JP7186230B2 - 装置の構成要素から汚染粒子を除去する装置および方法 - Google Patents
装置の構成要素から汚染粒子を除去する装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7186230B2 JP7186230B2 JP2020536034A JP2020536034A JP7186230B2 JP 7186230 B2 JP7186230 B2 JP 7186230B2 JP 2020536034 A JP2020536034 A JP 2020536034A JP 2020536034 A JP2020536034 A JP 2020536034A JP 7186230 B2 JP7186230 B2 JP 7186230B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electric field
- particles
- component
- ambient
- applied electric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B6/00—Cleaning by electrostatic means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
Landscapes
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electrostatic Separation (AREA)
Description
本出願は、2017年12月28日に出願された欧州出願17210857.3および2018年3月6日に出願された欧州出願18160148.5の優先権を主張し、それらの全体が参照により本書に組み込まれる。
本開示は、装置(選択的に計測装置)の構成要素から汚染粒子を除去する方法および装置に関する。
(項1)装置の構成要素から汚染粒子を除去するための装置であって、前記汚染粒子は、周囲電場を発生させるものであり、前記装置は、
粒子を引きつけるための収集領域であって、前記構成要素と前記収集領域の少なくとも間に前記周囲電場がある収集領域と、
前記収集領域と前記構成要素の間に印加電場を形成して前記構成要素から前記収集領域への前記粒子の輸送を生じさせるよう構成される電場発生器と、を備え、
前記電場発生器は、前記周囲電場に基づいて前記印加電場の極性を決定するよう構成される装置。
(項2)前記印加電場の極性は、前記周囲電場の極性と逆である、項1に記載の装置。
(項3)前記電場発生器は、前記周囲電場の大きさ、前記粒子を前記構成要素に保持する接着力の推定値、および、前記粒子を前記構成要素に保持するファンデルワールス力の推定値のうちの一以上に基づいて、前記印加電場の大きさを決定するよう構成される、項1または2に記載の装置。
(項4) 前記収集領域の少なくとも一部が導電性であり、前記電場発生器は、前記収集領域の前記少なくとも一部に電圧を印加することにより前記印加電場を形成するように構成される電圧源を備える、上記項のいずれかに記載の装置。
(項5)前記印加電場を形成する前に前記周囲電場の極性を検知するよう構成される電場センサをさらに備え、前記センサは、選択的に前記印加電場を形成する前に前記周囲電場の大きさを検知するよう構成される、上記項のいずれかに記載の装置。
(項6)前記電場センサは、導電性要素を備え、前記周囲電場を検知することは、前記周囲電場により前記導電性要素に誘起される電圧を監視することを備える、項5に記載の装置。
(項7)前記周囲電場を検知する際に前記導電性要素の電圧を浮遊可能にするよう構成される、項6に記載の装置。
(項8)前記印加電場の大きさは、前記検知される周囲電場の大きさ、および、前記構成要素と前記導電性要素および/または前記収集領域との間の距離の少なくとも一方に基づいて決定される、項5から7のいずれかに記載の装置。
(項9)前記収集領域は、前記導電性要素を備える、項5から8のいずれかに記載の装置。
(項10)前記印加電場を形成する前に、選択的に前記収集領域が前記汚染粒子と接触する間、前記収集領域と前記構成要素の間の領域に別の電場を誘起させるよう構成される電場誘起器をさらに備える、上記項のいずれかに記載の装置。
(項11)前記構成要素は、光学システムの対物レンズである、上記項のいずれかに記載の装置。
(項12)前記印加電圧の大きさは、0Vから10kVの範囲内である、項4を直接または間接的に引用する上記項のいずれかに記載の装置。
(項13)前記印加電圧の大きさは、前記構成要素と前記収集領域の間の電気的破壊を防ぐように決定される、項12に記載の装置。
(項14)前記構成要素は、グランド電位に保持される、上記項のいずれかに記載の装置。
(項15)前記構成要素の粒子を検査する初期ステップを実行するよう構成される検査ユニットをさらに備え、前記電場発生器は、前記構成要素上で検出される粒子の閾値の数に応じて印加電場を形成するよう構成される、上記項のいずれかに記載の装置。
(項16)前記電場発生器は、前記周囲電場の極性および/または大きさを入力として取得し、実験データによるライブラリの参照および/または装置の静電的有限要素モデルに基づいて、前記印加電場の極性および/または極性を決定するよう構成される、上記項のいずれかに記載の装置。
(項17)前記印加電場の形成前に、前記構成要素を前記収集領域の真上に位置するように移動させる、または、前記収集領域を前記構成要素の真下に位置するように移動させる、上記項のいずれかに記載の装置。
(項18)前記粒子を前記収集領域から除去するよう構成される粒子除去器をさらに備える、上記項のいずれかに記載の装置。
(項19)前記粒子除去器は、真空ポンプを備え、前記収集領域からの前記粒子の除去は、吸引による、項18に記載の装置。
(項20)前記収集領域の上方に配置されるキャップをさらに備え、前記キャップは、前記真空ポンプと流体的に連通する通気口を有し、前記真空ポンプの動作時に前記収集領域を横切って前記真空ポンプに向かうガスを前記通気口を通じて引き込むよう構成される、項19に記載の装置。
(項21)前記電場発生器は、前記真空ポンプの動作前または動作中に前記印加電場の大きさを低減するように構成される、項18から20のいずれかに記載の装置。
(項22)前記電場発生器は、前記真空ポンプの動作前または動作中に前記印加電場を解除するよう構成される、項21に記載の装置。
(項23)前記電場発生器は、前記真空ポンプの動作前または動作中に前記印加電場の極性を反転するよう構成される、項21に記載の装置。
(項24)前記収集領域の周縁にあるガードをさらに備え、前記ガードは、前記収集領域に隣接する領域内に前記印加電場を保持するよう構成される、上記項のいずれかに記載の装置。
(項25)前記ガードの少なくとも一部は導電性であり、グランド電位に保持される、項24に記載の装置。
(項26)前記構成要素は、計測装置のものである、項1から25のいずれかに記載の装置。
(項27)装置の構成要素から汚染粒子を除去する方法であって、前記汚染粒子は、周囲電場を発生させるものであり、前記装置は、前記粒子を引きつけるための収集領域を備え、前記周囲電場は、前記構成要素と前記収集領域の少なくとも間にあり、前記方法は、
前記周囲電場に基づいて印加電場の極性を決定することと、
電場発生器により前記収集領域と前記構成要素の間に前記印加電場を形成して前記構成要素から前記収集領域への前記粒子の輸送を生じさせることと、を備える方法。
(項28)前記印加電場の極性および/または大きさを決定することは、前記周囲電場の大きさ、前記粒子を前記構成要素に保持する接着力の推定値、および、粒前記子を前記構成要素に保持するファンデルワールス力の推定値の少なくとも一つに基づく、項27に記載の方法。
(項29)前記電場発生器は、電圧源を備え、前記印加電場を形成することは、導電性である前記収集領域の一部に前記電圧源が電圧を印加することを備える、項27または28に記載の方法。
(項30)前記印加電場を形成する前に前記周囲電場の極性を電場センサによって検知することをさらに備え、選択的に、前記印加電場を形成する前に前記周囲電場の大きさを電場センサによって検知することをさらに備える、項27から29のいずれかに記載の方法。
(項31)前記電場センサは、導電性要素を備え、前記周囲電場を検知することは、前記周囲電場によって前記導電性要素に誘起される電圧を監視することを備える、項30に記載の方法。
(項32)前記周囲電場を検知する際に前記導電性要素の電圧を浮遊可能にすることをさらに備える、項31に記載の方法。
(項33)前記検知される周囲電場の大きさ、および、前記構成要素と前記導電性要素および/または前記収集領域との間の距離のうちの少なくとも一方に基づいて、前記印加電場の大きさを決定することをさらに備える、項30から32のいずれかに記載の方法。
(項34)前記印加電場を形成する前に、選択的に前記収集領域が前記汚染粒子に接触可能となる間、前記収集領域と前記構成要素の間の領域に別の電場を電場誘起器によって誘起させることをさらに備える、項27から33のいずれかに記載の方法。
(項35)前記印加電場の大きさは、0Vから10kVの範囲内である、項27から34のいずれかに記載の方法。
(項36)前記構成要素と前記収集領域の間の電気的破壊を防ぐように前記印加電場の大きさを決定することをさらに備える、項35に記載の方法。
(項37)前記構成要素をグランド電位に保持することをさらに備える、項27から36のいずれかに記載の方法。
(項38)検査ユニットによって前記構成要素の粒子を検査する初期ステップをさらに備え、前記電場発生器は、前記構成要素上で検出される粒子の閾値の数に応じて前記印加電場を形成する、項27から37のいずれかに記載の方法。
(項39)前記周囲電場の極性および/または大きさを入力として取得し、実験データによるライブラリの参照および/または前記装置の静電的有限要素モデルに基づいて、前記印加電場の極性および/または大きさを前記電場発生器が決定することをさらに備える、項27から38のいずれかに記載の方法。
(項40)前記印加電場の形成前に、前記構成要素を前記収集領域の真上に位置するよう移動させること、または、代替的に前記収集領域を前記構成要素の真下に位置するよう移動せることをさらに備える、項27から39のいずれかに記載の方法。
(項41)粒子除去器が前記収集領域から前記粒子を除去することをさらに備える、項27から40のいずれかに記載の方法。
(項42)前記粒子除去器は、真空ポンプを備え、前記収集領域からの前記粒子の除去は、吸引による、項41に記載の方法。
(項43)前記収集領域の上方にキャップを配置することをさらに備え、前記キャップは、前記真空ポンプと流体的に連通する通気口を有し、前記収集領域を横切って前記真空ポンプに向かうガスを前記通気口を通じて引き込むように真空ポンプを動作させる、項42に記載の方法。
(項44)前記真空ポンプの動作前または動作中に前記電場発生器が前記印加電場の大きさを低減することをさらに備える、項41から43のいずれかに記載の方法。
(項45)前記真空ポンプの動作前または動作中に前記電場発生器が前記印加電場を解除することをさらに備える、項44に記載の方法。
(項46)前記真空ポンプの動作前または動作中に前記電場発生器が前記印加電場の極性を反転することをさらに備える、項44に記載の方法。
(項47)前記収集領域の周縁に配置されるガードをグランド電位に保持し、前記収集領域に隣接する領域内の前記印加電場を保持することをさらに備える、項27から46のいずれかに記載の方法。
(項48)前記構成要素は、計測装置のものである、項27から47のいずれかに記載の方法。
(項49)少なくとも一つのプロセッサ上で実行される際、前記少なくとも一つのプロセッサに装置を制御させて項27から48のいずれかに記載の方法を実行させる命令を備えるコンピュータプログラム。
(項50)項49に記載のコンピュータプログラムを含む担体であって、電気信号、光信号、無線信号または非一時的なコンピュータ可読記憶媒体のうちの一つである担体。
(項51)項1から26のいずれかに記載の装置を備える計測装置。
(項52)項1から26または項51のいずれかに記載の装置を備えるリソグラフィ装置。
(項53)項52に記載の装置を備えるリソグラフィセル。
(項54)装置の構成要素から汚染粒子を除去するための装置であって、前記汚染粒子は、周囲電場を発生させるものであり、前記装置は、
粒子を引きつけるための収集領域であって、前記構成要素と前記収集領域の少なくとも間に前記周囲電場がある収集領域と、
電場発生器と、
プロセッサと、を備え、
前記プロセッサは、
前記周囲電場に基づいて印加電場の極性を決定するステップと、
前記電場発生器により前記収集領域と前記構成要素の間に前記印加電場を形成して前記構成要素から前記収集領域への前記粒子の輸送を生じさせるステップと、を実行するよう構成される装置。
Claims (12)
- 装置の構成要素から汚染粒子を除去するための装置であって、前記汚染粒子は、周囲電場を発生させるものであり、前記装置は、
前記粒子を引きつけるための収集領域であって、前記構成要素と前記収集領域の少なくとも間に前記周囲電場がある収集領域と、
前記収集領域と前記構成要素の間に印加電場を形成して前記構成要素から前記収集領域への前記粒子の輸送を生じさせるよう構成される電場発生器と、
前記印加電場を形成する前に前記周囲電場の極性を検知するよう構成される電場センサと、を備え、
前記電場センサは、導電性要素を備え、前記周囲電場を検知することは、前記周囲電場によって前記導電性要素に誘起される電圧を監視することを備え、前記装置は、前記周囲電場を検知する際に前記導電性要素の電圧を浮遊可能にするよう構成され、
前記電場発生器は、前記周囲電場に基づいて前記印加電場の極性を決定するよう構成されることを特徴とする装置。 - 前記印加電場の大きさは、前記検知される周囲電場の大きさ、および、前記構成要素と前記導電性要素および/または前記収集領域との間の距離の少なくとも一方に基づいて決定されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記印加電場の極性は、前記周囲電場の極性と逆であることを特徴とする請求項1または2に記載の装置。
- 前記電場発生器は、前記周囲電場の大きさ、前記粒子を前記構成要素に保持する接着力の推定値、および、前記粒子を前記構成要素に保持するファンデルワールス力の推定値のうちの一以上に基づいて、前記印加電場の大きさを決定するよう構成されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の装置。
- 前記収集領域の少なくとも一部が導電性であり、前記電場発生器は、前記収集領域の前記少なくとも一部に電圧を印加することにより前記印加電場を形成するように構成される電圧源を備えることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の装置。
- 前記印加電場を形成する前に、前記収集領域が前記汚染粒子と接触する間、前記収集領域と前記構成要素の間の領域に別の電場を誘起させるよう構成される電場誘起器をさらに備えることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の装置。
- 前記粒子を前記収集領域から除去するよう構成される粒子除去器をさらに備えることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の装置。
- 前記粒子除去器は、真空ポンプを備え、前記収集領域からの前記粒子の除去は、吸引によることを特徴とする請求項7に記載の装置。
- 前記収集領域の上方に配置されるキャップをさらに備え、前記キャップは、前記真空ポンプと流体的に連通する通気口を有し、前記真空ポンプの動作時に前記収集領域を横切って前記真空ポンプに向かうガスを前記通気口を通じて引き込むよう構成されることを特徴とする請求項8に記載の装置。
- 前記電場発生器は、前記真空ポンプの動作前または動作中に前記印加電場の大きさを低減するよう構成されることを特徴とする請求項8または9に記載の装置。
- 装置の構成要素から汚染粒子を除去する方法であって、前記汚染粒子は、周囲電場を発生させるものであり、前記装置は、前記粒子を引きつけるための収集領域を備え、前記周囲電場は、前記構成要素と前記収集領域の少なくとも間にあり、前記方法は、
前記周囲電場の極性を検知することと、
前記周囲電場に基づいて印加電場の極性を決定することと、
電場発生器により前記収集領域と前記構成要素の間に前記印加電場を形成して前記構成要素から前記収集領域への前記粒子の輸送を生じさせることと、を備え、
前記周囲電場を検知することは、前記周囲電場によって導電性要素に誘起される電圧を監視することを備え、前記周囲電場を検知する際に前記導電性要素の電圧を浮遊可能にすることを特徴とする方法。 - 請求項1から10のいずれか一項に記載の装置を備えることを特徴とする計測装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP17210857.3 | 2017-12-28 | ||
EP17210857.3A EP3506011A1 (en) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | Apparatus for and a method of removing contaminant particles from a component of a metrology apparatus |
EP18160148 | 2018-03-06 | ||
EP18160148.5 | 2018-03-06 | ||
PCT/EP2018/082964 WO2019129456A1 (en) | 2017-12-28 | 2018-11-29 | Apparatus for and a method of removing contaminant particles from a component of an apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021508593A JP2021508593A (ja) | 2021-03-11 |
JP7186230B2 true JP7186230B2 (ja) | 2022-12-08 |
Family
ID=64564872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020536034A Active JP7186230B2 (ja) | 2017-12-28 | 2018-11-29 | 装置の構成要素から汚染粒子を除去する装置および方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11123773B2 (ja) |
JP (1) | JP7186230B2 (ja) |
KR (1) | KR102429845B1 (ja) |
CN (1) | CN111512238B (ja) |
TW (1) | TWI761644B (ja) |
WO (1) | WO2019129456A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7293962B2 (ja) | 2019-08-08 | 2023-06-20 | 株式会社ジェイテクト | 成形品の品質異常予測システム |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019086221A1 (en) | 2017-10-31 | 2019-05-09 | Asml Netherlands B.V. | Metrology apparatus, method of measuring a structure, device manufacturing method |
US11256181B2 (en) * | 2019-07-31 | 2022-02-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for removing particles in semiconductor manufacturing |
US11378889B2 (en) * | 2020-10-29 | 2022-07-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography system and method of using |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003224067A (ja) | 2002-01-18 | 2003-08-08 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、装置の洗浄法、デバイスの製造方法、およびその方法により製造されるデバイス |
JP2004207740A (ja) | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置の構成要素の表面を洗浄する方法、リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法および洗浄システム |
JP2006228862A (ja) | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Tokyo Electron Ltd | 異物除去装置,処理システム及び異物除去方法 |
JP2007296488A (ja) | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Trinc:Kk | 除塵装置 |
JP2008277480A (ja) | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送処理方法及び基板搬送処理装置 |
JP2011040464A (ja) | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Canon Inc | 異物除去装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2011099156A (ja) | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Tokyo Electron Ltd | 搬送アームの洗浄方法、基板処理装置の洗浄方法及び基板処理装置 |
JP2011519156A (ja) | 2008-04-23 | 2011-06-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、クリーニングシステム、およびパターニングデバイスをクリーニングする方法 |
CN105964626A (zh) | 2016-05-09 | 2016-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板清理装置 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS546929Y2 (ja) * | 1972-04-11 | 1979-04-02 | ||
JP2656080B2 (ja) * | 1988-08-01 | 1997-09-24 | 松下電器産業株式会社 | 静電集塵装置 |
JPH0766266A (ja) * | 1993-08-27 | 1995-03-10 | Sony Corp | 基板搬送装置における集塵装置 |
JPH07161598A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Tel Varian Ltd | 真空処理装置 |
JPH07195046A (ja) * | 1994-01-12 | 1995-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | 異物除去方法及び装置 |
JPH1187457A (ja) * | 1997-09-16 | 1999-03-30 | Hitachi Ltd | 異物除去機能付き静電吸着装置を備えた半導体製造装置 |
WO1999027568A1 (fr) | 1997-11-21 | 1999-06-03 | Nikon Corporation | Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection |
US6526997B1 (en) * | 2000-08-18 | 2003-03-04 | Francois J. Henley | Dry cleaning method for the manufacture of integrated circuits |
EP1329773A3 (en) * | 2002-01-18 | 2006-08-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, apparatus cleaning method, and device manufacturing method |
TWI232357B (en) | 2002-11-12 | 2005-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6642531B1 (en) | 2002-12-23 | 2003-11-04 | Intel Corporation | Contamination control on lithography components |
US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US7986395B2 (en) | 2005-10-24 | 2011-07-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography apparatus and methods |
US20070233313A1 (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Limited | Transfer pick, transfer device, substrate processing apparatus and transfer pick cleaning method |
NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
JP5002471B2 (ja) * | 2008-01-31 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
NL1036597A1 (nl) | 2008-02-29 | 2009-09-01 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method. |
NL1036734A1 (nl) | 2008-04-09 | 2009-10-12 | Asml Netherlands Bv | A method of assessing a model, an inspection apparatus and a lithographic apparatus. |
NL1036857A1 (nl) | 2008-04-21 | 2009-10-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
US20100078846A1 (en) | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Molecular Imprints, Inc. | Particle Mitigation for Imprint Lithography |
WO2010040696A1 (en) | 2008-10-06 | 2010-04-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic focus and dose measurement using a 2-d target |
ES2338975B1 (es) | 2008-11-12 | 2011-03-11 | Instituto De Tecnologia Electrica, Ite | Sensor de campo electrico. |
NL2004094A (en) | 2009-02-11 | 2010-08-12 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method. |
CN102498441B (zh) | 2009-07-31 | 2015-09-16 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法和设备、光刻***以及光刻处理单元 |
EP2470960A1 (en) | 2009-08-24 | 2012-07-04 | ASML Netherlands BV | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets |
US8896832B2 (en) | 2010-06-17 | 2014-11-25 | Kla-Tencor Corp. | Discrete polarization scatterometry |
NL2007176A (en) | 2010-08-18 | 2012-02-21 | Asml Netherlands Bv | Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method. |
NL2007425A (en) | 2010-11-12 | 2012-05-15 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, and device manufacturing method. |
NL2008936A (en) | 2011-07-28 | 2013-01-29 | Asml Netherlands Bv | Illumination source for use in inspection methods and/or lithography inspection and lithographic apparatus and inspection method. |
US20130235357A1 (en) * | 2012-03-12 | 2013-09-12 | Kla-Tencor Corporation | System and Method for Particle Control Near A Reticle |
JP6093540B2 (ja) | 2012-10-18 | 2017-03-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置内の異物除去方法、及び荷電粒子線装置 |
US9726617B2 (en) | 2013-06-04 | 2017-08-08 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for finding a best aperture and mode to enhance defect detection |
US9995850B2 (en) | 2013-06-06 | 2018-06-12 | Kla-Tencor Corporation | System, method and apparatus for polarization control |
WO2015143378A1 (en) | 2014-03-20 | 2015-09-24 | Kla-Tencor Corporation | Compressive sensing with illumination patterning |
CN107771271B (zh) | 2015-04-21 | 2020-11-06 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法和设备、计算机程序及光刻*** |
KR102162234B1 (ko) | 2015-06-17 | 2020-10-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 레시피간 일치도에 기초한 레시피 선택 |
NL2017505A (en) | 2015-10-09 | 2017-04-11 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for inspection and metrology |
US10546790B2 (en) | 2016-03-01 | 2020-01-28 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus to determine a patterning process parameter |
WO2019086221A1 (en) | 2017-10-31 | 2019-05-09 | Asml Netherlands B.V. | Metrology apparatus, method of measuring a structure, device manufacturing method |
-
2018
- 2018-11-29 CN CN201880084406.9A patent/CN111512238B/zh active Active
- 2018-11-29 KR KR1020207018650A patent/KR102429845B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-29 JP JP2020536034A patent/JP7186230B2/ja active Active
- 2018-11-29 WO PCT/EP2018/082964 patent/WO2019129456A1/en active Application Filing
- 2018-12-19 TW TW107145861A patent/TWI761644B/zh active
- 2018-12-27 US US16/234,190 patent/US11123773B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003224067A (ja) | 2002-01-18 | 2003-08-08 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、装置の洗浄法、デバイスの製造方法、およびその方法により製造されるデバイス |
JP2004207740A (ja) | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置の構成要素の表面を洗浄する方法、リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法および洗浄システム |
JP2006228862A (ja) | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Tokyo Electron Ltd | 異物除去装置,処理システム及び異物除去方法 |
JP2007296488A (ja) | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Trinc:Kk | 除塵装置 |
JP2008277480A (ja) | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送処理方法及び基板搬送処理装置 |
JP2011519156A (ja) | 2008-04-23 | 2011-06-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、クリーニングシステム、およびパターニングデバイスをクリーニングする方法 |
JP2011040464A (ja) | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Canon Inc | 異物除去装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2011099156A (ja) | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Tokyo Electron Ltd | 搬送アームの洗浄方法、基板処理装置の洗浄方法及び基板処理装置 |
CN105964626A (zh) | 2016-05-09 | 2016-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板清理装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7293962B2 (ja) | 2019-08-08 | 2023-06-20 | 株式会社ジェイテクト | 成形品の品質異常予測システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021508593A (ja) | 2021-03-11 |
TWI761644B (zh) | 2022-04-21 |
KR20200094186A (ko) | 2020-08-06 |
TW201936281A (zh) | 2019-09-16 |
CN111512238B (zh) | 2024-01-30 |
KR102429845B1 (ko) | 2022-08-04 |
WO2019129456A1 (en) | 2019-07-04 |
US20190201943A1 (en) | 2019-07-04 |
CN111512238A (zh) | 2020-08-07 |
US11123773B2 (en) | 2021-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7186230B2 (ja) | 装置の構成要素から汚染粒子を除去する装置および方法 | |
US11875966B2 (en) | Method and apparatus for inspection | |
CN110716393B (zh) | 清洁方法及微影设备 | |
US10578979B2 (en) | Method and apparatus for inspection and metrology | |
TW201329648A (zh) | 支撐件、微影裝置及元件製造方法 | |
WO2016181644A1 (en) | Imprint apparatus, imprinting method, and method of manufacturing product | |
US11061335B2 (en) | Information processing apparatus, storage medium, lithography apparatus, lithography system, and article manufacturing method | |
US20190179230A1 (en) | An inspection substrate and an inspection method | |
KR20190117662A (ko) | 리소그래피 제조 공정을 모니터링하는 장치 및 방법들 | |
KR102025215B1 (ko) | 검사와 계측을 위한 방법 및 장치 | |
TWI792198B (zh) | 用於清潔微影設備之一部分之清潔工具及方法 | |
TWI813768B (zh) | 用於處理生產基板之製程工具、用於檢測該製程工具之方法、及檢測基板 | |
EP3506011A1 (en) | Apparatus for and a method of removing contaminant particles from a component of a metrology apparatus | |
TW202125097A (zh) | 用於清潔微影裝置之一部分之系統和方法 | |
KR20210123381A (ko) | 기판 형상을 추정하기 위한 방법 및 장치 | |
TW202036765A (zh) | 基板容器、微影裝置及使用微影裝置之方法 | |
TWI840101B (zh) | 用於檢測微影設備之部分的系統及方法 | |
JP7299406B2 (ja) | メトロロジにおける補正不能誤差 | |
KR20230038264A (ko) | 반도체 팹 내의 오염을 식별하기 위한 방법 및 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200824 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210914 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7186230 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |