TWI826697B - 處理裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題]在使晶圓從保持組件分開時，良好地進行靜電的消除。 [解決手段]藉由一邊將切割膠帶的下表面中的從工作夾台的保持面分開的分開部分的面積逐漸地變大，一邊對此部分噴附離子化空氣，而將切割膠帶所帶有的靜電去除。因此，可以既抑制從工作夾台的保持面分開的切割膠帶帶電之情形，並且一邊將切割膠帶所帶有的靜電除去一邊將工件組從保持面搬出。藉此，使已從工作夾台的保持面分開的切割膠帶難以帶有靜電。因此，可以抑制工件組之形成於晶圓的器件的品質的降低。

Description

處理裝置
本發明是有關於一種處理裝置。
在如專利文獻1及專利文獻2所揭示之切割晶圓的切割裝置中，是將晶圓以隔著貼附於該其中一面之切割膠帶被保持組件所保持的狀態來進行切割加工。
在此種切割裝置中，由於在切割加工後，在貼附於晶圓的切割膠帶帶有靜電，所以有形成於晶圓的器件的品質降低之情形。因此，為了去於切割膠帶所帶有的靜電，而對切割膠帶噴附有已離子化之空氣。
例如，在專利文獻1所揭示的切割裝置中，是使已受到保持組件保持之貼附有切割膠帶之晶圓，在藉由搬送組件使其從保持組件分開之後，將空氣的噴射方向變更成緊跟著被搬送組件所保持而上升的晶圓，以讓已離子化之空氣碰觸於切割膠帶。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2012-049359號公報 專利文獻2：日本特開2015-112552號公報
發明欲解決之課題
但是，在以往的切割裝置中，是在晶圓完全地從保持面分開之後，才對切割膠帶噴附離子化空氣。因此，會有於切割膠帶殘存靜電的情形，仍然存在器件的品質降低的可能性。
從而，本發明之目的在於：在使晶圓從保持組件分開時，藉由良好地進行靜電的消除，而抑制器件的品質降低。 用以解決課題之手段
本發明的第1處理裝置是以下的處理裝置，並具備： 保持組件，具有保持工件組的保持面，前述工件組是將切割膠帶貼附於環形框架與已配置在該環形框架的開口之被加工物來一體化之工件組，且前述保持面是隔著該切割膠帶來保持前述工件組； 處理組件，一邊對被加工物供給水一邊處理該被加工物，其中前述被加工物是已保持於該保持面之該工件組的被加工物； 升降組件，使具備有至少3個保持部的框架保持部在垂直於該保持面的方向上移動，且前述保持部是保持已保持於該保持面之該工件組的該環形框架；及 離子產生器，對該切割膠帶的下表面噴附離子化空氣，而將該切割膠帶所帶有的靜電去除， 又，該升降組件是構成為：使保持該工件組的該環形框架之該框架保持部上升，以讓該工件組的該切割膠帶的下表面從外周部分開始朝向中央逐漸地從該保持面分開， 該離子產生器是構成為：朝該切割膠帶的下表面中的已從該保持面分開的部分持續噴附離子化空氣，直到該切割膠帶的下表面全部從該保持面分開並進一步讓該切割膠帶的下表面從該保持面分開預定的距離為止， 且一邊去除該切割膠帶所帶有的靜電一邊將被加工物從該保持面搬出。
本發明的第2處理裝置是以下的處理裝置，並具備： 保持組件，具有保持面，前述保持面將於其中一面具有保護構件的被加工物隔著該保護構件來保持； 處理組件，處理被該保持面所保持的被加工物； 升降組件，使具有吸附面的搬送墊在垂直於該保持面的方向上移動，前述吸附面是吸附保持其中一面已被該保持面所保持的被加工物的另一面；及 離子產生器，對該保護構件的下表面噴附離子化空氣，而將該保護構件所帶有的靜電去除， 又，前述處理裝置更具備變更該搬送墊的該吸附面與該保持面之相對的傾斜度的傾斜變更組件， 該傾斜變更組件是構成為：將吸附保持了被該保持面所保持的被加工物之該搬送墊的該吸附面與該保持面之相對的傾斜度，從該吸附面與該保持面互相平行的狀態逐漸地變大，藉此讓該被加工物的該保護構件的下表面中的從該保持面分開的分開部分之面積逐漸地變大， 該離子產生器是構成為：朝該保護構件的下表面中的從該保持面分開的分開部分持續噴附離子化空氣，直到該保護構件的下表面全部從該保持面分開並進一步讓該保護構件的下表面從該保持面分開預定的距離為止， 且一邊去除該保護構件所帶有的靜電一邊將被加工物從該保持面搬出。 發明效果
在第1處理裝置中，是藉由一邊讓切割膠帶的下表面中的從保持組件的保持面分開的部分之面積逐漸地變大，一邊讓離子產生器對此部分噴附離子化空氣，而將切割膠帶所帶有的靜電去除。因此，可以既抑制從保持組件的保持面分開的切割膠帶帶電之情形，並且一邊將切割膠帶所帶有的靜電去除一邊將工件組從保持面搬出。藉此，已從保持組件的保持面分開的切割膠帶難以帶有靜電。因此，可以抑制工件組之形成於被加工物的器件的品質的降低。
在第2處理裝置中，是一邊讓保護構件的下表面中的從保持組件的保持面分開的部分之面積逐漸地變大，一邊讓離子產生器對此部分噴附離子化空氣，而將保護構件所帶有的靜電去除。因此，可以既抑制從保持組件的保持面分開的保護構件帶電之情形，並且一邊將保護構件所帶有的靜電去除一邊將被加工物從保持面搬出。藉此，已從保持組件的保持面分開的保護構件難以帶有靜電。因此，可以抑制形成於被加工物之器件的品質的降低。
用以實施發明之形態
如圖1所示，本實施形態之切割裝置1是處理裝置之一例，且對被加工物即晶圓W進行切割加工。
晶圓W具有大致圓形形狀，且在正面形成有格子狀的分割預定線L。在藉由分割預定線L所區劃出的各區域中形成有各種器件(未圖示)。
於晶圓W的背面貼附有切割膠帶T1。於切割膠帶T1的外周貼附有環形框架F。亦即，工件組W1是藉由將切割膠帶T1貼附於環形框架F與已配置在環形框架F之開口的晶圓W來一體化而形成。
如此，晶圓W是以透過切割膠帶T1被環形框架F所支撐之工件組W1的狀態，在切割裝置1中被加工。又，工件組W1是容置於未圖示之片匣，並搬入切割裝置1。
切割裝置1具有支撐台10、設置於支撐台10的工作夾台20、及豎立設置在支撐台10之長方體形的殼體12。
於支撐台10的一端側設有片匣載台16，前述片匣載台16可供保持複數個工件組W1之片匣(未圖示)載置。
於片匣載台16與工作夾台20之間，設置有搬送工件組W1的推拉組件17。推拉組件17具備有：推拉臂171，使晶圓W從片匣出入；及推拉臂移動機構172，使推拉臂171在Y軸方向上往返移動。
又，於工作夾台20的殼體12側設有暫置工件組W1的暫置組件18。推拉組件17是從片匣載台16上的片匣將加工前的工件組W1搬送及載置到暫置組件18。暫置組件18是實施工件組W1的X軸方向的定位。
在工作夾台20之上部中的殼體12的前表面，設置有搬送組件30。搬送組件30會將暫置組件18上的工件組W1保持、並搬送及載置到工作夾台20。又，搬送組件30是在工作夾台20與旋轉洗淨單元24之間搬送工件組W1。
搬送組件30具備有保持工件組W1的框架保持部31、使框架保持部31在Y軸方向上移動的框架保持部移動機構33、以及使框架保持部31在Z軸方向上升降的框架保持部升降機構35。
框架保持部31具備有保持工件組W1的環形框架F之4個保持部32。保持部32是所謂的吸盤，且可以吸附保持工件組W1的環形框架F。 又，框架保持部升降機構35是使框架保持部31在垂直於工作夾台20的保持面23的方向上移動之構成，且是升降組件之一例。
工作夾台20是固定在移動板21上。移動板21是與蛇腹狀的防水蓋C一起覆蓋支撐台10的上表面中央的開口。在移動板21及防水蓋C的下方設有使移動板21及工作夾台20於X軸方向上移動之例如滾珠螺桿式的切割進給機構(未圖示)。
工作夾台20是保持組件之一例，且具有由多孔陶瓷材所構成之保持面23。藉由在此保持面23所產生的負壓，可隔著切割膠帶T1吸引保持工件組W1。在工作夾台20的周圍設置有4個夾具22。可藉由各夾具22而從四方將工件組W1的環形框架F夾持固定。
工作夾台20是在保持有工件組W1的狀態下，與移動板21一起被切割進給機構從支撐台10上搬運至殼體12的內部的加工空間。在加工空間設有圖2所示之切割機構41。在加工空間中，是藉由切割機構41將晶圓W切割加工。
切割機構41是一邊對晶圓W供給水(切割水)一邊處理(切割加工)晶圓W的機構，且是處理機構之一例，其中前述晶圓W是已保持於工作夾台20的保持面23之工件組W1的晶圓W。
如圖2所示，切割機構41具備有具有水平方向之旋轉軸的主軸42、以及可與主軸42一起旋轉的切割刀片43。 在切割加工之時，是一邊使主軸42旋轉一邊使切割刀片43下降，而使切割刀片43接觸於晶圓W。在切割刀片43與晶圓W的接觸部分，可藉由未圖示之切割水供給組件來供給切割水。此外，保持有工件組W1的工作夾台20在水平面內朝與主軸42的旋轉軸正交的方向移動。 如此進行，切割刀片43會沿著工件組W1中的晶圓W的分割預定線L(參照圖1)來切割加工晶圓W。
已將晶圓W切割加工後，圖1所示之工作夾台20及移動板21是藉由切割進給機構而返回到支撐台10上。並且，工件組W1是藉由搬送組件30而從工作夾台20被送到工作夾台20的後側之旋轉洗淨單元24。
旋轉洗淨單元24具備有保持工件組W1的旋轉工作台27、以及朝向已保持在旋轉工作台27的工件組W1噴射洗淨水及乾燥空氣之各種噴嘴(未圖示)。 旋轉工作台27是保持組件之一例，且具有隔著切割膠帶T1來保持工件組W1的旋轉保持面28。
在旋轉洗淨單元24中，保持有工件組W1的旋轉工作台27會高速旋轉。並且，可朝向正在高速旋轉的工件組W1噴射洗淨水，來洗淨工件組W1。之後，噴射乾燥空氣來將工件組W1乾燥。 已乾燥的工件組W1是藉由搬送組件30而從旋轉工作台27取下。
如此，旋轉洗淨單元24是一邊對晶圓W供給水(洗淨水)一邊處理(洗淨)晶圓W之單元，且是處理組件之一例，其中前述晶圓W是已保持於旋轉工作台27的旋轉保持面28之工件組W1的晶圓W。
在殼體12的側面設置有觸控面板40。可在觸控面板40顯示有關於切割裝置1之加工條件等的各種資訊。又，觸控面板40亦可為了設定加工條件等的各種資訊而使用。如此，觸控面板40作為顯示各種資訊的顯示組件(顯示畫面)而發揮功能，並且也作為用於輸入資訊的輸入組件而發揮功能。 又，在殼體12的內部具備有控制切割裝置1的各構件之控制部14。
又，在工作夾台20中的-Y方向側及+Y方向側，是將一對離子產生器51設置成沿著Y軸方向夾著工作夾台20。此外，在旋轉洗淨單元24中的-Y方向側及+Y方向側，也是將一對離子產生器51設置成沿著Y軸方向夾著旋轉工作台27。
如圖3所示，離子產生器51具有複數個送風口53。離子產生器51內置有風扇(未圖示)，並構成為使風扇旋轉來從外部攝入空氣，並從送風口53吹出為離子化空氣。 再者，離子產生器51亦可是不使用風扇的構成。在該情況下，是使其與空氣供給源連通，並將從空氣供給源所供給的空氣從送風口53吹出為離子化空氣。
設置成夾著工作夾台20的離子產生器51是以將送風口53朝向工作夾台20的方式配置。這些離子產生器51是朝向工作夾台20的保持面23吹出離子化空氣。從而，在將工件組W1從保持面23分開時，離子產生器51是朝向工件組W1中的切割膠帶T1的下表面吹出離子化空氣。藉此，離子產生器51將切割膠帶T1所帶有的靜電去除。
另一方面，設置成夾著旋轉洗淨單元24的旋轉工作台27之離子產生器51，是以將送風口53朝向旋轉工作台27的方式配置。這些離子產生器51是朝向旋轉工作台27的旋轉保持面28吹出離子化空氣。從而，在將工件組W1從旋轉保持面28分開時，離子產生器51是朝向工件組W1中的切割膠帶T1的下表面吹出離子化空氣。藉此，離子產生器51將切割膠帶T1所帶有的靜電去除。
接著，說明切割裝置1中的由搬送組件30所進行之工件組W1的搬送動作。以下的動作是藉由例如控制部14的控制來實施。
將已載置於工作夾台20之工件組W1於藉由圖2所示之切割機構41來切割加工，且讓工作夾台20返回到支撐台10上之後，控制部14會控制搬送組件30，而將工件組W1從工作夾台20取下並搬送至旋轉洗淨單元24。
也就是，首先，如圖4所示，可將搬送組件30配置在已載置於工作夾台20的保持面23之工件組W1的上方。如此圖所示，框架保持部31的保持部32是透過吸引閥36而連接到吸引源37。藉由將吸引閥36開放，可將保持部32連通於吸引源37而讓保持部32具有吸引力。再者，在圖4所示之狀態下，吸引閥36是關閉的。
之後，如圖5所示，讓已將工件組W1的環形框架F固定住之夾具22從環形框架F退開。此外，將吸引閥36開放，並且搬送組件30的框架保持部升降機構35將框架保持部31朝下方(-Z方向)移動，直到該保持部32吸附保持環形框架F為止。
當保持部32已吸附保持環形框架F後，如圖6所示，框架保持部升降機構35將框架保持部31朝上方(+Z方向)移動。 此時，框架保持部升降機構35是如圖6及圖7所示，使保持環形框架F的框架保持部31上升，以使工件組W1的切割膠帶T1的下表面從外周部分開始朝向中央逐漸地從保持面23分開。
亦即，在框架保持部31(工件組W1)的上升的開始時，是透過框架保持部31的保持部32及環形框架F，將柔軟的切割膠帶T1的外周部分舉起。藉此，撓曲成切割膠帶T1的中央變得較低，而變形成外周部分朝上方翹曲。然後，隨著框架保持部31的上升，切割膠帶T1的下表面中的已從保持面23分開的部分朝向中央部分而擴大。亦即，隨著框架保持部31的上升，切割膠帶T1的下表面中的從工作夾台20的保持面23分開的部分的面積逐漸地變大。
又，此時，如圖7所示，離子產生器51會從例如切割膠帶T1的下表面的外周部分已開始從保持面23分開時起，對切割膠帶T1的下表面中的已從保持面23分開的部分噴附離子化空氣A1。
然後，如圖7及圖8所示，離子產生器51是朝切割膠帶T1的下表面中的已從保持面23分開的部分持續噴附離子化空氣A1，直到切割膠帶T1的下表面全部從保持面23分開並進一步讓切割膠帶T1的下表面從保持面23分開預定的距離D1為止。 此距離D1是例如保持面23與切割膠帶T1的下表面之間的靜電的相互作用變得小到可以忽略的程度之距離。
如以上，在本實施形態中，是藉由一邊將切割膠帶T1的下表面中的從工作夾台20的保持面23分開的分開部分的面積逐漸地變大，一邊讓離子產生器51對此部分噴附離子化空氣A1，而將切割膠帶T1所帶有的靜電去除。因此，可以既抑制從工作夾台20的保持面23分開的切割膠帶T1帶電之情形，並且一邊將切割膠帶T1所帶有的靜電除去一邊將工件組W1從保持面23搬出。藉此，使已從工作夾台20的保持面23分開的切割膠帶T1難以帶有靜電。因此，可以抑制工件組W1之形成於晶圓W的器件的品質的降低。
再者，「切割膠帶T1的下表面從外周部分開始朝向中央逐漸地從保持面23分開」意指例如以下情形：首先使切割膠帶T1的下表面中的僅外周部分從保持面23分開，另一方面，其他部分仍接觸於保持面23，之後，切割膠帶T1的下表面中的從保持面23分開的部分，隨著框架保持部31的上升而朝中央部分擴大，當中央部分已分開時，切割膠帶T1的下表面的整體即從保持面23分開。
又，在本實施形態中，作為由搬送組件30所進行之工件組W1的搬送動作之例，已針對從工作夾台20的保持面23將工件組W1取下之動作進行說明。有關於此，在從圖1所示之旋轉洗淨單元24中的旋轉工作台27之旋轉保持面28取下工件組W1時，搬送組件30及離子產生器51也是實施同樣的動作。
亦即，搬送組件30的框架保持部升降機構35是與使用圖4~圖8所示的動作同樣地，使工件組W1從旋轉保持面28上升，以使切割膠帶T1的下表面中的從旋轉工作台27的旋轉保持面28分開的分開部分之面積逐漸地變大。此時，設置成夾著旋轉洗淨單元24的離子產生器51朝切割膠帶T1中的從旋轉保持面28分開的部分噴附離子化空氣。
藉此，可抑制從旋轉保持面28分開的切割膠帶T1帶電之情形，並且將切割膠帶T1所帶有的靜電去除。因此，可以使已從旋轉保持面28分開的切割膠帶T1難以帶有靜電。從而，可以抑制工件組W1之形成於晶圓W的器件的品質的降低。
又，在本實施形態中，在搬送組件30的框架保持部31所具備的保持部32為吸盤。 又，在本實施形態中，框架保持部31具備有4個保持部32。有關於此，框架保持部31只要具備有至少3個保持部32即可。
又，在本實施形態中，作為對被加工物進行加工處理的處理裝置，例示有切割加工晶圓W的切割裝置1。本實施形態的處理裝置亦可為例如以下裝置來取而代之：對被加工物進行磨削加工的磨削裝置、藉由雷射光來加工被加工物的雷射加工裝置、對被加工物進行刀具切割的刀具切割裝置、用於將被加工物分割成晶片的擴張裝置、或是將膠帶安裝到被加工物的膠帶貼合機。
在此，說明本實施形態之處理裝置為磨削裝置的情況。 如圖9所示，磨削裝置2具有用於保持被加工物之作為保持組件之工作夾台60、對被加工物進行磨削處理的處理組件55、用於對工作夾台60搬送(搬入及搬出)被加工物的搬送機構71、圖3所示的離子產生器51、以及控制磨削裝置2的各構件的控制部57。
如圖10所示，在作為被加工物的晶圓W中，在其中一面即正面Wa形成有未圖示的器件。晶圓W的正面Wa在圖10中是朝向下方，並藉由貼附為保護構件的保護膠帶T2而被保護。晶圓W的另一面即背面Wb，是成為施行磨削處理的被加工面。
工作夾台60具有由多孔陶瓷材所構成的保持面63。可藉由產生於此保持面63的負壓，而隔著保護膠帶T2來吸引保持晶圓W。 圖9所示的處理組件55是對保持於此保持面63的晶圓W進行磨削處理。
又，如圖10所示，搬送機構71具備有保持晶圓W的搬送墊72、透過連結部76保持搬送墊72的搬送臂74、及使搬送墊72及搬送臂74升降的升降組件75。
搬送墊72具有用於保持晶圓W之平行於工作夾台60的保持面63的向下的吸附面73。在藉由搬送機構71將已保持於工作夾台60的保持面63之晶圓W搬出時，吸附面73是對已保持在保持面63之晶圓W的背面Wb進行吸附保持。
搬送墊72是透過連結部76而安裝在搬送臂74的前端。 連結部76是以貫通於設置在搬送臂74的前端的貫通孔77的狀態安裝於搬送臂74。連結部76在上端具有擴徑部81，而使從貫通孔77脫落之情形受到抑制。
連結部76之下端是安裝於搬送墊72的上表面。又，搬送臂74的下表面與搬送墊72的上表面之間配設有彈簧83，前述彈簧83是設置成包圍連結部76。彈簧83是將搬送臂74的下表面與搬送墊72的上表面朝讓其等相互遠離的方向賦與勢能。
搬送臂74的基端側是安裝於升降組件75。升降組件75是使搬送墊72及搬送臂74沿著垂直於工作夾台60的保持面63之方向即Z軸方向升降。
又，在搬送臂74的上表面74a安裝有傾斜變更組件85，前述傾斜變更組件85是變更搬送墊72的吸附面73與工作夾台20的保持面23之相對的傾斜度。傾斜變更組件85是構成為可藉由控制部57的控制而沿著搬送臂74的延伸方向移動。
傾斜變更組件85，在其前端具有楔形的楔部86。傾斜變更組件85可藉由在搬送臂74的上表面74a朝搬送臂74的前端方向移動，而使楔部86進入上表面74a與連結部76的擴徑部81之間。
又，於工作夾台60中的-X側是將圖3所示的離子產生器51以讓其送風口53朝向工作夾台60的狀態來設置。離子產生器51是朝向工作夾台60的保持面63吹出離子化空氣。 從而，在藉由搬送墊72將晶圓W從保持面63分開時，離子產生器51是朝向晶圓W的保護膠帶T2的下表面吹出離子化空氣。藉此，離子產生器51將保護膠帶T2所帶有的靜電去除。
在此，說明由搬送機構71所進行之晶圓W的搬送動作。以下的動作是藉由例如控制部57的控制來實施。 將已載置於工作夾台60之晶圓W藉由圖9所示之處理組件55來磨削加工後，控制部57會控制搬送機構71，而將晶圓W從工作夾台60取下。
亦即，首先，如圖10所示，將搬送機構71配置在已載置於工作夾台60的保持面63之晶圓W的上方。如此圖所示，安裝在搬送臂74之搬送墊72的吸附面73是透過吸引閥91而連接到吸引源92。藉由將吸引閥91開放，可將吸附面73連通於吸引源92而讓吸附面73具有吸引力。再者，在圖10所示之狀態下，吸引閥91是關閉的。
之後，將吸引閥91開放，並且搬送機構71的升降組件75使搬送臂74朝下方(-Z方向)移動到搬送墊72的吸附面73保持(吸附)晶圓W為止。
在吸附面73保持有晶圓W之後，如圖11所示，藉由傾斜變更組件85在搬送臂74的上表面74a朝搬送臂74的前端方向(+X方向)移動，使楔部86進入上表面74a與連結部76的擴徑部81之間。
當像這樣使楔部86進入到搬送臂74的上表面74a與連結部76的擴徑部81之間時，連結部76中的搬送臂74的基端側(-X側)之部分會逐漸被楔部86所舉起。其結果，被連結部76所支撐的搬送墊72的吸附面73相對於工作夾台60的保持面63逐漸地傾斜成使-X側變得較高。
如此進行，傾斜變更組件85會將吸附保持了被保持面63所保持之晶圓W的搬送墊72的吸附面73與保持面63的相對的傾斜度，從吸附面73與保持面63互相平行的狀態逐漸地變大。也就是說，傾斜變更組件85是讓搬送墊72的吸附面73從相對於工作夾台60的保持面63平行的狀態(傾斜度差為零的狀態)，逐漸地傾斜(傾斜度差變大的狀態)。藉此，使晶圓W的保護膠帶T2的下表面中的-X側從保持面63一點一點地分開。如此進行，傾斜變更組件85會將晶圓W的保護膠帶T2的下表面中的從保持面63分開的分開部分的面積逐漸地變大。
又，此時，如圖11所示，位於工作夾台60的-X側的離子產生器51從例如保護膠帶T2的一部分已開始從保持面63分開時起，對保護膠帶T2的下表面中的從保持面63分開的分開部分噴附離子化空氣A2。
之後，升降組件75使搬送臂74朝上方(+Z方向)移動。藉此，可使保護膠帶T2的下表面中的從保持面63分開的分開部分進一步擴大地露出。 然後，如圖11及圖12所示，離子產生器51是朝保護膠帶T2的下表面中的已從保持面63分開的部分持續噴附離子化空氣A2，直到保護膠帶T2的下表面全部從保持面63分開並進一步讓保護膠帶T2的下表面從保持面63分開預定的距離D2為止。 此距離D2是例如保持面63與保護膠帶T2的下表面之間的靜電的相互作用變得小到可以忽略的程度之距離。
像這樣，即使在磨削裝置2中，也是藉由一邊將保護膠帶T2的下表面中的從保持面63分開的分開部分的面積逐漸地變大，一邊讓離子產生器51對此部分噴附離子化空氣A2，而將保護膠帶T2所帶有的靜電去除。因此，可以既抑制從工作夾台60的保持面63分開的保護膠帶T2帶電之情形，並且一邊將保護膠帶T2所帶有的靜電去除一邊將晶圓W從保持面63搬出。藉此，已從保持面63分開的保護膠帶T2難以帶有靜電。因此，可以抑制形成於晶圓W的器件的品質的降低。
再者，磨削裝置2具備有1個離子產生器51。取而代之，磨削裝置2亦可具備複數個離子產生器51。
又，在本實施形態中，傾斜變更組件85是構成為使搬送墊72的吸附面73傾斜。傾斜變更組件只要是可以變更搬送墊72的吸附面73與工作夾台60的保持面63的相對的傾斜度之組件即可，並不受限於此。例如，磨削裝置2亦可具備變更(調整)工作夾台60的保持面63之傾斜度的傾斜變更組件，來取代此傾斜變更組件85。這種傾斜變更組件已揭示於例如日本專利特開2013-119123號公報中。
在此構成中，傾斜變更組件是讓保持有晶圓W的工作夾台60的保持面63從相對於吸附保持了晶圓W的搬送墊72的吸附面73平行的狀態逐漸地傾斜。在此構成中，也可以將晶圓W的保護膠帶T2的下表面中的從保持面63分開的分開部分的面積逐漸地變大，且可以讓離子產生器51對此部分噴附離子化空氣。
1:切割裝置 2:磨削裝置 10:支撐台 12:殼體 14:控制部 16:片匣載台 17:推拉組件 171:推拉臂 172:推拉臂移動機構 18:暫置組件 20:工作夾台 21:移動板 22:夾具 23:保持面 24:旋轉洗淨單元 27:旋轉工作台 28:旋轉保持面 30:搬送組件 31:框架保持部 32:保持部 33:框架保持部移動機構 35:框架保持部升降機構 36,91:吸引閥 37,92:吸引源 40:觸控面板 41:切割機構 42:主軸 43:切割刀片 51:離子產生器 53:送風口 55:處理組件 57:控制部 60:工作夾台 63:保持面 71:搬送機構 72:搬送墊 73:吸附面 74:搬送臂 74a:上表面 75:升降組件 76:連結部 77:貫通孔 81:擴徑部 83:彈簧 85:傾斜變更組件 86:楔部 A1,A2:離子化空氣 C:防水蓋 D1,D2:距離 F:環形框架 L:分割預定線 T1:切割膠帶 T2:保護膠帶 W:晶圓 Wa:正面 Wb:背面 W1:工件組 X,Y,+X,-X,+Y,-Y,+Z,-Z:方向
圖1是本實施形態之加工裝置的立體圖。 圖2是顯示切割機構的說明圖。 圖3是顯示離子產生器的構成的立體圖。 圖4是顯示正在將搬送組件配置在已保持於工作夾台的保持面之工件組上之狀態的說明圖。 圖5是顯示工件組的環形框架已被搬送組件的保持部所保持之狀態的說明圖。 圖6是顯示工件組的環形框架已被搬送組件的保持部舉起之狀態的說明圖。 圖7是顯示工件組中的切割膠帶的下表面之外周部分已從保持面分開之狀態的說明圖。 圖8是顯示切割膠帶的下表面已從工作夾台的保持面分開到預定的距離之狀態的說明圖。 圖9是顯示磨削裝置之構成的方塊圖。 圖10是顯示正在將搬送組件配置在已保持於工作夾台的保持面之晶圓上之狀態的說明圖。 圖11是顯示晶圓的保護膠帶的下表面的一部分正在從工作夾台的保持面分開之狀態的說明圖。 圖12是顯示保護膠帶的下表面已從工作夾台的保持面分開到預定的距離之狀態的說明圖。
20:工作夾台
22:夾具
23:保持面
31:框架保持部
32:保持部
35:框架保持部升降機構
36:吸引閥
37:吸引源
51:離子產生器
A1:離子化空氣
F:環形框架
T1:切割膠帶
W:晶圓
W1:工件組
X,+Y,-Y,+Z,-Z:方向

Claims (2)

  1. 一種處理裝置，具備： 保持組件，具有保持工件組的保持面，前述工件組是將切割膠帶貼附於環形框架與已配置在該環形框架的開口之被加工物來一體化之工件組，且前述保持面是隔著該切割膠帶來保持前述工件組； 處理組件，一邊對被加工物供給水一邊處理該被加工物，其中前述被加工物是已保持於該保持面之該工件組的被加工物； 升降組件，使具備有至少3個保持部的框架保持部在垂直於該保持面的方向上移動，且前述保持部是保持已保持於該保持面之該工件組的該環形框架；及 離子產生器，對該切割膠帶的下表面噴附離子化空氣，而將該切割膠帶所帶有的靜電去除， 又，該升降組件是構成為：使保持該工件組的該環形框架之該框架保持部上升，以讓該工件組的該切割膠帶的下表面從外周部分開始朝向中央逐漸地從該保持面分開， 該離子產生器是構成為：朝該切割膠帶的下表面中的已從該保持面分開的部分持續噴附離子化空氣，直到該切割膠帶的下表面全部從該保持面分開並進一步讓該切割膠帶的下表面從該保持面分開預定的距離為止， 且一邊去除該切割膠帶所帶有的靜電一邊將被加工物從該保持面搬出。
  2. 一種處理裝置，具備： 保持組件，具有保持面，前述保持面將於其中一面具有保護構件的被加工物隔著該保護構件來保持； 處理組件，處理被該保持面所保持的被加工物； 升降組件，使具有吸附面的搬送墊在垂直於該保持面的方向上移動，前述吸附面是吸附保持其中一面已被該保持面所保持的被加工物的另一面；及 離子產生器，對該保護構件的下表面噴附離子化空氣，而將該保護構件所帶有的靜電去除， 又，前述處理裝置更具備變更該搬送墊的該吸附面與該保持面之相對的傾斜度的傾斜變更組件， 該傾斜變更組件是構成為：將吸附保持了被該保持面所保持的被加工物之該搬送墊的該吸附面與該保持面之相對的傾斜度，從該吸附面與該保持面互相平行的狀態逐漸地變大，藉此讓該被加工物的該保護構件的下表面中的從該保持面分開的分開部分之面積逐漸地變大， 該離子產生器是構成為：朝該保護構件的下表面中的從該保持面分開的分開部分持續噴附離子化空氣，直到該保護構件的下表面全部從該保持面分開並進一步讓該保護構件的下表面從該保持面分開預定的距離為止， 且一邊去除該保護構件所帶有的靜電一邊將被加工物從該保持面搬出。
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