JP2014220502A - プラズマ露出面上にinsituで形成された保護層を備えるプラズマ処理チャンバのコンポーネント - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマ処理チャンバのコンポーネントであって、コンポーネントのプラズマ露出面上に液体保護層を備える。液体保護層は、液体チャネルに液体を供給し、コンポーネントの液体供給路を通して液体を送出することによって、補給可能である。コンポーネントは、プラズマを発生させ、発生させたプラズマを用いて半導体基板120の処理を行うプラズマ処理装置内で、基板支持部118に支持された半導体基板を囲むエッジリングアセンブリ200でもよい。あるいは、液体保護層を十分に硬化又は冷却することにより、固体保護層を形成するようにしてもよい。
【選択図】図1A
Description
プラズマ処理チャンバの設計者が直面する課題の1つは、プラズマエッチング条件によって、プラズマに露出される処理チャンバの表面に大きなイオン衝撃が生じることにある。このイオン衝撃は、プラズマ化学及び/又はエッチング副生物と相まって、処理チャンバのプラズマ露出面に、著しい浸食、腐食及び腐食−浸食を生じさせる。別の課題は、下部電極アセンブリと半導体基板(たとえば、シリコン基板)とにわたる熱伝導を制御すること、特に、基板中心の温度を基板端部の温度と等しくすること、あるいは、基板全体にわたって所望の温度プロファイルを形成すること、にある。このような課題を軽減する目的で、基板の周りにエッジリングアセンブリが嵌合される。
化物、テトラフルオロホウ酸1−エチルピリジニウム、N−エチルピリジニウム臭化物−d10,3−メチル−1−プロピルピリジニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、メチル硫酸1,2,4−トリメチルピラゾリウム、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、メタンスルホン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、エチル硫酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、ジエチルリン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、酢酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、メチル硫酸トリス(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウム、チオシアン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、メチル炭酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、メチル炭酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、無水ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウム塩化物、purumグレードの三臭化ベンジルトリメチルアンモニウム、ブチルトリメチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、ジエチルメチル(2−メトキシエチル)アンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、エチルジメチルプロピルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、L−(+)乳酸2−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム、メチルトリオクタデシルアンモニウム臭化物、メチルトリオクチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、メチルトリオクチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、硫酸水素メチルトリオクチルアンモニウム、チオサリチル酸メチルトリオクチルアンモニウム、安息香酸テトラブチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム・ビストリフルオロメタンスルホンイミデート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム30水和物、purumグレードのメタンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、亜硝酸テトラブチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム・スクシンイミド、テトラブチルアンモニウム・チオフェノラート、purumグレードの三臭化テトラブチルアンモニウム、三ヨウ化テトラブチルアンモニウム、テトラドデシルアンモニウム臭化物、テトラドデシルアンモニウム塩化物、purumグレードのテトラヘキサドデシルアンモニウム臭化物、purumグレードのテトラヘキシルアンモニウム臭化物、硫酸水素テトラヘキシルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウムヨウ化物、テトラフルオロホウ酸テトラヘキシルアンモニウム、テトラキス(デシル)アンモニウム臭化物、水酸化テトラメチルアンモニウム5水和物、purumグレードのテトラオクチルアンモニウム臭化物、トリブチルメチルアンモニウム塩化物、ジブチルリン酸トリブチルメチルアンモニウム、メチル炭酸トリブチルメチルアンモニウム、メチル硫酸トリブチルメチルアンモニウム、メチル硫酸トリス(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウム、ジブチルリン酸トリエチルメチルアンモニウム、メチル炭酸トリエチルメチルアンモニウム、酢酸コリン、1−アリル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−アリル−3−メチルイミダゾリウム臭化物、1−アリル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、1−アリル−3−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、1−アリル−3−メチルイミダゾリウムヨウ化物、1−ベンジル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸1−ベンジル−3−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−ベンジル−3−メチルイミダゾリウム、1,3−ビス(シアノメチル)イミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、purumグレードの1,3−ビス(シアノメチル)イミダゾリウム塩化物、1−ブチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸1−ブチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−ブチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム、4−(3−ブチル−1−イミダゾリオ)−1−ブタンスルホナート、4−(3−ブチル−1−イミダゾリオ)−1−ブタンスルホン酸トリフラート、酢酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム臭化物、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、ジブチルリン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロアンチモン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、硫酸水素1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロリン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム及びこれらの混合物でもよい。1つ又は複数のプラズマ適合性液体は、約800〜5000g/molの分子量を有することが望ましく、約1000g/molより大きな分子量を有することがより望ましい。
Claims (27)
- プラズマを発生させ、発生させたプラズマを用いて半導体基板を処理するプラズマ処理チャンバのコンポーネントであって、
少なくとも1つのプラズマ露出面と、
前記プラズマ露出面にプラズマ適合性液体を供給することによって、前記プラズマ露出面上に液体保護層を形成する手段と、を備えるコンポーネント。 - 請求項1に記載のコンポーネントであって、
(a)前記液体を供給する手段は、前記コンポーネント内に液体供給路を備え、前記液体供給路は、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に前記液体を分配し、これにより、前記液体が前記プラズマ露出面上に前記液体保護層を形成する、ように構成される、
(b)前記液体を供給する手段は、前記コンポーネント内に液体チャネルを備え、前記液体チャネルは、前記コンポーネント内の液体供給路に流体連結され、これにより、前記液体チャネルは、前記液体供給路を通じて前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に前記液体を供給可能である、
(c)前記液体を供給する手段は、前記コンポーネント内に第1及び第2の液体チャネルを備え、前記第1及び第2の液体チャネルは、第1の液体供給路群及び第2の液体供給路群にそれぞれ流体連結され、これにより、各液体チャネルは、前記液体供給路を通じて前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に異なるプラズマ適合性液体を供給可能である、
及び/又は、
(d)前記液体を供給する手段は、前記コンポーネント内に液体流入チャネルと液体流出チャネルとを備え、前記液体流入チャネル及び前記液体流出チャネルは、前記コンポーネント内の液体チャネルに流体連結され、これにより、前記コンポーネントに供給された前記液体を、前記コンポーネントへの流出入により循環させることができる、コンポーネント。 - 請求項2に記載のコンポーネントであって、
(a)前記コンポーネントは多孔質セラミックであり、前記液体供給路は前記多孔質セラミックの細孔であり、前記細孔は、前記多孔質セラミックの前記細孔を通じて前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に前記液体を送出する、ように構成される、又は、
(b)前記コンポーネントは金属材料から形成され、前記液体供給路は、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に前記液体を送出するように構成される毛細管サイズの孔のパターンである、コンポーネント。 - 請求項1に記載のコンポーネントであって、
前記コンポーネントは、前記プラズマ処理チャンバ内の基板支持部上に載置された半導体基板を囲むように構成されるエッジリングであり、
(a)前記エッジリングは、傾斜した上面を備える、
(b)前記エッジリングは、平面状の上面を備える、
(c)前記エッジリングは、内側環状リップを備える、
(d)前記エッジリングは、外側環状リップを備える、
(e)前記エッジリングは、酸化アルミニウム、アルミナ、酸化ケイ素、石英、ケイ素、炭化ケイ素、YAG、酸化イットリウム、フッ化イットリウム、酸化セリウム、窒化アルミニウム、グラファイト又はこれらの組み合わせである、
(f)前記エッジリングは、内部に埋め込まれた1つ又は複数のRF電極を備える、
(g)前記エッジリングは、ヒータを備える、
(h)前記エッジリングは、内部に形成された段部を備える、
(i)前記プラズマ露出面は、前記エッジリングの鉛直面である、
及び/又は、
(j)前記プラズマ露出面は、前記エッジリングの上面である、コンポーネント。 - 請求項2に記載のコンポーネントであって、
前記コンポーネントは、基板支持面を備える基板支持部であって、前記基板支持面は、前記基板支持部の上面に形成された凹部上に張り出すようにして半導体基板を支持し、前記プラズマ露出面が前記凹部を囲む、コンポーネント。 - 請求項5に記載の基板支持部であって、
(a)前記プラズマ露出面は、前記基板支持部の傾斜した上面である、
(b)前記プラズマ露出面は、前記基板支持部の平面状の上面である、
(c)前記プラズマ露出面は、前記基板支持部の内部に形成された段部であって、前記基板支持部の前記上面に形成された凹部により規定される段部を備える、
(d)前記プラズマ露出面は、前記基板支持部の鉛直面である、
(e)前記プラズマ露出面は、前記基板支持部の上面である、
(e)前記プラズマ露出面は、内側環状リップを備える、
及び/又は、
(f)前記プラズマ露出面は、外側環状リップを備える、基板支持部。 - 請求項1に記載のコンポーネントであって、
(a)前記コンポーネントは、酸化アルミニウム、アルミナ、酸化ケイ素、石英、ケイ素、炭化ケイ素、YAG、酸化イットリウム、フッ化イットリウム、酸化セリウム、窒化アルミニウム、グラファイト又はこれらの組み合わせである、
及び/又は、
(b)前記コンポーネントは、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上に細溝を備え、前記細溝は、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給される前記液体を導くように構成される、コンポーネント。 - プラズマを発生させ、発生させたプラズマを用いて半導体基板を処理するプラズマ処理チャンバの基板支持アセンブリであって、
請求項4に記載のエッジリングを備える、基板支持アセンブリ。 - 半導体プラズマ処理装置であって、
個々の半導体基板が内部で処理される真空チャンバと、
前記真空チャンバに流体接続される処理ガス源であって、前記真空チャンバに処理ガスを供給する処理ガス源と、
前記真空チャンバ内で前記処理ガスをプラズマ状態に励起させるように構成されるRFエネルギー源と、
請求項1に記載のコンポーネントであって、前記プラズマ適合性液体を供給する手段が前記コンポーネント内に供給路を備える、コンポーネントと、
前記プラズマ適合性液体を前記供給路に送出する液体供給部と、
を備える半導体プラズマ処理装置。 - 請求項9に記載の半導体プラズマ処理装置であって、
(a)前記装置は、誘導結合プラズマ処理層である、
(b)前記装置は、容量結合プラズマ処理装置である、
(c)前記装置は、電子サイクロトロン共鳴プラズマ処理装置である、
(d)塩基装置は、ヘリコン波プラズマ処理装置である、
又は、
(e)前記装置は、マイクロ波プラズマ処理装置である、
半導体プラズマ処理装置。 - 請求項9に記載の半導体プラズマ処理装置であって、
(a)前記プラズマ適合性液体は、所定の圧力で前記液体供給部に収容され、前記液体供給部と前記真空チャンバとの間の圧力差を利用して前記液体供給路内を前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に向かって液体が流され、前記所定の圧力は、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上の前記液体層の厚みを所定の厚みに維持できるように制御可能である、
又は、
(b)前記液体供給部はポンプを備え、前記ポンプは、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上の前記液体の厚みを所定の厚みに維持できるように、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に向かって前記プラズマ適合性液体をポンプで送るように構成される、半導体プラズマ処理装置。 - 請求項9に記載の半導体プラズマ処理装置であって、
(a)前記コンポーネントは、エッジリングである、
(b)前記コンポーネントは、基板支持アセンブリの接着層に隣接し、前記接着層に隣接する前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給された前記
プラズマ適合性液体は、前記プラズマ露出面に供給され、前記接着層を前記液体で被覆するように構成される、
及び/又は、
(c)前記コンポーネントは、基板支持アセンブリの接着層を囲むように構成されるエッジシールに隣接し、前記エッジシールに隣接する前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給された前記プラズマ適合性液体は、前記プラズマ露出面に供給され、前記エッジシールを前記液体で被覆するように、構成される、半導体プラズマ処理装置。 - 請求項9に記載の半導体プラズマ処理装置であって、
(a)前記プラズマ適合性液体は、硬化可能な液体である、
(b)前記プラズマ適合性液体は、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上で互いに反応して、硬化物の固体層を形成する2つの独立した液体を備える、
(c)前記プラズマ適合性液体は、流動性を有する酸化物前駆物質である、
(d)前記プラズマ適合性液体は、シリコーン系の液体である、
(e)前記プラズマ適合性液体は、イオン流体である、
(f)前記プラズマ適合性液体は、約20℃で約10−6トール未満の蒸気圧を有する、
(g)前記プラズマ適合性液体は、パーフルオロポリエーテルである、
(h)前記プラズマ適合性液体は、約800〜5000g/molの分子量を有する、
(i)前記プラズマ適合性液体は、約1000g/molより大きな分子量を有する、
(j)前記プラズマ適合性液体は、120℃未満の温度で固体を形成する、
(k)前記プラズマ適合性液体は、約80℃未満の温度で固体を形成する、
及び/又は、
(l)前記プラズマ適合性液体は、フェニルメチルシロキサン、ジメチルシクロシロキサン、テトラメチルテトラフェニルトリシロキサン、ペンタフェニルトリメチルトリシロキサン、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミド、1−オクチル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、ヒドロフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、パーフルオロトリメチレン酸化物、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、1−ブチル−3,5−ジメチルピリジニウム臭化物、ヘキサフルオロリン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、硫酸水素1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムヨウ化物、メタンスルホン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、メチル炭酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、メチル硫酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、硝酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、オクチル硫酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラクロロアルミン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、チオシアン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、トシル酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、トリフルオロ酢酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、1−(3−シアノプロピル)−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミド、1−(3−シアノプロピル)−3−メチルイミダゾリウム塩化物、1−(3−シアノプロピル)−3−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、1−デシル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、テトラフルオロホウ酸1−デシル−3−メチルイミダゾリウム、1,3−ジエトキシイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、ヘキサフルオロリン酸1,3−ジエトキシイミダゾリウム、1,3−ジヒドロキシイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1,3−ジヒドロキシ−2−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1,3−ジメトキシイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、ヘキサフルオロリン酸1,3−ジメトキシイミダゾリウム、1,3−ジメトキシ−2−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、ヘキサフルオロリン酸1,3−ジメトキシ−2−メチルイミダゾリウム、ジメチルリン酸1,3−ジメトキシイミダゾリウム、メタンスルホン酸1,3−ジメトキシイミダゾリウム、メチル硫酸1,3−ジメトキシイミダゾリウム、1,2−ジメチル−3−プロピルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1,2−ジメチル−3−プロピルイミダゾリウム・トリス(トリフルオロメチルスルホニル)メチド、1−ドデシル−3−メチルイミダゾリウムヨウ化物、テトラフルオロホウ酸1−エチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム、1−エチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム塩化物、エチル硫酸1−エチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロリン酸1−エチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム、メチル炭酸1−エチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム、酢酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、アミノ酢酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、(S)−2−アミノプロピオン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(ペンタフルオロエチルスルホニル)イミド、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム臭化物、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、ジブチルリン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、ジエチルリン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、ジメチルリン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、エチル硫酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロリン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、炭酸水素1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、炭酸水素1−エチル−3−メチルイミダゾリウム溶液、硫酸水素1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、水酸化1−エチル−3−メチルイミダゾリウム溶液、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムヨウ化物、L−(+)乳酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、メタンスルホン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、メチル炭酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム溶液、メチル硫酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、硝酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラクロロアルミン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラクロロアルミン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、チオシアン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、トシル酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウム、1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウムヨウ化物、テトラフルオロホウ酸1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウム、1−(2−ヒドロキシエチル)−3−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、1−メチルイミダゾリウム塩化物、硫酸水素1−メチルイミダゾリウム、1−メチル−3−オクチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸1−メチル−3−オクチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−メチル−3−オクチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸1−メチル−3−オクチルイミダゾリウム、1−メチル−3−プロピルイミダゾリウムヨウ化物、メチル炭酸1−メチル−3−プロピルイミダゾリウム溶液、ヘキサフルオロリン酸1−メチル−3−(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−トリデカフルオロオクチル)イミダゾリウム、メチル炭酸メチル−3−ビニルイミダゾリウム溶液、メチル硫酸1,2,3−トリメチルイミダゾリウム、purumグレードのトリフルオロメタンスルホン酸1,2,3−トリメチルイミダゾリウム、酢酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、硫酸水素1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、メタンスルホン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、メチル硫酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、チオシアン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、エチル硫酸1−エチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム、酢酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、ジエチルリン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、エチル硫酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、硫酸水素1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、水酸化1−エチル−3−メチルイミダゾリウム溶液、メタンスルホン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラクロロアルミン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、チオシアン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、1−メチルイミダゾリウム塩化物、硫酸水素1−イミダゾリウム、メチル硫酸α,α−[(メチル−9−オクタデセニルイミノ)ジ−2,1−エタンジイル]ビス[ω−ヒドロキシポリ(オキシ−1,2−エタンジイル)]、メチル硫酸1,2,3−トリメチルイミダゾリウム、メチル硫酸1,2,4−トリメチルピラゾリウム、メタンスルホン酸テトラブチルホスホニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルホスホニウム、p−トルエンスルホン酸テトラブチルホスホニウム、ジブチルリン酸トリブチルメチルホスホニウム、メチル炭酸トリブチルメチルホスホニウム溶液、メチル硫酸トリブチルメチルホスホニウム、ジブチルリン酸トリエチルメチルホスホニウム、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミド、ビス(2,4,4−トリメチルペンチル)ホスフィン酸トリヘキシルテトラデシルホスホニウム、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム臭化物、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム塩化物、デカン酸トリヘキシルテトラデシルホスホニウム、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム・ジシアナミド、3−(トリフェニルホスホニオ)プロパン−1−スルホナート、3−(トリフェニルホスホニオ)プロパン−1−スルホン酸トシラート、テトラフルオロホウ酸1−ブチル−1−メチルピペリジニウム、1−ブチル−1−メチルピペリジニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、ヘキサフルオロリン酸1−ブチル−1−メチルピペリジニウム、メチル炭酸4−エチル−4−メチルモルホリニウム溶液、1,2,3−トリス(ジエチルアミノ)シクロプロペリニウム・ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、1,2,3−トリス(ジエチルアミノ)シクロプロペリニウム・ジシアナミド、テトラフルオロホウ酸シクロプロピルジフェニルスルホニウム、トリエチルスルホニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−ブチル−1−メチルピロリジニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−ブチル−1−メチルピロリジニウム臭化物、1−ブチル−1−メチルピロリジニウム塩化物、1−ブチル−1−メチルピロリジニウム・ジシアナミド、ヘキサフルオロリン酸1−ブチル−1−メチルピロリジニウム、1−ブチル−1−メチルピロリジニウムヨウ化物、メチル炭酸1−ブチル−1−メチルピロリジニウム溶液、テトラフルオロホウ酸1−ブチル−1−メチルピロリジニウム、トリフルオロメタンスルホン酸1−ブチル−1−メチルピロリジニウム、1−エチル−1−メチルピロリジニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−エチル−1−メチルピロリジニウム臭化物、ヘキサフルオロリン酸1−エチル−1−メチルピロリジニウム、テトラフルオロホウ酸1−エチル−1−メチルピロリジニウム、1−ブチル−3−メチルピリジニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、ヘキサフルオロリン酸1−ブチル−4−メチルピリジニウム、1−ブチル−4−メチルピリジニウムヨウ化物、テトラフルオロホウ酸1−ブチル−4−メチルピリジニウム、1−ブチルピリジニウム臭化物、1−(3−シアノプロピル)ピリジニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−(3−シアノプロピル)ピリジニウム塩化物、テトラフルオロホウ酸1−エチルピリジニウム、N−エチルピリジニウム臭化物−d10,3−メチル−1−プロピルピリジニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、メチル硫酸1,2,4−トリメチルピラゾリウム、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、メタンスルホン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、エチル硫酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、ジエチルリン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、酢酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、メチル硫酸トリス(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウム、チオシアン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−エチ
ル−3−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、メチル炭酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、メチル炭酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、無水ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウム塩化物、purumグレードの三臭化ベンジルトリメチルアンモニウム、ブチルトリメチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、ジエチルメチル(2−メトキシエチル)アンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、エチルジメチルプロピルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、L−(+)乳酸2−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム、メチルトリオクタデシルアンモニウム臭化物、メチルトリオクチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、メチルトリオクチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、硫酸水素メチルトリオクチルアンモニウム、チオサリチル酸メチルトリオクチルアンモニウム、安息香酸テトラブチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム・ビストリフルオロメタンスルホンイミデート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム30水和物、purumグレードのメタンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、亜硝酸テトラブチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム・スクシンイミド、テトラブチルアンモニウム・チオフェノラート、purumグレードの三臭化テトラブチルアンモニウム、三ヨウ化テトラブチルアンモニウム、テトラドデシルアンモニウム臭化物、テトラドデシルアンモニウム塩化物、purumグレードのテトラヘキサドデシルアンモニウム臭化物、purumグレードのテトラヘキシルアンモニウム臭化物、硫酸水素テトラヘキシルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウムヨウ化物、テトラフルオロホウ酸テトラヘキシルアンモニウム、テトラキス(デシル)アンモニウム臭化物、水酸化テトラメチルアンモニウム5水和物、purumグレードのテトラオクチルアンモニウム臭化物、トリブチルメチルアンモニウム塩化物、ジブチルリン酸トリブチルメチルアンモニウム、メチル炭酸トリブチルメチルアンモニウム、メチル硫酸トリブチルメチルアンモニウム、メチル硫酸トリス(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウム、ジブチルリン酸トリエチルメチルアンモニウム、メチル炭酸トリエチルメチルアンモニウム、酢酸コリン、1−アリル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−アリル−3−メチルイミダゾリウム臭化物、1−アリル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、1−アリル−3−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、1−アリル−3−メチルイミダゾリウムヨウ化物、1−ベンジル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸1−ベンジル−3−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−ベンジル−3−メチルイミダゾリウム、1,3−ビス(シアノメチル)イミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、purumグレードの1,3−ビス(シアノメチル)イミダゾリウム塩化物、1−ブチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸1−ブチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−ブチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム、4−(3−ブチル−1−イミダゾリオ)−1−ブタンスルホナート、4−(3−ブチル−1−イミダゾリオ)−1−ブタンスルホン酸トリフラート、酢酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム臭化物、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、ジブチルリン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロアンチモン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、硫酸水素1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロリン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム及びこれらの混合物からなる群から選択される、半導体プラズマ処理装置。 - 真空チャンバ内で半導体基板を処理しつつ、プラズマ処理装置内のコンポーネントのプラズマ露出面上に液体保護層を形成する方法であって、
前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に液体供給部からプラズマ適合性液体を供給して、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上に液体保護層を形成する工程を備え、
前記液体保護層を形成する前記液体は、前記真空チャンバ内で半導体基板のプラズマ処理が行われる際に、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面にin situ(その場)で補給される、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、さらに、
(a)前記液体供給部と前記真空チャンバとの間の圧力差を利用して前記コンポーネント内の液体供給路内を前記プラズマ露出面に向かって前記液体が流れるように、前記液体供給部と前記真空チャンバとの間の圧力差を制御する工程であって、前記半導体基板の処理の際に、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上の前記液体層の厚みを所定の厚みに維持できるように前記圧力差を制御する工程、
又は、
(b)前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に向かって前記液体供給部において前記液体をポンプで送り出し、前記半導体基板の処理の際に、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上の前記液体層の厚みを所定の厚みに維持する工程、
を備える方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
(a)前記プラズマ適合性液体は、前記液体保護層の厚みが約0.5〜4000ミクロンになるように、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給される、
(b)前記プラズマ適合性液体は、前記液体保護層の厚みが約100ミクロン以上になるように、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給される、
(c)前記プラズマ適合性液体は、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に形成された細溝に供給され、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給された前記液体は前記細溝によって導かれる、
(d)前記プラズマ適合性液体は、流動性を有する酸化物前駆物質である、
(e)前記プラズマ適合性液体は、イオン流体である、
(f)前記プラズマ適合性液体は、約20℃で約10−6トール未満の蒸気圧を有する、
(g)前記プラズマ適合性液体は、パーフルオロポリエーテルである、
(h)前記プラズマ適合性液体は、約800〜5000g/molの分子量を有する、
(i)前記プラズマ適合性液体は、約1000g/molより大きな分子量を有する、
(j)前記プラズマ適合性液体は、120℃未満の温度で固体を形成する、
(k)前記プラズマ適合性液体は、約80℃未満の温度で固体を形成する、
及び/又は、
(l)前記プラズマ適合性液体は、フェニルメチルシロキサン、ジメチルシクロシロキサン、テトラメチルテトラフェニルトリシロキサン、ペンタフェニルトリメチルトリシロキサン、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミド、1−オクチル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、ヒドロフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、パーフルオロトリメチレン酸化物、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、1−ブチル−3,5−ジメチルピリジニウム臭化物、ヘキサフルオロリン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、硫酸水素1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムヨウ化物、メタンスルホン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、メチル炭酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、メチル硫酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、硝酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、オクチル硫酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラクロロアルミン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、チオシアン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、トシル酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、トリフルオロ酢酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、1−(3−シアノプロピル)−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミド、1−(3−シアノプロピル)−3−メチルイミダゾリウム塩化物、1−(3−シアノプロピル)−3−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、1−デシル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、テトラフルオロホウ酸1−デシル−3−メチルイミダゾリウム、1,3−ジエトキシイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、ヘキサフルオロリン酸1,3−ジエトキシイミダゾリウム、1,3−ジヒドロキシイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1,3−ジヒドロキシ−2−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1,3−ジメトキシイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、ヘキサフルオロリン酸1,3−ジメトキシイミダゾリウム、1,3−ジメトキシ−2−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、ヘキサフルオロリン酸1,3−ジメトキシ−2−メチルイミダゾリウム、ジメチルリン酸1,3−ジメトキシイミダゾリウム、メタンスルホン酸1,3−ジメトキシイミダゾリウム、メチル硫酸1,3−ジメトキシイミダゾリウム、1,2−ジメチル−3−プロピルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1,2−ジメチル−3−プロピルイミダゾリウム・トリス(トリフルオロメチルスルホニル)メチド、1−ドデシル−3−メチルイミダゾリウムヨウ化物、テトラフルオロホウ酸1−エチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム、1−エチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム塩化物、エチル硫酸1−エチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロリン酸1−エチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム、メチル炭酸1−エチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム、酢酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、アミノ酢酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、(S)−2−アミノプロピオン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(ペンタフルオロエチルスルホニル)イミド、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム臭化物、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、ジブチルリン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、ジエチルリン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、ジメチルリン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、エチル硫酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロリン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、炭酸水素1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、炭酸水素1−エチル−3−メチルイミダゾリウム溶液、硫酸水素1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、水酸化1−エチル−3−メチルイミダゾリウム溶液、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムヨウ化物、L−(+)乳酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、メタンスルホン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、メチル炭酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム溶液、メチル硫酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、硝酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラクロロアルミン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラクロロアルミン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、チオシアン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、トシル酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウム、1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウムヨウ化物、テトラフルオロホウ酸1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウム、1−(2−ヒドロキシエチル)−3−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、1−メチルイミダゾリウム塩化物、硫酸水素1−メチルイミダゾリウム、1−メチル−3−オクチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸1−メチル−3−オクチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−メチル−3−オクチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸1−メチル−3−オクチルイミダゾリウム、1−メチル−3−プロピルイミダゾリウムヨウ化物、メチル炭酸1−メチル−3−プロピルイミダゾリウム溶液、ヘキサフルオロリン酸1−メチル−3−(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−トリデカフルオロオクチル)イミダゾリウム、メチル炭酸メチル−3−ビニルイミダゾリウム溶液、メチル硫酸1,2,3−トリメチルイミダゾリウム、purumグレードのトリフルオロメタンスルホン酸1,2,3−トリメチルイミダゾリウム、酢酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、硫酸水素1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、メタンスルホン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、メチル硫酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、チオシアン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、エチル硫酸1−エチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム、酢酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、ジエチルリン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、エチル硫酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、硫酸水素1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、水酸化1−エチル−3−メチルイミダゾリウム溶液、メタンスルホン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラクロロアルミン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、チオシアン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、1−メチルイミダゾリウム塩化物、硫酸水素1−イミダゾリウム、メチル硫酸α,α−[(メチル−9−オクタデセニルイミノ)ジ−2,1−エタンジイル]ビス[ω−ヒドロキシポリ(オキシ−1,2−エタンジイル)]、メチル硫酸1,2,3−トリメチルイミダゾリウム、メチル硫酸1,2,4−トリメチルピラゾリウム、メタンスルホン酸テトラブチルホスホニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルホスホニウム、p−トルエンスルホン酸テトラブチルホスホニウム、ジブチルリン酸トリブチルメチルホスホニウム、メチル炭酸トリブチルメチルホスホニウム溶液、メチル硫酸トリブチルメチルホスホニウム、ジブチルリン酸トリエチルメチルホスホニウム、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミド、ビス(2,4,4−トリメチルペンチル)ホスフィン酸トリヘキシルテトラデシルホスホニウム、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム臭化物、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム塩化物、デカン酸トリヘキシルテトラデシルホスホニウム、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム・ジシアナミド、3−(トリフェニルホスホニオ)プロパン−1−スルホナート、3−(トリフェニルホスホニオ)プロパン−1−スルホン酸トシラート、テトラフルオロホウ酸1−ブチル−1−メチルピペリジニウム、1−ブチル−1−メチルピペリジニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、ヘキサフルオロリン酸1−ブチル−1−メチルピペリジニウム、メチル炭酸4−エチル−4−メチルモルホリニウム溶液、1,2,3−トリス(ジエチルアミノ)シクロプロペリニウム・ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、1,2,3−トリス(ジエチルアミノ)シクロプロペリニウム・ジシアナミド、テトラフルオロホウ酸シクロプロピルジフェニルスルホニウム、トリエチルスルホニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−ブチル−1−メチルピロリジニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−ブチル−1−メチルピロリジニウム臭化物、1−ブチル−1−メチルピロリジニウム塩化物、1−ブチル−1−メチルピロリジニウム・ジシアナミド、ヘキサフルオロリン酸1−ブチル−1−メチルピロリジニウム、1−ブチル−1−メチルピロリジニウムヨウ化物、メチル炭酸1−ブチル−1−メチルピロリジニウム溶液、テトラフルオロホウ酸1−ブチル−1−メチルピロリジニウム、トリフルオロメタンスルホン酸1−ブチル−1−メチルピロリジニウム、1−エチル−1−メチルピロリジニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−エチル−1−メチルピロリジニウム臭化物、ヘキサフルオロリン酸1−エチル−1−メチルピロリジニウム、テトラフルオロホウ酸1−エチル−1−メチルピロリジニウム、1−ブチル−3−メチルピリジニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、ヘキサフルオロリン酸1−ブチル−4−メチルピリジニウム、1−ブチル−4−メチルピリジニウムヨウ化物、テトラフルオロホウ酸1−ブチル−4−メチルピリジニウム、1−ブチルピリジニウム臭化物、1−(3−シアノプロピル)ピリジニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−(3−シアノプロピル)ピリジニウム塩化物、テトラフルオロホウ酸1−エチルピリジニウム、N−エチルピリジニウム臭化物−d10,3−メチル−1−プロピルピリジニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、メチル硫酸1,2,4−トリメチルピラゾリウム、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、メタンスルホン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、エチル硫酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、ジエチルリン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、酢酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、メチル硫酸トリス(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウム、チオシアン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−エチ
ル−3−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、メチル炭酸1−エチル−3−メチルイミダゾリウム、メチル炭酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、無水ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウム塩化物、purumグレードの三臭化ベンジルトリメチルアンモニウム、ブチルトリメチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、ジエチルメチル(2−メトキシエチル)アンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、エチルジメチルプロピルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、L−(+)乳酸2−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム、メチルトリオクタデシルアンモニウム臭化物、メチルトリオクチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、メチルトリオクチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、硫酸水素メチルトリオクチルアンモニウム、チオサリチル酸メチルトリオクチルアンモニウム、安息香酸テトラブチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム・ビストリフルオロメタンスルホンイミデート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム30水和物、purumグレードのメタンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、亜硝酸テトラブチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム・スクシンイミド、テトラブチルアンモニウム・チオフェノラート、purumグレードの三臭化テトラブチルアンモニウム、三ヨウ化テトラブチルアンモニウム、テトラドデシルアンモニウム臭化物、テトラドデシルアンモニウム塩化物、purumグレードのテトラヘキサドデシルアンモニウム臭化物、purumグレードのテトラヘキシルアンモニウム臭化物、硫酸水素テトラヘキシルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウムヨウ化物、テトラフルオロホウ酸テトラヘキシルアンモニウム、テトラキス(デシル)アンモニウム臭化物、水酸化テトラメチルアンモニウム5水和物、purumグレードのテトラオクチルアンモニウム臭化物、トリブチルメチルアンモニウム塩化物、ジブチルリン酸トリブチルメチルアンモニウム、メチル炭酸トリブチルメチルアンモニウム、メチル硫酸トリブチルメチルアンモニウム、メチル硫酸トリス(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウム、ジブチルリン酸トリエチルメチルアンモニウム、メチル炭酸トリエチルメチルアンモニウム、酢酸コリン、1−アリル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−アリル−3−メチルイミダゾリウム臭化物、1−アリル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、1−アリル−3−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、1−アリル−3−メチルイミダゾリウムヨウ化物、1−ベンジル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸1−ベンジル−3−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−ベンジル−3−メチルイミダゾリウム、1,3−ビス(シアノメチル)イミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、purumグレードの1,3−ビス(シアノメチル)イミダゾリウム塩化物、1−ブチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸1−ブチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸1−ブチル−2,3−ジメチルイミダゾリウム、4−(3−ブチル−1−イミダゾリオ)−1−ブタンスルホナート、4−(3−ブチル−1−イミダゾリオ)−1−ブタンスルホン酸トリフラート、酢酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム臭化物、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム塩化物、ジブチルリン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロアンチモン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、硫酸水素1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロリン酸1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム及びこれらの混合物からなる群から選択される、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、さらに、
前記液体を循環させる工程であって、
(a)熱交換器と前記コンポーネント内の液体チャネルとを通して前記液体を循環させることによって、前記プラズマ露出面を制御温度に維持する、
(b)フィルターを通して前記液体を循環させて、前記半導体基板の処理の結果生じた前記液体内の不純物を取り除く、
及び/又は、
(c)前記プラズマへの露出によって前記液体内で増大した電荷を取り除く放電管を通して前記液体を循環させる、
工程を備える方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
前記液体は、前記半導体基板のプラズマ処理の際に、前記液体層のプラズマ浸食を相殺するのに十分な速度で前記プラズマ露出面に連続的に供給される、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
前記液体は、前記半導体基板のプラズマ処理の際に、連続的に、前記液体層の上部に供給されるとともに、前記液体層の下部から排出され、
(a)前記コンポーネントの前記プラズマ露出面は、前記半導体基板を支持する基板支持アセンブリの接着層に隣接し、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給された液体は、前記接着層を被覆する環状液体層を形成する、
(b)前記コンポーネントの前記プラズマ露出面は、前記半導体基板を支持する基板支持アセンブリの接着層を囲むエッジシールに隣接し、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給された液体は、前記エッジシールを被覆する環状液体層を形成する、
(c)前記コンポーネントの前記プラズマ露出面は、前記半導体基板を支持する基板支持部に隣接し、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給された液体は、前記基板支持部の表面を被覆する環状液体層を形成する、
及び/又は、
(d)前記コンポーネントの前記プラズマ露出面は、前記半導体基板を支持するように構成される基板支持アセンブリに隣接し、前記半導体基板の外周部は前記基板支持部上に張り出し、前記液体層は、前記プラズマに露出される前記液体層の表面と前記半導体基板の前記外周部の下面との間に所定の間隙を与えるのに十分な厚さに維持される、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
(a)前記コンポーネントは多孔質セラミック材を備え、前記液体は、前記多孔質セラミック材を通して浸み出して前記プラズマ露出面に供給される、
又は、
(b)前記液体は、前記コンポーネントに形成された毛細管サイズの孔を通して浸出して前記プラズマ露出面に供給される、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
前記コンポーネントの前記プラズマ露出面は、前記半導体基板を囲むエッジリングの上面及び/又は側面である、方法。 - 真空チャンバ内で半導体基板を処理するように構成されるプラズマ処理装置においてコンポーネントのプラズマ露出面上にin situ(その場)で固体保護層を形成する方法であって、
前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に液体供給部からプラズマ適合性液体を供給して、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上に液体保護層を形成する工程と、
前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上に形成された前記液体保護層を硬化させて、固体保護層を形成する工程と、を備え、
前記液体保護層を形成する前記液体は、硬化可能な液体である、方法。 - 請求項22に記載の方法であって、
前記半導体基板のプラズマ処理の前に、前記プラズマ露出面上で前記液体保護層が硬化され、
(a)前記プラズマからの紫外線照射により前記硬化を行って、前記固体保護層を形成する、
又は、
(b)前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に対して2つの液体を供給し、前記プラズマ露出面上で前記2つの液体を反応させることにより前記硬化を行って前記固体保護層を形成する、方法。 - 請求項22に記載の方法であって、
前記プラズマ適合性液体は、シリコーン系の液体であって、硬化すると高純度シリコーン酸化物の固体保護層を形成する、方法。 - 請求項22に記載の方法であって、さらに、
前記真空チャンバ内で半導体基板をプラズマ処理する工程を備える、方法。 - 真空チャンバ内で半導体基板を処理するように構成されるプラズマ処理装置においてコンポーネントのプラズマ露出面上にin situ(その場)で固体保護層を形成する方法であって、
プラズマ適合性固体を加熱して、プラズマ適合性液体を形成する工程と、
前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に前記プラズマ適合性液体を供給して、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上に液体保護層を形成する工程と、
前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上に形成された前記液体保護層を冷却することにより、固体保護層を形成する工程と、を備える方法。 - 請求項25に記載の方法であって、さらに、
前記真空チャンバ内で半導体基板をプラズマ処理する工程を備える、方法。
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