JP2012098761A - 光導波路素子及びその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板20上に3本以上の光導波路が形成され、それら光導波路は端部が集合連結されて光回路の分岐部もしくは交叉部が構成されている光導波路素子において、光導波路コアの端部が集合連結している連結部24の光導波路コア厚を、連結部24以外の光導波路コア厚より薄くし、各光導波路のコア厚を連結部24において最小となるように各光導波路に沿って連続的に変化させる。連結部24を薄くした分、シングルモードを保つ最大幅は広くなり、よって連結部24の光導波路コア幅を従来に比し、広くすることができ、加工が容易となる。
【選択図】図4
Description
である。光導波路コア11〜13の寸法、屈折率及びクラッド15の屈折率を上記図9Aにおける値と同じとし、図9Aにおいて水掻き部16の寸法L1が1μmの場合に、その水掻き部16の一部が図9Bに示したように空隙17に置き換わった場合の光透過特性を同様にビーム伝搬法(BPM)により求めた。空隙17の厚さ(高さ)が0.06μm、長さL2が2.2μmの場合、過剰損失は4.5dBとなり、水掻き部16のみが存在している場合の過剰損失3.9dBに比べて過剰損失は増大した。このことは空隙17の存在が水掻き部16の存在よりも、悪影響を及ぼすことを示す。
図1はこの発明による光導波路素子の一実施例として、基板上に3本の光導波路が形成され、それら光導波路の端部が集合連結されて光回路の分岐部が構成されている光導波路素子を示したものであり、この例では3本の光導波路コア21〜23の端部が集合連結している連結部(分岐部)24の光導波路コア厚が連結部24以外の光導波路コア厚より薄くされている。図中、20は基板を示し、25はクラッドを示す。なお、図1Bは図1A中の一点鎖線に沿った断面構造を示し、クラッド25の図示は省略している。
1の上にレジスト42を均一厚さで塗布する。
Claims (4)
- 基板上に3本以上の光導波路が形成され、それら光導波路は端部が集合連結されて光回路の分岐部もしくは交叉部が構成されている光導波路素子において、
前記端部が集合連結している連結部の光導波路コア厚が、連結部以外の光導波路コア厚より薄くされ、
前記各光導波路のコア厚は前記連結部において最小となるように各光導波路に沿って連続的に変化していることを特徴とする光導波路素子。 - 請求項1記載の光導波路素子において、
前記各光導波路コアの屈折率はコア厚の変化に伴い、前記連結部において最小となるように各光導波路に沿って連続的に変化していることを特徴とする光導波路素子。 - 請求項1記載の光導波路素子を作製する方法であって、
前記基板上に前記光導波路コアを構成する層を形成し、
その層の上にレジストを塗布し、
その塗布されたレジストを露光、現像して、厚さが前記連結部において最小となるように変化しているレジストパターンを形成し、
そのレジストパターンと前記層とを、その両者をエッチングする手段で、少なくとも前記レジストパターンが消滅するまでエッチングする工程を有することを特徴とする光導波路素子の作製方法。 - 請求項2記載の光導波路素子を作製する方法であって、
前記基板上に誘電体よりなる層を形成し、
その層をパターニングして、前記光導波路が設けられる領域を含み、幅が前記連結部において最大となるように変化する形状の基板露出部分を有する誘電体マスクパターンを形成し、
その誘電体マスクパターンが形成された基板上にMOCVD法で化合物半導体を成長させることで、厚さと屈折率とが共に前記連結部において最小となるように相伴って変化する化合物半導体層を形成し、
その化合物半導体層をパターニングして前記光導波路コアを形成する工程を有することを特徴とする光導波路素子の作製方法。
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