JP7135739B2 - スポットサイズ変換器の作製方法およびスポットサイズ変換器 - Google Patents
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Description
(第1の実施形態)
(第2の実施形態)
(第3の実施形態)
(第3の実施形態の変形例)
2 コア層
3 InP層
4 InGaAsP層
10 積層体
11 積層体
20 段差用多層膜
21 物性傾斜層
30 導波路構造
50 マスクパターン
Claims (3)
- 基板上にコア層と2層以上の材料膜層とが順次積層された積層基板に対して、前記2層以上の材料膜層側に、順次開口部が小さくなる複数のマスクパターンを順次形成し、該複数のマスクパターンのそれぞれに従って前記2層以上の材料膜層を最外層から順次エッチングして、前記2層以上の材料膜層を、導波路方向にのみ階段状にエッチングする材料膜エッチング工程と、
前記順次開口部が小さくなる複数のマスクパターンの全てのマスクパターンの開口部とも重なるとともにその面積が最も大きい開口部を有するコア用のマスクパターンを前記2層以上の材料膜層側に形成し、該コア用のマスクパターンに従って、ドライエッチングして、前記基板の厚さ方向において段差を有するコア層を形成するコア層エッチング工程とを含むことを特徴とする、スポットサイズ変換器の作製方法。 - 前記複数のマスクパターンは、前記基板の水平方向において傾斜した面を有することを特徴とする請求項1に記載のスポットサイズ変換器の作製方法。
- 前記コア層の上に、クラッド材料を堆積し、前記積層基板を前記基板の平面方向に所定の幅において、前記基板上の各層を前記基板の厚さ方向に除去することにより導波路を形成する導波路形成工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1または2に記載のスポットサイズ変換器の作製方法。
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