JP7134911B2 - 固体撮像素子および撮像システム - Google Patents
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Description
図1は、固体撮像素子1000の構成例を示すためのブロック図である。固体撮像素子1000は、複数の画素100が二次元状に配された画素アレイ110、行駆動回路120、垂直信号線130、信号処理部140、列選択回路150、出力アンプ170および定電流源180を含む。
a) 蓄積前リセット
b) 光電荷蓄積
c) 蓄積後リセット
d) N信号読み
e) 電荷転送
f) S信号読み
バイアス電圧Vbを0[V]に設定した状態で、リセットトランジスタ401をオン状態にすることでノードN1を1[V]にリセットする。その後、リセットトランジスタ401をオフ状態にすると、リセットトランジスタの動作に伴うkTCノイズ(kTC1)が発生する。これにより、ノードN1、すなわち画素電極303の電位が1[V]+kTC1になる(図5(a))。
光電変換層305に光が入射した状態で、蓄積前リセットが完了すると、光電荷蓄積動作が開始する。光電荷蓄積を行っている期間中、バイアス電圧Vbは0[V]に維持される。このため、画素電極303の電位は、3[V]の電圧が印加された対向電極307に対して負の電位になる。したがって、光電変換層305中の電子は対向電極307の方に導かれて、ブロッキング層306を介して対向電極307から排出される。一方、ホールは画素電極303の方に導かれる。なお、ブロッキング層306があるため、対向電極307から光電変換層305への注入は行われない(図5(b-1))。
リセットトランジスタ401を一時的にオンして、ノードN1を1[V]にリセットする。リセットトランジスタ401の動作に伴ってノイズ(kTC2)が発生するので、ノードN1の電位は1[V]+kTC2となる。蓄積前リセットで生じたノイズkTC1と蓄積後リセットで生じるノイズkTC2とは、互いに相関のない、いわゆるランダムノイズ成分である。
選択トランジスタ404をオンし、この時のノードN1の電位に応じた信号が垂直信号線130に出力される。出力された信号は例えば列信号処理部によって保持される。
バイアス電圧Vbを0[V]から5[V]に変化させる。これにより、ノードN1の電位が変動する。この電位の変動量は、光電変換部の容量と駆動容量402の容量値の比で決まる。仮に、光電変換部の容量値をC1、駆動容量402の容量値をC2とし、バイアス電圧Vbの正の変化量をΔVbとすると、ノードN1の電位の変動量ΔVN1は、次式で表される。
ΔVN1=ΔVb×C1/(C1+C2) ・・・(1)
選択トランジスタ404をオンし、この時のノードN1の電位に応じた信号が垂直信号線130に出力される。出力された信号は例えば列信号処理部によって保持される。本ステップにおいて得られる信号と、d)のN信号読みによって得られた信号とを差分処理すると、ノイズ成分であるkTC2が相殺されるので、結果として光信号成分Vpに相当する信号が得られる。
画素アレイ110の別の構成例を説明する。図6は、図2のA-A’断面における画素の構造を示す断面図である。
画素アレイ110の別の構成例を説明する。図7は、図2のA-A’断面における画素の構造を示す断面図である。
画素アレイ110の別の構成例を説明する。図8は、図2のA-A’断面における画素の構造を示す断面図である。
画素アレイ110の別の構成例を説明する。図9は、図2のA-A’断面における画素の構造を示す断面図である。
図10は、撮像システムの構成例を示す図である。撮像システム800は、例えば、光学部810、固体撮像素子1000、映像信号処理部830、記録・通信部840、タイミング制御部850、システム制御部860、及び再生・表示部870を含む。撮像装置820は、固体撮像素子1000及び映像信号処理部830を有する。固体撮像素子1000は、先の各実施形態で説明した固体撮像素子が用いられる。
100 画素
303 画素電極
305 光電変換層
307 対向電極
309 マイクロレンズ層
Claims (15)
- 二次元状に配列された複数の画素を有する光電変換素子であって、
前記複数の画素のそれぞれは、
第1の電極と、前記第1の電極の上に設けられた光電変換層と、前記光電変換層を前記第1の電極とで挟むように設けられた第2の電極とを含む光電変換部と、前記光電変換部の上に配置されたマイクロレンズと、前記光電変換部の上に配置されたカラーフィルタと、を備え、
前記複数の画素は、複数の第1の画素と、複数の第2の画素を含み、
平面視において、前記複数の第2の画素が有する前記第1の電極は、前記複数の第1の画素が有する前記第1の電極よりも小さく、
前記複数の第1の画素が有する前記第1の電極と、前記複数の第2の画素が有する前記第1の電極は、同じ高さの配線層に設けられており、
前記複数の第2の画素のうち、一方の前記第2の画素が有する前記第1の電極は、平面視において、前記一方の前記第2の画素の中心に対して、第1の方向に偏在し、かつ、前記複数の第2の画素のうち、他方の前記第2の画素が有する前記第1の電極は、平面視において、前記他方の前記第2の画素の中心に対して、前記第1の方向とは逆の方向である第2の方向に偏在することにより、前記一方の前記第2の画素と前記他方の前記第2の画素は位相差検出用の画素として構成され、
前記複数の第2の画素に設けられている前記カラーフィルタは、緑色または透明フィルタであることを特徴とする光電変換素子。 - 二次元状に配列された複数の画素を有する光電変換素子であって、
前記複数の画素のそれぞれは、
第1の電極と、前記第1の電極の上に設けられた光電変換層と、前記光電変換層を前記第1の電極とで挟むように設けられた第2の電極とを含む光電変換部と、前記光電変換部の上に配置されたマイクロレンズと、前記光電変換部の上に配置されたカラーフィルタと、を備え、
前記複数の画素は、複数の第1の画素と、複数の第2の画素を含み、
平面視において、前記複数の第2の画素が有する前記第1の電極は、前記複数の第1の画素が有する前記第1の電極よりも小さく、
前記複数の第1の画素が有する前記第1の電極と、前記複数の第2の画素が有する前記第1の電極は、同じ高さの配線層に設けられており、
前記複数の第2の画素のうち、一方の前記第2の画素が有する前記第1の電極は、平面視において、前記一方の前記第2の画素の中心に対して、第1の方向に偏在し、かつ、前記複数の第2の画素のうち、他方の前記第2の画素が有する前記第1の電極は、平面視において、前記他方の前記第2の画素の中心に対して、前記第1の方向とは逆の方向である第2の方向に偏在することにより、前記一方の前記第2の画素と前記他方の前記第2の画素は位相差検出用の画素として構成され、
前記一方の前記第2の画素と、前記他方の前記第2の画素は、平面視において、前記第1の方向および前記第2の方向と交差する第3の方向において、隣り合って配されていることを特徴とする光電変換素子。 - 前記複数の画素のそれぞれは、増幅トランジスタと、容量と、を備え、前記容量の一方のノードは、前記増幅トランジスタの制御ノードと電気的に接続されており、前記容量の他方のノードは、所定の電圧が印加されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換素子。
- 前記複数の画素のうちの隣接する2個の画素の前記光電変換層を分離する光電変換層分離部が設けられたことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記光電変換層分離部は、絶縁部材および遮光部材の少なくとも一方を含んでなることを特徴とする請求項4に記載の光電変換素子。
- 前記複数の第2の画素の各々の光電変換層は、前記第1の画素の光電変換層よりも小さいことを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記第2の画素の光電変換層と、前記第2の画素に隣接する画素の光電変換層との間に、遮光部材が設けられたことを特徴とする請求項6に記載の光電変換素子。
- 前記複数の画素間に設けられた遮光膜を有することを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記遮光膜は、前記第2の電極と前記カラーフィルタとの間に設けられることを特徴とする請求項8に記載の光電変換素子。
- 前記光電変換層は、イントリンシックな水素化アモルファスシリコン、化合物半導体および有機半導体のいずれかからなることを特徴とする請求項1~9のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記複数の画素の各々は、信号読み出し回路をさらに有し、
前記信号読み出し回路は、画素内アンプを備え、
前記第1の電極が前記画素内アンプの入力部に接続されたことを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の光電変換素子。 - 平面視において、前記遮光膜は、前記複数の第2の画素の前記第1の電極と重複しないことを特徴とする請求項8または9に記載の光電変換装置。
- 平面視において、前記遮光膜は、前記第1の画素の前記第1の電極と重複しないことを特徴とする請求項8または9、あるいは、請求項12のいずれかに記載の光電変換装置。
- 前記一方の前記第2の画素が有する前記カラーフィルタと、前記他方の前記第2の画素が有する前記カラーフィルタは、緑色フィルタであることを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
- 請求項1~14のいずれか1項に記載の光電変換素子と、
前記複数の画素に像を形成する光学系と、
前記光電変換素子から出力された信号を処理して画像データを生成する映像信号処理部と、を備えたことを特徴とする撮像システム。
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