JP7118195B2 - 表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造 - Google Patents
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Description
・モチーフの周期は、デバイスの表面音響波の周波数に従って選択される。
・キャリア基板は、シリコン、ガラス、シリカ、サファイア、アルミナ、および窒化アルミニウムの中から選択される材料を含む。
・有用層は、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、石英、および酸化亜鉛(ZnO)の中から選択される圧電材料を含む。
・中間層の平均音響インピーダンスは、有用層の音響インピーダンスとキャリア基板の音響インピーダンスとの積の平方根に実質的に等しい。
・中間層の厚さは、デバイスの表面音響波の波長よりも大きい。
・モチーフの少なくとも1つの横寸法は、デバイスの表面音響波の波長よりも小さい。
・周期的モチーフは、有用層の材料から構成される第1のモチーフと、キャリア基板の材料と同じ種類の材料から構成される第2のモチーフとの交替を含む。
・第2のモチーフは、多結晶シリコンから構成され、キャリア基板は、シリコンから作成される。
・中間層の厚さは、デバイスの表面音響波の波長に等しく、または実質的にそれよりも小さい。
・モチーフの少なくとも1つの横寸法は、デバイスの表面音響波の波長以下である。
・周期的モチーフは、有用層の材料またはキャリア基板の材料から構成される第1のモチーフと、別の材料から構成される第2のモチーフとの交替を含む。
・第2のモチーフは、二酸化ケイ素(silicon dioxide)、窒化ケイ素(silicon nitride)から構成される。
i)圧電材料の有用層と、有用層の圧電材料よりも低い熱膨張係数を有するキャリア基板とを提供するステップと、
ii)第1の材料のエッチングされたモチーフおよびエッチングされていないモチーフのセットを形成する、有用層またはキャリア基板の前面の周期的モチーフに従って、局所的エッチングをするステップと、
iii)エッチングされたモチーフに第1の材料とは異なる第2の材料の追加層を適用するステップであって、エッチングされていない周期的モチーフおよび追加層が、中間層を形成する、該ステップと、
iv)中間層が有用層とキャリア基板との間に配置されるように、有用層とキャリア基板とを組み立てるステップと
を含む点で注目に値する。
・ステージi)において提供される有用層は、圧電材料のドナー基板である。
・方法は、音響波デバイスの製造について所望の有用層の厚さまでドナー基板を薄化するステージv)を含む。
から選択される材料から構成されてよい。
本発明の例示的な実施においては、150mmの直径および675ミクロンの厚さをともに有する、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)から作成されたドナー基板、およびシリコンから作成されたキャリア基板5が、提供される。キャリア基板の抵抗率は、例えば、1000オームcm超になるように選択される。LiNbO3ドナー基板は、モチーフを定義するためのフォトリソグラフィステージを経験し、第1のモチーフ6は、エッチングされていないエリアとして定義され、第2のモチーフ7は、エッチングされたモチーフとして定義される。第1のモチーフは、0.2ミクロンの間隔を空けた、0.3ミクロン平方のタブに対応する。第2のモチーフは、ストリップ幅が0.2ミクロンである、タブ間のグリッドに、すなわち、ドナー基板の表面上における、タブに対して相補的なエリアに対応する。ドナー基板の表面をエッチングするステージは、5ミクロンの深さにわたるドライエッチングによって実行される。ドナー基板の表面上のフォトリソグラフィマスクを除去し、(マイクロエレクトロニクス業界において従来使用されてきた、例えば、RCAシーケンスによって)前者を洗浄した後、多結晶シリコンの追加層が、例えば、CVD(化学気相堆積)によって適用される。
本発明の別の例示的な実施においては、150mmの直径および675ミクロンの厚さをともに有する、タンタル酸リチウム(LiTaO3)から作成されたドナー基板、およびシリコンから作成されたキャリア基板が、提供される。キャリア基板の抵抗率は、例えば、1000オームcm超になるように選択される。LiTaO3ドナー基板は、(x,y)平面内においてモチーフを定義するためのフォトリソグラフィステージを経験し、第1のモチーフ6は、エッチングされていないエリアとして定義され、第2のモチーフ7は、エッチングされたモチーフとして定義される。第1のモチーフ6は、1.25ミクロンの間隔を空けた、幅1.25ミクロンのストリップに対応する。第2のモチーフ7は、ドナー基板の表面上において、第1のモチーフ6のストリップに対して相補的なストリップに対応する。ドナー基板の表面をエッチングするステージは、約1.5ミクロンの深さにわたるドライエッチングによって実行される。ドナー基板の表面上のフォトリソグラフィマスクを除去し、前者を洗浄した後、シリコン酸化物の追加層が、例えば、CVD(化学気相堆積)によって適用される。エッチングされたエリア(第2のモチーフ)を埋めるために、2ないし6ミクロンの間の、有利には、4ミクロンの厚さが、適用される。その後、酸化物の適用に続いて、いかなる残余の形態および粗さも除去するために、追加層の化学機械研磨による平坦化のステージが、達成される。
本発明の別の例示的な実施においては、150mmの直径および675ミクロンの厚さをともに有する、タンタル酸リチウム(LiTaO3)から作成されたドナー基板、およびシリコンから作成されたキャリア基板が、提供される。キャリア基板の抵抗率は、例えば、1000オームcm超になるように選択される。キャリア基板は、モチーフを定義するためのフォトリソグラフィステージを経験し、第1のモチーフ6は、エッチングされていないエリアとして定義され、第2のモチーフ7は、エッチングされたモチーフとして定義される。第1のモチーフ6は、1.25ミクロンの間隔を空けた、幅1.25ミクロンのストリップに対応する。第2のモチーフは、キャリア基板の表面上における、第1のモチーフのストリップに対して相補的なストリップに対応する。キャリア基板の表面をエッチングするステージは、1ミクロンの深さにわたるドライエッチングによって実行される。表面上のフォトリソグラフィマスクを除去した後、キャリア基板は、ドナー基板との組み立てのステージを実施することを視野に入れて、洗浄される。この第3の例においては、追加層は、適用されない。(第1のモチーフを構成する)第1の材料は、シリコンであり、第2の材料は、空気、または組み立てステージ中に接合チャンバ内に導入される雰囲気に応じた気体である。
Claims (15)
- 有用層(1)の圧電材料よりも低い熱膨張係数を有するキャリア基板(5)に接合された前記圧電材料の前記有用層(1)を備えた表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)であって、前記有用層(1)と前記キャリア基板(5)との間に配置された中間層(4)を備え、前記中間層(4)は、前記中間層(4)の平面内において複数の周期的モチーフ(6、7)を有する、少なくとも2つの異なる材料から形成された構造化された層であり、前記少なくとも2つの異なる材料は、第1の材料と第2の材料とを含み、
前記第1の材料および前記第2の材料の体積分率(V1,V2)は、中間層(4)の厚さと、前記第1の材料および前記第2の材料の前記周期的モチーフ(6、7)の横寸法とによって定義され、
前記周期的モチーフ(6、7)は、前記第1の材料から構成される第1のモチーフ(6)と、前記第2の材料から構成される第2のモチーフ(7)との交互の配置を含み、
前記中間層(4)の平均音響インピーダンスは、前記有用層(1)の音響インピーダンスと前記キャリア基板(5)の音響インピーダンスとの積の平方根に等しいことを特徴とする表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。 - 前記周期的モチーフ(6、7)の周期は、前記表面音響波デバイスの表面音響波の周波数に従って選択されることを特徴とする請求項1に記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記キャリア基板(5)は、シリコン、ガラス、シリカ、サファイア、アルミナ、および窒化アルミニウムの中から選択される材料を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記有用層(1)は、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、石英、および酸化亜鉛(ZnO)の中から選択される圧電材料を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記中間層(4)の厚さは、前記表面音響波デバイスの表面音響波の波長よりも大きいことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記周期的モチーフ(6、7)の少なくとも1つの横寸法は、前記表面音響波デバイスの表面音響波の波長よりも小さいことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記周期的モチーフ(6、7)は、前記有用層(1)の材料から構成される第1のモチーフ(6)と、前記キャリア基板(5)の材料と同じ種類の材料から構成される第2のモチーフ(7)との交互の配置を含むことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記第2のモチーフ(7)は多結晶シリコンから構成され、および前記キャリア基板(5)はシリコンから作成されることを特徴とする請求項7に記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記中間層(4)の厚さは、前記表面音響波デバイスの表面音響波の波長以下であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記周期的モチーフ(6、7)の少なくとも1つの横寸法は、前記表面音響波デバイスの表面音響波の波長以下であることを特徴とする請求項9に記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記周期的モチーフ(6、7)は、前記有用層(1)の前記材料から構成される第1のモチーフ(6)と、別の材料から構成される第2のモチーフ(7)との交互の配置を含むことを特徴とする請求項9または10に記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記第2のモチーフ(7)は、二酸化ケイ素または窒化ケイ素から構成されることを特徴とする請求項11に記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)を製造する方法であって、該方法は、以下のステージ、
i)圧電材料の有用層(1)と、前記有用層(1)の圧電材料よりも低い熱膨張係数を有するキャリア基板(5)とを提供するステップと、
ii)第1の材料のエッチングされたモチーフおよびエッチングされていないモチーフのセットを形成する、周期的モチーフ(6、7)に従って局所的エッチングをするステップと、
iii)前記エッチングされたモチーフに前記第1の材料とは異なる第2の材料の追加層を適用するステップであって、前記エッチングされていない周期的モチーフ(6、7)および前記追加層が、中間層(4)を形成する、該ステップと、
iv)前記中間層(4)が前記有用層(1)と前記キャリア基板(5)との間に配置されるように、前記有用層(1)と前記キャリア基板(5)とを組み立てるステップと
を含み、前記第1の材料および前記第2の材料の体積分率(V1,V2)は、前記中間層(4)の厚さと、前記第1の材料および前記第2の材料の前記周期的モチーフ(6、7)の横寸法とによって定義され、
前記周期的モチーフ(6、7)は、前記第1の材料から構成される第1のモチーフ(6)と、前記第2の材料から構成される第2のモチーフ(7)との交互の配置を含み、
前記中間層(4)の平均音響インピーダンスは、前記有用層(1)の音響インピーダンスと前記キャリア基板(5)の音響インピーダンスとの積の平方根に等しいことを特徴とする表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)を製造する方法。 - ステージi)において提供される前記有用層(1)は、圧電材料のドナー基板であることを特徴とする請求項13に記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)を製造する方法。
- 前記表面音響波デバイスの製造について所望の前記有用層(1)の厚さまで前記ドナー基板を薄化するステージv)を含むことを特徴とする請求項14に記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)を製造する方法。
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KR20220007691A (ko) * | 2020-04-21 | 2022-01-18 | 지난 징젱 일렉트로닉스 씨오., 엘티디. | 복합 기판 및 이의 제조방법 |
CN113838955A (zh) * | 2020-06-24 | 2021-12-24 | 保定中创燕园半导体科技有限公司 | 一种基于氮化铝陶瓷材料的复合衬底及其制备方法和应用 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008006766A (ja) | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Toshiba Tec Corp | インクジェットプリンタ及びインクジェットヘッド |
JP2010536217A (ja) | 2007-08-08 | 2010-11-25 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 温度感受性の低い部品およびその製造方法 |
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Family Cites Families (16)
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---|---|---|---|---|
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JPH0897675A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Canon Inc | 弾性表面波素子及びその作製方法及びそれを用いた通信装置 |
JP2001053579A (ja) * | 1999-06-02 | 2001-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子と移動体通信機器 |
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WO2005036150A1 (en) * | 2003-10-08 | 2005-04-21 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Bulk acoustic wave sensor |
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CN103283147B (zh) * | 2010-12-24 | 2016-09-21 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
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---|---|---|---|---|
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JP2010536217A (ja) | 2007-08-08 | 2010-11-25 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 温度感受性の低い部品およびその製造方法 |
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