TWI813768B - 用於處理生產基板之製程工具、用於檢測該製程工具之方法、及檢測基板 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種用於處理生產基板之製程工具，該製程工具包含：一可移動載物台，其經組態以在一X-Y平面中執行長衝程移動；一組件，其待經檢測；一成像器件，其安裝至該工具之一固定部分且具有大體上平行於該X-Y平面之一光軸；以及一鏡面，其安裝於該可移動載物台上且以一預定傾斜角朝向該X-Y平面，使得藉由移動該可移動載物台至一預定位置，該組件之一部分可藉由該成像器件成像。

Description

用於處理生產基板之製程工具、用於檢測該製程工具之方法、及檢測基板
本發明係關於一種諸如微影裝置、度量衡裝置或製程裝置之製程工具及一種例如在製程工具中使用之檢測方法。
微影裝置為將所要圖案塗覆至基板上(通常塗覆至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼個例中，圖案化器件(其替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，其包含具有一個或若干個晶粒之部分)上。通常經由成像至基板上所提供之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有連續地圖案化之鄰近目標部分之網狀物。
已將浸潤技術引入至微影系統中以能夠改良較小特徵之解析度。在浸潤微影裝置中，具有相對高折射率之液體之液體層***於裝置之投影系統(經圖案化光束係通過該投影系統而朝向基板投影)與基板之間的空間中。液體最後覆蓋投影系統之最終透鏡元件下方之晶圓的部分。因此，經歷曝光之基板的至少部分浸潤於液體中。浸潤液體之效應係使較小特徵能夠成像，此係因為曝光輻射在液體中相比於在氣體中將具有更短波長。(液體之效應亦可視為增大系統之有效數值孔徑(numerical aperture； NA)且亦增大聚焦深度)
在商用浸潤微影中，液體為水。通常，水為高純度之蒸餾水，諸如通常用於半導體製造工廠中之超純水(Ultra-Pure Water；UPW)。在浸潤系統中，UPW通常經純化，且其可在作為浸潤液體供應至侵潤空間之前經歷額外處理。除水以外，具有高折射率之其他液體亦可用作浸潤液體，例如：烴，諸如氟代烴；及/或水溶液。另外，已設想將除液體以外之其他液體用於浸潤微影中。
在本說明書中，將在描述中參考局域化浸潤，其中浸潤液體在使用中經限制至最終透鏡元件與面向該最終元件之表面之間的空間。對向表面為基板之表面或與基板表面共面的支撐載物台(或基板台)之表面。(請注意，除非另有明確陳述，否則在下文中對基板W之表面的參考另外或在替代例中亦係指基板台之表面；且反之亦然。)存在於投影系統與載物台之間的流體處置結構用以將浸潤限制至浸潤空間。由液體填充之空間在平面圖上小於基板之頂部表面，且該空間相對於投影系統大體上保持靜止，而基板及基板載物台在下方移動。
流體處置結構為將液體供應至浸潤空間、自空間移除液體且藉此將液體限制至浸潤空間之結構。其包括作為流體供應系統之一部分之特徵。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中所揭示之配置為早期的流體處置結構，其包含供應液體或自空間回收液體且取決於平台在投影系統下方之相對運動而操作的管道。在流體處置結構之更為新近的設計中，液體處置結構沿著投影系統之最終元件與基板台60或基板W之間的空間之邊界之至少一部分延伸，以便部分地界定該空間。
微影裝置為複雜的裝置且其大多數關鍵部分必須在極受控 環境下操作，其中污染物規格高於清潔室之標準。若必須打開裝置以進行維護或檢測，則可能需要在裝置可恢復使用之前採取諸如去污及起動之耗時製程。需儘可能地最少化裝置之任一停工時間，因為此停工時間減小裝置之生產率且增加擁有成本。
已提議將諸如攝像機的檢測感測器安放在虛設基板中(例如參見US2007219736、WO18007119以及WO18007118)，該虛設基板可像生產基板一樣藉由微影裝置操控。亦已提議將檢測感測器安放於例如基板台、量測台或測定台(參見WO 2006/013806以及US2009103064)的平台中。此等方法皆具有缺點。
檢測基板之厚度有限，使得其難以提供具有大視野及/或成像距離的攝影機。添加攝影機至諸如基板台之可移動台增加裝置之關鍵部分之質量及複雜度。此外，從攝影機獲取影像至外部世界將很可能需要至基板台的額外敷設纜線，此為非所要的。
舉例而言，需提供用以能夠以最小停工時間檢測裝置之關鍵部分的改良方法。
根據一態樣，提供一種用於處理生產基板之製程工具，該製程工具包含：可移動載物台，其在X-Y平面中經組態以執行長衝程移動；組件，其待經檢測；成像器件，其安裝於工具之固定部分且具有大體上平行於X-Y平面之光軸；以及鏡面，其安裝於可移動載物台上且以一預定傾斜角朝向X-Y平面，使 得藉由移動可移動載物台至預定位置，組件之一部分可藉由成像器件成像。
根據一態樣，提供一種檢測用於處理生產基板之製程工具之組件的方法，方法包含：將具有安置於其上之鏡面的可移動載物台相對於易受污染之製程工具之組件定位在預定位置處；以及使用安裝於製程工具之固定部分上之成像器件來經由鏡面使組件成像。
根據一態樣，提供一種檢測基板，其包含主體及鏡面，該主體具有與基板處理裝置相容之尺寸，該鏡面安裝於主體之主表面上，其中鏡面以一預定傾斜角朝向主表面。
10:浸潤空間
12:液體限制結構
12a:內部部分
12b:外部部分
13:液體入口
14:出口
15:入口
16:氣體密封件
20:供應開口
21:回收開口
23:供應開口
24:溢流開口
25:底部回收開口
26:氣刀開口
28:氣體回收開口
32:底部回收開口
34:供應開口
35:腔室
36:通道
38:通道
39:內部周邊
40:板
42:回收件
60:基板台
100:透鏡構件
101:鏡面
101a:鏡面
101b:鏡面
101c:鏡面
102:透明元件
103:成像器件
105:檢測基板
106:組件
107:視野
500:控制系統
600:運算器件
A:箭頭
AD:調整器
B:輻射光束
BD:光束遞送系統
C:目標部分
CO:聚光器
IF:位置感測器
IL:照明器
IN:積光器
M1:光罩對準標記
M2:光罩對準標記
MA:圖案化器件
MT:光罩支撐結構
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
PM:第一定位元件
PS投影系統
PW:第二***件
SO:輻射源
W:基板
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中：圖1示意性地描繪微影裝置；圖2示意性地描繪用於微影投影裝置中之浸潤液體限制結構；圖3為示意性地描繪根據一實施例之另一浸潤液體供應系統的側視橫截面圖；圖4描繪用於微影投影裝置中之浸潤液體限制結構之一部分的底面；圖5描繪根據本發明之實施例的在微影裝置中之檢測系統； 圖6為在本發明之實施例中說明檢測系統之操作原理的圖式；圖7為說明掃描待經檢測組件之製程之示意性平面圖；以及圖8為說明本發明之另一實施例之檢測系統的示意性平面圖。
圖1示意性地描繪可使用本發明之實施例的微影裝置。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他合適輻射)；光罩支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一***件PM。裝置亦包括基板台(例如，晶圓台)60或「基板支撐件」，該基板台或基板支撐件經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二***件PW。裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，該投影系統經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射之各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。
光罩支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。光罩支撐結構可使用 機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。光罩支撐結構可為例如框架或台，其可根據需要而固定或移動。光罩支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用與更一般術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應經廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任一器件。應注意，舉例而言，若賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可能不確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列以及可程式化LCD面板。光罩在微影中為熟知的，且包括諸如二元、交變相移以及衰減相移之光罩類型以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之實例採用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文中所使用之術語「投影系統」應廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用與更一般術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，採用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，採用如上文所提及之類型之可 程式化鏡面陣列或採用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或大於兩個基板台或「基板支撐件」(及/或兩個或大於兩個光罩台或「光罩支撐件」)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可對一或多個台或支撐件進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。
微影裝置亦可屬於以下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體覆蓋，例如水，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術可用以增加投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參考圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影裝置可為分離的實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束藉助於包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調 節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於光罩支撐結構(例如，光罩台MT)上所固持之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且藉由該圖案化器件圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統將光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二***件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台60，例如以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，例如在自光罩庫機械擷取之後，或在掃描期間，可使用第一***件PM及另一位置感測器(圖1中未明確描繪)來相對於輻射光束B之路徑準確地定位光罩MA。一般而言，可憑藉形成第一***件PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二***PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台60或「基板支撐件」之移動。在一實施例中，基板台可僅在X-Y平面中(例如在X、Y以及Rz方向中)執行長衝程移動且僅在其他自由度中執行短衝程移動。長衝程模組可具有相當於或大於基板之直徑的運動範圍。在步進器(相對於掃描器)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管所繪示之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記稱為切割道對準標記)。同樣地，在光罩MA上提供一個以上晶粒的情況下，光罩對準標記可位於晶粒之間。
控制器500控制微影裝置之總操作，且特別執行下文進一步所描述之操作程序。控制器500可體現為適當地程式化之一般用途電腦，其包含中央處理單元、揮發性以及非揮發性儲存構件、一或多個輸入 及輸出器件(諸如鍵盤及螢幕)、一或多個網路連接件以及至微影裝置之各種部分之一或多個介面。應瞭解，控制電腦與微影裝置之間的一對一關係為不必要的。一個電腦可控制多個微影裝置。可使用多個網路化電腦以控制一個微影裝置。控制器500亦可經組態以控制微影製造單元(lithocell)或叢集(cluster)中之一或多個關聯製程器件及基板處置器件，微影裝置形成該微影製造單元或叢集之部件。控制器500亦可經組態為從屬於微影製造單元或叢集之監督控制系統及/或工廠(fab)之總控制系統。
用於在投影系統PS之最終透鏡元件與基板之間提供液體之配置可分類成三個一般類別。此等類別為浴型配置、所謂的局域化浸潤系統及全濕潤浸潤系統。本發明特別係關於局域化浸潤系統。
在對於局域化浸潤系統所提議之配置中，液體限制結構12沿著投影系統PS之最終透鏡元件與面向投影系統之載物台或台之對向表面之間的浸潤空間之邊界之至少一部分延伸。台之對向表面如此經提及，此係因為台在使用期間經移動且很少靜止。一般而言，台之對向表面為基板W、圍繞該基板之基板台60或兩者之表面。圖2中說明此配置。圖2中所說明且在下文所描述之配置可適用於上文所描述且圖1中所說明之微影裝置。
圖2示意性地描繪液體限制結構12。液體限制結構12沿著投影系統PS之最終透鏡元件100與基板台60或基板W之間的浸潤空間10之邊界之至少一部分延伸。在一實施例中，密封件形成於液體限制結構12與基板W/基板台60之表面之間。密封件可為無接觸密封件，諸如氣體密封件(歐洲專利申請公開案第EP-A-1,420,298號中揭示具有氣體密封件之此系統)或液體密封件。
液體限制結構12經組態以將浸潤液體供應至浸潤空間10且將浸潤液體限制於該浸潤空間。液體藉由液體入口13帶入浸潤空間10中。液體可由液體出口13移除。
可藉由氣體密封件16使浸潤空間10中含有液體，該氣體密封件在使用期間形成於液體限制結構12之底部與台之對向表面(亦即，基板W之表面及/或基板台60之表面)之間。氣體密封件16中之氣體在壓力下經由入口15提供至液體限制結構12與基板W及/或基板台60之間的間隙。經由與出口14相關聯之通道來抽取氣體。進氣口15上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得在內部存在限制液體之高速氣流。液體限制結構12與基板W及/或基板台60之間的液體上之氣體之力使浸潤空間10中含有液體。在美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。其他液體限制系統12可與本發明一起使用。
圖2及圖3展示可存在於限制結構12之變化中之不同特徵。除非有不同描述，否則設計可共用與圖2相同之特徵中的一些特徵。可如所展示或根據需要來個別地或組合地選擇本文中所描述之特徵。
圖2展示圍繞最後透鏡元件之底部表面的限制結構12。最後透鏡元件100具有倒轉截頭圓錐形(inverted frustro-conical)形狀。截頭圓錐形形狀具有平坦底部表面及圓錐形表面。截頭圓錐形形狀自平面表面突起且具有底部平面表面。底部平坦表面為最後透鏡元件之底部表面的光學活性部分，投影光束可傳遞通過該光學活性部分。限制結構環繞截頭圓錐形形狀之至少部分。限制結構具有面朝向截頭圓錐形形狀之圓錐形表面的內部表面。內部表面及圓錐形表面具有互補形狀。限制結構之頂部表面實質上平坦。限制結構可擬合周圍最後透鏡元件之截頭圓錐形形狀。液體 限制結構之底部表面實質上平坦，且在使用中，底部表面可平行於台及/或晶圓之對向表面。底部表面與對向表面之間的距離可在30微米至500微米之範圍內，理想地介於80微米至200微米之範圍內。
限制結構延伸為相比於最後透鏡元件較接近於晶圓及晶圓台之對向表面。因此，界定限制結構之內部表面、截頭圓錐形部分之平面表面與對向表面之間的空間。在使用期間，該空間填充有液體。液體填充透鏡與限制結構之間的互補表面之間的緩衝空間之至少部分，在一實施例中，填充互補內部表面與圓錐形表面之間的空間之至少部分。
經由形成於液體限制結構之表面中的開口將液體供應至空間。可經由液體限制結構之內部表面中的供應開口20供應液體。替代地或另外地，自形成於限制結構12之下表面中的下方供應開口23供應液體。下方供應開口可環繞投影光束之路徑，且其可由呈陣列形式之一系列開口形成。液體經供應以填充空間10，因此在投影系統下方通過該空間之流體為層狀。另外，自液體限制結構下方之開口23供應液體會防止氣泡進入至空間中。液體之此供應充當液體密封件。
可自形成於內部表面中之回收開口21回收液體。經由回收開口回收液體可藉由施加負壓而進行；經由開口21之回收為經由空間之液體流之速度的結果；或回收可為上述兩種情況之結果。當在平面圖中觀察時，回收開口21可位於供應開口20之相對側上。另外地或替代地，可經由位於液體限制結構12之頂部表面上的溢流開口24回收液體。
另外或替代地，可經由底部回收開口25、32自液體限制結構下方回收液體。底部回收開口可用以將液體彎液面固持(或「牽制」)至液體限制結構。彎液面形成於液體限制結構與對向表面之間，且其充當液 體空間與氣態外部環境之間的邊界。底部回收開口25可為可於單相流中回收液體之多孔板25。底部回收開口可為回收液體所通過之一系列牽制開口32。牽制開口可於雙相流中回收液體。
氣刀開口26相對於液體限制結構之內部表面視情況徑向地向外。可經由氣刀開口以高速度供應氣體，以輔助將浸潤液體限制於空間中。所供應氣體可為潮濕的且其可含有二氧化碳。所供應氣體可基本上由二氧化碳及水蒸氣組成。用於回收經由氣刀供應之氣體的氣體回收開口28自氣刀開口徑向地向外。
圖3中所展示之為圖2所共有的特徵共用相同元件符號。限制結構12具有補充截頭圓錐形形狀之圓錐形表面的內部表面。限制結構之下表面相比於截頭圓錐形形狀之底部平面表面較接近於對向表面。
將經由形成於限制結構之內部表面中的供應開口將液體供應至空間。供應開口34位於朝向內部表面之底部，可位於截頭圓錐形形狀之底部表面下方。供應開口位於內部表面上，在投影光束之路徑周圍隔開。
自空間10經由液體限制結構12之下表面中的回收開口25回收液體。隨著對向表面在限制結構下方移動，彎液面可在與對向表面之移動相同的方向上遍及回收開口25之表面而遷移。回收開口可由多孔部件形成。可於單相中回收液體。在一實施例中，在雙相流中回收液體。在液體限制結構12內之腔室35中接收雙相流，其中將雙相流分離成液體及氣體。經由分開的通道36、38自腔室35回收液體及氣體。
限制結構之下表面的內部周邊39延伸至遠離內部表面之空間中以形成板40。內部周邊形成可經設定大小以匹配於投影光束之形狀及 大小的小孔徑。板可用以在其任一側隔離液體。所供應液體朝向孔隙向內流動，流動通過內部孔隙，且接著在板下方朝向環繞回收開口25徑向地向外流動。
在一實施例中，限制結構可呈兩個部分：內部部分12a及外部部分12b。出於方便起見，在圖3之右側部分中展示此配置。兩個部分可在平行於對向表面之平面中相對於彼此移動。內部部分可具有供應開口34且內部部分可具有溢流開口24。外部部分12b可具有板40及回收開口25。內部部分可具有用於回收在兩個部分之間流動之液體的中間回收件42。
各種類型之污染物可不利地影響微影裝置中之流體處置系統之效能。儘管將微影裝置之環境保持於極低夾雜物含量且例如水之浸潤液體極純，但不能完全地去除流體處置系統之微粒污染物的可能性。在流體處置系統內之關鍵部位處存在即使小的夾雜物亦可降低液體處置系統之有效性。
舉例而言，液體限制結構12之下部表面上(例如，黏附至下部表面)之纖維的存在可增加缺陷度且可促成生產力減縮。鄰近於水抽取孔口或甚至在水抽取孔口上方之纖維的存在可導致在曝光期間另外將水損耗至生產基板上。此外，形成用於限制浸潤液體之氣體密封件之部分的氣體出口之部分或完全堵塞可導致將水損耗至生產基板上。生產基板上之水損耗可在經曝光圖案中造成缺陷。缺陷可經由由於蒸發小液滴而在抗蝕劑上產生水印而形成。在一不同機構中，可在受限制浸潤液體之彎液面與留存於基板上之小液滴之間的碰撞時產生氣泡。氣泡可在浸潤空間中進行以干擾投影光束之路徑。
通常難以偵測到污染物已降低液體限制系統之有效性。通常，限制結構12之污染物之第一跡象將為歸因於經曝光圖案中之缺陷之數目增加而使良率減低；缺陷計數之增加可能不會變得顯而易見。打開微影裝置以檢測液體限制結構之夾雜物為耗時的。檢測程序呈現污染風險，因此，除非有絕對必要，否則並不期望執行該檢測程序。
本發明提出一種可設置於製程工具中之檢測系統，諸如微影裝置，使得製程工具之組件(諸如液體限制結構)能夠在不打開製程工具的情況下經檢測，因而減少停工時間且使進一步污染的風險降到最低。
圖5描繪作為體現本發明之製程工具之實例的微影裝置之一部分。微影裝置包含在X-Y平面中經組態以執行長衝程移動的可移動載物台60，在一實施例中，此為固持及定位基板以供曝光之基板台。除在等於或大於基板之直徑(例如300mm)的範圍內的長衝程移動之外，基板台60亦可在其他自由度上進行例如小於10mm之移動範圍內的短衝程移動，以及旋轉運動。
待經檢測之組件的實例為液體限制結構12。如上文所論述，其在面向可移動載物台60之下部表面上具有變成由夾雜物堵塞或部分堵塞的各種開口。待檢測的部件可為在裝置操作期間容易受到污染的任一其他部件，例如基於編碼器的位置感測系統的柵極板。
檢測系統包括成像器件103，該成像器件安裝至微影裝置之固定部分上且具有大體上平行於X-Y平面的光軸，在光軸中進行可移動載物台之長衝程移動。成像器件未安裝至可移動載物台，且因此沒有必要為成像器件提供與可移動載物台之電力及資料連接，也沒有顯著增加可移動載物台之質量。如圖6中所描繪，鏡面101安置於可移動載物台上且以 預定傾斜角朝向X-Y平面，因此當可移動載物台處於預定位置處時，組件之一部件可經由鏡面101由成像器件成像。在一實施例中，預定傾斜角θ介於30°至60°範圍內，大體上宜45°。配置成像器件及鏡面使得藉由在由箭頭A指定之方向上將基板載物台60移動至合適的位置，成像器件可經鏡面檢查待檢測組件之不同部分。
成像器件可為在可見波長、紅外線及/或紫外線中操作之現成的攝影機。可使用單色攝影機或彩色攝影機。偏振濾光器可用於增強待檢測組件之拋光表面與污染物之間的對比度。視訊攝影機可用於拍攝影像，因為待檢測之組件經由視訊攝影機之視野進行掃描。可使用雙目攝影機。照明器件(例如LED)可在方便時設置於成像器件附近、一或多個鏡面附近或製程工具的別處。
使用由成像器件捕獲之影像的污染物之偵測可藉由多種方法完成，諸如藉由技術人員之目視檢查、與清潔組件之參考影像的比較以及例如使用機器學習之自動影像識別。由成像器件捕獲之影像之自動分析可藉由控制系統500或藉由其他運算器件600執行。自動分析器件可由製程工具中或其外部之運算器件執行。
在大多數情況下，成像器件可位於待檢測組件之至多幾公尺內，從而不需過長的焦距成像透鏡，甚至能夠偵測小至20μm的夾雜物。
成像器件可設置有可控焦點及/或可控變焦以及控制電路，該控制電路經組態以與可移動載物台之移動同步地控制成像設備之焦點及/或變焦。
在圖5中，三個鏡面經描繪為鏡面101的可能位置之實例； 本發明之一實施例可僅具有一個鏡面或者可在某些或所有描繪的位置中具有多個鏡面。
鏡面101a安裝於檢測基板105之上部表面上，該檢測基板可固持於可移動載物台上。檢測基板與微影裝置相容，例如藉由具有大體上等於生產基板之直徑及厚度的直徑及厚度。因此，可使用與生產基板相同的機構將檢測基板裝載至微影裝置中，而不需將微影裝置打開至潔淨室環境中。藉由使用安裝於檢測基板上之鏡面，當需要時，鏡面可裝載至製程工具中。
鏡面101b設置於可移動載物台60之上部表面上。鏡面101b可提供作為安裝於可移動載物台上之基準件或感測器模組之部件。設置於基板之上部表面上的鏡面可接近待檢測組件定位，從而減小成像器件與組件之間的光學路徑長度。
鏡面101c設置於可移動載物台60之側表面上。可使位於可移動載物台之側表面上的鏡面大於可移動載物台之上部表面上的鏡面，因為其不受可移動載物台與液體限制結構12之間的距離限制，因此可獲得成像器件之較大視野。具有基於干涉計之位移量測系統的微影裝置可具有安裝在可移動載物台之側邊上或形成於可移動載物台之側邊上之與X-Y平面成45°的鏡面，以能夠量測Z方向上的位移。此類鏡面亦可作為本發明之鏡面使用。
任選地，透明構件102可安裝至鏡面上方之可移動載物台，透明構件具有大體上與可移動載物台60之上部表面齊平的上部表面。透明構件使得液體限制系統在操作時經檢測，亦即浸潤空間中有浸潤液體。
理想地，如圖7中所示，鏡面在X-Y平面中為細長的，以得到較大視野107。為檢測大於成像器件103之視野107的組件，承載鏡面101之可移動載物台(基板載物台)60可在由箭頭A指定之方向上轉移，該方向平行於成像器件103之光軸。
為進一步增加可檢測之組件之面積，在本發明之實施例中，成像器件藉由經組態以平移平行於X及Y方向中之至少一者之成像器件及/或圍繞至少一個軸線(例如平行於Z軸)旋轉成像器件的致動載物台來安裝於製程工具中。如圖7中所示此類配置，其中攝影機安裝至致動載物台，致動載物台可在由箭頭B指定之方向上移動同時可移動載物台60亦在同樣的方向中移動。因此，可使組件106之與視野107相比更大的面積成像。
在圖8中描繪方便地使細長組件106(或組件之細長部件)成像的配置，例如菱形液體限制系統之一側。在此配置中，視野107之長尺寸等於或大於組件106之短尺寸(寬度)，或組件106之待檢測部件。鏡面101垂直朝向組件106之長尺寸(長度)且成像器件103之光軸平行於組件106之長尺寸。利用此類配置，可藉由在組件60之長尺寸之方向上移動可移動載物台60來使部件之全部(部分)成像，且可固定成像器件。
增加可檢測之組件之面積或數目之另一種方法為提供複數個成像器件及/或複數個鏡面。如何最好地配置鏡面及成像器件以有效地使待成像之一或多個組件成像取決於彼等組件之配置。舉例而言，作為待檢測之組件之一實例，若液體限制結構具有兩對平行側面，則每對側面可藉由兩個適當隔開的攝影機鏡面系統同時檢測。
增加可檢測之組件之面積或數目的另一種方法為將成像器 件安裝於搖攝安裝件上以便藉由使成像器件搖攝且平移鏡面來檢測不同的位置。此可導致由成像器件捕獲之影像變得失真，因為鏡面(在X-Y平面中)不再垂直於成像器件之光軸。然而，在可能的情況下，可藉由影像處理及/或藉由旋轉可移動載物台來減少或消除此類失真。此外，若藉由比較當前影像與參考影像來偵測組件之污染物，則影像之失真可能並不妨礙污染物之偵測。
使用安裝在搖攝安裝件上之成像器件捕獲之影像的失真亦可藉由在X-Y平面中使用複數個不同定向的鏡面而減少。複數個鏡面可安裝於可移動載物台正上方或安裝於可移動載物台上所固持之檢測基板上。
在本發明之實施例中，鏡面大體上為平坦的且簡單用來摺疊成像器件之光軸。亦可使用具有非平坦光學表面之鏡面，例如具有光功率之鏡面。鏡面可具有正光功率以放大待檢測組件之影像或負光功率以增大視野。鏡面可為變形的，即在不同方向上具有不同光功率。
在具有多個載物台的微影裝置中，可在全部載物台、某些載物台或者僅一個載物台上安裝鏡面。在具有兩個等效基板載物台之微影裝置中，鏡面可安裝於任一載物台上。在具有用於曝光之一或多個基板載物台及用於量測或校準之單獨量測或校準載物台的微影裝置中，將一或多個鏡面定位在量測或校準載物台上以最小化對曝光之任何可能影響可為有利的。
在具有用於液體限制系統之閉合構件(當不存在基板或基板載物台時用來有助於含有浸潤液體的構件，諸如碟片)之微影裝置中，一或多個鏡面可設置於閉合構件上或設置於用於定位閉合構件之載物台或其他致動系統上。
儘管上文已關於使用檢測基板以檢測微影裝置之組件(例如，功能子系統)來描述本發明，但檢測基板亦可用以檢測另一裝置(諸如度量衡裝置)之組件。本發明可用於任一製程工具，即用於在基板上製造半導體器件之任一裝置。在本發明之用於軌跡之製程器件的實施例中，需要檢測系統之組件免受其中普遍之狀況的影響，例如高溫及諸如塗層的材料之應用。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任一使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。在適用的情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，例如，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有一或多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但將瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入至供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後將圖案化器件移出抗 蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文中所使用的術語「輻射」及「光束」涵蓋電磁輻射之所有類型，包括紫外(UV)輻射(例如，具有為或約為436、405、365、248、193、157或126nm之波長)及極紫外(EUV)輻射(例如，具有在5至20nm的範圍內之波長)，以及粒子光束，諸如離子光束或電子光束。
術語「透鏡」在內容背景允許的情況下可指各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
儘管上文已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可與所描述不同之其他方式來實踐本發明。
本文中所描述之任一控制器可在一或多個電腦程式藉由位於微影裝置之至少一個組件內之一或多個電腦處理器讀取時各自或組合地可操作。控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任一合適組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體及/或用以接收此類媒體之硬體。因此，一或多個控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。
本發明之一或多個實施例可應用於任一浸潤微影裝置，詳言之但非獨占式地為上文所提及之彼等類型，且無論浸潤液體以浴液之形式經提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，或非受限制。在一非受限制配置中，浸潤液體可遍及基板及/或基板台之表面而流動，使得基板台及/或基板之大體上整個未覆蓋表面濕潤。在此非受限制浸潤系統中，液 體供應系統可不限制浸潤液體或其可提供一定比例的浸潤液體限制，但大體上不提供浸潤液體之完全限制。
應廣泛地解釋如本文中所預期之液體供應系統。在某些實施例中，液體供應系統可為將浸潤液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間的機構或結構之組合。其可包含一或多個結構之組合，一或多個流體開口包括一或多個液體開口、一或多個氣體開口或用於雙相流之一或多個開口。開口可各自為通向浸潤空間之入口(或來自流體處置結構之出口)或出自浸潤空間之出口(或通向流體處置結構之入口)。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之一部分，或空間之表面可完全地覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括一或多個元件以控制浸潤液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵。
以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
12:液體限制結構
60:基板台
101a:鏡面
101b:鏡面
101c:鏡面
102:透明構件
103:成像器件
105:檢測基板

Claims (15)

  1. 一種用於處理生產基板之製程工具，該製程工具包含：一可移動載物台(movable stage)，其經組態以在一X-Y平面中執行長衝程移動；一組件，其待經檢測；一成像器件(imaging device)，其安裝至該工具之一固定部分且具有大體上平行於該X-Y平面之一光軸；以及一鏡面，其安裝於該可移動載物台上且以一預定傾斜角(predetermined angle of inclination)朝向該X-Y平面，使得藉由移動該可移動載物台至一預定位置，該組件之一部分可藉由該成像器件成像。
  2. 如請求項1之製程工具，其中該可移動載物台經組態以支撐生產基板，且該鏡面設置於該可移動載物台上所固持之一檢測基板之一上部表面上。
  3. 如請求項1之製程工具，其中該鏡面設置於該可移動載物台之一上部表面上。
  4. 如請求項1之製程工具，其中該鏡面設置於該可移動載物台之一側表面上。
  5. 如請求項1至4中任一項之製程工具，其中該鏡面在該X-Y平面中為 細長的。
  6. 如請求項1至4中任一項之製程工具，其中該預定傾斜角大體上為45°。
  7. 如請求項1至4中任一項之製程工具，其中該成像器件具有一可控聚焦及/或一可控變焦且進一步包含一控制電路，該控制電路經組態以與該可移動載物台之運動同步地控制該成像器件之該聚焦及/或變焦。
  8. 如請求項1至4中任一項之製程工具，其中該成像器件藉由一致動載物台安裝至該固定部分，該致動載物台經組態以平行於該X及Y方向中之至少一者平移該成像器件及/或圍繞至少一個軸線旋轉該成像器件。
  9. 如請求項1至4中任一項之製程工具，其進一步包含一照明器件，該照明器件經組態以在該可移動載物台處於該預定位置時經由該鏡面照明該組件。
  10. 如請求項1至4中任一項之製程工具，其中該可移動載物台經組態以支撐一基板，且該製程工具進一步包含一投影系統，該投影系統將一影像投影至由該可移動載物台支撐之一基板上。
  11. 如請求項10之製程工具，其中該組件為一流體處置系統，特定言之，一液體限制結構，其經組態以將液體限制至該投影系統與該基板之間 的一空間。
  12. 一種檢測用於處理生產基板之一製程工具之一組件的方法，該方法包含：在一X-Y平面中，將其上安裝有一鏡面之一可移動載物台相對於該製程工具之該組件定位在一預定位置處；以及使用安裝於該製程工具之一固定部分上之一成像器件來經由該鏡面使該組件成像，其中該鏡面設置於該可移動載物台上所固持之一檢測基板之一上部表面上且以一預定傾斜角朝向該X-Y平面。
  13. 如請求項12之方法，其中裝置為一微影裝置。
  14. 如請求項13之方法，其中該組件為一流體處置系統，特定言之，一液體限制結構。
  15. 一種檢測基板，其包含一主體及一鏡面，該主體具有與一基板處理裝置相容之尺寸，該鏡面安裝於該主體之一主表面上，其中該鏡面以一預定傾斜角朝向該主表面，其中朝向該主表面之該預定傾斜角係介於30°至60°之一範圍內。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021106289A1 (de) * 2020-05-07 2021-11-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System und verfahren zum ausführen von extrem-ultraviolett-photolithografieprozessen

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080239314A1 (en) * 2006-09-29 2008-10-02 Bonciolini Dennis J Substrate-like particle sensor
US20100245790A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Rolf Seltmann Method and system for detecting particle contamination in an immersion lithography tool
TW201716879A (zh) * 2015-07-16 2017-05-16 Ａｓｍｌ荷蘭公司 檢測基板及檢測方法

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5515167A (en) 1994-09-13 1996-05-07 Hughes Aircraft Company Transparent optical chuck incorporating optical monitoring
DE69728948T2 (de) * 1996-11-14 2005-09-15 Nikon Corp. Projektionsbelichtungsvorrichtung und Verfahren
AU1175799A (en) 1997-11-21 1999-06-15 Nikon Corporation Projection aligner and projection exposure method
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP3413122B2 (ja) * 1998-05-21 2003-06-03 キヤノン株式会社 位置決め装置及びこれを用いた露光装置並びにデバイス製造方法
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7348575B2 (en) * 2003-05-06 2008-03-25 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
TWI616932B (zh) 2003-05-23 2018-03-01 Nikon Corp Exposure device and component manufacturing method
JP2005005291A (ja) 2003-06-09 2005-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置および露光装置におけるパーティクル除去方法
EP1650787A4 (en) 2003-07-25 2007-09-19 Nikon Corp INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM
US20070058146A1 (en) * 2004-02-04 2007-03-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, position control method, and method for producing device
US8698998B2 (en) 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
KR101245070B1 (ko) 2004-06-21 2013-03-18 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 그 부재의 세정 방법, 노광 장치의 메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 그리고 디바이스 제조 방법
EP3267257B1 (en) 2004-08-03 2019-02-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
CN101487981A (zh) 2004-10-13 2009-07-22 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法及组件制造方法
TW200702939A (en) 2005-04-28 2007-01-16 Nikon Corp Exposure method, exposure apparatus, and device producing method
JP2006339448A (ja) 2005-06-02 2006-12-14 Canon Inc 受光ユニットを有する露光装置
JP4710432B2 (ja) 2005-06-22 2011-06-29 ソニー株式会社 部品実装装置及び部品実装方法
WO2007029829A1 (ja) 2005-09-09 2007-03-15 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US20070127135A1 (en) 2005-11-01 2007-06-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
JP4998854B2 (ja) 2006-02-03 2012-08-15 株式会社ニコン 基板処理方法、基板処理システム、プログラム及び記録媒体
US8134681B2 (en) 2006-02-17 2012-03-13 Nikon Corporation Adjustment method, substrate processing method, substrate processing apparatus, exposure apparatus, inspection apparatus, measurement and/or inspection system, processing apparatus, computer system, program and information recording medium
WO2007105645A1 (ja) 2006-03-13 2007-09-20 Nikon Corporation 露光装置、メンテナンス方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP2007288039A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法、液体処理装置
CN101385125B (zh) 2006-05-22 2011-04-13 株式会社尼康 曝光方法及装置、维修方法、以及组件制造方法
CN102156389A (zh) 2006-05-23 2011-08-17 株式会社尼康 维修方法、曝光方法及装置、以及组件制造方法
KR20090033170A (ko) 2006-06-30 2009-04-01 가부시키가이샤 니콘 메인터넌스 방법, 노광 방법 및 장치 및 디바이스 제조 방법
US8013975B2 (en) 2006-12-01 2011-09-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8040490B2 (en) 2006-12-01 2011-10-18 Nikon Corporation Liquid immersion exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20080156356A1 (en) 2006-12-05 2008-07-03 Nikon Corporation Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
WO2008146819A1 (ja) 2007-05-28 2008-12-04 Nikon Corporation 露光装置、デバイス製造方法、洗浄装置、及びクリーニング方法並びに露光方法
US8264662B2 (en) 2007-06-18 2012-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. In-line particle detection for immersion lithography
SG183058A1 (en) 2007-12-17 2012-08-30 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
JP5626122B2 (ja) 2011-05-30 2014-11-19 東京エレクトロン株式会社 基板検査装置、基板検査方法及び記憶媒体
US9658536B2 (en) 2014-02-25 2017-05-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. In-line inspection and clean for immersion lithography
CN106294371B (zh) 2015-05-15 2019-08-16 阿里巴巴集团控股有限公司 字符串值域切分方法及装置
SG10202108028WA (en) 2015-11-20 2021-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of operating a lithographic apparatus
WO2018007119A1 (en) 2016-07-04 2018-01-11 Asml Netherlands B.V. An inspection substrate and an inspection method
US11099490B2 (en) 2016-07-07 2021-08-24 Asml Netherlands B.V. Inspection substrate and an inspection method
JP6945316B2 (ja) * 2017-03-24 2021-10-06 キヤノン株式会社 検出装置、パターン形成装置、取得方法、検出方法、および物品製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080239314A1 (en) * 2006-09-29 2008-10-02 Bonciolini Dennis J Substrate-like particle sensor
US20100245790A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Rolf Seltmann Method and system for detecting particle contamination in an immersion lithography tool
TW201716879A (zh) * 2015-07-16 2017-05-16 Ａｓｍｌ荷蘭公司 檢測基板及檢測方法

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Publication number Publication date
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