JP7265430B2 - 処理装置 - Google Patents

処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7265430B2
JP7265430B2 JP2019123613A JP2019123613A JP7265430B2 JP 7265430 B2 JP7265430 B2 JP 7265430B2 JP 2019123613 A JP2019123613 A JP 2019123613A JP 2019123613 A JP2019123613 A JP 2019123613A JP 7265430 B2 JP7265430 B2 JP 7265430B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
holding
holding surface
dicing tape
workpiece
work set
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019123613A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021009946A (ja
Inventor
秀次 新田
直功 瓜田
和也 江角
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2019123613A priority Critical patent/JP7265430B2/ja
Priority to TW109119551A priority patent/TWI826697B/zh
Priority to KR1020200076955A priority patent/KR20210003673A/ko
Priority to CN202010610089.9A priority patent/CN112185874A/zh
Publication of JP2021009946A publication Critical patent/JP2021009946A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7265430B2 publication Critical patent/JP7265430B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05FSTATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
    • H05F3/00Carrying-off electrostatic charges
    • H05F3/04Carrying-off electrostatic charges by means of spark gaps or other discharge devices
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05FSTATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
    • H05F3/00Carrying-off electrostatic charges
    • H05F3/06Carrying-off electrostatic charges by means of ionising radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

本発明は、処理装置に関する。
特許文献1および特許文献2に開示のようなウェーハを切削する切削装置では、ウェーハは、その一方の面に貼着されているダイシングテープを介して保持手段に保持された状態で、切削加工される。
このような切削装置では、切削加工後、ウェーハに貼着されているダイシングテープに静電気が帯電されることで、ウェーハに形成されたデバイスの品質が低下することがある。そのため、ダイシングテープに帯電した静電気を除去するために、イオン化されたエアをダイシングテープに吹きかけている。
たとえば、特許文献1に開示の切削装置では、保持手段に保持されたダイシングテープが貼着されたウェーハを、搬送手段によって保持手段から離間させた後、ダイシングテープにイオン化されたエアが当たるように、搬送手段に保持され上昇するウェーハを追いかけるように、エアの噴射方向が変更される。
特開2012-049359号公報 特開2015-112552号公報
しかし、従来の切削装置では、ウェーハが保持面から完全に離間された後に、イオン化エアをダイシングテープに吹きかけている。このため、ダイシングテープに静電気が残存することがあり、デバイスの品質が低下する可能性が残る。
したがって、本発明の目的は、ウェーハを保持手段から離間させるときに、静電気の除電を良好に行うことにより、デバイスの品質低下を抑制することにある。
本発明の第1の処理装置は、リングフレームと該リングフレームの開口に配置された被加工物とにダイシングテープを貼着し一体化したワークセットを、該ダイシングテープを介して保持する保持面を有する保持手段と、該保持面に保持された該ワークセットの被加工物を、該被加工物に水を供給しながら処理する処理手段と、該保持面に保持された該ワークセットの該リングフレームを保持する少なくとも3つの保持部を備えたフレーム保持部を、該保持面に垂直な方向に移動させる昇降手段と、該ダイシングテープの下面にイオン化エアを吹き掛け、該ダイシングテープに帯電される静電気を除去するイオナイザーと、を備える処理装置であって、該昇降手段は、該ワークセットの該ダイシングテープの下面が、外周部分から中央に向かって該保持面から徐々に離間するように、該ワークセットの該リングフレームを保持する該フレーム保持部を上昇させるように構成されており、該イオナイザーは、該ダイシングテープの下面における該保持面から離間した部分に、該保持面から該ダイシングテープの下面が全て離間し、さらに、該保持面から該ダイシングテープの下面が所定の距離離間するまで、イオン化エアを吹き掛け続けるように構成されており、該ダイシングテープに帯電される静電気を除去しながら、該保持面から被加工物を搬出する。
本発明の第2の処理装置は、一方の面に保護部材を有する被加工物を、該保護部材を介して保持する保持面を有する保持手段と、該保持面に保持された被加工物を処理する処理手段と、一方の面が該保持面に保持された被加工物の他方の面を吸着保持する吸着面を有する搬送パッドを、該保持面に垂直な方向に移動させる昇降手段と、該保護部材の下面にイオン化エアを吹き掛け、該保護部材に帯電される静電気を除去するイオナイザーと、を備える処理装置であって、該搬送パッドの該吸着面と該保持面との相対的な傾きを変更する傾き変更手段をさらに備え、該傾き変更手段は、該保持面に保持されている被加工物を吸着保持した該搬送パッドの該吸着面と該保持面との相対的な傾きを、該吸着面と該保持面とが互いに平行な状態から徐々に大きくすることにより、該被加工物の該保護部材の下面における該保持面からの離間部分の面積を徐々に大きくするように構成されており、該イオナイザーは、該保護部材の下面における該保持面からの離間部分に、該保持面から該保護部材の下面が全て離間し、さらに、該保持面から該保護部材の下面が所定の距離離間するまで、イオン化エアを吹きかけ続けるように構成されており、該保護部材に帯電した静電気を除去しながら、該保持面から被加工物を搬出する。
第1の処理装置では、ダイシングテープの下面における保持手段の保持面から離間する部分の面積を徐々に大きくしながら、この部分に、イオナイザーがイオン化エアを吹きかけることにより、ダイシングテープに帯電される静電気を除去している。このため、保持手段の保持面から離間されるダイシングテープが帯電することを抑制しながら、かつ、ダイシングテープに帯電した静電気を除去しながら、保持面からワークセットを搬出することができる。これにより、保持手段の保持面から離間したダイシングテープが、静電気を帯電しにくい。このため、ワークセットの被加工物に形成されたデバイスの品質の低下を抑制することができる。
第2の処理装置では、保護部材の下面における保持手段の保持面から離間する部分の面積を徐々に大きくしながら、この部分に、イオナイザーがイオン化エアを吹きかけることにより、保護部材に帯電される静電気を除去している。このため、保持手段の保持面から離間される保護部材が帯電することを抑制しながら、かつ、保護部材に帯電した静電気を除去しながら、保持面から被加工物を搬出することができる。これにより、保持手段の保持面から離間した保護部材が、静電気を帯電しにくい。このため、被加工物に形成されたデバイスの品質の低下を抑制することができる。
本実施形態にかかる加工装置の斜視図である。 切削機構を示す説明図である。 イオナイザーの構成を示す斜視図である。 チャックテーブルの保持面に保持されたワークセット上に搬送手段が配置されている状態を示す説明図である。 ワークセットのリングフレームが、搬送手段の保持部によって保持された状態を示す説明図である。 ワークセットのリングフレームが、搬送手段の保持部によって持ち上げられた状態を示す説明図である。 ワークセットにおけるダイシングテープの下面の外周部分が保持面から離間した状態を示す説明図である。 チャックテーブルの保持面からダイシングテープの下面が所定の距離まで離間した状態を示す説明図である。 研削装置の構成を示すブロック図である。 チャックテーブルの保持面に保持されたウェーハ上に搬送手段が配置されている状態を示す説明図である。 ウェーハの保護テープの下面の一部がチャックテーブルの保持面から離間している状態を示す説明図である。 チャックテーブルの保持面から保護テープの下面が所定の距離まで離間した状態を示す説明図である。
図1に示すように、本実施形態にかかる切削装置1は、処理装置の一例であり、被加工物であるウェーハWを切削加工する。
ウェーハWは、概略円形状を有し、表面に格子状の分割予定ラインLが形成されている。分割予定ラインLによって区画された各領域には、各種デバイス(図示せず)が形成されている。
ウェーハWの裏面には、ダイシングテープT1が貼着されている。ダイシングテープT1の外周には、リングフレームFが貼着されている。すなわち、ワークセットW1は、リングフレームFとリングフレームFの開口に配置されたウェーハWとにダイシングテープT1を貼着し一体化することによって形成される。
このように、ウェーハWは、ダイシングテープT1を介してリングフレームFに支持されたワークセットW1の状態で、切削装置1において加工される。また、ワークセットW1は、図示しないカセットに収容されて、切削装置1に搬入される。
切削装置1は、支持台10、支持台10に設けられたチャックテーブル20、および、支持台10に立設された直方体状の筐体12を有している。
支持台10の一端側には、複数のワークセットW1を保持するカセット(図示せず)が載置されるカセットステージ16が設けられている。
カセットステージ16とチャックテーブル20との間には、ワークセットW1を搬送するプッシュプル手段17が設けられている。プッシュプル手段17は、カセットからウェーハWを出し入れするプッシュプルアーム171と、プッシュプルアーム171をY軸方向に往復移動させるプッシュプルアーム移動機構172とを備えている。
また、チャックテーブル20の筐体12側には、ワークセットW1を仮置きする仮置き手段18が設けられている。プッシュプル手段17は、カセットステージ16上のカセットから仮置き手段18に、加工前のワークセットW1を搬送および載置する。仮置き手段18は、ワークセットW1のX軸方向の位置決めを実施する。
チャックテーブル20の上部における筐体12の前面には、搬送手段30が設けられている。搬送手段30は、仮置き手段18上のワークセットW1を保持し、チャックテーブル20に搬送および載置する。また、搬送手段30は、チャックテーブル20とスピンナ洗浄ユニット24との間で、ワークセットW1を搬送する。
搬送手段30は、ワークセットW1を保持するフレーム保持部31、フレーム保持部31をY軸方向に移動させるフレーム保持部移動機構33、および、フレーム保持部31をZ軸方向に昇降させるフレーム保持部昇降機構35を備えている。
フレーム保持部31は、ワークセットW1のリングフレームFを保持する4つの保持部32を備えている。保持部32は、いわゆる吸盤であり、ワークセットW1のリングフレームFを吸着保持することができる。
また、フレーム保持部昇降機構35は、フレーム保持部31を、チャックテーブル20の保持面23に垂直な方向に移動させるものであり、昇降手段の一例である。
チャックテーブル20は、移動板21上に固定されている。移動板21は、蛇腹状の防水カバーCとともに、支持台10の上面中央の開口を覆っている。移動板21および防水カバーCの下方には、移動板21およびチャックテーブル20をX軸方向に移動させる、たとえばボールねじ式の切削送り機構(図示せず)が設けられている。
チャックテーブル20は、保持手段の一例であり、ポーラスセラミック材からなる保持面23を有している。この保持面23に生じる負圧によって、ワークセットW1が、ダイシングテープT1を介して吸引保持される。チャックテーブル20の周囲には、4つのクランプ22が設けられている。各クランプ22によって、ワークセットW1のリングフレームFが、四方から挟持固定される。
チャックテーブル20は、ワークセットW1を保持した状態で、移動板21とともに、切削送り機構によって、支持台10上から筐体12の内部の加工スペースに運ばれる。加工スペースには、図2に示す切削機構41が設けられている。加工スペースにおいて、ウェーハWは、切削機構41によって切削加工される。
切削機構41は、チャックテーブル20の保持面23に保持されたワークセットW1のウェーハWを、ウェーハWに水(切削水)を供給しながら処理する(切削加工する)ものであり、処理手段の一例である。
図2に示すように、切削機構41は、水平方向の回転軸を有するスピンドル42、および、スピンドル42とともに回転可能な切削ブレード43を備えている。
切削加工の際には、スピンドル42が回転しながら切削ブレード43が降下し、切削ブレード43がウェーハWに接触する。切削ブレード43とウェーハWとの接触部分には、図示しない切削水供給手段により、切削水が供給される。さらに、ワークセットW1を保持しているチャックテーブル20が、水平面内で、スピンドル42の回転軸と直交する方向に移動する。
このようにして、切削ブレード43が、ワークセットW1におけるウェーハWの分割予定ラインL(図1参照)に沿って、ウェーハWを切削加工する。
ウェーハWが切削加工された後、図1に示すチャックテーブル20および移動板21は、切削送り機構によって支持台10上に戻される。そして、ワークセットW1は、搬送手段30によって、チャックテーブル20から、チャックテーブル20の奥側のスピンナ洗浄ユニット24に送られる。
スピンナ洗浄ユニット24は、ワークセットW1を保持するスピンナテーブル27、および、スピンナテーブル27に保持されたワークセットW1に向けて洗浄水および乾燥エアを噴射する各種ノズル(図示せず)を備えている。
スピンナテーブル27は、保持手段の一例であり、ダイシングテープT1を介してワークセットW1を保持するスピンナ保持面28を有する。
スピンナ洗浄ユニット24では、ワークセットW1を保持したスピンナテーブル27が高速回転する。そして、高速回転されているワークセットW1に向けて洗浄水が噴射されて、ワークセットW1を洗浄される。その後、乾燥エアが噴射されて、ワークセットW1が乾燥される。
乾燥されたワークセットW1は、搬送手段30によって、スピンナテーブル27から取り外される。
このように、スピンナ洗浄ユニット24は、スピンナテーブル27のスピンナ保持面28に保持されたワークセットW1のウェーハWを、ウェーハWに水(洗浄水)を供給しながら処理する(洗浄する)ものであり、処理手段の一例である。
筐体12の側面には、タッチパネル40が設置されている。タッチパネル40には、切削装置1に関する加工条件等の各種情報が表示される。また、タッチパネル40は、加工条件等の各種情報を設定するためにも用いられる。このように、タッチパネル40は、各種の情報を表示する表示手段(表示画面)として機能するとともに、情報を入力するための入力手段としても機能する。
また、筐体12の内部には、切削装置1の各部材を制御する制御部14が備えられている。
また、チャックテーブル20における-Y方向側および+Y方向側には、一対のイオナイザー51が、チャックテーブル20をY軸方向に沿って挟むように設けられている。さらに、スピンナ洗浄ユニット24における-Y方向側および+Y方向側にも、一対のイオナイザー51が、スピンナテーブル27をY軸方向に沿って挟むように設けられている。
図3に示すように、イオナイザー51は、複数の送風口53を有している。イオナイザー51は、ファン(図示せず)を内蔵しており、ファンを回転させて外部から空気を取り込み、イオン化エアとして送風口53から吹き出すように構成されている。
なお、イオナイザー51は、ファンを用いない構成でもよい。その場合は、エア供給源と連通させ、エア供給源から供給されるエアをイオン化エアとして送風口53から吹き出す。
チャックテーブル20を挟むように設けられているイオナイザー51は、チャックテーブル20に送風口53を向けるように配置されている。これらのイオナイザー51は、チャックテーブル20の保持面23に向けて、イオン化エアを吹き出す。したがって、イオナイザー51は、ワークセットW1が保持面23から離間される際には、ワークセットW1におけるダイシングテープT1の下面に向けて、イオン化エアを吹き出す。これにより、イオナイザー51は、ダイシングテープT1に帯電される静電気を除去する。
一方、スピンナ洗浄ユニット24のスピンナテーブル27を挟むように設けられているイオナイザー51は、スピンナテーブル27に送風口53を向けるように配置されている。これらのイオナイザー51は、スピンナテーブル27のスピンナ保持面28に向けてイオン化エアを吹き出す。したがって、イオナイザー51は、ワークセットW1がスピンナ保持面28から離間される際には、ワークセットW1におけるダイシングテープT1の下面に向けて、イオン化エアを吹き出す。これにより、イオナイザー51は、ダイシングテープT1に帯電される静電気を除去する。
次に、切削装置1における搬送手段30によるワークセットW1の搬送動作について説明する。以下の動作は、たとえば、制御部14の制御により実施される。
チャックテーブル20に載置されたワークセットW1が、図2に示した切削機構41によって切削加工され、チャックテーブル20が支持台10上に戻された後、制御部14は、搬送手段30を制御して、ワークセットW1をチャックテーブル20から取り外して、スピンナ洗浄ユニット24に搬送する。
すなわち、まず、図4に示すように、搬送手段30が、チャックテーブル20の保持面23に載置されているワークセットW1の上方に配置される。この図に示すように、フレーム保持部31の保持部32は、吸引バルブ36を介して吸引源37に接続されている。吸引バルブ36が開放されることにより、保持部32が吸引源37に連通されて、保持部32が吸引力を有する。なお、図4に示す状態では、吸引バルブ36は閉じられている。
その後、図5に示すように、ワークセットW1のリングフレームFを固定しているクランプ22が、リングフレームFから外される。さらに、吸引バルブ36が開放されるとともに、搬送手段30のフレーム保持部昇降機構35が、フレーム保持部31を、その保持部32がリングフレームFを吸着保持するまで、下方(-Z方向)に移動する。
保持部32がリングフレームFを吸着保持した後、図6に示すように、フレーム保持部昇降機構35は、フレーム保持部31を、上方(+Z方向)に移動する。
この際、フレーム保持部昇降機構35は、図6および図7に示すように、ワークセットW1のダイシングテープT1の下面が、外周部分から中央に向かって、保持面23から徐々に離間するように、リングフレームFを保持するフレーム保持部31を上昇させる。
すなわち、フレーム保持部31(ワークセットW1)の上昇の開始時では、フレーム保持部31の保持部32およびリングフレームFを介して、柔軟なダイシングテープT1の外周部分が持ち上げられる。これにより、ダイシングテープT1の中央が低くなるように撓み、外周部分が上方に反るように変形される。そして、フレーム保持部31の上昇とともに、ダイシングテープT1の下面における保持面23から離間している部分が、中央部分に向かって広がる。すなわち、フレーム保持部31の上昇とともに、ダイシングテープT1の下面におけるチャックテーブル20の保持面23から離間する部分の面積が、徐々に大きくなる。
また、このとき、図7に示すように、イオナイザー51が、たとえばダイシングテープT1の下面の外周部分が保持面23から離間しはじめたときから、ダイシングテープT1の下面における保持面23から離間した部分に、イオン化エアA1を吹きかける。
そして、イオナイザー51は、図7および図8に示すように、保持面23からダイシングテープT1の下面が全て離間し、さらに、ダイシングテープT1の下面が保持面23から所定の距離D1まで離間するまで、ダイシングテープT1の下面における保持面23から離間した部分に、イオン化エアA1を吹き掛け続ける。
この距離D1は、たとえば、保持面23とダイシングテープT1の下面との間における静電気の相互作用が無視できるほどに小さくなるような距離である。
以上のように、本実施形態では、ダイシングテープT1の下面におけるチャックテーブル20の保持面23からの離間部分の面積を徐々に大きくしながら、この部分に、イオナイザー51がイオン化エアA1を吹きかけることにより、ダイシングテープT1に帯電される静電気を除去している。このため、チャックテーブル20の保持面23から離間されるダイシングテープT1が帯電することを抑制しながら、かつ、ダイシングテープT1に帯電した静電気を除去しながら、保持面23からワークセットW1を搬出することができる。これにより、チャックテーブル20の保持面23から離間したダイシングテープT1が、静電気を帯電しにくい。このため、ワークセットW1のウェーハWに形成されたデバイスの品質の低下を抑制することができる。
なお、「ダイシングテープT1の下面が、外周部分から中央に向かって保持面23から徐々に離間する」とは、たとえば、まず、ダイシングテープT1の下面における外周部分だけが保持面23から離れる一方、他の部分は保持面23に接しており、その後、ダイシングテープT1の下面における保持面23から離間している部分が、フレーム保持部31の上昇とともに中央部分に向かって広がり、中央部分が離間したときに、ダイシングテープT1の下面の全体が保持面23から離間すること、を意味する。
また、本実施形態では、搬送手段30によるワークセットW1の搬送動作の例として、チャックテーブル20の保持面23からワークセットW1を取り外す動作について説明している。これに関し、図1に示したスピンナ洗浄ユニット24におけるスピンナテーブル27のスピンナ保持面28からワークセットW1を取り外す際にも、搬送手段30およびイオナイザー51は、同様の動作を実施する。
すなわち、搬送手段30のフレーム保持部昇降機構35は、図4~図8を用いて示した動作と同様に、ダイシングテープT1の下面におけるスピンナテーブル27のスピンナ保持面28からの離間部分の面積を徐々に大きくするように、スピンナ保持面28からワークセットW1を上昇させる。この際、ダイシングテープT1におけるスピンナ保持面28から離間した部分に、スピンナ洗浄ユニット24を挟むように設けられたイオナイザー51が、イオン化エアを吹きかける。
これにより、スピンナ保持面28から離間されるダイシングテープT1が帯電することが抑制されるとともに、ダイシングテープT1に帯電される静電気が除去される。このため、スピンナ保持面28から離間したダイシングテープT1が静電気を帯電しにくい。したがって、ワークセットW1のウェーハWに形成されたデバイスの品質の低下を抑制することができる。
また、本実施形態では、搬送手段30のフレーム保持部31に備えられている保持部32が吸盤である。
また、本実施形態では、フレーム保持部31が、4つの保持部32を備えている。これに関し、フレーム保持部31は、少なくとも3つの保持部32を備えていればよい。
また、本実施形態では、被加工物を加工処理する処理装置として、ウェーハWを切削加工する切削装置1を例示している。これに代えて、本実施形態の処理装置は、たとえば、被加工物を研削加工する研削装置、被加工物をレーザー光によって加工するレーザー加工装置、被加工物をバイト切削するバイト切削装置、被加工物をチップに分割するためのエキスパンド装置、あるいは、被加工物にテープを取り付けるテープマウンタであってもよい。
ここで、本実施形態の処理装置が研削装置である場合について説明する。
図9に示すように、研削装置2は、被加工物を保持するための保持手段としてのチャックテーブル60、被加工物を研削処理する処理手段55、チャックテーブル60に対して被加工物を搬送(搬入および搬出)するための搬送機構71、図3に示したイオナイザー51、および、研削装置2の各部材を制御する制御部57を有している。
図10に示すように、被加工物としてのウェーハWには、その一方の面である表面Waに、図示しないデバイスが形成されている。ウェーハWの表面Waは、図10においては下方を向いており、保護部材としての保護テープT2が貼着されることによって保護されている。ウェーハWの他方の面である裏面Wbは、研削処理が施される被加工面となる。
チャックテーブル60は、ポーラスセラミック材からなる保持面63を有している。この保持面63に生じる負圧によって、ウェーハWが、保護テープT2を介して吸引保持される。
図9に示した処理手段55は、この保持面63に保持されたウェーハWを研削処理する。
また、図10に示すように、搬送機構71は、ウェーハWを保持する搬送パッド72、連結部76を介して搬送パッド72を保持する搬送アーム74、および、搬送パッド72および搬送アーム74を昇降させる昇降手段75を備えている。
搬送パッド72は、ウェーハWを保持するための、チャックテーブル60の保持面63に平行な下向きの吸着面73を有している。チャックテーブル60の保持面63に保持されているウェーハWを搬送機構71によって搬出する際には、吸着面73は、保持面63に保持されたウェーハWの裏面Wbを吸着保持する。
搬送パッド72は、搬送アーム74の先端に、連結部76を介して取り付けられている。
連結部76は、搬送アーム74の先端に設けられた貫通孔77を貫通した状態で、搬送アーム74に取り付けられている。連結部76は、上端に拡径部81を有しており、貫通孔77から抜け落ちることが抑制されている。
連結部76の下端は、搬送パッド72の上面に取り付けられている。また、搬送アーム74の下面と搬送パッド72の上面との間には、連結部76を囲むように設けられたスプリング83が配設されている。スプリング83は、搬送アーム74の下面と搬送パッド72の上面とを、これらが互いに離れるような向きに付勢している。
搬送アーム74の基端側は、昇降手段75に取り付けられている。昇降手段75は、搬送パッド72および搬送アーム74を、チャックテーブル60の保持面63に垂直な方向であるZ軸方向に沿って昇降させる。
また、搬送アーム74の上面74aには、搬送パッド72の吸着面73とチャックテーブル20の保持面23との相対的な傾きを変更する傾き変更手段85が取り付けられている。傾き変更手段85は、制御部57の制御により、搬送アーム74の延びる方向に沿って移動することが可能なように構成されている。
傾き変更手段85は、その先端に、楔形の楔部86を有している。傾き変更手段85は、搬送アーム74の上面74aにおいて搬送アーム74の先端方向に移動することにより、上面74aと連結部76の拡径部81との間に、楔部86を進入させることが可能である。
また、チャックテーブル60における-X側には、図3に示したイオナイザー51が、その送風口53をチャックテーブル60に向けた状態で設けられている。イオナイザー51は、チャックテーブル60の保持面63に向けてイオン化エアを吹き出す。
したがって、イオナイザー51は、搬送パッド72によってウェーハWが保持面63から離間される際には、ウェーハWの保護テープT2の下面に向けて、イオン化エアを吹き出す。これにより、イオナイザー51は、保護テープT2に帯電される静電気を除去する。
ここで、搬送機構71によるウェーハWの搬送動作について説明する。以下の動作は、たとえば、制御部57の制御により実施される。
チャックテーブル60に載置されたウェーハWが、図9に示した処理手段55によって研削加工された後、制御部57は、搬送機構71を制御して、ウェーハWをチャックテーブル60から取り外す。
すなわち、まず、図10に示すように、搬送機構71が、チャックテーブル60の保持面63に載置されているウェーハWの上方に配置される。この図に示すように、搬送アーム74に取り付けられた搬送パッド72の吸着面73は、吸引バルブ91を介して吸引源92に接続されている。吸引バルブ91が開放されることにより、吸着面73が吸引源92に連通されて、吸着面73が吸引力を有する。なお、図10に示す状態では、吸引バルブ91は閉じられている。
その後、吸引バルブ91が開放されるとともに、搬送機構71の昇降手段75が、搬送アーム74を、搬送パッド72の吸着面73がウェーハWを保持(吸着)するまで、下方(-Z方向)に移動する。
吸着面73がウェーハWを保持した後、図11に示すように、傾き変更手段85が、搬送アーム74の上面74aにおいて搬送アーム74の先端方向(+X方向)に移動することにより、上面74aと連結部76の拡径部81との間に、楔部86を進入させてゆく。
搬送アーム74の上面74aと連結部76の拡径部81との間に楔部86が進入してゆくと、連結部76における搬送アーム74の基端側(-X側)の部分が、楔部86によって、徐々に持ち上げられる。その結果、連結部76に支持されている搬送パッド72の吸着面73が、-X側を高くするように、チャックテーブル60の保持面63に対して徐々に傾けられる。
このようにして、傾き変更手段85は、保持面63に保持されているウェーハWを吸着保持した搬送パッド72の吸着面73と保持面63との相対的な傾きを、吸着面73と保持面63とが互いに平行な状態から、徐々に大きくする。すなわち、傾き変更手段85は、搬送パッド72の吸着面73を、チャックテーブル60の保持面63に対して平行な状態(傾き差がゼロの状態)から、徐々に傾ける(傾き差が大きくなる状態)。これにより、ウェーハWの保護テープT2の下面における-X側が、保持面63から、少しずつ離間してゆく。このようにして、傾き変更手段85は、ウェーハWの保護テープT2の下面における保持面63からの離間部分の面積を、徐々に大きくする。
また、このとき、図11に示すように、チャックテーブル60の-X側にあるイオナイザー51が、たとえば保護テープT2の一部が保持面63から離間しはじめたときから、保護テープT2の下面における保持面63からの離間部分に、イオン化エアA2を吹きかける。
その後、昇降手段75が、搬送アーム74を、上方(+Z方向)に移動する。これにより、保護テープT2の下面における保持面63からの離間部分が、さらに大きく露出される。
そして、イオナイザー51は、図11および図12に示すように、保護テープT2の下面が保持面63から全て離間し、さらに、保護テープT2の下面が保持面63から所定の距離D2まで離間するまで、保護テープT2の下面における保持面63から離間した部分に、イオン化エアA2を吹き掛け続ける。
この距離D1は、たとえば、保持面63と保護テープT2の下面との間における静電気の相互作用が無視できるほどに小さくなるような距離である。
このように、研削装置2でも、保護テープT2の下面における保持面63からの離間部分の面積を徐々に大きくしながら、この部分に、イオナイザー51がイオン化エアA2を吹きかけることにより、保護テープT2に帯電される静電気を除去している。このため、チャックテーブル60の保持面63から離間される保護テープT2が帯電することを抑制しながら、かつ、保護テープT2に帯電した静電気を除去しながら、保持面63からウェーハWを搬出することができる。これにより、保持面63から離間した保護テープT2が、静電気を帯電しにくい。このため、ウェーハWに形成されたデバイスの品質の低下を抑制することができる。
なお、研削装置2は、1つのイオナイザー51を備えている。これに代えて、研削装置2は、複数のイオナイザー51を備えてもよい。
また、本実施形態では、傾き変更手段85は、搬送パッド72の吸着面73を傾けるように構成されている。これに限らず、傾き変更手段は、搬送パッド72の吸着面73とチャックテーブル60の保持面63との相対的な傾きを変更できるものであればよい。たとえば、研削装置2は、この傾き変更手段85に代えて、チャックテーブル60の保持面63の傾きを変更(調整)する傾き変更手段を備えてもよい。このような傾き変更手段は、たとえば、特開2013-119123号公報に開示されている。
この構成では、傾き変更手段は、ウェーハWを保持しているチャックテーブル60の保持面63を、ウェーハWを吸着保持した搬送パッド72の吸着面73に対して平行な状態から、徐々に傾ける。この構成でも、ウェーハWの保護テープT2の下面における保持面63からの離間部分の面積を、徐々に大きくすることができ、この部分に、イオナイザー51がイオン化エアを吹きかけることができる。
1:切削装置、
12:筐体、14:制御部、
16:カセットステージ、
20:チャックテーブル、22:クランプ、23:保持面、
24:スピンナ洗浄ユニット、27:スピンナテーブル、28:スピンナ保持面、
30:搬送手段、31:フレーム保持部、32:保持部、
33:フレーム保持部移動機構、35:フレーム保持部昇降機構、
41:切削機構、42:スピンドル、43:切削ブレード、
51:イオナイザー、53:送風口、
W1:ワークセット、F:リングフレーム、T1:ダイシングテープ、
2:研削装置、
55:処理手段、57:制御部、
60:チャックテーブル、63:保持面、
71:搬送機構、72:搬送パッド、73:吸着面、
74:搬送アーム、75:昇降手段、76:連結部、81:拡径部、
85:傾き変更手段、86:楔部、
W:ウェーハ、T2:保護テープ

Claims (2)

  1. リングフレームと該リングフレームの開口に配置された被加工物とにダイシングテープを貼着し一体化したワークセットを、該ダイシングテープを介して保持する保持面を有する保持手段と、
    該保持面に保持された該ワークセットの被加工物を、該被加工物に水を供給しながら処理する処理手段と、
    該保持面に保持された該ワークセットの該リングフレームを保持する少なくとも3つの保持部を備えたフレーム保持部を、該保持面に垂直な方向に移動させる昇降手段と、
    該ダイシングテープの下面にイオン化エアを吹き掛け、該ダイシングテープに帯電される静電気を除去するイオナイザーと、を備える処理装置であって、
    該昇降手段は、該ワークセットの該ダイシングテープの下面が、外周部分から中央に向かって該保持面から徐々に離間するように、該ワークセットの該リングフレームを保持する該フレーム保持部を上昇させるように構成されており、
    該イオナイザーは、該ダイシングテープの下面における該保持面から離間した部分に、該保持面から該ダイシングテープの下面が全て離間し、さらに、該保持面から該ダイシングテープの下面が所定の距離離間するまで、イオン化エアを吹き掛け続けるように構成されており、
    該ダイシングテープに帯電される静電気を除去しながら、該保持面から被加工物を搬出する、処理装置。
  2. 一方の面に保護部材を有する被加工物を、該保護部材を介して保持する保持面を有する保持手段と、
    該保持面に保持された被加工物を処理する処理手段と、
    一方の面が該保持面に保持された被加工物の他方の面を吸着保持する吸着面を有する搬送パッドを、該保持面に垂直な方向に移動させる昇降手段と、
    該保護部材の下面にイオン化エアを吹き掛け、該保護部材に帯電される静電気を除去するイオナイザーと、を備える処理装置であって、
    該搬送パッドの該吸着面と該保持面との相対的な傾きを変更する傾き変更手段をさらに備え、
    該傾き変更手段は、該保持面に保持されている被加工物を吸着保持した該搬送パッドの該吸着面と該保持面との相対的な傾きを、該吸着面と該保持面とが互いに平行な状態から徐々に大きくすることにより、該被加工物の該保護部材の下面における該保持面からの離間部分の面積を徐々に大きくするように構成されており、
    該イオナイザーは、該保護部材の下面における該保持面からの離間部分に、該保持面から該保護部材の下面が全て離間し、さらに、該保持面から該保護部材の下面が所定の距離離間するまで、イオン化エアを吹きかけ続けるように構成されており、
    該保護部材に帯電した静電気を除去しながら、該保持面から被加工物を搬出する、処理装置。
JP2019123613A 2019-07-02 2019-07-02 処理装置 Active JP7265430B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019123613A JP7265430B2 (ja) 2019-07-02 2019-07-02 処理装置
TW109119551A TWI826697B (zh) 2019-07-02 2020-06-10 處理裝置
KR1020200076955A KR20210003673A (ko) 2019-07-02 2020-06-24 처리 장치
CN202010610089.9A CN112185874A (zh) 2019-07-02 2020-06-30 处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019123613A JP7265430B2 (ja) 2019-07-02 2019-07-02 処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021009946A JP2021009946A (ja) 2021-01-28
JP7265430B2 true JP7265430B2 (ja) 2023-04-26

Family

ID=73919397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019123613A Active JP7265430B2 (ja) 2019-07-02 2019-07-02 処理装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7265430B2 (ja)
KR (1) KR20210003673A (ja)
CN (1) CN112185874A (ja)
TW (1) TWI826697B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115547895B (zh) * 2022-11-24 2023-03-10 深圳新控半导体技术有限公司 一种芯片粘贴工装

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011228641A (ja) 2010-03-29 2011-11-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置及びダイシング方法
JP2014116480A (ja) 2012-12-11 2014-06-26 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0682750B2 (ja) * 1989-08-30 1994-10-19 日東電工株式会社 ウエハ保護シートの剥離方法
JP3163973B2 (ja) * 1996-03-26 2001-05-08 日本電気株式会社 半導体ウエハ・チャック装置及び半導体ウエハの剥離方法
JP2002066865A (ja) * 2000-09-01 2002-03-05 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP2011054641A (ja) * 2009-08-31 2011-03-17 Nitto Denko Corp 被切断体からのダイシング表面保護テープの剥離除去方法
JP5554661B2 (ja) 2010-08-27 2014-07-23 株式会社ディスコ ダイシング加工装置
US20130334713A1 (en) * 2011-12-22 2013-12-19 Dingying D. Xu Electrostatic discharge compliant patterned adhesive tape
JP6305750B2 (ja) 2013-12-12 2018-04-04 株式会社ディスコ 静電気除去装置を備えた加工機
US20200234961A1 (en) * 2017-08-10 2020-07-23 Tokyo Electron Limited Substrate processing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011228641A (ja) 2010-03-29 2011-11-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置及びダイシング方法
JP2014116480A (ja) 2012-12-11 2014-06-26 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202105580A (zh) 2021-02-01
KR20210003673A (ko) 2021-01-12
CN112185874A (zh) 2021-01-05
TWI826697B (zh) 2023-12-21
JP2021009946A (ja) 2021-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107026109B (zh) 基板清洗装置及方法、基板处理装置及方法
KR102391430B1 (ko) 다이 본딩 장치
JP6076063B2 (ja) 加工装置
JP5554661B2 (ja) ダイシング加工装置
KR102051261B1 (ko) 기판 세정 장치, 기판 처리 장치, 기판 세정 방법 및 기판 처리 방법
JP2009043771A (ja) チャックテーブル機構および被加工物の保持方法
US20040099112A1 (en) Plate-like carrying mechanism and dicing device with carrying mechanism
TWI830833B (zh) 切削裝置
JP7265430B2 (ja) 処理装置
JP2002066865A (ja) 切削装置
JP5192999B2 (ja) イオン化エア供給プログラム
JP2004119784A (ja) 板状物の搬送装置
JP2003086543A (ja) 板状物の搬送機構および搬送機構を備えたダイシング装置
US20210050241A1 (en) Substrate processing system, substrate processing method and computer-readable recording medium
JP6037685B2 (ja) 研削装置
TWI813837B (zh) 觸碰面板
JP6208587B2 (ja) 切削装置
JP5643019B2 (ja) チャックテーブル
JP2000164536A (ja) チャックテーブル
JP6983311B2 (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
JP7286233B2 (ja) チップの製造方法
JP2018134723A (ja) 切削装置
JP6855130B2 (ja) 加工装置
JP7294872B2 (ja) 加工装置
JP2014078620A (ja) 搬送機構

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220520

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230322

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230316

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230414

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7265430

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150