JP7169648B2 - 二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体及びその製造方法、並びに二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体を用いるハロゲン化アリルのヒドロシリル化 - Google Patents
二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体及びその製造方法、並びに二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体を用いるハロゲン化アリルのヒドロシリル化 Download PDFInfo
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Description
本発明は二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体及びその製造方法、並びに二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体を用いるハロゲン化アリルのヒドロシリル化に関する。
トリクロロ（３－クロロプロピル）シランは、各種シランカップリング剤へと容易に変換できることから、有機ケイ素化学工業における重要な中間原料である。そのため、その最も直截的な合成法である、トリクロロシランによる塩化アリルのヒドロシリル化反応の開発が活発に行われ、これまでに様々な触媒が報告されている（非特許文献１～３参照。）。しかしながら、塩化アリルのヒドロシリル化反応では、単純なオレフィンのヒドロシリル化反応において一般的な副反応である内部オレフィンへの異性化や水素化、脱水素シリル化だけでなく、塩化アリルと触媒が反応してπ－アリル錯体を形成し、これが各種副反応を引き起こすことが知られている。そのため、目的とするヒドロシリル化体の収率が低下し、さらには副生成物除去工程を組み込む必要が生じるなど、解決すべき課題が残されていた。特に、オレフィンのヒドロシリル化反応の触媒として広く用いられている白金系の触媒を用いると、この副反応が顕著に起こることが知られている。
また、各種ロジウム錯体もオレフィンのヒドロシリル化触媒として有効であることが知られており（特許文献１、非特許文献４～７参照）、（Ｒ３Ｐ）３ＲｈＣｌで表されるＷｉｌｋｉｎｓｏｎ錯体及びその類縁体を触媒に用いる反応系ではリン原子上の置換基Ｒが触媒の安定性および活性に大きな影響を及ぼすことや（非特許文献７参照）、二座ホスフィン配位子を有するロジウム－ヒドリド錯体が触媒活性を有することが報告されている（非特許文献７参照）。
また、各種ロジウム錯体もオレフィンのヒドロシリル化触媒として有効であることが知られており（特許文献１、非特許文献４～７参照）、（Ｒ３Ｐ）３ＲｈＣｌで表されるＷｉｌｋｉｎｓｏｎ錯体及びその類縁体を触媒に用いる反応系ではリン原子上の置換基Ｒが触媒の安定性および活性に大きな影響を及ぼすことや（非特許文献７参照）、二座ホスフィン配位子を有するロジウム－ヒドリド錯体が触媒活性を有することが報告されている（非特許文献７参照）。
Ｐ．Ｇｉｇｌｅｒ，ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｃａｔａｌ．，２０１２，２９５，１．
Ｋ．Ｒｉｅｎｅｒ，ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｃａｔａｌ．，２０１５，３３１，２０３．
Ｄ．Ｔｒｏｅｇｅｌ，ｅｔ ａｌ．，Ｃｏｏｒｄ．Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，２５５，２０１１，１４４０．
Ｆ．ｄｅ Ｃｈａｒｅｎｔｅｎａｙ，ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ａ．，１９６８，７８７．
Ｒ．Ｎ．Ｈａｓｚｅｌｄｉｎｅ，ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ａ．，１９６９，６８３．
Ａ．Ｏｎｏｐｃｈｅｎｋｏ，ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９８３，５１０１．
Ｒ．Ｎ．Ｈａｓｚｅｌｄｉｎｅ，ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｄａｌｔｏｎ Ｔｒａｎｓ．，１９７４，２３１１．
本発明が解決しようとする課題は、３－ハロプロピルシランの製造における触媒として使用可能な錯体およびその製造方法を提供し、３－ハロプロピルシランを効率良く製造することである。
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、新規な二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体を見出し、本発明を完成させた。
本発明の実施形態には以下が含まれる。
［１］ 式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）の何れかで表されるロジウム錯体。
（式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）中、Ｒ１はそれぞれ独立して水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ２は酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基を、Ｒ３は単結合、オキサ基（－Ｏ－）、又は酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基を、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立して酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基
を、Ｙは塩化物イオン（Ｃｌ－）、臭化物イオン（Ｂｒ－）、ヨウ化物イオン（Ｉ－）、メトキシド（ＭｅＯ－）、ヒドロキシド（ＯＨ－）、テトラフルオロボレート（ＢＦ４ －）、ヘキサフルオロアンチモネート（ＳｂＦ６ －）、テトラキス［ビス（３，５－トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、及びトリフラート（ＯＴｆ－）からなる群より選択される配位子若しくは対イオンを、ｍ及びｎはそれぞれ独立して０～４の整数を表す。但し、式（Ｃ－１）中、Ｒ１がフェニル基かつＲ２の炭素原子数が２～４の場合、Ｒ２は置換基及び／又は分岐構造を有し、式（Ｃ－２）中に２つ以上のＲ４が存在する場合、２つ以上のＲ４が互いに連結していてもよく、式（Ｃ－３）中に２つ以上のＲ５が存在する場合、２つ以上のＲ５が互いに連結していてもよい。）
［２］ ロジウム前駆錯体（Ａ）と二座ホスフィン配位子（Ｂ）を溶媒の存在下で反応させて二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）を生成する工程、及び
前記工程で得られる反応液から前記二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）を取得する工程、を含み、
前記二座ホスフィン配位子（Ｂ）が式（Ｐ－１）～（Ｐ－３）の何れかで表される配位子であり、前記二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）がそれぞれ式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）で表される錯体である、二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体の製造方法。
（式（Ｐ－１）～（Ｐ－３）並びに式（Ｃ）及び式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）中、Ｒ１はそれぞれ独立して水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ２は酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基を、Ｒ３は単結合、オキサ基（－Ｏ－）、又は酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基を、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立して酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｙは塩化物イオン（Ｃｌ－）、臭化物イオン（Ｂｒ－）、ヨウ化物イオン（Ｉ－）、メトキシド（ＭｅＯ－）、ヒドロキシド（ＯＨ－）、テトラフルオロボレート（ＢＦ４
－）、ヘキサフルオロアンチモネート（ＳｂＦ６
－）、テトラキス［ビス（３，５－トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、及びトリフラート（ＯＴｆ－）からなる群より選択される配位子若しくは対イオンを、ｍ及びｎはそれぞれ独立して０～４の整数を表す。但し、式（Ｃ－１）中、Ｒ１がフェニル基かつＲ２の炭素原子数が２～４の場合、Ｒ２は置換基及び／又は分岐構造を有し、式（Ｐ－２）及び式（Ｃ－２）中に２つ以上のＲ４が存在する場合、２つ以上のＲ４が互いに連結していてもよく、式（Ｐ－３）及び式（Ｃ－３）中に２つ以上のＲ５が存在する場合、２
つ以上のＲ５が互いに連結していてもよい。）
［３］ 式（Ｃ－１’）～（Ｃ－３）の何れかで表されるロジウム錯体の存在下、式（Ｄ）で表されるハロゲン化アリルと式（Ｅ）で表されるヒドロシランを反応させて式（Ｆ）で表される３－ハロプロピルシランを生成する反応工程を含む、ハロプロピルシランの製造方法。
（式（Ｃ－１’）～（Ｃ－３）中、Ｒ１はそれぞれ独立して水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ２は酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基を、Ｒ３は単結合、オキサ基（－Ｏ－）、又は酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基を、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立して酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｙは塩化物イオン（Ｃｌ－）、臭化物イオン（Ｂｒ－）、ヨウ化物イオン（Ｉ－）、メトキシド（ＭｅＯ－）、ヒドロキシド（ＯＨ－）、テトラフルオロボレート（ＢＦ４
－）、ヘキサフルオロアンチモネート（ＳｂＦ６
－）、テトラキス［ビス（３，５－トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、及びトリフラート（ＯＴｆ－）からなる群より選択される配位子若しくは対イオンを、ｍ及びｎはそれぞれ独立して０～４の整数を表す。但し、式（Ｃ－２）中に２つ以上のＲ４が存在する場合、２つ以上のＲ４が互いに連結し
ていてもよく、式（Ｃ－３）中に２つ以上のＲ５が存在する場合、２つ以上のＲ５が互いに連結していてもよい。）
（式（Ｄ）～（Ｆ）中、Ｘは塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を、Ｒ６は水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ７は水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ８は水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ９は水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を表す。Ｒ１０はそれぞれ独立して水素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子素数１～２０のアルコキシ基、炭素原子素数０～３０のシリルオキシ基、又はハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を表す。）
本発明の実施形態には以下が含まれる。
［１］ 式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）の何れかで表されるロジウム錯体。
を、Ｙは塩化物イオン（Ｃｌ－）、臭化物イオン（Ｂｒ－）、ヨウ化物イオン（Ｉ－）、メトキシド（ＭｅＯ－）、ヒドロキシド（ＯＨ－）、テトラフルオロボレート（ＢＦ４ －）、ヘキサフルオロアンチモネート（ＳｂＦ６ －）、テトラキス［ビス（３，５－トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、及びトリフラート（ＯＴｆ－）からなる群より選択される配位子若しくは対イオンを、ｍ及びｎはそれぞれ独立して０～４の整数を表す。但し、式（Ｃ－１）中、Ｒ１がフェニル基かつＲ２の炭素原子数が２～４の場合、Ｒ２は置換基及び／又は分岐構造を有し、式（Ｃ－２）中に２つ以上のＲ４が存在する場合、２つ以上のＲ４が互いに連結していてもよく、式（Ｃ－３）中に２つ以上のＲ５が存在する場合、２つ以上のＲ５が互いに連結していてもよい。）
［２］ ロジウム前駆錯体（Ａ）と二座ホスフィン配位子（Ｂ）を溶媒の存在下で反応させて二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）を生成する工程、及び
前記工程で得られる反応液から前記二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）を取得する工程、を含み、
前記二座ホスフィン配位子（Ｂ）が式（Ｐ－１）～（Ｐ－３）の何れかで表される配位子であり、前記二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）がそれぞれ式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）で表される錯体である、二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体の製造方法。
つ以上のＲ５が互いに連結していてもよい。）
［３］ 式（Ｃ－１’）～（Ｃ－３）の何れかで表されるロジウム錯体の存在下、式（Ｄ）で表されるハロゲン化アリルと式（Ｅ）で表されるヒドロシランを反応させて式（Ｆ）で表される３－ハロプロピルシランを生成する反応工程を含む、ハロプロピルシランの製造方法。
ていてもよく、式（Ｃ－３）中に２つ以上のＲ５が存在する場合、２つ以上のＲ５が互いに連結していてもよい。）
本発明の一態様によれば、二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体が提供される。また、本発明の他の一態様によれば、二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体の製造方法が提供される。さらに、本発明の他の一態様によれば、３－ハロプロピルシランを効率良く製造することができる有機ケイ素化合物の製造方法が提供される。
以下、本発明の一実施形態に係るロジウム錯体について説明する。
本発明の一実施形態に係るロジウム錯体の詳細を説明するに当たり、具体例を挙げて説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り以下の内容に限定されるものではなく、適宜変更して実施することができる。
本発明の一実施形態に係るロジウム錯体の詳細を説明するに当たり、具体例を挙げて説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り以下の内容に限定されるものではなく、適宜変更して実施することができる。
＜ロジウム錯体＞
本実施形態に係る発明は、式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）の何れかで表されることを特徴とするロジウム錯体である。
式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）中、Ｒ１はそれぞれ独立して水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ２は酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基を、Ｒ３は単結合、オキサ基（－Ｏ－）、又は酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基を、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立して酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｙは塩化物イオン（Ｃｌ－）、臭化物イオン（Ｂｒ－）、ヨウ化物イオン（Ｉ－）、メトキシド（ＭｅＯ－）、ヒドロキシド（ＯＨ－）、テトラフルオロボレート（ＢＦ４
－）、ヘキサフルオロアンチモネート（ＳｂＦ６
－）、テトラキス［ビス（３，５－トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、及びトリフラート（ＯＴｆ－）からなる群より選択される配位子若しくは対イオンを、ｍ及びｎはそれぞれ独立して０～４の整数を表す。但し、式（Ｃ－１）中、Ｒ１がフェニル基かつＲ２の炭素原子数が２～４の場合、Ｒ２は置換基及び／又は分岐構造を有し、式（Ｃ－２）中に２つ以上のＲ４が存在する場合、２つ以上のＲ４が互いに連結していてもよく、式（Ｃ－３）中に２つ以上のＲ５が存在する場合、２つ以上のＲ５が互いに連結していてもよい。
式中のＲ１は、それぞれ独立して「水素原子」、又は「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表しているが、「炭化水素基」は、分岐構造、環状構造、及び炭素－炭素不飽和結合（炭素－炭素二重結合、炭素－炭素三重結合）のそれぞれを有していてもよく、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基等の何れであってもよいものとする。
また、「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい」とは、炭化水素基の水素原子がハロゲン原子からなる１価の官能基で置換されていてもよいほか、炭化水素基の炭素骨格内部の炭素原子が酸素原子からなる２価の官能基（連結基）で置換されていてもよいことを意味する。
Ｒ１の炭化水素基の炭素原子数は、通常１５以下、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下であり、Ｒ１が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ１に含まれる官能基や連結基としては、エーテル基（オキサ基、－Ｏ－）、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ１としては、水素原子、メチル基（－ＣＨ３，－Ｍｅ）、エチル基（－Ｃ２Ｈ５，－Ｅｔ）、ｎ－プロピル基（－ｎＣ３Ｈ７，－ｎＰｒ）、ｉ－プロピル基（－ｉＣ３Ｈ７，－ｉＰｒ）、ｎ－ブチル基（－ｎＣ４Ｈ９，－ｎＢｕ）、ｉ－ブチル基（－ｉＣ４Ｈ９，－ｉＢｕ）、ｔ－ブチル基（－ｔＣ４Ｈ９，－ｔＢｕ）、ｎ－ペンチル基（－ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ－ヘキシル基（－ｎＣ６Ｈ１３，－ｎＨｅｘ）、シクロペンチル基（－ｃＣ５Ｈ９，－ｃＰｅｎｔ）、シクロヘキシル基（－ｃＣ６Ｈ１１，－Ｃｙ）、フェニル基（－Ｃ６Ｈ５，－Ｐｈ）、ｐ－トリル基（－Ｃ６Ｈ４ＣＨ３，－ｐＴｏｌ）、キシリル基（－Ｃ６Ｈ３（ＣＨ３）２，－Ｘｙｌｙｌ）、ｐ－トリフルオロメチルフェニル基（－Ｃ６Ｈ４ＣＦ３）、ｐ－メトキシフェニル基（－Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ３））、ｐ－ジメチルアミノフェニル基（－Ｃ６Ｈ４Ｎ（ＣＨ３）２）、３，５－ビス（トリフルオロメチル)フェニル基（－Ｃ６Ｈ３（ＣＦ３）２）等が挙げられる。
本実施形態に係る発明は、式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）の何れかで表されることを特徴とするロジウム錯体である。
式中のＲ１は、それぞれ独立して「水素原子」、又は「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表しているが、「炭化水素基」は、分岐構造、環状構造、及び炭素－炭素不飽和結合（炭素－炭素二重結合、炭素－炭素三重結合）のそれぞれを有していてもよく、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基等の何れであってもよいものとする。
また、「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい」とは、炭化水素基の水素原子がハロゲン原子からなる１価の官能基で置換されていてもよいほか、炭化水素基の炭素骨格内部の炭素原子が酸素原子からなる２価の官能基（連結基）で置換されていてもよいことを意味する。
Ｒ１の炭化水素基の炭素原子数は、通常１５以下、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下であり、Ｒ１が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ１に含まれる官能基や連結基としては、エーテル基（オキサ基、－Ｏ－）、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ１としては、水素原子、メチル基（－ＣＨ３，－Ｍｅ）、エチル基（－Ｃ２Ｈ５，－Ｅｔ）、ｎ－プロピル基（－ｎＣ３Ｈ７，－ｎＰｒ）、ｉ－プロピル基（－ｉＣ３Ｈ７，－ｉＰｒ）、ｎ－ブチル基（－ｎＣ４Ｈ９，－ｎＢｕ）、ｉ－ブチル基（－ｉＣ４Ｈ９，－ｉＢｕ）、ｔ－ブチル基（－ｔＣ４Ｈ９，－ｔＢｕ）、ｎ－ペンチル基（－ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ－ヘキシル基（－ｎＣ６Ｈ１３，－ｎＨｅｘ）、シクロペンチル基（－ｃＣ５Ｈ９，－ｃＰｅｎｔ）、シクロヘキシル基（－ｃＣ６Ｈ１１，－Ｃｙ）、フェニル基（－Ｃ６Ｈ５，－Ｐｈ）、ｐ－トリル基（－Ｃ６Ｈ４ＣＨ３，－ｐＴｏｌ）、キシリル基（－Ｃ６Ｈ３（ＣＨ３）２，－Ｘｙｌｙｌ）、ｐ－トリフルオロメチルフェニル基（－Ｃ６Ｈ４ＣＦ３）、ｐ－メトキシフェニル基（－Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ３））、ｐ－ジメチルアミノフェニル基（－Ｃ６Ｈ４Ｎ（ＣＨ３）２）、３，５－ビス（トリフルオロメチル)フェニル基（－Ｃ６Ｈ３（ＣＦ３）２）等が挙げられる。
式（Ｃ－１）中のＲ２は、「酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基」を表しているが、「酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい」と「炭化水素基」は、Ｒ１の場合と同義であり、「２価の炭化水素基」とは、２個の結合部位を有する炭化水素基を意味する。
Ｒ２の炭化水素基の炭素原子数は、通常２０以下、好ましくは１５以下、より好ましくは１０以下であり、Ｒ２が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ２に含まれる官能基や連結基としては、エーテル基（オキサ基、－Ｏ－）、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。中でも、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）が好ましい。
Ｒ２としては、メチレン基（－ＣＨ２－）、エチレン基（－Ｃ２Ｈ４－）、ｎ－プロピレン基（－Ｃ３Ｈ６－）、ｎ－ブチレン基（－Ｃ４Ｈ８－）、ｎ－ペンチレン基（－Ｃ５Ｈ１０－）、ｎ－ヘキシレン基（－Ｃ６Ｈ１２－）、フェニレン基（－Ｃ６Ｈ４－）等が挙げられる。この中でも、ｎ－プロピレン基、ｎ－ブチレン基、置換基を有していてもよいフェニレン基が好ましく、置換基を有していてもよいフェニレン基が特に好ましい。
「Ｒ１がフェニル基かつＲ２の炭素原子数が２～４の場合、Ｒ２は置換基及び／又は分岐構造を有」するとは、Ｒ２はエチレン基、ｎ－プロピレン基、ｎ－ブチレン基以外であり、例えば、－ＣＨ（ＣＨ３）－、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－などが挙げられる。
Ｒ２の炭化水素基の炭素原子数は、通常２０以下、好ましくは１５以下、より好ましくは１０以下であり、Ｒ２が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ２に含まれる官能基や連結基としては、エーテル基（オキサ基、－Ｏ－）、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。中でも、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）が好ましい。
Ｒ２としては、メチレン基（－ＣＨ２－）、エチレン基（－Ｃ２Ｈ４－）、ｎ－プロピレン基（－Ｃ３Ｈ６－）、ｎ－ブチレン基（－Ｃ４Ｈ８－）、ｎ－ペンチレン基（－Ｃ５Ｈ１０－）、ｎ－ヘキシレン基（－Ｃ６Ｈ１２－）、フェニレン基（－Ｃ６Ｈ４－）等が挙げられる。この中でも、ｎ－プロピレン基、ｎ－ブチレン基、置換基を有していてもよいフェニレン基が好ましく、置換基を有していてもよいフェニレン基が特に好ましい。
「Ｒ１がフェニル基かつＲ２の炭素原子数が２～４の場合、Ｒ２は置換基及び／又は分岐構造を有」するとは、Ｒ２はエチレン基、ｎ－プロピレン基、ｎ－ブチレン基以外であり、例えば、－ＣＨ（ＣＨ３）－、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－などが挙げられる。
式（Ｃ－２）中のＲ３は、「単結合」、「オキサ基（－Ｏ－）」、又は「酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原
子数１～２０の２価の炭化水素基」を表しているが、「酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい」と「２価の炭化水素基」はＲ２の場合と同義であり、「単結合」は２つのベンゼン環が直接単結合で結合していることを、「オキサ基（－Ｏ－）」は２つのベンゼン環がオキサ基を介して結合していることを意味する。
Ｒ３の炭化水素基の炭素原子数は、通常１５以下、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下であり、Ｒ３が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ３に含まれる官能基や連結基としては、エーテル基（オキサ基、－Ｏ－）、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ３としては、単結合、オキサ基（－Ｏ－）、メチレン基（－ＣＨ２－）、エチレン基（－Ｃ２Ｈ４－）、ｎ－プロピレン基（－Ｃ３Ｈ６－）、ｎ－ブチレン基（－Ｃ４Ｈ８－）、ｎ－ペンチレン基（－Ｃ５Ｈ１０－）、ｎ－ヘキシレン基（－Ｃ６Ｈ１２－）等が挙げられる。
子数１～２０の２価の炭化水素基」を表しているが、「酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい」と「２価の炭化水素基」はＲ２の場合と同義であり、「単結合」は２つのベンゼン環が直接単結合で結合していることを、「オキサ基（－Ｏ－）」は２つのベンゼン環がオキサ基を介して結合していることを意味する。
Ｒ３の炭化水素基の炭素原子数は、通常１５以下、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下であり、Ｒ３が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ３に含まれる官能基や連結基としては、エーテル基（オキサ基、－Ｏ－）、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ３としては、単結合、オキサ基（－Ｏ－）、メチレン基（－ＣＨ２－）、エチレン基（－Ｃ２Ｈ４－）、ｎ－プロピレン基（－Ｃ３Ｈ６－）、ｎ－ブチレン基（－Ｃ４Ｈ８－）、ｎ－ペンチレン基（－Ｃ５Ｈ１０－）、ｎ－ヘキシレン基（－Ｃ６Ｈ１２－）等が挙げられる。
式（Ｃ－２）及び式（Ｃ－３）中のＲ４及びＲ５は、それぞれ独立して「酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表し、「式（Ｐ－２）中に２つ以上のＲ４が存在する場合、２つ以上のＲ４が互いに連結していてもよく、式（Ｐ－３）中に２つ以上のＲ５が存在する場合、２つ以上のＲ５が互いに連結していてもよい」が、「酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい」と「炭化水素基」は、Ｒ１の場合と同義である。
Ｒ４やＲ５が「互いに連結していてもよい」とは、例えば下記の左側の式のように、同一の環に結合している２つのＲ４やＲ５が互いに結合してナフタレン構造のような多環を形成していること、また下記の右側の式のように、異なる環に結合している２つのＲ４やＲ５が互いに結合して、２つの環を連結していることが含まれるものとする。
Ｒ４やＲ５の炭化水素基の炭素原子数は、通常１５以下、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下であり、Ｒ４やＲ５が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。なお、Ｒ４やＲ５が互いに連結している場合の炭素原子数は、連結しているＲ４やＲ５の総炭素原子数が１～２０になるものとする。
Ｒ４やＲ５の炭化水素基の炭素原子数は、通常１５以下、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下であり、Ｒ４やＲ５が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ４やＲ５に含まれる官能基や連結基としては、エーテル基（オキサ基、－Ｏ－）、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ４やＲ５としては、メチル基（－ＣＨ３，－Ｍｅ）、エチル基（－Ｃ２Ｈ５，－Ｅｔ）、ｎ－プロピル基（－ｎＣ３Ｈ７，－ｎＰｒ）、ｉ－プロピル基（－ｉＣ３Ｈ７，－ｉＰｒ）、ｎ－ブチル基（－ｎＣ４Ｈ９，－ｎＢｕ）、ｔ－ブチル基（－ｔＣ４Ｈ９，－ｔＢｕ）、ｎ－ペンチル基（－ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ－ヘキシル基（－ｎＣ６Ｈ１３，－ｎＨ
ｅｘ）、シクロヘキシル基（－ｃＣ６Ｈ１１，－Ｃｙ）、フェニル基（－Ｃ６Ｈ５，－Ｐｈ）等が挙げられる。
Ｒ４やＲ５が「互いに連結していてもよい」とは、例えば下記の左側の式のように、同一の環に結合している２つのＲ４やＲ５が互いに結合してナフタレン構造のような多環を形成していること、また下記の右側の式のように、異なる環に結合している２つのＲ４やＲ５が互いに結合して、２つの環を連結していることが含まれるものとする。
Ｒ４やＲ５の炭化水素基の炭素原子数は、通常１５以下、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下であり、Ｒ４やＲ５が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ４やＲ５に含まれる官能基や連結基としては、エーテル基（オキサ基、－Ｏ－）、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ４やＲ５としては、メチル基（－ＣＨ３，－Ｍｅ）、エチル基（－Ｃ２Ｈ５，－Ｅｔ）、ｎ－プロピル基（－ｎＣ３Ｈ７，－ｎＰｒ）、ｉ－プロピル基（－ｉＣ３Ｈ７，－ｉＰｒ）、ｎ－ブチル基（－ｎＣ４Ｈ９，－ｎＢｕ）、ｔ－ブチル基（－ｔＣ４Ｈ９，－ｔＢｕ）、ｎ－ペンチル基（－ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ－ヘキシル基（－ｎＣ６Ｈ１３，－ｎＨ
ｅｘ）、シクロヘキシル基（－ｃＣ６Ｈ１１，－Ｃｙ）、フェニル基（－Ｃ６Ｈ５，－Ｐｈ）等が挙げられる。
式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）中、Ｙは塩化物イオン（Ｃｌ－）、臭化物イオン（Ｂｒ－）、ヨウ化物イオン（Ｉ－）、メトキシド（ＭｅＯ－）、ヒドロキシド（ＯＨ－）、テトラフルオロボレート（ＢＦ４
－）、ヘキサフルオロアンチモネート（ＳｂＦ６
－）、テトラキス［ビス（３，５－トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、及びトリフラート（ＯＴｆ－）からなる群より選択される配位子若しくは対イオンを表し、好ましくは塩化物イオン（Ｃｌ－）、臭化物イオン（Ｂｒ－）、ヨウ化物イオン（Ｉ－）、メトキシド（ＭｅＯ－）、又はヒドロキシド（ＯＨ－）であり、特に好ましくは塩化物イオン（Ｃｌ－）である。
式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）で表されるロジウム錯体の具体例としては、以下が挙げられる。
上記の式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）で表されるロジウム錯体は既知の有機合成反応を適宜組み合わせることによって製造可能であるが、次に説明するロジウム錯体の製造方法により好適に製造することが出来る。
＜ロジウム錯体（Ｃ）の製造方法＞
本発明の一実施形態に係る式（Ｃ）で表されるロジウム錯体の製造方法（以下、「本発明の合成方法」と略す場合がある。）は、ロジウム前駆錯体（Ａ）と二座ホスフィン配位子（Ｂ）を溶媒の存在下で反応させて、二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）（以下、「ロジウム錯体」と表記することがある。）を生成する工程、及び前記で得られる反応液から前記二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）を取得する工程を含むことを特徴とする。
ここで、二座ホスフィン配位子（Ｂ）が式（Ｐ－１）で表される配位子の場合、生成するロジウム錯体（Ｃ）は式（Ｃ－１）で表される錯体であり、二座ホスフィン配位子（Ｂ）が式（Ｐ－２）で表される配位子の場合、生成するロジウム錯体（Ｃ）は式（Ｃ－２）で表される錯体であり、二座ホスフィン配位子（Ｂ）が式（Ｐ－３）で表される配位子の場合、生成するロジウム錯体（Ｃ）は式（Ｃ－３）で表される錯体である。
式（Ｐ－１）～（Ｐ－３）並びに式（Ｃ）及び式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）中、Ｒ１はそれぞれ独立して水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ２は酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基を、Ｒ３は単結合、オキサ基（－Ｏ－）、又は酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基を、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立して酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｙは塩化物イオン（Ｃｌ－）、臭化物イオン（Ｂｒ－）、ヨウ化物イオン（Ｉ－）、メトキシド（ＭｅＯ－）、ヒドロキシド（ＯＨ－）、テトラフルオロボレート（ＢＦ４
－）、ヘキサフルオロアンチモネート（ＳｂＦ６
－）、テトラキス［ビス（３，５－トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、及びトリフラート（ＯＴｆ－）からなる群より選択される配位子若しくは対イオンを表し、ｍ及びｎはそれぞれ独立して０～４の整数を表す。但し、式（Ｃ－１）中、Ｒ１がフェニル基かつＲ２の炭素原子数が２～４の場合、Ｒ２は置換基及び／又は分岐構造を有し、式（Ｐ－２）及び式（Ｃ－２）中に２つ以上のＲ４が存在する場合、２つ以上のＲ４が互いに連結していてもよく、式（Ｐ－３）及び式（Ｃ－３）中に２つ以上のＲ５が存在する場合
、２つ以上のＲ５が互いに連結していてもよい。
本発明の一実施形態に係る式（Ｃ）で表されるロジウム錯体の製造方法（以下、「本発明の合成方法」と略す場合がある。）は、ロジウム前駆錯体（Ａ）と二座ホスフィン配位子（Ｂ）を溶媒の存在下で反応させて、二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）（以下、「ロジウム錯体」と表記することがある。）を生成する工程、及び前記で得られる反応液から前記二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）を取得する工程を含むことを特徴とする。
ここで、二座ホスフィン配位子（Ｂ）が式（Ｐ－１）で表される配位子の場合、生成するロジウム錯体（Ｃ）は式（Ｃ－１）で表される錯体であり、二座ホスフィン配位子（Ｂ）が式（Ｐ－２）で表される配位子の場合、生成するロジウム錯体（Ｃ）は式（Ｃ－２）で表される錯体であり、二座ホスフィン配位子（Ｂ）が式（Ｐ－３）で表される配位子の場合、生成するロジウム錯体（Ｃ）は式（Ｃ－３）で表される錯体である。
、２つ以上のＲ５が互いに連結していてもよい。
＜＜式（Ｃ）で表されるロジウム錯体を生成する工程＞＞
本発明の一実施形態に係るロジウム錯体の製造方法は、ロジウム前駆錯体（Ａ）と二座ホスフィン配位子（Ｂ）を溶媒の存在下で反応させて二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）を生成する工程を含む（以下、「ロジウム錯体生成工程」ともいう。）。
以下、「ロジウム前駆体（Ａ）」、「二座ホスフィン配位子（Ｂ）」、「反応工程」の条件等について詳細に説明する。「二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）」は、上記で説明した式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）の何れかで表されるロジウム錯体である。
本発明の一実施形態に係るロジウム錯体の製造方法は、ロジウム前駆錯体（Ａ）と二座ホスフィン配位子（Ｂ）を溶媒の存在下で反応させて二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）を生成する工程を含む（以下、「ロジウム錯体生成工程」ともいう。）。
以下、「ロジウム前駆体（Ａ）」、「二座ホスフィン配位子（Ｂ）」、「反応工程」の条件等について詳細に説明する。「二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）」は、上記で説明した式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）の何れかで表されるロジウム錯体である。
・ロジウム前駆体（Ａ）
ロジウム前駆体（Ａ）は、ロジウム（Ｒｈ）を含む前駆体であり、目的とするロジウム錯体に応じて適宜選択すればよく、ロジウム（Ｒｈ）の酸化数は、通常＋１である。また、Ｙで表される配位子若しくは対イオンは、塩化物イオン（Ｃｌ－）、臭化物イオン（Ｂｒ－）、ヨウ化物イオン（Ｉ－）、メトキシド（ＭｅＯ－）、テトラフルオロボレート（ＢＦ４ －）、ヘキサフルオロアンチモネート（ＳｂＦ６ －）、テトラキス［ビス（３,５－トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、及びトリフラート（ＯＴｆ－）からなる群より選択される。
このような前駆体としては、例えば、［Ｒｈ（ｄｉｏｌｅｆｉｎ）Ｙ］２、［Ｒｈ（ｄｉｏｌｅｆｉｎ）２Ｙ］、［Ｒｈ（ｏｌｅｆｉｎ）２Ｙ］２で表されるロジウム錯体が挙げられる。
具体的には［Ｒｈ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｎｂｄ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｃｏｅ）２Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ）２Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｃｏｄ）ＯＨ］２や［Ｒｈ（ｃｏｄ）ＯＭｅ］２が挙げられる。
好ましくは、［Ｒｈ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｃｏｅ）２Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｃｏｄ）ＯＨ］２や［Ｒｈ（ｃｏｄ）ＯＭｅ］２が挙げられ、好ましくは、［Ｒｈ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｃｏｅ）２Ｃｌ］２が挙げられる。
ロジウム前駆体（Ａ）は、ロジウム（Ｒｈ）を含む前駆体であり、目的とするロジウム錯体に応じて適宜選択すればよく、ロジウム（Ｒｈ）の酸化数は、通常＋１である。また、Ｙで表される配位子若しくは対イオンは、塩化物イオン（Ｃｌ－）、臭化物イオン（Ｂｒ－）、ヨウ化物イオン（Ｉ－）、メトキシド（ＭｅＯ－）、テトラフルオロボレート（ＢＦ４ －）、ヘキサフルオロアンチモネート（ＳｂＦ６ －）、テトラキス［ビス（３,５－トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、及びトリフラート（ＯＴｆ－）からなる群より選択される。
このような前駆体としては、例えば、［Ｒｈ（ｄｉｏｌｅｆｉｎ）Ｙ］２、［Ｒｈ（ｄｉｏｌｅｆｉｎ）２Ｙ］、［Ｒｈ（ｏｌｅｆｉｎ）２Ｙ］２で表されるロジウム錯体が挙げられる。
具体的には［Ｒｈ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｎｂｄ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｃｏｅ）２Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ）２Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｃｏｄ）ＯＨ］２や［Ｒｈ（ｃｏｄ）ＯＭｅ］２が挙げられる。
好ましくは、［Ｒｈ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｃｏｅ）２Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｃｏｄ）ＯＨ］２や［Ｒｈ（ｃｏｄ）ＯＭｅ］２が挙げられ、好ましくは、［Ｒｈ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｃｏｅ）２Ｃｌ］２が挙げられる。
・二座ホスフィン配位子（Ｂ）
二座ホスフィン配位子（Ｂ）は、２つのホスフィノ基によって中心金属に配位する配位子を意味し、目的とするロジウム錯体（Ｃ－１）～（Ｃ－３）に応じて適宜選択すればよく、式（Ｐ－１）～（Ｐ－３）で表される化合物である配位子が挙げられる。以下、「式（Ｐ－１）～（Ｐ－３）の何れかで表される配位子」について説明する。
式（Ｐ－１）～（Ｐ－３）中、Ｒ１はそれぞれ独立して水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ２は酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基を、Ｒ３は単結合、オキサ基（－Ｏ－）、又は酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の
炭化水素基を、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立して酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、ｍ及びｎはそれぞれ独立して０～４の整数を表す。但し、式（Ｃ－１）中、Ｒ１がフェニル基かつＲ２の炭素原子数が２～４の場合、Ｒ２は置換基及び／又は分岐構造を有し、式（Ｐ－２）中に２つ以上のＲ４が存在する場合、２つ以上のＲ４が互いに連結していてもよく、式（Ｐ－３）中に２つ以上のＲ５が存在する場合、２つ以上のＲ５が互いに連結していてもよい。
式（Ｐ－１）～（Ｐ－３）中のＲ１は、それぞれ独立して「水素原子」、又は「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表しているが、式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）のＲ１の説明が適用され、好ましい態様も同様である。
二座ホスフィン配位子（Ｂ）は、２つのホスフィノ基によって中心金属に配位する配位子を意味し、目的とするロジウム錯体（Ｃ－１）～（Ｃ－３）に応じて適宜選択すればよく、式（Ｐ－１）～（Ｐ－３）で表される化合物である配位子が挙げられる。以下、「式（Ｐ－１）～（Ｐ－３）の何れかで表される配位子」について説明する。
炭化水素基を、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立して酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、ｍ及びｎはそれぞれ独立して０～４の整数を表す。但し、式（Ｃ－１）中、Ｒ１がフェニル基かつＲ２の炭素原子数が２～４の場合、Ｒ２は置換基及び／又は分岐構造を有し、式（Ｐ－２）中に２つ以上のＲ４が存在する場合、２つ以上のＲ４が互いに連結していてもよく、式（Ｐ－３）中に２つ以上のＲ５が存在する場合、２つ以上のＲ５が互いに連結していてもよい。
式（Ｐ－１）～（Ｐ－３）中のＲ１は、それぞれ独立して「水素原子」、又は「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表しているが、式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）のＲ１の説明が適用され、好ましい態様も同様である。
式（Ｐ－１）中のＲ２は、「酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基」を表しているが、式（Ｃ－１）のＲ２の説明が適用され、好ましい態様も同様である。
式（Ｐ－２）中のＲ３は、「単結合」、「オキサ基（－Ｏ－）」、又は「酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基」を表しているが、式（Ｃ－２）のＲ３の説明が適用され、好ましい態様も同様である。
式（Ｐ－２）及び式（Ｐ－３）中のＲ４及びＲ５は、それぞれ独立して「酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表し、式（Ｃ－２）及び式（Ｃ－３）中のＲ４及びＲ５の説明が適用され、好ましい態様も同様である。
式（Ｐ－１）～（Ｐ－３）の何れかで表される配位子としては、１，３－ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンが最適であるが、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン（ｄｐｐｍ）や、１，２－ビス（ジフェニルホスフィノ）ベンゼン（ｄｐｐｂｚ）、１，２－ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタフルオロベンゼン（ｄｐｐｂｚＦ）１，２－ビス（ジ（４－メトキシフェニル）ホスフィノ）ベンゼン（ＭｅＯ－ｄｐｐｂｚ）、１，２－ビス（ジ（３，５－ジトリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ）ベンゼン（ＣＦ３－ｄｐｐｂｚ）、１，２－ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン（ｄｐｐｅ）、１，３－ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン（ｄｐｐｐ）、１，４－ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン（ｄｐｐｂ）、２，２’－ビス（ジフェニルホスフィノ）－１，１’－ビナフチル（ＢＩＮＡＰ））等が挙げられる。１，２－ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，４－ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，５－ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン、１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、２，２’－ビス（ジフェニルホスフィノ）ビフェニル、１，２－ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン、１，３－ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）プロパン等が挙げられる（下記式参照。）。より好ましくは、ｄｐｐｂｚ、ＭｅＯ－ｄｐｐｂｚ、ＣＦ３－ｄｐｐｂｚ、ｄｐｐｂｚＦ、ｄｐｐｅ、ｄｐｐｐ、ｄｐｐｂ、特に好ましくは、ｄｐｐｂｚ、ＭｅＯ－ｄｐｐｂｚ、ＣＦ３－ｄｐｐｂｚ、ｄｐｐｂｚＦである。但し、目的とするロジウム錯体中のＹが塩化物イオンの場合、ｄｐｐｅ、ｄｐｐｐ、ｄｐｐｂを除く。
「二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）」生成工程において、「二座ホスフィン配位子（Ｂ）」の使用量（仕込量）は、ロジウムを含む前駆体（Ａ）に対して物質量換算で、通常０．５当量以上、好ましくは０．８当量以上、より好ましくは１当量以上であり、通常４当量以下、好ましくは３当量以下、より好ましくは２当量以下である。上記範囲内であると、ロジウム錯体が収率良く生成し易くなる。
ロジウム錯体生成工程は、通常、溶媒の存在下で行う。溶媒の種類は、原料や生成する錯体が反応しない化合物であれば特に限定されず、ペンタン、ヘキサン、トルエン等の炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル等の脂肪族エーテル溶媒、テトラヒドロフラン等の環状エーテル溶媒、ジクロロメタン等のハロゲン系溶媒等が挙げられる。好ましくは、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼンである。
ロジウム錯体生成工程の反応温度は、通常０℃以上、好ましくは２０℃以上、より好ましくは４０℃以上であり、通常１００℃以下、好ましくは８０℃以下、より好ましくは６０℃以下である。
ロジウム錯体生成工程の反応時間は、通常９６時間以下、好ましくは７２時間以下、より好ましくは４８時間以下、特に好ましくは２４時間以下である。
ロジウム錯体生成工程は、通常窒素、アルゴン等の不活性雰囲気下で行う。
また、ロジウム錯体生成工程は、撹拌しながら行うことが好ましい。
上記範囲内であると、ロジウム錯体がより収率良く生成し易くなる。
ロジウム錯体生成工程の反応時間は、通常９６時間以下、好ましくは７２時間以下、より好ましくは４８時間以下、特に好ましくは２４時間以下である。
ロジウム錯体生成工程は、通常窒素、アルゴン等の不活性雰囲気下で行う。
また、ロジウム錯体生成工程は、撹拌しながら行うことが好ましい。
上記範囲内であると、ロジウム錯体がより収率良く生成し易くなる。
＜＜式（Ｃ）で表されるロジウム錯体を取得する工程＞＞
本発明の一実施形態に係るロジウム錯体の製造方法は、ロジウム錯体生成工程で得られる反応液から、式（Ｃ）で表されるロジウム錯体を取得する工程を含む。
ロジウム錯体生成工程で得られる反応液から、式（Ｃ）で表されるロジウム錯体を取得する、すなわちロジウム錯体を単離する方法は、公知の方法を任意に用いることが出来る。例えば、上記ロジウム錯体生成工程後、析出した固体を濾取し、該固体を少量の溶媒で洗浄した後、乾燥させる。
ロジウム錯体生成工程後、ロジウム錯体を含有する固体を十分に析出させるためには、
反応液を通常０℃～４０℃で、好ましくは１０℃～３０℃で、通常４８時間以下、好ましくは２４時間以下、特に好ましくは１２時間以下、通常１分以上、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、静置すればよい。
溶媒は、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ペンタン等を用いることが出来るが、上記ロジウム錯体生成工程で用いた溶媒と同じであることが好ましい。溶媒は、脱水脱酸素化して用いることが好ましい。
乾燥条件は、通常０℃以上、好ましくは２０℃以上、より好ましくは４０℃以上であり、通常１００℃以下、好ましくは８０℃以下、より好ましくは６０℃以下である。また、乾燥は減圧下で行うことが好ましい。
乾燥時間は、通常９６時間以下、好ましくは７２時間以下、より好ましくは４８時間以下、特に好ましくは２４時間以下であり、通常３０分以上、好ましくは１時間以上、より好ましくは２時間以上である。
本工程は、窒素、アルゴン等の不活性雰囲気下で行うことが好ましい。
本実施形態のロジウム錯体の製造方法により、高純度のロジウム錯体含有組生成物を得ることができる。本実施形態の製造方法により得られるロジウム錯体含有粗生成物が７０％以上の純度を有することが好ましく、８０％以上の純度を有することが好ましく、８５％以上の純度を有することが特に好ましい。
また、上記ロジウム錯体生成工程で得られる反応液から取得されたロジウム錯体粗生成物は、公知の方法で精製してもよい。精製されたロジウム錯体は、９０％以上の純度を有することが好ましく、９５％以上の純度を有することが特に好ましい。なお、ロジウム錯体の純度は、ＮＭＲにより求めることができる。
本発明の一実施形態に係るロジウム錯体の製造方法は、ロジウム錯体生成工程で得られる反応液から、式（Ｃ）で表されるロジウム錯体を取得する工程を含む。
ロジウム錯体生成工程で得られる反応液から、式（Ｃ）で表されるロジウム錯体を取得する、すなわちロジウム錯体を単離する方法は、公知の方法を任意に用いることが出来る。例えば、上記ロジウム錯体生成工程後、析出した固体を濾取し、該固体を少量の溶媒で洗浄した後、乾燥させる。
ロジウム錯体生成工程後、ロジウム錯体を含有する固体を十分に析出させるためには、
反応液を通常０℃～４０℃で、好ましくは１０℃～３０℃で、通常４８時間以下、好ましくは２４時間以下、特に好ましくは１２時間以下、通常１分以上、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、静置すればよい。
溶媒は、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ペンタン等を用いることが出来るが、上記ロジウム錯体生成工程で用いた溶媒と同じであることが好ましい。溶媒は、脱水脱酸素化して用いることが好ましい。
乾燥条件は、通常０℃以上、好ましくは２０℃以上、より好ましくは４０℃以上であり、通常１００℃以下、好ましくは８０℃以下、より好ましくは６０℃以下である。また、乾燥は減圧下で行うことが好ましい。
乾燥時間は、通常９６時間以下、好ましくは７２時間以下、より好ましくは４８時間以下、特に好ましくは２４時間以下であり、通常３０分以上、好ましくは１時間以上、より好ましくは２時間以上である。
本工程は、窒素、アルゴン等の不活性雰囲気下で行うことが好ましい。
本実施形態のロジウム錯体の製造方法により、高純度のロジウム錯体含有組生成物を得ることができる。本実施形態の製造方法により得られるロジウム錯体含有粗生成物が７０％以上の純度を有することが好ましく、８０％以上の純度を有することが好ましく、８５％以上の純度を有することが特に好ましい。
また、上記ロジウム錯体生成工程で得られる反応液から取得されたロジウム錯体粗生成物は、公知の方法で精製してもよい。精製されたロジウム錯体は、９０％以上の純度を有することが好ましく、９５％以上の純度を有することが特に好ましい。なお、ロジウム錯体の純度は、ＮＭＲにより求めることができる。
＜有機ケイ素化合物の製造方法＞
本発明の一態様である有機ケイ素化合物の製造方法（以下、「本発明の製造方法」と略す場合がある。）は、式（Ｃ－１’）～（Ｃ－３）の何れかで表されるロジウム錯体の存在下、式（Ｄ）で表されるハロゲン化アリルと式（Ｅ）で表されるヒドロシランを反応させて式（Ｆ）で表される３－ハロプロピルシランを生成する反応工程（以下、「反応工程」と略す場合がある。）を含むことを特徴とする。
式（Ｃ－１’）～（Ｃ－３）中、Ｒ１はそれぞれ独立して水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ２は酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基を、Ｒ３は単結合、オキサ基（－Ｏ－）、又は酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基を、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立して酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｙは塩化物イオン（Ｃｌ－）、臭化物イオン（Ｂｒ－）、ヨウ化物イオン（Ｉ－）、メトキシド（ＭｅＯ－）、ヒドロキシド（ＯＨ－）、テトラフルオロボレート（ＢＦ４
－）、ヘキサフルオロアンチモネート（ＳｂＦ６
－）、テトラキス［ビス（３，５－トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、及びトリフラート（ＯＴｆ－）からなる群より選択される配位子若しくは対イオンを、ｍ及びｎはそれぞれ独立して０～４の整数を表す。但し、式（Ｃ－２）中に２つ以上のＲ４が存在する場合、２つ以上のＲ４が互いに連結していてもよく、式（Ｃ－３）中に２つ以上のＲ５が存在する場合、２つ以上のＲ５が互いに連結していてもよい。
式（Ｄ）～（Ｆ）中、Ｘは塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を、Ｒ６は水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ７は水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ８は水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ９は水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を表す。Ｒ１０はそれぞれ独立して水素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子素数１～２０のアルコキシ基、炭素原子素数０～３０のシリルオキシ基、又はハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を表す。
本発明者らは、二座ホスフィン配位子で安定化されたロジウム二核錯体を単離し、ハロゲン化アリルとヒドロシランの反応において、該ロジウム錯体を触媒として利用することで、π－アリル錯体の形成による各種の副反応を抑制しつつ、目的とするヒドロシリル化反応を選択的に進行させ、３－ハロプロピルシランを効率良く製造することができることを見出したのである。また、ロジウム錯体の触媒量を低減することに成功した。
本発明の一態様である有機ケイ素化合物の製造方法（以下、「本発明の製造方法」と略す場合がある。）は、式（Ｃ－１’）～（Ｃ－３）の何れかで表されるロジウム錯体の存在下、式（Ｄ）で表されるハロゲン化アリルと式（Ｅ）で表されるヒドロシランを反応させて式（Ｆ）で表される３－ハロプロピルシランを生成する反応工程（以下、「反応工程」と略す場合がある。）を含むことを特徴とする。
本発明者らは、二座ホスフィン配位子で安定化されたロジウム二核錯体を単離し、ハロゲン化アリルとヒドロシランの反応において、該ロジウム錯体を触媒として利用することで、π－アリル錯体の形成による各種の副反応を抑制しつつ、目的とするヒドロシリル化反応を選択的に進行させ、３－ハロプロピルシランを効率良く製造することができることを見出したのである。また、ロジウム錯体の触媒量を低減することに成功した。
本実施形態で用いられる二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体は、式（Ｃ－１’）～（Ｃ－３）の何れかで表されるロジウム錯体である。式（Ｃ－２）及び式（Ｃ－３）で表されるロジウム錯体は、上記の＜ロジウム錯体＞の項で説明した式（Ｃ－２）及び式（Ｃ－３）で表されるロジウム錯体とそれぞれ同じである。
式（Ｃ－１’）のＲ１は、それぞれ独立して「水素原子」、又は「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表しているが、＜ロジウム錯体＞の項の式（Ｃ－１）のＲ１の説明が適用され、好ましい態様も同様である。
式（Ｃ－１’）のＲ１は、それぞれ独立して「水素原子」、又は「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表しているが、＜ロジウム錯体＞の項の式（Ｃ－１）のＲ１の説明が適用され、好ましい態様も同様である。
式（Ｃ－１’）中のＲ２は、「酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基」を表しているが、「酸素原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい」と「炭化水素基」は、Ｒ１の場合と同義であり、「２価の炭化水素基」とは、２個の結合部位を有する炭化水素基を意味する。
Ｒ２の炭化水素基の炭素原子数は、通常２０以下、好ましくは１５以下、より好ましくは１０以下であり、Ｒ２が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ２に含まれる官能基や連結基としては、エーテル基（オキサ基、－Ｏ－）、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。中でも、フッ素原子が好ましい。
Ｒ２としては、メチレン基（－ＣＨ２－）、エチレン基（－Ｃ２Ｈ４－）、ｎ－プロピレン基（－Ｃ３Ｈ６－）、ｎ－ブチレン基（－Ｃ４Ｈ８－）、ｎ－ペンチレン基（－Ｃ５Ｈ１０－）、ｎ－ヘキシレン基（－Ｃ６Ｈ１２－）、フェニレン基（－Ｃ６Ｈ４－）等が挙げられる。この中でも、ｎ－プロピレン基、ｎ－ブチレン基、置換基を有していてもよ
いフェニレン基が好ましく、ｎ－プロピレン基、置換基を有していてもよいフェニレン基が特に好ましい。
Ｒ２の炭化水素基の炭素原子数は、通常２０以下、好ましくは１５以下、より好ましくは１０以下であり、Ｒ２が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ２に含まれる官能基や連結基としては、エーテル基（オキサ基、－Ｏ－）、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。中でも、フッ素原子が好ましい。
Ｒ２としては、メチレン基（－ＣＨ２－）、エチレン基（－Ｃ２Ｈ４－）、ｎ－プロピレン基（－Ｃ３Ｈ６－）、ｎ－ブチレン基（－Ｃ４Ｈ８－）、ｎ－ペンチレン基（－Ｃ５Ｈ１０－）、ｎ－ヘキシレン基（－Ｃ６Ｈ１２－）、フェニレン基（－Ｃ６Ｈ４－）等が挙げられる。この中でも、ｎ－プロピレン基、ｎ－ブチレン基、置換基を有していてもよ
いフェニレン基が好ましく、ｎ－プロピレン基、置換基を有していてもよいフェニレン基が特に好ましい。
以下、「式（Ｄ）で表されるハロゲン化アリル」、「式（Ｅ）で表されるヒドロシラン」、「反応工程」の条件、「式（Ｆ）で表される３－ハロプロピルシラン」等について詳細に説明する。
式（Ｄ）で表されるハロゲン化アリルの具体的種類は、特に限定されず、製造目的である有機ケイ素化合物に応じて適宜選択することができる。以下、「式（Ｄ）で表されるハロゲン化アリル」について詳細に説明する。
式（Ｄ）中、Ｘは塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を、Ｒ６は水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ７は水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ８は水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ９は水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を表す。）
式（Ｄ）中のＸは、「塩素原子」、「臭素原子」、又は「ヨウ素原子」を表しているが、塩素原子が特に好ましい。
式（Ｄ）中のＲ６は、それぞれ独立して「水素原子」、又は「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表しているが、「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい」と「炭化水素基」は、Ｒ１の場合と同義である。
Ｒ６の炭化水素基の炭素原子数は、通常１５以下、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下であり、Ｒ６が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ６に含まれる官能基や連結基としては、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ６としては、水素原子、メチル基（－ＣＨ３，－Ｍｅ）、エチル基（－Ｃ２Ｈ５，－Ｅｔ）、ｎ－プロピル基（－ｎＣ３Ｈ７，－ｎＰｒ）、ｉ－プロピル基（－ｉＣ３Ｈ７，－ｉＰｒ）、ｎ－ブチル基（－ｎＣ４Ｈ９，－ｎＢｕ）、ｔ－ブチル基（－ｔＣ４Ｈ９，－ｔＢｕ）、ｎ－ペンチル基（－ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ－ヘキシル基（－ｎＣ６Ｈ１３，－ｎＨｅｘ）、シクロヘキシル基（－ｃＣ６Ｈ１１，－Ｃｙ）、フェニル基（－Ｃ６Ｈ５，－Ｐｈ）等が挙げられる。
式（Ｄ）中のＲ７は、それぞれ独立して「水素原子」、又は「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表しているが、「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい」と「炭化水素基」は、Ｒ１の場合と同義である。
Ｒ７の炭化水素基の炭素原子数は、通常１５以下、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下であり、Ｒ７が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ７に含まれる官能基や連結基としては、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ７としては、水素原子、メチル基（－ＣＨ３，－Ｍｅ）、エチル基（－Ｃ２Ｈ５，－Ｅｔ）、ｎ－プロピル基（－ｎＣ３Ｈ７，－ｎＰｒ）、ｉ－プロピル基（－ｉＣ３Ｈ７，－ｉＰｒ）、ｎ－ブチル基（－ｎＣ４Ｈ９，－ｎＢｕ）、ｔ－ブチル基（－ｔＣ４Ｈ９，－ｔＢｕ）、ｎ－ペンチル基（－ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ－ヘキシル基（－ｎＣ６Ｈ１３，－ｎＨｅｘ）、シクロヘキシル基（－ｃＣ６Ｈ１１，－Ｃｙ）、フェニル基（－Ｃ６Ｈ５，－Ｐｈ）等が挙げられる。
式（Ｄ）中のＲ８は、それぞれ独立して「水素原子」、又は「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表しているが、「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい」と「炭化水素基」は、Ｒ１の場合と同義である。
Ｒ８の炭化水素基の炭素原子数は、通常１５以下、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下であり、Ｒ８が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ８に含まれる官能基や連結基としては、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ８としては、水素原子、メチル基（－ＣＨ３，－Ｍｅ）、エチル基（－Ｃ２Ｈ５，－Ｅｔ）、ｎ－プロピル基（－ｎＣ３Ｈ７，－ｎＰｒ）、ｉ－プロピル基（－ｉＣ３Ｈ７，－ｉＰｒ）、ｎ－ブチル基（－ｎＣ４Ｈ９，－ｎＢｕ）、ｔ－ブチル基（－ｔＣ４Ｈ９，－ｔＢｕ）、ｎ－ペンチル基（－ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ－ヘキシル基（－ｎＣ６Ｈ１３，－ｎＨｅｘ）、シクロヘキシル基（－ｃＣ６Ｈ１１，－Ｃｙ）、フェニル基（－Ｃ６Ｈ５，－Ｐｈ）等が挙げられる。
式（Ｄ）中のＲ９は、それぞれ独立して「水素原子」、又は「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表しているが、「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい」と「炭化水素基」は、Ｒ１の場合と同義である。
Ｒ９の炭化水素基の炭素原子数は、通常１５以下、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下であり、Ｒ９が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ９に含まれる官能基や連結基としては、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ９としては、水素原子、メチル基（－ＣＨ３，－Ｍｅ）、エチル基（－Ｃ２Ｈ５，－Ｅｔ）、ｎ－プロピル基（－ｎＣ３Ｈ７，－ｎＰｒ）、ｉ－プロピル基（－ｉＣ３Ｈ７，－ｉＰｒ）、ｎ－ブチル基（－ｎＣ４Ｈ９，－ｎＢｕ）、ｔ－ブチル基（－ｔＣ４Ｈ９，－ｔＢｕ）、ｎ－ペンチル基（－ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ－ヘキシル基（－ｎＣ６Ｈ１３，－ｎＨｅｘ）、シクロヘキシル基（－ｃＣ６Ｈ１１，－Ｃｙ）、フェニル基（－Ｃ６Ｈ５，－Ｐｈ）等が挙げられる。
式（Ｄ）で表されるハロゲン化アリルの具体的種類は、特に限定されず、製造目的である有機ケイ素化合物に応じて適宜選択することができる。以下、「式（Ｄ）で表されるハロゲン化アリル」について詳細に説明する。
式（Ｄ）中のＸは、「塩素原子」、「臭素原子」、又は「ヨウ素原子」を表しているが、塩素原子が特に好ましい。
式（Ｄ）中のＲ６は、それぞれ独立して「水素原子」、又は「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表しているが、「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい」と「炭化水素基」は、Ｒ１の場合と同義である。
Ｒ６の炭化水素基の炭素原子数は、通常１５以下、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下であり、Ｒ６が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ６に含まれる官能基や連結基としては、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ６としては、水素原子、メチル基（－ＣＨ３，－Ｍｅ）、エチル基（－Ｃ２Ｈ５，－Ｅｔ）、ｎ－プロピル基（－ｎＣ３Ｈ７，－ｎＰｒ）、ｉ－プロピル基（－ｉＣ３Ｈ７，－ｉＰｒ）、ｎ－ブチル基（－ｎＣ４Ｈ９，－ｎＢｕ）、ｔ－ブチル基（－ｔＣ４Ｈ９，－ｔＢｕ）、ｎ－ペンチル基（－ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ－ヘキシル基（－ｎＣ６Ｈ１３，－ｎＨｅｘ）、シクロヘキシル基（－ｃＣ６Ｈ１１，－Ｃｙ）、フェニル基（－Ｃ６Ｈ５，－Ｐｈ）等が挙げられる。
式（Ｄ）中のＲ７は、それぞれ独立して「水素原子」、又は「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表しているが、「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい」と「炭化水素基」は、Ｒ１の場合と同義である。
Ｒ７の炭化水素基の炭素原子数は、通常１５以下、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下であり、Ｒ７が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ７に含まれる官能基や連結基としては、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ７としては、水素原子、メチル基（－ＣＨ３，－Ｍｅ）、エチル基（－Ｃ２Ｈ５，－Ｅｔ）、ｎ－プロピル基（－ｎＣ３Ｈ７，－ｎＰｒ）、ｉ－プロピル基（－ｉＣ３Ｈ７，－ｉＰｒ）、ｎ－ブチル基（－ｎＣ４Ｈ９，－ｎＢｕ）、ｔ－ブチル基（－ｔＣ４Ｈ９，－ｔＢｕ）、ｎ－ペンチル基（－ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ－ヘキシル基（－ｎＣ６Ｈ１３，－ｎＨｅｘ）、シクロヘキシル基（－ｃＣ６Ｈ１１，－Ｃｙ）、フェニル基（－Ｃ６Ｈ５，－Ｐｈ）等が挙げられる。
式（Ｄ）中のＲ８は、それぞれ独立して「水素原子」、又は「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表しているが、「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい」と「炭化水素基」は、Ｒ１の場合と同義である。
Ｒ８の炭化水素基の炭素原子数は、通常１５以下、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下であり、Ｒ８が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ８に含まれる官能基や連結基としては、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ８としては、水素原子、メチル基（－ＣＨ３，－Ｍｅ）、エチル基（－Ｃ２Ｈ５，－Ｅｔ）、ｎ－プロピル基（－ｎＣ３Ｈ７，－ｎＰｒ）、ｉ－プロピル基（－ｉＣ３Ｈ７，－ｉＰｒ）、ｎ－ブチル基（－ｎＣ４Ｈ９，－ｎＢｕ）、ｔ－ブチル基（－ｔＣ４Ｈ９，－ｔＢｕ）、ｎ－ペンチル基（－ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ－ヘキシル基（－ｎＣ６Ｈ１３，－ｎＨｅｘ）、シクロヘキシル基（－ｃＣ６Ｈ１１，－Ｃｙ）、フェニル基（－Ｃ６Ｈ５，－Ｐｈ）等が挙げられる。
式（Ｄ）中のＲ９は、それぞれ独立して「水素原子」、又は「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表しているが、「酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい」と「炭化水素基」は、Ｒ１の場合と同義である。
Ｒ９の炭化水素基の炭素原子数は、通常１５以下、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下であり、Ｒ９が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ９に含まれる官能基や連結基としては、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ９としては、水素原子、メチル基（－ＣＨ３，－Ｍｅ）、エチル基（－Ｃ２Ｈ５，－Ｅｔ）、ｎ－プロピル基（－ｎＣ３Ｈ７，－ｎＰｒ）、ｉ－プロピル基（－ｉＣ３Ｈ７，－ｉＰｒ）、ｎ－ブチル基（－ｎＣ４Ｈ９，－ｎＢｕ）、ｔ－ブチル基（－ｔＣ４Ｈ９，－ｔＢｕ）、ｎ－ペンチル基（－ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ－ヘキシル基（－ｎＣ６Ｈ１３，－ｎＨｅｘ）、シクロヘキシル基（－ｃＣ６Ｈ１１，－Ｃｙ）、フェニル基（－Ｃ６Ｈ５，－Ｐｈ）等が挙げられる。
式（Ｄ）で表されるハロゲン化アリルとしては、下記式で表される化合物等が挙げられる。
式（Ｅ）で表されるヒドロシランの具体的種類は、特に限定されず、製造目的である有機ケイ素化合物に応じて適宜選択することが出来る。以下、「式（Ｅ）で表されるヒドロシラン」について詳細に説明する。
式（Ｅ）中、Ｒ１０はそれぞれ独立して水素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子素数１～２０のアルコキシ基、炭素原子素数０～３０のシリルオキシ基、又はハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を表す。
（Ｅ）中のＲ１０は、それぞれ独立して「塩素原子」、「臭素原子」、「ヨウ素原子」、「炭素原子素数１～２０のアルコキシ基」、「炭素原子素数０～３０のシリルオキシ基」、又は「ハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表しているが、「ハロゲン原子を含んでいてもよい」と「炭化水素基」は、Ｒ１の場合と同義である。
Ｒ１０の炭化水素基の炭素原子数は、通常１５以下、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下であり、Ｒ１０が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ１０に含まれる官能基や連結基としては、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ１０としては、水素原子、メチル基（－ＣＨ３，－Ｍｅ）、エチル基（－Ｃ２Ｈ５，－Ｅｔ）、ｎ－プロピル基（－ｎＣ３Ｈ７，－ｎＰｒ）、ｉ－プロピル基（－ｉＣ３Ｈ７，－ｉＰｒ）、ｎ－ブチル基（－ｎＣ４Ｈ９，－ｎＢｕ）、ｔ－ブチル基（－ｔＣ４Ｈ９，－ｔＢｕ）、ｎ－ペンチル基（－ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ－ヘキシル基（－ｎＣ６Ｈ１３，－ｎＨｅｘ）、シクロヘキシル基（－ｃＣ６Ｈ１１，－Ｃｙ）、フェニル基（－Ｃ６Ｈ５，－Ｐｈ）、メトキシ基（－ＯＭｅ）、エトキシ基（－ＯＥｔ）、トリメチルシリルオキシ基（－ＯＳｉ（ＣＨ３）３）等が挙げられる。
（Ｅ）中のＲ１０は、それぞれ独立して「塩素原子」、「臭素原子」、「ヨウ素原子」、「炭素原子素数１～２０のアルコキシ基」、「炭素原子素数０～３０のシリルオキシ基」、又は「ハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基」を表しているが、「ハロゲン原子を含んでいてもよい」と「炭化水素基」は、Ｒ１の場合と同義である。
Ｒ１０の炭化水素基の炭素原子数は、通常１５以下、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下であり、Ｒ１０が芳香族炭化水素基の場合の炭素原子数は、通常６以上である。
Ｒ１０に含まれる官能基や連結基としては、フルオロ基（フッ素原子，－Ｆ）、クロロ基（塩素原子，－Ｃｌ）、ブロモ基（臭素原子，－Ｂｒ）、ヨード基（ヨウ素原子，－Ｉ）等が挙げられる。
Ｒ１０としては、水素原子、メチル基（－ＣＨ３，－Ｍｅ）、エチル基（－Ｃ２Ｈ５，－Ｅｔ）、ｎ－プロピル基（－ｎＣ３Ｈ７，－ｎＰｒ）、ｉ－プロピル基（－ｉＣ３Ｈ７，－ｉＰｒ）、ｎ－ブチル基（－ｎＣ４Ｈ９，－ｎＢｕ）、ｔ－ブチル基（－ｔＣ４Ｈ９，－ｔＢｕ）、ｎ－ペンチル基（－ｎＣ５Ｈ１１）、ｎ－ヘキシル基（－ｎＣ６Ｈ１３，－ｎＨｅｘ）、シクロヘキシル基（－ｃＣ６Ｈ１１，－Ｃｙ）、フェニル基（－Ｃ６Ｈ５，－Ｐｈ）、メトキシ基（－ＯＭｅ）、エトキシ基（－ＯＥｔ）、トリメチルシリルオキシ基（－ＯＳｉ（ＣＨ３）３）等が挙げられる。
式（Ｅ）で表されるヒドロシランとしては、下記式で表される化合物等が挙げられる。
反応工程における（Ｃ－１’）～（Ｃ－３）の何れかで表される「二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体」の使用量（仕込量）は、「式（Ｄ）で表されるハロゲン化アリル」に対して物質量換算で、通常０．００００５当量以上、好ましくは０．０００５当量以上であり、通常０．１当量以下、好ましくは０．０５当量以下、より好ましくは０．０１当量以下である。前記範囲内であると、有機ケイ素化合物が収率良く生成し易くなる。
反応工程は、溶媒を使用しても、無溶媒であってもよい。溶媒を使用する場合の溶媒の種類は、特に限定されないが、原料や触媒が反応しない化合物であるヘキサン、トルエン等の炭化水素系溶媒、ジクロロメタン等のハロゲン系溶媒等が挙げられる。溶媒は、脱水脱酸素化して用いることが好ましい。
反応工程の反応温度は、通常０℃以上、好ましくは２０℃以上、より好ましくは４０℃以上であり、通常１００℃以下、好ましくは８０℃以下、より好ましくは６０℃以下である。
反応工程の反応時間は、通常９６時間以下、好ましくは７２時間以下、より好ましくは４８時間以下、さらに好ましくは２４時間以下、特に好ましくは１２時間以下である。
反応工程は、通常窒素、アルゴン等の不活性雰囲気下で行う。
前記範囲内であると、副生成物の発生が抑制され、３－ハロプロピルシランがより収率良く生成し易くなる。
反応工程の反応時間は、通常９６時間以下、好ましくは７２時間以下、より好ましくは４８時間以下、さらに好ましくは２４時間以下、特に好ましくは１２時間以下である。
反応工程は、通常窒素、アルゴン等の不活性雰囲気下で行う。
前記範囲内であると、副生成物の発生が抑制され、３－ハロプロピルシランがより収率良く生成し易くなる。
反応工程によって生成する式（Ｆ）で表される３－ハロプロピルシランの具体的種類は、特に限定されず、使用目的に応じて適宜選択することができる。
（式（Ｆ）中、Ｘは塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を、Ｒ６は水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ７は水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ８は水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ９は水素原子、又は酸素原子、窒素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を、Ｒ１０はそれぞれ独立して水素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子素数１～２０のアルコキシ基、炭素原子素数０～３０のシリルオキシ基、又はハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基を表す。）
なお、Ｘ、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０は、「式（Ｄ）で表されるハロゲン化アリル」、「式（Ｅ）で表されるヒドロシラン」のものと同義である。
なお、Ｘ、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０は、「式（Ｄ）で表されるハロゲン化アリル」、「式（Ｅ）で表されるヒドロシラン」のものと同義である。
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
〔ロジウム錯体の合成〕
（実験例１－１：［ＲｈＣｌ（ｄｐｐｂｚＦ）］２の合成）
６ｍＬスクリューバイアルに［ＲｈＣｌ（ｃｏｄ）］２（３０ｍｇ，０．０６１ｍｍｏｌ）、ｄｐｐｂｚＦ（６３ｍｇ，０．１２ｍｍｏｌ）およびＴＨＦ（３ｍＬ）を加え、窒素雰囲気下、２時間室温で撹拌した。反応後、析出した固体を濾取し、少量のＴＨＦで洗浄し、減圧下、３時間室温で乾燥させることで［ＲｈＣｌ（ｄｐｐｂｚＦ）］２を収率９２％で得た。
得られた生成物の１Ｈ－ＮＭＲおよび３１Ｐ｛１Ｈ｝－ＮＭＲの測定結果を下記に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ６．９７―７．０８（ｍ，２４Ｈ），７．９３－８．００（ｍ，１６Ｈ）
３１Ｐ｛１Ｈ｝－ＮＭＲ（２４３ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ８１．０（ｄ，Ｊ＝２０２Ｈｚ）
（実験例１－１：［ＲｈＣｌ（ｄｐｐｂｚＦ）］２の合成）
得られた生成物の１Ｈ－ＮＭＲおよび３１Ｐ｛１Ｈ｝－ＮＭＲの測定結果を下記に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ６．９７―７．０８（ｍ，２４Ｈ），７．９３－８．００（ｍ，１６Ｈ）
３１Ｐ｛１Ｈ｝－ＮＭＲ（２４３ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ８１．０（ｄ，Ｊ＝２０２Ｈｚ）
（実験例１－２）
二座ホスフィン配位子をｄｐｐｂｚに変更した以外は実験例１と同様の方法で、ロジウム錯体を合成した。結果を表１に示す。
得られた生成物の１Ｈ－ＮＭＲおよび３１Ｐ｛１Ｈ｝－ＮＭＲの測定結果を下記に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ６．７６－６．８２（ｍ，４Ｈ），６．９１－７．０３（ｍ，２４Ｈ），７．３７－７．４２（ｍ，４Ｈ），７．９０－７．９６（ｍ，１６Ｈ）
３１Ｐ｛１Ｈ｝－ＮＭＲ（２４３ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ７３．６（ｄ，Ｊ＝１９７Ｈｚ）
二座ホスフィン配位子をｄｐｐｂｚに変更した以外は実験例１と同様の方法で、ロジウム錯体を合成した。結果を表１に示す。
得られた生成物の１Ｈ－ＮＭＲおよび３１Ｐ｛１Ｈ｝－ＮＭＲの測定結果を下記に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ６．７６－６．８２（ｍ，４Ｈ），６．９１－７．０３（ｍ，２４Ｈ），７．３７－７．４２（ｍ，４Ｈ），７．９０－７．９６（ｍ，１６Ｈ）
３１Ｐ｛１Ｈ｝－ＮＭＲ（２４３ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ７３．６（ｄ，Ｊ＝１９７Ｈｚ）
（実験例１－３）
二座ホスフィン配位子をＭｅＯ－ｄｐｐｂｚに変更した以外は実験例１と同様の方法で、ロジウム錯体を合成した。結果を表１に示す。
得られた生成物の１Ｈ－ＮＭＲおよび３１Ｐ｛１Ｈ｝－ＮＭＲの測定結果を下記に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ３．２５（ｓ，２４Ｈ），６．５８－６．６２（ｍ，１６Ｈ），６．８８－６．９２（ｍ，４Ｈ），７．５２－７．５６（ｍ，４Ｈ），７．９７－８．０２（ｍ，１６Ｈ）
３１Ｐ｛１Ｈ｝－ＮＭＲ（２４３ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ７１．２（ｄ，Ｊ＝１９９Ｈｚ）
二座ホスフィン配位子をＭｅＯ－ｄｐｐｂｚに変更した以外は実験例１と同様の方法で、ロジウム錯体を合成した。結果を表１に示す。
得られた生成物の１Ｈ－ＮＭＲおよび３１Ｐ｛１Ｈ｝－ＮＭＲの測定結果を下記に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ３．２５（ｓ，２４Ｈ），６．５８－６．６２（ｍ，１６Ｈ），６．８８－６．９２（ｍ，４Ｈ），７．５２－７．５６（ｍ，４Ｈ），７．９７－８．０２（ｍ，１６Ｈ）
３１Ｐ｛１Ｈ｝－ＮＭＲ（２４３ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ７１．２（ｄ，Ｊ＝１９９Ｈｚ）
（実験例１－４）
二座ホスフィン配位子をＣＦ３－ｄｐｐｂｚに変更した以外は実験例１と同様の方法で、ロジウム錯体を合成した。結果を表１に示す。
得られた生成物の１Ｈ－ＮＭＲおよび３１Ｐ｛１Ｈ｝－ＮＭＲの測定結果を下記に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ６．５７－６．６３（ｍ，４Ｈ），６．９３－６．９８（ｍ，４Ｈ），７．６６－７．６９（ｍ，８Ｈ），８．１６－８．２０（ｍ，１６Ｈ）
３１Ｐ｛１Ｈ｝－ＮＭＲ（２４３ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ７５．１（ｄ，Ｊ＝１９４Ｈｚ）
二座ホスフィン配位子をＣＦ３－ｄｐｐｂｚに変更した以外は実験例１と同様の方法で、ロジウム錯体を合成した。結果を表１に示す。
得られた生成物の１Ｈ－ＮＭＲおよび３１Ｐ｛１Ｈ｝－ＮＭＲの測定結果を下記に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ６．５７－６．６３（ｍ，４Ｈ），６．９３－６．９８（ｍ，４Ｈ），７．６６－７．６９（ｍ，８Ｈ），８．１６－８．２０（ｍ，１６Ｈ）
３１Ｐ｛１Ｈ｝－ＮＭＲ（２４３ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ７５．１（ｄ，Ｊ＝１９４Ｈｚ）
（実験例１－５）
二座ホスフィン配位子をｄｐｐｅに変更した以外は実験例１と同様の方法で、ロジウム錯体を合成した。結果を表１に示す。
二座ホスフィン配位子をｄｐｐｅに変更した以外は実験例１と同様の方法で、ロジウム錯体を合成した。結果を表１に示す。
（実験例１－６）
二座ホスフィン配位子をｄｐｐｐに変更した以外は実験例１と同様の方法で、ロジウム錯体を合成した。結果を表１に示す。
二座ホスフィン配位子をｄｐｐｐに変更した以外は実験例１と同様の方法で、ロジウム錯体を合成した。結果を表１に示す。
（実験例１－７）
二座ホスフィン配位子をｄｐｐｂに変更した以外は実験例１と同様の方法で、ロジウム錯体を合成した。結果を表１に示す。
二座ホスフィン配位子をｄｐｐｂに変更した以外は実験例１と同様の方法で、ロジウム錯体を合成した。結果を表１に示す。
〔触媒活性の評価〕
（実験例２－１～２－４）
実験例１－１～１－４で得られたロジウム錯体の塩化メチレン溶液を加え、塩化メチレンを留去した。塩化アリル（１ｍｍｏｌ）およびトリクロロシラン（１ｍｍｏｌ）を反応容器に加えた。反応溶液を６０℃で加熱し、２０時間撹拌した。対応するヒドロシリル化体はメシチレンを用いてＮＭＲにより算出した。全ての操作は真空ライン、Ｓｃｈｌｅｎｋ操作、または窒素雰囲気下に保たれたＭＢｒａｕｎドライボックスを用いて実施した。溶媒は、脱水脱酸素化して用いた。
得られた生成物の１Ｈ－ＮＭＲの測定結果を下記に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ０．８１－０．８７（ｍ，２Ｈ），１．３７－１．４３（ｍ，２Ｈ），２．７８（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝４．５Ｈｚ）
（実験例２－１～２－４）
実験例１－１～１－４で得られたロジウム錯体の塩化メチレン溶液を加え、塩化メチレンを留去した。塩化アリル（１ｍｍｏｌ）およびトリクロロシラン（１ｍｍｏｌ）を反応容器に加えた。反応溶液を６０℃で加熱し、２０時間撹拌した。対応するヒドロシリル化体はメシチレンを用いてＮＭＲにより算出した。全ての操作は真空ライン、Ｓｃｈｌｅｎｋ操作、または窒素雰囲気下に保たれたＭＢｒａｕｎドライボックスを用いて実施した。溶媒は、脱水脱酸素化して用いた。
得られた生成物の１Ｈ－ＮＭＲの測定結果を下記に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：δ／ｐｐｍ ０．８１－０．８７（ｍ，２Ｈ），１．３７－１．４３（ｍ，２Ｈ），２．７８（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝４．５Ｈｚ）
二座ホスフィン配位子で安定化されたロジウム二核錯体を単離したことにより、塩化アリルのヒドロシリル化においてロジウム錯体の触媒量を低減することに成功した。本反応では副生成物が抑制され、高収率で主生成物が得られることが示された。
本発明によれば、３－ハロプロピルシランの製造における触媒として使用可能な二座ホスフィン配位子で安定化されたロジウム二核錯体およびその製造方法が提供される。また、二座ホスフィン配位子で安定化されたロジウム二核錯体を用いて、３－ハロプロピルシランを効率良く製造することができる。また、本発明の製造方法によって製造された有機ケイ素化合物は、各種シランカップリング剤の原料として利用することができる。
Claims (2)
- 式（Ｃ－１）で表されるロジウム錯体。
（式（Ｃ－１）中、Ｒ１はそれぞれ独立して炭素原子数６～２０の芳香族炭化水素基を、Ｒ２はハロゲン原子で置換された炭素原子数６～２０の２価の芳香族炭化水素基を、Ｙは塩化物イオン（Ｃｌ－）、臭化物イオン（Ｂｒ－）、及びヨウ化物イオン（Ｉ－ ）からなる群より選択される配位子若しくは対イオンを表す。） - ロジウム前駆錯体（Ａ）と二座ホスフィン配位子（Ｂ）を溶媒の存在下で反応させて二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）を生成する工程、及び
前記工程で得られる反応液から前記二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）を取得する工程、を含み、
前記二座ホスフィン配位子（Ｂ）が式（Ｐ－１）で表される配位子であり、前記二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体（Ｃ）が式（Ｃ－１）で表される錯体である、二座ホスフィン配位子を有するロジウム錯体の製造方法。
（式（Ｐ－１）及び式（Ｃ）及び式（Ｃ－１）中、Ｒ１はそれぞれ独立して炭素原子数６～２０の芳香族炭化水素基を、Ｒ２はハロゲン原子で置換された炭素原子数６～２０の２価の芳香族炭化水素基を、Ｙは塩化物イオン（Ｃｌ－）、臭化物イオン（Ｂｒ－）、及びヨウ化物イオン（Ｉ－ ）からなる群より選択される配位子若しくは対イオンを表す。）
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004075560A (ja) | 2002-08-12 | 2004-03-11 | Kawaken Fine Chem Co Ltd | ３−キヌクリジノンエノールエステルおよびそれを使用した光学活性３−キヌクリジノールエステルの製造方法 |
| JP2005281252A (ja) | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Takasago Internatl Corp | 中性ロジウム−ホスフィン錯体の製造方法 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2005281252A (ja) | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Takasago Internatl Corp | 中性ロジウム−ホスフィン錯体の製造方法 |
| JP2010173958A (ja) | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Okayama Univ | 新規ジホスフィン化合物、その製造方法及びそれを含む金属錯体 |
| US20100305349A1 (en) | 2009-05-26 | 2010-12-02 | Johnson Matthey Public Limited Company | Process for preparing a complex |
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Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| Hua, Yuanda et al.，Rhodium-catalyzed alkene hydrosilylation via a hydride shuttle process by diene ligands: dramatic enhancement of regio- and diastereoselectivity，European Journal of Organic Chemistry ，2014年，2014(27),，5890-5895 |
| Korbinian Riener et al.，Mechanistic insights into the iridium-catalyzed hydrosilylation of allyl compounds，Journal of Catalysis，2015年，331,，203-209 |
| Mannu, Alberto et al.，Oxidative addition of CH2Cl2 to neutral dimeric rhodium diphosphine complexes，Journal of Organometallic Chemistry ，2018年，871,，178-184 |
| McFarlane et al.，Synthesis and NMR spectra of derivatives of the polykis(diphenylphosphino)benzenes, (Ph2P)nC6H6-n [n = 2 to 4]，Polyhedron，1999年，18(16),，2117-2127 |
| Meissner, Antje et al.，In Situ Synthesis of Neutral Dinuclear Rhodium Diphosphine Complexes [{Rh(diphosphine)(μ2-X)}2]: Systematic Investigations，ChemPlusChem，2015年，80(1),，169-180 |
Cited By (2)
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