JP7239178B2 - 空間位相変調器 - Google Patents
空間位相変調器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7239178B2 JP7239178B2 JP2019200670A JP2019200670A JP7239178B2 JP 7239178 B2 JP7239178 B2 JP 7239178B2 JP 2019200670 A JP2019200670 A JP 2019200670A JP 2019200670 A JP2019200670 A JP 2019200670A JP 7239178 B2 JP7239178 B2 JP 7239178B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- liquid crystal
- phase modulator
- spatial phase
- transparent electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 79
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 claims description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 24
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 21
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- JRXXLCKWQFKACW-UHFFFAOYSA-N biphenylacetylene Chemical compound C1=CC=CC=C1C#CC1=CC=CC=C1 JRXXLCKWQFKACW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 16
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 9
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 18
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 13
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910009973 Ti2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQUJEMVIKWQAEH-UHFFFAOYSA-N titanium(III) oxide Chemical compound O=[Ti]O[Ti]=O GQUJEMVIKWQAEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
二の耐熱層が、無機材料層として構成されてもよい。
層であってもよい。カバーガラス層は、サファイア又は石英のガラス層であってもよい。第一及び第二の配向膜層は、ケイ素酸化物(SiOx)の無機配向膜層であってもよい。この空間位相変調器の構造によれば、高エネルギー光の入力に伴う熱損傷を抑制することができる。
本実施形態の空間位相変調器100は、液晶型、具体的にはLCOS型の空間位相変調器である。この空間位相変調器100は、特に、高エネルギー光用に構成される。ここでいう高エネルギー光は、高いパワー及び/又は高い周波数を有する光である。
120の下に位置する。第一の配向膜層140、液晶層150、及び第二の配向膜層160は、透明電極層130の下に位置する。
(1)高い耐熱性を有する材料を選択すること。
(2)熱伝導率の良好な材料を選択して、熱をすばやく拡散させること。
(3)透過率の良好な材料を選択して、光吸収による発熱を抑えること。
している。ITOは、紫外域にエネルギーバンドギャップを有するワイドギャップ半導体である。
明電極層130や液晶層150より先に第一及び第二の配向膜層140,160が損傷して、空間位相変調器100が使用不能となるのを抑制することができる。
第一変形例の空間位相変調器200は、熱バッファ層210を備える点を除いて、上述した空間位相変調器100と同一構成にされる。
Claims (12)
- 液晶型の空間位相変調器であって、
液晶層と、
前記液晶層の上に位置する上部電極層と、
前記液晶層の下に位置する下部電極層と、
を備え、
前記上部電極層は、上方からの光が前記液晶層に通過するように構成される透明電極層であり、
前記空間位相変調器は更に、前記透明電極層の上で前記透明電極層に隣接する位置、及び前記透明電極層と前記液晶層との間で前記透明電極層に隣接する位置に、前記透明電極層よりも高い耐熱性を有する第一及び第二の耐熱層を備え、
前記第一及び第二の耐熱層は、無機材料で構成され、
前記第二の耐熱層は、
前記液晶層の上に位置するケイ素酸化物(SiOx)の無機配向膜層として構成される配向膜層と、
前記配向膜層の上に位置し前記透明電極層に隣接する熱バッファ層であって、前記透明電極層から前記液晶層への熱伝達を抑制する無機材料で構成される熱バッファ層と、
を含み、
前記熱バッファ層は、前記無機材料として、SiO 2 、TiO 2 、及びTa 2 O 5 の少なくとも一つ以上を含む材料で構成される空間位相変調器。 - 前記透明電極層は、酸化インジウムスズ(ITO)透明電極層であり、
前記第一及び第二の耐熱層は、摂氏600度を超える温度までの耐熱性を有する請求項1記載の空間位相変調器。 - 前記透明電極層の上に位置する前記第一の耐熱層は、上方からの光が前記液晶層に通過するように構成されるカバーガラス層であり、前記カバーガラス層は、サファイア又は石英のガラス層である請求項1又は請求項2記載の空間位相変調器。
- 前記熱バッファ層は、無機材料の多層構造で構成される請求項1~請求項3のいずれか一項記載の空間位相変調器。
- 前記下部電極層の上に、非金属の反射層を備え、
前記反射層は、無機材料の多層構造を有する請求項1~請求項4のいずれか一項記載の空間位相変調器。 - 前記液晶層は、トラン系高分子材料を含まない液晶層である請求項1~請求項5のいずれか一項記載の空間位相変調器。
- 前記カバーガラス層は、サファイアのガラス層であり、
前記液晶層は、トラン系高分子材料を含まない液晶層であり、可視光域から赤外線域までの波長帯の光を受ける請求項3記載の空間位相変調器。 - 前記空間位相変調器の表面に、内部を冷却するための冷却構造を備える請求項1~請求項7のいずれか一項記載の空間位相変調器。
- 液晶型の空間位相変調器であって、
カバーガラス層と、
前記カバーガラス層の下に位置する透明電極層と、
前記透明電極層の下に位置する第一の配向膜層と、
前記第一の配向膜層の下に位置する液晶層と、
前記液晶層の下に位置する第二の配向膜層と、
前記第二の配向膜層の下に位置する下部電極層と、
を備え、
前記透明電極層は、酸化インジウムスズ(ITO)透明電極層であり、
前記カバーガラス層は、サファイア又は石英のガラス層であり、
前記第一及び第二の配向膜層は、ケイ素酸化物(SiOx)の無機配向膜層であり、
前記空間位相変調器は、更に、
前記透明電極層と前記第一の配向膜層との間に、前記透明電極層から前記液晶層への熱伝達を抑制するための熱バッファ層であって、無機材料で構成される熱バッファ層
を備え、
前記熱バッファ層は、前記無機材料として、SiO 2 、TiO 2 、及びTa 2 O 5 の少なくとも一つ以上を含む材料で構成される空間位相変調器。 - 前記第二の配向膜層と前記下部電極層との間に、非金属の反射層を備え、
前記反射層は、無機材料の多層構造を有する請求項9記載の空間位相変調器。 - 前記熱バッファ層は、無機材料の多層構造で構成される請求項9又は請求項10記載の空間位相変調器。
- 前記カバーガラス層は、サファイアのガラス層であり、
前記液晶層は、トラン系高分子材料を含まない液晶層であり、可視光域から赤外線域までの波長帯の光を受ける請求項9~請求項11のいずれか一項記載の空間位相変調器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019200670A JP7239178B2 (ja) | 2019-11-05 | 2019-11-05 | 空間位相変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019200670A JP7239178B2 (ja) | 2019-11-05 | 2019-11-05 | 空間位相変調器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018248163 Division | 2018-12-28 | 2018-12-28 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020109490A JP2020109490A (ja) | 2020-07-16 |
JP2020109490A5 JP2020109490A5 (ja) | 2021-11-25 |
JP7239178B2 true JP7239178B2 (ja) | 2023-03-14 |
Family
ID=71570039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019200670A Active JP7239178B2 (ja) | 2019-11-05 | 2019-11-05 | 空間位相変調器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7239178B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000044953A (ja) | 1998-05-29 | 2000-02-15 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2002107766A (ja) | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Nanox Corp | 液晶表示素子と該素子を用いる液晶表示装置 |
JP2003183193A (ja) | 2001-11-07 | 2003-07-03 | Merck Patent Gmbh | 液晶化合物、媒体およびディスプレイ |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02307026A (ja) * | 1989-05-23 | 1990-12-20 | Fujitsu Ltd | 温度計測装置 |
JP3231396B2 (ja) * | 1992-05-15 | 2001-11-19 | 松下電器産業株式会社 | 液晶パネルおよびそれを用いた液晶投写型テレビ |
-
2019
- 2019-11-05 JP JP2019200670A patent/JP7239178B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000044953A (ja) | 1998-05-29 | 2000-02-15 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2002107766A (ja) | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Nanox Corp | 液晶表示素子と該素子を用いる液晶表示装置 |
JP2003183193A (ja) | 2001-11-07 | 2003-07-03 | Merck Patent Gmbh | 液晶化合物、媒体およびディスプレイ |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
桜井康樹,LCOS技術を用いたレーザ加工技術,液晶,日本,日本液晶学会,2018年04月25日,第22巻第2号,第129-133頁 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020109490A (ja) | 2020-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5760388B2 (ja) | 偏光素子とその製造方法、プロジェクター、液晶装置、電子機器 | |
WO2020258864A1 (zh) | 色彩转化组件及其制作方法、显示面板 | |
US7876405B2 (en) | Reflective spatial light modulator | |
JP2010014798A (ja) | マイクロミラーデバイス及び光照射装置 | |
JP2009075503A (ja) | 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 | |
KR20120119101A (ko) | 빔 덤프 | |
JP2010014809A (ja) | 液晶表示素子及びプロジェクタ | |
JP7239178B2 (ja) | 空間位相変調器 | |
JP2011118343A (ja) | 偏光素子、偏光素子の製造方法、液晶装置および電子機器 | |
JP2019095771A (ja) | 光源装置およびこれを有する投射型表示装置 | |
TW589595B (en) | Packaging case-encased electro-optical device and projection type display device | |
WO2022080205A1 (ja) | 発光素子及び表示装置 | |
US11209687B2 (en) | Spatial phase modulator | |
JP5609675B2 (ja) | 投射型表示装置 | |
JP2010123819A (ja) | レーザ媒質 | |
KR20210026251A (ko) | 액정 디스플레이 | |
JP2004070163A (ja) | 表示素子 | |
JP2004179450A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR20100066317A (ko) | 디스플레이 장치 | |
JP2021124708A (ja) | 表示装置 | |
JP7325727B2 (ja) | 光学システム及び空間位相変調器 | |
JP6229465B2 (ja) | 表示パネル | |
JP2007250800A (ja) | レーザー装置 | |
US11947250B2 (en) | Wavelength conversion element with heat conductive layer and projector | |
WO2023053868A1 (ja) | 偏光板、光学機器及び偏光板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211011 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211011 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230214 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230222 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7239178 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |