JP4713134B2 - 光学活性アルキルフタリド類の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、医薬品中間体、液晶材料又は香粧品として用いられる光学活性アルキルフタリド類の製造方法に関する。

光学活性ラクトン類を製造する方法としては、（i）光学活性な天然物を出発原料とする方法（非特許文献１）、（ii）γ−ケト酸の酵母による還元で合成する方法（非特許文献２）、（iii）ラセミ体を光学分割する方法（特許文献１）、（iv）γ−ケトエステルを光学活性ルテニウムホスフィン錯体で還元する方法（特許文献２）等が知られている。
しかしながら、上記（i）の天然物を出発原料とする方法は工程数が多く、操作も煩雑である。上記（ii）の微生物による方法では未だ高い光学純度のものが得られていない。上記（iii）の光学分割による方法では当量の光学活性体を必要とする他、分割効率が悪く、また上記（vi）の脂肪族のγ−ケトエステルでは光学純度が高いものを得られるものの芳香族環の隣に位置するケトンの水素化においては、未だ高い光学純度のものが得られていない等の問題点がある。
更に、光学活性ラクトン類の中でも光学活性アルキルフタリド類の合成方法については、これまでに報告はなされていない。
特開昭５５−４３０５３号公報 特開平４−１０８７８２号公報 Ａｇｒｉｃ．Ｂｉｏｌ．Ｃｈｅｍ．、５１、６３５（１９８７） Ａｐｐｌ．Ｍｉｃｒｏｂｉｏｌ．、１１、３８９（１９６３）

本発明の目的は、簡単で工程数が少なく、更に光学純度の良好な光学活性アルキルフタリド類を得ることのできる合成法を提供することにある。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、中間体としてアルキリデンフタリド類を経由することにより、目的化合物を短工程且つ収率及び光学純度よく製造できることを見出し、本発明を完成した。

即ち、本発明は、下記一般式（３）：

（式中、環Ａは置換基を有していてもよい芳香族環を示し；Ｘ及びＸ’は各々独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基又はハロゲン置換アルキルスルホニルオキシ基を示す）
で表されるフタル酸誘導体を、下記一般式（４）：

（式中、Ｙはハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基又はハロゲン置換アルキルスルホニルオキシ基を示し：ｌは２〜８の整数を示す）
で表されるマグネシム化合物と反応させて下記一般式（２）：

（式中、環Ａ及びｌは前記と同義であり；波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す）
で表されるアルキリデンフタリド類を得、次いで不斉水素化することを特徴とする一般式（１）：

（式中、環Ａ及びｌは前記と同義であり；＊は不斉炭素原子を示す）
で表される光学活性アルキルフタリド類の製造方法を提供するものである。

また、本発明は、下記一般式（３）：

（式中、環Ａは置換基を有していてもよい芳香族環を示し；Ｘ及びＸ’は各々独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基又はハロゲン置換アルキルスルホニルオキシ基を示す）
で表されるフタル酸誘導体を、下記一般式（４）：

（式中、Ｙはハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基又はハロゲン置換アルキルスルホニルオキシ基を示し；ｌは２〜８の整数を示す）
で表されるマグネシム化合物と反応させることを特徴とする下記一般式（２）：

（式中、環Ａ及びｌは前記と同義であり；波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す）
で表されるアルキリデンフタリド類の製造方法を提供するものである。

また、本発明は、下記一般式（２）：

（式中、環Ａは置換基を有していてもよい芳香族環を示し；ｌは２〜８の整数を示し；波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す）
で表されるアルキリデンフタリド類を不斉水素化することを特徴とする一般式（１）：

（式中、環Ａ及びｌは前記と同義であり；＊は不斉炭素原子を示す）
で表される光学活性アルキルフタリド類の製造方法を提供するものである。

本発明は種々の医薬中間体、液晶材料又は香粧品として重要な光学活性アルキルフタリド類を、簡単に、工程数少なく、更に光学純度良く製造する方法であって、工業的に有利なものである。

本発明の光学活性アルキルフタリドを製造する方法は、以下に示される反応に従って行われる。

（式中、環Ａは置換基を有していてもよい芳香族環を示し；Ｘ及びＸ’は各々独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基又はハロゲン置換アルキルスルホニルオキシ基を示し；Ｘはハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基又はハロゲン置換アルキルスルホニルオキシ基を示し；波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体を示し；ｌは２〜８の整数を示し；＊は不斉炭素原子を示す）

すなわち、フタル酸誘導体（３）とマグネシウム化合物（４）とを反応させてアルキリデンフタリド類（２）を得、次いで不斉水素化することによって光学活性アルキルフタリド類（１）が得られる。

本発明の一般式（３）のフタル酸誘導体、一般式（２）のアルキリデンフタリド類及び一般式（１）の光学活性アルキルフタリドにおける環Ａは、置換基を有していてもよい芳香族環である。環Ａの芳香族環の具体例としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナスレン環等の炭化水素系芳香族環；ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、イミダゾール環等の複素系芳香族環；フェロセン環、チタノセン環等のメタロセン系芳香族環等が挙げられる。

ここで、置換基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の炭素数１〜１２のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜４の低級アルコキシ基；フェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、フェナンスリル基等のアリール基；ベンジル基、α−フェニルエチル基、β−フェニルエチル基、α−フェニルプロピル基、β−フェニルプロピル基、γ−フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等の炭素数７〜１３のアラルキル基；トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ジメチル（２，３−ジメチル−２−ブチル）シリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ジメチルヘキシルシリル基等のトリ−炭素数１〜６アルキルシリル基、ジメチルクミルシリル基等のジ−炭素数１〜６アルキル−炭素数６〜１８アリールシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジフェニルメチルシリル基等のジ−炭素数６〜１８アリール−炭素数１〜６アルキルシリル基、トリフェニルシリル基等のトリ−炭素数６〜１８アリールシリル基、トリベンジルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基等のトリ−炭素数７〜１９アラルキルシリル基等のトリ置換オルガノシリル基；フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子；ニトロ基等が挙げられる。

好ましい環Ａとしては、ベンゼン環が挙げられる。

本発明の一般式（３）のフタル酸誘導体において、Ｘ及びＸ’は各々独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基又はハロゲン置換アルキルスルホニルオキシ基である。

Ｘ及びＸ’の具体例としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子；メタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、カンフィルスルホニルオキシ基等のアルキルスルホニルオキシ基；ベンゼンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、ｐ−クロロフェニルスルホニルオキシ基、ナフチルスルホニルオキシ基等のアリールスルホニルオキシ基；トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、トリクロロメタンスルホニルオキシ基等のハロゲン置換アルキルスルホニルオキシ基等が挙げられる。

本発明の一般式（４）のマグネシウム化合物において、Ｙはハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基又はハロゲン置換アルキルスルホニルオキシ基である。

Ｙの具体例としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子；メタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、カンフィルスルホニルオキシ基等のアルキルスルホニルオキシ基；ベンゼンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、ｐ−クロロフェニルスルホニルオキシ基、ナフチルスルホニルオキシ基等のアリールスルホニルオキシ基；トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、トリクロロメタンスルホニルオキシ基等のハロゲン置換アルキルスルホニルオキシ基等が挙げられる。

一般式（４）のマグネシウム化合物としては、例えば、プロピルマグネシウムフロリド（ｎ＝１）、ブチルマグネシムフロリド（ｎ＝２）、ペンチルマグネシウムフロリド（ｎ＝３）、ヘキシルマグネシウムフロリド（ｎ＝４）、ヘプチルマグネシウムフロリド（ｎ＝５）、オクチルマグネシウムフロリド（ｎ＝６）、ノニルマグネシウムフロリド（ｎ＝７）、デシルマグネシウムフロリド（ｎ＝８）；プロピルマグネシウムクロリド、ブチルマグネシムクロリド、ペンチルマグネシウムクロリド、ヘキシルマグネシウムクロリド、ヘプチルマグネシウムクロリド、オクチルマグネシウムクロリド、ノニルマグネシウムクロリド、デシルマグネシウムクロリド；プロピルマグネシウムブロミド、ブチルマグネシムブロミド、ペンチルマグネシウムブロミド、ヘキシルマグネシウムブロミド、ヘプチルマグネシウムブロミド、オクチルマグネシウムブロミド、ノニルマグネシウムブロミド、デシルマグネシウムブロミド；プロピルマグネシウムヨージド、ブチルマグネシムクヨージド、ペンチルマグネシウムヨージド、ヘキシルマグネシウムヨージド、ヘプチルマグネシウムヨージド、オクチルマグネシウムヨージド、ノニルマグネシウムヨージド、デシルマグネシウムヨージド；プロピルマグネシウムメタンスルホナート、ブチルマグネシムメタンスルホナート、ペンチルマグネシウムメタンスルホナート、ヘキシルマグネシウムメタンスルホナート、ヘプチルマグネシウムメタンスルホナート、オクチルマグネシウムメタンスルホナート、ノニルマグネシウムメタンスルホナート、デシルマグネシウムメタンスルホナート；プロピルマグネシウムベンゼンスルホナート、ブチルマグネシムベンゼンスルホナート、ペンチルマグネシウムベンゼンスルホナート、ヘキシルマグネシウムベンゼンスルホナート、ヘプチルマグネシウムベンゼンスルホナート、オクチルマグネシウムベンゼンスルホナート、ノニルマグネシウムベンゼンスルホナート、デシルマグネシウムベンゼンスルホナート；プロピルマグネシウムｐ−トルエンスルホナート、ブチルマグネシムｐ−トルエンスルホナート、ペンチルマグネシウムｐ−トルエンスルホナート、ヘキシルマグネシウムｐ−トルエンスルホナート、ヘプチルマグネシウムｐ−トルエンスルホナート、オクチルマグネシウムｐ−トルエンスルホナート、ノニルマグネシウムｐ−トルエンスルホナート、デシルマグネシウムｐ−トルエンスルホナート；プロピルマグネシウムトリフルオロメタンスルホナート、ブチルマグネシムトリフルオロメタンスルホナート、ペンチルマグネシウムトリフルオロメタンスルホナート、ヘキシルマグネシウムトリフルオロメタンスルホナート、ヘプチルマグネシウムトリフルオロメタンスルホナート、オクチルマグネシウムトリフルオロメタンスルホナート、ノニルマグネシウムトリフルオロメタンスルホナート、デシルマグネシウムトリフルオロメタンスルホナート等が挙げられる。

好ましい一般式（４）のマグネシウム化合物としては、プロピルマグネシウムフロリド（ｎ＝１）、ブチルマグネシムフロリド（ｎ＝２）、ペンチルマグネシウムフロリド（ｎ＝３）、ヘキシルマグネシウムフロリド（ｎ＝４）、ヘプチルマグネシウムフロリド（ｎ＝５）、オクチルマグネシウムフロリド（ｎ＝６）、ノニルマグネシウムフロリド（ｎ＝７）、デシルマグネシウムフロリド（ｎ＝８）；プロピルマグネシウムクロリド、ブチルマグネシムクロリド、ペンチルマグネシウムクロリド、ヘキシルマグネシウムクロリド、ヘプチルマグネシウムクロリド、オクチルマグネシウムクロリド、ノニルマグネシウムクロリド、デシルマグネシウムクロリド；プロピルマグネシウムブロミド、ブチルマグネシムブロミド、ペンチルマグネシウムブロミド、ヘキシルマグネシウムブロミド、ヘプチルマグネシウムブロミド、オクチルマグネシウムブロミド、ノニルマグネシウムブロミド、デシルマグネシウムブロミド；プロピルマグネシウムヨージド、ブチルマグネシムクヨージド、ペンチルマグネシウムヨージド、ヘキシルマグネシウムヨージド、ヘプチルマグネシウムヨージド、オクチルマグネシウムヨージド、ノニルマグネシウムヨージド、デシルマグネシウムヨージド等が挙げられる。

マグネシウム化合物（４）の製造方法は特に制限されないが、例えば、Ｄ．Ａ．Ｓｈｉｒｌｅｙ；Ｏｒｇ．Ｒｅａｃｔ．， Ｖｏｌ．８，ｐｐ．２８〜５８（１９５４）に記載の方法又はこれに準ずる方法により合成することができる。また、市販品を使用してもよい。

これらのマグネシウム化合物は、ｌが同一の範囲において、単独で用いても二種以上を適宜組み合わせて用いてもよい。

一般式（３）のフタル酸誘導体の製造方法としては特に制限されないが、例えば、特開昭４７−２７９４９号、特開昭５６−１０３１３１号に記載の方法又はこれに準ずる方法により製造することができる。また、市販品を使用してもよい。

以下に、本発明の製造方法について、更に具体的に説明する。
本発明の製造方法を実施するには、アルゴンや窒素のような不活性ガス雰囲気下、有機溶媒中、一般式（３）のフタル酸誘導体と一般式（４）のマグネシム化合物とを炭素−炭素結合反応させ、アルキリデンフタリド類（２）を生成させた後、次いで不斉水素化することにより、一般式（１）の光学活性アルキルフタリド類を製造することができる。

フタル酸誘導体（３）とマグネシム化合物（４）との炭素−炭素結合反応にあたっては、（イ）フタル酸誘導体（３）を有機溶媒に溶解させた溶液に、マグネシウム化合物（４）を有機溶媒に溶解又は懸濁させた溶液を滴下して炭素−炭素結合反応させる方法、（ロ）マグネシウム化合物（４）を有機溶媒に溶解又は懸濁させた溶液に、フタル酸誘導体（３）を有機溶媒に溶解させた溶液を滴下して炭素−炭素結合反応させる方法が採用され、好ましくは（イ）法が採用される。

フタル酸誘導体とマグネシウム化合物（４）との反応割合は、フタル酸誘導体（３）の１モルに対し、マグネシウム化合物（４）が約１〜８モル程度であるのが好ましく、約１．０５〜１．５モル程度であるのがより好ましい。

マグネシウム化合物の具体例としては、前述した化合物等を挙げることができ、ｌが同一の範囲において、これらの１種又は２種以上を用いることができる。

有機溶媒としては、フタル酸誘導体（３）とマグネシム化合物（４）との炭素−炭素結合反応に悪影響を及ぼさない有機溶媒が用いられ、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、デカリン等の脂環式炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、１，３−ジオキソラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒等を挙げることでき、それらを１種又は２種以上を用いることができる。それらのうちでも、テトラヒドロフラン及び／又はトルエンが操作性が良好で且つ経済的に安価である点から好ましく用いられる。有機溶媒の使用量は、通常、フタル酸誘導体（３）の１質量部に対して、約０．５〜２０倍容量部であることが好ましく、約１〜１０倍容量部であることがより好ましい。

フタル酸誘導体（３）を有機溶媒に溶解させた溶液に、ここにマグネシウム化合物（４）を有機溶媒に溶解又は懸濁させた溶液を滴下して炭素−炭素結合反応を行うにあたっては、マグネシウム化合物（４）を有機溶媒に溶解した溶液の滴下時間は、通常約１〜１８０分間とすることが好ましく、約５〜６０分間とすることがより好ましい。反応温度としては、好ましくは約−８０〜５０℃、より好ましくは約−５０〜１０℃の温度が採用され、前記温度を保ちながらマグネシウム化合物（４）を有機溶媒に溶解した溶液の滴下終了後に約０．５〜１５時間、好ましくは約１〜５時間反応させることによってアルキリデンフタリド類（２）を円滑に製造することができる。

前記した炭素−炭素結合反応により得られるアルキリデンフタリド類（２）は、油状を呈し、保存可能である。そのため、前記反応により得られるアルキリデンフタリド類（２）は、例えば、蒸留、カラムクロマトグラフィー処理等によって精製処理するか又は精製処理を行わずに保存しておき、光学活性アルキルフタリド類（１）の製造時に保存容器から取り出して用いてもよい。
前記したアルキリデンフタリド類（２）は、（Ｅ）−体と（Ｚ）−体との混合物であり、次工程の不斉水素化に用いる場合、（Ｅ）−体と（Ｚ）−体との混合物を分離精製して使用することもできる。また、得られたアルキリデンフタリド類（２）が、立体的により安定な（Ｚ）−体の割合が高いものである場合は、（Ｅ）−体と（Ｚ）−体を分離精製することなく混合物のまま、次工程の不斉水素化に用いてよい。

前記した炭素−炭素結合反応で得られるアルキリデンフタリド類（２）を不斉水素化することによって、光学活性アルキルフタリド類（１）が生成する。
アルキリデンフタリド類（２）を不斉水素化する方法としては特に制限されないが、例えば、（イ）光学活性遷移金属錯体を触媒として水素添加によって還元する方法、（ロ）酵母等の微生物により還元する方法、（ハ）光学活性な金属ハライドで還元する方法等が挙げられ、好ましくは、（イ）光学活性遷移金属錯体を触媒として水素添加によって還元する方法が採用される。

本発明で用いられる光学活性遷移金属錯体は、遷移金属錯体と配位子とを含有する錯体が好ましく用いられ、配位子が光学活性体であることがより好ましいが、配位子以外の他の構成成分が光学活性体であってもよい。

本発明のアルキリデンフタリド類（２）を不斉水素化する光学活性遷移金属錯体に用いる配位子としては、単座配位子、多座配位子等が挙げられる。好ましくは光学活性二座ホスフィン配位子が挙げられる。

光学活性二座ホスフィン配位子としては、次の一般式（７）：

（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は各々独立に置換基を有していてもよい芳香族基又は炭素数３〜１０のシクロアルキル基を示すか、あるいはＲ¹とＲ²、Ｒ³とＲ⁴は各々互いに隣接するリン原子と一緒になって複素環を形成していてもよく；Ｒ⁵及びＲ⁶は各々独立に水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ジ（炭素数１〜５アルキル）アミノ基、５〜８員の環状アミノ基又はハロゲン原子を示し；Ｒ⁷は炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ジ（炭素数１〜５アルキル）アミノ基、５〜８員の環状アミノ基又はハロゲン原子を示し；また、Ｒ⁵とＲ⁶、Ｒ⁶とＲ⁷は各々お互いに一緒になって、縮合ベンゼン環、縮合置換ベンゼン環、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、メチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基又はトリメチレンジオキシ基を形成してもよい）
で表される光学活性二座ホスフィン配位子が挙げられる。

この一般式（７）において、Ｒ¹〜Ｒ⁴は各々独立に置換基を有していてもよい芳香族基又は炭素数３〜１０のシクロアルキル基を示すか、あるいはＲ¹とＲ²、Ｒ³とＲ⁴は互いに隣接するリン原子と一緒になって複素環を形成していてもよい。

置換基を有していてもよい芳香族基において、芳香族基としては、フェニル基、ナフチル基、フェナンスリル基等の炭化水素系芳香族基；ピロリル基、ピリジル基、ピラジル基、キノリル基、イソキノリル基、イミダゾリル基等の複素系芳香族基等が挙げられる。

ここで置換基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の炭素数１〜１２のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜４の低級アルコキシ基；フェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、ファナンスリル基等のアリール基；ベンジル基、α−フェニルエチル基、β−フェニルエチル基、α−フェニルプロピル基、β−フェニルプロピル基、γ−フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等の炭素数７乃至１３のアラルキル基；トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ジメチル（２，３−ジメチル−２−ブチル）シリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ジメチルヘキシルシリル基等のトリ−炭素数１〜６アルキルシリル基、ジメチルクミルシリル基等のジ−炭素数１〜６アルキル−炭素数６〜１８アリールシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジフェニルメチルシリル基等のジ−炭素数６〜１８アリール−炭素数１〜６アルキルシリル基、トリフェニルシリル基等のトリ−炭素数６〜１８アリールシリル基、トリベンジルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基等のトリ−炭素数７〜１９アラルキルシリル基等のトリ置換オルガノシリル基；フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子；ニトロ基等が挙げられる。

置換基を有していてもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基において、シクロアルキル基基の具体例としては、シクロペンチル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、オクタヒドロナフチル基等が挙げられる。

ここで、置換基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の炭素数１〜１２のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜４の低級アルコキシ基；フェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、ファナンスリル基等のアリール基；ベンジル基、α−フェニルエチル基、β−フェニルエチル基、α−フェニルプロピル基、β−フェニルプロピル基、γ−フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等の炭素数７乃至１３のアラアルキル基；トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ジメチル（２，３−ジメチル−２−ブチル）シリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ジメチルヘキシルシリル基等のトリ−炭素数１〜６アルキルシリル基、ジメチルクミルシリル基等のジ−炭素数１〜６アルキル−炭素数６〜１８アリールシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジフェニルメチルシリル基等のジ−炭素数６〜１８アリール−炭素数１〜６アルキルシリル基、トリフェニルシリル基等のトリ−炭素数６〜１８アリールシリル基、トリベンジルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基等のトリ−炭素数７〜１９アラルキルシリル基等のトリ置換オルガノシリル基；フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子；ニトロ基等が挙げられる。

Ｒ¹とＲ²、Ｒ³とＲ⁴が各々互いに隣接するリン原子と一緒になって複素環を形成した場合の複素環の具体例としては、ホスホール、テトラヒドロホスホール、ホスホリナン等が挙げられる。当該複素環には、本発明の反応に不活性な官能基を置換基として１〜４個有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。

一般式（７）において、Ｒ⁵及びＲ⁶は各々独立に水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ジ（炭素数１〜５アルキル）アミノ基、５〜８員の環状アミノ基又はハロゲン原子である。

Ｒ⁵及びＲ⁶で表される炭素数１〜５のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基等が挙げられる。

Ｒ⁵及びＲ⁶で表される炭素数１〜５のアルコキシ基の具体例としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペントキシ基等が挙げられる。

Ｒ⁵及びＲ⁶で表されるジ（炭素数１〜５アルキル）アミノ基の具体例としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジｎ-プロピルアミノ基、ジイソプロルアミノ基、ジｎ−ブチルアミノ基、ジイソブチルアミノ基、ジｓｅｃ−ブチルアミノ基、ジｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ジペンチルアミノ基等が挙げられる。

Ｒ⁵及びＲ⁶で表される５〜８員の環状アミノ基の具体例としては、ピロリジノ基、ピペリジノ基等が挙げられる。

Ｒ⁵及びＲ⁶で表されるハロゲン原子の具体例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。

これらの中で、好ましいＲ⁵及びＲ⁶としては、水素原子；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリフルオロメチル基等の炭素数１〜４のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基のジアルキルアミノ基；ピロリジノ基、ピペリジノ基等の５〜８員の環状アミノ基等が挙げられる。
特に好ましいＲ⁵及びＲ⁶としては、水素原子、メトキシ基が挙げられる。

一般式（７）において、Ｒ⁷は各々独立に炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ジ（炭素数１〜５アルキル）アミノ基、５〜８員の環状アミノ基又はハロゲン原子である。

Ｒ⁷で表される炭素数１〜５のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基等が挙げられる。

Ｒ⁷で表される炭素数１〜５のアルコキシ基の具体例としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペントキシ基等が挙げられる。

Ｒ⁷で表されるジ（炭素数１〜５アルキル）アミノ基の具体例としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジｎ-プロピルアミノ基、ジイソプロルアミノ基、ジｎ−ブチルアミノ基、ジイソブチルアミノ基、ジｓｅｃ−ブチルアミノ基、ジｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ジペンチルアミノ基等が挙げられる。

Ｒ⁷で表される５〜８員の環状アミノ基の具体例としては、ピロリジノ基、ピペリジノ基等が挙げられる。

Ｒ⁷で表されるハロゲン原子の具体例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。

これらの中で、好ましいＲ⁷としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリフルオロメチル基等の炭素数１〜４のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ピロリジノ基、ピペリジノ基等の５〜８員の環状アミノ基等が挙げられる。
特に好ましいＲ⁷としては、メチル基、メトキシ基が挙げられる。

一般式（７）において、Ｒ⁵とＲ⁶、Ｒ⁶とＲ⁷は各々互いに一緒になって縮合ベンゼン環、縮合置換ベンゼン環、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、メチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基又はトリメチレンジオキシ基を形成してもよい。これらの中で、Ｒ⁶とＲ⁷が一緒になって縮合ベンゼン環、縮合置換ベンゼン環、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、メチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基又はトリメチレンジオキシ基を形成したものが好ましい。特に、Ｒ⁶とＲ⁷が、一緒になって、縮合ベンゼン環、縮合置換ベンゼン環、テトラメチレン基、メチレンジオキシ基、メチレンジオキシ基又はエチレンジオキシ基を形成したものが好ましい。

また、前記縮合ベンゼン環、縮合置換ベンゼン環、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、メチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基又はトリメチレンジオキシ基には、不斉合成反応に不活性な官能基を置換基として、好ましくは０〜４個の範囲で有していてもよい。ここで、置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜４のアルキル基；水酸基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシ基；フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子等が挙げられる。

この一般式（７）において、好ましく用いられる光学活性二座ホスフィン配位子としては、例えば、特開昭６１−６３６９０号、特開昭６２−２６５２９３号公報に記載されている第３級ホスフィンで、具体例としては、次のものを挙げることができる。すなわち、２，２'−ビス（ ジフェニルホスフィノ）−１，１'− ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）、２，２'−ビス（ジ（ｐ-トリルホスフィノ）-１，１'-ビナフチル〔ｐ-Ｔｏｌ-ＢＩＮＡＰ〕、２，２'−ビス（ ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ）−１，１'−ビナフチル（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ） 、２，２'−ビス ジ（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ）−１，１'−ビナフチル（Ｔ−Ｂｕ−２−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス[ ジ(4-メトキシ-３，５-ジメチルフェニル) ホスフィノ]−１，１'− ビナフチル（ＤＭＭ−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス( ジシクロヘキシルホスフィノ)−１，１’−ビナフチル（Ｃｙ−ＢＩＮＡＰ）、２，２'− ビス（ ジシクロペンチルホスフィノ）−１，１’− ビナフチル（Ｃｐ−ＢＩＮＡＰ）。

更に、この一般式（７）において、好ましく用いられる光学活性二座ホスフィン配位子としては、例えば、特開平４−１３９１４０公報に記載されている第３級ホスフィンで、具体例としては、次のものを挙げることができる。すなわち、２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−５，５’，６，６'，７，７’，８，８'−オクタヒドロビナフチル（Ｈ₈−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロビナフチル（ｐ−Ｔｏｌ−Ｈ₈ −ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジー（３，５−キシリル）ホスフィノ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロビナフチル（ＤＭ−Ｈ₈ −ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジー（４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ）−５，５’，６，６'，７，７’，８，８'−オクタヒドロビナフチル（ＤＭＭ−Ｈ₈ −ＢＩＮＡＰ）。

更にまた、この一般式（７）において、好ましく用いられる光学活性二座ホスフィン配位子としては、例えば、特開平１１−２６９１８５号公報に記載されている第３級ホスフィンで、具体例としては、次のものを挙げることができる。すなわち、（（５，６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２'−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）（ＳＥＧＰＨＯＳ）、（（５，６），（５'，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２'−ジイル）ビス（ジｐ−トリルホスフィン） （ｐ−Ｔｏｌ−ＳＥＧＰＨＯＳ）、（（５，６），（５’，６'）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（ジ３，５−キシリルホスフィン） （ＤＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）、（（５，６），（５'，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２'−ジイル） ビス(ジ４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニルホスフィン)（ＤＭＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）、（（５，６），（５’，６'）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル） ビス(ジ４−メトキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスフィン) （ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ ）、（（５，６），（５’，６'）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル） ビス(ジシクロヘキシルホスフィン) （Ｃｙ−ＳＥＧＰＨＯＳ）。

以上の光学活性二座ホスフィン配位子以外に、一般式（７）に該当するものとして、次の光学活性二座ホスフィン配位子を挙げることができる。すなわち、２，２'−ジメチル−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１'−ビフェニル（ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジｐ−トリルホスフィノ）−１，１'−ビフェニル（ｐ−Ｔｏｌ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジ３，５−キシリルホスフィノ）−１，１'−ビフェニル（ＤＭ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメチル−６，６'−ビス（ジ４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ＤＭＭ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２'−ジメチル−６，６’−ビス（ジ４−ｔ−ブトキシ−３，５−ジメチルフェニルホスフィノ）−１，１'-ビフェニル（ＤＴＢＭ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２'−ジメチル−６，６’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−１，１'−ビフェニル（Ｃｙ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメトキシ−６，６'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１'−ビフェニル（ＭｅＯ−ＢＩＰＨＥＰ）、２，２’−ジメトキシ−６，６'−ビス（ジｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ｐ−Ｔｏｌ−ＭｅＯ−ＢＩＰＨＥＰ）、２，２'−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジ３，５−キシリルホスフィノ）−１，１'−ビフェニル（ＤＭ−ＭｅＯ−ＢＩＰＨＥＰ）、２，２’−ジメトキシ−６，６'−ビス（ジ４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ＤＭＭ−ＭｅＯ−ＢＩＰＨＥＰ）、２，２'−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジ４−ｔ−ブトキシ−３，５−ジメチルフェニルホスフィノ）−１，１'−ビフェニル（ＤＴＢＭ−ＭｅＯ−ＢＩＰＨＥＰ）、２，２’−ジメトキシ−６，６'−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（Ｃｙ−ＭｅＯ−ＢＩＰＨＥＰ）、２，２'−ジメチル−３，３’−ジクロロ−４，４'−ジメチル−６，６’−ビス（ジｐ−トリルホスフィノ）−１，１'−ビフェニル（ｐ−Ｔｏｌ−ＣＭ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメチル−３，３'−ジクロロ−４，４’−ジメチル−６，６'−ビス（ジ３，５−キシリルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ＤＭ−ＣＭ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２'−ジメチル−３，３’−ジクロロ−４，４'−ジメチル−６，６’−ビス（ジ４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニルホスフィノ）−１，１'−ビフェニル（ＤＭＭ−ＣＭ−ＢＩＰＨＥＭＰ）。

本発明では、上記した光学活性二座ホスフィン配位子と遷移金属となる光学活性遷移金属錯体で不斉水素化反応を行うが、この不斉水素化反応における光学活性遷移金属錯体としては、例えば、下記一般式（８）で表される化合物が好ましいのものとして挙げられる。

（式中、Ｍは遷移金属を示し；Ｌは配位子を示し；Ｗは水素原子、ハロゲン原子、カルボキシラート基、アリル基、ジエン又はアニオンを示し；Ｙは水素原子、ハロゲン原子、カルボキシラート基、アリル基、ジエン、アニオン又はＬ以外の配位子を示し；Ｚはアニオン又はアミンを示し；ｍ、ｎ及びｒは１〜５の整数を示し；ｐ、ｑ及びｓは０〜５の整数を示し、ｐ＋ｑ＋ｓは１以上である）

一般式（８）において、Ｍで表される遷移金属としては、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）又は白金（Ｐｔ）等が挙げられる。

Ｌで表される配位子としては、上述した光学活性二座配位子が挙げられる。

一般式（８）で表される遷移金属錯体の好ましいものとして、次のものが挙げられる。すなわち、一般式（８）中のＭはイリジウム、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、ニッケル、銅及び白金からなる群より選ばれる遷移金属であり；Ｌは一般式（１）のホスフィン化合物であり；Ｗ、Ｕ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ、ｓは、Ｍがイリジウム又はロジウムの時、（i）Ｗは塩素、臭素又はヨウ素であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝１、ｒ＝２、ｑ＝ｓ＝０を示し、（ii）Ｗは１，５−シクロオキタジエン、ノルボルナジエンであり、ＺはＢＦ₄、ＣｌＯ₄、ＯＴｆ（Ｔｆは、トリフラート基（ＳＯ₃ＣＦ₃）を示す）、ＰＦ₆、ＳｂＦ₆又はＢＰｈ₄（Ｐｈは、フェニル基を示す）であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｒ＝ｓ＝１、ｑ＝０を示し、（iii）ＺはＢＦ₄、ＣｌＯ₄、ＯＴｆ、ＰＦ₆、ＳｂＦ₆又はＢＰｈ₄であり、ｍ＝ｒ＝ｓ＝１、ｎ＝２、ｑ＝０を示し、Ｍがルテニウムの時、（i）Ｗは塩素、臭素又はヨウ素であり、Ｚはトリアルキルアミンであり、ｍ＝ｐ＝ｓ＝１、ｎ＝ｒ＝２、ｑ＝０を示し、（ii）Ｗは塩素、臭素又はヨウ素であり、Ｚはピリジル基又は環置換ピリジル基であり、ｍ＝ｎ＝ｒ＝ｓ＝１、ｐ＝２、ｑ＝０を示し、（iii）Ｗはカルボキシラート基であり、ｍ＝ｎ＝ｒ＝１、ｐ＝２、ｑ＝ｓ＝０を示し、（iv）Ｗは塩素、臭素又はヨウ素であり、Ｚはジメチルホルムアミド又はジメチルアセトアミドであり、ｍ＝ｎ＝ｒ＝１、ｐ＝２、ｑ＝０、ｓは０〜４の整数を示し、（v）Ｗは塩素、臭素又はヨウ素であり、Ｕは塩素、臭素又はヨウ素であり、Ｚはジアルキルアンモニウムイオンであり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝３、ｒ＝ｓ＝１を示し、（vi）Ｗは塩素、臭素又はヨウ素であり、Ｕは中性配位子である芳香族化合物又はオレフィンであり、Ｚは塩素、臭素、ヨウ素、Ｉ₃、ＢＦ₄、ＣｌＯ₄、ＯＴｆ、ＰＦ₆、ＳｂＦ₆又はＢＰｈ₄であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｑ＝ｒ＝ｓ＝１を示し、（vii）ＺはＢＦ₄、ＣｌＯ₄、ＯＴｆ、ＰＦ₆、ＳｂＦ₆又はＢＰｈ₄であり、ｍ＝ｎ＝ｒ＝１、ｐ＝ｑ＝０、ｓ＝２を示し、（viii）Ｗ及びＵは同一であっても異なっていてもよく、水素原子、塩素、臭素、ヨウ素、カルボキシル基又は他のアニオン基であり、Ｚはジアミン化合物であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｑ＝ｒ＝ｓ＝１を示し、（ix）Ｗは水素原子であり、Ｕは塩素、臭素又はヨウ素であり、ｍ＝ｐ＝ｑ＝ｒ＝１、ｎ＝２、ｓ＝０を示し、（x）Ｗは水素原子であり、ＺはＢＦ₄、ＣｌＯ₄、ＯＴｆ、ＰＦ₆、ＳｂＦ₆又はＢＰｈ₄であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｒ＝ｓ＝１、ｑ＝０を示し、（xi）Ｗは塩素、臭素又はヨウ素であり、Ｕは一価ホスフィン配位子であり、Ｚは塩素、臭素又はヨウ素であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｑ＝１、ｒ＝ｚ＝２を示し、（xii）Ｗ及びＵは同一又は異なって、塩素、臭素又はヨウ素であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｑ＝ｒ＝１、ｓ＝０を示し、Ｍがパラジウムの時、（i）Ｗは塩素、臭素又はヨウ素であり、ｍ＝ｎ＝ｒ＝１、ｐ＝２、ｑ＝ｓ＝０を示し、（ii）Ｗはアリル基であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｒ＝１、ｑ＝ｓ＝０を示し、（iii）ＺはＢＦ₄、ＣｌＯ₄、ＯＴｆ、ＰＦ₆、ＳｂＦ₆又はＢＰｈ₄であり、ｍ＝ｎ＝ｒ＝１、ｐ＝ｑ＝０、ｓ＝２を示し、（iv）Ｗは炭素数１〜５のアルキルニトリル、ベンゾニトリル、フタロニトリル、ピリジン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド又はアセトンであり、ＺはＢＦ₄、ＣｌＯ₄、ＯＴｆ、ＰＦ₆、ＳｂＦ₆又はＢＰｈ₄であり、ｍ＝ｎ＝ｒ＝１、ｐ＝ｓ＝２、ｑ＝０を示し、Ｍがニッケルの時、（i）Ｗは塩素、臭素又はヨウ素であり、ｍ＝ｎ＝ｒ＝１、ｐ＝２、ｑ＝ｓ＝０を示し、（ii）ＺはＢＦ₄、ＣｌＯ₄、ＯＴｆ、ＰＦ₆、ＳｂＦ₆又はＢＰｈ₄であり、ｍ＝ｎ＝ｒ＝１、ｐ＝ｑ＝０、ｓ＝２を示し、Ｍが銅の時、Ｗは水素原子、フッ素、塩素、臭素又はヨウ素であり、ｍ＝ｐ＝４、ｎ＝２、ｒ＝１、ｑ＝ｓ＝０を示し、Ｍが白金の時、（i）Ｗは炭素数１〜５のアルキルニトリル、ベンゾニトリル、フタロニトリル、ピリジン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド又はアセトンであり、ＺはＢＦ₄、ＣｌＯ₄、ＯＴｆ、ＰＦ₆、ＳｂＦ₆又はＢＰｈ₄であり、ｍ＝ｎ＝ｒ＝１、ｐ＝ｓ＝２、ｑ＝０を示し、（ii）Ｗは塩素、臭素又はヨウ素であり、ｍ＝ｎ＝ｒ＝１、ｐ＝２、ｑ＝ｓ＝０を示し、（iii）Ｗは塩素、臭素又はヨウ素であり、ＵはＳｎＣｌ₂であり、ｍ＝ｎ＝ｑ＝ｒ＝１、ｐ＝２、ｓ＝０を示し、（iv）Ｗは塩素、臭素又はヨウ素であり、ＵはＳｎＣｌ₃であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｑ＝ｒ＝１、ｓ＝０を示す）で表される化合物が挙げられる。

遷移金属ホスフィン錯体の錯体（８）の製造方法としては特に制限されないが、例えば次に示す方法あるいはこれに準ずる方法を用いて製造することができる。なお、以下に示す遷移金属ホスフィン錯体の式中において、ｃｏｄは１，５−シクロオクタジエンを、ｎｂｄはノルボルナジエンを、Ｐｈはフェニル基を、Ａｃはアセチル基を、ａｃａｃはアセチルアセトナート、ｄｍｆはジメチルホルムアミド、ｅｎはエチレンジアミン、ＤＰＥＮは１，２−ジフェニルエチレンジアミン、ＤＡＩＰＥＮは１，１−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−２−イソプロピルエチレンジアミンをそれぞれ示す。

ロジウム錯体：ロジウム錯体を製造する具体的な例としては、例えば、日本化学会編「第４版 実験化学講座」、第１８巻、有機金属錯体、１９９１年、３３９〜３４４頁（丸善）に記載の方法に準じて、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム(I) テトラフロロホウ酸塩（［Ｒｈ（ｃｏｄ）₂］ＢＦ₄）と本発明化合物（１）を反応せしめて合成することができる。

ロジウム錯体の具体例として、例えば、以下のものを挙げることができる。
［Ｒｈ（Ｌ）Ｃｌ］₂、［Ｒｈ（Ｌ）Ｂｒ］₂、［Ｒｈ（Ｌ）Ｉ］₂ 、
［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＦ₄ 、
［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ₄ 、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＳｂＦ₆ 、
［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ₆ 、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ₄、
［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ 、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ₄、
［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ₄、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＳｂＦ₆ 、
［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ₆ 、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ₄、
［Ｒｈ（Ｌ）₂］ＯＴｆ 、［Ｒｈ（Ｌ）₂］ＢＦ₄ 、［Ｒｈ（Ｌ）₂］ＣｌＯ₄ 、
［Ｒｈ（Ｌ）₂］ＳｂＦ₆ 、［Ｒｈ（Ｌ）₂］ＰＦ₆ 、［Ｒｈ（Ｌ）₂］ＢＰｈ₄。

ルテニウム錯体：ルテニウム錯体を製造する方法としては、例えば、文献（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．、９２２頁、１９８５年 )に記載に準じて、［（１，５−シクロオクタジエン）ジクロルルテニウム］（［Ｒｕ（ｃｏｄ）Ｃｌ₂］_n）と一般式（７）の化合物をトリアルキルアミンの存在下に有機溶媒中で加熱還流することで調製できる。また、特開平１１−２６９１８５号公報に記載の方法に準じて、ビス［ジクロル（ベンゼン）ルテニウム］（［Ｒｕ（ｂｅｎｚｅｎｅ）Ｃｌ₂］₂）と一般式（７）の化合物をジアルキルアミン存在下に有機溶媒中で加熱還流することにより、調製できる。また、文献（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．、１２０８頁、１９８９年）に記載の方法に準じて、ビス［ジヨード（パラ−シメン）ルテニウム］（［Ｒｕ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）Ｉ₂］₂）と一般式（７）の化合物とを有機溶媒中で加熱撹拌することにより調製することができる。更に、特開平１１−１８９６００号公報に記載の方法に準じて、文献（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．、９９２頁、１９８５年）の方法に従い得られるＲｕ₂Ｃｌ₄（Ｌ）₂ＮＥｔ₃とジアミン化合物とを有機溶媒中で反応せしめて合成することができる。

ルテニウム錯体の具体例として、例えば、以下のものを挙げることができる。
Ｒｕ（ＯＡｃ）₂（Ｌ）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＦ₃）₂（Ｌ）、Ｒｕ₂Ｃｌ₄（Ｌ）₂ＮＥｔ₃、
ＲｕＨＣｌ（Ｌ）、ＲｕＨＢｒ（Ｌ）、ＲｕＨＩ（Ｌ）、
［｛ＲｕＣｌ（Ｌ）｝₂（μ−Ｃｌ）₃］［Ｍｅ₂ＮＨ₂］、
［｛ＲｕＢｒ（Ｌ）｝₂（μ−Ｂｒ）₃］［Ｍｅ₂ＮＨ₂］、
［｛ＲｕＩ（Ｌ）｝₂（μ−I）₃］［Ｍｅ₂ＮＨ₂］、
［｛ＲｕＣｌ（Ｌ）｝₂（μ−Ｃｌ）₃］［Ｅｔ₂ＮＨ₂］、
［｛ＲｕＢｒ（Ｌ）｝₂（μ−Ｂｒ）₃］［Ｅｔ₂ＮＨ₂］、
［｛ＲｕＢｒ（Ｌ）｝₂（μ−Ｉ）₃］［Ｅｔ₂ＮＨ₂］、
［ＲｕＣｌ[ＰＰｈ₃]（Ｌ）］₂（μ−Ｃｌ）₂、[ＲｕＢｒ[ＰＰｈ₃]（Ｌ）]₂（μ−Ｂｒ）₂、
［ＲｕＩ[ＰＰｈ₃]（Ｌ）]₂（μ−Ｉ）₂ 、ＲｕＣｌ₂（Ｌ）、ＲｕＢｒ₂（Ｌ）、ＲｕＩ₂（Ｌ）、［ＲｕＣｌ₂（Ｌ）］（ｄｍｆ）_n、ＲｕＣｌ₂（Ｌ）（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）₂、
ＲｕＢｒ₂（Ｌ）（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）₂、ＲｕＩ₂（Ｌ）（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）₂、
ＲｕＣｌ₂（Ｌ）（２，２'−ｄｉｐｙｒｉｄｉｎｅ）、
ＲｕＢｒ₂（Ｌ）（２，２'−ｄｉｐｙｒｉｄｉｎｅ）、
ＲｕＩ₂（Ｌ）（２，２'−ｄｉｐｙｒｉｄｉｎｅ）、
［ＲｕＣｌ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、
［ＲｕＢｒ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、
［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ 、
［ＲｕＢｒ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ 、
［ＲｕＩ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ 、［ＲｕＩ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ ₃、
［Ｒｕ（Ｌ）］（ＯＴｆ）₂、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＦ₄）₂、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＣｌＯ₄）₂、
［Ｒｕ（Ｌ）］（ＳｂＦ₆）₂、 ［Ｒｕ（Ｌ）］（ＰＦ₆）₂ 、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＰｈ₄）₂、［ＲｕＣｌ₂（Ｌ）］(ｅｎ)、［ＲｕＢｒ₂（Ｌ）］(ｅｎ)、［ＲｕＩ₂（Ｌ）］（ｅｎ）、
［ＲｕＨ₂（Ｌ）］（ｅｎ）、［ＲｕＣｌ₂（Ｌ）］(ＤＰＥＮ)、
［ＲｕＢｒ₂（Ｌ）］(ＤＰＥＮ) 、［ＲｕＩ₂（Ｌ）］(ＤＰＥＮ) 、
［ＲｕＨ₂（Ｌ）］(ＤＰＥＮ) 、［ＲｕＣｌ₂（Ｌ）］(ＤＡＩＰＥＮ) 、
［ＲｕＢｒ₂（Ｌ）］(ＤＡＩＰＥＮ) 、［ＲｕＩ₂（Ｌ）］(ＤＡＩＰＥＮ) 、
［ＲｕＨ₂（Ｌ）］(ＤＡＩＰＥＮ) 。

イリジウム錯体：イリジウム錯体を製造する方法としては、例えば、文献（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．、１９９２年、４２８巻、２１３頁） 記載の方法に準じて、一般式（７）の化合物と［（１，５−シクロオクタジエン）（アセトニトリル）イリジウム］テトラヒドロホウ酸塩（［Ｉｒ（ｃｏｄ）（ＣＨ₃ＣＮ）₂］ＢＦ₄）とを、有機溶媒中にて撹拌下に反応させることにより調製できる。

イリジウム錯体の具体例として、例えば、以下のものを挙げることができる。
［Ｉｒ（Ｌ）Ｃｌ］₂、［Ｉｒ（Ｌ）Ｂｒ］₂、［Ｉｒ（Ｌ）Ｉ］₂ 、
［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ 、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＦ₄ 、
［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ₄ 、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＳｂＦ₆ 、
［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ₆ 、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ₄、
［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ 、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ₄ 、
［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ₄、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＳｂＦ₆ 、
［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ₆ 、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ₄、
［Ｉｒ（Ｌ）₂］ＯＴｆ 、［Ｉｒ（Ｌ）₂］ＢＦ₄ 、［Ｉｒ（Ｌ）₂］ＣｌＯ₄ 、
［Ｉｒ（Ｌ）₂］ＳｂＦ₆ 、［Ｉｒ（Ｌ）₂］ＰＦ₆ 、［Ｉｒ（Ｌ）₂］ＢＰｈ₄、
ＩｒＣｌ（ｃｏｄ）（ＣＯ）（Ｌ）、ＩｒＢｒ（ｃｏｄ）（ＣＯ）（Ｌ）、
ＩｒＩ（ｃｏｄ）（ＣＯ）（Ｌ）。

パラジウム錯体：パラジウム錯体を製造する方法としては、例えば、文献(Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、１９９１年、１１３巻、９８８７頁；Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、Ｄａｌｔｏｎ Ｔｒａｎｓ．，２２４６〜２２４９頁、１９８０年；Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ、３７巻、６３５１〜６３５４頁、１９９６年)に記載の方法に準じて、一般式（７）の化合物とπ−アリルパラジウムクロリド（［（π−ａｌｌｙｌ）ＰｄＣｌ］₂）を反応させることにより調製できる。

パラジウム錯体の具体例として、例えば、以下のものを挙げることができる。
ＰｄＣｌ₂（Ｌ）、 ＰｄＢｒ₂（Ｌ）、ＰｄＩ₂（Ｌ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）₂（Ｌ）、
Ｐｄ（ＯＣＯＣＦ₃）₂（Ｌ）、［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］Ｃｌ、
［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］Ｂｒ、［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］Ｉ、
［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］ＯＴｆ、［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］ＢＦ₄、
［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］ＣｌＯ₄、［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］ＳｂＦ₆、［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］ＰＦ₆、［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］ＢＰｈ₄、
［（Ｐｄ（Ｌ））］（ＯＴｆ）₂、［（Ｐｄ（Ｌ））］（ＢＦ₄）₂、
［（Ｐｄ（Ｌ））］（ＣｌＯ₄）₂、［（Ｐｄ（Ｌ））］（ＳｂＦ₆）₂ 、
［（Ｐｄ（Ｌ））］（ＰＦ₆）₂ 、［（Ｐｄ（Ｌ））］（ＢＰｈ₄）₂、
ＰｈＣＨ₂Ｐｄ（Ｌ）Ｃｌ、ＰｈＣＨ₂Ｐｄ（Ｌ）Ｂｒ、
ＰｈＣＨ₂Ｐｄ（Ｌ）Ｉ、ＰｈＰｄＣｌ（Ｌ）、ＰｈＰｄＢｒ（Ｌ）、ＰｈＰｄＩ（Ｌ）、Ｐｄ（Ｌ）、［Ｐｄ（Ｌ）（ＰｈＣＮ）₂］［ＢＦ₄］₂。

ニッケル錯体：ニッケル錯体を製造する方法としては、例えば、日本化学会編「第４版 実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、１９９１年、３７６頁（丸善）の方法、また、文献（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、１９９１，１１３，９８８７）に記載の方法に準じて、一般式（７）の化合物と塩化ニッケル（ＮｉＣｌ₂）とを、有機溶媒に溶解し、加熱撹拌することにより調製できる。

ニッケル錯体の具体例として、例えば、以下のものを挙げることができる。
ＮｉＣｌ₂（Ｌ）、ＮｉＢｒ₂（Ｌ）、ＮｉＩ₂（Ｌ）。

銅錯体：銅錯体を製造する方法としては、例えば、日本化学会編「第４版 実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、１９９１年、４４４〜４４５頁（丸善）の方法に準じて、一般式（７）の化合物と塩化銅(I)（ＣｕＣｌ₂）とを、有機溶媒に溶解し、加熱撹拌することにより調製できる。

銅錯体の具体例として、例えば、以下のものを挙げることができる。
Ｃｕ₄Ｆ₄（Ｌ）₂、Ｃｕ₄Ｃｌ₄（Ｌ）₂、Ｃｕ₄Ｂｒ₄（Ｌ）₂、Ｃｕ₄Ｉ₄（Ｌ）₂、
Ｃｕ₄Ｈ₄（Ｌ）₂。

白金錯体：白金錯体を製造する方法としては、例えば、文献（Ｏｒｇａｍｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ, １９９１年、１０巻、２０４６頁）に記載の方法に準じて、一般式（７）の化合物とジベンゾニトリルジクロル白金（ＲｔＣｌ₂（ＰｈＣＮ）₂）とを、有機溶媒に溶解し、加熱撹拌することにより調製でき、必要に応じてルイス酸（ＳｎＣｌ₂等）を加えてもよい。

白金錯体の具体例として、例えば、以下のものを挙げることができる。
ＰｔＣｌ₂（Ｌ）、ＰｔＢｒ₂（Ｌ）、ＰｔＩ₂（Ｌ） 、ＰｔＣｌ₂（Ｌ）（ＳｎＣｌ₂）、ＰｔＣｌ（Ｌ）（ＳｎＣｌ₃）。

本発明の不斉水素化反応におけるより好ましい触媒は、遷移金属錯体としてロジウム、イリジウム及びルテニウムから選ばれる一種である光学活性二座ホスフィン配位子と遷移金属とからなる錯体である。最も好ましくは、このような光学活性ホスフィンと遷移金属とからなる錯体に、更にアンモニウム塩、ホスホニウム塩又はアルカリ金属塩を添加して水素化して得られる錯体である。

このような光学活性ホスフィンと遷移金属錯体とからなる錯体に、更にアンモニウム塩、ホスホニウム塩又はアルカリ金属塩を添加して水素化して得られる錯体の存在下、選択性が高くなる系を検討したところ、次の系が好ましかった。

一般式（９）、

（式中、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は、各々独立に炭素数１〜１６のアルキル基、フェニル基、ベンジル基を示し、Ｂは窒素原子又はリン原子を示し、Ｇはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン原子、カルボキシラート、スルホナートを示す）で示される四級アンモニウム塩又は四級ホスホニウム塩、具体的には、例えば、Ｍｅ₄ＮＣｌ、Ｍｅ₄ＮＢｒ、Ｍｅ₄ＮＩ、Ｅｔ₄ＮＣｌ、Ｅｔ₄ＮＢｒ、Ｅｔ₄ＮＩ、Ｂｕ₄ＮＣｌ、Ｂｕ₄ＮＢｒ、Ｂｕ₄ＮＩ、
（Ｂｅｎｚｙｌ）Ｍｅ₃ＮＣｌ、（Ｂｅｎｚｙｌ）Ｍｅ₃ＮＢｒ、
（Ｂｅｎｚｙｌ）Ｍｅ₃ＮＩ、（Ｂｅｎｚｙｌ）Ｅｔ₃ＮＣｌ、
（Ｂｅｎｚｙｌ）Ｅｔ₃ＮＢｒ、（Ｂｅｎｚｙｌ）Ｅｔ₃ＮＩ、（Ｃ₈Ｈ₁₇）Ｍｅ₃ＮＣｌ、
（Ｃ₈Ｈ₁₇）Ｍｅ₃ＮＢｒ、（Ｃ₈Ｈ₁₇）Ｍｅ₃ＮＩ、（Ｃ₁₆Ｈ₃₃）Ｍｅ₃ＮＣｌ、
（Ｃ₁₆Ｈ₃₃）Ｍｅ₃ＮＢｒ、（Ｃ₁₆Ｈ₃₃）Ｍｅ₃ＮＩ、Ｍｅ₄ＮＯＴｆ、Ｍｅ₄ＮＯＴｓ、
Ｍｅ₄ＮＯＡｃ、Ｍｅ₄ＮＯＣＯＣＦ₃、ｎ−Ｂｕ₄ＮＯＴｆ、ｎ−Ｂｕ₄ＮＯＴｓ、
ｎ−Ｂｕ₄ＮＯＡｃ、ｎ−Ｂｕ₄ＮＯＣＯＣＦ₃等の四級アンモニウム塩、ＭｅＰｈ₃ＰＣｌ、ＭｅＰｈ₃ＰＢｒ、ＭｅＰｈ₃ＰＩ、ＥｔＰｈ₃ＰＣｌ、ＥｔＰｈ₃ＰＢｒ、ＥｔＰｈ₃ＰＩ、
ＢｕＰｈ₃ＰＣｌ、ＢｕＰｈ₃ＰＢｒ、ＢｕＰｈ₃ＰＩ、Ｐｈ₄ＰＣｌ、Ｐｈ₄ＰＢｒ、
Ｐｈ₄ＰＩ、（Ｃ₆Ｈ₁₃）Ｐｈ₃ＰＣｌ、（Ｃ₆Ｈ₁₃）Ｐｈ₃ＰＢｒ、（Ｃ₆Ｈ₁₃）Ｐｈ₃ＰＩ、
（Ｃ₇Ｈ₁₅）Ｐｈ₃ＰＣｌ、（Ｃ₇Ｈ₁₅）Ｐｈ₃ＰＢｒ、（Ｃ₇Ｈ₁₅）Ｐｈ₃ＰＩ、
（Ｃ₈Ｈ₁₇）Ｐｈ₃ＰＣｌ、（Ｃ₈Ｈ₁₇）Ｐｈ₃ＰＢｒ、（Ｃ₈Ｈ₁₇）Ｐｈ₃ＰＩ、
（Ｃ₁₆Ｈ₃₃）Ｐｈ₃ＰＣｌ、（Ｃ₁₆Ｈ₃₃）Ｐｈ₃ＰＢｒ、（Ｃ₁₆Ｈ₃₃）Ｐｈ₃ＰＩ、
（Ｃ₁₆Ｈ₃₃）Ｂｕ₃ＰＣｌ、（Ｃ₁₆Ｈ₃₃）Ｂｕ₃ＰＢｒ、（Ｃ₁₆Ｈ₃₃）Ｂｕ₃ＰＩ、
ＣｌＰＰｈ₃ＣＨ₂ＰＰｈ₃Ｃｌ、ＣｌＰＰｈ₃（ＣＨ₂）₂ＰＰｈ₃Ｃｌ、
ＣｌＰＰｈ₃（ＣＨ₂）₃ＰＰｈ₃Ｃｌ、ＣｌＰＰｈ₃（ＣＨ₂）₄ＰＰｈ₃Ｃｌ、
ＣｌＰＰｈ₃（ＣＨ₂）₅ＰＰｈ₃Ｃｌ、ＣｌＰＰｈ₃（ＣＨ₂）₆ＰＰｈ₃Ｃｌ、
ＢｒＰＰｈ₃ＣＨ₂ＰＰｈ₃Ｂｒ、ＢｒＰＰｈ₃（ＣＨ₂）₂ＰＰｈ₃ＣＢｒ、
ＢｒＰＰｈ₃（ＣＨ₂）₃ＰＰｈ₃Ｂｒ、ＢｒＰＰｈ₃（ＣＨ₂）₄ＰＰｈ₃Ｂｒ、
ＢｒＰＰｈ₃（ＣＨ₂）₅ＰＰｈ₃Ｂｒ、ＢｒＰＰｈ₃（ＣＨ₂）₆ＰＰｈ₃Ｂｒ、
ＩＰＰｈ₃ＣＨ₂ＰＰｈ₃Ｉ、ＩＰＰｈ₃（ＣＨ₂）₂ＰＰｈ₃Ｉ、
ＩＰＰｈ₃（ＣＨ₂）₃ＰＰｈ₃Ｉ、ＩＰＰｈ₃（ＣＨ₂）₄ＰＰｈ₃Ｉ、
ＩＰＰｈ₃（ＣＨ₂）₅ＰＰｈ₃Ｉ、ＩＰＰｈ₃（ＣＨ₂）₆ＰＰｈ₃Ｉ等の四級ホスホニウム塩を使用する系が好ましい。

また、一般式（１０）、

（式中、Ｍ’は、Ｌｉ、Ｎａ又はＫの金属を示し、Ｚ’は、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩのハロゲン原子を示す）
で表される塩、具体的には、例えば、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ等の金属塩を使用するものが好ましい。更には、（Ｂｎ）Ｅｔ₃ＮＣｌ、（Ｂｎ）Ｅｔ₃ＮＢｒ、（Ｂｎ）Ｅｔ₃ＮＩ等のアンモニウム塩が選択でき、ＢｕＰｈ₃ＰＣｌ、ＢｕＰｈ₃ＰＢｒ、ＢｕＰｈ₃ＰＩ、（Ｃ₆Ｈ₁₃）Ｐｈ₃ＰＢｒ、ＢｒＰＰＨ₃（ＣＨ₂）₄ＰＰｈ₃Ｂｒ等のホスホニウム塩等が選択でき高い選択性が得られる（Ｂｎ：ベンジル基、Ｅｔ：エチル基、Ｐｈ：フェニル基、Ｂｕ：ブチル基を示す）。

また、光学活性二座ホスフィン配位子では、ＢＩＮＡＰ類の中ではＤＭ−ＢＩＮＡＰを選択することができ、Ｈ₈−ＢＩＮＡＰ類の中ではＤＭ−Ｈ₈−ＢＩＮＡＰを選択することができ、更にＳＥＧＰＨＯＳ類の中からはＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳを選択することができ、高い選択性が得られる。

これらの光学活性二座ホスフィン配位子は、いずれも（Ｓ）−体及び（Ｒ）−体が存在するので、目的とする光学活性アルキルフタリド類（１）の絶対配置に応じていずれかを選択すればよい。すなわち、基質として（Ｚ）−体を用いた場合、例えば、配位子としてＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳを用いたとき、（Ｓ）−体を得るには（−）−体を用い、（Ｒ）−体を得るには（＋）−体を用いればよい。一方、基質として（Ｅ）−体を用いた場合、（Ｓ）−体を得るには（＋）−体を用い、（Ｒ）−体を得るには（−）−体を用いればよい。

なお、遷移金属−光学活性ホスフィン錯体の使用量は、アルキリデンフタリド類（２）に対して約５０００〜５００００分の１モルであるのが好ましい。添加剤（アンモニウム塩、ホスホニウム塩又はアルカリ金属塩）の使用量は、遷移金属−光学活性二座ホスフィン錯体に対して約０．２〜２．０当量であるのが好ましい。

また、反応溶媒としては、不斉水素化原料及び触媒系を可溶化するものであれば適宜なものを用いることができる。例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、ペンタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素溶媒；塩化メチレン、等のハロゲン含有炭化水素溶媒；エーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒；メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、ベンジルアルコール等のアルコール系溶媒；アセトニトリル、ＤＭＦやＤＭＳＯ等ヘテロ原子を含む有機溶媒を用いることができる。好ましくはアルコール系溶媒及びアルコール系溶媒との混合溶媒が用いられる。溶媒の量は、反応基質の溶解度及び経済性により判断される。例えば、基質によっては１％以下の低濃度から無溶媒に近い状態で行うことができるが、０．１〜２．０容量で用いるのが好ましい。そして、本発明における水素の圧力は、経済性を考慮して１〜１００Ｋｇ／ｃｍ²（０．１〜１０ＭＰａ）、更に５〜５０Ｋｇ／ｃｍ²（０．５〜５ＭＰａ）の範囲が好ましい。反応温度については、０〜１５０℃で行うことができるが、１０〜５０℃の範囲がより好ましい。また、反応時間は、反応基質濃度、温度、圧力等の反応条件によって異なるが、数分〜３０時間で反応は完結する。反応終了後は、通常の後処理を行うことにより、目的物を単離することができる。

以下に実施例を挙げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定されるものではない。なお、各実施例における物性の測定に用いた装置は次のとおりである。

ガスクロマトグラフィー
使用機器：ＨＰ−６８９０（Ｈｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄ製）
カラム：Ｎｅｕｔｒａｂｏｎｄ−１（３０ｍ×０．２５μｍ）
Ｉｎｊ．ｔｅｍｐ．：２５０℃
Ｄｅｔ．ｔｅｍｐ．：２５０℃
Ｉｎｉｔｉａｌ ｔｅｍｐ．：１００℃
旋光度
使用機器：ＤＩＰ−３６０（日本分光（株）製）

実施例１ （Ｚ）−オクチリデンフタリドの合成
３００ｍＬ４つ口フラスコにマグネシウム３．３ｇ(０．１３６モル)を量りとり、窒素置換後ＴＨＦ１０ｍＬを加え、７５℃にて５〜１０分程度加熱後、臭化オクチル０．２ｇを滴下し反応開始を確認した。１０分間攪拌した後、ＴＨＦ５０ｍＬで希釈した塩化オクチル２３．８ｇ(０．１６モル)を１．５時間かけて滴下した。発熱により温度は６９〜７１℃に達し、溶媒が還流した。滴下終了後、ＴＨＦ１０５ｍＬを追加し、槽内温度７０℃にて更に１時間攪拌を続行してオクチルマグネシウムクロライド溶液（グリニヤ試薬）を調製した。

５００ｍＬ４つ口フラスコに二塩化フタロイル２５．０ｇ(０．１２３モル)を仕込み、窒素置換後ＴＨＦ５０ｍＬを加えた。ドライアイス/アセトンバスにて−３０℃まで冷却し、激しく攪拌しながら上記反応で得たグリニヤ試薬を１．５時間かけて滴下した。滴下終了後更に−３０℃を３０分間保ち、その後冷浴を撤去して槽内温度が０℃になった時点で攪拌を停止し反応終了とした。減圧下ＴＨＦを回収し、これにトルエン及び水、各１００ｍＬを加え、更に１０％塩酸水６ｍＬを滴下して約５分攪拌し、分液をおこないマグネシウム塩を除去した。続いて５％苛性ソーダ水２００ｍＬで洗浄、分液後、更に１０％食塩水１００ｍＬで２回洗浄をおこなった。
トルエン回収後、カラムクロマトグラフィーを行い収率６１．０％で（Ｚ）−オクチリデンフタリドを得た。

実施例２ （Ｒ）−オクチルフタリドの合成
２００ｍＬオートクレーブに［Ｒｈ（ｃｏｄ）₂］ＰＦ₆ ３．８ｍｇ、（＋）−ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ９．７ｍｇ、Ｂｒ^- Ｐｈ₃Ｐ⁺（ＣＨ₂）₄Ｐ⁺Ｐｈ₃ Ｂｒ^- （ＤＴＰＰＢＢ ）７．６ｍｇ及び実施例１で得た（Ｚ）−オクチリデンフタリド１０．０ｇを仕込み、水素を室温下４．０Ｍｐａまで充填し、７０℃にて１９時間攪拌した。反応終了後、蒸留をおこない、無色透明のオクチルフタリド９．５ｇ（純度９８．２％）を得た。得られたオクチルフタリド９．５ｇを含水メタノール６０ｍＬ（Ｓ／Ｓ＝６）にて溶解後、冷却して（Ｒ）−オクチルフタリド７．０ｇ（純度１００％, ［α］²⁵ _D：−５５．４°（ｃ＝１．０９，ｎ−Ｈｅｘａｎｅ））を白色結晶として得た。

実施例３〜４
ロジウム触媒、基質／触媒モル比（Ｓ／Ｃ）、溶媒容量／基質質量比（Ｓ／Ｓ）、反応温度及び反応条件を表１のように変えて、実施例２と同様に反応させた。結果を表１に示す。

Claims (6)

1. 下記一般式（３）：
   （式中、環Ａは置換基を有していてもよいベンゼン環を示し；Ｘ及びＸ'は各々独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基又はハロゲン置換アルキルスルホニルオキシ基を示す）
   で表されるフタル酸誘導体を、下記一般式（４）：
   （式中、Ｙはハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基又はハロゲン置換アルキルスルホニルオキシ基を示し；ｌは２〜８の整数を示す）
   で表されるマグネシム化合物と反応させて下記一般式（２）：
   （式中、環Ａ及びｌは前記と同義であり；波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す）
   で表されるアルキリデンフタリド類を得、次いで不斉水素化することを特徴とする一般式（１）：
   （式中、環Ａ及びｌは前記と同義であり；＊は不斉炭素原子を示す）
   で表される光学活性アルキルフタリド類の製造方法。
2. 下記一般式（３）：
   （式中、環Ａは置換基を有していてもよいベンゼン環を示し；Ｘ及びＸ'は各々独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基又はハロゲン置換アルキルスルホニルオキシ基を示す）
   で表されるフタル酸誘導体を、下記一般式（４）：
   （式中、Ｙはハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基又はハロゲン置換アルキルスルホニルオキシ基を示し；ｌは２〜８の整数を示す）
   で表されるマグネシム化合物と反応させることを特徴とする下記一般式（２）：
   （式中、環Ａ及びｌは前記と同義であり；波線は二重結合のシス体及び／又はトランス体であることを示す）
   で表されるアルキリデンフタリド類の製造方法。
3. 光学活性ホスフィン化合物と遷移金属からなる錯体で不斉水素化反応を行うことを特徴とする請求項１記載の製造方法。
4. 光学活性ホスフィン化合物が、次の一般式（７）：
   （式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は各々独立に置換基を有していてもよい芳香族基又は炭素数３〜１０のシクロアルキル基を示すか、あるいはＲ¹とＲ²、Ｒ³とＲ⁴は各々互いに隣接するリン原子と一緒になって複素環を形成していてもよく；Ｒ⁵及びＲ⁶は各々独立に水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ジ（炭素数１〜５アルキル）アミノ基、５〜８員の環状アミノ基又はハロゲン原子を示し；Ｒ⁷は炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ジ（炭素数１〜５アルキル）アミノ基、５〜８員の環状アミノ基又はハロゲン原子を示し；また、Ｒ⁵とＲ⁶、Ｒ⁶とＲ⁷は各々互いに一緒になって、縮合ベンゼン環、縮合置換ベンゼン環、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、メチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基又はトリメチレンジオキシ基を形成してもよい）
   で表される光学活性ホスフィン化合物であることを特徴とする請求項３記載の製造方法。
5. 光学活性ホスフィン化合物と、ロジウム、イリジウム及びルテニウムから選ばれる遷移金属錯体とからなる光学活性ホスフィン錯体で、不斉水素化反応を行うことを特徴とする請求項３又は４記載の製造方法。
6. 光学活性ホスフィン化合物と、ロジウム、イリジウム及びルテニウムから選ばれる遷移金属錯体とからなる光学活性ホスフィン錯体に、アンモニウム塩、ホスホニウム塩又はアルカリ金属塩を添加して不斉水素化反応を行うことを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項記載の製造方法。