JP2012171053A - 半導体装置の製造方法及びマイクロフォンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Siウエハの上に複数個の音響センサ51を設ける。Siウエハ74を用いて空洞70や貫通電極65、66などを有する複数個のインターポーザ52を一体に形成する。複数個の音響センサ51の、Siウエハと反対側の面を複数個のインターポーザ52に接合一体化する。この後、音響センサ51とインターポーザ52が接合一体化された状態において、音響センサ51のSiウエハを研磨してSiウエハの厚みを薄くする。この後、接合されたままで1個1個に分割された単体の音響センサ51及びSiウエハを、信号処理回路とともにパッケージ内に実装する。
【選択図】図9
Description
図1は、従来の一般的な構造のマイクロフォンを示す断面図である。このマイクロフォン11は、カバー12と回路基板13からなるパッケージ内に音響センサ15と信号処理回路17を実装したものである。音響センサ15と信号処理回路17は、回路基板13の上面に横に並べた状態で実装されている。信号処理回路17は、封止樹脂21によって覆われている。音響センサ15と信号処理回路17は、ボンディングワイヤ18によって電気的に接続されており、さらに信号処理回路17は、ボンディングワイヤ19によって回路基板13の基板内配線14に接続されている。
特許文献1に開示されているマイクロフォンを図2に示す。特許文献1のマイクロフォン31では、回路基板13の上面に信号処理回路17を実装している。信号処理回路17に隣接する位置において、回路基板13の上面にはスペーサ32が固定されており、さらにスペーサ32の上面に音響センサ15が実装されている。スペーサ32には、上下に貫通する貫通孔33が開口されている。音響センサ15の下面には電極パッドが設けられ、音響センサ15は、スペーサ32を介して回路基板13に電気的に接続されている。音導入孔20は、カバー12に開口されている。
以下、図3−図5を参照して本発明の実施形態1によるマイクロフォン(すなわち、半導体装置)を説明する。図3は、実施形態1に係るマイクロフォン41の構造を示す断面図である。また、図4(A)は、マイクロフォン41に用いられているインターポーザ52(すなわち、支持部材)の斜視図、図4(B)は、インターポーザ52を上下反転させた状態で示す斜視図である。図5(A)及び図5(B)はインターポーザ52の断面図であって、図5(A)は図4(A)のX−X線断面を示し、図5(B)は図4(A)のY−Y線断面を示す。
つぎに、実施形態1のマイクロフォン41を製造する工程を図6−図11に基づいて説明する。インターポーザ52は、図6(A)−図6(F)に示すような工程により、複数個が一度に作製される。図7(A)は、この結果一体に作製された複数個のインターポーザ52を示す平面図である。図7(B)は、図7(A)のZ−Z線に沿った断面を示す。複数個のインターポーザ52は、以下のようにして作製される。
図12は、本発明の実施形態2によるマイクロフォン81を示す断面図である。このマイクロフォン81は、実施形態1のマイクロフォン41とはインターポーザ52の形状が異なっているだけである。従って、実施形態2のマイクロフォン81においては、インターポーザ52以外の説明は省略する。
図14は本発明の実施形態3によるマイクロフォン82を示す断面図である。このマイクロフォン82では、信号処理回路53はインターポーザ52の内部には置かれていない。信号処理回路53は、インターポーザ52の横に並べて回路基板43の上面に実装されている。したがって、このマイクロフォン82では、インターポーザ52の内部の空洞70は、音響センサ51のバックチャンバと連通していて、バックチャンバの容積を大きくする働きをしている。
インターポーザ52は、実施形態1、2で述べたような構造以外にも種々の構造が可能である。図16(A)及び図16(B)に示すものはさらに別な実施形態である。このインターポーザ52では、インターポーザ52の上面に沿ってパッド部65aから延長電極部83aを延出し、インターポーザ52の下面に沿ってパッド部65bから延長電極部83bを延出し、延長電極部83aの先端部と延長電極部83bの先端部間を貫通電極65で接続している。同様に、インターポーザ52の上面に沿ってパッド部66aから延長電極部84aを延出し、インターポーザ52の下面に沿ってパッド部66bから延長電極部84bを延出し、延長電極部84aの先端部と延長電極部84bの先端部間を貫通電極66で接続している。このような実施形態によれば、貫通電極65、66を自由な位置に設けることが可能になる。
43 :回路基板、 48 :音導入孔、
51 :音響センサ(半導体素子)、 52 :インターポーザ(支持部材)、
53 :信号処理回路、 55 :フロントチャンバ、
56 :ダイアフラム、 57 :バックプレート、
59 :固定電極板、 65、66 :貫通電極、
65a、65b、66a、66b :パッド部、
70 :空洞、 73、74 :Siウエハ、 75: 犠牲層
Claims (9)
- 半導体基板に半導体素子を作製する工程と、
前記半導体基板の前記半導体素子を作製された側の面を支持部材に接合させる工程と、
前記半導体基板と前記支持部材が接合された状態において、前記半導体基板の前記半導体素子を作製された面と反対側の面を研磨して前記半導体基板の厚みを薄くする工程とを備えた、半導体装置の製造方法。 - 前記支持部材は、回路基板上に実装され、
前記支持部材には、前記半導体素子と前記回路基板とを電気的に導通させるための導電体が上下に貫通していることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板は、複数個の前記半導体素子を作製されたウエハであり、複数個の前記支持部材が別なウエハによって形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 半導体基板に音響センサを作製する工程と、
プレートに空洞を形成して支持部材を作製する工程と、
前記半導体基板の前記音響センサを作製された側の面を前記支持部材に接合させる工程と、
前記半導体基板と前記支持部材が接合された状態において、前記半導体基板の前記音響センサを作製された面と反対側の面を研磨して前記半導体基板の厚みを薄くする工程と、
研磨処理後の前記半導体基板に形成された前記音響センサ及び前記支持部材と信号処理回路とをパッケージ内に実装する工程とを備えた、マイクロフォンの製造方法。 - 前記空洞は、前記信号処理回路を納めるための空間であることを特徴とする、請求項4に記載のマイクロフォンの製造方法。
- 前記空洞は、前記音響センサのバックチャンバと連通した空間であることを特徴とする、請求項4に記載のマイクロフォンの製造方法。
- 前記支持部材には、前記音響センサと前記パッケージに設けた電極パッドとを電気的に導通させるための導電体が上下に貫通していることを特徴とする、請求項4に記載のマイクロフォンの製造方法。
- 前記プレートは、半導体基板であることを特徴とする、請求項4に記載のマイクロフォンの製造方法。
- 前記半導体基板は、複数個の前記音響センサを作製されたウエハであり、前記プレートは、複数個の前記支持部材を作製されたウエハであることを特徴とする、請求項4に記載のマイクロフォンの製造方法。
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