JP7217280B2 - 基板の洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents
基板の洗浄方法及び洗浄装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7217280B2 JP7217280B2 JP2020540638A JP2020540638A JP7217280B2 JP 7217280 B2 JP7217280 B2 JP 7217280B2 JP 2020540638 A JP2020540638 A JP 2020540638A JP 2020540638 A JP2020540638 A JP 2020540638A JP 7217280 B2 JP7217280 B2 JP 7217280B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cleaning
- ultrasonic
- air bubbles
- chemical solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
Claims (19)
- 基板を基板ホルダに配置する工程と、
前記基板の表面上に洗浄液を供給する工程と、
前記基板の前記表面から気泡を分離する前処理プロセスの実行工程と、
前記基板を洗浄する超音波又は高周波超音波洗浄プロセスの実行工程とを備えており、
前記基板の前記表面から気泡を分離するための前記前処理プロセスの実行工程が、安定した気泡キャビテーションを生成するために、前記洗浄液に第1のパワーで超音波又は高周波超音波を印加することを含み、
前記基板を洗浄する超音波又は高周波超音波洗浄プロセスの実行工程が、前記基板を洗浄する超音波又は高周波超音波洗浄プロセスを実行するために、第2のパワーで超音波又は高周波超音波を印加することを含み、
前記第2のパワーが前記第1のパワーよりも大きい基板の洗浄方法。 - 前記前処理プロセスの実行工程の期間が5秒以上である、請求項1に記載の方法。
- 前記超音波又は高周波超音波が、連続モード又はパルスモードで動作する、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記基板の前記表面から気泡を分離する前記前処理プロセスの実行工程が、前記基板の前記表面を疎水性から親水性に改質することを含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記基板の前記表面の疎水性から親水性への改質は、前記基板の前記表面に親水性被覆層を形成する化学溶液を供給することにより実行されることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記基板の前記表面の疎水性から親水性への改質は、疎水性の前記基板の前記表面を酸化させて親水性酸化物の層にする化学溶液を供給することにより実行されることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記基板の前記表面から気泡を分離するための前記前処理プロセスの実行工程が、前記基板の前記表面上の前記化学溶液の濡れ性を増加させるために、前記基板の前記表面上に化学溶液を供給することを含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記基板の前記表面から気泡を分離するための前記前処理プロセスの実行工程が、前記基板の前記表面に付着した不純物を除去することを含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記基板の前記表面に付着した前記不純物を、化学溶液を用いて除去することを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 安定した気泡キャビテーションを生成するために、前記化学溶液に第1のパワーで超音波又は高周波超音波を印加する工程をさらに備えている、請求項9に記載の方法。
- 前記基板の前記表面から気泡を分離するための前記前処理プロセスの実行工程が、粒子を除去し、しかる後に、前記基板の前記表面から気泡を分離することを含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。
- 第1パワーの超音波又は高周波超音波が、前記粒子を除去し、前記気泡を前記基板の前記表面から分離するために、前記洗浄液に印加される、請求項11に記載の方法。
- 前記基板の前記表面に化学溶液を供給して前記粒子を反応又は溶解させることを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 基板洗浄装置であって、
基板を支持するように構成された基板ホルダと、
前記基板の表面上に洗浄液を供給するように構成された少なくとも1つの注入口と、
前記洗浄液に音響エネルギーを供給するように構成された超音波又は高周波超音波デバイスと、
一又は複数のコントローラとを備えており、前記一又は複数のコントローラは、
前記基板の前記表面から気泡を分離する前処理プロセスを実行するために、前記超音波又は高周波超音波デバイスを第1のパワーに制御し、
前記基板を洗浄する超音波又は高周波超音波洗浄プロセスを実行するために、前記超音波又は高周波超音波デバイスを前記第1のパワーよりも大きい第2のパワーに制御する基板洗浄装置。 - 前記超音波又は高周波超音波デバイスが、連続モード又はパルスモードで動作する、請求項14に記載の装置。
- 前記注入口が、前記基板の前記表面を疎水性から親水性に変更して前記基板の前記表面から気泡を分離する化学溶液を供給する、請求項14に記載の装置。
- 前記注入口は、前記基板の前記表面上の前記化学溶液の濡れ性を増加させて前記基板の前記表面から気泡を分離するために、前記基板の前記表面上に化学溶液を供給する、請求項14に記載の装置。
- 前記注入口は、前記基板の前記表面から気泡を分離するために、前記基板の前記表面上に付着した不純物を除去する化学溶液を供給する、請求項14に記載の装置。
- 前記注入口は、前記基板の前記表面から気泡を分離するために、前記基板の前記表面上に、粒子を反応又は溶解させる化学溶液を供給する、請求項14に記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2018/073723 WO2019144256A1 (en) | 2018-01-23 | 2018-01-23 | Methods and apparatus for cleaning substrates |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021515979A JP2021515979A (ja) | 2021-06-24 |
JP7217280B2 true JP7217280B2 (ja) | 2023-02-02 |
Family
ID=67395151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020540638A Active JP7217280B2 (ja) | 2018-01-23 | 2018-01-23 | 基板の洗浄方法及び洗浄装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210031243A1 (ja) |
EP (1) | EP3743939A4 (ja) |
JP (1) | JP7217280B2 (ja) |
KR (1) | KR102553512B1 (ja) |
CN (1) | CN111656484A (ja) |
SG (1) | SG11202007003RA (ja) |
WO (1) | WO2019144256A1 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007150164A (ja) | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Renesas Technology Corp | 基板洗浄方法 |
JP2010212690A (ja) | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Imec | ダメージを低減した物理力アシスト洗浄方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3192610B2 (ja) * | 1996-05-28 | 2001-07-30 | キヤノン株式会社 | 多孔質表面の洗浄方法、半導体表面の洗浄方法および半導体基体の製造方法 |
US6058945A (en) | 1996-05-28 | 2000-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface |
US20060086604A1 (en) * | 1996-09-24 | 2006-04-27 | Puskas William L | Organism inactivation method and system |
US7336019B1 (en) * | 2005-07-01 | 2008-02-26 | Puskas William L | Apparatus, circuitry, signals, probes and methods for cleaning and/or processing with sound |
US20080047575A1 (en) * | 1996-09-24 | 2008-02-28 | Puskas William L | Apparatus, circuitry, signals and methods for cleaning and processing with sound |
US6124214A (en) * | 1998-08-27 | 2000-09-26 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for ultrasonic wet etching of silicon |
JP2003234320A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Nec Electronics Corp | 基板の洗浄方法、洗浄薬液、洗浄装置及び半導体装置 |
JP2003311226A (ja) | 2002-04-19 | 2003-11-05 | Kaijo Corp | 洗浄処理方法及び洗浄処理装置 |
US7373941B2 (en) * | 2003-03-28 | 2008-05-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd | Wet cleaning cavitation system and method to remove particulate wafer contamination |
US7270130B2 (en) * | 2003-10-15 | 2007-09-18 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device cleaning employing heterogeneous nucleation for controlled cavitation |
SG174616A1 (en) * | 2009-03-31 | 2011-11-28 | Acm Res Shanghai Inc | Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers |
US8973601B2 (en) * | 2010-02-01 | 2015-03-10 | Ultrasonic Power Corporation | Liquid condition sensing circuit and method |
CN102368468B (zh) * | 2011-10-17 | 2013-09-25 | 浙江贝盛光伏股份有限公司 | 一种硅片预清洗工艺 |
CN107636799B (zh) * | 2015-05-20 | 2021-12-03 | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 | 清洗半导体衬底的方法和装置 |
US10512946B2 (en) * | 2015-09-03 | 2019-12-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gigasonic cleaning techniques |
CN105414084A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-03-23 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 具有超声或兆声振荡的二相流雾化清洗装置及清洗方法 |
-
2018
- 2018-01-23 EP EP18902437.5A patent/EP3743939A4/en active Pending
- 2018-01-23 JP JP2020540638A patent/JP7217280B2/ja active Active
- 2018-01-23 SG SG11202007003RA patent/SG11202007003RA/en unknown
- 2018-01-23 WO PCT/CN2018/073723 patent/WO2019144256A1/en unknown
- 2018-01-23 CN CN201880087245.9A patent/CN111656484A/zh active Pending
- 2018-01-23 KR KR1020207023518A patent/KR102553512B1/ko active IP Right Grant
- 2018-01-23 US US16/964,507 patent/US20210031243A1/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007150164A (ja) | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Renesas Technology Corp | 基板洗浄方法 |
JP2010212690A (ja) | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Imec | ダメージを低減した物理力アシスト洗浄方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111656484A (zh) | 2020-09-11 |
WO2019144256A1 (en) | 2019-08-01 |
EP3743939A4 (en) | 2021-08-18 |
SG11202007003RA (en) | 2020-08-28 |
KR102553512B1 (ko) | 2023-07-10 |
EP3743939A1 (en) | 2020-12-02 |
US20210031243A1 (en) | 2021-02-04 |
JP2021515979A (ja) | 2021-06-24 |
KR20200106542A (ko) | 2020-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5367840B2 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法、および装置 | |
US20120097195A1 (en) | Methods and Apparatus for Cleaning Semiconductor Wafers | |
US20140034096A1 (en) | Acoustic Assisted Single Wafer Wet Clean For Semiconductor Wafer Process | |
KR20090101242A (ko) | 반도체 프로세스 장치 컴포넌트 및 부품의 메가소닉 정밀 세정 | |
TWI479548B (zh) | 具有控制邊界層厚度之兆頻超音波清洗及相關系統及方法 | |
TW201718117A (zh) | 千兆赫等級超音波(gigasonic)清潔技術 | |
JP5476291B2 (ja) | 洗浄液に周期的せん断応力を印加することにより半導体ウエハー表面を洗浄する方法 | |
JP7217280B2 (ja) | 基板の洗浄方法及び洗浄装置 | |
TWI828723B (zh) | 基板的清洗方法及裝置 | |
US11911807B2 (en) | Method and apparatus for cleaning substrates | |
KR102522272B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 세정 방법 및 장치 | |
JP7437499B2 (ja) | 基板の洗浄方法及び洗浄装置 | |
KR102548592B1 (ko) | 기판 세정 방법 및 장치 | |
US12042827B1 (en) | Integrated ultrasonics and megasonics cleaning | |
JP2002079198A (ja) | 超音波洗浄方法とその装置 | |
TW202105532A (zh) | 基板清洗方法及清洗裝置 | |
JP2007266194A (ja) | 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体基板の洗浄装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210104 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211011 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211019 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220118 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220621 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221018 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20221018 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20221021 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20221111 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20221115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230123 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7217280 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |