JP7176978B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
次のとおりである。
以下に、図面を参照しながら本実施の形態の半導体装置について詳細に説明する。本実施の形態1の半導体装置は、GGEE構造のIE型IGBTを備えた半導体装置である。
図1は、本実施の形態の半導体装置である半導体チップCHPの平面図である。図1は平面図であるが、図面を見易くするため、ゲート電位電極GE、エミッタ電位電極EE、ゲートフィンガーGF1、エミッタフィンガーEFおよびガードリングGRにハッチングを付している。なお、図1は、後述する金属層ML2および保護膜PVの形成前の中間構造体の平面図である。
方向に延在しており、この2つのトレンチT2は、Y方向と直交するX方向で互いに隣接
して配置されている。また、図5に示すように、トレンチT2内には、ゲート絶縁膜GIを介してゲート電極G2が埋め込まれている。
本実施の形態2の半導体装置は、EGE(エミッタ‐ゲート‐エミッタ)構造のIE型IGBTを備えた半導体装置である。ここでは、上記実施の形態1と異なる部分のみ説明する。図14は、本実施の形態2の半導体装置である半導体チップの要部平面図、図15は、図14のD‐D線に沿う断面図である。図14および図15は、上記実施の形態1の図3および図5に対応しており、金属層ML2および保護膜PVの形成前の中間構造体を示している。なお、図14では、ゲート電極G1およびG2にハッチングを付している。本実施の形態2においても、金属層ML2および保護膜PVの形成後の状態は、図4および図6と同様となる。
発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能である。上記実施の形態に記載された内容の一部を以下に記載する。
(a)中間構造体を準備する工程、
前記中間構造体は、第1ブロックおよび第2ブロックを含み、
前記第1ブロックおよび前記第2ブロックの各々は、
半導体基板内に形成され、平面視において第1方向に延在し、前記第1方向と交差する第2方向において所定の間隔をもって形成された第1トレンチおよび第2トレンチと、
前記第1トレンチ内に第1ゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記第2トレンチ内に第2ゲート絶縁膜を介して形成された第2ゲート電極と、
前記第1トレンチに接し、前記半導体基板内に形成された第1導電型の第1ボディ領域と、
前記第2トレンチに接し、前記半導体基板内に形成された前記第1導電型の第2ボディ領域と、
前記第1トレンチに接して前記第1ボディ領域上に形成され、前記第1導電型と反対の第2導電型のエミッタ領域と、
前記エミッタ領域および前記第1ボディ領域に接するように形成された第1コンタクトホールと、
前記第2ボディ領域に接するように形成された第2コンタクトホールと、
前記第1コンタクトホール内において、前記エミッタ領域および前記第1ボディ領域に接し、前記第2コンタクトホール内において、前記第2ボディ領域に接するエミッタ電位電極と、
前記半導体基板上において、前記第2方向に延在し、前記第2ゲート電極に接続された第1配線と、
を備え、
(b)前記第1ブロックにおいて、前記エミッタ電位電極に第1端子を当接し、前記第1配線に第2端子を当接した後、前記第1端子および前記第2端子間に所望の電圧を印加する第1検査工程、
(c)前記第2ブロックにおいて、前記エミッタ電位電極に第3端子を当接し、前記第1配線に第4端子を当接した後、前記第3端子および前記第4端子間に所望の電圧を印加する第2検査工程、
(d)前記(b)工程および(c)工程の後に、前記第1ブロックおよび前記第2ブロックにおいて、前記第1配線と前記エミッタ電位電極とを電気的に接続するシャント配線を形成する工程、
を有し、
前記第1ブロックと前記第2ブロックの前記第2ゲート電極は、互いに分離されている、半導体装置の製造方法。
付記1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1ブロックと前記第2ブロックの前記第1ゲート電極は、互いに分離されている、半導体装置の製造方法。
BK1~BK4 ブロック
CE コレクタ電位電極
CH1、CH2、CH3 コンタクトホール
CHP、CHP1 半導体チップ
CR セル領域
Di 感温ダイオード
EE エミッタ電位電極
EF エミッタフィンガー(金属配線、配線)
EP エミッタパッド
FF フローティングフィンガー(金属配線、配線)
FLP フローティングパッド
G1、G2 ゲート電極
G1c、G2c ゲート接続部
GE ゲート電位電極
GF1、GF2 ゲートフィンガー(金属配線、配線)
GFP ゲートフィンガーパッド
GI ゲート絶縁膜
GP ゲートパッド
GR ガードリング
HCC ホールコレクタセル領域
IAC インアクティブセル領域
IF 絶縁膜
IL1、IL2 層間絶縁膜
ML1、ML2 金属層
NE エミッタ領域(n型半導体領域)
NF n型半導体領域
NHB ホールバリア領域(n型半導体領域)
NS フィールドストップ領域(n型半導体領域)
NV ドリフト領域(n型半導体領域)
OP 開口
PB ボディ領域(p型半導体領域)
PC コレクタ領域(p型半導体領域)
PER 周辺領域
PF フローティング領域
PN プローブ針(検査用端子)
PR ボディコンタクト領域(p型半導体領域)
PV 保護膜
PW ウェル領域(p型半導体領域)
SB 半導体基板
SBa 主面(第1面)
SBb 裏面(第2面)
SE センスIGBT
SL シャント配線(シャント層)
T1、T2、T2a、T2b トレンチ
Claims (15)
- 半導体基板内に形成され、平面視において第1方向に延在し、前記第1方向と交差する第2方向において所定の間隔をもって形成された第1トレンチおよび第2トレンチと、
前記第1トレンチ内に第1ゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記第2トレンチ内に第2ゲート絶縁膜を介して形成された第2ゲート電極と、
前記第1トレンチに接し、前記半導体基板内に形成された第1導電型の第1ボディ領域と、
前記第2トレンチに接し、前記半導体基板内に形成された前記第1導電型の第2ボディ領域と、
前記第1トレンチに接して前記第1ボディ領域上に形成され、前記第1導電型と反対の第2導電型の第1エミッタ領域と、
前記第2方向において、前記第2トレンチに対して、前記第2ボディ領域とは反対側に形成され、前記第2トレンチに接する前記第1導電型のフローティング領域と、
前記第1エミッタ領域および前記第1ボディ領域に接するように形成された第1コンタクトホールと、
前記第2ボディ領域に接するように形成された第2コンタクトホールと、
前記第1コンタクトホール内において、前記第1エミッタ領域および前記第1ボディ領域に接触し、前記第2コンタクトホール内において、前記第2ボディ領域に接触するエミッタ電位電極と、
前記半導体基板上において、前記第2方向に延在し、前記第2ゲート電極に接続された第1配線と、
前記半導体基板上において、前記第2方向に延在し、前記フローティング領域に接続された第2配線と、
を有し、
前記第1配線と前記エミッタ電位電極とは、平面視にて、互いに離間しており、
前記第1配線と前記エミッタ電位電極とは、シャント配線を介して電気的に接続されており、
前記第2配線は、平面視において、前記エミッタ電位電極および前記第1配線から離間している、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
さらに、
前記第1方向において、前記フローティング領域から離間して前記半導体基板内に形成された前記第1導電型のウェル領域と、
前記半導体基板上において、前記第2方向に延在し、前記ウェル領域に接続された第3配線と、
を有し、
前記第3配線は、前記エミッタ電位電極に接続されている、半導体装置。 - 請求項2記載の半導体装置において、
さらに、
前記第1方向において、前記フローティング領域と前記ウェル領域との間に形成された前記第2導電型の第1半導体領域、
を有し、
前記半導体基板は、前記第2導電型であり、
前記第1半導体領域の不純物濃度は、前記半導体基板の不純物濃度よりも高い、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
さらに、
前記半導体基板上において、前記第2方向に延在し、前記第1ゲート電極に接続された第4配線と、
前記半導体基板上に形成され、前記第4配線に接続されたゲート電位電極と、
を有する、半導体装置。 - 請求項4記載の半導体装置において、
前記第1配線、前記第2配線、前記第4配線、前記ゲート電位電極および前記エミッタ電位電極は、第1金属層からなり、
前記シャント配線は、前記第1金属層よりも上層の第2金属層からなる、半導体装置。 - 請求項4記載の半導体装置において、
さらに、
前記半導体基板に形成され、平面視において前記第1方向に延在し、前記第1ボディ領域に接する第3トレンチと、
前記第3トレンチに接して前記第1ボディ領域上に形成された前記第2導電型の第2エミッタ領域と、
前記半導体基板に形成され、平面視において前記第1方向に延在し、前記第2ボディ領域に接する第4トレンチと、
前記第3トレンチ内に第3ゲート絶縁膜を介して形成された第3ゲート電極と、
前記第4トレンチ内に第4ゲート絶縁膜を介して形成された第4ゲート電極と、
を有し、
前記第3ゲート電極は、前記第4配線に接続されており、
前記第4ゲート電極は、前記第1配線に接続されている、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
さらに、
前記第2トレンチ内において、前記第2ゲート電極上に形成された絶縁膜、
を有し、
前記第2コンタクトホールの一部は、前記第2トレンチに重なっており、
前記第2コンタクトホール内に形成された前記エミッタ電位電極は、前記絶縁膜によって、前記第2ゲート電極から電気的に分離されている、半導体装置。 - 請求項7記載の半導体装置において、
前記第1トレンチの深さは、前記第2トレンチの深さと等しく、
前記第2ゲート電極の高さは、前記第1ゲート電極の高さよりも低い、半導体装置。 - (a)中間構造体を準備する工程、
前記中間構造体は、
半導体基板内に形成され、平面視において第1方向に延在し、前記第1方向と交差する第2方向において所定の間隔をもって形成された第1トレンチおよび第2トレンチと、
前記第1トレンチ内に第1ゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記第2トレンチ内に第2ゲート絶縁膜を介して形成された第2ゲート電極と、
前記第1トレンチに接し、前記半導体基板内に形成された第1導電型の第1ボディ領域と、
前記第2トレンチに接し、前記半導体基板内に形成された前記第1導電型の第2ボディ領域と、
前記第1トレンチに接して前記第1ボディ領域上に形成され、前記第1導電型と反対の第2導電型のエミッタ領域と、
前記第2方向において、前記第2トレンチに対して、前記第2ボディ領域とは反対側に形成され、前記第2トレンチに接する前記第1導電型のフローティング領域と、
前記エミッタ領域および前記第1ボディ領域に接するように形成された第1コンタクトホールと、
前記第2ボディ領域に接するように形成された第2コンタクトホールと、
前記第1コンタクトホール内において、前記エミッタ領域および前記第1ボディ領域に接触し、前記第2コンタクトホール内において、前記第2ボディ領域に接触するエミッタ電位電極と、
前記半導体基板上において、前記第2方向に延在し、前記第2ゲート電極に接続された第1配線と、
前記半導体基板上において、前記第2方向に延在し、前記フローティング領域に接続された第2配線と、
を備え、
(b)前記エミッタ電位電極に第1端子を当接し、前記第1配線に第2端子を当接した後、前記第1端子および前記第2端子間に所望の電圧を印加する検査工程、
(c)前記(b)工程の後に、前記第1配線と前記エミッタ電位電極とを電気的に接続するシャント配線を形成する工程、
を有し、
前記(b)工程では、
前記第2配線に第3端子を当接し、
前記第1端子および前記第3端子に基準電位を印加し、前記第2端子に正または負の電位を印加する、半導体装置の製造方法。 - 請求項9記載の半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程では、前記半導体基板に基準電位を印加する、半導体装置の製造方法。 - 請求項9記載の半導体装置の製造方法において、
前記中間構造体は、さらに、
前記半導体基板上において、前記第2方向に延在し、前記第1ゲート電極に接続された第4配線と、
前記半導体基板上に形成され、前記第4配線に接続されたゲート電位電極と、
を備え、
前記(b)工程では、
前記第2配線に第4端子を当接し、
前記第4端子に前記正又は負の電位を印加する、半導体装置の製造方法。 - 請求項9記載の半導体装置の製造方法において、
前記シャント配線は、無電解メッキ法により形成される、半導体装置の製造方法。 - 請求項9記載の半導体装置の製造方法において、
さらに、
(d)前記半導体基板の裏面を研磨する工程、
(e)前記半導体基板の裏面上にコレクタ電位電極を形成する工程、
を有する、半導体装置の製造方法。 - 請求項13記載の半導体装置の製造方法において、
前記(d)工程および前記(e)工程を、前記(c)工程の後に行う、半導体装置の製造方法。 - 請求項13記載の半導体装置の製造方法において、
前記(d)工程および前記(e)工程を、前記(a)工程と前記(b)工程の間に行う、半導体装置の製造方法。
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