JP7221221B2 - チップ埋め込み型電力変換器 - Google Patents
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Description
この出願は、2017年2月8日に出願された米国特許出願番号第15/428、019号(米国特許第9、729、059号として発行)の一部継続である、2017年8月4日に出願された米国特許出願番号第15/669、838の継続である。これらの出願の全内容を全ての目的のために本願に参照により援用する。
本開示は、電子システム、直流-直流(DC-DC)変換器、電子デバイス設計、および電子デバイス製造技術に関する。
・前記埋め込み型回路は集積回路(IC)を備える。
・前記インダクタのフットプリントは前記集積回路のフットプリントに少なくとも部分的に重なる。
・ワイヤボンドが前記インダクタと前記埋め込み型回路とを電気的に相互接続しない、
・前記回路は少なくとも1MHzの切替速度を有する。
・前記回路は少なくとも3MHzの切替速度を有する。
・前記回路は少なくとも5MHzの切替速度を有する。
・前記回路は最大7MHzの切替速度を有する。
・前記少なくとも1つのスイッチはエンハンスト窒化ガリウム電界効果トランジスタ(enhanced gallium nitride fieldeffect transistor、eGaNFET)を備える。
・前記上部PCB部分の前記上面に設けられた1つまたは複数のキャパシタをさらに備える。
・前記下部PCB部分の前記上面と前記上部PCB部分の前記下面との間に設けられたコアをさらに備え、前記コアはその内部に形成された1つまたは複数のポケットを備え、前記埋め込み型回路は前記1つまたは複数のポケットに設けられている。
・前記DC-DC電力変換器は25mm2未満のフットプリントを有する。
・前記DC-DC電力変換器は10mm2未満のフットプリントを有し、
・前記DC-DC電力変換器は5mm2未満のフットプリントを有し、
・前記DC-DC電力変換器が2mm2のように小さいフットプリントを有する。
・前記DC-DC電力変換器は電流のアンペア数当たり0.5mm2~10mm2であるフットプリント領域を有する。
・前記実装基板は多層PCBである。
・前記eGaN構成要素はeGaNを含むスイッチであり、前記DC-DC電力変換器は前記スイッチを駆動するドライバ回路をさらに備える。
・前記ドライバおよび前記スイッチは、ICチップの一部である。
・前記ICチップは、パルス幅変調器(PWM)コントローラをさらに備える。
・前記プリント基板を通って延びる1つまたは複数のビアにより前記集積回路と電気的に連結されたインダクタをさらに備える。
・前記インダクタは、前記集積回路のフットプリントに少なくとも部分的に重なるフットプリントを有する。
・第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有するプリント基板(PCB)をさらに備え、前記集積回路は、前記PCBの前記第1面に実装され、前記インダクタは、前記PCBの前記第2側に実装される。
・前記インダクタは、前記プリント基板を通って延びる1つまたは複数のビアにより前記集積回路と電気的に連結されている。
・前記変調器は、前記集積回路チップに含まれる。
・前記変調器は、前記第1スイッチおよび前記第2スイッチに同期期間で位相を出力するように動作させるように構成されている。
・前記出力ノードにおける出力信号は、第1インダクタを介した第1信号および第2インダクタを介した第2信号に重畳される。
・前記変調回路は、電圧モード変調回路である。
・前記変調回路は、常時オン時間または常時オフ時間変調回路である。
・前記変調回路は、前記集積回路チップに含まれる。
・前記変調回路および前記インダクタは、前記集積回路チップと共にパッケージに含まれている。
・前記フィードバック経路と、前記ランプ波発生器からの出力とが比較器に連結される。
・前記比較器と連結された基準電圧源をさらに備える。
・前記ランプ波発生器は、前記インダクタを通るリップル電流をエミュレートするように構成される。
・前記ランプ波発生器は、第1電流源と、第2電流源と、キャパシタとを備える。
・前記第1電流源および前記第2電流源は、少なくとも一部が前記インダクタのインダクタンスに基づいてトリムされるように構成される。
・前記ランプ波発生器および前記インダクタは、同じDC-DC電力変換器パッケージに含まれる。
・前記ランプ波発生器は、前記インダクタに連結された出力キャパシタにより影響を受けない出力信号を生成するように構成されている。
・前記ランプ波発生器は、前記インダクタに連結された出力キャパシタの等価直列抵抗(ESR)から独立した出力信号を生成するように構成されている。
・前記出力キャパシタのリップル電圧が小さすぎて変調回路へ確実に提供されないように、十分に低いESRを有する出力キャパシタをさらに備える。
・前記ランプ波発生器は、DC-DC変換器においてインダクタを通るリップル電流をエミュレートするように構成される。
・前記第1電流源の前記出力は、DC-DC変換器に対する入力電圧少なくとも一部が基づいている。
・前記第1電流源の前記出力は、DC-DC変換器におけるインダクタのインダクタンスに少なくとも一部が基づいている。
・前記第2電流源の前記出力は、DC-DC変換器におけるインダクタのインダクタンスに少なくとも一部が基づいている。
・前記第2電流源の前記出力は、DC-DC変換器におけるインダクタのインダクタンスに少なくとも一部が基づいている。
・前記第1電流源は、DC-DC変換器に置けるインダクタのインダクタンスに少なくとも一部が基づいてトリムされるように構成されている。
・前記第2電流源は、DC-DC変換器におけるインダクタのインダクタンスに少なくとも一部が基づいてトリムされるように構成されている。
・前記変調回路は、前記プリント基板に含まれる。
・前記変調回路は、常時オン時間または常時オフ時間変調回路である。
・前記ランプ波発生器は、前記集積回路に含まれる。
・前記ランプ波発生器を少なくとも一部は前記インダクタの特性に基づいてトリムすることをさらに備える。
・前記ランプ波発生器は、いずれかの上記実施形態のランプ波発生器である。
・前記リップル電圧、基準電圧、および前記出力電圧のうち少なくとも2つを比較することをさらに含む。
・電流源を、少なくとも一部は、前記インダクタのインダクタンスに基づいてトリムすることをさらに備える。
・前記リップル電圧は、前記インダクタを通る電流をエミュレートするように構成されたランプ波発生器により生成される。
・前記過電流保護回路は、少なくとも一部が集積回路間または電源管理バスコマンドに基づいて調整またはトリムされるように構成された電流源を備える。
・前記インダクタの飽和インダクタンスが前記限界を超え、かつ、前記限界を50%未満超える。
・前記限界は、最大規定DC電流仕様プラス最大交流電流リップル仕様を50%未満超過する。
・前記集積回路間または電源管理バスは少なくとも1つの電流源に連結され、プロトコルコマンドを提供して前記電流源を調節またはトリムするように構成されている。
・前記集積回路間または電源管理バスは少なくとも1つの電流源に連結され、プロトコルコマンドを提供して比較器へ提供される基準値を設定または調節するように構成されている。
・前記集積回路間または電源管理バスは、前記DC-DC電力変換器パッケージのオンまたはオフ、前記DC-DC電力変換器パッケージの低電力またはスリープモードの変更、前記DC-DC電力変換器パッケージの電流設定についての情報の読み出し、前記DC-DC電力変換器パッケージについて診断および/または技術情報の読み出し、前記DC-DC電力変換器パッケージにより提供される出力電圧の設定または変更、の少なくとも1つを実施するための指示を含むプロトコルを通信するように構成されている。
・集積回路間実装品の上に配線層として電源管理プロトコルを実施する。
・前記電力変換器は、前記電力変換器の入力部と出力部との間の直接的な電気的接続を絶縁するように構成された絶縁トポロジで構成される。
・前記絶縁トポロジは、フライバックトポロジ、順方向変換器トポロジ、2トランジスタ順方向、LLC共振変換器、プッシュプルトポロジ、フルブリッジ、ハイブリッド、PWM共振変換器、およびハーフブリッジトポロジの少なくとも1つを備える。
・前記第1インダクタを通る変更電流が前記第2インダクタにおける変更電流を誘発するように構成された前記第1インダクタおよび前記第2インダクタを含む変圧器をさらに備える。
・前記埋め込み型回路と同じパッケージにおける無線通信システムをさらに備える。
・前記電力変換器の出力は、前記無線信号システムにより受信される無線信号に応じて調整されるように構成される。前記インダクタを通る電流リップルをエミュレートする信号を生成するように構成されたランプ波発生器を有するフィードバックシステムをさらに備え、前記フィードバックシステムは、前記無線通信システムにより受信される無線信号に応じてトリムまたは調整されるように構成された電流源を備える。
・前記埋め込み型回路は前記無線通信システムを備える。
・前記電力変換器の出力を調整するための制御信号を受信するように構成された通信インターフェースをさらに備える。
・前記通信インターフェースは電源管理バス(PMBUS)を備える。
・前記通信インターフェースは、集積回路間(I2C)プロトコルを実施するように構成されている。
・前記インダクタを通る電流リップルをエミュレートする信号を生成するように構成されたランプ波発生器を有するフィードバックシステムをさらに備え、前記フィードバックシステムは、前記通信インターフェースを介して受信されるコマンドに応じて前記ランプ波発生器をトリムするように構成されている。
・前記埋め込み型回路は、1つまたは複数のPWM信号を生成するように構成されたパルス幅変調器(PWM)コントローラを備え、前記PWMコントローラは、前記ドライバと連結され、前記ドライバは、少なくとも一部は前記PWM信号に基づいて1つまたは複数のドライバ信号を生成するように構成される。
・前記インダクタは、定格電流を有し、前記インダクタは、飽和定格を有し、前記飽和定格は、前記定格電流よりも50%未満高い。
・前記インダクタは、定格電流を有し、前記インダクタは、飽和定格を有し、前記飽和定格は、前記定格電流よりも20%未満高い。
・前記インダクタを通る電流が前記飽和定格を上回るのを防止するように構成された過電流保護回路をさらに備える。
・過電流条件の検出に応じて前記1つまたは複数のスイッチの少なくとも1つを開くように構成された過電流保護回路さらに備える。
・前記電力変換器は、直流-直流(DC-DC)電力変換器である。
・前記電力変換器は、交流-直流(AC-DC)電力変換器である。
・電流源を有するフィードバックシステムをさらに備え、前記電流源は、前記無線通信システムにより受信される無線信号に少なくとも一部が基づいてトリムまたは調整されるように構成されている。
・前記インダクタを通る電流の指標を提供するように構成された過電流保護システムをさらに備え、前記過電流システムは電流源を備え、前記電流源は、前記無線通信システムにより受信される無線信号に少なくとも一部が基づいてトリムまたは調整されるように構成されている。
・前記インダクタは、前記上部PCB部分の前記上面に位置決めされ、前記1つまたは複数のビアは、前記インダクタおよび前記埋め込み型回路と電気的に連結され、発生器前記インダクタのフットプリントが前記埋め込み型回路のフットプリントに少なくとも部分的に重なり、前記埋め込み型回路は、1つまたは複数のドライバ信号を生成するように構成されたドライバと、前記1つまたは複数のドライバ信号により駆動されるように構成された1つまたは複数のスイッチとを備える。
・前記電力変換器は、直流-直流(DC-DC)変換装置である。
・前記電力変換器は、交流-直流(AC-DC)変換装置である。
・前記第1インダクタを通る変更電流が前記第2インダクタにおける変更電流を誘発するように構成された前記第1インダクタおよび前記第2インダクタを含む変圧器をさらに備える。
・前記埋め込み型回路は、交流電流(AC)入力電圧をパルスDC電圧に変更するように構成された整流回路を備える。
・前記パルスDC電圧をより安定したDC電圧に平滑化するように構成された平滑回路を備え、前記平滑回路は、前記上部PCB部分の上側の上部に位置決めされたキャパシタまたは前記インダクタを備える。
・前記整流回路は、1つまたは複数のスイッチを備える。
・前記整流回路は、ダイオードブリッジを備える。
直流(DC)-直流(DC-DC)変換器は、電子回路の一種である。DC-DC変換器は、第1電圧の入力電力を受信することができ、かつ、第2電圧の出力電力を提供することができる。DC-DC変換器としては、例えば、ブーストコンバータ(入力電圧よりも高い出力電圧を有することができる)、バックコンバータ(入力電圧よりも低い出力電圧を有することができる)、バック-ブーストコンバータ、および種々のその他のトポロジが挙げられる。
図1は、チップ埋め込み型DC-DC変換器パッケージ100の例示的回路レベルの回路図を示す。回路図は、電力入力ポート101と、電源103と、入力キャパシタ105と、アースポート106と、アース107と、電圧出力ポート109と、出力キャパシタ111と、集積回路(IC)チップ113Aと、代替IC113Bと、ドライバ117と、パルス幅変調器(PWM)コントローラ119と、第1電気経路121と、第1スイッチ(例えば、第1エンハンスト窒化ガリウム(eGaN)スイッチ)123と、第2電気経路125と、第2スイッチ(例えば、第2eGaNスイッチ)127と、第3電気経路129と、インダクタ131と、ACバイパスキャパシタ133とを示す。破線135は、スイッチ123、127の代替の別個のパッケージングを示す。スイッチ123、127は、電力スイッチ、スイッチングFET、および/またはスイッチングトランジスタとも称される。この回路図は、電流源137、比較器139、故障論理および/または過電流保護回路141も示す。
図2は、チップ埋め込み型DC-DC変換器パッケージ100の実施形態のパッケージレベルの回路図を示す。チップ埋め込み型DC-DC変換器パッケージは、入力ポート101、アースポート106、および出力ポート109を備えていてもよい。図1に関連して説明したように、電力入力ポート101は、電源103と、アースに連結された入力キャパシタ105などにより連結されていてもよい。電圧出力ポート109は、DC出力電圧をノード201に連結された負荷へ、アース107と連結された出力キャパシタ111などによって供給してもよい。イネーブルポート205は、信号を受信してDC-DC変換器をイネーブルするように構成されていてもよい。テストポート203は、装置の状態を確認するために使用されてもよい。いくつかの実施形態において、集積回路間(I2C)および/または電源管理バス(PMBUS)は、チップ埋め込み型DC-DC変換器パッケージ100へ/からの通信経路を提供する。
DC-DC変換器は、比較的高く集積されていてもよく、比較的高い周波数で切り替わってもよく、他のDC-DC変換器と比べて改善された性能を提供することができる。いくつかの設計では、寄生効果防止は、仮にあったとしても、DC-DC変換器が比較的高い周波数(比較的高い切替速度)で効率的に動作することを防止することができる。DC-DC変換器の複数の設計は、寄生効果が低下された追加の設計と共にここで開示されている。
ただし、FOMは性能指数、RDS(ON)は、スイッチのオン抵抗、およびQGはスイッチのゲート電荷である。ゲート電荷QGは、寄生インダクタンスによって影響され得る。寄生インダクタンスを低減することは、比較的低いFOM、通常は達成することが困難な設計改善という結果になり得る。
図3は、例示的チップ埋め込み型DC-DC変換器の断面図300を示す。図300は、絶縁体301、コンダクタ(例えば、金属)303、バンプまたはパッド304、コンダクタマイクロビア305、第1PCB層307、導電性メッキ309、PCBコア311、配線313、埋め込み型ICチップ315、第2PCB層317、インダクタ321、およびキャパシタ323を備える。
ここに記載の物理的構造および他の技術は、DC-DC変換器のフットプリントを低減するために使用されてもよい。いくつかの実施形態において、フットプリントは、約70%低減されてもよい。積層された構成要素、より高い切替速度を有するより小さいインダクタの使用、および構成要素の単一のパッケージは全て、低減されたフットプリントに寄与し得る。
ここに開示されるDC-DC変換器は、電子デバイスに電力を提供するために使用されてもよい。例は、一次供給電圧を供給電圧によって電力供給される電子デバイスに適したDC電圧に変換するためにDC-DC変換器を使用することを含む。例えば、いくつかのアプリケーションにおいて、最新の電力管理ソリューションは、サイズ、入力/出力リップル、効率、および温度限度についての仕様を満たしつつ、40以上のチップ埋め込み型DC-DC変換器を使用して40以上の電子構成要素に給電することができる。ここに開示されるようなDC-DC変換器は、より小さく作成され、空間およびボードサイズが制限された最新のシステムにおいて使用されてもよい。ここに開示されるようなDC-DC変換器は、ストレージ、サーバー、ネットワーク構築、電気通信、インターネット・オブ・シングスなどの種々のマーケットセグメントにおける構成要素に給電するために使用され得る。他のアプリケーションは、ここに開示されるDC-DC変換器を使用して、ブレードサーバー、固体素子の構成要素などにおけるプロセッサのためなどのポイントオブロード装置のマイクロポイントに対して電力を提供することを含む。
いくつかの例示的実施形態において、1つまたは複数のスイッチ(例えば、eGaNスイッチ)(例えば、モノリシックのまたは独立型の)は、インダクタを有するチップ埋め込み型DC-DC同期バックコンバータにおいて使用されてもよく、埋め込み型ICチップは、PWMコントローラおよびドライバを備える。DC-DC同期バックコンバータを基礎とするMOSFETと比較して、チップ埋め込み型DC-DC変換器は、比較的低い切替損失で比較的高い速度で切り替えられ、高い切替速度(例えば、約5MHz、または、ここに記載されたほかの速度)でより効果的に切り替わることができ、eGaNスイッチは、約5倍低いQGを有し得る。
図9は、チップ埋め込み型DC-DC変換器を作成し使用するための例示的方法900のフローチャートを示す。
ここに記載のチップ埋め込み型DC-DC変換器技術は、マルチインダクタ実装品に拡大されてもよい。このことは、2、3、4、5、6、8、16、または任意の数のインダクタと共に、例えば、デュアルバックコンバータ、デュアルブーストコンバータ、および電圧変換器を含んでいてもよい。複数インダクタは、並列に配置されていてもよい。複数インダクタの出力(例えば、並列配置において)は、キャパシタまたはLC共振回路などのエネルギー蓄積回路と連結されていてもよい。各インダクタは、それぞれ一対のスイッチと連結されていてもよい。各一対のスイッチは、それぞれドライバにより駆動されてもよい。各ドライバは、他のドライバへ提供されるPWM信号とは位相がずれているPWM信号によって駆動されてもよい。各PWM信号は、オン時間を有していてもよく、オン時間は、ドライバ信号の重畳された組み合わせが共通期間よりも短い実効期間を有するように十分に小さい割合の共通期間である。いくつかの実施形態において、マルチインダクタチップ埋め込み型DC-DC変換器は、ここで(例えば、図1に示す)開示する構成要素(例えば、スイッチ、インダクタ、集積回路の一部)の一部または全てを複製することにより形成され得る。
図10は、チップ埋め込み型DC-DC変換器を使用するデュアルバックコンバータ1000用の例示的デュアルインダクタ設計を示す。デュアルバックコンバータは、単一のインダクタの代わりに2つの並列のインダクタを使用することができる。
図11Aは、デュアルバックコンバータにおける埋め込み型チップ用の第1例示的レイアウト設計1100を示す。この設計は、IC部分1101、第1スイッチペアの第1電力スイッチ1103、第1スイッチペアの第2電力スイッチ1105、第2スイッチペアの第3電力スイッチ1107、および第2スイッチペアの第4電力スイッチ1109を備える。
いくつかのチップ埋め込み型DC-DC変換器において、インダクタは、最大の物理的な構成要素である。マルチインダクタチップ埋め込み型DC-DC変換器は、並列に連結された複数の比較的小さいインダクタを代わりに使用してもよい。スイッチは、複数のインダクタが位相をずらしてエネルギーを充電および放電するように、位相をずらして駆動されてもよい。いくつかの実施形態において、複数のインダクタの出力は、複数のインダクタの出力リップルが任意の個別インダクタの出力リップルよりも高い周波数であるように並列に連結される。いくつかの実施形態において、複数のインダクタの出力は並列に連結され、複数のインダクタの出力リップルが任意の個別インダクタの出力リップルよりも高い周波数である
図14は、外部リップル電圧フィードバック回路を有する例示的チップ埋め込み型DC-DC変換器1400を示す。チップ埋め込み型DC-DC変換器1400は、ここで検討するように、ドライバおよび/または変調器を含み得る埋め込み型ICチップ1403を含んでいてもよい。ICチップは、PCB1401に埋め込みされていてもよい。チップ埋め込み型DC-DC変換器1400は、第1電力スイッチ1405、第2電力スイッチ1407、およびインダクタ1409をさらに含む。インダクタ1409は、そのインダクタンス構成要素1411およびその内部直流抵抗(DCR)構成要素1413を説明するために概略的に示す。
図15は、時間に対するインダクタ電流ILおよび時間に対する等価直列抵抗電圧VESR(リップル電圧とも称する)の例示的グラフ1500、1550を示す。線1501は、図14のインダクタ1409を通る電流ILを示す。線1551は、図14のノード1417における出力リップル電圧VESRを示す。
数式3Aただし、Vinは、入力電圧であり、Voutは、出力電圧であり、Lはインダクタンスであり、Tonはスイッチ1405がオンされる時間であり、Ioは初期電流である。
ただし、Voutは、出力電圧であり、Lはインダクタンスであり、Toffはスイッチ1405がオンさオフ時間であり、Ioは初期電流である。数式3および4は、一般方程式の応用版であり、Vはインダクタの両端電圧であり、dI/dtは、時間に対する電流の変化率である。
図16は、外部リップル電圧フィードバック回路1600を有する例示的チップ埋め込み型DC-DC変換器を示す。図16の実施形態は、PCB1601、ドライバ1603、第1電力スイッチ1605(eGaNスイッチなど)、第2電力スイッチ1607(eGaNスイッチなど)、インダクタ1609、出力キャパシタ1621、および出力ノード1617を含んでいてもよい。図16は抵抗器1643、キャパシタ1645、ACバイパスキャパシタ1647、フィードバック経路1627、比較器1629、ANDゲート1631、ワンショット回路1633、インバーター1635、最小時間遅延カウンタ1637、抵抗器1639、および抵抗器1641をさらに備える。
ただし、Lはインダクタ1609のインダクタンスの値であり、DCRLは、インダクタ1609の直流抵抗(「DCR」)であり、Rxは、抵抗器1643の抵抗であり、Cxはキャパシタ1645の容量である。したがって、回路は、ESR値とは独立してインダクタ電流リップルを測定可能に、かつ、確実に検知するように提供されてもよい。
ただし、VCxはキャパシタ1645におけるリップル電圧、ILはインダクタのピーク・トゥ・ピーク電流リップルであり、Rxは、抵抗器1643の抵抗であり、Cxはキャパシタ1645の容量である。
図17は、内部リップル電圧フィードバック回路を有する(いくつかの実施形態においてはチップ埋め込み型DC-DC変換器でもよい)例示的DC-DC変換器1700を示す。チップ埋め込み型DC-DC変換器1700は、ここで説明した他の実施形態と同様であってもよいパッケージ1701、ドライバ1703、第1電力スイッチ1705、第2電力スイッチ1707、およびインダクタ1709を備える。DC-DC変換器1700は、電圧入力ノード1715において入力電圧を受信し、出力電圧ノード1717において出力電圧を提供することができる。出力キャパシタ1721(例えば、低ESR出力キャパシタまたは低並列ESRを有する複数の並列キャパシタ)は、出力ノード1717と連結されてもよい。フィードバック経路1727は、出力ノードから比較器1729へ連結されている。比較器出力部は、ANDゲート1731およびワンショット回路1733に連結されてPWM信号をドライバ1703へ提供されてもよい。ランプ波発生器1751は、インダクタリップル電流をエミュレートすることができ(例えば、図15における電流1501をエミュレートし)、リップル電流(例えば、図15における1551)の電圧表示を出力する。いくつかの実施形態において、ランプ波発生器1751の出力は信号結合器1753における基準電圧と組み合わせられ(例えば、加算または減算)されてもよい。いくつかの実施形態において、ランプ波発生器によって出力されたインダクタリップル信号は、基準電圧から減算される代わりにフィードバック信号に可算されてもよい。比較器1729は、ランプ波発生器1751により出力されるリップル信号および基準電圧を含む比較を実施してもよい。比較の結果はシステム(例えば、スイッチ1705および/または1707)を分割するためのフィードバックループにおいて使用されてもよい。
ただし、Vramp-ONおよびVramp-OFFは、各オンおよびオフ電圧であり(図17におけるランプ波発生器1751のインダクタリップル出力として出力される)、kは、一定の固定因数であってもよく、Vinは、入力電圧であり(例えば、図17におけるノード1715において提供される電圧)、Voutは、出力電圧であり(例えば、図17におけるノード1717において提供される電圧)、ただし、kは、ボルト当たりのアンペアで測定された数であり、Crampは、キャパシタ1805の容量であり、tonは、DC-DC変換器がインダクタへ電力を供給している時間の量(例えば、スイッチ1809が閉鎖されスイッチ1811が開いている間)、toffは、DC-DC変換器がインダクタへ電力を提供していない時間の量(例えば、スイッチ1809が開いておりスイッチ1811が閉じている)、Voは、開始電圧である。リップル電圧スルーレート(1秒当たりの電圧で測定された「傾斜」としても知られる)は、時間期間(ton、toff)に以下の数式が乗じられるということを係数により示す。
図19は、低ESR、低リップル、チップ埋め込み型DC-DC変換器を作成し使用する例示的方法を示す。DC-DCは、第1入力電圧の入力ノードで電力を受信し、第1入力電圧とは異なる第2出力電圧の出力ノードで電力を出力するように構成されていてもよい。
ここに記載の原理および利点は、種々の装置において実施されてもよい。また、チップ埋め込み型DC-DC変換器は、性能を向上させるための種々の装置において使用されてもよく、仕様で動作し比較的低コストで提供されるチップ埋め込み型DC-DC変換器は、これら種々の装置の全体的な価格を低下させることができる。このような装置の例としては、消費者向けエレクトロニクス製品、消費者向けエレクトロニクス製品の部品、電子試験機などが挙げられるがこれらに限定されない。消費者向けエレクトロニクス製品の部品の例としては、クロック回路、アナログデジタル変換器、増幅器、整流器、プログラマブルフィルター、減衰器、可変周波数回路などが挙げられる。電子デバイスの例としては、メモリチップ、メモリモジュール、光学ネットワークまたは他のネットワークの回路、基地局などのセルラー通信基盤、レーダーシステム、およびディスクドライバ回路が挙げられる。消費者向けエレクトロニクス製品は、無線装置、携帯電話(例えば、スマートフォン)、スマートウォッチまたはイヤホンなどのウェアラブルな演算装置、健康管理モニタリング装置、車両エレクトロニクスシステム、電話機、テレビ、コンピュータモニター、コンピュータ、モバイルコンピュータ、タブレットコンピュータ、ノート型コンピュータ、電子手帳(PDA)、電子レンジ、冷蔵庫、ステレオシステム、カセットレコーダーまたはカセットプレーヤー、DVDプレーヤー、CDプレーヤー、デジタルビデオレコーダ(DVR)、VCR、MP3プレーヤー、ラジオ、カムコーダー、カメラ、デジタルカメラ、ポータブルメモリチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯機/乾燥機、コピー機、ファクシミリ装置、スキャナ、複合周辺機器、腕時計、時計などが挙げられるがこれらに限定されない。さらに、装置は、未完成品を含んでいてもよい。
以下のリストは、本開示の範囲内である例示的実施形態を含む。挙げられる例示的実施形態は、本開示の範囲を限定するものとは解釈されない。挙げられる例示的実施形態の様々な特徴は、削除、追加、または組み合わせられて本開示の一部である追加の実施形態を形成する。
1.直流-直流(DC-DC)電力変換器は、
下面および上面を有する下部プリント基板(PCB)部分と、
下面および上面を有する上部プリント基板(PCB)部分と、
前記下部PCB部分の前記上面と前記上部PCB部分の前記下面との間の埋め込み型回路とを備え、前記埋め込み型回路は、
パルス幅変調器と、
少なくとも1つのスイッチとを備え、
前記上部PCB部分を通って延びる1つまたは複数のビアと、
前記上部PCB部分の前記上面に位置決めされたインダクタとを備え、
前記1つまたは複数のビアは、前記インダクタおよび前記埋め込み型回路と電気的に連結されている。
2.実施形態1のDC-DC電力変換器であって、
前記埋め込み型回路は集積回路(IC)を備える。
3.実施形態2のDC-DC電力変換器であって、
前記インダクタのフットプリントは前記集積回路のフットプリントに少なくとも部分的に重なる。
4.実施形態1から3のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
ワイヤボンドが前記インダクタと前記埋め込み型回路とを電気的に相互接続しない。
5.実施形態1から4のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記回路は少なくとも1MHzの切替速度を有する。
6.実施形態1から4のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記回路は少なくとも3MHzの切替速度を有する。
7.実施形態1から4のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記回路は少なくとも5MHzの切替速度を有する。
8.実施形態1から7のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記回路は最大7MHzの切替速度を有する。
9.実施形態1から8のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記少なくとも1つのスイッチはエンハンスト窒化ガリウム電界効果トランジスタ(eGaNFET)を備える。
10.実施形態1から9のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記上部PCB部分の前記上面に設けられた1つまたは複数のキャパシタをさらに備える。
11.実施形態1から10のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記下部PCB部分の前記上面と前記上部PCB部分の前記下面との間に設けられたコアをさらに備え、
前記コアはその内部に形成された1つまたは複数のポケットを備え、
前記埋め込み型回路は前記1つまたは複数のポケットに設けられている。
12.実施形態1から11のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記DC-DC電力変換器は25mm2未満のフットプリントを有する。
13.実施形態1から11のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記DC-DC電力変換器は10mm2未満のフットプリントを有する。
14.実施形態1から11のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記DC-DC電力変換器は5mm2未満のフットプリントを有する。
15.実施形態1から14のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記DC-DC電力変換器が2mm2のように小さいフットプリントを有する。
16.実施形態1から15のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記DC-DC電力変換器は電流のアンペア数当たり0.5mm2~10mm2であるフットプリント領域を有する。
17.直流-直流(DC-DC)電力変換器パッケージは、
少なくとも1つのプリント基板(PCB)に埋め込まれた集積回路(IC)チップであって、ドライバを備えるICチップと、
前記チップ埋め込みパッケージの外部に位置決めされ、前記チップ埋め込みパッケージの表面に連結されたインダクタと、
前記インダクタを前記ICチップに電気的に連結するビアとを備え、
前記インダクタのフットプリントは、前記ICチップのフットプリントに少なくとも部分的に重なる。
18.実施形態17に記載のDC-DC電力変換器であって、
トランジスタは前記少なくとも1つのPCBに埋め込みされ、
前記インダクタは前記トランジスタと電気的に連結される。
19.実施形態17から18のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記ICチップは、
前記ドライバに連結されたパルス幅変調器(PWM)コントローラと、
前記ドライバの出力部と連結されたスイッチングトランジスタとを備える。
20.実施形態17から19のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
エンハンスト窒化ガリウム(eGaN)を含むスイッチをさらに備える。
21.実施形態17から20のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記スイッチは4MHz以上で切り替わるように構成されている。
22.実施形態17から20のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記スイッチは5MHz以上で切り替わるように構成されている。
23.実施形態17から19のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
シリコンまたはヒ化ガリウムの少なくとも1つを含むスイッチをさらに備える。
24.単一のパッケージにおける直流-直流(DC-DC)電力変換器は、
実装基板の内側に、少なくとも部分的に、埋め込まれたエンハンスト窒化ガリウム(eGaN)構成要素と、
前記実装基板の外側に実装されたインダクタと、
前記eGaN構成要素に前記インダクタを連結するビアとを備え、
前記インダクタのフットプリントは、前記eGaN構成要素のフットプリントに少なくとも部分的に重なる。
25.実施形態24のDC-DC電力変換器であって、
前記実装基板は多層PCBである。
26.実施形態24から25のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記eGaN構成要素はeGaNを含むスイッチであり、
前記DC-DC電力変換器は前記スイッチを駆動するドライバ回路をさらに備える。
27.実施形態24から26のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記ドライバおよび前記スイッチは、ICチップの一部である。
28.実施形態24から27のいずれか1つに記載のDC-DC電力変換器であって、
前記ICチップは、パルス幅変調器(PWM)コントローラをさらに備える。
29.チップ埋め込みパッケージを利用する直流-直流(DC-DC)電力変換器であって、
DC-DC変換器は、
プリント基板(PCB)の内側におけるエンハンスト窒化ガリウム(eGaN)スイッチと、
パルス幅変調器(PWM)コントローラと、
前記PCBの内部に埋め込まれたドライバとを備え、
前記PWMコントローラおよび前記ドライバは、1MHz以上の周波数で前記eGaNスイッチを駆動するように構成され、
そして、このDC-DC変換器は、前記チップ埋め込みパッケージの外部に配置され、前記PCBの表面に連結されたインダクタと、
前記インダクタを前記eGaNスイッチに電気的に連結するビアとを備える。
30.実施形態29のDC-DC電力変換器であって、
前記ドライバが前記eGaNスイッチを5MHz以上の周波数で駆動するように構成されている。
31.直流-直流(DC-DC)電力変換器は、
プリント基板と、
前記プリント基板の内側の集積回路とを備え、
前記集積回路はドライバを備える。
32.実施形態31のDC-DC電力変換器であって、
前記プリント基板を通って延びる1つまたは複数のビアにより前記集積回路と電気的に連結されたインダクタをさらに備える。
33.実施形態32のDC-DC電力変換器であって、
前記インダクタは、前記集積回路のフットプリントに少なくとも部分的に重なるフットプリントを有する。
34.直流-直流(DC-DC)電力変換器は、
ドライバを備える集積回路と、
前記インダクタのフットプリントが前記集積回路のフットプリントに少なくとも部分的に重なるように、前記集積回路に垂直に積層されたインダクタとを備え、
前記インダクタは、前記集積回路と電気的に連結されている。
35.実施形態34のDC-DC変換器であって、
第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有するプリント基板(PCB)をさらに備え、
前記集積回路は、前記PCBの前記第1面に実装され、
前記インダクタは、前記PCBの前記第2面に実装される。
36.実施形態35のDC-DC変換装置であって、
前記インダクタは、前記プリント基板を通って延びる1つまたは複数のビアにより前記集積回路と電気的に連結されている。
37.直流-直流(DC-DC)バックコンバータは、
1つまたは複数のスイッチと、
前記1つまたは複数のスイッチを駆動するドライバと、
前記スイッチと電気的に連結されたインダクタとを備え、
前記DC-DCバックコンバータの前記フットプリントは、65mm2未満であり、
前記DC-DCバックコンバータは、少なくとも20アンペアの電流を受信するように構成され、
前記DC-DCバックコンバータは、少なくとも20アンペアの電流を出力するように構成されている。
38.直流-直流(DC-DC)電力変換器は、
1つまたは複数のスイッチと、
前記1つまたは複数のスイッチを1MHz以上5MHz以下の周波数で駆動するように構成されたドライバと、
前記1つまたは複数のスイッチと電気的に連結されたインダクタとを備え、
前記DC-DC変換器の前記フットプリントは、10mm2以下であり、
前記DC-DC変換器は少なくとも5アンペアの電流を受信するように構成されており、
前記DC-DC変換器は少なくとも5アンペアの電流を出力するように構成されている。
39.直流-直流(DC-DC)電力変換器は、
第1インダクタと連結された第1スイッチと、
第2インダクタと連結された第2スイッチと、
プリント基板に埋め込まれた集積回路チップとを備え、
前記第1スイッチおよび前記第2スイッチは、変調器と連結され、
前記第1インダクタおよび前記第2インダクタは、電圧出力ノードと連結されている。
40.実施形態39の直流-直流(DC-DC)電力変換器であって、
前記変調器は、前記集積回路チップに含まれる。
41.実施形態39から40のいずれか1つに記載の直流-直流(DC-DC)電力変換器であって、
前記変調器は、前記第1スイッチおよび前記第2スイッチに同期期間で位相を出力するように動作させるように構成されている。
42.実施形態39から41のいずれか1つに記載の直流-直流(DC-DC)電力変換器であって、
前記出力ノードにおける出力信号は、第1インダクタを介した第1信号および第2インダクタを介した第2信号に重畳される。
43.直流-直流(DC-DC)電力変換器は、
プリント基板に埋め込まれた集積回路チップであって、ドライバを備える集積回路チップと、
前記ドライバと連結された第1スイッチと、
前記第1スイッチと連結されたインダクタと、
出力ノードから変調回路へのフィードバック経路とを備える。
44.実施形態43の直流-直流(DC-DC)電力変換器であって、
前記変調回路は、電圧モード変調回路である。
45.実施形態43から44のいずれか1つに記載の直流-直流(DC-DC)電力変換器であって、
前記変調回路は、常時オン時間または常時オフ時間変調回路である。
46.実施形態43から45のいずれか1つに記載の直流-直流(DC-DC)電力変換器であって、
前記変調回路は、前記集積回路チップに含まれる。
47.実施形態43から46のいずれか1つに記載の直流-直流(DC-DC)電力変換器であって、
前記変調回路および前記インダクタは、前記集積回路チップと共にパッケージに含まれている。
48.直流-直流(DC-DC)電力変換器は、
プリント基板に埋め込まれた集積回路チップであって、ドライバを備える集積回路チップと、
前記ドライバと連結された第1スイッチと、
前記第1スイッチと連結されたインダクタと、
出力ノードから変調回路へのフィードバック経路と、
ランプ波発生器とを備える。
49.実施形態48の直流-直流(DC-DC)電力変換器であって、
前記フィードバック経路と、前記ランプ波発生器からの出力とが比較器に連結される。
50.実施形態49の直流-直流(DC-DC)電力変換器であって、
前記比較器と連結された基準電圧源をさらに備える。
51.実施形態48から50のいずれか1つに記載の直流-直流(DC-DC)電力変換器であって、
前記ランプ波発生器は、前記インダクタを通るリップル電流をエミュレートするように構成されている。
52.実施形態48から51のいずれか1つに記載の直流-直流(DC-DC)電力変換器であって、
前記ランプ波発生器は、
第1電流源と、
第2電流源と、
キャパシタとを備える。
53.実施形態52の直流-直流(DC-DC)電力変換器であって、
前記第1電流源および前記第2電流源は、少なくとも一部が前記インダクタのインダクタンスに基づいてトリムされるように構成される。
54.実施形態48から53のいずれか1つに記載の直流-直流(DC-DC)電力変換器であって、
前記ランプ波発生器および前記インダクタは、同じDC-DC電力変換器パッケージに含まれる。
55.実施形態48から54のいずれか1つに記載の直流-直流(DC-DC)電力変換器であって、
前記ランプ波発生器は、前記インダクタに連結された出力キャパシタにより影響を受けない出力信号を生成するように構成されている。
56.実施形態48から55のいずれか1つに記載の直流-直流(DC-DC)電力変換器であって、
前記ランプ波発生器は、前記インダクタに連結された出力キャパシタの等価直列抵抗(ESR)から独立した出力信号を生成するように構成されている。
57.実施形態48から56のいずれか1つに記載の直流-直流(DC-DC)電力変換器であって、
前記出力キャパシタのリップル電圧が小さすぎて変調回路へ確実に提供されないように、十分に低いESRを有する出力キャパシタをさらに備える。
58.ランプ波発生器は、
供給電圧と連結された第1電流源と、
アースと連結された第2電流源と、
前記第1電流源と前記第2電流源との間に連結されたキャパシタとを備える。
59.実施形態58のランプ波発生器であって、
前記ランプ波発生器は、DC-DC変換器においてインダクタを通るリップル電流をエミュレートするように構成されている。
60.実施形態58から59のいずれか1つに記載のランプ波発生器であって、
前記第1電流源の前記出力は、DC-DC変換器に対する入力電圧に少なくとも一部が基づいている。
61.実施形態58から60のいずれか1つに記載のランプ波発生器であって、
前記第1電流源の前記出力は、DC-DC変換器におけるインダクタのインダクタンスに少なくとも一部が基づいている。
62.実施形態58から61のいずれか1つに記載のランプ波発生器であって、
前記第2電流源の前記出力は、DC-DC変換器におけるインダクタのインダクタンスに少なくとも一部が基づいている。
63.実施形態58から62のいずれか1つに記載のランプ波発生器であって、
前記第2電流源の前記出力は、DC-DC変換器におけるインダクタのインダクタンスに少なくとも一部が基づいている。
64.実施形態58から63のいずれか1つに記載のランプ波発生器であって、
前記第1電流源は、DC-DC変換器に置けるインダクタのインダクタンスに少なくとも一部が基づいてトリムされるように構成されている。
65.実施形態58から64のいずれか1つに記載のランプ波発生器であって、
前記第2電流源は、DC-DC変換器におけるインダクタのインダクタンスに少なくとも一部が基づいてトリムされるように構成されている。
66.チップ埋め込み型直流-直流変換器の作成のための方法は、
プリント基板に集積回路チップを埋め込み、
前記プリント基板に第1インダクタを連結し、
前記プリント基板に第2インダクタを連結し、前記第1インダクタおよび前記第2インダクタの双方は出力ノードに連結されていることを含む。
67.第1直流電圧を第2直流電圧に変換する方法は、
第1インダクタと連結された第1スイッチを駆動し、
第2インダクタと連結された第2スイッチを駆動し、
前記第1スイッチおよび前記第2スイッチは、出力ノードに連結され、
前記第1スイッチおよび前記第2スイッチを位相をずらして変調し、
ドライバまたは変調器の少なくとも1つのがプリント基板に埋め込まれたチップに含まれる。
68.チップ埋め込み型直流-直流変換器の作成のための方法は、
プリント基板に集積回路チップを埋め込み、
前記集積回路チップと出力ノードとの間にインダクタを連結し、
前記出力ノードから変調回路へのフィードバック経路を提供し、
前記変調回路がランプ波発生器を含む。
69.実施形態68に記載の方法において、
前記変調回路は、前記プリント基板に含まれる。
70.実施形態68から69のいずれか1つに記載の方法であって、
前記変調回路は、常時オン時間または常時オフ時間変調回路である。
71.実施形態68から70のいずれか1つに記載の方法であって、
前記ランプ波発生器は、前記集積回路に含まれる。
72.実施形態68から71のいずれか1つに記載の方法であって、
前記ランプ波発生器を少なくとも一部は前記インダクタの特性に基づいてトリムすることをさらに備える。
73.実施形態68から72のいずれか1つに記載の方法であって、
前記ランプ波発生器は、実施形態58から65のいずれか1つに記載のランプ波発生器である。
74.直流-直流変換器を使用する方法であって、
入力ノードにおいて入力電力を受信し、
インダクタへスイッチを通して電力を提供し、
出力電圧が出力キャパシタ両端に生じるように出力キャパシタにエネルギーを格納し、
前記出力電圧で出力電力を出力ノードへ提供し、
前記出力電圧を変調回路へ提供し、
出力キャパシタとは独立したリップル電圧を生成し、
前記リップル電圧を前記変調回路へ提供し、
前記スイッチを、前記変調回路の出力に少なくとも一部は基づいて変調することを含む。
75.実施形態74に記載の方法において、
前記リップル電圧、基準電圧、および前記出力電圧のうち少なくとも2つを比較することをさらに含む。
76.実施形態74から75のいずれか1つに記載の方法であって、
電流源を、少なくとも一部は、前記インダクタのインダクタンスに基づいてトリムすることをさらに備える。
77.実施形態74から76のいずれか1つに記載の方法であって、
前記リップル電圧は、前記インダクタを通る電流をエミュレートするように構成されたランプ波発生器により生成される。
78.直流-直流(DC-DC)電力変換器パッケージは、
少なくとも1つのプリント基板(PCB)に埋め込まれた集積回路(IC)チップであって、ドライバを備えるICチップと、
前記チップ埋め込みパッケージの外部に位置決めされ、前記チップ埋め込みパッケージの表面に連結されたインダクタと、
前記インダクタへ提供される電流が限界を超えた場合を検出するように構成された過電流保護回路とを備える。
79.実施形態78の直流-直流(DC-DC)電力変換器パッケージであって、
前記過電流保護回路は、少なくとも一部が集積回路間または電源管理バスコマンドに基づいて調整またはトリムされるように構成された電流源を備え、
前記インダクタの飽和インダクタンスが前記限界を超え、かつ、前記限界を50%未満超え、
前記限界は、最大規定DC電流仕様パルス最大交流電流リップル仕様を50%未満超過する。
80.直流-直流(DC-DC)電力変換器パッケージは、
少なくとも1つのプリント基板(PCB)に埋め込まれた集積回路(IC)チップであて、ドライバを備えるICチップと、
前記チップ埋め込みパッケージの外部に位置決めされ、前記チップ埋め込みパッケージの表面に連結されたインダクタと、
集積回路間または電源管理バスとを備える。
81.実施形態80の直流-直流(DC-DC)電力変換器パッケージであって、
前記集積回路間または電源管理バスは少なくとも1つの電流源に連結され、プロトコルコマンドを提供して前記電流源を調節またはトリムするように構成されている。
82.実施形態80から81のいずれか1つに記載の直流-直流(DC-DC)電力変換器パッケージであって、
前記集積回路間または電源管理バスは少なくとも1つの電流源に連結され、プロトコルコマンドを提供して比較器へ提供される基準値を設定または調節するように構成されている。
83.実施形態80から82のいずれか1つに記載の直流-直流(DC-DC)電力変換器パッケージであり、
前記集積回路間または電源管理バスは、以下の少なくとも1つを実施するための指示を含むプロトコルを通信するように構成されており、すなわち、
前記DC-DC電力変換器パッケージをオンまたはオフし、
前記DC-DC電力変換器パッケージの低電力またはスリープモードを変更し、
前記DC-DC電力変換器パッケージの電流設定についての情報を読み出し、
前記DC-DC電力変換器パッケージについて診断および/または技術情報を読み出し、
前記DC-DC電力変換器パッケージにより提供される出力電圧を設定または変更する。
84.実施形態80から83のいずれか1つに記載の直流-直流(DC-DC)電力変換器パッケージであり、
集積回路間実装品の上に配線層として電源管理プロトコルを実施する。
85.直流-直流(DC-DC)電力変換器は、
下面および上面を有する下部プリント基板(PCB)部分と、
下面および上面を有する上部プリント基板(PCB)部分と、
前記上部PCB部分の前記下面と前記下部PCB部分の前記上面との間に埋め込まれた埋め込み型集積回路とを備え、
前記埋め込み型集積回路は、
1つまたは複数のPWM信号を生成するように構成されたパルス幅変調器(PWM)コントローラと、
前記1つまたは複数のPWM信号に少なくとも一部は基づいて1つまたは複数のドライバ信号を生成するように構成されたドライバであって、前記埋め込み型集積回路内において前記PWMコントローラと連結されたドライバと、
前記1つまたは複数のドライバ信号の少なくとも1つを受信するように構成された第1電力スイッチであって、前記埋め込み型集積回路において前記ドライバと連結された第1電力スイッチと、
前記1つまたは複数のドライバ信号の少なくとも1つを受信するように構成された第2電力スイッチであって、前記埋め込み型集積回路において前記ドライバと連結された第2電力スイッチとを備え、
前記上部PCB部分を通って延びる少なくとも1つのビアと、
前記上部PCB部分の前記上面に位置決めされたインダクタとを備え、
前記インダクタは、前記少なくとも1つのビアを介して前記第1および第2電力スイッチと電気的に連結され、
前記インダクタのフットプリントは、前記埋め込み型集積回路のフットプリントに少なくとも部分的に重なり、
さらに、前記第1および第2電力スイッチの少なくとも1つのと連結された入力ポートであって、入力電圧の入力信号を受信するように構成された入力ポートと、
前記インダクタと連結された出力ポートであって、前記入力電圧とは異なる出力電圧の出力信号を提供するように構成された出力ポートとを備え、
前記出力電圧は、前記インダクタにエネルギーを充填または放出させる前記第1および第2電力スイッチに少なくとも一部が基づいており、
フィードバックシステムは、
前記出力ポートと連結されたフィードバック経路であって、前記出力電圧の指標を提供するように構成されたフィードバック経路と、
前記インダクタを通る電流リップルをエミュレートする信号を生成するように構成されたランプ波発生器とを備え、
前記フィードバックシステムは、少なくとも一部が前記フィードバック経路からの前記出力電圧の前記指標と前記ランプ波発生器により提供される前記信号とに基づいたフィードバック信号を提供するように構成され、
前記第1および第2電力スイッチは、前記フィードバック信号に少なくとも一部基づいて駆動される。
86.実施形態85のDC-DC電力変換器であって、
前記ランプ波発生器は、少なくとも一部は以下を用いる前記インダクタを通る前記電流リップルをエミュレートする前記信号を生成するように構成され、すなわち、
前記入力電圧を示す第1入力部と、
前記出力電圧を示す第2入力部と、
前記インダクタのインダクタンス値を示す第3入力部と、
切替信号の第4入力部とを用いる。
87.実施形態85のDC-DC電力変換器であって、
前記ランプ波発生器は、
少なくとも一部は前記入力電圧に基づいて電流を生成するように構成された第1電流源と、
少なくとも一部は前記出力電圧に基づいて電流を生成するように構成された第2電流源と、
前記1つまたは複数のドライバ信号の少なくとも1つを受信するように構成された第3スイッチであって、前記第1電流源と連結された第3スイッチと、
前記1つまたは複数のドライバ信号の少なくとも1つを受信するように構成された第4スイッチであって、前記第2電流源と連結された第4スイッチと、
前記第3スイッチおよび前記第4スイッチと連結されたキャパシタとを備える。
88.実施形態85のDC-DC電力変換器であって、
前記第1および第2電力スイッチは、エンハンスト窒化ガリウム(eGaN)電界効果トランジスタである。
89.実施形態85のDC-DC電力変換器であって、
前記PWMコントローラは、前記ドライバに、少なくとも4MHzの周波数で前記スイッチをトグルさせるように構成されている。
90.実施形態85のDC-DC電力変換器であって、
前記DC-DC電力変換器は、電流量を処理するように構成され、
前記DC-DC電力変換器が電流量のアンペア数当たり0.1mm2~10mm2であるフットプリント領域を有する。
91.実施形態85のDC-DC電力変換器であって、
前記インダクタおよび前記集積回路の一方は、前記インダクタおよび前記集積回路の他方のフットプリントに完全に含まれるフットプリントを有する。
92.実施形態85のDC-DC電力変換器であって、
前記入力ポート、前記出力ポート、およびアースポートは、前記インダクタを包囲するパッケージの外側へ露出し、
前記入力ポートは、ワイヤボンド無しで前記第1電力スイッチと連結され、
前記出力ポートは、ワイヤボンド無しで前記インダクタと連結され、
前記第2電力スイッチは、ワイヤボンド無しでアースと連結され、
前記インダクタは、ワイヤボンド無しで前記第1および第2電力スイッチと連結されている。
93.実施形態85のDC-DC電力変換器であって、
前記PCBと連結された第2インダクタであって、前記出力ノードとも連結された第2インダクタをさらに備え、
前記第1インダクタおよび前記第2インダクタは、互いに位相をずらして駆動される。
94.実施形態85のDC-DC電力変換器であって、
前記埋め込み型集積回路がランプ波発生器を含む。
95.直流-直流(DC-DC)電力変換器は、
プリント基板(PCB)と、
前記PCBに埋め込みまれた埋め込み型回路とを備え、
前記埋め込み型回路は、
1つまたは複数のPWM信号を生成するように構成されたパルス幅変調器(PWM)コントローラと、
前記1つまたは複数のPWM信号に少なくとも一部は基づいて1つまたは複数のドライバ信号を生成するように構成されたドライバであって、前記埋め込み型回路内において前記PWMコントローラと連結されたドライバと、
前記1つまたは複数のドライバ信号の少なくとも1つを受信するように構成された第1電力スイッチであって、前記埋め込み型回路内で前記ドライバと連結された第1電力スイッチと、
前記1つまたは複数のドライバ信号の少なくとも1つを受信するように構成された第2電力スイッチであって、前記埋め込み型回路内で前記ドライバと連結された第2スイッチとを備え、
さらに、前記PCBの一部を通って延びる少なくとも1つのビアと、
前記PCBの外部に位置し、前記PCBの上部と連結されたインダクタとを備え、
前記インダクタは、前記少なくとも1つのビアを介して前記第1および第2電力スイッチと電気的に連結され、
前記インダクタのフットプリントは、少なくとも部分的に、前記埋め込み型回路のフットプリントと重なり、
さらに、前記第1および第2電力スイッチの少なくとも1つのと連結された入力ポートであって、入力電圧の入力信号を受信するように構成された入力ポートと、
前記インダクタと連結された出力ポートであって、前記入力電圧とは異なる出力電圧の出力信号を提供するように構成された出力ポートとを備え、
前記DC-DC電力変換器は、電流量を処理するように構成され、
前記DC-DC電力変換器が電流量のアンペア数当たり0.1mm2~10mm2であるフットプリント領域を有する。
96.実施形態95のDC-DC変換器であって、
前記インダクタと連結され、前記出力ポートとも連結された出力キャパシタであって、低等価直列抵抗(ESR)を有する出力キャパシタをさらに備え、
前記出力電圧における電圧リップルは2%以下であり、
さらに、前記インダクタを通る電圧リップルをエミュレートする電圧リップルを生成するように構成されたランプ波発生器を有するフィードバックシステムさらに備える。
97.実施形態95のDC-DC電力変換器であって、
前記第1電力スイッチおよび前記第2電力スイッチは、エンハンスト窒化ガリウム(eGaN)電界効果トランジスタである。
98.実施形態95のDC-DC電力変換器であって、
前記入力ポートは、少なくとも20アンペアの電流を受信するように構成され、
前記出力ポートは、少なくとも20アンペアの電流を提供するように構成され、
前記DC-DC電力コンバータの前記フットプリントは、65mm2未満である。
99.実施形態95のDC-DC電力変換器であって、
前記インダクタおよび前記埋め込み型回路は、ワイヤボンド無しで相互接続されている。
100.実施形態95のDC-DC電力変換器であって、
前記埋め込み型回路は、前記PWMコントローラ、前記ドライバ、前記第1電力スイッチ、および前記第2電力スイッチを有する集積回路を備える。
101.直流-直流(DC-DC)電力変換器は、
プリント基板(PCB)と、
前記PCBに埋め込まれた埋め込み型回路とを備え、
前記埋め込み型回路は、
1つまたは複数のPWM信号を生成するように構成されたパルス幅変調器(PWM)コントローラと、
前記1つまたは複数のPWM信号に少なくとも一部は基づいて1つまたは複数のドライバ信号を生成するように構成されたドライバであって、前記埋め込み型回路内において前記PWMコントローラと連結されたドライバと、
前記1つまたは複数のドライバ信号の少なくとも1つを受信するように構成された第1エンハンスト窒化ガリウム電界効果トランジスタ(eGaNFET)であって、前記埋め込み型回路内で前記ドライバと連結された第1eGaNFETと、
前記1つまたは複数のドライバ信号の少なくとも1つのを受信するように構成された第2eGaNFETであって、前記埋め込み型回路内で前記ドライバと連結された第2eGaNFETとを備え、
さらに、前記PCBの一部を通って延びる少なくとも1つのビアと、
前記PCBの外部に位置し、前記PCBの上部と連結されたインダクタとを備え、
前記インダクタは、前記少なくとも1つのビアを介して前記第1および第2eGaNFETと電気的に連結され、
前記インダクタのフットプリントは、少なくとも部分的に、前記埋め込み型回路のフットプリントと重なる。
102.実施形態101のDC-DC電力変換器であって、
前記PWMコントローラは、前記ドライバに、4MHz~10MHzの間の周波数で前記第1および第2eGaNFETをトグルさせるように構成されている。
103.実施形態101のDC-DC電力変換器であって、
前記DC-DC電力変換器は、電流量を処理するように構成され、
前記DC-DC電力変換器が電流量のアンペア数当たり0.1mm2~10mm2であるフットプリント領域を有する。
104.実施形態101のDC-DC電力変換器であって、
前記埋め込み型回路は、前記インダクタを通る電圧リップルをエミュレートする信号を生成するように構成されたランプ波発生器を有する。
図20は、絶縁型トポロジを有するチップ埋め込み型DC-DC変換器パッケージ2000の例示的回路レベルの回路図を示す。回路図は、電源103と、ACアース2003と、DCアース2001と、出力キャパシタ111と、集積回路(IC)チップ113Aと、代替IC113Bと、ドライバ117と、パルス幅変調器(PWM)コントローラ119と、第1スイッチ(例えば、第1エンハンスト窒化ガリウム(eGaN)スイッチ)123と、第2スイッチ(例えば、第2eGaNスイッチ)127と、キャパシタ2005および2007と、ダイオードD1およびD2と、インダクタL4とを示す。回路図は、第1インダクタL1、第2インダクタL2、および第3インダクタL3を有する分離回路2009も示す。スイッチ123、127は、電力スイッチ、スイッチングFET、および/またはスイッチングトランジスタとも称される。いくつかの場合には、図1と同様の、入力キャパシタ105(図20には示さず)を使用することができる。
図21Aは、パッケージ2105における無線通信システム2103を有する例示的DC-DC変換器2101を示す。DC-DC変換器2101は、ここに記載の任意のDC-DC変換器でもよい。DC-DC変換器2101は、入力電圧Vinを受信し、出力電圧Voutを提供するように構成されていてもよい。
図22は、例示的インターネット・オブ・シングス(IoT)装置2200を示す。IoT装置2200は、図21Cに示しこれに関連して説明したような無線通信システム2103および2つのDC-DC変換器2101、2102を備えるパッケージ2105を備えていてもよい。単一のDC-DC変換器を有する、または異なる種類の電源(例えば、AC-DC変換器)を有するなど、(例えば、図21A、21B、または21Dと同様の)様々な他の構成が使用されてもよい。IoT装置は、第1システム2203をさらに備えていてもよい。IoT装置は、例えば、CPU2205、RAM2207、I/Oシステム2209、および他の電気装置2211を含んでいてもよい電気システム2201をさらに含んでいてもよい。IoT装置2200は、スマートフォンなどの無線装置2215とネットワーク2213を介して通信してもよい。
図23Aは、多重DC-DC変換器2303、2305、2307を含む例示的DC-DC変換器システム2300を示す。いくつかの実施形態において、DC-DC変換器2303、2305、2307は、パッケージ2301に含まれていてもよい。いくつかの実施形態において、DC-DC変換器2303、2305、2307は、別個のパッケージであってもよい。ユーザーは、任意の数のDC-DC変換器パッケージを組み合わせて種々の異なる電流量を提供することができる。種々の実施形態において、種々のDC-DC変換器2303、2305、2307のPWMコントローラ、ドライバ、および/またはスイッチなどの1つまたは複数の構成要素は、組み合わせられて1つまたは複数の集積回路に含まれていてもよい。いくつかの実施形態において、DC-DC変換器2303、2305、2307の各々は、DC-DC変換器の構成要素とは別個のPWMコントローラ、ドライバ、および/またはスイッチと共に自身の別個のICを有する。いくつかの実施形態において、DC-DC変換器2303、2305、2307は、DC-DC変換器2303、2305、2307間における電流共有を簡単化するために相互接続されていてもよい。例えば、フィードバックシステムは、DC-DC変換器2303、2305、2307の1つからの出力を使用して、DC-DC変換器2303、2305、2307の他の1つまたは複数を制御することができる。例えば、DC-DC変換器2303が過負荷になっていると、フィードバックシステムは、他のDC-DC変換器2305、2307により多くの負荷を受けさせて、DC-DC変換器2303、2305、2307間の電流をよりよく均衡させるようにすることができる。
図24Aは、多重電力段2403A~2403Cを有するDC-DC変換器2400を示す。PWMコントローラは、複数の電力段にパルス幅変調された信号を提供するために使用されてもよく、各電力段は、ドライバおよび1つまたは複数のスイッチを有していてもよい。2つ以上のDC-DC変換器電力段は、単一のPWMコントローラを共有してもよい。図24に示すトポロジは、図23Aおよびズ23Bに関して示され説明されたように、例えば、ここで検討された技術および原理のいくつかの実施において使用されてもよい。他の図において既に示されたDC-DC変換器2400のいくつかの部分(フィードバックシステムなど)は存在していてもよいが図24Aにおいては示されていない。DC-DC変換器2400は、出力キャパシタ111、パッケージ2401、集積回路(IC)チップ2413、ドライバ117A~117C、パルス幅変調器(PWM)コントローラ119、スイッチ(例えば、eGaNスイッチ)2405A~2405C、およびインダクタ131A~131Cを備えていてもよい。
図25は、DC-DC変換器の例示的側面図2500を示す。DC-DC変換器は、PCB2501、インダクタ2503、キャパシタ2505、チップ埋め込み型PWMコントローラ2507、チップ埋め込み型ドライバ2509、チップ埋め込み型スイッチ2511、およびビア2513を備えている。
同じ物理サイズのインダクタについて、比較的高い飽和限度を有するように構成されたインダクタは、上昇された直流抵抗(DCR)も有していてもよい。インダクタは、DCRを上層させずに比較的高い飽和限度を有するように設計されてもよいが、インダクタの物理サイズは上層する。例えば、10Aの限度および15Aの飽和限度について規定された第1インダクタは、4ミリオームのDCRを有していてもよい。第2インダクタ(第1インダクタと同じ物理的サイズである)は、10Aの電流定格およびたった3ミリオームのDCRを備えていてもよいが、第2インダクタは、13Aの比較的低い飽和限度を有する。一方の特性(DCRまたはサイズ)を他方のために犠牲にすることなく、効率を向上するため、および、インダクタ飽和のリスクにより設計原理を犯すことなく効率を向上するために、比較的小さい物理サイズと比較的低いDCRとの双方と共にインダクタ(図1のインダクタ131など)を使用することが望ましい可能性がある。飽和インダクタは、比較的低いインダクタンスを提供することができ、入力および出力ポート間の意図しない短絡としても作用し得る。したがって、インダクタ飽和を防止するため、いくつかの場合には比較的大きいインダクタンスと比較的大きい飽和限度とを有する比較的大きいインダクタを、上昇されたDCRにもかかわらず使用して、インダクタが飽和しないことを確実にすることができる。例えば、インダクタは、10Aに格付けされてもよいが、インダクタは、ピーク電流が11.5Aであるように30%のACリップルを経験することができ、飽和限度に影響した温度変化に曝されてもよい。したがって、様々な操作可能な条件の下でインダクタ飽和を回避するために、10Aのインダクタは、15Aまたは20Aの飽和限度を有するように設計されて飽和バッファまたは誤差限界を提供してもよい。いくつかの設計では、バッフアは、インダクタが選択されてDC-DC変換器の電流出力格付けの二倍の飽和格付けを有するように、広い温度範囲に亘るなど最悪のシナリオのために設計されている。しかしながら、このような設計は、インダクタの少なくとも物理的なサイズおよび/またはDCRを上昇する可能性がある。
ここに記載の教示および原理は、DC-DC変換器のみではなく、任意の種類の電力変換器に適用されてもよい。DC-AC変換器、AC-DC変換器、およびAC-AC変換器も、ここに開示された教示および原理を使用することができる。例えば、図26Aは、AC-DC変換器の例示的ブロック図2600を示す。AC-DC変換器2600は、AC入力電圧を提供し、DC出力電圧を提供するように構成されている。AC-DC変換器2600は、フィルタ2601、分離回路2603、整流回路2605、および/または平滑器および/または出力フィルタ2607を備えていてもよい。
理解を助けるため、いくつかの実施形態は、電圧値、サイズ、周波数、電流、位置など例示的値を参照して説明される。しかしながら、本開示は、ここに開示される値に限定されることを意図しない。例えば、DC-DC変換器に関連する電圧範囲は、任意の電圧範囲を含んでいてもよい。様々な実施形態は、任意の範囲の入力電圧および任意の範囲の出力電圧を使用することができ、+12Vから-5VのDC-DC変換器など、正の電圧と負の電圧との間の変換を含む。様々な実施形態は、任意の電流値を同様に使用することができ、200アンペアを超える非常に高い電流値を含む。様々な実施形態は、異なる位置および/または向きに在る構成要素の構造を有していてもよい。例えば、ここに開示の集積回路のいずれかは、フェイスアップまたはフェイスダウンであってもよい。いくつかの例は、I2Cおよび/またはPMBUSなどの特定の通信システムを開示するが、通信システム、または他のプロトコルおよび/または物理的層設計を使用することができる。他の実施形態は、例えば、シリアルバスID(SVID)、アダプティブ電圧スケーリング・バス(AVSbus)などを使用することができる。ここで開示のコントローラは、デジタル実施、アナログ実施、およびハイブリッド実施などの様々な方法で実施されてもよい。いくつかのDC-DC変換器パッケージまたはPCBは、キャパシタまたはそれに対するキャパシタを備えていない。いくつかのDC-DC変換器パッケージまたはPCBは、キャパシタおよび/またはそれに連結されたキャパシタ無しであってもよく、インダクタおよび/またはキャパシタは、パッケージまたはPCBに後に追加されてもよい。いくつかの実施形態は、AC連結であってもよい。図13Aおよび13Bにおけるインダクタ1211、1215のペア1215は、単一のコアを共有するインダクタであってもよい。いくつかの例示的システムは、例示的フィードバック制御方式に関連して説明されたが、ここに開示の電力変換器は、任意のフィードバック制御方式を使用してもよい。電力変換器は、平均電流、ピークモード、バレーモード、エミュレーテッド電流などに基づく電流モード制御方式、先縁/立ち上がりエッジ、駆動エッジ、デュアルエッジなどに基づく電圧モード制御方式、常時オン時間、常時オフ時間などを使用することができる。フィードバックシステムは、ヒステリシスを備えていてもよい。
Claims (23)
- プリント基板(PCB)を備え、プリント基板は、
下部プリント基板(PCB)部分と、
上部プリント基板(PCB)部分とを備え、
前記下部PCB部分と前記上部PCB部分との間の埋め込み型回路とを備え、前記埋め込み型回路は、
1つまたは複数のドライバ信号を生成するように構成されたドライバと、
前記1つまたは複数のドライバ信号により駆動されるように構成された1つまたは複数のスイッチとを備え、前記ドライバは少なくとも1MHzの周波数で前記1つまたは複数のスイッチをトグルし、前記1つまたは複数のスイッチは、第1スイッチ、第2スイッチ、第3スイッチ、および第4スイッチを含み、
前記上部PCB部分を通って延びる1つまたは複数のビアと、
前記上部PCB部分に位置決めされた第1インダクタとを備え、
前記1つまたは複数のビアは、前記第1インダクタを前記埋め込み型回路に電気的に連結し、
前記第1インダクタのフットプリントが前記埋め込み型回路のフットプリントに少なくとも部分的に重なり、
第2インダクタと、
キャパシタと、
前記埋め込み型回路に連結された入力ポートであって、入力電圧を受信するように構成された入力ポートと、
前記第1インダクタと前記第2インダクタとに連結された出力ポートであって、前記入力電圧とは異なる出力電圧を提供するように構成された出力ポートとを備え、
前記出力電圧は、前記第1インダクタと前記第2インダクタにエネルギーを充填または放出させる前記1つまたは複数のスイッチに少なくとも部分的に基づき、
前記第1スイッチは、前記入力ポートに連結された第1端と、前記キャパシタにより前記第1インダクタの第1端に連結された第2端とを有し、
前記第2スイッチは、前記第1インダクタの前記第1端に連結された第1端を有し、
前記キャパシタは、AC連結キャパシタとして前記第1スイッチと前記第2スイッチとの間に直列に連結され、
前記第3スイッチは、前記キャパシタおよび前記第1スイッチの前記第2端に連結された第1端と、前記第2インダクタの第1端に連結された第2端とを有し、
前記第4スイッチは、前記第3スイッチの前記第2端および前記第2インダクタの前記第1端に連結された第1端とを有し、
前記第2スイッチの第2端は、前記第4スイッチの第2端に連結され、
前記第1インダクタの第2端と前記第2インダクタの第2端は、前記出力ポートに連結されている、電力変換器。 - 請求項1に記載の電力変換器であって、
前記ドライバは1MHz~15MHzの周波数で前記1つまたは複数のスイッチをトグルする、電力変換器。 - 請求項1または2に記載の電力変換器であって、
前記1つまたは複数のスイッチは、第1エンハンスト窒化ガリウム(eGaN)スイッチと第2エンハンスト窒化ガリウム(eGaN)スイッチを含む、電力変換器。 - 請求項1~3のいずれか一項に記載の電力変換器であって、
前記電力変換器は、電流量を処理するように構成され、
前記電力変換器が電流量のアンペア数当たり0.1mm2~10mm2であるフットプリント領域を有する、電力変換器。 - 請求項1~4のいずれか一項に記載の電力変換器であって、
前記埋め込み型回路は、前記第1インダクタまたは前記第2インダクタを通る電流リップルをエミュレートする信号を生成するように構成されたランプ波発生器を備える、電力変換器。 - 請求項5に記載の電力変換器であって、
前記ランプ波発生器は、前記第1インダクタまたは前記第2インダクタを通る前記電流リップルをエミュレートする前記信号を生成するように構成され、少なくとも、
前記入力電圧を示す第1入力部と、
前記出力電圧を示す第2入力部と、
前記第1インダクタまたは前記第2インダクタのインダクタンス値を示す第3入力部と、
前記1つまたは複数のスイッチの切替信号の第4入力部とを用いる、電力変換器。 - 請求項5または6に記載の電力変換器であって、
前記ランプ波発生器は、
少なくとも部分的に前記入力電圧に基づいて電流を生成するように構成された第1電流源と、
少なくとも部分的に前記出力電圧に基づいて電流を生成するように構成された第2電流源と、
前記1つまたは複数のドライバ信号の少なくとも1つを受信するように構成された第1ランプ波発生器スイッチであって、前記第1電流源と連結された第1ランプ波発生器スイッチと、
前記1つまたは複数のドライバ信号の少なくとも1つを受信するように構成された第2ランプ波発生器スイッチであって、前記第2電流源と連結された第2ランプ波発生器スイッチと、
前記第1ランプ波発生器スイッチおよび前記第2ランプ波発生器スイッチと連結されたキャパシタとを備える、電力変換器。 - 請求項1~7のいずれか一項に記載の電力変換器であって、
前記電力変換器は、
電流が前記キャパシタを通って前記第1インダクタに流れ、前記キャパシタが充填してエネルギーを蓄積する第1動作状態と、
前記キャパシタがエネルギーを放出して電流を前記第2インダクタに流す第2動作状態とを有する、電力変換器。 - 請求項1~8のいずれか一項に記載の電力変換器であって、
前記電力変換器は、前記電力変換器の入力部と出力部との間の直接的な電気的接続を絶縁するように構成された絶縁トポロジで構成された、電力変換器。 - 請求項9に記載の電力変換器であって、
前記絶縁トポロジは、前記第1インダクタを通る変更電流が前記第2インダクタにおける変更電流を誘発するように構成された前記第1インダクタおよび前記第2インダクタを含む変圧器を備える、電力変換器。 - 請求項1~10のいずれか一項に記載の電力変換器であって、
前記埋め込み型回路は、1つまたは複数のPWM信号を生成するように構成されたパルス幅変調器(PWM)コントローラを備え、
前記PWMコントローラは、前記ドライバと連結され、
前記ドライバは、少なくとも部分的に前記PWM信号に基づいて1つまたは複数のドライバ信号を生成するように構成されている、電力変換器。 - 請求項1~11のいずれか一項に記載の電力変換器であって、
前記第1インダクタおよび前記埋め込み型回路の一方は、前記第1インダクタおよび前記埋め込み型回路の他方のフットプリントに完全に含まれるフットプリントを有する、電力変換器。 - 請求項1~12のいずれか一項に記載の電力変換器であって、
前記第2インダクタは前記上部プリント基板(PCB)部分に位置し、
前記1つまたは複数のビアは前記第2インダクタを前記埋め込み型回路に電気的に連結し、
前記第2インダクタのフットプリントが前記埋め込み型回路のフットプリントに少なくとも部分的に重なる、電力変換器。 - 請求項1~13のいずれか一項に記載の電力変換器であって、
前記第1インダクタおよび前記第2インダクタは、互いに位相をずらして駆動される、電力変換器。 - 請求項1~14のいずれか一項に記載の電力変換器であって、
前記第1インダクタは、コアの周囲の第1巻き線を備え、
前記第2インダクタは、同じコアの周囲の第2巻き線を備える、電力変換器。 - 請求項8に記載の電力変換器であって、
前記第1動作状態において、前記第1スイッチはオン、前記第2スイッチはオフ、および前記第3スイッチはオフであり、
前記第2動作状態において、前記第3スイッチはオンおよび前記第4スイッチはオフである、電力変換器。 - 請求項1~16のいずれか一項に記載の電力変換器であって、
前記電力変換器の出力を調整するための制御信号を受信するように構成された通信インターフェースをさらに備える、電力変換器。 - 請求項17に記載の電力変換器であって、
前記第1インダクタまたは前記第2インダクタを通る電流リップルをエミュレートする信号を生成するように構成されたランプ波発生器を有するフィードバックシステムをさらに備え、
前記フィードバックシステムは、前記通信インターフェースを介して受信されるコマンドに応じて前記ランプ波発生器をトリムするように構成されている、電力変換器。 - 請求項17または18に記載の電力変換器であって、
前記通信インターフェースは電源管理バス(PMBUS)を備える、電力変換器。 - 請求項17~19のいずれか一項に記載の電力変換器であって、
前記通信インターフェースは、集積回路間(I2C)プロトコルを実施するように構成される、電力変換器。 - 請求項17~19のいずれか一項に記載の電力変換器であって、
前記通信インターフェースは前記埋め込み型回路と同じパッケージにおける無線通信システムを備える、電力変換器。 - 複数の電力変換器を備え、前記複数の電力変換器の各々は、請求項1~21のいずれか一項に記載の電力変換器による電力変換器である電力供給システムであって、
複数のPWM信号を生成するように構成された共用パルス幅変調器(PWM)コントローラとを備え、
前記PWMコントローラは、前記複数の電力変換器の前記ドライバと連結されて、前記複数のPWM信号を前記電力変換器の対応する前記ドライバへ送り、
前記ドライバは、少なくとも部分的に前記PWM信号に基づいて前記1つまたは複数のドライバ信号を生成するように構成されている、電力供給システム。 - 請求項1~21のいずれか一項に記載の電力変換器による第1電力変換器を備える電力供給システムであって、
前記第1電力変換器と並列に連結された第2電力変換器と、
電流平衡のために前記第1電力変換器の出力と前記第2電力変換器の出力とを調節するように構成された制御システムとをさらに備える、電力供給システム。
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