JP7151688B2 - 炭化珪素エピ基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1から図3は、実施の形態1に係る炭化珪素エピ基板の製造方法を示す断面図である。まず、エピタキシャル装置内にSiC基板1を配置する。SiC基板1の直径は100mm~150mm、厚みは例えば350μmである。キャリアガスとして水素ガスを装置内に流し、装置内の温度を所定の温度、例えば1600℃まで上昇させる。その温度を所定の時間だけ保持し、エピタキシャル成長前にガスによるエッチングを行う。次に、成長ガスとしてシラン系ガス、例えばモノシランと炭化水素系ガス、例えばプロパンを導入し、ドーパントガスとして窒素を導入してエピタキシャル成長を実施する。これにより、図1に示すように、n型のSiC基板1の表面側にn型のSiC層2をエピタキシャル成長させる。
図4及び図5は、実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。製造する半導体装置はMOSFETである。まず、図4に示すように、実施の形態1の製造方法により製造した炭化珪素エピ基板6をステージ7の上に載せる。SiC層2の上にレジスト8を形成する。
Claims (8)
- SiC基板の表面側にSiC層をエピタキシャル成長させる工程と、
前記SiC層のエピタキシャル成長時に前記SiC基板の裏面外周部に形成された多結晶SiCの突起をレーザ加工により除去する工程とを備えることを特徴とする炭化珪素エピ基板の製造方法。 - 前記レーザ加工に使用するレーザ光の波長として、前記SiC基板の材質よりも多結晶SiCに吸収されやすい波長を選定することを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素エピ基板の製造方法。
- 前記レーザ光の波長は500nm以上であることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素エピ基板の製造方法。
- 前記レーザ光の波長は600nm以上であることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素エピ基板の製造方法。
- 前記SiC基板は4H型又は6H型の単結晶SiCからなることを特徴とする請求項3又は4に記載の炭化珪素エピ基板の製造方法。
- 前記SiC基板の不純物濃度は2E16cm-3以下であることを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の炭化珪素エピ基板の製造方法。
- 前記レーザ加工は前記SiC基板の基板端から2cm以内の範囲内でのみ実施することを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載の炭化珪素エピ基板の製造方法。
- 請求項1~7の何れか1項に記載の製造方法により製造した炭化珪素エピ基板を用いた半導体装置の製造方法。
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