JP2000077941A

JP2000077941A - 温度補償型水晶発振器及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000077941A
Application number: JP10244277A
Authority: JP
Inventors: Hidefumi Hatanaka; 英文畠中
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1998-08-31
Filing date: 1998-08-31
Publication date: 2000-03-14
Anticipated expiration: 2018-08-31
Also published as: JP3398331B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、小型で、且つ発振動作、ＩＣチッ
プによる温度補償動作が安定化し、安定した所定発振が
可能で、安価な温度補償型水晶発振器及びその製造方法
を提供する。【解決手段】底面に温度補償データが書き込み自在の
ＩＣチップ３が配置されたキャビティー部10を有する容
器体1 の表面に、水晶振動子2 を配置するとともに、該
水晶振動子2 を気密的に封止して成る温度補償水晶発振
器である。前記キャビティー部10の底面に前記水晶振動
子2 に接続する該水晶振動子の発振特性を検出するモニ
タ電極パッド34、35が形成されている。また、水晶振動
子2 を容器体1 の表面に実装した後、ＩＣチップを実装
し、ＩＣチップ3 に温度補償データを書き込む温度補償
水晶発振器の製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は例えば移動体通信機
器等に用いられる温度補償型水晶発振器及びその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】水晶発振器は、移動体通信機器等に送受
信を制御する基準周波数を発生させる非常に重要な部品
である。このような移動体通信機器等に用いられる水晶
発振器は、移動体通信機器の小型化に伴い、容積を非常
に小型化しなくてはならない。

【０００３】また、周囲の温度が激しく変動する環境で
使用しても、周波数が安定化するようにしなくてはなら
ない。

【０００４】このため、後述の要求に対しては、水晶振
動子の固有温度周波数特性（例えばＡＴカット厚み滑り
水晶振動子の場合には、３次の曲線で示めされる温度周
波数特性を有する）を、周囲の温度に対して周波数が平
坦化するための温度補償が行われている。

【０００５】この温度補償を、小型で且つ高性能に行う
ために、発振インバータをはじめ、少なくとも、所定温
度に対する温度補償データを記憶させるメモリ機能、電
圧変換機能、バリキャップダイオード機能、制御機能が
集積化されたＩＣチップを用いて、周囲の温度に対して
変動してしまう水晶振動子の発振周波数を、温度補償デ
ータに基づいて動作するバリキャップダイオードの容量
値を所定値に設定して、発振器全体としての発振周波数
を平坦化していた。

【０００６】このような小型化及び高精度の温度補償を
達成する温度補償型水晶発振器としては、特開平１０−
２８０２４号に示すような温度補償型水晶発振器が提案
されていた。この温度補償型水晶発振器は、単板状基板
の底面に開口形状が矩形状の枠状脚部とから成り、底面
に開口が矩形状で凹部状のキャビティー部を有した容器
体を用いていた。そして、容器体の表面に水晶振動子
を、容器体のキャビティー部内に制御回路を夫々振り分
けて実装していた。

【０００７】図７〜９は、その従来の温度補償型水晶発
振器を示す図である。

【０００８】従来の温度補償型水晶発振器は、容器体5
1、矩形状の水晶振動子51、発振制御用回路を構成する
ＩＣチップ52及び金属製蓋体54とから主に構成されてい
る。

【０００９】この温度補償型水晶発振器では、単板状の
セラミック基板55に、単板状のセラミック基板55の底面
の周囲に形成した開口形状が矩形状の枠状脚部56を一体
的に形成した容器体51を用いていた。これにより、容器
体51の底面にキャビティー部57が形成される。

【００１０】容器体51の表面とキャビティー部57の底面
を仕切る単板状のセラミック基板55には、表面側とキャ
ビティー部57とを導通するビアホール導体58が形成され
ており、その表面には金属製蓋体54を封止するための封
止導体パターン59が形成されている。また、キャビティ
ー部57の底面には、ＩＣ電極パッドを含む所定配線パタ
ーン60が形成されている。さらに、枠状脚部56の底面の
例えば一対の長辺側端辺に、夫々２つの外部端子電極61
〜64が形成されている。また、容器体１の一対の短辺の
端面には底面にまで延びる複数の凹み部を形成し、この
凹み部の内壁面に温度補償データ書き込み端子電極65〜
68が形成されている。

【００１１】そして、この容器体1 の表面側に、水晶振
動子支持台69、70を介して短冊状の水晶振動子52が導電
性接着材71、72で導電的接合し、さらに、水晶振動子52
を気密的に封止するために封止用導体パターン59を用い
て概略皿状の金属製蓋体54を一体的に接合していた。

【００１２】また、キャビティー部57には、ＩＣチップ
53が実装されている。このＩＣチップ53は、ＩＣ電極パ
ッドとバンプまたはボンディングワイヤを介して接続さ
れている。さらに、キャビティー部57内には充填樹脂73
が充填・硬化されている。これにより、ＩＣチップ53が
完全に被覆され、耐湿性を向上させている。

【００１３】上述の構造において、容器体51の表面に実
装した水晶振動子52は、ビアホール導体58、58を介して
ＩＣチップ53と接続して、ＩＣチップ53は所定配線パタ
ーン60・・・を介して外部端子電極61〜64、温度補償デ
ータ書き込み端子電極65〜68に接続されている。

【００１４】上述の温度補償型水晶発振器では、ＩＣチ
ップ53に書き込むための書き込み端子電極65〜68が、容
器体51の一対の側面に形成されている。しかし、実際に
は、書き込み端子電極65〜68は、容器体51の側面から底
面にかけて形成されている。

【００１５】このような構造の水晶発振器は、以下の工
程によって製造される。

【００１６】まず、容器体51、水晶振動子52、ＩＣチッ
プ53などを用意する。

【００１７】次に、容器体51の表面の支持台69、70に水
晶振動子52を実装し、金属製蓋体54によって、水晶振動
子52を気密的に封止する。例えば、容器体51の上面に予
めシールリングを周設しておき、金属製蓋体54を載置
し、シーム接合する。

【００１８】次に、容器体51の下部側キャビティー部57
内に、ＩＣチップ53を実装する。具体的には、ＩＣチッ
プ53はキャビティー部57の底面に接合され、ＩＣチップ
53とＩＣ電極パッドを含む所定配線パターン69とをＡｕ
ワイヤを介してボンディング接続する。

【００１９】次に、キャビティー部57内に充填樹脂73を
充填・硬化する。

【００２０】その後、容器体51の外表に導出された書き
込み端子電極65〜68を用いて所定温度補償データをＩＣ
チップ53に書き込み処理を行う。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】上述の温度補償型水晶
発振器では、容器体51のセラミック基板によって、水晶
振動子52とＩＣチップ53とを仕切るように分離されてお
り、夫々別個に実装されている。

【００２２】しかし、先に実装した水晶振動子52が発振
特性が温度補償回路によって制御できない特性を有して
いたり、発振不良があった場合には、容器体51の底面の
キャビティー部10内にＩＣチップ53を実装して、外部端
子電極61〜64を用いて測定して初めて、水晶振動子52の
不具合状態が判別できる。

【００２３】従って、仮に水晶振動子52が不具合であっ
た場合、容器体51に実装した水晶振動子52及びＩＣチッ
プ53毎廃棄しなくてはならず、非常にコスト的に不利で
あった。

【００２４】また、水晶振動子52を容器体51に実装した
後、水晶振動子52の発振特性を測定するためのモニタ電
極パッドを、容器体51の外表面に形成しておくことも考
えられる。しかし、最終的な温度補償型水晶発振器に
おいては、このモニタ電極パッドがプリント配線基板に
実装された後に、外部からの不要な電気ノイズが加わら
ないように処理しなくてはならないという問題がある。

【００２５】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、容器体に実装した水晶振動子
の特性を測定でき、且つ安定した所定発振が可能であ
り、しかも、ＩＣチップの無駄を省き、且つＩＣチップ
の安定した動作が可能で小型化な温度補償型水晶発振器
及びその製造方法を提供するものである。

【００２６】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、下面にキ
ャビティー部を有する容器体の上面に、水晶振動子を実
装するとともに、気密封止し、且つ前記キャビティー部
内に、水晶振動子の温度補償を行うためＩＣチップを収
容して成る温度補償型水晶発振器であって、前記キャビ
ティー部の内表面に、前記水晶振動子に接続するモニタ
電極パッドを形成したことを特徴とする温度補償水晶発
振器である。

【００２７】第２の発明は、下面にキャビティー部を有
し、上面に水晶振動子が実装される電極パッドを、該キ
ャビティー部の内表面にモニタ電極パッドを設けた容器
体を準備する工程と、前記容器体の上面に水晶振動子を
実装するとともに、該水晶振動子を前記モニタ電極パッ
ドに接続する前記工程と、前記モニタ電極パッドを用い
て前記水晶振動子の発振特性を測定しつつ、必要に応じ
て発振特性の調整を行う工程と、前記水晶振動子を熱エ
ージングする工程と、前記水晶振動子を蓋体で気密封止
する蓋体を被覆する工程と、前記キャビティー部内にＩ
Ｃチップを収容する工程と、前記ＩＣチップに前記水晶
振動子の温度補償を行うための温度補償データを書き込
む工程とから成ることを特徴とする温度補償型水晶発振
器の製造方法である。

【００２８】

【作用】本発明では、下面にキャビティー部が形成され
た容器体の上面側に水晶振動子が、キャビティー部内に
ＩＣチップが夫々実装されている。即ち、容器体の厚み
方向に水晶振動子とＩＣチップとが配置されているた
め、プリント配線基板上での実装面積を小さくすること
ができる小型な温度補償水晶発振器となる。

【００２９】しかも、水晶振動子、ＩＣチップが互いに
異なる収容領域に別々に配置されているため、水晶振動
子のみを長期にわたり収容環境が安定するので、水晶振
動子の発振動作の安定化が可能となる。

【００３０】また、容器体の上面に実装した水晶振動子
の発振特性を測定するモニタ電極パッドが、キャビティ
ー部の内表面に形成されている。従って、モニタ電極パ
ッドが容器体の外表面に露出していないため、プリント
配線基板に温度補償型水晶発振器を実装した後に、外部
からの不要な電気ノイズや電気的な衝撃が加わらないこ
とからも水晶振動子の安定した動作が維持できる。

【００３１】また、モニタ電極パッドを用いて容器体に
実装した水晶振動子単独の発振特性を、ＩＣチップの実
装前に測定することができる。これにより、ＩＣチップ
の実装前に水晶振動子の周波数の測定や調整が容易に行
え、且つ温度補償データによって補償し易い水晶振動子
の発振特性とすることができる。

【００３２】尚、水晶振動子の実装にあたり、調整した
周波数の安定化のために、熱エージング工程を実施する
ものの、この熱エージング工程をＩＣチップの実装前で
行える。これによって、ＩＣチップにとって熱エージン
グ工程による不要な熱印加がないため、安定したＩＣチ
ップの動作が可能になる。

【００３３】また、水晶振動子の不具合によって、容器
体全体の廃棄を余儀なくされても、ＩＣチップが未実装
状態であるため、ＩＣチップを無駄な消費、その後の無
駄な製造工程を実施する必要がなく、安価な温度補償型
水晶発振器となる。

【００３４】また、第２の発明としては、まず、水晶振
動子を実装し、水晶振動子の周波数調整を行い、周波数
安定化の熱エージング工程を行っている。そして、水晶
振動子の封止を行った後、ＩＣチップを初めてキャビテ
ィー部内に実装している。

【００３５】即ち、水晶振動子の実装に必要な熱処理工
程が終了したのちに、ＩＣチップが実装されるため、Ｉ
Ｃチップにかかる熱履歴回数を減少することができる。

【００３６】このため、ＩＣチップの動作信頼性を高め
ることができる。また、同時にＩＣチップの電極と接続
部材（バンプやワイヤ）などの接合面で発生するカーゲ
ンダールボイド現象を有効を抑えることもできるため、
接合状態も安定し、これによっても、ＩＣチップの安定
した動作が可能となる。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の温度補償型水晶発
振器を図面に基づいて詳説する。

【００３８】図１は本発明の温度補償型水晶発振器の断
面図であり、図２は側面図であり、図３は蓋体省略した
状態の上面図であり、図４は充填樹脂を省略した状態の
下面図である。図５は、内部配線パターンを示す概略平
面図である。尚、図１は、図３のＸＸ線断面を示して
いる。

【００３９】本発明の温度補償型水晶発振器は、上面
（以下、表面という）が平坦で且つ下面（以下、底面と
いう）側に凹部状キャビティー部が形成された概略直方
体状の容器体１、矩形状の水晶振動子２、制御回路を構
成するＩＣチップ６及び２つの電子部品素子４、５、金
属製蓋体６及び充填樹脂７とから主に構成されている。

【００４０】容器体１は、複数の略矩形状のセラミック
絶縁層１ａ、１ｂ、異形状の開口を有する概略枠状セラ
ミック絶縁層１ｃ、１ｄが一体的に積層されて構成され
ている。このセラミック絶縁層１ａ、１ｂによって、水
晶振動子２とＩＣチップ３、電子部品素子４、５を仕切
る仕切部8 となり、また、セラミック絶縁層１ｃ、１ｄ
によって枠状脚部9 となる。この枠状脚部9 によって、
仕切部8 の底面に、該底面と枠状脚部9 とに囲まれた凹
部状のキャビティー部10が構成される。

【００４１】そして、容器体１の底面の４つの隅部に
は、各々外部端子電極１１〜１４が形成されている。ま
た、容器体１の一対の長辺側側面には、ＩＣチップ３に
必要な温度補償データや制御のため各種情報を書き込む
ための複数のＩＣ制御用端子電極１５〜１８が形成され
ている。

【００４２】容器体１の表面、即ち、仕切部８の表面に
は、その外周を取り囲むように封止用導体パターン19が
形成されており、また、容器体１表面の長手方向の一端
部寄りに水晶振動子2 と接続するための水晶振動子用電
極パッド20、21が並設されている。また、上述の水晶振
動子用電極パッド20、21上には水晶振動子2 を容器体1
の表面との間に所定間隔を形成するための接続用バンプ
22、23が形成されている。尚、本発明では、接続用バン
プ22、23を含めて水晶振動子２が実装される電極パッド
としている。

【００４３】また、容器体１表面の長手方向の他端部寄
りに、水晶振動子2 の他方端部側を支持する保持用バン
プ24が形成されている。

【００４４】また、セラミック絶縁層１ａには、水晶振
動子用電極パッド20、21と接続する２つのビアホール導
体25、26（尚、26は図では省略する）が形成され、セラ
ミック絶縁層１b には、キャビティー部10の底面に導出
する第２のビアホール導体27、28が形成され、さらに、
セラミック絶縁層１ａと１ｂとの層間には両ビアホール
導体25と27、26と28とを接続する内部配線パターン29、
30が形成されている。

【００４５】また、セラミック絶縁層１ｂの底面側主面
には、ＩＣチップ3 と上述のＩＣ制御端子電極15〜18と
を接続し、また、ＩＣチップ3 と電子部品素子4 、5 と
を接続し、さらにＩＣチップ3 、電子部品素子4 、5 と
外部端子電極11〜14と接続する各種配線パターン31・・
・が形成されている。尚、キャビティー部４の底面領域
に各種配線パターン31の一部を構成するIC電極パッド32
・・・、素子電極パッド33・・・が形成されている。
尚、第2 のビアホール導体27、28は、直接または所定配
線パターン31を介して、ＩＣチップ3 の入力電極に接続
するが、同時に、キャビティー部10の底面には、このＩ
Ｃチップ3 の発振特性を個別に測定するためのモニタ電
極パッド34、35が形成されている。

【００４６】以上のように、容器体1 の内部には、一方
端が表面に、他端がキャビティー部10内に導出されるビ
アホール導体25、内部配線パターン29、ビアホール導体
27及びビアホール導体26、内部配線パターン30、ビアホ
ール導体28からなる導電経路が形成されることになる。

【００４７】尚、外部端子電極11〜14の構造について
は、容器体1 の底面の４隅部に形成した平面部11a 〜14
a と、セラミック絶縁層1c、1dの４つの角部を厚み方向
に概略1/4 円形状の切り欠いた凹部の内壁に形成した端
面部11b 〜14b とから構成されている。また、グランド
電位の外部端子電極13は、容器体1 の表面に形成した封
止用導体パターン19と接続させ、金属製蓋体6 にシール
ド効果を達成させる必要がある。このため、グランド電
位の外部端子電極13に関しては図のようにセラミック絶
縁層１ａ〜１ｄの全てを貫通するビアホール導体及び配
線パターンによって、封止用導体パターン19と接続した
り、また、外部端子電極13の端面電極13aを容器体1 の
表面にまで延出して、封止用導体パターン19と接続す
る。

【００４８】また、ＩＣ制御端子電極１５〜１８につい
て、セラミック絶縁層１ａ、１ｄには形成されておら
ず、セラミック絶縁層１ａ、１ｄに挟まれた中間層、例
えばセラミック絶縁層1b、1b部分の長辺の端面に形成さ
れている。従って、図２に示すように、ＩＣ制御端子電
極１５〜１８（図２では１５、１６）は、容器体１の側
面で底面及び表面に接することが一切ない。これは、表
面側に形成された封止用導体パターン１９と短絡を避
け、また、プリント配線基板に半田接合した時、プリン
ト配線基板の配線パターンと短絡を避けるためである。
さらに、ＩＣ制御端子電極１５〜１８は、セラミック絶
縁層１ｂ、１ｃの長辺側端面に凹み部を形成して、この
凹み部の内壁面に形成されていることが望ましい。これ
により、外部要因、例えば、温度補償型水晶発振器をプ
リント配線基板上に搬送する場合の搬送手段などの書き
込まれたデータが変動し、温度補償動作に誤動作が発生
しないようしている。

【００４９】上述の容器体１は、セラミック絶縁層１ａ
〜１ｄとなるセラミックグリーンを用いて形成する。具
体的には、絶縁層１ａとなる矩形状セラミックグリーン
に例えば第１ビアホール導体25、26となる貫通孔を形成
し、モリブデンやタングステンなどの高融点金属ペース
トで貫通孔を充填する。同時に、表面に水晶振動子用電
極パッド20、21となる導体膜、バンプ22〜24となる導体
膜、封止用導体パターン19となる導体膜を上述の導電性
ペーストの印刷により形成する。

【００５０】また、絶縁層１ｂとなる矩形状セラミック
グリーンに第2 ビアホール導体27、28となる貫通孔及び
ＩＣ制御端子電極15〜18が形成される凹み部を形成し、
上述の高融点金属ペーストで該貫通孔を充填し、該凹み
部の内壁面に導体膜を形成する。同時に、このグリーン
シートのキャビティー部４の底面となる面に、IC電極パ
ッド32、素子電極パッド33、モニタ電極パッド34、35及
びIC電極パッド32、素子電極パッド33と各端子電極11〜
18とを接続し所定回路網を構成する各種配線パターン31
となる導体膜を形成する。

【００５１】また、セラミック絶縁層１ａ又はセラミッ
ク絶縁層１ｂとなるグリーンシートのいずれかに、その
接合面に、第1 のビアホール導体25、26と第2 のビアホ
ール導体27、28とを接続する内部配線パターン29、30を
導体膜を、上述の高融点金属ペーストの印刷により形成
する。

【００５２】また、セラミック絶縁層１ｃとなる異形状
の開口を有する枠状セラミックグリーンに、外部端子電
極の端面部11b 〜14b 及びＩＣ制御端子電極15〜18とな
る切り欠け部及び凹み部を形成し、その内壁表面を上述
の高融点金属ペーストで外部端子電極の端面部11b 〜14
b 及びＩＣ制御端子電極15〜18となる導体膜を形成す
る。

【００５３】また、セラミック絶縁層1dとなる異形状の
開口を有する枠状セラミックグリーンに、外部端子電極
の端面部11b 〜14b となる切り欠け部を形成し、その内
壁表面を上述の高融点金属ペーストで外部端子電極11〜
14の端面部11b 〜14b となる導体膜を形成する。同時
に、このグリーンシートの底面となる面の4 隅部に概略
矩形状の外部電極端子の平面部 11a〜14a となる導体膜
を形成する。尚、概略矩形状の平面部11a は、端面部11
b 〜14b と導通するように４つの隅部の切り欠け凹部に
まで延出されるように形成される。

【００５４】次に、このような各グリーンシートを積層
・圧着した後、焼成処理を行う。特に、容器体１の表面
に水晶振動子2 を実装し、キャビティー部10にＩＣチッ
プ3を実装するためめ、両面の平坦度が重要である。圧
着工程においては、容器体1の表面を基準面としてプレ
スを行うが、キャビティー部10の底面領域にも均一な圧
力でプレスを行うために、例えばキャビティー部10に補
助充填部材を充填したり、また、プレス先端面が平坦な
上パンチが凸状の治具でプレスを行ったり、絶縁層１
ａ、１ｂと絶縁層１ｃ、１ｄとを分けてプレスを行い、
その後両者をプレスにより圧着を行う。

【００５５】次に、容器体１に表面に露出する外部端子
電極11〜14、ＩＣ制御端子電極15〜18、封止用導体パタ
ーン19、水晶振動子用電極パッド20、21、IC電極パッド
32・・・、素子電極パッド33・・・、モニタ電極パッド
34、35、各種配線パターン31バンプ22〜24上にＮｉメッ
キ、フラッシュ金メッキなどを施して、容器体１が達成
される。

【００５６】これにより、容器体1 の内部に形成される
ビアホール導体25〜28及び配線パターン29〜31は、モリ
ブデンやタングステンなどの高融点金属導体からなり、
容器体1 の表面に露出される各電極11〜18、封止用導体
パターン19、各電極パッド20、21、32・・・、33・・
・、モニタ電極パッド34、35及び各種配線パターン31
は、高融点金属導体上にＮｉ層、金層の多層構造とな
る。

【００５７】尚、グランド電位となる外部端子電極13と
封止用導体パターン19との接続構造によって、例えば、
セラミック絶縁層1a〜1dを貫くビアホール導体及び内部
配線パターンを、上述のビアホール導体形成及び配線パ
ターン形成時に同時に形成したり、また、例えばセラミ
ック絶縁層1a、1bの１つの角部のみにも、切り欠け部を
形成し、端面部13b を延出させるよう導体膜を形成すれ
ばよい。これは、グランド電位に限らず、例えば大きな
電流が流れ得る例えばVCC 端子電極11において、所定配
線パターン31に接続させるにあたり、セラミック絶縁層
1c、1dの１つの角部のみならず、脚部9 内にビアホール
導体を形成して、互いに接続させるようにしてもよい。

【００５８】また、容器体1 の表面において、水晶振動
子用電極パッド20、21上に接続用バンプ22、23、他方端
部側に保持用バンプ24を、導電性ペーストの重ね印刷に
より形成したが、Ａｇ粉末を含む導電性ペーストの塗布
・焼き付けやＡｇ粉末を含む樹脂ペーストの塗布・硬化
などにより形成してもよい。また、接続用バンプ22、23
を所定高さとするために複数回の塗布を行えばよい。好
ましくは、容器体１の表面から接続用バンプ22、23の頂
点部分までの高さは、例えば１５〜２０μｍであり、保
持用バンプ24の頂点部分までの高さは、接続用バンプ2
2、23よりも例えば５〜１０μｍ程度低い値となってい
る。

【００５９】さらに、封止用導体パターン19上に、概略
矩形状の金属枠体であるシールリング36を接合する。シ
ールリング36は42アロイ、コバール、リン青銅などから
なり封止用導体パターン19の形状に対応する構造となっ
ている。このシールリング36は封止用導体パターン19に
ろう付けによって接合されている。

【００６０】上述のような容器体1 の表面には、水晶振
動子2 が配置されている。水晶振動子2 は、所定カッ
ト、例えばＡＴカットされた矩形状の水晶板2aの両主面
に形成された振動電極2b、2c、該振動電極2b、2cから一
方他端部に延出された島状の引出電極部2d、2eとから構
成されている。尚、図３において下面側の振動電極2c及
び引出電極2eは点線で示す。この引出電極2d、2eは、水
晶振動子用電極パッド20、21と導電性接着材2f、2gを介
して接続するものである。

【００６１】また、振動電極2b、2e及び引出電極2d、2e
は、水晶板2aの両面に下地としてＣｒやＮｉ、表面層と
してＡｇやＡｕなどの導電性材料の蒸着、スパッタリン
グなどの薄膜技法により被着形成する。

【００６２】容器体1 の表面側に実装された水晶振動子
2 は金属製蓋体6 によって気密的に封止されている。金
属製蓋体6 は、コバールや４２アロイなどの金属材料か
らなり、例えば０．１ｍｍの厚みであり、容器体１の表
面の封止用導体パターン19にろう付けされた枠状のシー
ムリング36と密接されて溶接・接合される。尚、金属製
蓋体6 の外表面側主面にはＮｉ、アルミニウム等を被着
する。これは、溶接時にろう材が融け表面側主面に回り
込まないようにして、安定かつ強固な溶接時が結成でき
るようにするものである。

【００６３】容器体1 のキャビティー部10の底面には、
制御回路を構成するＩＣチップ3 が実装されている。Ｉ
Ｃチップ3 は、例えば3 次の曲線で示される固有温度周
波数特性による水晶振動子2 の周波数変動を、常温を含
む広い温度範囲で平坦化するように制御するのである。
具体的には、シリコンチップに周知のＰＮドープによ
り、発振回路を構成する発振インバータ、負荷容量成
分、帰還抵抗に加え、水晶振動子2 の固有温度周波数特
性を平坦化するために必要な温度補償データを記憶する
メモリ部、周囲の温度検知する感温センサ部、バリキャ
ップダイオード、所定温度補償データに基づいて所定電
圧に変換してバリキャップダイオードに供給するＤＡ変
換手段、外部から書き込まれる信号をメモリー部に保持
するＡＤ変換手段、これらの動作を制御するプロセッサ
ー部どから構成されている。

【００６４】このようなＩＣチップ3 には、例えば、電
源電圧が供給されるＶＣＣ端子、グランド電位となるＧ
ＮＤ端子、水晶振動子2 と接続される水晶接続端子、発
振出力を行うＯＵＴ端子、外部から周波数の調整を可能
とするＶＣＯＮ端子、補償データ書き込みのために用い
る例えば４つのデータ書き込み制御端子とを有してい
る。

【００６５】ＩＣチップ3 のＶＣＣ端子( 電源部) は、
所定IC電極パッド32、所定配線パターン31を介して外部
端子電極11に導出されている。また、ＯＵＴ端子は、所
定IC電極パッド32、所定配線パターン31を介して外部端
子電極12に導出されている。

【００６６】また、ＧＮＤ端子( 一種の電源部) は、所
定IC電極パッド32、所定配線パターン31を介して外部端
子電極13に導出されている。ＶＣＯＮ端子は所定IC電極
パッド32、所定配線パターン31を介して外部端子電極14
に導出されている。また、２つの水晶接続端子は、所定
IC電極パッド32、所定配線パターン31やモニタ電極34(3
5)、導電経路を介して容器体1 の表面の電極パッド20、
21に各々導出されている。さらに、４つのデータ書き込
み制御端子は、所定IC電極パッド32、所定配線パターン
31を介して各々ＩＣ制御端子電極15〜18に導出されてい
る。

【００６７】これらの各端子は例えばＩＣチップ3 の実
装面上にアルミ電極として形成されている。尚、各アル
ミ電極上に金や半田などのバンプを形成しておき、上述
のＩＣ電極パッド32・・・に超音波ボンディングや導電
性フィラーを用いたボンディングなどによって接合及び
接続される。尚、ＩＣチップ６の上面側に各アルミ電極
を形成し、例えばボンディングワイヤを介してＩＣ電極
パッド32・・・に接続しても構わないが、キャビティー
部10の形状が大きくならないよう留意する必要がある。

【００６８】電子部品4 、5 は、例えばチップ状コンデ
ンサである。例えば、電子部品4 、5 は、一対の素子電
極パッド33、33間に、Ａｇ粉末を含む導電性樹脂接着材
を介して接合される。

【００６９】電子部品4 であるコンデンサは、ＩＣチッ
プ3 とOUT 外部端子電極12との間で、一方がグランド電
位となるように接続される。これは、出力信号中にノイ
ズとなる直流成分を除去するものである。

【００７０】また、電子部品5 であるコンデンサは、Ｉ
Ｃチップ3 とVCC 外部端子電極11との間に接続され、VC
C 外部端子電極11に供給される電源電圧に重畳する高周
波ノイズを除去するものである。

【００７１】そして、キャビティー部10内には、このＩ
Ｃチップ3 と２つ電子部品4 、5 とがキャビティー部10
の形状に応じて、最も実装スペースを最小にするように
並設されている。

【００７２】例えば、図4 に示すよう、例えば、平面形
状がＩＣチップ3 の容器体1 の短辺の幅の中心軸上に、
平面形状の小さい電子部品4 、5 が並設されている。即
ち、図中、電子部品4 、ＩＣチップ3 、電子部品5 の順
に配置され、電子部品4 、ＩＣチップ3 、電子部品5 の
全体の配置形状が概略十字形状となっている。

【００７３】しかも、キャビティー部10の平面開口( 底
面) 形状は、電子部品4 、ＩＣチップ3 、電子部品5 の
全体の配置構造に略相似関係の概略十字形状となってい
る。

【００７４】例えば、キャビティー部10は、矩形状の中
心部10e から各辺に向かって、且つ、容器体1 の４つの
隅部に形成された外部端子電極11〜14の隣接しあう領域
間に延出する張出部10a 〜10d が形成されており、これ
により、概略十字形状となっている。そして、張出部10
a に電子部品5 が主に、張出部10c に電子部品4 が主に
配置されている。中央部10e 及び張出部10b 、10d 部分
にＩＣチップ3 が配置されている。即ち、キャビティー
部10は外部端子電極11〜14の配置箇所を避けて、キャビ
ティー部10に配置するＩＣチップ3 及び電子部品4 、5
の配置形状を考慮して、最も小型化及び外部端子電極11
〜14の接合強度の維持が可能な形状となっている。

【００７５】また、キャビティー部10には、上述のＩＣ
チップ3 、電子部品4 、5 を強固に接合させ、また、耐
湿信頼性を向上させるために、充填樹脂7 が充填形成さ
れている。充填樹脂7 は、例えば、少なくとも２種類の
充填樹脂から成り、例えばキャビティー部10底面側に主
に充填・硬化される樹脂層7aと、該樹脂層7a上に充填・
硬化される樹脂層7bである。具体的に、キャビティー部
10の底面側に充填・硬化される収縮率が比較的大きい樹
脂材料で構成される。一般にアンダーフィル樹脂と言わ
れるエポキシ樹脂などの樹脂成分が多い材料である。こ
の樹脂層7aは、少なくともＩＣチップ3 の上面を完全に
被覆する程度に充填・硬化されている。

【００７６】即ち、ＩＣチップ3 、電子部品4 、5 とキ
ャビティー部４の底面との間に充填された樹脂層7aの収
縮によって発生する応力によって、両者の接合強度が向
上する。しかも、ＩＣチップ3 を完全に覆うように形成
された樹脂層7aの収縮によって発生する応力が、ＩＣチ
ップ3 に向かって発生する。これにより、応力がＩＣチ
ップ3 の上面側側からキャビティー部10の底面側に押し
つけるように働き、キャビティー部10の底面に接合した
ＩＣチップ3 の接合強度が向上する。

【００７７】また、樹脂層7bは、収縮応力の大きい樹脂
層7aによって、ＩＣチップ3 や電子部品4 、5 を被覆す
る樹脂層7aの膜厚が薄くなってしまい、その結果、耐湿
性などが充分に得られないという問題を解消するために
充填・硬化されるものである。これにより、キャビティ
ー部10内に実装したＩＣチップ3 や電子部品4 、5 の接
合強度が向上し、また、耐湿性信頼性が向上する。

【００７８】尚、充填樹脂7 は、キャビティー部10の開
口面から突出させないようにする。

【００７９】これは、温度補償型水晶発振器を安定して
プリント配線基板に配置するためである。

【００８０】本発明において、容器体1 の底面側にキャ
ビティー部10が形成されており、この容器体1 の表面に
水晶振動子2 が実装されており、容器体1 の底面のキャ
ビティー部10にＩＣチップ3 が実装されている。尚、こ
のキャビティー部10には、同時に電子部品4 、5 が配置
されている。

【００８１】即ち、水晶振動子2 は、容器体1 の表面
と、シールリング36と金属製蓋体6 とに囲まれた気密領
域に単独に配置され、ＩＣチップ3 は容器体1 のキャビ
ティー部10内の領域とに実装されており、両者が全く異
なる領域に配置されている。

【００８２】従って、水晶振動子2 の動作環境が、経時
的に変動しないため、水晶振動子２の安定的な動作が図
れる。

【００８３】また、水晶振動子2 とＩＣチップ3 とが容
器体1 の仕切り部8 を介して、装置の厚み方向に積層さ
れて配置されているため、温度補償型水晶発振器のプリ
ント配線基板への実装面積も小さくなる。

【００８４】また、キャビティー部10の内部に、実装さ
れた水晶振動子2 に、ビアホール導体25、26、内部配線
パターン29、30、ビアホール導体27、28の導電経路を介
して接続されるモニタ電極パッド34、35が形成されいて
る。

【００８５】即ち、容器体1 の外表面にモニタ電極パッ
ド34、35が露出することがない。これにより、プリント
配線基板上に温度補償型水晶発振器を接合した後に、外
部からの不要な電気ノイズや電気的な衝撃、浮遊容量な
どが加わらないため、水晶振動子2 の安定した動作が維
持できる。しかも、図４、図５に示すように、ＩＣチッ
プ３によって、モニタ電極パッド34、35が隠蔽されてお
れば、ＩＣチップ３の本体が実質的にグランド電位化さ
れていることから、プリント配線基板とモニタ電極パッ
ド34、35に発生する浮遊容量を遮断することができるた
め、例えば、充填樹脂7 の外表面にシールド電極が不要
となり、プリント配線基板上の配線パターンの引き回し
設計が自由に行える事にもなる。

【００８６】また、モニタ電極パッド34、35を用いて容
器体1 に実装した水晶振動子2 単独の発振特性を、ＩＣ
チップ3 の実装前に測定することができる。これによ
り、水晶振動子2 の周波数変動の調整が容易に行え、特
に、温度補償データによって補償し易い水晶振動子2 の
発振特性とすることができる。

【００８７】また、水晶振動子2 の発振不具合によっ
て、容器体1 全体を廃棄しなくてはならない場合でも、
ＩＣチップ3 が容器体1 に未実装状態であるため、ＩＣ
チップ3 を無駄にすることがない。これにより、全体と
して安価な温度補償型水晶発振器となる。

【００８８】また、ＩＣチップ3 の動作に関して、水晶
振動子2 の調整した周波数の安定化のために、熱エージ
ング工程を実施するものの、この熱エージング工程で
は、ＩＣチップの実装する必要がない。これは、上述の
ように、水晶振動子2 の発振特性を測定するモニタ電極
パッド34、35がキャビティー部10内に延出されているた
めである。従って、ＩＣチップ3 への熱エージング工程
などの不要な熱印加がないため、安定したＩＣチップの
動作が可能になる。

【００８９】次に、上述の温度補償型水晶発振器の組立
方法を図6 の工程図を用いて説明する。

【００９０】まず、図6 の(a) 工程である容器体１を形
成する。詳細な構造及びその形成方法については、上述
した通りである。尚、容器体１の表面には、シームリン
グ36がろう付けなどにより接合しておいても構わない。

【００９１】同時に、図6 の(b) 工程である水晶振動子
2 の選別工程を行う。即ち、水晶振動子2 はカット角の
微小な変動により周波数特性が大きく変化してしまう。
従って、ＩＣチップ3 によって温度補償が可能な水晶振
動子、周波数のバラツキによるランク分けなどが行われ
る。

【００９２】次に、図6 の(c) 工程である選別されて所
定特性を満足する良品の水晶振動子2 を容器体1 表面に
実装する。具体的には、容器体１の表面の水晶振動子用
電極パッド20、21上に形成した接続用バンプ22、23と、
水晶振動子2 の引出電極部2d、2eとが合致するように位
置決め載置し、引出電極部2d、2eと電極パッド20、21と
をＡｇ等の導電性接着材2f、2gを用いて両者を接合す
る。尚、水晶振動子５の他端側の下面は、保持用バンプ
24上に載置されて接合が行われるが、この時、導電性接
着材の硬化時に収縮応力が働き、水晶振動子2 の他端側
先端を持ち上げり、容器体１の表面との間に、接続用バ
ンプ22、23の高さに相当する間隙が形成されることにな
る。

【００９３】これにより、水晶振動子2 の振動電極2b、
2cは、電極パッド20、21、第１のビアホール導体25、2
6、内部配線パターン29、30及び第２ビアホール導体2
7、28を介して、キャビティー部10の底面に形成した所
定配線パターン31及びモニタ電極パッド34、35に導出さ
れることになる。

【００９４】次に、図6 の(d) 工程である水晶振動子2
の周波数の測定を行う。具体的には、キャビティー部10
の底面に形成されたモニタ電極パッド34、35に周波数測
定装置の測定用端子（プローブ）を接触させ、水晶振動
子2 を所定発振させて、周波数を測定する。

【００９５】次に、図6 の(e) 工程である水晶振動子2
の周波数の調整を行う。具体的には、容器体１に接合さ
れた水晶振動子2 の上面側の振動電極2b上に、Ａｇなど
の金属の蒸着を行い、実質的に振動電極2bの質量を変動
させて発振周波数の調整を行う。この時、周波数を調整
して、ＩＣチップ3 で温度補償が行い易いよう、例え
ば、常温での周波数が、要求される周波数に設定したり
する。これにより、ＩＣチップ3 の温度補償動作の信頼
が向上である。また、補償データの情報量が非常に小さ
くて済み、このデータを記憶するメモリ部の小容量化に
よりＩＣチップ3の小型化、低コストに有利である。

【００９６】尚、蒸着装置の構造次第で、図6 の(d) 工
程である水晶振動子2 の周波数の測定と(e) 工程である
水晶振動子2 の周波数の調整を同時に行うこともでき
る。

【００９７】次に、図6 の(f) 工程である水晶振動子2
の周波数特性の安定化を行う。具体的には、水晶振動子
2 が接合した容器体１全体を、１５０〜２５０℃で熱処
理を行う。この熱処理を一般に熱エージングという。こ
の熱エージングにより、振動電極2b上に被着した周波数
調整用の蒸着物を安定化させる。これにより、水晶振動
子2 の周波数特性が安定化する。また、水晶振動子2 を
接合する導電性ペーストなどに含まれている溶剤などの
不純物を揮発させる。これは、水晶振動子2 を収容する
環境が経時的に変動しないようにするためであり、長期
にわたり水晶振動子2 の所定発振動作の安定化が図れ
る。

【００９８】この工程では、金属製蓋体6 が被覆される
前に行われる。これは、不純物を水晶振動子2 の収納領
域から外部に完全に揮発させるためである。また、ＩＣ
チップ3 がキャビティー部10に実装される前に行われ
る。これは、ＩＣチップ3 の動作信頼性を低下させる原
因である熱印加の回数を減少させるためである。これに
より、ＩＣチップ3 も同時に動作信頼性が向上する。

【００９９】次に、図6 の(g) 工程である金属製蓋体6
による水晶振動子2 の被覆を行う。

【０１００】具体的には、容器体1 の表面に周設したシ
ールリング36上に、金属製蓋体6 を載置し、金属製蓋体
6 の周囲をシーム溶接用のローラー電極（図示せず）
で、溶接電流を印加しながら接触移動させて両者を溶接
する。この時、容器体1 表面、シールリング36及び金属
製蓋体6 によって囲まれる水晶振動子2 の収容領域が所
定雰囲気になるようにする。また、その後、必要に応じ
て熱エージング処理をを再度行い、このれは、先の熱エ
ージング工程からこの工程にかけて、収容領域内の不純
物などが侵入してしまうことが考えられ、このような不
純物などを金属製蓋体6 の内表面に付着固定されて、収
容領域が所定雰囲気に保たれるようにするためである。

【０１０１】また、この工程が終了したのち、気密領域
に収容された水晶振動子2 の最終的な発振特性を、キャ
ビティー部10の底面に形成したモニタ電極パッド34、35
で測定しておくことが望ましい。これは最終工程の温度
補償データを書き込むにあたり、書き込むべきデータの
判断材料とするためである。

【０１０２】次に、図6 の(h) の工程であるＩＣチップ
3 の前処理を行う。この前処理とは、ＩＣチップ3 の接
合方法によっては省略できる。本実施では、ＩＣチップ
3 をバンプを介してキャビティー部10底面のＩＣ電極パ
ッド32・・・に接合するため、この工程でバンプを形成
する。例えば、ＩＣチップ3 の実装面の各入出力部のア
ルミ電極上に、Ａｕワイヤなどを用いてＡｕバンプを形
成しておく。

【０１０３】尚、アルミ電極上Ａｕバンプを形成した状
態で、高い熱印加を施すと、ＡｌとＡｕの拡散スピード
の差によりカーゲンダールボイド現象が発生し、Ａｌと
Ａｕとの接合界面における接続強度が低下するが、上術
のように、熱エージング工程または熱エージング処理を
既に完了しているため、このような問題が起こらない。

【０１０４】次に、図6 の(i) 工程であるＩＣチップ3
をキャビティー部10内に実装を行う。尚、同時に電子部
品4 、5 の実装も行う。

【０１０５】ＩＣチップ3 の実装は、ＩＣチップ3 に形
成した各Ａｕバンプと各ＩＣ電極パッド32・・・とが合
致するように、ＩＣチップ3 を位置決め載置し、その
後、ＩＣチップ3 に超音波などを印加して互いに融着さ
せる。

【０１０６】また、電子部品4 、5 の接合は、素子電極
パッド33・・・・にＡｇ粉末などを含む導電性樹脂ペー
ストを塗布し、電子部品4 、5 を載置し、導電性樹脂ペ
ーストをキュアー処理して硬化する。

【０１０７】このキュアー処理時の熱をＩＣチップ3 に
印加させたくない場合には、電子部品4 、5 を実装した
後、ＩＣチップ3 を実装すればよい。

【０１０８】次に、図6 の(j) 工程であるキャビティー
部10内に充填樹脂7 を充填・硬化する。

【０１０９】具体的には、ＩＣチップ3 や電子部品4 、
5 の全体を一般にアンダーフィルと言われる樹脂材料で
完全に覆い硬化し樹脂層7aを形成し、続いてこの樹脂層
7a上に耐湿性に優れたエポキシ樹脂を充填・硬化して樹
脂層7bを形成する。

【０１１０】この工程により、1 バンプあたり60g 重程
度の強度しかない接合強度が、このアンダーフィルを特
にＩＣチップ3 の上面にまで被覆されるように形成する
ことにより、飛躍的に向上する。

【０１１１】次に図(6) の(k) の工程であるＩＣチップ
3 へのデータ書き込み工程である。

【０１１２】書き込むデータとは、容器体1 の表面に実
装されている水晶振動子2 の周波数特性に応じて、常温
を含む広い温度範囲で発振周波数を平坦化するデータ
と、必要に応じ、このデータを処理するプログラムなど
のデータである。

【０１１３】具体的には、容器体1 側面の凹部の内壁に
形成されたＩＣ制御端子15〜18に、例えば、メモリーラ
イタ装置のプローブを接触させて、所定データを書き込
む。

【０１１４】尚、必要に応じて、書き込みによって記憶
された補償データに基づいて、温度変化による周波数補
償状態を確認し、再度修正が必要な場合、修正補償デー
タを書き込んでも構わない。

【０１１５】温度補償動作によっては、書き込むデータ
は異なり、例えば、所定温度における水晶振動子2 の発
振周波数を、基準周波数からの変動量に応じて、バリキ
ャップダイオードの動作制御によって補正するためのデ
ータである。即ち、感温手段による周囲温度に基づい
て、周波数変位量を補正するために、バリキャップダイ
オードの容量を制御する電圧を適正化するデータであ
る。これにより、水晶振動子2 が有する固有の温度周波
数特性は、常温を含む広い温度範囲で平坦化されること
になる。

【０１１６】上述の製造方法では、図6 の(a) 工程で水
晶振動子2 を実装し、図6 の(c) 〜(f) の工程で水晶振
動子2 の周波数測定、調整を行い、さらに、周波数の安
定化の熱エージング工程を行っている。その後、図6 の
(g) の工程で水晶振動子２の封止を行った後、図６
の(i) 工程で初めて、ＩＣチップ3 をキャビティー部10
内に実装している。

【０１１７】従って、少なくともＩＣチップ3 を実装す
る際には、水晶振動子2 の発振周波数の特性の安定化な
どに必要な熱印加工程は終了しており、ＩＣチップ3 に
かかる熱履歴回数を減少できる。これにより、ＩＣチッ
プ3 の動作信頼性が向上する。

【０１１８】また、上述の実装順により、ＩＣチップ3
のアルミ電極とＡｕバンプとの接合部分で発生するカー
ゲンダールボイド現象の発生を抑えることができ、ＩＣ
チップの安定した動作及び強固な接合が達成できる。

【０１１９】また、キャビティー部10の底面に形成した
モニタ電極パッド34、35によって、容器体1 に実装した
水晶振動子2 の発振特性を、ＩＣチップ10の実装前であ
れば、各工程後においても測定することができる。各工
程後の発振特性の結果次第、水晶振動子2 のみを実装し
た状態で容器体1 を廃棄できるため、ＩＣチップ3 を無
駄な消費がなくなり、製造方法の全体をとおして無駄な
作業がなくなり、全体的として、非常に安価な製造方法
となる。

【０１２０】また、温度補償に必要なデータを書き込む
際に、ＩＣチップ3 が実装される前であって、容器体1
に実装された水晶振動子2 の純粋な発振特性（周波数特
性）を、キャビティー部１０の底面に形成したモニタ電
極パッド34、35を用いて測定することができる。このた
め、予め温度補償に必要とすされるデータを認識するこ
ともでき、温度補償に必要なデータ工程が非常に効率よ
く行えることになる。

【０１２１】尚、上述の実施例では、ＩＣチップ3 を容
器体11のＩＣ電極パッド32・・・に接続する方法として
は、バンプを用いた超音波融着でおこなっているが、そ
の他に導電性接着材を介在させて接続してもよい。ま
た、ＩＣチップ3 の入出力部の形成位置を上面側にし
て、ボンディングワイヤを用いて接続することもであ
る。

【０１２２】この場合、充填樹脂7 に、収縮率の大きい
樹脂を避けるべきである。これは、ワイヤが収縮応力に
よって倒れたりすることを防止するためである。即ち、
本実施例であっても、充分なキャビティー部10内でＩＣ
チップ3 を充分な強度で接合できるのであれば、あえて
多層構造とせず、主に耐湿性を重視した1 種類の樹脂材
料で充填樹脂7 を形成してもよい。

【０１２３】また、容器体 1の仕切り部8 を多層構造と
しているが、水晶振動子2 の収納領域と、ＩＣチップ3
の収納領域( キャビティー部) との間のリークが完全に
防止できるのであれば、仕切り部8 を単板上基板で構成
しても構わない。この場合には、ＩＣ制御用端子電極15
〜18が容器体1 の表面及び底面に隣接しないようにする
ことが重要であるため、枠状脚部9 を多層構造とする。

【０１２４】

【発明の効果】本発明によれば、容器体の表面に水晶振
動子を実装し、底面側にＩＣチップを実装しているた
め、表面面積の小さい小型な温度補償水晶発振器とな
る。

【０１２５】また、水晶振動子とＩＣチップとを全く異
なる領域に収納することができるため、水晶振動子の発
振動作を長期にわたり安定させることができる。

【０１２６】また、水晶振動子の発振特性を測定するモ
ニタ電極パッドがキャビティー部の底面に形成され、容
器体の外表面に露出していない。このため、水晶振動子
が外部と遮断されることからも、外部要因による動作不
良は発生しない。

【０１２７】また、モニタ電極パッドを用いることによ
り、水晶振動子単独の発振特性を、ＩＣチップの実装前
に測定することができる。水晶振動子の周波数調整や温
度補償データの選択が非常に簡単になる。

【０１２８】水晶振動子の発振特性の不良を製造工程中
に簡単に検出できいるため、ＩＣチップの無駄な消費、
無駄な製造工程の未実施により、安価な温度補償型水晶
発振器となる。

【０１２９】また、容器体の表面に水晶振動子を実装し
た後に、ＩＣチップを実装している。従って、水晶振動
子の実装に必要な熱処理が、ＩＣチップに印加されず、
ＩＣチップの動作信頼性や実装信頼性を高めることがで
きる。これによっても、ＩＣチップの安定した動作が可
能となる。

【０１３０】よって、小型で、且つ発振動作、ＩＣチッ
プによる温度補償動作が安定化し、安定した所定発振が
可能で、安価な温度補償型水晶発振器及びその製造方法
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる温度補償型水晶発振器の断面図
である。

【図２】本発明にかかる温度補償型水晶発振器の側面図
である。

【図３】本発明にかかる温度補償型水晶発振器の蓋体省
略した状態の上面図である。

【図４】本発明にかかる温度補償型水晶発振器の充填樹
脂を省略した下面図である。

【図５】内部配線パターンを示す概略平面図である。

【図６】製造工程を示す工程流れ図である。

【図７】従来の温度補償型水晶発振器の断面図である。

【図８】従来の温度補償型水晶発振器の省略した上面図
である。

【図９】従来の温度補償型水晶発振器の下面図である。

【符号の説明】

１・・容器体２・・水晶振動子３・・ＩＣチップ４、５・・電子部品６・・・金属製蓋体７・・・充填樹脂１０・・・キャビティー部１１〜１４・・・外部端子電極１５〜１８・・・ＩＣ制御端子電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下面にキャビティー部を有する容器体の
上面に、水晶振動子を実装するとともに、気密封止し、
且つ前記キャビティー部内に、水晶振動子の温度補償を
行うためＩＣチップを収容して成る温度補償水晶発振器
であって、前記キャビティー部の内表面に、前記水晶振動子に接続
するモニタ電極パッドを形成したことを特徴とする温度
補償型水晶発振器。
【請求項２】下面にキャビティー部を有し、上面に水晶
振動子が実装される電極パッドを、該キャビティー部の
内表面にモニタ電極パッドを設けた容器体を準備する工
程と、前記容器体の上面に水晶振動子を実装するとともに、該
水晶振動子を前記モニタ電極パッドに接続する前記工程
と、前記モニタ電極パッドを用いて前記水晶振動子の発振特
性を測定しつつ、必要に応じて発振特性の調整を行う工
程と、前記水晶振動子を熱エージングする工程と、前記水晶振動子を蓋体で気密封止する蓋体を被覆する工
程と、前記キャビティー部内にＩＣチップを収容する工程と、前記ＩＣチップに前記水晶振動子の温度補償を行うため
の温度補償データを書き込む工程とから成ることを特徴
とする温度補償型水晶発振器の製造方法。