JP7252871B2 - 基体構造体及び基体構造体を用いた電子デバイス - Google Patents

Description

本開示は、基体構造体及び基体構造体を用いた電子デバイスに関する。

例えば、弾性波チップを用いた電子デバイスとして特許文献１（弾性表面波装置）が知られている。特許文献１に開示される弾性表面波装置は、回路配線基板と、この回路配線基板に実装された弾性表面波素子と、この弾性表面波素子の側面を囲い回路配線基板に接合された封止樹脂と、を有している。回路配線基板と弾性表面波素子との間には、空間が位置している。

特開２０１７－１７５４２７号公報

耐久性のある基体構造体及び電子デバイスの提供が待たれている。

本開示の一態様にかかる基体構造体は、
第１面と、前記第１面上に位置する第１パッドと、を有する基体と、
前記第１面に重ねられ、前記第１パッドを囲う第１開口部があけられた接合部材と、
を有し、
前記接合部材は、補強材と、前記補強材に含浸された母材と、を有している。

本開示の一態様にかかる電子デバイスは、
第１面と、前記第１面上に位置する第１パッドと、を有する基体と、
前記第１面に重ねられ、前記第１パッドを囲う第１開口部があけられた接合部材と、
前記第１開口部を介して前記第１面と対向している第１チップと、
前記第１チップ及び前記第１パッドを接合している第１バンプと、
前記第１チップの外周面を覆うと共に、前記接合部材によって前記基体に接合されている封止部と、
を有し、
前記接合部材は、補強材と、前記補強材に含浸された母材と、を有している。

上記構成によれば、基体構造体及び電子デバイスの耐久性を向上させることができる。

実施形態による基体構造体の斜視図である。 図１に示された基体構造体のII－II線断面図である。 図２に示されたIII拡大図である。 図４Ａは、複数のセラミックグリーンシートを積層した積層体を焼成することによって作成された基体を示す図であり、図４Ｂは、第１開口部及び第２開口部があけられた接合部材を作成することを説明する図であり、図４Ｃは、基体に接合部材を重ねることによって作成された基体構造体を示す図である。 図５Ａは、基体構造体と対象物とを接触させることを示した図であり、図５Ｂは、基体構造体及び対象物を圧着することを示した図であり、図５Ｃは、図５ＢのＶｃ拡大図である。 図２に示された基体構造体の変形例である。 図１に示された基体構造体を用いた電子デバイスの斜視図である。 図７に示された電子デバイスのVIII－VIII線断面図である。 図８に示された第１チップ又は第２チップの斜視図である。 図８に示されたX拡大図である。 図１１Ａは、第１変形例における電子デバイスの第１チップ周辺を説明する図であり、図１１Ｂは、第２変形例における電子デバイスの第１チップ周辺を説明する図である。

本開示の実施形態を添付図を用いて以下説明する。前後左右上下の各方向は、図１を基準として、Ｆｒは前、Ｒｒは後、Ｌｅは左、Ｒｉは右、Ｕｐは上、Ｄｎは下を示している。尚、参照する各図面は模式的に示されており、細部が省略されていることもある。

［実施形態］
（基体構造体）
図１を参照する。例えば、基体構造体１０には、電子部品Ｐａ１、Ｐａ２を含んでいる対象物Ｏｂが接合される。例えば、基体構造体１０は、電子部品Ｐａ１、Ｐａ２のパッケージの一部を構成し、電子部品Ｐａ１、Ｐａ２と不図示の回路基板との電気的な接続の仲介に寄与する。尚、基体構造体１０に接合される対象物Ｏｂは、基体構造体１０よりも大きくてもよいし、基体構造体１０よりも小さくてもよい。

図１及び図２を参照する。例えば、基体構造体１０は、基体２０と、この基体２０に重ねられた接合部材４０と、を有している。

（基体）
基体２０の形状は、任意である。図１に示す基体２０は、平板形状を呈した基板である。平板形状を呈する基体２０は、平面視において、矩形状を呈していてもよいし、円形状を呈していてもよいし、楕円形状を呈していてもよい。更に、基体２０は、その全体が立方形状または円柱形状等を呈していてもよい。

基体２０のヤング率は、例えば、２５０～４２０ＧＰａである。基体２０の熱膨張係数は、例えば、５～１２ｐｐｍ／Ｋである。

１つの態様として、基体２０は、上面及び下面のみに合計２つの導体層を有する両面板である。１つの態様として、基体２０は、上面にのみ導体層を有する単層基板である。１つの態様として、基体２０は、３層以上の導体層を有する多層板である。本実施形態においては、多層板の基板が示されている。

図２に示す基体２０は、絶縁性の基体本体部２１と、この基体本体部２１の内部及び表面（外部）に位置する導体３０と、を有している。

基体本体部２１の材料は、任意である。例えば、基体本体部２１の材料は、無機材料であってもよいし、有機材料であってもよい。無機材料としては、例えば、セラミック、複数の無機粒子を互いに結合したアモルファス状態の材料を挙げることができる。有機材料としては、例えば、樹脂を挙げることができる。樹脂は、例えば、フィラーを含んでいてもよい。本実施形態では、基体本体部２１の材料が無機材料である場合を例に取る。

図２に示す基体本体部２１は、接合部材４０が重ねられた第１面２１ａと、この第１面２１ａの反対側に位置する第２面２１ｂと、これら第１面２１ａ及び第２面２１ｂを繋いでいる第３面２１ｃと、を有している。

導体３０は、基体本体部２１の第１面２１ａに位置する複数のパッド３１Ａ～３１Ｄと、第２面２１ｂに位置する複数の端子３２Ａ～３２Ｆと、これらパッド３１Ａ～３１Ｄ及び端子３２Ａ～３２Ｆを繋ぐと共に基体本体部２１の内部に位置している内部導体３３と、を有している。以下、複数のパッド３１Ａ～３１Ｄの中から任意に選択した１つを単にパッド３１と呼び、複数の端子３２Ａ～３２Ｆの中から任意に選択した１つを単に端子３２と呼ぶこともある。

パッド３１Ａ～３１Ｄの大きさ及び形状は、任意である。例えば、パッド３１Ａ～３１Ｄの厚さは、１μｍ以上３０μｍ以下である。パッド３１Ａ～３１Ｄは、その厚さが全て同一であってもよいし、その厚さがそれぞれ異なっていてもよいし、一部のパッド３１Ａのみが他のパッド３１Ｂ、３１Ｃ、３１Ｄとの関係で厚さが異なっていてもよい。平面視におけるパッド３１Ａ～３１Ｄの形状は、例えば、円形状であってもよいし、楕円形状であってもよいし、矩形状であってもよい。パッド３１Ａ～３１Ｄは、その全ての形状が同一であってもよいし、その一部のパッド３１Ａのみが他のパッド３１Ｂ、３１Ｃ、３１Ｄとの関係で形状が異なっていてもよい。

パッド３１の数は、任意に設定することができる。例えば、パッド３１の数は、４以上であってもよいし、８以上であってもよい。パッド３１の数は、端子３２の数に合わせて設定してもよい。尚、端子３２の数は、任意に設定することができる。

端子３２Ａ～３２Ｆの大きさ及び形状は、任意である。１つの態様として、端子３２Ａ～３２Ｆは、矩形の平板形状を呈していてもよい。１つの態様として、端子３２Ａ～３２Ｆは、上下方向に所定の長さを有する針形状を呈していてもよい。複数の端子３２Ａ～３２Ｆは、その全てが同一の大きさであってもよいし、それぞれ大きさが異なっていてもよいし、大きさが異なる端子及び大きさが同一の端子が混在していてもよい。

内部導体３３は、ビア導体及び導体パターンによって構成されている。これらビア導体及び導体パターンは、互いに連続している。ビア導体の径は、例えば、６０μｍ以上２００μｍ以下としてもよい。ビア導体は、例えば、その断面の形状が円形状であってもよいし、矩形状であってもよい。導体パターンは、層状を呈している。導体パターンの厚さは、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下としてもよい。

尚、上記構成以外に、基体２０の上面には、ソルダレジストが塗布されていてもよい。

（接合部材）
図１を参照する。接合部材４０は、基体２０に重ねられており、基体２０と対象物Ｏｂとの接合に寄与する。接合部材４０は、基体２０に接合された状態で重ねられていてもよいし、基体２０に接合されていない状態で重ねられていてもよい。

接合部材４０の形状は、任意である。図１に示す接合部材４０は、層状（平板形状を含む）を呈している。接合部材４０は、平面視にいて、矩形状を呈していてもよいし、円形状を呈していてもよい。接合部材４０は、接合部材４０が重ねられる基体２０の面の形状に合わせて、その形状を変更してもよい。

平面視において、接合部材４０は、第１面２１ａよりも僅かに大きくてもよいし、基体２０の第１面２１ａよりも小さくてもよい。平面視における接合部材４０の大きさは、第１面２１ａの大きさと同一であってもよい。接合部材４０の厚さは、基体２０の厚さの１／２以下であってもよいし、１／４以下であってもよいし、１／８以下であってもよいし、１／２以上であってもよい。接合部材４０の厚さは、例えば、１５μｍ以上１００μｍ以下である。

接合部材４０（後述する母材６０）は、硬化状態の部材であってもよいし、半硬化（未硬化）状態の部材であってもよい。半硬化状態の接合部材４０は、例えば、熱が加えられることによって硬化する部材である。例えば、溶融した接合部材４０に対象物Ｏｂを当接させ、対象物Ｏｂが当接された状態で接合部材４０が硬化することによって、接合部材４０に対象物Ｏｂが接合される。

一方、硬化状態の接合部材４０は、溶融した対象物Ｏｂが接合部材４０と接触した状態で硬化することによって、対象物Ｏｂと接合する部材である。尚、硬化状態の接合部材４０は、熱が加えられることによって溶融し、溶融した状態で対象物Ｏｂと接触され、その後硬化することにより対象物Ｏｂと接合する部材であってもよい。

接合部材４０のヤング率は、例えば、１５～１５０ＧＰａである。接合部材４０のヤング率は、例えば、セラミックを含む基体２０のヤング率よりも小さい。接合部材４０の熱膨張係数は、例えば、１～８ｐｐｍ／Ｋである。接合部材４０の熱膨張係数は、例えば、セラミックを含む基体２０の熱膨張係数よりも小さい。

接合部材４０は、補強材５０と、この補強材５０に含浸された母材６０と、を有している。

図２を参照する。接合部材４０には、接合部材４０の上面及び下面に開口する２つの開口部４０ａ、４０ｂがあけられている。尚、一方の開口部４０ａ（図２において左側に位置する開口部４０ａ）を第１開口部４０ａと呼び、他方の開口部４０ｂ（図２において右側に位置する開口部４０ｂ）を第２開口部４０ｂと呼ぶ。第１開口部４０ａは、補強材５０にあけられた貫通穴５０ａ（後述する第１穴部５０ａ）、及び、母材６０にあけられた貫通穴６１（後述する第１貫通穴６１）が重なることによって構成されている。一方、第２開口部４０ｂは、補強材５０にあけられた貫通穴５０ｂ（後述する第２穴部５０ｂ）、及び、母材６０にあけられた貫通穴６２（後述する第２貫通穴６２）が重なることによって構成されている。第１開口部４０ａの内面は、パッド３１Ａ、３１Ｂを囲っており、第２開口部４０ｂの内面は、パッド３１Ｃ、３１Ｄを囲っている。

第１開口部４０ａ及び第２開口部４０ｂの大きさ及び形状は、任意である。第１開口部４０ａ及び第２開口部４０ｂは、それぞれ大きさが同一であってもよいし、大きさが異なっていてもよい。平面視における第１開口部４０ａ及び第２開口部４０ｂは、矩形状であってもよいし、円形状であってもよいし、楕円形状であってもよい。平面視における第１開口部４０ａ及び第２開口部４０ｂは、それぞれ同一の形状を呈していてもよいし、異なる形状を呈していてもよい。

（補強材）
接合部材４０を構成する補強材５０について説明する。１つの態様として、補強材５０は布である。布は、織布であってもよいし、不織布であってもよい。図２には、織布である補強材５０が示されている。補強材５０の密度は、任意に設定される。例えば、縦糸密度及び横糸密度は、それぞれ１０～１００本／２５ｍｍの範囲内に設定されてもよい。

補強材５０の大きさ及び形状は、任意である。平面透視において、補強材５０は、母材６０よりも大きくてもよいし、母材６０と同一の大きさであってもよいし、母材６０よりも小さくてもよい。更に、補強材５０の厚さ は、例えば、母材６０の厚さの１以下であってもよいし、母材６０の厚さの２／３以下であってもよいし、母材６０の厚さの１／３以下であってもよい。尚、補強材５０は、母材６０より厚くてもよい。補強材５０の厚さは、例えば、１５μｍ以上１００μｍ以下である。補強材５０は、平面透視において、例えば、矩形状を呈していてもよいし、円形状を呈していてもよい。

図２に示す補強材５０は、前後方向に延びている縦糸５１と、この縦糸５１に交差し左右方向に延びている横糸５２と、を有している。図３を併せて参照する。縦糸５１は、前後方向に延びる繊維部５１ａが複数集まって構成されている。一方、横糸５２は、左右方向に延びる繊維部５２ａが複数集まって構成されている。

縦糸５１及び横糸５２は、例えば、ガラス繊維のみによって構成されていてもよいし、炭素繊維のみによって構成されていてもよい。更に、縦糸５１及び横糸５２は、一部がガラス繊維で構成され、残部がガラス以外の素材（例えば、炭素繊維）によって構成されていてもよい。縦糸５１及び横糸５２がガラス繊維を含んでいる場合、補強材５０（布）は、ガラスクロスである、と言うことができる。ガラスクロスは、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を主成分とするガラスを含んでいてもよい。

縦糸５１は、縦糸５１が延びる方向に垂直な断面を見て、水平方向に繊維部５１ａが複数並んだ細長い形状をしていてもよい。一方、横糸５２は、横糸５２が延びる方向に垂直な断面を見て、水平方向に繊維部５２ａが複数並んだ細長い形状をしていてよい。縦糸５１及び横糸５２がこのような形状をしていることにより、ガラスクロス（布）を薄くすることができる。これにより、基体構造体１０がコンパクトになる。

図２に示す補強材５０は、その大部分が母材６０によって覆われている。別の観点では、補強材５０は、その大部分が母材６０の内部に位置し、一部を母材６０の表面から外部に露出させている。例えば、補強材５０は、その上面が母材６０の上面から外部に露出していてもよいし、その側面が母材６０の側面から外部に露出していてもよい。但し、その他の態様において、補強材５０は、その全体が母材６０の内部に位置していてもよい。

補強材５０における母材６０の外部に位置する部位の割合は、補強材５０における母材６０の内部に位置する部位の割合よりも大きくてもよいし、補強材５０における母材６０の内部に位置する部位の割合よりも小さくてもよい。補強材５０は、全体の体積における１％以下を外部に露出させていてもよいし、全体の体積における５％以下を外部に露出させていてもよいし、全体の体積における１０％以下を外部に露出させていてもよいし、全体の体積における５０％以下を外部に露出させてもよいし、全体の体積における５０％以上を外部に露出させていてもよい。

図２に示すように、補強材５０には、補強材５０の上面及び下面に開口する２つの貫通穴５０ａ、５０ｂがあけられている。以下、第１開口部４０ａを構成する貫通穴５０ａを第１穴部５０ａ（図２において左側に位置する貫通穴）と呼び、第２開口部４０ｂを構成する貫通穴５０ｂを第２穴部５０ｂ（図２において右側に位置する貫通穴）と呼ぶ。パッド３１Ａ、３１Ｂは、第１穴部５０ａの内側に位置しており、パッド３１Ｃ、３１Ｄは、第２穴部５０ｂの内側に位置している。

ところで、図２に示す母材６０には、第１穴部５０ａが位置する部位を上下に貫通する第１貫通穴６１、及び、第２穴部５０ｂが位置する部位を上下に貫通する第２貫通穴６２があけられている。第１貫通穴６１は、第１穴部５０ａと共に第１開口部４０ａを構成しており、第２貫通穴６２は、第２穴部５０ｂと共に第２開口部４０ｂを構成している。これら第１穴部５０ａ及び第２穴部５０ｂは、例えば、第１貫通穴６１及び第２貫通穴６２と共にレーザー又は打ち抜きによってあけられる。尚、母材６０における第１貫通穴６１及び第２貫通穴６２があけられた以外の部分（母材６０を構成する材料で満たされている部分）を中実部６３と呼ぶ。

再び、補強材５０（第１穴部５０ａ及び第２穴部５０ｂ）の説明に戻る。第１穴部５０ａ及び第２穴部５０ｂの大きさ及び形状は、任意である。例えば、第１穴部５０ａは、第１貫通穴６１よりも小さくてもよいし、第１貫通穴６１と同一の大きさであってもよいし、第１貫通穴６１よりも大きくてもよい。図２に示す第１穴部５０ａは、第１貫通穴６１よりも小さい。具体的には、平面視において、第１穴部５０ａの周縁に囲われる領域の面積は、第１貫通穴６１の周縁に囲われる領域の面積よりも小さい。更に、図２に示す第２穴部５０ｂは、第２貫通穴６２よりも小さい。具体的には、平面視において、第２穴部５０ｂの周縁に囲われる領域の面積は、第２貫通穴６２の周縁に囲われる領域の面積よりも小さい。

図２及び図３を参照する。図２に示す補強材５０は、その一部が母材６０にあけられた第１貫通穴６１及び／又は第２貫通穴６２それぞれの内壁６１ａ、６２ａから母材６０の外部に露出している。図３に示す例において、内壁６１ａ、６２ａから母材６０の外部に露出した補強材５０の部位は、縦糸５１の繊維部５１ａと横糸５２の繊維部５２ａとが接合している。つまり、補強材５０における母材６０の外部に露出した部位は、複数の繊維部が互いに接合している箇所を有している、ということができる。

尚、複数の繊維部が互いに接合している箇所を有しているとは、広義に解釈され、例えば、横糸５２の繊維部５２ａ及び横糸５２の繊維部５２ａのみが接合している場合も含み、縦糸５１の繊維部５１ａ及び縦糸５１の繊維部５１ａのみが接合している場合も含む。

次に、補強材５０における内壁６１ａ、６２ａから外部に露出した部位の全体を見る。１つの態様として、補強材５０における内壁６１ａ、６２ａから露出した部位は、内壁６１ａ、６２ａに沿って連続しており、その全体が枠状を呈している。１つの態様として、補強材５０における内壁６１ａ、６２ａから露出した部位は、その全体が不連続であり、平面視において内壁６１ａ、６２ａの中央に向かって突出する繊維部５１ａ及び／又は繊維部５２ａを所々に有している。

内壁６１ａ、６２ａから母材６０の外部に露出した補強材５０の部位における幅（水平方向の長さ）は、例えば、２０μｍ以下であってもよいし、その幅が１０μｍ以下であってもよいし、５μｍ以下であってもよいし、１μｍ以下であってもよいし、２０μｍ以上であってもよい。上記幅は、周方向に亘って同一であってもよいし、周方向の各部位で大きさが異なっていてもよい。尚、内壁６１ａ、６２ａ以外における母材６０の表面から露出した部位（補強材５０の部位）の大きさについても同様である。

最後に、補強材５０とパッド３１Ａ～３１Ｄとの関係について述べる。図３に示す補強材５０においては、内壁６１ａ、６２ａから露出した補強材５０の部位は、その上面がパッド３１Ａ～３１Ｄよりも上方に位置している。しかしながら、例えば、内壁６１ａ、６２ａから露出した補強材５０の部位は、その上面がパッド３１Ａ～３１Ｄよりも上方に位置していなくてもよい。

（母材）
図２に示す接合部材４０においては、母材６０は、概ね接合部材４０の外形を構成している。このため、例えば、母材６０の大きさ及び形状については、接合部材４０の大きさ及び形状を援用することができる。

図２を参照する。母材６０は、例えば、樹脂によって構成されている。樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、尿素樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬化樹脂を挙げることができる。母材６０は、硬化した状態であってもよいし、未硬化（例えば、半硬化）の状態であってもよい。なお、母材６０が未硬化状態の場合、母材６０と補強材５０との組み合わせ（接合部材４０）は、プリプレグである。

繰り返しになるが、接合部材４０にあけられた第１開口部４０ａ及び第２開口部４０ｂの内側には、パッド３１Ａ～３１Ｄが位置している。第１開口部４０ａの内側には、パッド３１Ａ、３１Ｂ（以下、第１パッド３１Ａ、３１Ｂと呼ぶ）が位置し、第２開口部４０ｂの内側には、パッド３１Ｃ、３１Ｄ（以下、第２パッド３１Ｃ、３１Ｄと呼ぶ）が位置している。第１パッド３１Ａ、３１Ｂは、第１開口部４０ａを構成する第１貫通穴６１の内壁６１ａに囲われており、第２パッド３１Ｃ、３１Ｄは、第２開口部４０ｂを構成する第２貫通穴６２の内壁６２ａに囲われている。

次に、基体構造体の製造方法における１つの例について説明する。

図４Ａを参照する。基体２０は、複数のセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成した後、これを焼成することによって作成することができる。図４Ｂを併せて参照する。接合部材４０は、例えば、内部にガラスクロス等の布を有するシート状の部材にレーザーまたはパンチング等によって貫通穴（第１開口部４０ａ及び第２開口部４０ｂ）をあけることによって作成することができる。第１開口部４０ａ及び第２開口部４０ｂをレーザーであける場合、レーザーの熱によって、内部に位置するガラスクロスを構成する複数の繊維部を接合させてもよい。尚、

図４Ｃを併せて参照する。基体２０及び接合部材４０を作成したら、基体２０の上面に接合部材４０を重ねる。この時、基体２０の上面に接合部材４０を接合してもよいし、基体２０の上面に接合部材４０を接合しなくてもよい。

次に、対象物を基体構造体に接合する方法における１つの例について説明する。

図１及び図２を参照する。図１には、基体構造体１０に実装される、１つの例による対象物Ｏｂが分解斜視図によって示されている。例えば、対象物Ｏｂは、パッド３１Ａ～３１Ｄに接続される電子部品Ｐａ１、Ｐａ２（後述するチップ７０、８０）と、これら電子部品Ｐａ１、Ｐａ２の一部（下面）を露出させ残部（上面及び側面）を覆っている封止部９０と、を有している。電子部品Ｐａ１、Ｐａ２は、パッド３１Ａ～３１Ｄに接続される下面が封止部９０から露出している。封止部９０は、例えば、樹脂であってよい。

図５を参照する。対象物Ｏｂを基体構造体１０に接合する方法の１つの例を説明する。例えば、図５Ａに示すように、基体構造体１０のパッド３１Ａ～３１Ｄにバンプ３Ａ～３Ｄを形成すると共に、バンプ３Ａ～３Ｄに電子部品Ｐａ１、Ｐａ２が接触するよう対象物Ｏｂを基体構造体１０の上面に載置する。次に、図５Ｂに示すように、バンプ３Ａ～３Ｄを溶融し電子部品Ｐａ１、Ｐａ２とパッド３１Ａ～３１Ｄとを電気的に接続する。この時、半硬化状態の接合部材４０を硬化させ、対象物Ｏｂを基体構造体１０に接合する。但し、封止部９０を溶融することによって、対象物Ｏｂと基体構造体１０とを接合してもよい。

尚、図５Ａ及び図５Ｂでは、電子部品Ｐａ１、Ｐａ２及び封止部９０を一体的に基体構造体１０に対し接合することによって、対象物Ｏｂを基体構造体１０に接合する方法について説明した。しかしながら、例えば、バンプ３Ａ～３Ｄを介して電子部品Ｐａ１、Ｐａ２とパッド３１Ａ～３１Ｄとを電気的に接続し、その後、電子部品Ｐａ１、Ｐａ２が覆われるよう接合部材４０の上面に溶融した樹脂を供給し、これを硬化させることにより対象物Ｏｂを基体構造体１０に接合してもよい。接合部材４０の上面への樹脂の供給は、例えば、スクリーン印刷又はディスペンサによって行ってもよい。尚、樹脂は、未硬化（液体又は半硬化）の状態であってもよいし、硬化した状態であってもよい。樹脂は、粉末であってもよい。

更には、上記方法以外にも、例えば、バンプ３Ａ～３Ｄを介して電子部品Ｐａ１、Ｐａ２とパッド３１Ａ～３１Ｄとを電気的に接続し、その後、電子部品Ｐａ１、Ｐａ２に被さるようシート状の樹脂を接合部材４０の上面に配置し、これを加圧及び加熱することによって樹脂を硬化させ、対象物Ｏｂを基体構造体１０に接合してもよい。尚、シート状の樹脂を溶融及び／又は硬化させる際に、加圧して樹脂を接合部材４０に密着させていてもよい。

図５Ｃを参照する。基体構造体１０に対象物Ｏｂを接合するために、封止部９０（樹脂）を溶融させることがある。このように封止部９０（樹脂）を溶融させる場合、溶融した樹脂は、例えば、第１開口部４０ａ及び第２開口部４０ｂ（図２参照）に流れ込もうとしたりする。例えば、溶融した樹脂が第１開口部４０ａ及び第２開口部４０ｂに流れ込むと、流れ込んだ樹脂は、母材６０にあけられた第１貫通穴６１の内壁６１ａ及び／又は第２貫通穴６２の内壁６２ａ（図２参照）に沿って進む。その後、溶融した樹脂は、内壁６１ａ、６２ａから露出した補強材５０の部位に到達する。これにより、溶融した樹脂が基体２０に向かうことが軽減される。

繰り返しになるが、対象物Ｏｂとの接合前における接合部材４０は、未硬化状態の部材であってもよいし、硬化状態の部材であってもよい。別の観点では、基体構造体１０は、接合部材４０が未硬化の状態で流通されてもよいし、接合部材４０が硬化した状態で流通されてもよい。但し、未硬化状態の接合部材４０であっても、接合部材４０は、対象物Ｏｂと接合すると硬化状態になる。尚、未硬化状態の接合部材４０は、対象物Ｏｂとの接合において、接合部材４０の上面に供給（配置）された溶融状態の樹脂よりも先に硬化してもよいし、接合部材４０の上面に供給された溶融状態の樹脂よりも後に硬化してもよい。

図５Ａ～図５Ｃを参照する。図５Ａ～図５Ｃには、１つの基体構造体１０に対し１つの対象物Ｏｂを接合する図がしめされている。しかしながら、基体構造体１０が複数配列された状態において、これら複数設けられた基体構造体１０に対し複数の対象物Ｏｂを同時に接合してもよい。

図２を参照する。接合部材４０は、補強材５０と、補強材５０に含浸された母材６０と、を有している。これにより、接合部材４０が母材６０のみによって構成されている場合と比べ、接合部材４０の強度を向上させることができる。結果、耐久性のある基体構造体１０を提供するできる。

接合部材４０の強度が大きくなることによって、基体構造体１０の強度を確保しつつ接合部材４０にあけられた第１開口部４０ａを大きくすることができる。これにより、第１開口部４０ａの内側に位置する第１パッド３１Ａ、３１Ｂの配置位置の自由度を向上させることができる。更には、第１パッド３１Ａ、３１Ｂに電気的に接続される電子部品Ｐａ１、Ｐａ２の大きさ及び形状の自由度を向上させることもできる。

図１及び図２を参照する。加えて、接合部材４０は、第１パッド３１Ａ、３１Ｂを囲う第１開口部４０ａを有している。これにより、接合部材４０にあけられた第１開口部４０ａの内側に第１パッド３１Ａ、３１Ｂを位置させつつ、第１パッド３１Ａ、３１Ｂを基体構造体１０の外部に露出させることができる。結果、第１パッド３１Ａ、３１Ｂを囲う補強材５０を有する基体構造体１０において、対象物Ｏｂと第１パッド３１Ａ、３１Ｂとの電気的な接続を容易に行うことができる。これにより、基体構造体１０への対象物Ｏｂの接合において、生産性を向上させることができる。

図２及び図３を参照する。補強材５０は、繊維部が複数交わった布（織布又は不織布）である（図２には、縦糸５１の繊維部５１ａと横糸５２の繊維部５２ａとが交わった織布が示されている）。補強材５０が布であることにより、連続した複数の繊維部が補強材５０に母材６０が含浸されることになる。結果、補強材５０が不連続である場合と比べ、接合部材４０の強度を向上させることができる。これにより、より耐久性のある基体構造体１０を提供することができる。

補強材５０は、ガラスクロスである。補強材５０がガラスクロスであることにより、より接合部材４０の強度を向上させることができる。結果、より強度のある基体構造体１０を提供できる。

補強材５０は、少なくとも一部が母材６０の表面から外部に露出している。これにより、接合部材４０は、表面粗さが大きくなる。表面粗さが大きくなることにより、例えば、対象物Ｏｂと接合部材４０とがアンカー効果によって接合される場合、より両者が密着して接合されることになる。結果、対象物Ｏｂを強く接合可能な基体構造体１０を提供できる。

図５を参照する。補強材５０は、第１貫通穴６１の内壁６１ａから母材６０の外部に露出した部位を有している。例えば、接合部材４０に対象物Ｏｂを接合する前に対象物Ｏｂを溶融させる場合、対象物Ｏｂが第１貫通穴６１に流れ込み、第１パッド３１Ａ、３１Ｂに向かう虞がある。しかしながら、補強材５０が内壁６１ａから母材６０の外部に露出している部位を有していることにより、第１貫通穴６１に流れ込んだ溶融した対象物Ｏｂは、補強材５０における内壁６１ａから露出した部位に接触することになる。これにより、溶融した対象物Ｏｂが第１パッド３１Ａ、３１Ｂに向かうことを軽減できる。

加えて、第１貫通穴６１に流れ込んだ対象物Ｏｂを、内壁６１ａから露出した補強材５０の部位に接触させた状態で硬化させることができる。これにより、対象物Ｏｂは、補強材５０とも接合することになる。結果、対象物Ｏｂに対しより強く接合される基体構造体１０を提供できる。

図３を参照する。母材６０から露出した補強材５０の部位は、複数の繊維部が互いに接合している箇所を有している。これにより、溶融した対象物Ｏｂ（図１参照）が第１パッド３１Ａ、３１Ｂに向かうことをより軽減することができる。

［変形例］
図６を参照する。図６には、本開示の変形例における基体１２０（基体構造体１１０）が示されている。実施形態の基体２０（基体構造体１０）と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。

（基体）
図６に示す基体１２０は、絶縁性の基体本体部１２１と、この基体本体部１２１の内部に位置する繊維体２２と、基体本体部１２１の内部及び表面に位置し電子部品Ｐａ１、Ｐａ２（図１参照）に接続される導体３０と、を有している。基体２０のヤング率は、例えば、１２～４０ＧＰａである。接合部材４０の熱膨張係数は、例えば、４～１２ｐｐｍ／Ｋである。

基体本体部１２１の材料は、例えば、熱硬化樹脂である。熱硬化樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、尿素樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。

繊維体２２は、例えば、不織布又は織布である。繊維体２２は、例えば、ガラス繊維のみによって構成されていてもよいし、炭素繊維のみによって構成されていてもよい。更に、繊維体２２は、一部がガラス繊維で構成され、残部がガラス以外の素材（例えば、炭素繊維）によって構成されていてもよい。繊維体２２にガラス繊維が含まれている場合、繊維体２２は、ガラスクロスである、ということができる。ガラスクロスは、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を主成分とするガラスを含んでいてもよい。

尚、変形例における基体構造体１１０に含まれる繊維体２２は、基体１２０を構成するための必須の構成要素ではない。このため、基体構造体１１０においては、必要に応じて、基体１２０から繊維体２２を廃すこともできる。

次に、対象物が基体構造体に接合された電子デバイスについて説明する。

（電子デバイス）
図７を参照する。図７には、対象物Ｏｂ（図１参照）の一例としての実装体２が基体構造体１０に接合された、実施形態における電子デバイス１が示されている。図８を併せて参照する。図８に示す電子デバイス１は、上記で説明した実施形態の基体構造体１０を含んでいる。実施形態で説明した内容と共通する部分については、詳細な説明を省略する。尚、符号については、実施形態で用いられた番号を流用する。

電子デバイス１は、例えば、端子３２Ａ～３２Ｆがはんだ等により外部の装置に接続されることにより、外部の装置に実装される。

（基体構造体）
基体構造体１０は、既に説明した通りの構成をしている。但し、基体構造体１０（電子デバイス１）が有する接合部材４０は、硬化状態の部材である。尚、平面透視において、接合部材４０は、実装体２よりも大きくてもよいし、実装体２と大きさが同一であってもよいし、実装体２よりも小さくてもよい。

（実装体）
実装体２は、接合部材４０を介して基体構造体１０に実装（接合）されている。図８に示す実装体２は、第１パッド３１Ａ、３１Ｂに接続された第１チップ７０と、第２パッド３１Ｃ、３１Ｄに接続された第２チップ８０と、これら第１チップ７０及び第２チップ８０を覆うと共に接合部材４０（基体構造体１０）に接合された封止部９０と、を有している。

第１チップ７０及び第２チップ８０は、例えば、電気信号が入力されることにより弾性波が伝搬するという特性を利用し、所定の電気信号を出力可能な弾性波チップである。弾性波は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）であってもよいし、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）であってもよい。弾性波チップは、例えば、弾性波共振子を有するチップであってもよいし、弾性波フィルタを有するチップであってもよい。尚、第１チップ７０及び第２チップ８０は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）であってもよい。図９を併せて参照する。図９には、１ポートＳＡＷ共振子を有するチップが模式的に示されている。例えば、このような第１チップ７０及び第２チップ８０が第１パッド３１Ａ、３１Ｂ及び第２パッド３１Ｃ、３１Ｄに接続され基体構造体１０に実装される。

（第１チップ）
図８を参照する。第１チップ７０は、接合部材４０にあけられた第１開口部４０ａの上方に位置（接合部材４０に当接した状態で位置）し、第１開口部４０ａを介して第１面２１ａに対向すると共にバンプ３Ａ、３Ｂ（後述する第１バンプ３Ａ、３Ｂ）を介して第１パッド３１Ａ、３１Ｂに接合されている。第１チップ７０と第１面２１ａとの間には、バンプ３Ａ、３Ｂ及び第１パッド３１Ａ、３１Ｂが介在する空間が設けられている。

図８に示す第１チップ７０は、接合部材４０（補強材５０）の厚さ方向に見て、母材６０にあけられた第１貫通穴６１の外側に位置する部位を有している。第１チップ７０の側面７０ａは、接合部材４０の厚さ方向に見て、第１貫通穴６１の外側に位置する部位を有している、ということもできる。尚、第１チップ７０の第１貫通穴６１の外側に位置する部位は、第１チップ７０の厚さ方向に見て、母材６０の中実部６３に重なっている。

第１チップ７０の側面７０ａと中実部６３とにのみ着目した場合、第１チップ７０の側面は、接合部材４０の厚さ方向に見て、その全てが中実部６３に重なっていてもよいし、全体の７０％以上が中実部６３に重なっていてもよいし、全体の４０％以上が重なっていてもよいし、中実部６３に重なっている割合が４０％以下でもよい。例えば、第１チップ７０の側面の全てが中実部６３が重なっている場合、第１チップ７０は、母材６０にあけられた第１貫通穴６１を塞いでいる。尚、第１チップ７０は、第２チップ８０と共に、下面以外が封止部９０に覆われている。

図９を参照する。例えば、第１チップ７０は、チップ基板７１と、このチップ基板７１に位置するＩＤＴ電極７３（励振電極７３）と、このＩＤＴ電極７３を挟んでいる一対の反射器７４、７５と、ＩＤＴ電極７３とは離れて位置する２つの電極部７６、７７と、これらの電極部７６、７７及びＩＤＴ電極７３を接続している接続部７８、７９と、を有している。

チップ基板７１の大きさ及び形状は、任意である。チップ基板７１は、矩形の平板形状を呈していてもよいし、円形の平板形状を呈していてもよい。チップ基板７１の厚さは、例えば、１００μｍ以上５００μｍ以下である。

チップ基板７１は、例えば、その全体が圧電体によって構成された部材であってもよいし、基板に圧電膜が形成された部材であってもよい。図９に示すチップ基板７１は、ベース部７１ａと、このベース部７１ａの上面に位置する圧電部７１ｂと、を有している。

ベース部７１ａの材料は、任意にである。ベース部７１ａは、例えば、シリコン等を含む半導体によって構成されてもよいし、酸化アルミニウムを含むセラミックによって構成されてもよいし、サファイア等の単結晶材料によって構成されてもよい。ベース部７１ａは、例えば、１つの材料のみの基板であってもよいし、それぞれ異なる材料を含む複数の基板が重ねられた部材であってもよい。例えば、ベース部７１ａの熱膨張係数は、圧電部７１ｂの熱膨張係数よりも小さい。

図９に示す圧電部７１ｂは、平板状の基板である。圧電部７１ｂは、ＩＤＴ電極７３に信号が入力されると（電圧が印加されると）表面に弾性波が生じる基板である。尚、圧電部７１ｂは、例えば、有機材料又は無機材料を含む接着剤によってベース部７１ａに接着されてもよいし、直接ベース部７１ａに貼り合わされていてもよい。

圧電部７１ｂは、例えば、ベース部７１ａよりも薄くてもよいし、ベース部７１ａよりも厚くてもよい。例えば、圧電部７１ｂの厚さは、ベース部７１ａの厚さの１／２以下であってもよいし、１／１０以下であってもよいし、１／３０以下であってもよいし、１／２以上であってもよい。

図９に示す圧電部７１ｂは、チップ基板７１の厚さ方向に見て、ベース部７１ａと大きさが同一になっている。但し、圧電部７１ｂは、平面視において、ベース部７１ａよりも小さくてもよいし、ベース部７１ａよりも大きくてもよい。圧電部７１ｂの材料は、例えば、水晶（ＳｉＯ２）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）単結晶又はタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）単結晶等である。

図９に示すＩＤＴ電極７３は、互いに噛み合う、２つの櫛歯状（すだれ状）の電極（金属層）によって構成されている。これら２つの櫛歯状の電極は、接続部７８、７９を介して電極部７６、７７に接続されている。

ＩＤＴ電極７３の材料は、例えば、アルミニウム、銅又はこれらの合金等である。ＩＤＴ電極７３は、例えば、１層の層状電極であってもよいし、層状の電極が複数重ねられた電極であってもよい。

図９に示すＩＤＴ電極７３は、所定の方向（例えば、弾性波の伝搬方向）に延びると共に両端のそれぞれが一対の反射器７４、７５に臨んでいる２つのバスバー７３ａ、７３ｂと、これら２つのバスバー７３ａ、７３ｂに直交する電極指７３ｃ、７３ｄと、を有している。

電極指７３ｃは、バスバー７３ａからバスバー７３ｂに向かって延びており、電極指７３ｄは、バスバー７３ｂからバスバー７３ａに向かって延びている。電極指７３ｃは、バスバー７３ａのみに繋がっており、電極指７３ｄは、バスバー７３ｂのみに繋がっている。

電極指７３ｃ、７３ｄの数は、任意である。複数設けられた電極指７３ｃ、７３ｄは、それぞれ互いが噛み合うよう、交互に配列されている。隣接する電極指７３ｃと電極指７３ｄとの間の距離（ピッチ）は、任意である。尚、この距離（ピッチ）を変更することにより、圧電部７１ｂを伝搬する弾性波の周波数が変わる。具体的には、電極指７３ｃと電極指７３ｄとの距離を半波長とする弾性波が、圧電部７１ｂを伝搬するようになる。このため、電極指７３ｃと電極指７３ｄとの距離は、所望の周波数における弾性波が生じるよう適宜設定してもよい。

反射器７４、７５は、ＩＤＴ電極７３から伝搬した弾性波をＩＤＴ電極７３に向かって反射可能である。反射器７４、７５によって反射された弾性波は、ＩＤＴ電極７３に到達し信号に変換され、第１チップ７０の外部に出力される。反射器７４、７５は、ＩＤＴ電極７３と共に、圧電部７１ｂの下面に位置している。即ち、反射器７４、７５及びＩＤＴ電極７３は、それぞれ封止部９０（図８参照）の外側に位置している。

図９に示す反射器７４、７５は、それぞれ所定方向（弾性波が伝搬する方向）に延びる２つのバスバー７４ａ、７４ｂと、これら２つのバスバー７４ａ、７４ｂに直交し２つのバスバー７４ａ、７４ｂに繋がっているストリップ電極７４ｃと、を有している。反射器７４、７５には、それぞれストリップ電極７４ｃが複数設けられている。

図８を併せて参照する。ＩＤＴ電極７３及び一対の反射器７４、７５は、平面透視において、第１開口部４０ａと重なっている。これにより、ＩＤＴ電極７３及び反射器７４、７５は、チップ基板４１と基体２０との間にできた空間に位置することになる。結果、圧電部７１ｂでの弾性波の伝搬が容易になる。尚、ＩＤＴ電極７３及び反射器７４、７５は、それぞれ絶縁性の保護膜によって覆われていてもよい。

尚、図９には、ＩＤＴ電極７３及び一対の反射器７４、７５を１つのみ有する第１チップ７０が示されている。しかしながら、第１チップ７０は、ＩＤＴ電極７３及び一対の反射器７４、７５を複数有していてもよい。更には、複数設けられたＩＤＴ電極によって、ラダー型フィルタまたは多重モード型フィルタが構成されてもよい。後述する第２チップ８０についても同様である。

（第２チップ）
図８を参照する。第１チップ７０の説明は、第２チップ８０に援用されてよい。この際、チップ基板７１はチップ基板８１に、ＩＤＴ電極７３はＩＤＴ電極８３に、反射器７４、７５は反射器８４、８５に、電極部７６、７７は電極部８６、８７に、接続部７８、７９は接続部８８、８９に読み替えることができる。更に、ＩＤＴ電極７３を構成するバスバー７３ａ、７３ｂ及び電極指７３ｃ、７３ｄについては、バスバー８３ａ、８３ｂ及び電極指８３ｃ、８３ｄと読み替えることができ、反射器７４、７５を構成するバスバー７３ａ、７３ｂ及びストリップ電極７４ｃについては、バスバー８３ａ、８３ｂ及びストリップ電極８４ｃと読み替えることができる。尚、第２チップ８０は、第２貫通穴６２の上方に位置し、第１面２１ａに対向すると共にバンプ３Ｃ、３Ｄ（後述する第２バンプ３Ｃ、３Ｄ）を介して第２パッド３１Ｃ、３１Ｄに接合されている。

第１チップ７０の形状及び寸法、及び、第２チップ８０の形状及び寸法は、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。

尚、１つの態様として、第１チップ７０及び第２チップ８０は、端子３２Ｂ（図８参照）を介して電気的に接続されていてもよい。の端子３２Ｂを介して第１チップ７０及び第２チップ８０が接続されることにより、電子デバイス１は、例えば、分波器（例えば、デュプレクサ）を構成することができる。例えば、第１チップ７０を、送信用の通過帯領域の周波数を有する電気信号のみを通過させるフィルタとし、第２チップ８０を、受信用の通過帯領域の周波数を有する電気信号のみを通過させるフィルタとしてもよい。尚、送信用の通信帯域及び受信用の通信帯域は、互いに重ならない。

第１チップ７０及び第２チップ８０は、それぞれバンプ３Ａ～３Ｄを介して第１パッド３１Ａ、３１Ｂ及び第２パッド３１Ｃ、３１Ｄと電気的に接続されている。以下、第１チップ７０及び第１パッド３１Ａ、３１Ｂを繋いでいるバンプ３Ａ、３Ｂを第１バンプ３Ａ、３Ｂと呼び、第２チップ８０及び第２パッド３１Ｃ、３１Ｄを繋いでいるバンプ３Ｃ、３Ｄを第２バンプ３Ｃ、３Ｄと呼ぶ。

（第１バンプ）
図８に示す第１バンプ３Ａ、３Ｂは、母材６０にあけられた第１貫通穴６１（接合部材４０にあけられた第１開口部４０ａ）の内側に位置している。第１バンプ３Ａ、３Ｂは、第１貫通穴６１の内壁６１ａに囲われた領域内に位置している、ということもできる。第１バンプ３Ａ、３Ｂは、第１チップ７０の電極部７６、７７（図９参照）、及び、基体構造体１０の第１パッド３１Ａ、３１Ｂを繋いでいる。第２バンプ３Ｃ、３Ｄは、第１チップ７０の基体構造体１０への実装に寄与している。

第１バンプ３Ａ、３Ｂの大きさは、任意である。例えば、電極部７６、７７及び／又は第１パッド３１Ａ、３１Ｂの大きさに応じて適宜に変更してもよい。第１バンプ３Ａ、３Ｂの厚さは、接合部材４０の厚さよりも小さい。これにより、第１バンプ３Ａ、３Ｂは、基体構造体１０、第１貫通穴６１の内壁６１ａ及び第１チップ７０によって囲われた領域内に収容される。この領域内は、真空であってもよいし、所定のガス（例えば、窒素等を含む不活性ガス又は二酸化炭素等）によって満たされていてもよい。

第１バンプ３Ａ、３Ｂは、例えば、はんだである。はんだは、鉛を含んでいてもよいし、鉛を含んでいなくてもよい。鉛を含んでいるはんだとしては、例えば、Ｐｂ－Ｓｎ合金はんだが挙げられる。鉛を含んでいないはんだとしては、例えば、Ａｕ－Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ－Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ－Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ－Ｃｕ合金はんだ等が挙げられる。尚、第１バンプ３Ａ、３Ｂは、導電性のフィラーを熱硬化樹脂等に混ぜ込まれてなる、導電性の接着材であってもよい。

（第２バンプ）
第２バンプ３Ｃ、３Ｄは、母材６０にあけられた第２貫通穴６２（接合部材４０にあけられた第２開口部４０ｂ）の内側に位置している。第２バンプ３Ｃ、３Ｄは、第２貫通穴６２の内壁６２ａに囲われた領域内に位置している、ということもできる。第２バンプ３Ｃ、３Ｄは、第２チップ８０の電極部８６、８７、及び、基体構造体１０の第２パッド３１Ｃ、３１Ｄを繋いでいる。第２バンプ３Ｃ、３Ｄは、第２チップ８０の基体構造体１０への実装に寄与している。

第１バンプ３Ａ、３Ｂの大きさ、形状及び材料は、第２バンプ３Ｃ、３Ｄに援用してもよい。但し、第２バンプ３Ｃ、３Ｄの大きさ、形状及び材料は、第１バンプ３Ａ、３Ｂの大きさ、形状及び材料と異なっていてもよい。

（封止部）
図８に示す封止部９０は、第１チップ７０及び第２チップ８０それぞれの下面が露出するよう、これらチップ７０、８０を覆っている。封止部９０の材料は、有機材料又は無機材料を含んでいる。有機材料としては、例えば、樹脂（熱硬化樹脂）を挙げることができる。熱硬化樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、尿素樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等を挙げることができる。無機材料としては、複数の無機粒子を互いに結合したアモルファス状の材料を挙げることができる。尚、封止部９０の材料は、母材６０の材料と同一であってもよいし、母材６０の材料と異なっていてもよい。更に、封止部９０は、フィラーを含んでいてもよい。

封止部９０のヤング率は、例えば、２０ＧＰａ以下である。例えば、封止部９０のヤング率は、接合部材４０のヤング率よりも小さい。封止部９０の熱膨張係数は、例えば、４～７０ｐｐｍ／Ｋである。例えば、封止部９０の熱膨張係数は、接合部材４０の熱膨張係数よりも大きい。

図８及び図１０を参照する。図８に示す封止部９０は、接合部材４０に接合された下面部９１と、この下面部９１の反対側に位置する上面部９２と、これら下面部９１及び上面部９２を繋ぐ側面部９３と、下面部９１から上面部９２に向かって窪んでいると共に内部に第１チップ７０が位置している第１凹部９４と、下面部９１から上面部９２に向かって窪んでいると共に内部に第２チップ８０が位置している第２凹部９５と、下面部９１から第１貫通穴６１の内壁６１ａに沿って基体構造体１０に向かっている第１垂れ部９６と、下面部９１から第２貫通穴６２の内壁６２ａに沿って基体構造体１０に向かっている第２垂れ部９７と、を有している。

接合部材４０に接合されている下面部９１の割合は、任意に設定できる。下面部９１は、その全体が接合部材４０に接合されていてもよいし、全体の８０％以上が接合部材４０に接合されていてもよいし、全体の６０％以上が接合部材４０に接合されていてもよいし、全体の６０％以下が接合部材４０に接合されていてもよい。

第１垂れ部９６及び第２垂れ部９７は、それぞれ母材６０にあけられた第１貫通穴６１及び第２貫通穴の内壁６１ａ、６２ａから露出した補強材５０の部位に密着している。図８に示す例において、第１垂れ部９６及び第２垂れ部９７を有する封止部９０は、補強材５０における母材６０から露出した部位まで延びると共に補強材５０に接合している箇所を有している、ということができる。

接合部材４０は、補強材５０と、補強材５０に含浸された母材６０と、を有している。これにより、接合部材４０が母材６０のみの場合と比べ、接合部材４０の強度を向上させることができる。これにより、封止部９０に熱が加わった場合でも、接合部材４０によって封止部９０の変形が軽減される。封止部９０の変形が軽減されると、第１チップ７０に加わる応力（負荷）が軽減される。又は、封止部９０の変形が軽減されると、第１チップ７０に意図しない応力が加わる虞を低減することができる。結果、耐久性のある電子デバイス１の提供ができる。これにより、第１チップ７０の特性が低下する虞を低減できる。

尚、第１チップ７０は、第１パッド３１Ａ、３１Ｂと共に第１貫通穴６１の内側に位置する第１バンプ３Ａ、３Ｂを介して、第１パッド３１Ａ、３１Ｂに接続されている。これにより、第１パッド３１Ａ、３１Ｂ及び第１バンプ３Ａ、３Ｂは、補強材５０にあけられた第１貫通穴６１の内壁６１ａに囲われることになる。結果、第１バンプ３Ａ、３Ｂ及び第１パッド３１Ａ、３１Ｂに加わる負荷を軽減することもできる。

接合部材４０の線膨張係数は、封止部９０の線膨張係数よりも小さい。これにより、接合部材４０及び封止部９０に熱が加わった際のそれぞれの熱膨張の大きさは、接合部材４０の方が小さくなる。結果、封止部９０の膨張は、接合部材４０を介して、より軽減される。即ち、より耐久性のある電子デバイス１の提供ができる。

封止部９０は、補強材５０における母材６０から露出した補強材５０の部位に接合している部位を有している。封止部９０の一部が補強材５０に接合していることにより、接合部材４０と封止部９０とがより密着し、両者がより強く接合される。結果、より耐久性のある電子デバイス１の提供ができる。

第１面２１ａの平面透視において、第１チップ７０は、母材６０にあけられた第１貫通穴６１の外側に位置する部位を有している。これにより、例えば、基体構造体１０に第１チップ７０を載置することができる。結果、例えば、電子デバイス１の生産において、第１貫通穴６１に第１チップ７０が落下する虞を軽減できる。結果、生産効率の高い電子デバイス１の提供ができる。

接合部材４０には、第２チップ８０が位置する箇所に第２開口部４０ｂがあけられている。更に、第２チップ８０は、第２バンプ３Ｃ、３Ｄを介して第１面２１ａに位置している第２パッド３１Ｃ、３１Ｄと接合している。これにより、第２パッド３１Ｃ、３１Ｄは、接合部材４０にあけられた第２開口部４０ｂの内側に位置することになる。結果、第２パッド３１Ｃ、３１Ｄ及び第２バンプ３Ｃ、３Ｄに加わる負荷を軽減できる。

加えて、接合部材４０に第２開口部４０ｂがあけられていることにより、例えば、第１パッド３１Ａ、３１Ｂ及び第２パッド３１Ｃ、３１Ｄの全てを第１開口部４０ａの内側に配置するために、第１開口部４０ａを大きくする必要がない。結果、第１パッド３１Ａ、３１Ｂ及び第２パッド３１Ｃ、３１Ｄの配置に合わせて接合部材４０に貫通穴をあけることができる。これにより、接合部材４０の体積の減少を抑制することができる。即ち、より耐久性のある電子デバイス１の提供ができる。

次に、第１変形例における電子デバイスの説明をする。

図１１Ａを参照する。図１１Ａには、本開示の第１変形例における電子デバイス２０１が示されている。実施形態の電子デバイス１と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。

（第１貫通穴及び第２貫通穴）
図１１Ａに示された第１貫通穴２６１及び第２貫通穴２６２は、母材２６０の厚さ方向に見て、それぞれ第１チップ７０及び第２チップ８０（図８参照）と大きさが同一である。別の観点では、第１チップ７０の側面は、第１面２１ａの平面透視において、その全体が第１貫通穴２６１の内壁２６１ａに重なっている、ということができる。また、第２チップ８０の側面は、第１面２１ａの平面透視において、その全体が第２貫通穴２６２の内壁２６２ａに重なっている、ということができる。例えば、上記のように第１チップ７０の側面が第１貫通穴２６１の内壁２６１ａに重なっていることにより、接合部材２４０から第１チップ７０に直接的な負荷が加わることを抑制すると共に、封止部９０に対する接合部材２４０の接合面積を増やすことができる。結果、より耐久性のある電子デバイス２０１の提供ができる。尚、第１面２１ａの平面透視において、第１チップ７０及び第２チップ８０の側面と第１貫通穴２６１及び第２貫通穴２６２の内壁２６１ａ、２６２ａが重なっているとは、例えば、それぞれのずれが１０μｍ以下である場合をいう。

次に、第２変形例における電子デバイスの説明をする。

図１１Ｂを参照する。図１１Ｂには、本開示の第２変形例における電子デバイス３０１が示されている。実施形態の電子デバイス１と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。

（第１貫通穴及び第２貫通穴）
図１１Ｂに示された第１貫通穴３６１及び第２貫通穴３６２は、母材３６０の厚さ方向に見て、それぞれ第１チップ７０及び第２チップ８０よりも大きい。別の観点では、第１チップ７０は、第１面２１ａの平面透視において、母材３６０にあけられた第１貫通穴３６１の内側に位置し、第１貫通穴３６１の内壁２６１ａに囲われている、ということができる。また、第２チップ８０は、第１面２１ａの平面透視において、母材３６０にあけられた第２貫通穴３６２の内側に位置し、第２貫通穴３６２の内壁３６２ａに囲われている。これにより、第１チップ７０及び第２チップ８０の接合部材３４０への当接を避けることができる。

尚、本開示における基体構造体及び電子デバイスは、上記に述べた実施形態及び変形例に限定されず、様々な形態で実施されてよい。以下、基体構造体及び電子デバイスの形態が変形された例を幾つか紹介する。

例えば、実施形態では、接合部材は、対象物の下面に接合された。しかしながら、接合部材は、対象物の下面以外の面（例えば、上面及び／又は側面）に接合されてもよい。更には、接合部材４０が重ねられる基体の部位は、基体の側面（側面部）であってもよいし、基体の下面（下面部）であってもよい。

実施形態では、補強材及び母材によって構成されている接合部材の例について説明した。しかしながら、接合部材には、これらの他にフィラー等が含まれていてもよい。また、接合部材４０においては、１つの布（ガラスクロス）に母材が含浸されている例について説明した、しかしながら、接合部材４０は、複数の布（ガラスクロス）が積層された状態の部材に母材が含浸されていてもよい。即ち、接合部材の内部には、複数の布が位置していてもよい。

実施形態では、第１開口部及び第２開口部があけられた補強材の例について説明した。しかしながら、補強材には、開口部が３つ以上あけられていてもよい。開口部の数は、基体構造体に実装されるチップ（弾性波チップ）の数に応じて適宜変更することができる。尚、母材にあけられた貫通穴の数についても同様である。電子デバイスがチップを１つだけ有する場合において、接合部材に２つ以上の貫通穴があけられていてもよいし、電子デバイスがチップを２つ以上有する場合において、接合部材にあけられた貫通穴が１つのみであってもよい。

実施形態では、第１チップ及び第２チップがそれぞれ第１開口部及び第２開口部の上方に位置している場合について述べた。しかしながら、第１チップ及び第２チップは、一部が第１開口部及び／又は第２開口部の内側に位置している部位を有していてもよい。このような場合においても、第１チップ及び第２チップは、第１開口部及び／又は第２開口部を介して第１面に対向している、ということができる。

尚、本実施形態では、電子デバイスが２つの弾性波チップを含んでいる例について説明した。しかしながら、電子デバイスが有する弾性波チップの数は、１つのみであってもよいし、３つ以上であってもよい。更に、実施形態では、第１チップ及び第２チップが１ポート共振子である弾性波チップについて説明した。しかしながら、第１チップ及び／又は第２チップは、２ポート共振子であってもよい。つまり、第１チップと第２チップとが必ずしも同一の弾性波チップである必要はない。また、本開示における電子デバイスは、弾性波以外の電子部品（電子素子）を含んでいてもよい。

１、１０１、２０１、３０１…電子デバイス
３Ａ、３Ｂ…第１バンプ
３Ｃ、３Ｄ…第２バンプ
１０、１１０、２１０、３１０…基体構造体
２０…基体
３１Ａ、３１Ｂ…第１パッド
３１Ｃ、３１Ｄ…第２パッド
４０、２４０、３４０…接合部材
４０ａ、２４０ａ、３４０ａ…第１開口部
４０ｂ、２４０ｂ、３４０ｂ…第２開口部
５０…補強材
５１ａ…繊維部
５２ａ…繊維部
６０、２６０、３６０…母材
６１、２６１、３６１…第１貫通穴
６１ａ、２６１ａ、３６１ａ…内壁
７０…第１チップ
８０…第２チップ
９０…封止部
Ｏｂ…対象物

Claims (13)

1. 第１面と、前記第１面上に位置する第１パッドと、を有する基体と、
   前記第１面に重ねられ、前記第１パッドを囲う第１開口部があけられた接合部材と、
   前記第１開口部を介して前記第１面と対向している第１チップと、
   前記第１チップ及び前記第１パッドを接合している第１バンプと、
   前記第１チップの外周面を覆う封止部と、
   を有し、
   前記接合部材は、補強材と、前記補強材に含浸された母材と、を有し、
   前記補強材は、少なくとも一部が前記母材の表面から露出し、前記封止部に覆われていない
   電子デバイス。
2. 前記一部が、前記第１開口部の内壁から露出している
   請求項１記載の電子デバイス。
3. 前記第１チップは、前記第１開口部が構成する空間を介して前記基体と対向する、弾性波が生じる領域を有しており、
   前記一部は、平面視において前記空間を囲んでいる
   請求項２に記載の電子デバイス。
4. 前記補強材は、繊維部が複数交わった布である
   請求項１～請求項３のいずれか１項記載の電子デバイス。
5. 前記補強材は、ガラスクロスである
   請求項４記載の電子デバイス。
6. 前記補強材における前記母材の外部に露出した部位は、前記複数の繊維部がそれぞれ接合している箇所を有している
   請求項４又は請求項５記載の電子デバイス。
7. 前記接合部材の線膨張係数は、前記封止部の線膨張係数よりも小さい
   請求項１～請求項６のいずれか１項記載の電子デバイス。
8. 前記封止部は、前記接合部材によって前記基体に接合されており、かつ前記封止部は、前記補強材における前記母材から露出した部位に接合している箇所を有している
   請求項１～請求項７のいずれか１項記載の電子デバイス。
9. 前記第１面の平面透視において、前記第１チップは、前記第１開口部の外側に位置する部位を有している
   請求項１～請求項８のいずれか１項記載の電子デバイス。
10. 前記第１面の平面透視において、前記第１チップの側面は、前記第１開口部の内壁に重なっている
    請求項１～請求項８のいずれか１項記載の電子デバイス。
11. 前記第１面の平面透視において、前記第１チップは、前記第１開口部の内壁に囲われている
    請求項１～請求項８のいずれか１項記載の電子デバイス。
12. 前記第１面に位置している第２パッドと、
    前記第１面に対向している第２チップと、
    前記第２チップ及び前記第２パッドを接合している第２バンプと、
    を有し、
    前記接合部材には、前記第２チップが位置する箇所に第２開口部があけられている
    請求項１～請求項１１のいずれか１項記載の電子デバイス。
13. 請求項１～請求項１２のいずれか１項記載の電子デバイスの作製に用いられる基体構造体であって、
    前記基体と、
    硬化後の前記接合部材、又は前記母材が未硬化状態の、前記接合部材となるプリプレグと、
    を有している基体構造体。

Images