JP6890599B2 - 表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造 - Google Patents
表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6890599B2 JP6890599B2 JP2018539954A JP2018539954A JP6890599B2 JP 6890599 B2 JP6890599 B2 JP 6890599B2 JP 2018539954 A JP2018539954 A JP 2018539954A JP 2018539954 A JP2018539954 A JP 2018539954A JP 6890599 B2 JP6890599 B2 JP 6890599B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- motif
- layer
- hybrid structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 63
- 238000010276 construction Methods 0.000 title claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 98
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 75
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000010070 molecular adhesion Effects 0.000 description 3
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0004—Impedance-matching networks
- H03H9/0009—Impedance-matching networks using surface acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02047—Treatment of substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
- H10N30/706—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings characterised by the underlying bases, e.g. substrates
- H10N30/708—Intermediate layers, e.g. barrier, adhesion or growth control buffer layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8536—Alkaline earth metal based oxides, e.g. barium titanates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
・モチーフの周期は、デバイスの表面音響波の周波数に従って選択される。
・キャリア基板は、シリコン、ガラス、シリカ、サファイア、アルミナ、および窒化アルミニウムの中から選択される材料を含む。
・有用層は、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、石英、および酸化亜鉛(ZnO)の中から選択される圧電材料を含む。
・中間層の平均音響インピーダンスは、有用層の音響インピーダンスとキャリア基板の音響インピーダンスとの積の平方根に実質的に等しい。
・中間層の厚さは、デバイスの表面音響波の波長よりも大きい。
・モチーフの少なくとも1つの横寸法は、デバイスの表面音響波の波長よりも小さい。
・周期的モチーフは、有用層の材料から構成される第1のモチーフと、キャリア基板の材料と同じ種類の材料から構成される第2のモチーフとの交替を含む。
・第2のモチーフは、多結晶シリコンから構成され、キャリア基板は、シリコンから作成される。
・中間層の厚さは、デバイスの表面音響波の波長に等しく、または実質的にそれよりも小さい。
・モチーフの少なくとも1つの横寸法は、デバイスの表面音響波の波長以下である。
・周期的モチーフは、有用層の材料またはキャリア基板の材料から構成される第1のモチーフと、別の材料から構成される第2のモチーフとの交替を含む。
・第2のモチーフは、二酸化ケイ素(silicon dioxide)、窒化ケイ素(silicon nitride)から構成される。
i)圧電材料の有用層と、有用層の圧電材料よりも低い熱膨張係数を有するキャリア基板とを提供するステップと、
ii)第1の材料のエッチングされたモチーフおよびエッチングされていないモチーフのセットを形成する、有用層またはキャリア基板の前面の周期的モチーフに従って、局所的エッチングをするステップと、
iii)エッチングされたモチーフに第1の材料とは異なる第2の材料の追加層を適用するステップであって、エッチングされていない周期的モチーフおよび追加層が、中間層を形成する、該ステップと、
iv)中間層が有用層とキャリア基板との間に配置されるように、有用層とキャリア基板とを組み立てるステップと
を含む点で注目に値する。
・ステージi)において提供される有用層は、圧電材料のドナー基板である。
・方法は、音響波デバイスの製造について所望の有用層の厚さまでドナー基板を薄化するステージv)を含む。
本発明の例示的な実施においては、150mmの直径および675ミクロンの厚さをともに有する、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)から作成されたドナー基板、およびシリコンから作成されたキャリア基板5が、提供される。キャリア基板の抵抗率は、例えば、1000オームcm超になるように選択される。LiNbO3ドナー基板は、モチーフを定義するためのフォトリソグラフィステージを経験し、第1のモチーフ6は、エッチングされていないエリアとして定義され、第2のモチーフ7は、エッチングされたモチーフとして定義される。第1のモチーフは、0.2ミクロンの間隔を空けた、0.3ミクロン平方のタブに対応する。第2のモチーフは、ストリップ幅が0.2ミクロンである、タブ間のグリッドに、すなわち、ドナー基板の表面上における、タブに対して相補的なエリアに対応する。ドナー基板の表面をエッチングするステージは、5ミクロンの深さにわたるドライエッチングによって実行される。ドナー基板の表面上のフォトリソグラフィマスクを除去し、(マイクロエレクトロニクス業界において従来使用されてきた、例えば、RCAシーケンスによって)前者を洗浄した後、多結晶シリコンの追加層が、例えば、CVD(化学気相堆積)によって適用される。
本発明の別の例示的な実施においては、150mmの直径および675ミクロンの厚さをともに有する、タンタル酸リチウム(LiTaO3)から作成されたドナー基板、およびシリコンから作成されたキャリア基板が、提供される。キャリア基板の抵抗率は、例えば、1000オームcm超になるように選択される。LiTaO3ドナー基板は、(x,y)平面内においてモチーフを定義するためのフォトリソグラフィステージを経験し、第1のモチーフ6は、エッチングされていないエリアとして定義され、第2のモチーフ7は、エッチングされたモチーフとして定義される。第1のモチーフ6は、1.25ミクロンの間隔を空けた、幅1.25ミクロンのストリップに対応する。第2のモチーフ7は、ドナー基板の表面上において、第1のモチーフ6のストリップに対して相補的なストリップに対応する。ドナー基板の表面をエッチングするステージは、約1.5ミクロンの深さにわたるドライエッチングによって実行される。ドナー基板の表面上のフォトリソグラフィマスクを除去し、前者を洗浄した後、シリコン酸化物の追加層が、例えば、CVD(化学気相堆積)によって適用される。エッチングされたエリア(第2のモチーフ)を埋めるために、2ないし6ミクロンの間の、有利には、4ミクロンの厚さが、適用される。その後、酸化物の適用に続いて、いかなる残余の形態および粗さも除去するために、追加層の化学機械研磨による平坦化のステージが、達成される。
本発明の別の例示的な実施においては、150mmの直径および675ミクロンの厚さをともに有する、タンタル酸リチウム(LiTaO3)から作成されたドナー基板、およびシリコンから作成されたキャリア基板が、提供される。キャリア基板の抵抗率は、例えば、1000オームcm超になるように選択される。キャリア基板は、モチーフを定義するためのフォトリソグラフィステージを経験し、第1のモチーフ6は、エッチングされていないエリアとして定義され、第2のモチーフ7は、エッチングされたモチーフとして定義される。第1のモチーフ6は、1.25ミクロンの間隔を空けた、幅1.25ミクロンのストリップに対応する。第2のモチーフは、キャリア基板の表面上における、第1のモチーフのストリップに対して相補的なストリップに対応する。キャリア基板の表面をエッチングするステージは、1ミクロンの深さにわたるドライエッチングによって実行される。表面上のフォトリソグラフィマスクを除去した後、キャリア基板は、ドナー基板との組み立てのステージを実施することを視野に入れて、洗浄される。この第3の例においては、追加層は、適用されない。(第1のモチーフを構成する)第1の材料は、シリコンであり、第2の材料は、空気、または組み立てステージ中に接合チャンバ内に導入される雰囲気に応じた気体である。
Claims (15)
- 有用層(1)の圧電材料よりも低い熱膨張係数を有するキャリア基板(5)に接合された前記圧電材料の前記有用層(1)を備えた表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)であって、前記有用層(1)と前記キャリア基板(5)との間に配置された中間層(4)を備え、前記中間層(4)は、前記中間層(4)の平面内において複数の周期的モチーフ(6、7)を有する、少なくとも2つの異なる材料から形成された構造化された層であり、
前記中間層(4)は、当該ハイブリッド構造(10)の界面上において反射される表面音響波を制限するように、前記周期的モチーフ(6、7)の少なくとも1つの横寸法を調節することによって、前記有用層(1)に侵入した表面音響波の前記中間層(4)上における透過又は拡散を促進させるように構成され、前記周期的モチーフ(6、7)の少なくとも1つの横寸法は、前記中間層(4)の音響インピーダンスが、前記有用層(1)の音響インピーダンスと前記キャリア基板(5)の音響インピーダンスの積の平方根に実質的に等しくなるように選択されたことを特徴とする表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。 - 前記周期的モチーフ(6、7)の周期は、前記デバイスの前記表面音響波の周波数に従って選択されることを特徴とする請求項1に記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記キャリア基板(5)は、シリコン、ガラス、シリカ、サファイア、アルミナ、および窒化アルミニウムの中から選択される材料を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記有用層(1)は、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、石英、および酸化亜鉛(ZnO)の中から選択される圧電材料を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記中間層(4)の厚さは、前記デバイスの前記表面音響波の波長よりも大きいことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記周期的モチーフ(6、7)の少なくとも1つの横寸法は、前記デバイスの前記表面音響波の波長よりも小さいことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記周期的モチーフ(6、7)は、前記有用層(1)の材料から構成される第1のモチーフ(6)と、前記キャリア基板(5)の材料と同じ種類の材料から構成される第2のモチーフ(7)との交互の配置を含むことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記第2のモチーフ(7)は多結晶シリコンから構成され、および前記キャリア基板(5)はシリコンから作成されることを特徴とする請求項7に記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記中間層(4)の厚さは、前記デバイスの前記表面音響波の波長以下であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記周期的モチーフ(6、7)の少なくとも1つの横寸法は、前記デバイスの前記表面音響波の波長以下であることを特徴とする請求項9に記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記周期的モチーフ(6、7)は、前記有用層(1)の前記材料から構成される第1のモチーフ(6)と、別の材料から構成される第2のモチーフ(7)との交互の配置を含むことを特徴とする請求項9または10に記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 前記第2のモチーフ(7)は、二酸化ケイ素または窒化ケイ素から構成されることを特徴とする請求項11に記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)。
- 表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)を製造する方法であって、該方法は、以下のステージ、
i)圧電材料の有用層(1)と、前記有用層(1)の圧電材料よりも低い熱膨張係数を有するキャリア基板(5)とを提供するステップと、
ii)第1の材料のエッチングされたモチーフおよびエッチングされていないモチーフのセットを形成する、周期的モチーフに従って局所的エッチングをするステップと、
iii)前記エッチングされたモチーフに前記第1の材料とは異なる第2の材料の追加層を適用するステップであって、前記エッチングされていない周期的モチーフおよび前記追加層が、中間層(4)を形成する、該ステップと、
iv)前記中間層(4)が前記有用層(1)と前記キャリア基板(5)との間に配置されるように、前記有用層(1)と前記キャリア基板(5)とを組み立てるステップと
を含み、前記中間層(4)は、前記ハイブリッド構造(10)の界面上において反射される表面音響波を制限するように、前記周期的モチーフ(6、7)の少なくとも1つの横寸法を調節することによって、前記有用層(1)に侵入した表面音響波の前記中間層(4)上における透過又は拡散を促進させるように構成され、前記周期的モチーフ(6、7)の少なくとも1つの横寸法は、前記中間層(4)の音響インピーダンスが、前記有用層(1)の音響インピーダンスと前記キャリア基板(5)の音響インピーダンスの積の平方根に実質的に等しくなるように選択されたことを特徴とする表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)を製造する方法。 - ステージi)において提供される前記有用層(1)は、圧電材料のドナー基板であることを特徴とする請求項13に記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)を製造する方法。
- 前記音響波デバイスの製造について所望の前記有用層(1)の厚さまで前記ドナー基板を薄化するステージv)を含むことを特徴とする請求項14に記載の表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造(10)を製造する方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021044722A JP7118195B2 (ja) | 2016-02-01 | 2021-03-18 | 表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1650774A FR3047355B1 (fr) | 2016-02-01 | 2016-02-01 | Structure hybride pour dispositif a ondes acoustiques de surface |
FR1650774 | 2016-02-01 | ||
PCT/FR2017/050092 WO2017134357A1 (fr) | 2016-02-01 | 2017-01-17 | Structure hybride pour dispositif a ondes acoustiques de surface |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021044722A Division JP7118195B2 (ja) | 2016-02-01 | 2021-03-18 | 表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019510391A JP2019510391A (ja) | 2019-04-11 |
JP6890599B2 true JP6890599B2 (ja) | 2021-06-18 |
Family
ID=56322018
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018539954A Active JP6890599B2 (ja) | 2016-02-01 | 2017-01-17 | 表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造 |
JP2021044722A Active JP7118195B2 (ja) | 2016-02-01 | 2021-03-18 | 表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021044722A Active JP7118195B2 (ja) | 2016-02-01 | 2021-03-18 | 表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11335847B2 (ja) |
EP (1) | EP3411910B1 (ja) |
JP (2) | JP6890599B2 (ja) |
KR (1) | KR20180108603A (ja) |
CN (1) | CN108496257B (ja) |
FR (1) | FR3047355B1 (ja) |
SG (2) | SG11201805559YA (ja) |
WO (1) | WO2017134357A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3079666B1 (fr) * | 2018-03-30 | 2020-04-03 | Soitec | Structure hybride pour dispositif a ondes acoustiques de surface et procede de fabrication associe |
WO2020098910A1 (en) * | 2018-11-13 | 2020-05-22 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with phononic crystal |
CN111220259A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-06-02 | 西安柯莱特信息科技有限公司 | 一种表面声波探测器 |
EP3896850A1 (en) | 2020-04-14 | 2021-10-20 | IQE plc | Layered structure with regions of localized strain in crystalline rare earth oxides |
KR20220007691A (ko) * | 2020-04-21 | 2022-01-18 | 지난 징젱 일렉트로닉스 씨오., 엘티디. | 복합 기판 및 이의 제조방법 |
CN113838955A (zh) * | 2020-06-24 | 2021-12-24 | 保定中创燕园半导体科技有限公司 | 一种基于氮化铝陶瓷材料的复合衬底及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3887887A (en) * | 1973-12-28 | 1975-06-03 | Texas Instruments Inc | Acoustic bulk mode suppressor |
JPS6240811A (ja) * | 1985-08-17 | 1987-02-21 | Tdk Corp | 弾性表面波装置 |
JPH07176975A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波フィルタ |
JPH0897675A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Canon Inc | 弾性表面波素子及びその作製方法及びそれを用いた通信装置 |
JP2001053579A (ja) | 1999-06-02 | 2001-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子と移動体通信機器 |
JP2001196896A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Seiko Epson Corp | 表面弾性波素子 |
US6603241B1 (en) * | 2000-05-23 | 2003-08-05 | Agere Systems, Inc. | Acoustic mirror materials for acoustic devices |
FR2811828B1 (fr) * | 2000-07-13 | 2002-10-25 | Thomson Csf | Dispositif a ondes acoustiques comprenant des domaines de polarisation alternee |
US7498720B2 (en) * | 2003-10-08 | 2009-03-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Bulk acoustic wave sensor |
US8171795B1 (en) * | 2006-01-23 | 2012-05-08 | Drexel University | Self-exciting, self-sensing piezoelectric cantilever sensor for detection of airborne analytes directly in air |
JP4203085B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2008-12-24 | 東芝テック株式会社 | インクジェットプリンタ及びインクジェットヘッド |
DE102007037502B4 (de) * | 2007-08-08 | 2014-04-03 | Epcos Ag | Bauelement mit reduziertem Temperaturgang |
US8796904B2 (en) * | 2011-10-31 | 2014-08-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer |
CN102624352B (zh) * | 2010-10-06 | 2015-12-09 | 日本碍子株式会社 | 复合基板的制造方法以及复合基板 |
CN103283147B (zh) * | 2010-12-24 | 2016-09-21 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
US8330325B1 (en) * | 2011-06-16 | 2012-12-11 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer |
US8350445B1 (en) * | 2011-06-16 | 2013-01-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge |
US8797123B2 (en) | 2011-09-14 | 2014-08-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Double film bulk acoustic resonator having electrode edge alignments providing improved quality factor or electromechanical coupling coefficient |
CN103918096B (zh) * | 2011-10-28 | 2018-09-28 | 印度马德拉斯理工学院 | 压电器件及其制备和使用方法 |
US9525399B2 (en) * | 2011-10-31 | 2016-12-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Planarized electrode for improved performance in bulk acoustic resonators |
CN103765773B (zh) | 2012-08-17 | 2015-11-25 | 日本碍子株式会社 | 复合基板、弹性表面波器件以及复合基板的制造方法 |
US11063572B2 (en) * | 2016-12-15 | 2021-07-13 | Qorvo Us, Inc. | Polarity patterned piezoelectric film |
-
2016
- 2016-02-01 FR FR1650774A patent/FR3047355B1/fr active Active
-
2017
- 2017-01-17 WO PCT/FR2017/050092 patent/WO2017134357A1/fr active Application Filing
- 2017-01-17 JP JP2018539954A patent/JP6890599B2/ja active Active
- 2017-01-17 US US16/072,587 patent/US11335847B2/en active Active
- 2017-01-17 EP EP17706273.4A patent/EP3411910B1/fr active Active
- 2017-01-17 KR KR1020187020976A patent/KR20180108603A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-01-17 SG SG11201805559YA patent/SG11201805559YA/en unknown
- 2017-01-17 CN CN201780006874.XA patent/CN108496257B/zh active Active
- 2017-01-17 SG SG10201913102YA patent/SG10201913102YA/en unknown
-
2021
- 2021-03-18 JP JP2021044722A patent/JP7118195B2/ja active Active
-
2022
- 2022-01-31 US US17/649,470 patent/US20220158080A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180108603A (ko) | 2018-10-04 |
US20190036007A1 (en) | 2019-01-31 |
JP2019510391A (ja) | 2019-04-11 |
FR3047355B1 (fr) | 2019-04-19 |
JP2021100282A (ja) | 2021-07-01 |
FR3047355A1 (fr) | 2017-08-04 |
WO2017134357A1 (fr) | 2017-08-10 |
US20220158080A1 (en) | 2022-05-19 |
EP3411910B1 (fr) | 2021-09-01 |
JP7118195B2 (ja) | 2022-08-15 |
EP3411910A1 (fr) | 2018-12-12 |
SG11201805559YA (en) | 2018-07-30 |
CN108496257B (zh) | 2022-05-03 |
US11335847B2 (en) | 2022-05-17 |
SG10201913102YA (en) | 2020-03-30 |
CN108496257A (zh) | 2018-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6890599B2 (ja) | 表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造 | |
US20200336127A1 (en) | Hybrid structure for a surface acoustic wave device | |
KR102428548B1 (ko) | 접합 방법 | |
JP6250856B1 (ja) | 表面弾性波デバイス用複合基板及びその製造方法とこの複合基板を用いた表面弾性波デバイス | |
US5446330A (en) | Surface acoustic wave device having a lamination structure | |
WO2018180827A1 (ja) | 接合体および弾性波素子 | |
KR100804407B1 (ko) | 탄성 경계파 장치의 제조방법 | |
JP7057288B2 (ja) | 表面弾性波デバイス用のハイブリッド構造 | |
CN111416590A (zh) | 一种高频声波谐振器及其制备方法 | |
CN111697943B (zh) | 一种高频高耦合系数压电薄膜体声波谐振器 | |
CN105229924B (zh) | 压电设备及其制造方法、以及压电自立基板的制造方法 | |
JP2005176152A (ja) | 弾性表面波素子及びその製造方法 | |
KR20220062407A (ko) | 음향파 소자용 트랜스듀서 구조 | |
CN112929004A (zh) | 声波谐振器、滤波器、多路复用器和晶片 | |
JP2003273691A (ja) | 表面弾性波素子 | |
CN114189224A (zh) | 一种压电衬底的制备方法、压电衬底及声波器件 | |
KR20200118213A (ko) | 접합체 및 탄성파 소자 | |
CN118138007A (zh) | 一种声表面谐振器及制备方法、滤波器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200901 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201126 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20201215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210318 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20210318 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20210325 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20210330 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210427 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210525 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6890599 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |