JP2000044953A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JP2000044953A JP2000044953A JP11149334A JP14933499A JP2000044953A JP 2000044953 A JP2000044953 A JP 2000044953A JP 11149334 A JP11149334 A JP 11149334A JP 14933499 A JP14933499 A JP 14933499A JP 2000044953 A JP2000044953 A JP 2000044953A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- light
- display device
- crystal display
- photoreactive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
品質な液晶表示装置を提供する。 【解決手段】液晶層を挟持する一対の基板が樹脂によっ
て張り合わされ、その樹脂部に少なくとも一つ以上の液
晶を注入するための開口部を有している液晶表示装置。
この開口部は光硬化性樹脂によって封止されている。液
晶層中には光照射によって分子骨格を変換する光反応性
の液晶化合物と、所定特定波長においてその吸光係数が
前記光反応性の液晶化合物よりも大きく、その分子内に
少なくとも一つ以上の炭素数1〜8のアルキル基,アル
ケニル基,アルコキシル基を有する有機化合物(以下、
光吸収性材料)が含まれる。
Description
が劣化することによって引き起こされる表示むらを低減
するための液晶表示装置に関する。
向膜)を備えた一対の基板を所望の間隔に配置し、その
間に液晶層を挟持し、液晶を注入した注入口を紫外線硬
化樹脂により封止することにより作製される。また基板
を貼り合わせるシール剤に紫外線硬化樹脂を用いる場合
もある。また、太陽光等の外部から液晶表示素子中に侵
入する光の中にも紫外光成分が含まれている場合もあ
る。このように液晶表示素子は製造工程や使用環境にお
いて様々な光にさらされる。
外光に対して弱く、異性化,分解,重合等の反応をす
る。特に紫外光に対して反応性の高い液晶材料として
は、例えばトランス−α,β−ジフルオロ−β−フェニ
ルスチレン誘導体がある(第16回液晶討論会講演予稿
集,326−327頁,1990年)。この材料は液晶
材料の粘度を低減し、液晶表示素子の高速応答化に有効
である。また2つもしくはそれ以上のベンゼン環を炭素
−炭素三重結合で結合した構造のトラン誘導体も紫外光
により劣化する液晶材料である。
液晶材料へ与える影響を低減する手段として、液晶材料
中に紫外線吸収剤として良く知られている(松浦輝男著
「有機光化学」220頁,化学同人発行,1970年)
o−オキシベンゾフェノン系化合物,サリチル酸フェニ
ルエステル系化合物,ベンゾトリアゾール系化合物や、
シアノアクリレート誘導体等の光安定剤を添加する方法
(特開昭62−112131号)や、特定の光吸収波長範囲を有す
る紫外線吸収剤(前記光安定剤と同様の紫外線吸収剤及
びアズレン)を用いる方法(特開平8−176549 号)が提
案されている。しかしながら紫外光吸収材料や、その吸
収波長及び添加量については言及してあるものの、光劣
化低減のために必須である、光吸収剤の吸収波長,吸収
係数と濃度との関係については言及されていない。
α,β−ジフルオロ−β−フェニルスチレン誘導体を液
晶組成物中に含有する液晶表示装置において、液晶注入
口付近に表示むらが発生するという問題に直面した。さ
らに表示部分においても、偏光板の無い状態では、光照
射によって表示むらが発生した。詳細に検討したとこ
ろ、表示むらの部分は正常部と比較して、液晶の屈折率
異方性(Δn)が著しく低下していることが判明した。
さらにこのΔnの低下は、液晶表示素子の製造工程の、
液晶注入口を紫外線硬化樹脂で封止する工程で照射する
紫外光によって、液晶組成物中のトランス−α,β−ジ
フルオロ−β−フェニルスチレン誘導体がシス体へと光
異性化反応したことによるものであることが判明した。
でも、液晶表示素子には偏光板が貼り付けられ、その偏
光板に紫外光を遮断する効果があるため、通常の使用時
には太陽光等の外光による影響はほとんど問題ない。
の反応を低減する手段としては、前記ベンゾフェノン誘
導体,ベンゾトリアゾール誘導体,シアノアクリレート
誘導体,アズレン等の光吸収剤を添加する方法が提案さ
れている。しかしながら、これらの光吸収剤を用いた場
合は、液晶組成物中への溶解性が悪く、少量しか添加で
きないためその効果が少ない。さらに液晶組成物の低温
での液晶状態の安定性に問題、すなわち低温において光
吸収剤が析出する可能性がある。
範囲に、光吸収を持つ光吸収剤であっても、その吸光係
数が低い場合はその効果が少ない。またこれらの光吸収
剤の中には、液晶組成物の比抵抗値を著しく低下させる
という問題を引き起こす材料もある。
ィルターを用いる方法(特開平9−160054号)も提案さ
れているが、この方法では紫外線硬化樹脂の硬化が不十
分であるという問題がある。
劣化とその結果もたらされるΔnの低下を抑制すること
で、表示むらを低減し、高品質な液晶表示装置を提供す
ることにある。
よれば、一対の基板が樹脂によって張り合わされ、その
樹脂部に少なくとも一つ以上の、液晶を注入するための
開口部を有している。この開口部は光硬化性樹脂によっ
て封止されている。液晶層中には光照射によって分子骨
格を変換する光反応性の液晶化合物と、所定特定波長に
おいてその吸光係数が前記光反応性の液晶化合物よりも
大きく、その分子内に少なくとも一つ以上の炭素数1〜
8のアルキル基,アルケニル基,アルコキシル基を有す
る有機化合物(以下、光吸収性材料)が含まれる。
る光反応性の液晶化合物においておきる光照射による分
子骨格変換反応は、トランス−シス異性化反応が多い。
このトランス−シス光異性化反応をおこす化合物は、分
子内に炭素−炭素2重結合,炭素−窒素2重結合,窒素
−窒素2重結合のような2重結合を有する化合物に多
い。その代表的な化合物としては、β置換スチレン,ア
ゾベンゼン,ピペリレン等の基本骨格を有する化合物が
挙げられる。特に分子内に−CF=CF−結合を持つ化
合物は、光異性化反応を起こしやすく、その例として、
液晶の低粘度化,高速応答化に有効なトランス−α,β
−ジフルオロ−β−フェニルスチレン,トランス−α,
β−ジフルオロ−β−シクロヘキシルスチレン等の基本
骨格を有する化合物が挙げられる(特開平3−294386
号,特開平7−165635 号,特開平7−126199号,特開平6
−329566 号,特開平6−25030号,特開平6−40967号,
特開平8−259478 号)。
R,R−Ph−CF=CF−Ph−CF3 ,R−Cy−
CF=CF−Ph−R,R−Ph−CF=CF−Ph−
F,R−Cy−CF=CF−Ph−X(Rはアルキル基
もしくはアルケニル基、Phはフェニル基、Cyはシク
ロヘキシル基、Xはハロゲン基を示す)が代表的な具体
例である。
10wt%以上であれば、より液晶表示素子の高速応答
化に有効である。また、液晶中に含有されるその他の光
反応性の化合物としては、スチレン,トラン等の基本骨
格を有する化合物が挙げられる。さらに、光反応性の化
合物としては、カルボニル化合物,シクロヘキサジエン
等のジエン骨格を有する化合物,二量化反応や付加反応
をおこすオレフィン化合物等が挙げられる。これらの化
合物は高Δnや低粘度化,高誘電率異性化などに有効で
ある。
が光反応性液晶化合物を含有し、光吸収材料を含有しな
い状態においては、所定特定波長光を含む光を液晶層に
照射前後の、液晶層のΔn変化率,Δn(照射後)/Δ
n(照射前)が0.94 以下である。
性材料の濃度が1wt%以上である。また、液晶組成物
中の光反応性液晶化合物の濃度と光吸収性材料の濃度の
比が、10以下であることが望ましい。液晶組成物のよ
うな複数成分からなる混合物の場合、その中に含まれる
特定成分の特定波長における光吸収は、(特定成分の特
定波長における吸光係数×濃度)/(全ての成分の特定
波長における吸光係数×濃度の総和)として表わされ
る。したがって光反応性を抑制するためには、液晶組成
物中の成分の吸収波長範囲だけではなく、その吸光係数
と濃度が重要である。光吸収性材料により、光反応性の
液晶化合物が吸収する光量が減少し、光反応が起こりに
くくなる。その結果光反応によるΔnの変化が抑制さ
れ、表示むらが低減できる。
性材料は分子内に炭素−炭素2重結合もしくは炭素−窒
素2重結合もしくは窒素−窒素2重結合を7個以上有し
ている。分子内に2重結合を7個以上有し、さらにそれ
が共役系として結合している場合には、吸光係数が大き
く、吸収波長領域も広いため、光吸収の効果が大きい。
その具体的な基本骨格としては、7個以上の炭素−炭素
2重結合もしくは炭素−窒素2重結合もしくは窒素−窒
素2重結合が、環状もしくは一部環状で一部直鎖状の骨
格、例えばベンゼン環やナフタレン環等の炭化水素系芳
香族やピリジン環,ピリミジン環,チオフェン環等複素
環等を複数個直接結合させた骨格、またはそれらを炭素
−炭素2重結合もしくは炭素−窒素2重結合もしくは窒
素−窒素2重結合等の共役鎖で結合させた骨格、または
カルコン,トリフェニレン,フタロシアニン,ポルフィ
リン骨格等が挙げられる。
有する化合物は、吸収波長領域が広く、可視光領域にま
で及ぶことがあり、そのΔnの波長分散が大きい傾向に
ある。従って、液晶表示として高コントラストを得るた
めには、ポリカーボネートよりもΔnの波長分散の大き
な位相差板、例えば材質がポリサルフォンやポリアリレ
ート等の位相差板を用いることが望ましい。本発明によ
れば、光吸収材料の代表的な有機化合物は3−ハイドロ
キシ−3−フェニル−1−フェニル−2−プロペン−1
−オン誘導体である。この光吸収性材料が少なくとも一
つ以上の炭素数1〜8のアルキル基,アルケニル基,ア
ルコキシル基を有する材料であることによって、従来の
液晶組成物中への光吸収剤の相溶性に関する問題が解決
された。すなわち液晶組成物中への溶解性が高く、また
低温において析出等の問題がなく、低温安定性に優れて
いる。
材料はそれ自体が液晶相を有する。これによって相溶性
も良く、液晶組成物の液晶相がより安定となる。本発明
によれば、その代表的な有機化合物はベンズアルデヒド
アジン誘導体である。
層中には光照射によって分子骨格を変換する光反応性の
液晶化合物と、光吸収性材料とが含まれている。この光
反応性の液晶化合物と、光吸収性材料の重量濃度比は、
10以下である。所定波長光を含む光を照射する前後の
液晶層の屈折率異方性Δnの変化率は、0.98>Δn
(照射後)/Δn(照射前)>0.9である。
後のΔnの変化率が0.98>Δn(照射後)/Δn
(照射前)>0.94 とすれば、さらに表示むらをより
低減できる。
素子に用いる光硬化樹脂を硬化させるための波長を有す
る照射光源である。この光硬化樹脂とは、例えば一対の
基板を貼り合わせるシール樹脂や、液晶注入口を封止す
る封止剤等がある。その光硬化樹脂を硬化させるために
用いる照射光源のピーク輝度の波長とは、例えば照射光
源が水銀ランプの場合は、発光強度の強い波長である2
54nm,313nm,366nmである。キセノンラ
ンプの場合は500nm前後に強い発光強度を持ち、メ
タルハライドランプのガリウムランプでは、290n
m,300nm,366nm,405nm,425nm
付近、特に400nm〜450nmで発光強度が強い。
あるため、なるべく広い波長範囲において添加する光吸
収性有機化合物の吸光係数が前記光反応する液晶材料よ
りも大きいことが望ましい。
る光反応性の液晶化合物の光反応を抑制することができ
る。また、その光反応に基づく液晶層のΔnの低下を低
減できる。その結果液晶材料の光劣化による表示むらを
低減し、高品質な液晶表示素子を提供するという目的を
達成することができる。
注入口の封止工程においては、透過率50%の波長が3
50nm付近である紫外線カットフィルターを用いるこ
とでより効果的に表示むらが低減できる。
例に基づいて説明する。最初に本実施例で用いる光照射
方法と、液晶材料のΔn測定方法について説明する。Δ
nの測定は、平行配向処理を施したガラスセルに液晶材
料を入れ、温度,セルギャップ一定の条件下で波長を変
える方法によって測定した(W.H.de Jeu著,石井力,小
林駿介訳,「液晶の物性」42頁,共立出版,1991
年)。
り光を照射し、再度Δnを測定した。光源とセルとの距
離は1cmとし、照射時間は5秒,10秒とした。測定波
長範囲が350nmを中心に310nm〜400nmで
ある光量測定装置で測定した、このときの光源の光量は
65mW/cm2 であった。通常の高圧水銀ランプの光量
を同条件で測定した場合は、少なくとも50mW/cm2
以上である。光照射は、主にシアノPCH,トラン液晶
からなる液晶組成物(以下母体液晶)に、光反応性材料
や光吸収性の有機化合物を添加することにより行った。
射によるΔn変化について測定した。母体液晶を配向セ
ルに入れ、その光照射前,5秒間照射後,10秒間照射
後のΔnを測定した。その結果(10秒間光照射後のΔ
n)/(光照射前のΔn)は0.99〜0.98 であっ
た。従って母体液晶そのものは耐光性に優れた液晶材料
であるといえる。
オロ−β−(p−プロピルフェニル)−4−プロピルスチ
レンを20wt%添加し、同様にその光照射前,5秒間
照射後,10秒間照射後のΔnを測定した。その結果
(10秒間光照射後のΔn)/(光照射前のΔn)は
0.88 以下であった。さらに光照射後のセルを分解
し、中の液晶材料を分析したところ、シス−α,β−ジ
フルオロ−β−(p−プロピルフェニル)−4−フルオ
ロスチレンが検出された。すなわちこの材料は、光によ
って異性化反応が進行し、トランス体からシス体へと変
化し、Δnが低下したものと考えられる。母体液晶と母
体液晶にトランス−α,β−ジフルオロ−β−(p−プ
ロピルフェニル)−4−プロピルスチレンを20wt%
添加した液晶組成物の、光照射によるΔnの変化率を図
5に示す。
−ジフルオロ−β−(p−プロピルフェニル)−4−プ
ロピルスチレンを添加すると、どの程度液晶の応答時間
が短縮されるかについて検討した。
ロ−β−(p−プロピルフェニル)−4−プロピルスチレ
ンを10wt%,20wt%,25wt%添加し、その
応答時間を測定した。測定に用いた液晶表示素子はST
N(Super Twisted Nematic)モードの素子である。応答
時間は、液晶素子に電圧を印加したときの、液晶素子の
透過率が0%から90%に変化するときに要する時間
と、電圧印加状態から蒸印加状態にしたときの、液晶素
子の透過率が100%から10%に変化するときに要す
る時間との合計で表し、印加電圧は、前記両者の応答時
間が等しくなるときの電圧とした。
時間は素子の基準間隔、いわゆるセルギャップの2乗に
依存するため、図6の縦軸は応答時間をセルギャップの
2乗で除した応答パラメータを用いた。すなわち応答パ
ラメータが6の場合、セルギャップが6ミクロンの場合
は、応答時間は216msとなる。またセルギャップが
5ミクロンのとき、応答時間が150msとなる。一般
にパソコンのマウス操作において支障がないとされる応
答時間はおおむね200ms以下であり、またパソコン
の簡易動画に対するために少なくとも150ms以下の
応答時間が必要とされている。
て、応答パラメータの値6を達成するためには、少なく
ともトランス−α,β−ジフルオロ−β−(p−プロピ
ルフェニル)−4−プロピルスチレンの添加量が10w
t%以上でなければならないことが判る。
て、3−ヒドロキシ−1−(p−メトキシフェニル)−
3−(p−ペンチルフェニル)−2−プロペン−1−オ
ンを合成した。この化合物骨格中には炭素−炭素2重結
合が7個存在する。合成方法は、カルコン誘導体から合
成する方法(特開平3−202818 号)によって行った。
て、4,4′−ジペンチルベンズアルデヒドアジンを合
成した。このベンズアルデヒドアジン骨格中には炭素−
炭素2重結合が6個,炭素−窒素2重結合が2個、計8
個存在する。合成方法は、W. G.Shaw,G.Brown らの方法
(ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイア
ティー,81巻,2532頁−2537頁,1959
年)及びH.E.Zimmerman,S. Somasekharaらの方法(ジャ
ーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイアティ
ー,82巻,5865頁−5873頁,1960年)に
よって行った。偏光顕微鏡下でその熱的挙動を観察した
ところ、この4,4′−ジペンチルベンズアルデヒドア
ジンは液晶相を有することを確認した。またペンチル基
のないベンズアルデヒドアジンは市販品を購入した。
ス−α,β−ジフルオロ−β−(p−プロピルフェニ
ル)−4−プロピルスチレン,ベンズアルデヒドアジ
ン,3−ヒドロキシ−1−(p−メトキシフェニル)−
3−(p−ペンチルフェニル)−2−プロペン−1−オ
ンの溶液中での光吸収を測定し、その吸光係数を求め
た。
−プロピルフェニル)−4−プロピルスチレンをアセト
ニトリル中に溶解し、紫外−可視分光光度計によりその
吸収波長範囲を測定した。その結果、アセトニトリル溶
液中でのトランス−α,β−ジフルオロ−β−(p−プ
ロピルフェニル)−4−プロピルスチレンの吸光係数
は、波長313nmにおいて約20000,366nm
においては約300であった。
ニル)−3−(p−ペンチルフェニル)−2−プロペン
−1−オンをアセトニトリル中に溶解し、同様に吸収波
長範囲を測定し、その吸収波長範囲を測定した。その結
果3−ヒドロキシ−1−(p−メトキシフェニル)−3
−(p−ペンチルフェニル)−2−プロペン−1−オン
は360nm付近に吸収極大を持ち、366nm付近で
の吸光係数は約20000程度であった。
溶解し、同様に吸収波長範囲を測定した。その結果、ベ
ンズアルデヒドアジンは300nm付近に吸収極大を持
ち、313nm付近での吸光係数は30000程度であ
った。
に、トランス−α,β−ジフルオロ−β−(p−プロピ
ルフェニル)−4−プロピルスチレンを20wt%、合
成した3−ヒドロキシ−1−(p−メトキシフェニル)
−3−(p−ペンチルフェニル)−2−プロペン−1−
オンを適当量添加し、光照射によるΔnの変化を測定し
た。結果を図7に示す。この結果から、実験に用いた母
体液晶中にトランス−α,β−ジフルオロ−β−(p−
プロピルフェニル)−4−プロピルスチレンを20%添
加した場合は、3−ヒドロキシ−1−(p−メトキシフ
ェニル)−3−(p−ペンチルフェニル)−2−プロペ
ン−1−オンを2wt%程度まで添加すれば0.94 程
度まで低減できることが判った。
に、トランス−α,β−ジフルオロ−β−(p−プロピ
ルフェニル)−4−プロピルスチレンを20wt%、実
施例3で合成した4,4′−ジペンチルベンズアルデヒ
ドアジンを適当量添加し、光照射によるΔnの変化を測
定した。結果を図1に示す。また、10秒間光照射した
後のΔnの変化率と4,4′−ジペンチルベンズアルデ
ヒドアジンの添加量とをプロットした(図8)。この結
果から、実験に用いた母体液晶中にトランス−α,β−
ジフルオロ−β−(p−プロピルフェニル)−4−プロ
ピルスチレンを20%添加した場合は、4,4′−ジペ
ンチルベンズアルデヒドアジンを1wt%程度添加すれ
ば、光照射前後のΔnの変化率が0.9程度にまで低減
でき、さらに2.5wt%程度まで添加すれば0.94
程度まで低減できることが判った。
例1で用いた母体液晶に、トランス−α,β−ジフルオ
ロ−β−(p−プロピルフェニル)−4−プロピルスチ
レンを30wt%,実施例3で合成した4,4′−ジペ
ンチルベンズアルデヒドアジンを適当量添加し、光照射
によるΔnの変化を測定した。また、10秒間光照射し
た後のΔnの変化率と4,4′−ジペンチルベンズアル
デヒドアジンの添加量とをプロットした(図9)。この
結果から、実験に用いた母体液晶中にトランス−α,β
−ジフルオロ−β−(p−プロピルフェニル)−4−プ
ロピルスチレンを30wt%添加した場合は、4,4′
−ジペンチルベンズアルデヒドアジンを1.5wt%程
度添加すれば、光照射前後のΔnの変化率が0.9 程度
にまで低減でき、さらに4wt%程度まで添加すれば
0.94 程度まで低減できることが判った。
α,β−ジフルオロ−β−(p−プロピルフェニル)−
4−プロピルスチレンと4,4′−ジペンチルベンズア
ルデヒドアジンの重量濃度比が20以下であれば、光照
射によるΔnの変化率が0.9以上にまで低減でき、さ
らに重量濃度比が10以下であれば、光照射によるΔn
の変化率が0.92 以上にまで低減でき、さらに重量濃
度比が8以下であれば、光照射によるΔnの変化率が
0.94 以上にまで低減できることが判明した。この光
照射によるΔnの変化率は、用いる光反応性液晶化合物
の種類や母体液晶との組み合わせによって多少異なる。
この材料の違いによる光反応性やΔnの変化率を考慮す
ると、光照射前後のΔn変化率>0.9 を達成するに
は、重量濃度比が10以下であることがより望ましい。
液晶表示素子,STN−LCD(Liquid CrystalDispla
y)を作製した。まずストライプ状にパターニングされた
ITO(IndiumTin Oxide)電極を有するガラス基板と、
カラーフィルターとストライプ状にパターニングされた
ITO電極とを有するガラス基板上に、ポリイミド前駆
体ワニスを塗布,焼成し、ポリイミド配向膜を基板上に
形成した。配向膜にラビング処理を行い、上下基板のI
TO電極が直交し、上下基板のラビング角度が60度
(液晶のツイスト角度が240度)となるように、基板
間隔一定となるようにスペーサービーズによって保持
し、基板を熱硬化性のシール剤により貼り合わせた。
注入口より、真空封入法によって液晶材料を封入した。
液晶注入後、注入口を紫外線硬化樹脂によって封止し
た。紫外線硬化樹脂の硬化用光源には高圧水銀ランプを
用いた。注入した液晶材料は、実施例1で用いた母体液
晶、母体液晶にトランス−α,β−ジフルオロ−β−
(p−プロピルフェニル)−4−プロピルスチレンを1
0wt%、トランス−α,β−ジフルオロ−β−(p−
ペンチルフェニル)−4−フルオロスチレンを10wt
%添加した液晶組成物、母体液晶にトランス−α,β−
ジフルオロ−β−(p−プロピルフェニル)−4−フル
オロスチレンを10wt%、トランス−α,β−ジフル
オロ−β−(p−ペンチルフェニル)−4−フルオロス
チレンを10wt%、4,4′−ジペンチルベンズアル
デヒドアジンを5wt%添加した液晶組成物である。
取り付け液晶表示素子を駆動した。その結果、母体液晶
だけ注入した液晶表示素子と、母体液晶にトランス−
α,β−ジフルオロ−β−(p−プロピルフェニル)−
4−フルオロスチレンを10wt%、トランス−α,β
−ジフルオロ−β−(p−ペンチルフェニル)−4−フ
ルオロスチレンを10wt%、4,4′−ジペンチルベ
ンズアルデヒドアジンを5wt%添加した液晶組成物を
注入した液晶表示素子には、注入口付近での表示むらは
観察されなかったが、母体液晶にトランス−α,β−ジ
フルオロ−β−(p−プロピルフェニル)−4−フルオ
ロスチレンを10wt%、トランス−α,β−ジフルオ
ロ−β−(p−ペンチルフェニル)−4−フルオロスチ
レンを10wt%のみを添加した液晶組成物を注入した
液晶表示素子では、注入口付近に注入口むらが観察され
た。
曲線を図10に示す。この実験結果から、光吸収剤を液
晶組成物中に添加することにより、光反応性液晶材料の
光反応を抑制でき、表示むらのない高品質な液晶表示素
子(STN−LCD)を得られることが判った。
にトランス−α,β−ジフルオロ−β−(p−プロピル
フェニル)−4−フルオロスチレンを10wt%、トラ
ンス−α,β−ジフルオロ−β−(p−ペンチルフェニ
ル)−4−フルオロスチレンを10wt%、4,4′−
ジペンチルベンズアルデヒドアジンを5wt%添加した
液晶組成物を、−30℃で1か月保存した。その結果、
この液晶組成物は1か月後も−30℃でネマティック相
であり、結晶の析出等は観察されなかった。すなわち
4,4′−ジペンチルベンズアルデヒドアジンそのもの
が液晶相を有しているため、相溶性に優れていることが
判明した。
てTN(Twisted Nematic)型TFT(Thin Film Transi
stor)−LCDを作製した。まずITO電極とアクティ
ブ素子であるTFT素子を有するガラス基板と、カラーフ
ィルターとITO電極とを有するガラス基板上に、ポリ
イミド前駆体ワニスを塗布,焼成し、ポリイミド配向膜
を基板上に形成した。配向膜にラビング処理を行い、上
下基板のラビング角度が90度(液晶のツイスト角度が
90度)となるように、基板間隔一定となるようにスペ
ーサービーズによって保持し、基板を熱硬化性のシール
剤により貼り合わせた。
を封止した。注入した液晶材料は、フッ素系の母体液晶
にトランス−α,β−ジフルオロ−β−(4−プロピル
シクロヘキシル)−4−クロロスチレンを10wt%添
加した液晶組成物、フッ素系の母体液晶にトランス−
α,β−ジフルオロ−β−(4−プロピルシクロヘキシ
ル)−4−クロロスチレンを10wt%、4,4′−ジ
ペンチルベンズアルデヒドアジンを1wt%添加した液
晶組成物である。
晶表示素子を駆動した。その結果、母体液晶だけ注入し
た液晶表示素子と、母体液晶にトランス−α,β−ジフ
ルオロ−β−(4−プロピルシクロヘキシル)−4−ク
ロロスチレンを10wt%と、4,4′−ジペンチルベ
ンズアルデヒドアジンを1wt%添加した液晶組成物を
注入した液晶表示素子は、注入口付近での表示むらは観
察されなかったが、母体液晶にトランス−α,β−ジフ
ルオロ−β−(4−プロピルシクロヘキシル)−4−ク
ロロスチレンのみを10wt%添加した液晶組成物を注
入した液晶表示素子では、注入口付近に注入口むらが観
察された。
中に添加することにより、光反応性液晶材料の光反応を
抑制でき、表示むらのない高品質な、液晶表示素子(T
N−TFT−LCD)を得られることが判った。本実施
例の液晶表示装置を図11に示す。
たIPS(In-Plane Switching)型TFT−LCDを作
製した。まず櫛歯電極とアクティブ素子であるTFT素
子を有するガラス基板と、カラーフィルターを有するガ
ラス基板上に、ポリイミド前駆体ワニスを塗布,焼成
し、ポリイミド配向膜を基板上に形成した。櫛歯電極と
TFT素子を図12に示す。次に配向膜にラビング処理
を行った。
フィルター付き基板のラビング方向は、互いにほぼ平行
で、かつ印加電界方向との成す角度を75度とした。
液晶注入,注入口を封止した。注入した液晶材料は、実
施例9と同様のフッ素系の母体液晶にトランス−α,β
−ジフルオロ−β−(4−プロピルシクロヘキシル)−
4−クロロスチレンを10wt%添加した液晶組成物、
フッ素系の母体液晶にトランス−α,β−ジフルオロ−
β−(4−プロピルシクロヘキシル)−4−クロロスチ
レンを10wt%、4,4′−ジペンチルベンズアルデ
ヒドアジンを1wt%添加した液晶組成物である。
晶表示素子を駆動した。その結果、母体液晶だけ注入し
た液晶表示素子と、母体液晶にトランス−α,β−ジフ
ルオロ−β−(4−プロピルシクロヘキシル)−4−ク
ロロスチレンを10wt%と、4,4′−ジペンチルベ
ンズアルデヒドアジンを1wt%添加した液晶組成物を
注入した液晶表示素子には、注入口付近での表示むらは
観察されなかったが、母体液晶にトランス−α,β−ジ
フルオロ−β−(4−プロピルシクロヘキシル)−4−ク
ロロスチレンのみを10wt%添加した液晶組成物を注
入した液晶表示素子では、注入口付近に注入口むらが観
察された。
中に添加することにより、光反応性液晶材料の光反応を
抑制でき、表示むらのない高品質な、液晶表示装置(I
PS−TFT−LCD)を得られることが判った。作製
した液晶表示装置を図14に示す。
して、特開平9−160054 号記載の、注入口封止に用いる
紫外線硬化樹脂を硬化させる際にUVカットフィルター
を用いる方法について検討した。前記実施例8と同様に
ガラスセルを作製し、その中に母体液晶にトランス−
α,β−ジフルオロ−β−(p−プロピルフェニル)−
4−プロピルスチレンを20wt%添加した液晶組成物
を注入した。注入後の注入口封止時に、東芝硝子株式会
社製色ガラスフィルターUV−33,UV−35,UV
−37,HOYA株式会社製L−38,L−39を紫外
線カットフィルターとして各々用いた。その結果、L−
38,L−39では紫外線硬化樹脂が硬化しなかった
が、UV−33,UV−35では紫外線硬化樹脂は十分
に硬化した。UV−37を用いた場合は、紫外線硬化樹
脂はやや硬化したが十分ではなかった。封止後、注入口
付近を観察すると、UV−33,UV−35を用いて封
止した液晶表示素子では、注入口付近に表示むらが観察
された。これはUV−33,UV−35では紫外線カッ
トが不十分で、液晶が光反応したためである。さらにU
V−37を用いた場合にも、液晶表示素子を駆動させる
と、注入口付近に表示むらが観察された。液晶表示素子
の表示むらの部分と正常部分の電圧−透過率曲線を図1
3に示す。
ーを用いた製造工程だけでは、液晶材料の光反応による
表示むらは解消できないことが判明した。但しUV−3
3,UV−35を用いる場合でも、液晶組成物中に4,
4′−ジペンチルベンズアルデヒドアジンを5wt%添
加した液晶組成物を用いれば、紫外線カットフィルター
による紫外線カット効果と液晶組成物中の光吸収剤によ
る光吸収効果とで、より効率的な光反応抑制が可能とな
り、表示むらを低減できた。
波長280〜330nm領域と350nm〜420nmに
吸収を有する材料の添加による光反応抑制効果を確認し
た。波長280〜330nm領域と350nm〜420
nmに吸収を有する材料として、アントラセンを用い
た。アントラセンの吸光係数は、メタノール溶液中で、
296nmにおいて531,309nmにおいて123
0,322nmにおいて2750,338nmにおいて
5290,355nmにおいて7770,376nmに
おいて7590である。母体液晶中にトランス−α,β
−ジフルオロ−β−(p−プロピルフェニル)−4−プ
ロピルスチレンを20wt%、アントラセン1wt%を
添加し、光照射によるΔnの変化率を測定した。
後のΔn)/(光照射前のΔn)は0.89 であり、そ
の効果がほとんどなかった。このことから、添加する光
吸収剤は、吸収波長だけではなく、その材料の吸光係数
が重要であることが判明した。
き、高品質な液晶表示装置を提供することができる。
と、光吸収剤とを添加した液晶組成物の、光照射による
Δnの変化率を示す図。
性液晶材料を添加した液晶組成物の、光照射によるΔn
の変化率を示す図。
化合物を添加したときの、添加流と応答パラメータの関
係を示す図。
と光吸収剤とを添加した液晶組成物の、光照射によるΔ
nの変化率を示す図。
化率との関係を示す図。
化率との関係を示す図。
示素子の、表示むらの部分と正常部分の電圧−透過率相
関を示す図。
の電極群,絶縁膜,配向制御膜の配置を示す平面および
断面を示す模式図。
を用いて液晶注入口を封止した液晶表示素子の、表示む
らの部分と正常部分の電圧−透過率相関を示す図。
図。
ーフィルター、5…透明電極、6…配向膜、7…スペー
サー、8…液晶層、9…絶縁膜、10…電極、11…コ
モン電極、12…ゲート電極、13…ゲート絶縁膜、1
4…半導体層、15…ソース及びドレイン電極、16…
コモン電圧供給回路、17…ゲート電圧・信号供給回
路、18…制御信号・データ信号及び電源電圧の供給
源、19…映像信号電極、20…画素電極、21…TF
T素子、22…シールドケース、23…表示窓、24…
液晶表示素子、25…光拡散板、26…導光体、27…
反射板、28…バックライト蛍光管、29…バックライ
トケース、30…インバータ回路基板、31…電源回路
基板。
Claims (15)
- 【請求項1】少なくとも一方が透明な一対の基板と、こ
の一対の基板間に挟持した液晶層と、前記一対の基板の
少なくとも一方の基板に形成された配向制御膜とを有
し、前記一対の基板は樹脂によって張り合わされ、その
樹脂部に少なくとも一つ以上の液晶を注入するための開
口部を有した液晶表示装置であって、 前記開口部は光硬化性樹脂によって封止されており、 前記液晶層には光照射によって分子骨格を変換する光反
応性の液晶化合物と、所定波長においてその吸光係数が
前記光反応性の液晶化合物よりも大きく、その分子内に
少なくとも一つ以上の炭素数1〜8のアルキル基,アル
ケニル基,アルコキシル基を有する有機化合物とが含ま
れている液晶表示装置。 - 【請求項2】請求項1において、前記液晶層中に含有さ
れる光反応性の液晶化合物においておきる、光照射によ
る分子骨格変換反応が、トランス−シス異性化反応であ
る液晶表示装置。 - 【請求項3】請求項2において、光によってトランス−
シス異性化反応を起こす光反応性の前記液晶化合物はそ
の分子骨格中に−CF=CF−構造を有している液晶表
示装置。 - 【請求項4】請求項1において、前記液晶層中に含まれ
る光反応性の液晶化合物の含有量が10wt%以上であ
る液晶表示装置。 - 【請求項5】請求項1において、前記液晶層は前記光反
応性の化合物を含有し、所定特定波長においてその吸光
係数が前記光反応性の液晶化合物よりも小さな有機化合
物のみを含有する状態においては、前記ある特定波長光
を含む光を液晶層に照射前後の液晶層の屈折率異方性Δ
nの変化率Δn(照射後)/Δn(照射前)が0.94以下
であることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項6】請求項1において、前記液晶層内部の前記
光吸収性有機化合物の濃度は1wt%以上である液晶表示
装置。 - 【請求項7】請求項1において、光反応性液晶化合物の
前記光吸収性有機化合物に対する重量濃度比は、10以
下である液晶表示装置。 - 【請求項8】請求項1において、前記光吸収性有機化合
物は、分子内に炭素−炭素2重結合もしくは炭素−窒素
2重結合もしくは窒素−窒素2重結合を7個以上有して
いる液晶表示装置。 - 【請求項9】請求項1において、前記光吸収性有機化合
物は、液晶相を有している液晶表示装置。 - 【請求項10】請求項7において、前記有機化合物は、
3−ハイドロキシ−3−フェニル−1−フェニル−2−
プロペン−1−オン誘導体である液晶表示装置。 - 【請求項11】請求項8において前記有機化合物は、ベ
ンズアルデヒドアジン誘導体である液晶表示装置。 - 【請求項12】少なくとも一方が透明な一対の基板と、
この一対の基板間に挟持した液晶層と、前記一対の基板
の少なくとも一方の基板に配向制御膜とを有し、前記一
対の基板が樹脂によって張り合わされ、その樹脂部に少
なくとも一つ以上の液晶を注入するための開口部を有し
た液晶表示装置であって、 前記開口部は光硬化性樹脂によって封止されており、 前記液晶層には光照射によって分子骨格を変換する光反
応性の液晶化合物と、所定波長においてその吸光係数が
前記光反応性の液晶化合物よりも大きく、その分子内に
少なくとも一つ以上の炭素数1〜8のアルキル基,アル
ケニル基,アルコキシル基を有する有機化合物とが含ま
れており、 前記光反応性の液晶化合物と、前記有機化合物との重量
濃度比が10以下であり、 前記所定の波長光を含む光の前記液晶層への照射前後の
前記液晶層の屈折率異方性Δnの変化率が、0.98>
Δn(照射後)/Δn(照射前)>0.9である液晶表示
装置。 - 【請求項13】少なくとも一方が透明な一対の基板と、
この一対の基板間に挟持した液晶層と、前記一対の基板
の少なくとも一方の基板には複数の電極と配向制御膜と
を備え、前記一対の基板が樹脂によって張り合わされ、
その樹脂部に少なくとも一つ以上の、液晶を注入するた
めの開口部を有した液晶表示装置において、 前記開口部は光硬化性樹脂によって封止されており、 前記液晶層には光照射によって分子骨格を変換する光反
応性の液晶化合物と、所定波長においてその吸光係数が
前記光反応性の液晶化合物よりも大きく、その分子内に
少なくとも一つ以上の炭素数1〜8のアルキル基,アル
ケニル基,アルコキシル基を有する有機化合物とが含ま
れており、 前記光反応性の液晶化合物と、前記有機化合物の重量濃
度比が8以下であり、 前記所定の波長光を含む光の前記液晶層への照射前後の
前記液晶層の屈折率異方性Δn変化率が、0.98>Δ
n(照射後)/Δn(照射前)>0.94である液晶表示
装置。 - 【請求項14】請求項1,12または13において、前
記所定特定波長は、前記光硬化樹脂を硬化させるための
照射光源のピーク輝度の波長である液晶表示装置。 - 【請求項15】請求項12において、前記照射光源のピ
ーク輝度の波長が、254nm,313nm,366nm
のいずれかである液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14933499A JP3873524B2 (ja) | 1998-05-29 | 1999-05-28 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10-148687 | 1998-05-29 | ||
JP14868798 | 1998-05-29 | ||
JP14933499A JP3873524B2 (ja) | 1998-05-29 | 1999-05-28 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000044953A true JP2000044953A (ja) | 2000-02-15 |
JP3873524B2 JP3873524B2 (ja) | 2007-01-24 |
Family
ID=26478806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14933499A Expired - Fee Related JP3873524B2 (ja) | 1998-05-29 | 1999-05-28 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3873524B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009007486A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Mitsubishi Chemicals Corp | 二色性色素、及びそれを用いた液晶組成物、液晶素子 |
JP2020109490A (ja) * | 2019-11-05 | 2020-07-16 | サンテック株式会社 | 空間位相変調器 |
US11209687B2 (en) | 2018-12-28 | 2021-12-28 | Santec Corporation | Spatial phase modulator |
-
1999
- 1999-05-28 JP JP14933499A patent/JP3873524B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009007486A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Mitsubishi Chemicals Corp | 二色性色素、及びそれを用いた液晶組成物、液晶素子 |
US11209687B2 (en) | 2018-12-28 | 2021-12-28 | Santec Corporation | Spatial phase modulator |
JP2020109490A (ja) * | 2019-11-05 | 2020-07-16 | サンテック株式会社 | 空間位相変調器 |
JP7239178B2 (ja) | 2019-11-05 | 2023-03-14 | サンテック株式会社 | 空間位相変調器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3873524B2 (ja) | 2007-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2933816B2 (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
JP4528645B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
JP5242390B2 (ja) | 液晶光学素子および液晶光学素子の製造方法 | |
US5576860A (en) | Liquid crystal display device in which the heights of the reflection plate projections are less than half the thicknesses of the two aligning films together | |
WO1993008497A1 (en) | Display element and its manufacturing method | |
JP5315995B2 (ja) | 液晶光学素子およびその製造方法 | |
JP4844013B2 (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
JP4352480B2 (ja) | 液晶光学素子およびその製造方法 | |
JP2937684B2 (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
JP3565521B2 (ja) | 重合性化合物およびそれを用いた液晶表示素子 | |
JP3873524B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
KR100612781B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
JPH1060441A (ja) | ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示装置 | |
US20010041231A1 (en) | Liquid crystal display device | |
JP2005164962A (ja) | 光学素子及びその製造方法、並びに液晶配向用基板及び液晶表示装置 | |
EP0431929A2 (en) | Carboxylate compounds, liquid crystal compositions and liquid crystal elements containing said compounds and method of optical modulation using said elements | |
JPH08176549A (ja) | 耐紫外線液晶材料及び液晶表示装置 | |
JP3541405B2 (ja) | ジフルオロスチルベン誘導体化合物、それを含有する液晶組成物および液晶電気光学素子 | |
JP2005258429A (ja) | 液晶表示素子 | |
US6927823B1 (en) | Method for alignment of liquid crystals using irradiated liquid crystal films | |
JP4862281B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
JP3056644B2 (ja) | 液晶表示素子およびその製造方法 | |
JP2880361B2 (ja) | 液晶表示素子およびその製造方法 | |
JP3841181B2 (ja) | ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示装置 | |
JPH09151373A (ja) | ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041101 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041109 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051108 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051222 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060417 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061003 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061016 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 5 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313121 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131102 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |