発光素子Ｄ６の作製および評価＞
比較例ＣＤ１において、高分子化合物Ｐ２および金属錯体ＭＣ１を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体ＭＣ１＝６０重量％／４０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ４および金属錯体Ｍ６を溶解させたキシレン溶液（１．６重量％、高分子化合物Ｐ４／金属錯体Ｍ６＝６０重量％／４０重量％）を用いたこと以外は、比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子Ｄ６を作製した。
発光素子Ｄ６に電圧を印加したところ、４７５ｎｍに極大ピークを有する青色ＥＬ発光が得られた。電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２における駆動電圧は５．１Ｖであり、外部量子収率は３．７％であった。

本発明の金属錯体は、駆動電圧に優れる発光素子の製造等に有用である。

Claims (12)

1. 下記式（１）で表される金属錯体。
   

   

   ［式（１）中、
   Ｍは、イリジウム原子または白金原子を表す。
   ｎ_１は、１、２または３を表す。ｎ_２は、０、１または２を表す。Ｍがイリジウム原子の場合、ｎ_１＋ｎ_２＝３であり、Ｍが白金原子の場合、ｎ_１＋ｎ_２＝２である。
   Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ^１は、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   ｍ_１およびｍ_２は、それぞれ独立に、３または４を表す。
   Ｅ^１、Ｅ²、Ｅ^３およびＥ^４は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。複数存在するＥ^１およびＥ²は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｅ^３およびＥ^４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^１が窒素原子の場合、Ｒ^１は存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^２が窒素原子の場合、Ｒ^２は存在しても存在しなくてもよい。ただし、Ｅ^３およびＥ^４の少なくとも一方は、炭素原子である。
   Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^１およびＲ^２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。隣接するＲ^１同士が結合して、それぞれが結合するＥ^１とともに環を形成していてもよい。隣接するＲ^２同士が結合して、それぞれが結合するＥ^２とともに環を形成していてもよい。Ｅ^３に隣接するＥ^１と結合するＲ^１と、Ｅ^４に隣接するＥ^２と結合するＲ^２とが結合して、Ｒ^１が結合するＥ^１およびＲ^２が結合するＥ^２とともに環を形成していてもよい。
   複数存在するＲ^１およびＲ^２の少なくとも１つは、下記式（２−１）で表される基または下記式（２−２）で表される基である。
   環Ａは、窒素原子、Ｅ^３およびｍ_１個のＥ^１とで構成される、５員環または６員環の芳香族複素環を表す。ただし、環Ａが６員環の芳香族複素環である場合、Ｅ^３は炭素原子である。
   環Ｂは、炭素原子、Ｅ^４およびｍ_２個のＥ^２とで構成される、５員環もしくは６員環の芳香族炭化水素環、または、５員環もしくは６員環の芳香族複素環を表す。ただし、環Ｂが６員環の芳香族複素環である場合、Ｅ^４は炭素原子である。］
   

   

   ［式（２−１）および（２−２）中、
   Ｒ^３は、アルキル基を表し、この基は置換基を有していてもよい。
   Ｒ^５は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^５は、同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ^３ａは、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^３ａは、同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ^４ａは、置換基を有さないアリール基、または、アルキル基もしくはシクロアルキル基を置換基として有するアリール基を表し、該アルキル基および該シクロアルキル基は更に置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^４ａは、同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ^６は、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^６は、同一でも異なっていてもよい。]
2. 前記式（２−１）で表される基が、下記式（２−３）で表される基である、請求項１に記載の金属錯体。
   

   

   ［式（２−３）中、
   Ｒ^３およびＲ^６は、前記と同じ意味を表す。
   Ｒ^７は、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^７は、同一でも異なっていてもよい。]
3. 前記式（１）で表される金属錯体が、下記式（１−ａ）で表される金属錯体である、請求項１または２に記載の金属錯体。
   

   

   ［式（１−ａ）中、
   Ｍ、ｎ_１、ｎ_２、Ｇ^１、Ａ^１、Ａ^２、ｍ_１、Ｅ^１、Ｅ^３、Ｒ^１および環Ａは、前記と同じ意味を表す。
   Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^３に隣接するＥ^１と結合するＲ^１と、Ｒ^１１とが結合して、Ｒ^１が結合するＥ^１およびＲ^１１が結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^１１とＲ^１０とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^１０とＲ^９とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^９とＲ^８とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。ただし、Ｒ^１、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１の少なくとも１つは、前記式（２−１）で表される基または前記式（２−２）で表される基である。］
4. 前記環Ａが、置換基を有していてもよいピリジン環、置換基を有していてもよいイミダゾール環、または、置換基を有していてもよいトリアゾール環である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の金属錯体。
5. 前記式（１−ａ）で表される金属錯体が、下記式（１−ｂ）で表される金属錯体である、請求項４に記載の金属錯体。
   

   

   ［式（１−ｂ）中、
   Ｍ、ｎ_１、ｎ_２、Ｇ^１、Ａ^１、Ａ^２、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１は、前記と同じ意味を表す。
   Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１１とＲ^１２とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^１２とＲ^１３とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^１３とＲ^１４とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^１４とＲ^１５とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。ただし、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５の少なくとも１つは、前記式（２−１）で表される基または前記式（２−２）で表される基である。］
6. 前記式（１−ａ）で表される金属錯体が、下記式（１−ｃ）で表される金属錯体である、請求項３に記載の金属錯体。
   

   

   ［式（１−ｃ）中、
   Ｍ、ｎ_１、ｎ_２、Ｇ^１、Ａ^１、Ａ^２、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１は、前記と同じ意味を表す。
   Ｅ^５およびＥ^６は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。Ｅ^５およびＥ^６が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^５が窒素原子の場合、Ｒ^１７は存在しない。Ｅ^６が窒素原子の場合、Ｒ^１８は存在しない。
   Ｒ^１６、Ｒ^１７およびＲ^１８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１６、Ｒ^１７およびＲ^１８が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ^１１とＲ^１６とが結合して、Ｒ^１１が結合する炭素原子およびＲ^１６が結合する窒素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^１６とＲ^１７とが結合して、Ｒ^１６が結合する窒素原子およびＲ^１７が結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^１７とＲ^１８とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。ただし、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１６、Ｒ^１７およびＲ^１８の少なくとも１つは、前記式（２−１）で表される基または前記式（２−２）で表される基である。］
7. 前記式（１−ｂ）において、Ｒ^１０およびＲ^１４の少なくとも１つが、前記式（２−１）で表される基または前記式（２−２）で表される基である、請求項５に記載の金属錯体。
8. 前記式（１−ｃ）において、Ｒ^１０が、前記式（２−１）で表される基または前記式（２−２）で表される基である、請求項６に記載の金属錯体。
9. Ｍがイリジウム原子であり、ｎ１が３であり、ｎ２が０である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属錯体。
10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の金属錯体と、
    下記式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物とを含有する組成物。
    

    

    ［式（Ｙ）中、Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
11. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の金属錯体と、
    正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群より選ばれる少なくとも1種の材料とを含有する組成物。
12. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の金属錯体を用いて得られる発光素子。