JP7116214B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 285
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 57
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 15
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1042
- 239000010408 film Substances 0.000 description 292
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 249
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 190
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 116
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 112
- 239000000463 material Substances 0.000 description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 description 99
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 89
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 87
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 59
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 51
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 50
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 48
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 41
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 description 34
- 230000006870 function Effects 0.000 description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 32
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 30
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 29
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 27
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 25
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 22
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 20
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 20
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 19
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 17
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 16
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 8
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 8
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 8
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 7
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 7
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 7
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 5
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 4
- 238000000329 molecular dynamics simulation Methods 0.000 description 4
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 4
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010052128 Glare Diseases 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100392125 Caenorhabditis elegans gck-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100022887 GTP-binding nuclear protein Ran Human genes 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- 101000774835 Heteractis crispa PI-stichotoxin-Hcr2o Proteins 0.000 description 1
- 101000620756 Homo sapiens GTP-binding nuclear protein Ran Proteins 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100393821 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) GSP2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPSZQYZCNSCYGG-UHFFFAOYSA-N [B].[B] Chemical compound [B].[B] KPSZQYZCNSCYGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 1
- 230000005274 electronic transitions Effects 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
全般を指し、表示装置などの電気光学装置、半導体回路及び電子機器は全て半導体装置で
ある。
て薄膜トランジスタ(TFT)を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタはI
Cや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチン
グ素子として開発が急がれている。金属酸化物は多様に存在しさまざまな用途に用いられ
ている。酸化インジウムはよく知られた材料であり、液晶ディスプレイなどで必要とされ
る透明電極材料として用いられている。
、例えば、酸化タングステン、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛などがあり、このよう
な半導体特性を示す金属酸化物をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタが既に知られ
ている(特許文献1及び特許文献2)。
で交差する部分がある。交差する部分には、ゲート配線と、該ゲート配線と電位が異なる
ソース配線の間に絶縁層が設けられ、該絶縁層が誘電体となって容量が形成される。この
容量は、配線間の寄生容量とも呼ばれ、信号波形のなまりが生じる恐れがある。また、寄
生容量が大きいと信号の伝達が遅くなる恐れがある。
力の増大に繋がる。
、他の配線または電極との間に大きな寄生容量が形成されると、表示品質が低下する恐れ
がある。
加する恐れがある。
することを課題の一とする。
速度は、速い方が好ましい。
ると動作速度が高速化される。しかし、チャネル長を短くすると、スイッチング特性、例
えばオンオフ比が小さくなる問題がある。また、チャネル幅Wを広くすると薄膜トランジ
スタ自身の容量負荷を上昇させる問題がある。
体装置を提供することも課題の一とする。
基板上に形成する場合には、画素部に用いる薄膜トランジスタは、優れたスイッチング特
性、例えばオンオフ比が大きいことが要求され、駆動回路に用いる薄膜トランジスタには
動作速度が速いことが要求される。特に、表示装置の精細度が高精細であればあるほど、
表示画像の書き込み時間が短くなるため、駆動回路に用いる薄膜トランジスタは速い動作
速度とすることが好ましい。
種の薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供することも課題の一とする。
一部にチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その酸化物絶縁層の形成時に酸化物
半導体層の周縁部(側面を含む)を覆う酸化物絶縁層を形成する。
方または周辺に形成される配線層(ソース配線層や容量配線層など)との距離を大きくし
、寄生容量の低減を図る。酸化物半導体層の周縁部を覆う酸化物絶縁層は、チャネル保護
層と同一工程で形成されるため、工程数の増加なく、寄生容量を低減できる。
ができ、信号波形のなまりを抑制することができる。
縁材料を用いることが好ましい。
量をできる限り小さくし、薄膜トランジスタの高速動作を実現できる。また、動作速度の
速い薄膜トランジスタを用いることで回路の集積度が向上する。
縁層と、前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に酸化物絶縁層
と、前記酸化物絶縁層上にソース電極層またはドレイン電極層とを有し、前記酸化物半導
体層は、前記酸化物絶縁層と接する第1の領域と、前記ソース電極層または前記ドレイン
層と接する第2の領域とを有し、前記第1の領域は、前記ゲート電極層と前記ゲート絶縁
層を介して重なるチャネル形成領域と、前記酸化物半導体層の周縁及び側面を覆う前記酸
化物絶縁層と重なる領域とを有し、前記酸化物半導体層の端面は、前記酸化物絶縁層を介
して前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と重なる半導体装置である。
上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に
酸化物絶縁層と、前記酸化物絶縁層上にソース電極層またはドレイン電極層と、前記ソー
ス電極層または前記ドレイン電極層上に保護絶縁層とを有し、前記酸化物半導体層は、前
記酸化物絶縁層と接する第1の領域と、前記ソース電極層または前記ドレイン層と接する
第2の領域と、前記保護絶縁層と接する第3の領域と、を有し、前記第1の領域のうち、
前記ゲート電極層と前記ゲート絶縁層を介して重なる領域がチャネル形成領域であり、前
記チャネル形成領域と前記第2の領域との間に前記第3の領域を有する半導体装置である
。
で表記される薄膜を形成し、その薄膜を酸化物半導体層として用いた薄膜トランジスタを
作製する。なお、Mは、Ga、Fe、Ni、Mn及びCoから選ばれた一の金属元素また
は複数の金属元素を示す。例えばMとして、Gaの場合があることの他、GaとNiまた
はGaとFeなど、Ga以外の上記金属元素が含まれる場合がある。また、上記酸化物半
導体において、Mとして含まれる金属元素の他に、不純物元素としてFe、Niその他の
遷移金属元素、または該遷移金属の酸化物が含まれているものがある。本明細書において
は、InMO3(ZnO)m(m>0)で表記される構造の酸化物半導体層のうち、Mと
してGaを含む構造の酸化物半導体をIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体とよび、その
薄膜をIn-Ga-Zn-O系非単結晶膜とも呼ぶ。
系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn
-Al-Zn-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、In-
O系、Sn-O系、Zn-O系の金属酸化物を適用することができる。また上記金属酸化
物からなる酸化物半導体層に酸化珪素を含ませてもよい。
った場合、酸化物半導体層は加熱処理により酸素欠乏型となって低抵抗化、即ちN型化(
N-化など)させ、その後、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜の形成や、形成後に加
熱処理を行うことにより酸化物半導体層を酸素過剰な状態とすることで高抵抗化、即ちI
型化させているとも言える。また、酸化物半導体層を酸素過剰な状態とする固相酸化を行
っているとも呼べる。これにより、電気特性が良好で信頼性のよい薄膜トランジスタを有
する半導体装置を作製し、提供することが可能となる。
雰囲気下での400℃以上基板の歪み点未満、好ましくは420℃以上570℃以下の加
熱処理を行い、酸化物半導体層の含有水分などの不純物を低減する。
体層に対してTDSで450℃まで測定を行っても水の2つのピーク、少なくとも300
℃付近に現れる1つのピークは検出されない程度の熱処理条件とする。従って、脱水化ま
たは脱水素化が行われた酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタに対してTDSで45
0℃まで測定を行っても少なくとも300℃付近に現れる水のピークは検出されない。
る際、脱水化または脱水素化を行った同じ炉を用いて大気に触れさせないことで、水また
は水素が再び混入させないことが重要である。脱水化または脱水素化を行い、酸化物半導
体層を低抵抗化、即ちN型化(N-など)させた後、高抵抗化させてI型とした酸化物半
導体層を用いて薄膜トランジスタを作製すると、薄膜トランジスタのしきい値電圧値をプ
ラスとすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現できる。薄膜トラ
ンジスタのゲート電圧が0Vにできるだけ近い正のしきい値電圧でチャネルが形成される
ことが半導体装置(表示装置)には望ましい。なお、薄膜トランジスタのしきい値電圧値
がマイナスであると、ゲート電圧が0Vでもソース電極とドレイン電極の間に電流が流れ
る、所謂ノーマリーオンとなりやすい。アクティブマトリクス型の表示装置においては、
回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性
能を左右する。特に、薄膜トランジスタの電気特性のうち、しきい値電圧(Vth)が重
要である。電界効果移動度が高くともしきい値電圧値が高い、或いはしきい値電圧値がマ
イナスであると、回路として制御することが困難である。しきい値電圧値が高く、しきい
値電圧の絶対値が大きい薄膜トランジスタの場合には、駆動電圧が低い状態ではTFTと
してのスイッチング機能を果たすことができず、負荷となる恐れがある。nチャネル型の
薄膜トランジスタの場合、ゲート電圧に正の電圧を印加してはじめてチャネルが形成され
て、ドレイン電流が流れ出すトランジスタが望ましい。駆動電圧を高くしないとチャネル
が形成されないトランジスタや、負の電圧状態でもチャネルが形成されてドレイン電流が
流れるトランジスタは、回路に用いる薄膜トランジスタとしては不向きである。
ガス雰囲気に切り替えてもよい。例えば、脱水化または脱水素化を行った同じ炉で大気に
触れさせることなく、炉の中を高純度の酸素ガスまたはN2Oガス、超乾燥エア(露点が
-40℃以下、好ましくは-60℃以下)で満たして冷却を行う。
まない雰囲気(露点が-40℃以下、好ましくは-60℃以下)下で徐冷(または冷却)
した酸化物半導体膜を用いて、薄膜トランジスタの電気特性を向上させるとともに、量産
性と高性能の両方を備えた薄膜トランジスタを実現する。
の加熱処理を脱水化または脱水素化のための加熱処理と呼ぶ。本明細書では、この加熱処
理によってH2として脱離させていることのみを脱水素化と呼んでいるわけではなく、H
、OHなどを脱離することを含めて脱水化または脱水素化と便宜上呼ぶこととする。
った場合、酸化物半導体層は加熱処理により酸素欠乏型となって低抵抗化、即ちN型化(
N-化など)させる。
Resistance Drain)領域とも呼ぶ)が形成される。また、ソース電極
層と重なる酸素欠乏型である高抵抗ソース領域(HRS(High Resistanc
e Source)領域とも呼ぶ)が形成される。
であり、少なくともチャネル形成領域のキャリア濃度(1×1018/cm3未満)より
も高い領域である。なお、本明細書のキャリア濃度は、室温にてHall効果測定から求
めたキャリア濃度の値を指す。
することで、さらに高抵抗化、即ちI型化させてチャネル形成領域を形成する。なお、脱
水化または脱水素化した酸化物半導体層を酸素過剰な状態とする処理としては、脱水化ま
たは脱水素化した酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜のスパッタ法の成膜、または酸化
物絶縁膜成膜後の加熱処理、または酸素を含む雰囲気での加熱処理、または不活性ガス雰
囲気下で加熱した後に酸素雰囲気で冷却する処理、超乾燥エア(露点が-40℃以下、好
ましくは-60℃以下)で冷却する処理などによって行う。
る部分)をチャネル形成領域とするため、選択的に酸素過剰な状態とすることで、高抵抗
化、即ちI型化させることもできる。
し、提供することが可能となる。
ことにより、駆動回路を形成した際の信頼性の向上を図ることができる。具体的には、高
抵抗ドレイン領域を形成することで、ドレイン電極層から高抵抗ドレイン領域、チャネル
形成領域にかけて、導電性を段階的に変化させうるような構造とすることができる。その
ため、ドレイン電極層に高電源電位VDDを供給する配線に接続して動作させる場合、ゲ
ート電極層とドレイン電極層との間に高電界が印加されても高抵抗ドレイン領域がバッフ
ァとなり局所的な高電界が印加されず、トランジスタの耐圧を向上させた構成とすること
ができる。
レイン領域を形成することにより、駆動回路を形成した際のチャネル形成領域でのリーク
電流の低減を図ることができる。具体的には、高抵抗ドレイン領域を形成することで、ド
レイン電極層とソース電極層との間に流れるトランジスタのリーク電流の経路として、ド
レイン電極層、ドレイン電極層側の高抵抗ドレイン領域、チャネル形成領域、ソース電極
層側の高抵抗ソース領域、ソース電極層の順となる。このときチャネル形成領域では、ド
レイン電極層側の高抵抗ドレイン領域よりチャネル領域に流れるリーク電流を、トランジ
スタがオフ時に高抵抗となるゲート絶縁層とチャネル形成領域の界面近傍に集中させるこ
とができ、バックチャネル部(ゲート電極層から離れているチャネル形成領域の表面の一
部)でのリーク電流を低減することができる。
ン領域は、ゲート電極層の幅にもよるが、ゲート電極層の一部とゲート絶縁層を介して重
なり、より効果的にドレイン電極層の端部近傍の電界強度を緩和させることができる。
表示装置や、電気泳動表示素子を用いた電子ペーパーとも称される表示装置が挙げられる
。
素部においてもある薄膜トランジスタのゲート電極と他のトランジスタのソース配線、或
いはドレイン配線を接続させる箇所を有している。また、発光素子を用いた発光表示装置
の駆動回路においては、薄膜トランジスタのゲート電極とその薄膜トランジスタのソース
配線、或いはドレイン配線を接続させる箇所を有している。
線に対して、画素部の薄膜トランジスタの保護用の保護回路を同一基板上に設けることが
好ましい。保護回路は、酸化物半導体層を用いた非線形素子を用いて構成することが好ま
しい。
示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称
を示すものではない。
ジスタを備えた半導体装置を実現する。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有す
る部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、半導体装置及び半導体装置の作製方法の一形態を図1、図2、図3、
及び図4を用いて説明する。
であり、図1(B)は図1(A)の線D1-D2における断面図及び図1(A)の線D5
―D6における断面図である。また、図1(C)は、図1(A)の線D3-D4における
断面図である。なお、図2(E)は図1(B)と同一である。
う)の薄膜トランジスタであり、絶縁表面を有する基板400上に、ゲート電極層421
a、ゲート絶縁層402、チャネル形成領域423を含む酸化物半導体層442、チャネ
ル保護層として機能する酸化物絶縁層426a、ソース電極層425a、及びドレイン電
極層425bを含む。また、薄膜トランジスタ448を覆い、酸化物絶縁層426a、ソ
ース電極層425a、及びドレイン電極層425bに接して保護絶縁層403、及び平坦
化絶縁層404が積層して設けられている。平坦化絶縁層404上にはドレイン電極層4
25bと接する画素電極層427が設けられており、薄膜トランジスタ448と電気的に
接続している。
24b、及びチャネル形成領域423を含む酸化物半導体層442を有し、ソース電極層
425aの下面に接して高抵抗ソース領域424aが形成されている。また、ドレイン電
極層425bの下面に接して高抵抗ドレイン領域424bが形成されている。薄膜トラン
ジスタ448は、高電界が印加されても高抵抗ドレイン領域または高抵抗ソース領域がバ
ッファとなり局所的な高電界が印加されず、トランジスタの耐圧を向上させた構成となっ
ている。
のうち、チャネル保護層である酸化物絶縁層426aに接し、且つゲート電極層421a
と重なる領域である。薄膜トランジスタ448は、酸化物絶縁層426aによって保護さ
れるため、ソース電極層425a、ドレイン電極層425bを形成するエッチング工程で
、酸化物半導体層442がエッチングされるのを防ぐことができる。
る表示装置を実現するためにソース電極層425a、ドレイン電極層425bは、透光性
を有する導電膜を用いる。
。
の電極層(容量電極層など)や、容量配線層などの他の配線層に可視光に対して透光性を
有する導電膜を用い、高開口率を有する表示装置を実現する。勿論、ゲート絶縁層402
、酸化物絶縁層426aも可視光に対して透光性を有する膜を用いることが好ましい。
%である膜厚を有する膜を指し、その膜が導電性を有する場合は透明の導電膜とも呼ぶ。
また、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層、画素電極層、またはその他の電極
層や、その他の配線層に適用する金属酸化物として、可視光に対して半透明の導電膜を用
いてもよい。可視光に対して半透明とは可視光の透過率が50~75%であることを指す
。
ート電極層421bとソース電極層425aとの間にゲート絶縁層402と酸化物絶縁層
426bが設けられている。なお、チャネル形成領域423と重なる領域の酸化物絶縁層
426aと、チャネル形成領域423と重ならない領域の酸化物絶縁層426bとを異な
る符号で示しているが、同じ材料、同じ工程で形成される層である。
差部を作製する工程を説明する。また、画素部だけでなく駆動回路の薄膜トランジスタを
形成してもよく、同じ工程で同一基板上に作製することもできる。
トリソグラフィ工程によりゲート電極層421a、421bを形成する。また、画素部に
はゲート電極層421a、421bと同じ透光性を有する材料、同じ第1のフォトリソグ
ラフィ工程により容量配線層を形成する。また、画素部だけでなく駆動回路も形成する場
合、駆動回路に容量が必要な場合には、駆動回路にも容量配線層を形成する。なお、レジ
ストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で
形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
とも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。絶縁表面を
有する基板400にはガラス基板を用いることができる。
のものを用いると良い。また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、ア
ルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられている
。なお、酸化ホウ素と比較して酸化バリウム(BaO)を多く含ませることで、より実用
的な耐熱ガラスが得られる。このため、B2O3よりBaOを多く含むガラス基板を用い
ることが好ましい。
縁体でなる基板を用いても良い。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。
もよい。下地膜は、基板400からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化珪素
膜、酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜、又は酸化窒化珪素膜から選ばれた一又は複数の膜によ
る積層構造により形成することができる。
えばIn-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al
-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O系、
Al-Zn-O系、In-O系、Sn-O系、Zn-O系の金属酸化物を適用することが
でき、膜厚は50nm以上300nm以下の範囲内で適宜選択する。ゲート電極層421
a、421bに用いる金属酸化物の成膜方法は、スパッタ法や真空蒸着法(電子ビーム蒸
着法など)や、アーク放電イオンプレーティング法や、スプレー法を用いる。また、スパ
ッタ法を用いる場合、SiO2を2重量%以上10重量%以下含むターゲットを用いて成
膜を行い、透光性を有する導電膜に結晶化を阻害するSiOx(X>0)を含ませ、後の
工程で行う脱水化または脱水素化のための加熱処理の際に結晶化してしまうのを抑制する
ことが好ましい。
びGaを含有する酸化物半導体である。酸化物半導体層をI型(真性)とするため、脱水
化または脱水素化の工程を経ることは有効である。
、窒化珪素層、酸化窒化珪素層、窒化酸化珪素層、又は酸化アルミニウム層を単層で又は
積層して形成することができる。例えば、成膜ガスとして、SiH4、酸素及び窒素を用
いてプラズマCVD法により酸化窒化珪素層を形成すればよい。ゲート絶縁層402の膜
厚は、100nm以上500nm以下とし、積層の場合は、例えば、膜厚50nm以上2
00nm以下の第1のゲート絶縁層と、第1のゲート絶縁層上に膜厚5nm以上300n
m以下の第2のゲート絶縁層の積層とする。
ト絶縁層402とする。
0を形成する(図2(A)参照。)。酸化物半導体膜430の形成後に脱水化または脱水
素化のための加熱処理を行っても酸化物半導体膜を非晶質な状態とするため、膜厚を50
nm以下と薄くすることが好ましい。酸化物半導体膜の膜厚を薄くすることで酸化物半導
体層の形成後に加熱処理した場合に、結晶化してしまうのを抑制することができる。
、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-
Al-Zn-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、In-O
系、Sn-O系、Zn-O系の酸化物半導体膜を用いる。本実施の形態では、In-Ga
-Zn-O系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタ法により成膜する。また、酸化物
半導体膜430は、希ガス(代表的にはアルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガス
(代表的にはアルゴン)及び酸素雰囲気下においてスパッタ法により形成することができ
る。また、スパッタ法を用いる場合、SiO2を2重量%以上10重量%以下含むターゲ
ットを用いて成膜を行い、酸化物半導体膜430に結晶化を阻害するSiOx(X>0)
を含ませ、後の工程で行う脱水化または脱水素化のための加熱処理の際に結晶化してしま
うのを抑制することが好ましい。
3:ZnO=1:1:1[mol数比])を用いて、基板とターゲットの間との距離を1
00mm、圧力0.2Pa、直流(DC)電源0.5kW、アルゴン及び酸素(アルゴン
:酸素=30sccm:20sccm 酸素流量比率40%)雰囲気下で成膜する。なお
、パルス直流(DC)電源を用いると、ごみが軽減でき、膜厚分布も均一となるために好
ましい。In-Ga-Zn-O系非単結晶膜の膜厚は、5nm~200nmとする。本実
施の形態では、酸化物半導体膜として、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体ターゲット
を用いてスパッタ法により膜厚20nmのIn-Ga-Zn-O系非単結晶膜を成膜する
。
があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスDCスパッタ法もある。RFスパッタ
法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、DCスパッタ法は主に金属膜を成膜する場合
に用いられる。
装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種
類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。
や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるECRスパッタ
法を用いるスパッタ装置がある。
とを化学反応させてそれらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタ法や、成膜中に
基板にも電圧をかけるバイアススパッタ法もある。
体層に加工する。また、島状の酸化物半導体層を形成するためのレジストマスクをインク
ジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマ
スクを使用しないため、製造コストを低減できる。
1の加熱処理の温度は、400℃以上基板の歪み点未満、好ましくは425℃以上とする
。なお、425℃以上であれば熱処理時間は1時間以下でよいが、425℃未満であれば
加熱処理時間は、1時間よりも長時間行うこととする。ここでは、加熱処理装置の一つで
ある電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下において加熱処理を行
った後、大気に触れることなく、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半
導体層を得る。本実施の形態では、酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行う加熱温
度Tから、再び水が入らないような十分な温度まで同じ炉を用い、具体的には加熱温度T
よりも100℃以上下がるまで窒素雰囲気下で徐冷する。また、窒素雰囲気に限定されず
、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガス雰囲気下において脱水化または脱水素化を行う
。
に、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する窒素、
またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N(99.9999%)以上
、好ましくは7N(99.99999%)以上、(即ち不純物濃度を1ppm以下、好ま
しくは0.1ppm以下)とすることが好ましい。
晶膜または多結晶膜となる場合もある。
半導体膜430に行うこともできる。その場合には、第1の加熱処理後に、加熱装置から
基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
オン、アルゴン等)下、酸素雰囲気下において加熱処理(400℃以上基板の歪み点未満
)を行い、ゲート絶縁層内に含まれる水素及び水などの不純物を除去してもよい。
成した後、第3のフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、選択的にエッ
チングを行って酸化物絶縁層426a、426bを形成し、その後レジストマスクを除去
する。この段階で、酸化物半導体層は、酸化物絶縁層と接する領域が形成され、この領域
のうち、ゲート電極層とゲート絶縁層を介して重なり且つ酸化物絶縁層426aと重なる
領域がチャネル形成領域となる。また、酸化物半導体層の周縁及び側面を覆う酸化物絶縁
層426bと重なる領域も形成される。
膜に水、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。本実施
の形態では、酸化物絶縁膜として膜厚300nmの酸化珪素膜をスパッタリング法を用い
て成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上300℃以下とすればよく、本実施の形態で
は室温とする。酸化珪素膜のスパッタリング法による成膜は、希ガス(代表的にはアルゴ
ン)雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガス(代表的にはアルゴン)及び酸素雰囲気下に
おいて行うことができる。また、ターゲットとして酸化珪素ターゲットまたは珪素ターゲ
ットを用いることができる。例えば、珪素ターゲットを用いて、酸素、及び窒素雰囲気下
でスパッタリング法により酸化珪素膜を形成することができる。低抵抗化した酸化物半導
体層に接して形成する酸化物絶縁膜は、水分や、水素イオンや、OH-などの不純物を含
まず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、代表的には酸化
珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などを用
いる。
00℃以上400℃以下、例えば250℃以上350℃以下)を行う(図2(B)参照。
)。例えば、窒素雰囲気下で250℃、1時間の第2の加熱処理を行う。第2の加熱処理
を行うと、酸化物絶縁層426bと重なる酸化物半導体層442の端部と、酸化物絶縁層
426aと重なる酸化物半導体層442の一部が酸化物絶縁層と接した状態で加熱される
。なお、第2の加熱処理を行うと、酸化物絶縁層と重ならない酸化物半導体層442の一
部は露出した状態で加熱される。酸化物半導体層442が露出している状態で、窒素、ま
たは不活性ガス雰囲気下で加熱処理を行うと、酸化物半導体層442において露出してい
る高抵抗化された(I型化された)領域を低抵抗化することができる。また、酸化物絶縁
層426aは酸化物半導体層442のチャネル形成領域となる領域上に接して設けられ、
チャネル保護層として機能する。
42上に、透光性を有する導電膜を形成した後、第4のフォトリソグラフィ工程によりレ
ジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってソース電極層425a、及びドレイ
ン電極層425bを形成する(図2(C)参照)。透光性を有する導電膜の成膜方法は、
スパッタ法や真空蒸着法(電子ビーム蒸着法など)や、アーク放電イオンプレーティング
法や、スプレー法を用いる。導電膜の材料としては、可視光に対して透光性を有する導電
材料、例えばIn-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O
系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn
-O系、Al-Zn-O系、In-O系、Sn-O系、Zn-O系の金属酸化物を適用す
ることができ、膜厚は50nm以上300nm以下の範囲内で適宜選択する。また、スパ
ッタ法を用いる場合、SiO2を2重量%以上10重量%以下含むターゲットを用いて成
膜を行い、透光性を有する導電膜に結晶化を阻害するSiOx(X>0)を含ませ、後の
工程で行う脱水化または脱水素化のための加熱処理の際に結晶化してしまうのを抑制する
ことが好ましい。
をインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成すると
フォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
5b上に保護絶縁層403を形成する。本実施の形態では、RFスパッタ法を用いて窒化
珪素膜を形成する。RFスパッタ法は、量産性がよいため、保護絶縁層403の成膜方法
として好ましい。保護絶縁層403は、水分や、水素イオンや、OH-などの不純物を含
まず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、窒化珪素膜、窒
化アルミニウム膜、窒化酸化珪素膜、酸化窒化アルミニウム膜などを用いる。勿論、保護
絶縁層403は透光性を有する絶縁膜である。
ては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性
を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料(lo
w-k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス
)等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させるこ
とで、平坦化絶縁層404を形成してもよい。
i結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基(例えばアルキ
ル基やアリール基)やフルオロ基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有してい
ても良い。
G法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スクリ
ーン印刷、オフセット印刷等)、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、
ナイフコーター等を用いることができる。
04、及び保護絶縁層403のエッチングによりドレイン電極層425bに達するコンタ
クトホール441を形成し、レジストマスクを除去する(図2(D)参照。)。図2(D
)に示すようにコンタクトホールの下方には酸化物絶縁層426bが設けられており、コ
ンタクトホールの下方に酸化物絶縁層が設けられていない場合に比べて除去する平坦化絶
縁層の膜厚を薄くでき、エッチング時間を短くすることができる。また、コンタクトホー
ルの下方に酸化物絶縁層が設けられていない場合に比べてコンタクトホール441の深さ
を浅くすることができ、コンタクトホール441と重なる領域において、後の工程で形成
する透光性を有する導電膜のカバレッジを良好なものとすることができる。また、ここで
のエッチングによりゲート電極層421bに達するコンタクトホールも形成する。また、
ドレイン電極層425bに達するコンタクトホールを形成するためのレジストマスクをイ
ンクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォ
トマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
インジウム(In2O3)や酸化インジウム酸化スズ合金(In2O3―SnO2、IT
Oと略記する)などをスパッタ法や真空蒸着法などを用いて形成する。透光性を有する導
電膜の他の材料として、窒素を含ませたAl-Zn-O系非単結晶膜、即ちAl-Zn-
O-N系非単結晶膜や、Zn-O-N系非単結晶膜や、Sn-Zn-O-N系非単結晶膜
を用いてもよい。なお、Al-Zn-O-N系非単結晶膜の亜鉛の組成比(原子%)は、
47原子%以下とし、非単結晶膜中のアルミニウムの組成比(原子%)より大きく、非単
結晶膜中のアルミニウムの組成比(原子%)は、非単結晶膜中の窒素の組成比(原子%)
より大きい。このような材料のエッチング処理は塩酸系の溶液により行う。しかし、特に
ITOのエッチングは残渣が発生しやすいので、エッチング加工性を改善するために酸化
インジウム酸化亜鉛合金(In2O3―ZnO)を用いても良い。
(EPMA:Electron Probe X-ray MicroAnalyzer
)を用いた分析により評価するものとする。
り不要な部分を除去して画素電極層427を形成し、レジストマスクを除去する(図2(
E)参照。)。
生容量の低減された配線交差部を作製することができる。画素用の薄膜トランジスタ44
8は、高抵抗ソース領域424a、高抵抗ドレイン領域424b、及びチャネル形成領域
423を含む酸化物半導体層442を含むチャネル保護型薄膜トランジスタである。よっ
て、薄膜トランジスタ448は、高電界が印加されても高抵抗ドレイン領域424bまた
は高抵抗ソース領域424aがバッファとなり局所的な高電界が印加されず、トランジス
タの耐圧を向上させた構成となっている。
同一基板上に形成することができる。薄膜トランジスタ448と保持容量を個々の画素に
対応してマトリクス状に配置して画素部を構成し、アクティブマトリクス型の表示装置を
作製するための一方の基板とすることができる。本明細書では便宜上このような基板をア
クティブマトリクス基板と呼ぶ。
動回路と画素部を形成することによって、駆動回路と外部信号との接続配線が短縮でき、
半導体装置の小型化、低コスト化が可能である。
化物絶縁層426bと重なる第1領域424c、第2領域424dを周縁部に有している
。酸化物半導体層442の周縁部である第1領域424c、及び第2領域424dは、チ
ャネル形成領域423と同じ酸素過剰な状態であり、近くに電位の異なる配線や酸化物半
導体層が配置された場合にリーク電流の低減や、寄生容量の低減を実現できる。
狭めて配置することが好ましく、酸化物絶縁層426bと重ねることで第1領域424c
、及び第2領域424dを設け、リーク電流の低減や、寄生容量の低減を行うことは有効
である。また、複数の薄膜トランジスタを直列または並列に配置する場合、複数の薄膜ト
ランジスタの酸化物半導体層を一つのアイランドとし、それぞれの素子分離を酸化物絶縁
層426bと重ねることで行い、酸化物絶縁層426bと重なる領域を素子分離領域とす
ることができる。このようにすることで、狭い面積に複数の薄膜トランジスタを配置する
ことができるため、駆動回路の高集積化を図ることができる。
本実施の形態では、実施の形態1に示した薄膜トランジスタを用いて、同一基板上に画素
部と駆動回路を形成し、アクティブマトリクス型の液晶表示装置を作製する一例を示す。
態では、薄膜トランジスタ及び配線交差部に加え、駆動回路の薄膜トランジスタ、保持容
量、ゲート配線、ソース配線の端子部も図示して説明する。容量、ゲート配線、ソース配
線の端子部は、実施の形態1に示す作製工程と同じ工程で形成することができる。また、
画素部の表示領域となる部分においては、ゲート配線、ソース配線、及び容量配線層は全
て透光性を有する導電膜で形成されており、高い開口率を実現している。
画素部に設けられるチャネル保護型の薄膜トランジスタであり、本実施の形態では、実施
の形態1の薄膜トランジスタ448と同じ構造を用いる。また、薄膜トランジスタ220
のゲート電極層のチャネル長方向の幅は薄膜トランジスタ220の酸化物半導体層のチャ
ネル長方向の幅よりも狭い。
される容量配線層230は、誘電体となるゲート絶縁層202を介して容量電極231と
重なり、保持容量を形成する。なお、容量電極231は、薄膜トランジスタ220のソー
ス電極層またはドレイン電極層と同じ透光性を有する材料、及び同じ工程で形成される。
従って、薄膜トランジスタ220が透光性を有していることに加え、それぞれの保持容量
も透光性を有するため、開口率を向上させることができる。
以下の小型の液晶表示パネルにおいて、ゲート配線の本数を増やすなどして表示画像の高
精細化を図るため、画素寸法を微細化しても、高い開口率を実現することができる。また
、薄膜トランジスタ220及び保持容量の構成部材に透光性を有する膜を用いることで、
広視野角を実現するため、1画素を複数のサブピクセルに分割しても高い開口率を実現す
ることができる。即ち、高密度の薄膜トランジスタ群を配置しても開口率を大きくとるこ
とができ、表示領域の面積を十分に確保することができる。例えば、一つの画素内に2~
4個のサブピクセル及び保持容量を有する場合、薄膜トランジスタが透光性を有している
ことに加え、それぞれの保持容量も透光性を有するため、開口率を向上させることができ
る。
27と電気的に接続される。
例を示したが、保持容量を形成する構造については特に限定されない。例えば、容量配線
層を設けず、画素電極層を隣り合う画素のゲート配線と平坦化絶縁層、保護絶縁層、及び
ゲート絶縁層を介して重ねて保持容量を形成してもよい。
極の間にゲート絶縁層202のみとしており、配線交差部は、寄生容量を低減するために
ゲート電極層421bとその上方に形成される配線の間にゲート絶縁層202と酸化物絶
縁層266bとを設けている。保持容量において、容量配線層と容量電極の間にゲート絶
縁層202のみとする場合、酸化物絶縁層266bを除去するエッチングの際に、選択的
にゲート絶縁層202のみを残すようなエッチング条件またはゲート絶縁層の材料を選択
する。本実施の形態では、酸化物絶縁層266bがスパッタ法で得られる酸化珪素膜、ゲ
ート絶縁層202がプラズマCVD法で得られる窒化珪素膜であるため、選択的に除去す
ることができる。なお、酸化物絶縁層266bとゲート絶縁層202が同じエッチング条
件で除去される材料を用いる場合には、エッチングによりゲート絶縁層の一部が薄膜化さ
れてもゲート絶縁層が少なくとも残存し、容量を形成することができる膜厚とすることが
好ましい。保持容量を大きくするためには、ゲート絶縁層の膜厚を薄くすることが好まし
いため、酸化物絶縁層266bの選択的なエッチングの際に容量配線上のゲート絶縁層を
薄膜化させた構成としてもよい。
スタであり、薄膜トランジスタ220に比べチャネル長Lを短くして、動作速度を高速化
したものである。駆動回路に設けられるチャネル保護型の薄膜トランジスタのチャネル長
Lは、0.1μm以上2μm以下とすることが好ましい。薄膜トランジスタ260のゲー
ト電極層261のチャネル長方向の幅は薄膜トランジスタ260の酸化物半導体層のチャ
ネル長方向の幅よりも広く、ゲート電極層261の端面は、ゲート絶縁層202及び酸化
物絶縁層266bを介してソース電極層265a、又はドレイン電極層265bと重なる
。
ート絶縁層202、少なくともチャネル形成領域263、高抵抗ソース領域264a、及
び高抵抗ドレイン領域264bを有する酸化物半導体層、ソース電極層265a、及びド
レイン電極層265bを含む。また、チャネル形成領域263に接する酸化物絶縁層26
6aが設けられている。
けられた導電層267と電気的に接続させる構造としてもよい。その場合には、薄膜トラ
ンジスタ220のドレイン電極層と、画素電極層227とを電気的に接続するためのコン
タクトホールと同じフォトマスクを用い、平坦化絶縁層204、保護絶縁層203、酸化
物絶縁層266b、ゲート絶縁層202を選択的にエッチングしてコンタクトホールを形
成する。このコンタクトホールを介して導電層267と駆動回路の薄膜トランジスタ26
0のゲート電極層261とを電気的に接続する。
素膜、酸化窒化アルミニウム膜などを用いる。本実施の形態では窒化珪素膜を用いる。
広い構造となっている。また、酸化物絶縁層266bは、酸化物半導体層の周縁部と重な
っており、さらにゲート電極層261とも重なっている。酸化物絶縁層266bは、ドレ
イン電極層265bとゲート電極層261との間隔を広げ、ドレイン電極層265bとゲ
ート電極層261との間に形成される寄生容量を低減する機能を果たしている。また、酸
化物絶縁層266bと重なる酸化物半導体層の第1領域264c、第2領域264dは、
チャネル形成領域263と同じ酸素過剰な状態であり、リーク電流の低減や、寄生容量を
低減する機能も果たしている。
とする場合には透光性を有する配線の配線抵抗が問題となる恐れがあるため、配線の一部
を金属配線として配線抵抗を低減することが好ましい。例えば、ソース電極層265a、
及びドレイン電極層265bをTiなどの金属配線とする。金属配線を形成するため、実
施の形態1に比べ、フォトマスクの数は1枚増える。
なるソース電極層やドレイン電極層を形成し、ソース電極層に重なる高抵抗ソース領域と
、ドレイン電極層に重なる高抵抗ドレイン領域とが形成され、高抵抗ソース領域と高抵抗
ドレイン領域との間の領域がチャネル形成領域となる。
イン電極層265b上により低抵抗な金属電極を用いた補助電極層268a、268bを
形成する。この場合も金属配線(金属電極)を形成するため、実施の形態1に比べ、さら
にフォトマスクの数は1枚増える。透光性のソース電極層及びドレイン電極層のみの構造
としてもよいが、ソース電極層及びドレイン電極層上に金属電極を用いた補助電極層を設
けると配線抵抗を低減することができる。
トランジスタ220のソース電極層及びドレイン電極層は、透光性を有する導電膜及び金
属導電膜を積層し、フォトリソグラフィ工程により選択的にエッチングして形成する。薄
膜トランジスタ220のソース電極層及びドレイン電極層上の金属導電膜は除去する。
イン電極層も除去されないようにそれぞれの材料及びエッチング条件を適宜調節する。
。金属導電膜の材料としては、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wからから選ばれ
た元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜等
が挙げられる。また、金属導電膜は、単層構造でも、2層以上の積層構造としてもよい。
例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層
する2層構造、Ti膜と、そのTi膜上に重ねてアルミニウム膜を積層し、さらにその上
にTi膜を成膜する3層構造などが挙げられる。また、Alに、チタン(Ti)、タンタ
ル(Ta)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、ネオジム(N
d)、スカンジウム(Sc)から選ばれた元素を単数、又は複数組み合わせた膜、合金膜
、もしくは窒化膜を用いてもよい。
にはIn-Sn-O系酸化物を用いて、エッチャントとして過水アンモニア水(アンモニ
ア、水、過酸化水素水の混合液)を用いる。
265bは低抵抗ドレイン領域(LRN(Low Resistance N-type
conductivity)領域、LRD(Low Resistance Drai
n)領域とも呼ぶ)としても機能する。酸化物半導体層、低抵抗ドレイン領域、金属電極
である補助電極層268bの構成とすることによって、よりトランジスタの耐圧を向上さ
せることができる。具体的には、低抵抗ドレイン領域のキャリア濃度は、高抵抗ドレイン
領域(HRD領域)よりも大きく、例えば1×1020/cm3以上1×1021/cm
3以下の範囲内であると好ましい。
のである。また、端子部においては、ゲート配線と同電位の第1の端子電極、ソース配線
と同電位の第2の端子電極、容量配線層と同電位の第3の端子電極などが複数並べられて
配置される。それぞれの端子電極の数は、それぞれ任意な数で設ければ良いものとし、実
施者が適宣決定すれば良い。
性を有する材料で形成することができる。第1の端子電極は、ゲート配線に達するコンタ
クトホールを介してゲート配線と電気的に接続される。ゲート配線に達するコンタクトホ
ールは、薄膜トランジスタ220のドレイン電極層と、画素電極層227とを電気的に接
続するためのコンタクトホールと同じフォトマスクを用い、平坦化絶縁層204、保護絶
縁層203、酸化物絶縁層266b、ゲート絶縁層202を選択的にエッチングして形成
する。
と同じ透光性を有する材料で形成することができる。第2の端子電極255は、ソース配
線254に達するコンタクトホールを介してソース配線と電気的に接続される。ソース配
線は金属配線であり、薄膜トランジスタ260のソース電極層265aと同じ材料、同じ
工程で形成され、同電位である。
有する材料で形成することができる。また、容量配線層230に達するコンタクトホール
は、容量電極231が画素電極層227と電気的に接続するためのコンタクトホールと同
じフォトマスク、同じ工程で形成することができる。
ス基板と、対向電極が設けられた対向基板との間に液晶層を設け、アクティブマトリクス
基板と対向基板とを固定する。なお、対向基板に設けられた対向電極と電気的に接続する
共通電極をアクティブマトリクス基板上に設け、共通電極と電気的に接続する第4の端子
電極を端子部に設ける。この第4の端子電極は、共通電極を固定電位、例えばGND、0
Vなどに設定するための端子である。第4の端子電極は、画素電極層227と同じ透光性
を有する材料で形成することができる。
層や、その他の配線層に同じ材料を用いれば共通のスパッタターゲットや共通の製造装置
を用いることができ、その材料コスト及びエッチング時に使用するエッチャント(または
エッチングガス)に要するコストを低減することができ、結果として製造コストを削減す
ることができる。
場合、レジストマスクを形成する工程を省略することができる。
A)と平坦化絶縁層204が端子部で存在しない点と駆動回路の薄膜トランジスタの構造
が異なる点以外は同じであるため、同じ箇所には同じ符号を用い、同じ箇所の詳細な説明
は省略する。図3(B)では、金属配線を用いる薄膜トランジスタ270を配置する。ま
た、端子電極も金属配線と同じ材料、同じ工程で形成する。
、レジストマスクを形成する工程を省略する。従って、レジストマスクを用いることなく
、平坦化絶縁層204が端子部で存在しない構成とすることができる。端子部において、
平坦化絶縁層が存在しないと、FPCとの良好な接続を行いやすい。
ート絶縁層202、少なくともチャネル形成領域273、高抵抗ソース領域274a、及
び高抵抗ドレイン領域274bを有する酸化物半導体層、ソース電極層275a、及びド
レイン電極層275bを含む。また、チャネル形成領域273に接する酸化物絶縁層27
6aが設けられている。
4dは、チャネル形成領域273と同じ酸素過剰な状態であり、リーク電流の低減や、寄
生容量を低減する機能も果たしている。また、保護絶縁層203と接する酸化物半導体層
の第3領域274eは、チャネル形成領域273と高抵抗ソース領域274aの間に設け
られる。また、保護絶縁層203と接する酸化物半導体層の第4領域274fは、チャネ
ル形成領域273と高抵抗ドレイン領域274bの間に設けられる。保護絶縁層203と
接する酸化物半導体層の第3領域274e、及び第4領域274fはオフ電流の低減を図
ることができる。
るため酸化物絶縁層の幅を狭くして、幅の狭い酸化物絶縁層上にソース電極層及びドレイ
ン電極層を設けると酸化物絶縁層上で短絡する恐れがある。そのため、幅の狭い酸化物絶
縁層276aから端部を離してソース電極層275a及びドレイン電極層275bを設け
る構成である。
されないようにそれぞれの材料及びエッチング条件を適宜調節する。
Zn-O系酸化物を用いて、エッチャントとして過水アンモニア水(アンモニア水、水、
過酸化水素水の混合液)を用いる。
けられた導電層277と電気的に接続させる構造としてもよい。
と同じ透光性を有する材料で形成することができる。ソース配線は金属配線であり、薄膜
トランジスタ270のソース電極層275aと同じ材料、同じ工程で形成され、同電位で
ある。
と同一基板上に保護回路を設けることが好ましい。保護回路は、酸化物半導体層を用いた
非線形素子を用いて構成することが好ましい。例えば、保護回路は画素部と、走査線入力
端子及び信号線入力端子との間に配設されている。本実施の形態では複数の保護回路を配
設して、走査線、信号線及び容量バス線に静電気等によりサージ電圧が印加され、画素ト
ランジスタなどが破壊されないように構成されている。そのため、保護回路にはサージ電
圧が印加されたときに、共通配線に電荷を逃がすように構成する。また、保護回路は、走
査線に対して並列に配置された非線形素子によって構成されている。非線形素子は、ダイ
オードのような二端子素子又はトランジスタのような三端子素子で構成される。例えば、
画素部の薄膜トランジスタ220と同じ工程で形成することも可能であり、例えばゲート
端子とドレイン端子を接続することによりダイオードと同様の特性を持たせることができ
る。
てもよい。この場合、導電層267、導電層277、画素電極層227、第2の端子電極
255、257は保護絶縁層203上に接して設けられる。
また、本実施の形態では、薄膜トランジスタと同一基板上に設けられる端子部の構成の一
例を示す。なお、実施の形態2ではソース配線の端子部の一例を示したが、本実施の形態
では実施の形態2とは異なる構成のソース配線の端子部と、ゲート配線の端子部を図示す
る。なお、図4において、図3(A)または図3(B)と同じ箇所には同じ符号を用いて
説明する。
ている。図4(A1)は図4(A2)中のC1-C2線に沿った断面図に相当する。図4
(A1)において、保護絶縁層203上に形成される導電層225は、入力端子として機
能する接続用の端子電極である。また、図4(A1)において、端子部では、ゲート電極
層421bと同じ材料で形成される第1の端子221と、ソース配線と同じ材料で形成さ
れる接続電極層223、228とがゲート絶縁層202を介して重なり、導電層225で
導通させている。また、第1の端子221は、図3(B)に示す構成とする場合には金属
配線材料を用いることができる。
るソース配線端子部の上面図及び断面図をそれぞれ図示している。また、図4(B1)は
図4(B2)中のC3-C4線に沿った断面図に相当する。図4(B1)において、保護
絶縁層203上に形成される導電層225は、入力端子として機能する接続用の端子電極
である。また、図4(B1)において、端子部では、ゲート配線と同じ材料で形成される
電極層226が、ソース配線と電気的に接続される第2の端子222、229の下方にゲ
ート絶縁層202を介して重なる。電極層226は第2の端子222、229とは電気的
に接続しておらず、電極層226を第2の端子222、229と異なる電位、例えばフロ
ーティング、GND、0Vなどに設定すれば、ノイズ対策のための容量または静電気対策
のための容量を形成することができる。また、第2の端子222、229は、保護絶縁層
203を介して導電層225と電気的に接続している。また、導電材料の積層である第2
の端子222、229は、図3(B)に示す構成とする場合には金属配線材料の単層を用
いることができる。
。また、端子部においては、ゲート配線と同電位の第1の端子、ソース配線と同電位の第
2の端子、容量配線と同電位の第3の端子などが複数並べられて配置される。それぞれの
端子の数は、それぞれ任意な数で設ければ良いものとし、実施者が適宣決定すれば良い。
ここでは、第1の基板と第2の基板の間に液晶層を封入する液晶表示装置において、第2
の基板に設けられた対向電極と電気的に接続するための共通接続部を第1の基板上に形成
する例を示す。なお、第1の基板にはスイッチング素子として薄膜トランジスタが形成さ
れており、共通接続部の作製工程を画素部のスイッチング素子の作製工程と共通化させる
ことで工程を複雑にすることなく形成する。
され、シール材に含まれる導電性粒子を介して対向電極と電気的な接続が行われる。或い
は、シール材と重ならない箇所(ただし画素部を除く)に共通接続部を設け、共通接続部
に重なるように導電性粒子を含むペーストをシール材とは別途設けて、対向電極と電気的
な接続が行われる。
構造図を示す図である。
画素部に設けられるチャネル保護型の薄膜トランジスタであり、本実施の形態では、実施
の形態1の薄膜トランジスタ448と同じ構造を用いる。
沿った共通接続部の断面図が図5(A)に相当する。なお、図5(B)において図5(A
)と同一の部分には同じ符号を用いて説明する。
0のソース電極層及びドレイン電極層と同じ材料及び同じ工程で作製される。
共通電位線205、210と重なる位置に複数の開口部を有している。この開口部は、薄
膜トランジスタ220のドレイン電極層と画素電極層227とを接続するコンタクトホー
ルと同じ工程で作製される。
通接続部の開口部と使い分けて呼ぶこととする。また、図5(A)では、画素部と共通接
続部とで同じ縮尺で図示しておらず、例えば共通接続部の鎖線C5-C6の長さが500
μm程度であるのに対して、薄膜トランジスタの幅は50μm未満であり、実際には10
倍以上面積サイズが大きいが、分かりやすくするため、図5(A)に画素部と共通接続部
の縮尺をそれぞれ変えて図示している。
と同じ材料及び同じ工程で作製される。
行う。
シール材を用いて固定する。
板の位置合わせが行われる。例えば、小型の液晶パネルにおいては、画素部の対角などに
2個の共通接続部がシール材と重ねて配置される。また、大型の液晶パネルにおいては、
4個以上の共通接続部がシール材と重ねて配置される。
の基板の対向電極と電気的に接続が行われる。
注入する。また、液晶滴下法を用いる場合は、第2の基板或いは第1の基板上にシール材
を描画し、液晶を滴下させた後、減圧下で一対の基板を貼り合わせる。
限定されず、他の配線と接続する接続部や、外部接続端子などと接続する接続部に用いる
ことができる。
A)と共通電極層206と重なる酸化物半導体層及び端部を覆う酸化物絶縁層が存在する
点と、共通電位線として金属配線を用いる点以外の構成は同じであるため、同じ箇所には
同じ符号を用い、同じ箇所の詳細な説明は省略する。
酸化物半導体層と同じ材料及び同じ工程で作製される。また、酸化物半導体層207を覆
う酸化物絶縁層208を形成する。そして、酸化物半導体層207上に金属配線からなる
共通電位線209を形成する。この金属配線からなる共通電位線209は、実施の形態2
の図3(B)に示したように、駆動回路の薄膜トランジスタのソース電極層またはドレイ
ン電極層と同じ工程で形成する。
線209と重なる位置に複数の開口部を有している。この開口部は、薄膜トランジスタ2
20のドレイン電極層と画素電極層227とを接続するコンタクトホールと同じ工程で作
製される。
と同じ材料及び同じ工程で作製される。
行い、共通電位線を金属配線として配線抵抗の低減を図る構成としてもよい。
実施の形態1または実施の形態2ではゲート絶縁層が単層の例を示したが、本実施の形態
では、積層の例を示す。なお、図6において、図3(A)または図3(B)と同じ箇所に
は同じ符号を用いて説明する。
薄膜トランジスタであり、ゲート絶縁層が2層の例である。
膜厚50nm以上300nm以下の第2のゲート絶縁層282bの積層のゲート絶縁層と
する。第1のゲート絶縁層282aとしては膜厚100nmの窒化珪素膜または窒化酸化
珪素膜を用いる。また、第2のゲート絶縁層282bとしては、膜厚100nmの酸化珪
素膜を用いる。
1のゲート絶縁層282a、第2のゲート絶縁層282b、少なくともチャネル形成領域
283、高抵抗ソース領域284a、及び高抵抗ドレイン領域284b、ソース領域28
4c,ドレイン領域284dを有する酸化物半導体層、ソース電極層285a、及びドレ
イン電極層285bを含む。また、チャネル形成領域283に接する酸化物絶縁層286
aが設けられている。また、画素電極層227はドレイン電極層285bと電気的に接続
されている。
27と電気的に接続される。
。
の間にゲート絶縁層のみとしている。
容量配線層230と重なる酸化物絶縁層を除去する際に、酸化珪素膜である第2のゲート
絶縁層もエッチングして薄膜化して第3のゲート絶縁層282cとする例である。なお、
第1のゲート絶縁層282aは、窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜であり、エッチングス
トッパーとして機能し、ゲート電極層や基板へのエッチングダメージを防ぐ。
できる。
のゲート絶縁層292aと、膜厚1nm以上50nm以下の第2のゲート絶縁層292b
の積層のゲート絶縁層とする。第1のゲート絶縁層292aとしては膜厚100nmの酸
化珪素膜を用いる。また、第2のゲート絶縁層292bとしては、膜厚10nmの窒化珪
素膜または窒化酸化珪素膜を用いる。
1のゲート絶縁層292a、第2のゲート絶縁層292b、少なくともチャネル形成領域
293、高抵抗ソース領域294a、及び高抵抗ドレイン領域294bを有する酸化物半
導体層、ソース電極層295a、及びドレイン電極層295bを含む。また、チャネル形
成領域293に接する酸化物絶縁層296aが設けられている。
4dは、チャネル形成領域293と同じ酸素過剰な状態であり、リーク電流の低減や、寄
生容量を低減する機能も果たしている。また、保護絶縁層203と接する酸化物半導体層
の第3領域294eは、チャネル形成領域293と高抵抗ソース領域294aの間に設け
られる。また、保護絶縁層203と接する酸化物半導体層の第4領域294fは、チャネ
ル形成領域293と高抵抗ドレイン領域294bの間に設けられる。保護絶縁層203と
接する酸化物半導体層の第3領域294e、及び第4領域294fはオフ電流の低減を図
ることができる。
化酸化珪素膜である第2のゲート絶縁層292bとも接する。保護絶縁層203は、水分
や、水素イオンや、OH-などの不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロ
ックする無機絶縁膜を用い、窒化珪素膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化珪素膜、酸化窒
化アルミニウム膜などを用いる。
用い、容量配線層230と重なる酸化物絶縁層を除去する際に、窒化珪素膜または窒化酸
化珪素膜である第2のゲート絶縁層をエッチングストッパーとして酸化物絶縁層をエッチ
ングする例である。
るため酸化物絶縁層の幅を狭くして、幅の狭い酸化物絶縁層上にソース電極層及びドレイ
ン電極層を設けると酸化物絶縁層上で短絡する恐れがある。そのため、幅の狭い酸化物絶
縁層296aから端部を離してソース電極層295a及びドレイン電極層295bを設け
る構成である。
本実施の形態では、薄膜トランジスタの作製工程の一部が実施の形態1と異なる例を図7
及び図8に示す。図7及び図8は、図1及び図2と工程が一部異なる点以外は同じである
ため、同じ箇所には同じ符号を用い、同じ箇所の詳細な説明は省略する。
膜430の形成を行い、実施の形態1における図2(A)の工程まで行う。図2(A)は
図8(A)と同一である。
体層に加工する。
1の加熱処理の温度は、400℃以上基板の歪み点未満、好ましくは425℃以上とする
。なお、425℃以上であれば熱処理時間は1時間以下でよいが、425℃未満であれば
加熱処理時間は、1時間よりも長時間行うこととする。ここでは、加熱処理装置の一つで
ある電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下において加熱処理を行
った後、大気に触れることなく、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半
導体層を得る。その後、同じ炉に高純度の酸素ガス、高純度のN2Oガス、又は超乾燥エ
ア(露点が-40℃以下、好ましくは-60℃以下)を導入して冷却を行う。酸素ガスま
たはN2Oガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に
導入する酸素ガスまたはN2Oガスの純度を、6N(99.9999%)以上、好ましく
は7N(99.99999%)以上、(即ち酸素ガスまたはN2Oガス中の不純物濃度を
1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下)とすることが好ましい。
しくは200℃以上300℃以下の温度で酸素ガスまたはN2Oガス雰囲気下での加熱処
理を行ってもよい。
半導体膜430に行うこともできる。その場合には、第1の加熱処理後に、加熱装置から
基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
抗化、即ちI型化させる。
成した後、第3のフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、選択的にエッ
チングを行って酸化物絶縁層426a、426bを形成し、その後レジストマスクを除去
する(図8(B)参照)。
22上に、透光性を有する導電膜を形成した後、第4のフォトリソグラフィ工程によりレ
ジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってソース電極層425a、及びドレイ
ン電極層425bを形成する(図8(C)参照)。
、または窒素ガス雰囲気下で加熱処理(好ましくは150℃以上350℃未満)を行って
もよい。例えば、窒素雰囲気下で250℃、1時間の加熱処理を行う。
5b上に保護絶縁層403を形成する。
04、及び保護絶縁層403のエッチングによりドレイン電極層425bに達するコンタ
クトホール441を形成し、レジストマスクを除去する(図8(D)参照。)。
り不要な部分を除去して画素電極層427を形成し、レジストマスクを除去する(図8(
E)参照。)。
生容量の低減された配線交差部を作製することができる。
むチャネル保護型薄膜トランジスタである。
図であり、図7(B)は図7(A)の線D7-D8における断面図及び図7(A)の線D
11-D12における断面図である。また、図7(C)は、図7(A)の線D9-D10
における断面図である。なお、図8(E)は図7(B)と同一である。
本実施の形態では、保持容量の構成について、実施の形態2と異なる例を図9(A)及び
図9(B)に示す。図9(A)は、図3(A)と保持容量の構成が異なる点以外は同じで
あるため、同じ箇所には同じ符号を用い、同じ箇所の詳細な説明は省略する。なお、図9
(A)では画素部の薄膜トランジスタ220と保持容量の断面構造を示す。
27と、該画素電極層227と重なる容量配線層250とで保持容量を形成する例である
。容量配線層250は、画素部の薄膜トランジスタ220のソース電極層と同じ透光性を
有する材料、及び同じ工程で形成されるため、薄膜トランジスタ220のソース配線層と
重ならないようにレイアウトされる。
体として透光性を有する。
3(A)と保持容量の構成が異なる点以外は同じであるため、同じ箇所には同じ符号を用
い、同じ箇所の詳細な説明は省略する。
30と重なる酸化物半導体層251と容量電極231との積層で保持容量を形成する例で
ある。また、酸化物半導体層251上に容量電極231は接して積層されており、保持容
量の一方の電極として機能する。なお、酸化物半導体層251は、薄膜トランジスタ22
0の酸化物半導体層と同じ透光性を有する材料、同じ工程で形成する。また、容量配線層
230は、薄膜トランジスタ220のゲート電極層と同じ透光性を有する材料、同じ工程
で形成されるため、薄膜トランジスタ220のゲート配線層と重ならないようにレイアウ
トされる。また、容量電極231は画素電極層227と電気的に接続されている。
体として透光性を有する。
増やすなどして表示画像の高精細化を図るため、画素寸法を微細化しても、十分な容量を
得ることができ、且つ、高い開口率を実現することができる。
本実施の形態では、同一基板上に少なくとも駆動回路の一部と、画素部に配置する薄膜ト
ランジスタを作製する例について以下に説明する。
た、実施の形態1、2、5、6に示す薄膜トランジスタはnチャネル型TFTであるため
、駆動回路のうち、nチャネル型TFTで構成することができる駆動回路の一部を画素部
の薄膜トランジスタと同一基板上に形成する。
基板5300上には、画素部5301、第1の走査線駆動回路5302、第2の走査線駆
動回路5303、信号線駆動回路5304を有する。画素部5301には、複数の信号線
が信号線駆動回路5304から延伸して配置され、複数の走査線が第1の走査線駆動回路
5302、及び走査線駆動回路5303から延伸して配置されている。なお走査線と信号
線との交差領域には、各々、表示素子を有する画素がマトリクス状に配置されている。ま
た、表示装置の基板5300はFPC(Flexible Printed Circu
it)等の接続部を介して、タイミング制御回路5305(コントローラ、制御ICとも
いう)に接続されている。
号線駆動回路5304は、画素部5301と同じ基板5300上に形成される。そのため
、外部に設ける駆動回路等の部品の数が減るので、コストの低減を図ることができる。ま
た、基板5300外部に駆動回路を設けた場合の配線を延伸させることによる接続部での
接続数を減らすことができ、信頼性の向上、又は歩留まりの向上を図ることができる。
て、第1の走査線駆動回路用スタート信号(GSP1)、走査線駆動回路用クロック信号
(GCK1)を供給する。また、タイミング制御回路5305は、第2の走査線駆動回路
5303に対し、一例として、第2の走査線駆動回路用スタート信号(GSP2)(スタ
ートパルスともいう)、走査線駆動回路用クロック信号(GCK2)を供給する。信号線
駆動回路5304に、信号線駆動回路用スタート信号(SSP)、信号線駆動回路用クロ
ック信号(SCK)、ビデオ信号用データ(DATA)(単にビデオ信号ともいう)、ラ
ッチ信号(LAT)を供給するものとする。なお各クロック信号は、周期のずれた複数の
クロック信号でもよいし、クロック信号を反転させた信号(CKB)とともに供給される
ものであってもよい。なお、第1の走査線駆動回路5302と第2の走査線駆動回路53
03との一方を省略することが可能である。
2の走査線駆動回路5303)を画素部5301と同じ基板5300に形成し、信号線駆
動回路5304を画素部5301とは別の基板に形成する構成について示している。当該
構成により、単結晶半導体を用いたトランジスタと比較すると電界効果移動度が小さい薄
膜トランジスタによって、基板5300に形成する駆動回路を構成することができる。し
たがって、表示装置の大型化、コストの低減、又は歩留まりの向上などを図ることができ
る。
。図15(A)、図15(B)ではnチャネル型TFTで構成する信号線駆動回路の構成
、動作について一例を示し説明する。
スイッチング回路5602は、スイッチング回路5602_1~5602_N(Nは自然
数)という複数の回路を有する。スイッチング回路5602_1~5602_Nは、各々
、薄膜トランジスタ5603_1~5603_k(kは自然数)という複数のトランジス
タを有する。薄膜トランジスタ5603_1~5603_kが、Nチャネル型TFTであ
る例を説明する。
。薄膜トランジスタ5603_1~5603_kの第1端子は、各々、配線5604_1
~5604_kと接続される。薄膜トランジスタ5603_1~5603_kの第2端子
は、各々、信号線S1~Skと接続される。薄膜トランジスタ5603_1~5603_
kのゲートは、配線5605_1と接続される。
、高電源電位レベル、ともいう)の信号を出力し、スイッチング回路5602_1~56
02_Nを順番に選択する機能を有する。
との導通状態(第1端子と第2端子との間の導通)に制御する機能、即ち配線5604_
1~5604_kの電位を信号線S1~Skに供給するか否かを制御する機能を有する。
このように、スイッチング回路5602_1は、セレクタとしての機能を有する。また薄
膜トランジスタ5603_1~5603_kは、各々、配線5604_1~5604_k
と信号線S1~Skとの導通状態を制御する機能、即ち配線5604_1~5604_k
の電位を信号線S1~Skに供給する機能を有する。このように、薄膜トランジスタ56
03_1~5603_kは、各々、スイッチとしての機能を有する。
入力される。ビデオ信号用データ(DATA)は、画像情報又は画像信号に応じたアナロ
グ信号である場合が多い。
トを参照して説明する。図15(B)には、信号Sout_1~Sout_N、及び信号
Vdata_1~Vdata_kの一例を示す。信号Sout_1~Sout_Nは、各
々、シフトレジスタ5601の出力信号の一例であり、信号Vdata_1~Vdata
_kは、各々、配線5604_1~5604_kに入力される信号の一例である。なお、
信号線駆動回路の1動作期間は、表示装置における1ゲート選択期間に対応する。1ゲー
ト選択期間は、一例として、期間T1~期間TNに分割される。期間T1~TNは、各々
、選択された行に属する画素にビデオ信号用データ(DATA)を書き込むための期間で
ある。
めに誇張して表記している場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されないも
のであることを付記する。
5_1~5605_Nに順番に出力する。例えば、期間T1において、シフトレジスタ5
601は、ハイレベルの信号を配線5605_1に出力する。すると、薄膜トランジスタ
5603_1~5603_kはオンになるので、配線5604_1~5604_kと、信
号線S1~Skとが導通状態になる。このとき、配線5604_1~5604_kには、
Data(S1)~Data(Sk)が入力される。Data(S1)~Data(Sk
)は、各々、薄膜トランジスタ5603_1~5603_kを介して、選択される行に属
する画素のうち、1列目~k列目の画素に書き込まれる。こうして、期間T1~TNにお
いて、選択された行に属する画素に、k列ずつ順番にビデオ信号用データ(DATA)が
書き込まれる。
によって、ビデオ信号用データ(DATA)の数、又は配線の数を減らすことができる。
よって、外部回路との接続数を減らすことができる。また、ビデオ信号が複数の列ずつ画
素に書き込まれることによって、書き込み時間を長くすることができ、ビデオ信号の書き
込み不足を防止することができる。
2、5、6に示す薄膜トランジスタで構成される回路を用いることが可能である。この場
合、シフトレジスタ5601が有する全てのトランジスタの極性をNチャネル型、又はP
チャネル型のいずれかの極性のみで構成することができる。
いて図16及び図17を用いて説明する。
ッファなどを有していても良い。走査線駆動回路において、シフトレジスタにクロック信
号(CLK)及びスタートパルス信号(SP)が入力されることによって、選択信号が生
成される。生成された選択信号はバッファにおいて緩衝増幅され、対応する走査線に供給
される。走査線には、1ライン分の画素のトランジスタのゲート電極が接続されている。
そして、1ライン分の画素のトランジスタを一斉にONにしなくてはならないので、バッ
ファは大きな電流を流すことが可能なものが用いられる。
て説明する。シフトレジスタは、第1のパルス出力回路10_1乃至第Nのパルス出力回
路10_N(Nは3以上の自然数)を有している(図16(A)参照)。図16(A)に
示すシフトレジスタの第1のパルス出力回路10_1乃至第Nのパルス出力回路10_N
には、第1の配線11より第1のクロック信号CK1、第2の配線12より第2のクロッ
ク信号CK2、第3の配線13より第3のクロック信号CK3、第4の配線14より第4
のクロック信号CK4が供給される。また第1のパルス出力回路10_1では、第5の配
線15からのスタートパルスSP1(第1のスタートパルス)が入力される。また2段目
以降の第nのパルス出力回路10_n(nは、2以上N以下の自然数)では、一段前段の
パルス出力回路からの信号(前段信号OUT(n-1)という)が入力される。また第1
のパルス出力回路10_1では、2段後段の第3のパルス出力回路10_3からの信号が
入力される。同様に、または2段目以降の第nのパルス出力回路10_nでは、2段後段
の第(n+2)のパルス出力回路10_(n+2)からの信号(後段信号OUT(n+2
)という)が入力される。従って、また各段のパルス出力回路からは、後段及び/または
二つ前段のパルス出力回路に入力するための第1の出力信号(OUT(1)(SR)~O
UT(N)(SR))及び別の回路等に入力される第2の出力信号(OUT(1)~OU
T(N))が出力される。なお、図16(A)に示すように、シフトレジスタの最終段の
2つの段には、後段信号OUT(n+2)が入力されないため、一例としては、別途第2
のスタートパルスSP2、第3のスタートパルスSP3をそれぞれ入力する構成とすれば
よい。
レベル、ともいう)を繰り返す信号である。ここで、第1のクロック信号(CK1)~第
4のクロック信号(CK4)は、順に1/4周期分遅延している。本実施の形態では、第
1のクロック信号(CK1)~第4のクロック信号(CK4)を利用して、パルス出力回
路の駆動の制御等を行う。なお、クロック信号は、入力される駆動回路に応じて、GCK
、SCKということもあるが、ここではCKとして説明を行う
~第4の配線14のいずれかと電気的に接続されている。例えば、図16(A)において
、第1のパルス出力回路10_1は、第1の入力端子21が第1の配線11と電気的に接
続され、第2の入力端子22が第2の配線12と電気的に接続され、第3の入力端子23
が第3の配線13と電気的に接続されている。また、第2のパルス出力回路10_2は、
第1の入力端子21が第2の配線12と電気的に接続され、第2の入力端子22が第3の
配線13と電気的に接続され、第3の入力端子23が第4の配線14と電気的に接続され
ている。
子21、第2の入力端子22、第3の入力端子23、第4の入力端子24、第5の入力端
子25、第1の出力端子26、第2の出力端子27を有しているとする(図16(B)参
照)。第1のパルス出力回路10_1において、第1の入力端子21に第1のクロック信
号CK1が入力され、第2の入力端子22に第2のクロック信号CK2が入力され、第3
の入力端子23に第3のクロック信号CK3が入力され、第4の入力端子24にスタート
パルスが入力され、第5の入力端子25に後段信号OUT(3)が入力され、第1の出力
端子26より第1の出力信号OUT(1)(SR)が出力され、第2の出力端子27より
第2の出力信号OUT(1)が出力されていることとなる。
ランジスタ(TFT:Thin Film Transistorともいう)の他に、上
記実施の形態で説明した4端子の薄膜トランジスタを用いることができる。図16(C)
に上記実施の形態で説明した4端子の薄膜トランジスタ28のシンボルについて示す。図
16(C)に示す薄膜トランジスタ28のシンボルは、上記実施の形態1、2、5、6の
いずれか一で説明した4端子の薄膜トランジスタを意味し、図面等で以下用いることとす
る。なお、本明細書において、薄膜トランジスタが半導体層を介して二つのゲート電極を
有する場合、半導体層より下方のゲート電極を下方のゲート電極、半導体層に対して上方
のゲート電極を上方のゲート電極とも呼ぶ。薄膜トランジスタ28は、下方のゲート電極
に入力される第1の制御信号G1及び上方のゲート電極に入力される第2の制御信号G2
によって、In端子とOut端子間の電気的な制御を行うことのできる素子である。
工程により、しきい値電圧がマイナス側、或いはプラス側にシフトすることがある。その
ため、チャネル形成領域を含む半導体層に酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタでは、
しきい値電圧の制御を行うことのできる構成が好適である。図16(C)に示す4端子の
薄膜トランジスタ28のしきい値電圧は、薄膜トランジスタ28のチャネル形成領域の上
下にゲート絶縁膜を介してゲート電極を設け、上方及び/または下方のゲート電極の電位
を制御することにより所望の値に制御することができる。
(D)で説明する。
3のトランジスタ43を有している。また、上述した第1の入力端子21~第5の入力端
子25、及び第1の出力端子26、第2の出力端子27に加え、第1の高電源電位VDD
が供給される電源線51、第2の高電源電位VCCが供給される電源線52、低電源電位
VSSが供給される電源線53から、第1のトランジスタ31~第13のトランジスタ4
3に信号、または電源電位が供給される。ここで図16(D)における各電源線の電源電
位の大小関係は、第1の電源電位VDDは第2の電源電位VCC以上の電位とし、第2の
電源電位VCCは、第3の電源電位VSSより大きい電位とする。なお、第1のクロック
信号(CK1)~第4のクロック信号(CK4)は、一定の間隔でHレベルとLレベルを
繰り返す信号であるが、HレベルのときVDD、LレベルのときVSSであるとする。な
お電源線51の電位VDDを、電源線52の電位VCCより高くすることにより、動作に
影響を与えることなく、トランジスタのゲート電極に印加される電位を低く抑えることが
でき、トランジスタのしきい値のシフトを低減し、劣化を抑制することができる。なお図
16(D)に図示するように、第1のトランジスタ31~第13のトランジスタ43のう
ち、第1のトランジスタ31、第6のトランジスタ36乃至第9のトランジスタ39には
、図16(C)で示した4端子の薄膜トランジスタ28を用いることが好ましい。第1の
トランジスタ31、第6のトランジスタ36乃至第9のトランジスタ39の動作は、ソー
スまたはドレインとなる電極の一方が接続されたノードの電位を、ゲート電極の制御信号
によって切り替えることが求められるトランジスタであり、ゲート電極に入力される制御
信号に対する応答が速い(オン電流の立ち上がりが急峻)ことでよりパルス出力回路の誤
動作を低減することができるトランジスタである。そのため、図16(C)で示した4端
子の薄膜トランジスタ28を用いることによりしきい値電圧を制御することができ、誤動
作がより低減できるパルス出力回路とすることができる。なお図16(D)では第1の制
御信号G1及び第2の制御信号G2が同じ制御信号としたが、異なる制御信号が入力され
る構成としてもよい。
続され、第2端子が第9のトランジスタ39の第1端子に電気的に接続され、ゲート電極
(下方のゲート電極及び上方のゲート電極)が第4の入力端子24に電気的に接続されて
いる。第2のトランジスタ32は、第1端子が電源線53に電気的に接続され、第2端子
が第9のトランジスタ39の第1端子に電気的に接続され、ゲート電極が第4のトランジ
スタ34のゲート電極に電気的に接続されている。第3のトランジスタ33は、第1端子
が第1の入力端子21に電気的に接続され、第2端子が第1の出力端子26に電気的に接
続されている。第4のトランジスタ34は、第1端子が電源線53に電気的に接続され、
第2端子が第1の出力端子26に電気的に接続されている。第5のトランジスタ35は、
第1端子が電源線53に電気的に接続され、第2端子が第2のトランジスタ32のゲート
電極及び第4のトランジスタ34のゲート電極に電気的に接続され、ゲート電極が第4の
入力端子24に電気的に接続されている。第6のトランジスタ36は、第1端子が電源線
52に電気的に接続され、第2端子が第2のトランジスタ32のゲート電極及び第4のト
ランジスタ34のゲート電極に電気的に接続され、ゲート電極(下方のゲート電極及び上
方のゲート電極)が第5の入力端子25に電気的に接続されている。第7のトランジスタ
37は、第1端子が電源線52に電気的に接続され、第2端子が第8のトランジスタ38
の第2端子に電気的に接続され、ゲート電極(下方のゲート電極及び上方のゲート電極)
が第3の入力端子23に電気的に接続されている。第8のトランジスタ38は、第1端子
が第2のトランジスタ32のゲート電極及び第4のトランジスタ34のゲート電極に電気
的に接続され、ゲート電極(下方のゲート電極及び上方のゲート電極)が第2の入力端子
22に電気的に接続されている。第9のトランジスタ39は、第1端子が第1のトランジ
スタ31の第2端子及び第2のトランジスタ32の第2端子に電気的に接続され、第2端
子が第3のトランジスタ33のゲート電極及び第10のトランジスタ40のゲート電極に
電気的に接続され、ゲート電極(下方のゲート電極及び上方のゲート電極)が電源線52
に電気的に接続されている。第10のトランジスタ40は、第1端子が第1の入力端子2
1に電気的に接続され、第2端子が第2の出力端子27に電気的に接続され、ゲート電極
が第9のトランジスタ39の第2端子に電気的に接続されている。第11のトランジスタ
41は、第1端子が電源線53に電気的に接続され、第2端子が第2の出力端子27に電
気的に接続され、ゲート電極が第2のトランジスタ32のゲート電極及び第4のトランジ
スタ34のゲート電極に電気的に接続されている。第12のトランジスタ42は、第1端
子が電源線53に電気的に接続され、第2端子が第2の出力端子27に電気的に接続され
、ゲート電極が第7のトランジスタ37のゲート電極(下方のゲート電極及び上方のゲー
ト電極)に電気的に接続されている。第13のトランジスタ43は、第1端子が電源線5
3に電気的に接続され、第2端子が第1の出力端子26に電気的に接続され、ゲート電極
が第7のトランジスタ37のゲート電極(下方のゲート電極及び上方のゲート電極)に電
気的に接続されている。
40のゲート電極、及び第9のトランジスタ39の第2端子の接続箇所をノードAとする
。また、第2のトランジスタ32のゲート電極、第4のトランジスタ34のゲート電極、
第5のトランジスタ35の第2端子、第6のトランジスタ36の第2端子、第8のトラン
ジスタ38の第1端子、及び第11のトランジスタ41のゲート電極の接続箇所をノード
Bとする。
1に適用した場合に、第1の入力端子21乃至第5の入力端子25と第1の出力端子26
及び第2の出力端子27に入力または出力される信号を示している。
子22に第2のクロック信号CK2が入力され、第3の入力端子23に第3のクロック信
号CK3が入力され、第4の入力端子24にスタートパルスが入力され、第5の入力端子
25に後段信号OUT(3)が入力され、第1の出力端子26より第1の出力信号OUT
(1)(SR)が出力され、第2の出力端子27より第2の出力信号OUT(1)が出力
される。
端子を有する素子である。また、ゲートと重畳した領域にチャネル領域が形成される半導
体を有しており、ゲートの電位を制御することでチャネル領域を介してドレインとソース
の間に流れる電流を制御することが出来る。ここで、ソースとドレインとは、薄膜トラン
ジスタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソースまたはドレインであるか
を限定することが困難である。そこで、ソース及びドレインとして機能する領域を、ソー
スもしくはドレインと呼ばない場合がある。その場合、一例としては、それぞれを第1端
子、第2端子と表記する場合がある。
ストラップ動作を行うための、容量素子を別途設けても良い。またノードBの電位を保持
するため、一方の電極をノードBに電気的に接続した容量素子を別途設けてもよい。
グチャートについて図17(B)に示す。なおシフトレジスタが走査線駆動回路である場
合、図17(B)中の期間61は垂直帰線期間であり、期間62はゲート選択期間に相当
する。
ランジスタ39を設けておくことにより、ブートストラップ動作の前後において、以下の
ような利点がある。
ストラップ動作によりノードAの電位が上昇すると、第1のトランジスタ31の第2端子
であるソースの電位が上昇していき、第1の電源電位VDDより大きくなる。そして、第
1のトランジスタ31のソースが第1端子側、即ち電源線51側に切り替わる。そのため
、第1のトランジスタ31においては、ゲートとソースの間、ゲートとドレインの間とも
に、大きなバイアス電圧が印加されるために大きなストレスがかかり、トランジスタの劣
化の要因となりうる。そこで、ゲート電極に第2の電源電位VCCが印加される第9のト
ランジスタ39を設けておくことにより、ブートストラップ動作によりノードAの電位は
上昇するものの、第1のトランジスタ31の第2端子の電位の上昇を生じないようにする
ことができる。つまり、第9のトランジスタ39を設けることにより、第1のトランジス
タ31のゲートとソースの間に印加される負のバイアス電圧の値を小さくすることができ
る。よって、本実施の形態の回路構成とすることにより、第1のトランジスタ31のゲー
トとソースの間に印加される負のバイアス電圧も小さくできるため、ストレスによる第1
のトランジスタ31の劣化を抑制することができる。
端子と第3のトランジスタ33のゲートとの間に第1端子と第2端子を介して接続される
ように設ける構成であればよい。なお、本実施形態でのパルス出力回路を複数具備するシ
フトレジスタの場合、走査線駆動回路より段数の多い信号線駆動回路では、第9のトラン
ジスタ39を省略してもよく、トランジスタ数を削減することが利点である。
導体を用いることにより、薄膜トランジスタのオフ電流を低減すると共に、オン電流及び
電界効果移動度を高めることが出来ると共に、劣化の度合いを低減することが出来るため
、回路内の誤動作を低減することができる。また酸化物半導体を用いたトランジスタ、ア
モルファスシリコンを用いたトランジスタに比べ、ゲート電極に高電位が印加されること
によるトランジスタの劣化の程度が小さい。そのため、第2の電源電位VCCを供給する
電源線に、第1の電源電位VDDを供給しても同様の動作が得られ、且つ回路間を引き回
す電源線の数を低減することができるため、回路の小型化を図ることが出来る。
に第3の入力端子23によって供給されるクロック信号、第8のトランジスタ38のゲー
ト電極(下方のゲート電極及び上方のゲート電極)に第2の入力端子22によって供給さ
れるクロック信号は、第7のトランジスタ37のゲート電極(下方のゲート電極及び上方
のゲート電極)に第2の入力端子22によって供給されるクロック信号、第8のトランジ
スタ38ゲート電極(下方のゲート電極及び上方のゲート電極)に第3の入力端子23に
よって供給されるクロック信号となるように、結線関係を入れ替えても同様の作用を奏す
る。この時、図17(A)に示すシフトレジスタにおいて、第7のトランジスタ37及び
第8のトランジスタ38が共にオンの状態から、第7のトランジスタ37がオフ、第8の
トランジスタ38がオンの状態、次いで第7のトランジスタ37がオフ、第8のトランジ
スタ38がオフの状態とすることによって、第2の入力端子22及び第3の入力端子23
の電位が低下することで生じる、ノードBの電位の低下が第7のトランジスタ37のゲー
ト電極の電位の低下、及び第8のトランジスタ38のゲート電極の電位の低下に起因して
2回生じることとなる。一方、第7のトランジスタ37及び第8のトランジスタ38が共
にオンの状態から、第7のトランジスタ37がオン、第8のトランジスタ38がオフの状
態、次いで、第7のトランジスタ37がオフ、第8のトランジスタ38がオフの状態とす
ることによって、第2の入力端子22及び第3の入力端子23の電位が低下することで生
じるノードBの電位の低下を、第8のトランジスタ38のゲート電極の電位の低下による
一回に低減することができる。そのため、第7のトランジスタ37のゲート電極(下方の
ゲート電極及び上方のゲート電極)に第3の入力端子23からクロック信号が供給され、
第8のトランジスタ38のゲート電極(下方のゲート電極及び上方のゲート電極)に第2
の入力端子22からクロック信号が供給される結線関係とすることが好適である。なぜな
ら、ノードBの電位の変動回数が低減され、またノイズを低減することが出来るからであ
る。
期間に、ノードBに定期的にHレベルの信号が供給される構成とすることにより、パルス
出力回路の誤動作を抑制することができる。
薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部、さらには駆動回路に用いて表
示機能を有する半導体装置(表示装置ともいう)を作製することができる。また、薄膜ト
ランジスタを駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システム
オンパネルを形成することができる。
素子(発光表示素子ともいう)を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によ
って輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(Electr
o Luminescence)素子、有機EL素子等が含まれる。また、電子インクな
ど、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
を含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに、該表示装置を作製する
過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関し、該素子基板は
、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子基板は、具体的に
は、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素電極となる導電膜
を成膜した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の状態であっても良いし、
あらゆる形態があてはまる。
源(照明装置含む)を指す。また、コネクター、例えばFPC(Flexible pr
inted circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bon
ding)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り
付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュ
ール、または表示素子にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回
路)が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
説明する。図10(A1)(A2)は、薄膜トランジスタ4010、4011、及び液晶
素子4013を、第1の基板4001と第2の基板4006との間にシール材4005に
よって封止した、パネルの平面図であり、図10(B)は、図10(A1)(A2)のM
-Nにおける断面図に相当する。
ようにして、シール材4005が設けられている。また画素部4002と、走査線駆動回
路4004の上に第2の基板4006が設けられている。よって画素部4002と、走査
線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシール材4005と第2の基板4006
とによって、液晶層4008と共に封止されている。また第1の基板4001上のシール
材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶
半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。
ワイヤボンディング方法、或いはTAB方法などを用いることができる。図10(A1)
は、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図10(A2)は、
TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。
薄膜トランジスタを複数有しており、図10(B)では、画素部4002に含まれる薄膜
トランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれる薄膜トランジスタ4011
とを例示している。薄膜トランジスタ4010、4011上には絶縁層4041a、40
41b、4042a、4042b、4020、4021が設けられている。
体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタを適用することができる。駆動回路用の薄膜ト
ランジスタ4011としては、実施の形態1、2、5、6で示した薄膜トランジスタ26
0、270、画素用の薄膜トランジスタ4010としては、薄膜トランジスタ420、4
48、220、280、290を用いることができる。本実施の形態において、薄膜トラ
ンジスタ4010、4011はnチャネル型薄膜トランジスタである。
チャネル形成領域と重なる位置に導電層4040が設けられている。導電層4040を酸
化物半導体層のチャネル形成領域と重なる位置に設けることによって、BT試験前後にお
ける薄膜トランジスタ4011のしきい値電圧の変化量を低減することができる。また、
導電層4040は、電位が薄膜トランジスタ4011のゲート電極層と同じでもよいし、
異なっていても良く、第2のゲート電極層として機能させることもできる。また、導電層
4040の電位がGND、0V、或いはフローティング状態であってもよい。
気的に接続されている。そして液晶素子4013の対向電極層4031は第2の基板40
06上に形成されている。画素電極層4030と対向電極層4031と液晶層4008と
が重なっている部分が、液晶素子4013に相当する。なお、画素電極層4030、対向
電極層4031はそれぞれ配向膜として機能する絶縁層4032、4033が設けられ、
絶縁層4032、4033を介して液晶層4008を挟持している。
き、ガラス、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックとしては
、FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics)板、PV
F(ポリビニルフルオライド)フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィ
ルムを用いることができる。
画素電極層4030と対向電極層4031との間の距離(セルギャップ)を制御するため
に設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。また、対向電極層4031
は、薄膜トランジスタ4010と同一基板上に設けられる共通電位線と電気的に接続され
る。共通接続部を用いて、一対の基板間に配置される導電性粒子を介して対向電極層40
31と共通電位線とを電気的に接続することができる。なお、導電性粒子はシール材40
05に含有させる。
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために5重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層4008に
用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が1msec
以下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。
フィルタ)、表示素子に用いる電極層という順に設ける例を示すが、偏光板は基板の内側
に設けてもよい。また、偏光板と着色層の積層構造も本実施の形態に限定されず、偏光板
及び着色層の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。また、表示部以外にブラ
ックマトリクスとして機能する遮光膜を設けてもよい。
物半導体層の積層の周縁部(側面を含む)を覆う絶縁層4041bとが形成されている。
同様に薄膜トランジスタ4010は、チャネル保護層として機能する絶縁層4042aと
、酸化物半導体層の積層の周縁部(側面を含む)を覆う絶縁層4042bとが形成されて
いる。
b、4042bは、ゲート電極層と、その上方または周辺に形成される配線層(ソース配
線層や容量配線層など)との距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。絶縁
層4041a、4041b、4042a、4042bは実施の形態1で示した酸化物絶縁
層426a、426bと同様な材料及び方法で形成すればよい。また、薄膜トランジスタ
の表面凹凸を低減するため平坦化絶縁膜として機能する絶縁層4021で覆う構成となっ
ている。ここでは、絶縁層4041a、4041b、4042a、4042bとして、実
施の形態1を用いてスパッタ法により酸化珪素膜を形成する。
成されている。絶縁層4020は実施の形態1で示した保護絶縁層403と同様な材料及
び方法で形成すればよい。ここでは、絶縁層4020として、RFスパッタ法により窒化
珪素膜を形成する。
形態1で示した平坦化絶縁層404と同様な材料及び方法で形成すればよく、ポリイミド
、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料
を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料(low-k材料)、シ
ロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いること
ができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層40
21を形成してもよい。
としてもよい。絶縁層4020とゲート絶縁層とに窒化物絶縁膜を用いて、図10に示す
ように少なくともアクティブマトリクス基板の画素部の周縁を囲むように絶縁層4020
とゲート絶縁層とが接する領域を設ける構成とすればよい。このような構成により、外部
からの水分の侵入を防ぐことができる。また、半導体装置、例えば表示装置としてデバイ
スが完成した後にも長期的に、外部からの水分の侵入を防ぐことができデバイスの長期信
頼性を向上することができる。
i結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基(例えばアルキ
ル基やアリール基)やフルオロ基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有してい
ても良い。
、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スクリーン
印刷、オフセット印刷等)、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイ
フコーター等を用いることができる。絶縁層4021の焼成工程と半導体層のアニールを
兼ねることで効率よく半導体装置を作製することが可能となる。
、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、
インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する
導電性材料を用いることができる。
ともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形
成した画素電極は、シート抵抗が10000Ω/□以下、波長550nmにおける透光率
が70%以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗
率が0.1Ω・cm以下であることが好ましい。
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの2種以上の共重合体などがあげられる。
002に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている。
ら形成され、端子電極4016は、薄膜トランジスタ4010、4011のソース電極層
及びドレイン電極層と同じ導電膜で形成されている。
て電気的に接続されている。
装している例を示しているがこの構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実
装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成して
実装しても良い。
導体装置として液晶表示モジュールを構成する一例を示している。
ール材2602により固着され、その間にTFT等を含む画素部2603、液晶層を含む
表示素子2604、着色層2605が設けられ表示領域を形成している。着色層2605
はカラー表示を行う場合に必要であり、RGB方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応し
た着色層が各画素に対応して設けられている。TFT基板2600と対向基板2601の
外側には偏光板2606、偏光板2607、拡散板2613が配設されている。光源は冷
陰極管2610と反射板2611により構成され、回路基板2612は、フレキシブル配
線基板2609によりTFT基板2600の配線回路部2608と接続され、コントロー
ル回路や電源回路などの外部回路が組みこまれている。また偏光板と、液晶層との間に位
相差板を有した状態で積層してもよい。
n-Plane-Switching)モード、FFS(Fringe Field S
witching)モード、MVA(Multi-domain Vertical A
lignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alig
nment)モード、ASM(Axially Symmetric aligned
Micro-cell)モード、OCB(Optical Compensated B
irefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liqui
d Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liq
uid Crystal)モードなどを用いることができる。
る。
である。
半導体装置の一形態として電子ペーパーの例を示す。
ーに用いてもよい。電子ペーパーは、電気泳動表示装置(電気泳動ディスプレイ)も呼ば
れており、紙と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とする
ことが可能という利点を有している。
子と、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に
複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロ
カプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示す
るものである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合におい
て移動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの(無色を
含む)とする。
いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。
の電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また
、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
ロカプセルを複数配置すればアクティブマトリクス型の表示装置が完成し、マイクロカプ
セルに電界を印加すれば表示を行うことができる。例えば、実施の形態1、2、5、6の
薄膜トランジスタによって得られるアクティブマトリクス基板を用いることができる。
半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレク
トロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を
用いればよい。
装置に用いられる薄膜トランジスタ581としては、実施の形態1で示す薄膜トランジス
タと同様に作製でき、酸化物半導体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また
、実施の形態2、5、6で示す薄膜トランジスタも本実施の薄膜トランジスタ581とし
て適用することもできる。
トボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層であ
る第1の電極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の電極層に電位差
を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。
タであり、半導体層と接する絶縁膜583に覆われている。薄膜トランジスタ581のソ
ース電極層又はドレイン電極層によって第1の電極層587と、絶縁層585に形成する
開口で接しており電気的に接続している。第1の電極層587と基板596上に形成され
た第2の電極層588との間には、黒色領域590a及び白色領域590bを有し、周り
に液体で満たされているキャビティ594を含む球形粒子589が設けられており、球形
粒子589の周囲は樹脂等の充填材595で充填されている。第1の電極層587が画素
電極に相当し、第2の電極層588が共通電極に相当する。第2の電極層588は、薄膜
トランジスタ581と同一基板上に設けられる共通電位線と電気的に接続される。共通接
続部を用いて、一対の基板間に配置される導電性粒子を介して第2の電極層588と共通
電位線とを電気的に接続することができる。
と、正に帯電した白い微粒子と負に帯電した黒い微粒子とを封入した直径10μm~20
0μm程度のマイクロカプセルを用いる。第1の電極層と第2の電極層との間に設けられ
るマイクロカプセルは、第1の電極層と第2の電極層によって、電場が与えられると、白
い微粒子と、黒い微粒子が逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。この
原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子であり、一般的に電子ペーパーとよばれてい
る。電気泳動表示素子は、液晶表示素子に比べて反射率が高いため、補助ライトは不要で
あり、また消費電力が小さく、薄暗い場所でも表示部を認識することが可能である。また
、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度表示した像を保持することが可能で
あるため、電波発信源から表示機能付き半導体装置(単に表示装置、又は表示装置を具備
する半導体装置ともいう)を遠ざけた場合であっても、表示された像を保存しておくこと
が可能となる。
。
である。
半導体装置として発光表示装置の例を示す。表示装置の有する表示素子としては、ここで
はエレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を用いて示す。エレクトロルミネッセン
スを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって
区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー-ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
す図である。
は酸化物半導体層をチャネル形成領域に用いるnチャネル型のトランジスタを1つの画素
に2つ用いる例を示す。
402、発光素子6404及び容量素子6403を有している。スイッチング用トランジ
スタ6401はゲートが走査線6406に接続され、第1電極(ソース電極及びドレイン
電極の一方)が信号線6405に接続され、第2電極(ソース電極及びドレイン電極の他
方)が発光素子駆動用トランジスタ6402のゲートに接続されている。発光素子駆動用
トランジスタ6402は、ゲートが容量素子6403を介して電源線6407に接続され
、第1電極が電源線6407に接続され、第2電極が発光素子6404の第1電極(画素
電極)に接続されている。発光素子6404の第2電極は共通電極6408に相当する。
共通電極6408は、同一基板上に形成される共通電位線と電気的に接続される。
る。なお、低電源電位とは、電源線6407に設定される高電源電位を基準にして低電源
電位<高電源電位を満たす電位であり、低電源電位としては例えばGND、0Vなどが設
定されていても良い。この高電源電位と低電源電位との電位差を発光素子6404に印加
して、発光素子6404に電流を流して発光素子6404を発光させるため、高電源電位
と低電源電位との電位差が発光素子6404の順方向しきい値電圧以上となるようにそれ
ぞれの電位を設定する。
省略することも可能である。発光素子駆動用トランジスタ6402のゲート容量について
は、チャネル領域とゲート電極との間で容量が形成されていてもよい。
トには、発光素子駆動用トランジスタ6402が十分にオンするか、オフするかの二つの
状態となるようなビデオ信号を入力する。つまり、発光素子駆動用トランジスタ6402
は線形領域で動作させる。発光素子駆動用トランジスタ6402は線形領域で動作させる
ため、電源線6407の電圧よりも高い電圧を発光素子駆動用トランジスタ6402のゲ
ートにかける。なお、信号線6405には、(電源線電圧+発光素子駆動用トランジスタ
6402のVth)以上の電圧をかける。
らせることで、図12と同じ画素構成を用いることができる。
6404の順方向電圧+発光素子駆動用トランジスタ6402のVth以上の電圧をかけ
る。発光素子6404の順方向電圧とは、所望の輝度とする場合の電圧を指しており、少
なくとも順方向しきい値電圧を含む。なお、発光素子駆動用トランジスタ6402が飽和
領域で動作するようなビデオ信号を入力することで、発光素子6404に電流を流すこと
ができる。発光素子駆動用トランジスタ6402を飽和領域で動作させるため、電源線6
407の電位は、発光素子駆動用トランジスタ6402のゲート電位よりも高くする。ビ
デオ信号をアナログとすることで、発光素子6404にビデオ信号に応じた電流を流し、
アナログ階調駆動を行うことができる。
にスイッチ、抵抗素子、容量素子、トランジスタ又は論理回路などを追加してもよい。
FTがn型の場合を例に挙げて、画素の断面構造について説明する。図13(A)(B)
(C)の半導体装置に用いられる発光素子駆動用TFTであるTFT7001、7011
、7021は、実施の形態1で示す画素に配置される薄膜トランジスタと同様に作製でき
、酸化物半導体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施の形態2、5
、6で示す画素に配置される薄膜トランジスタをTFT7001、7011、7021と
して適用することもできる。
して、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取
り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対
側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、画素構成はどの射出構造の発
光素子にも適用することができる。
2から発せられる光が陽極7005側に抜ける場合の、画素の断面図を示す。図13(A
)では、発光素子7002の陰極7003と発光素子駆動用TFTであるTFT7001
が電気的に接続されており、陰極7003上に発光層7004、陽極7005が順に積層
されている。陰極7003は仕事関数が小さく、なおかつ光を反射する導電膜であれば様
々の材料を用いることができる。例えば、Ca、Al、MgAg、AlLi等が望ましい
。そして発光層7004は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように
構成されていてもどちらでも良い。複数の層で構成されている場合、陰極7003上に電
子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層の順に積層する。なおこれ
らの層を全て設ける必要はない。陽極7005は光を透過する透光性を有する導電性材料
を用いて形成し、例えば酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを
含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むイン
ジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、インジウム亜鉛酸化物
、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性導電膜を用いて
も良い。
7009を設ける。隔壁7009は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の
有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。隔壁7009は、
特に感光性の樹脂材料を用い、隔壁7009の側面が連続した曲率を持って形成される傾
斜面となるように形成することが好ましい。隔壁7009として感光性の樹脂材料を用い
る場合、レジストマスクを形成する工程を省略することができる。
相当する。図13(A)に示した画素の場合、発光素子7002から発せられる光は、矢
印で示すように陽極7005側に射出する。
TFT7011がn型で、発光素子7012から発せられる光が陰極7013側に射出す
る場合の、画素の断面図を示す。図13(B)では、発光素子駆動用TFT7011と電
気的に接続された透光性を有する導電膜7017上に、発光素子7012の陰極7013
が成膜されており、陰極7013上に発光層7014、陽極7015が順に積層されてい
る。なお、陽極7015が透光性を有する場合、陽極上を覆うように、光を反射または遮
蔽するための遮蔽膜7016が成膜されていてもよい。陰極7013は、図13(A)の
場合と同様に、仕事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。
ただしその膜厚は、光を透過する程度(好ましくは、5nm~30nm程度)とする。例
えば20nmの膜厚を有するアルミニウム膜を、陰極7013として用いることができる
。そして発光層7014は、図13(A)と同様に、単数の層で構成されていても、複数
の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。陽極7015は光を透過する
必要はないが、図13(A)と同様に、透光性を有する導電性材料を用いて形成すること
ができる。そして遮蔽膜7016は、例えば光を反射する金属等を用いることができるが
、金属膜に限定されない。例えば黒の顔料を添加した樹脂等を用いることもできる。
隔壁7019を設ける。隔壁7019は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ
等の有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。隔壁7019
は、特に感光性の樹脂材料を用い、隔壁7019の側面が連続した曲率を持って形成され
る傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁7019として感光性の樹脂材料を
用いる場合、レジストマスクを形成する工程を省略することができる。
に相当する。図13(B)に示した画素の場合、発光素子7012から発せられる光は、
矢印で示すように陰極7013側に射出する。
では、発光素子駆動用TFT7021と電気的に接続された透光性を有する導電膜702
7上に、発光素子7022の陰極7023が成膜されており、陰極7023上に発光層7
024、陽極7025が順に積層されている。陰極7023は、図13(A)の場合と同
様に、仕事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしそ
の膜厚は、光を透過する程度とする。例えば20nmの膜厚を有するAlを、陰極702
3として用いることができる。そして発光層7024は、図13(A)と同様に、単数の
層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。
陽極7025は、図13(A)と同様に、光を透過する透光性を有する導電性材料を用い
て形成することができる。
隔壁7029を設ける。隔壁7029は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ
等の有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。隔壁7029
は、特に感光性の樹脂材料を用い、隔壁7029の側面が連続した曲率を持って形成され
る傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁7029として感光性の樹脂材料を
用いる場合、レジストマスクを形成する工程を省略することができる。
22に相当する。図13(C)に示した画素の場合、発光素子7022から発せられる光
は、矢印で示すように陽極7025側と陰極7023側の両方に射出する。
L素子を設けることも可能である。
が電気的に接続されている例を示したが、発光素子駆動用TFTと発光素子との間に電流
制御用TFTが接続されている構成であってもよい。
技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
断面について、図11を用いて説明する。図11(A)は、第1の基板上に形成された薄
膜トランジスタ及び発光素子を、第2の基板との間にシール材によって封止した、パネル
の平面図であり、図11(B)は、図11(A)のH-Iにおける断面図に相当する。
3b、及び走査線駆動回路4504a、4504bを囲むようにして、シール材4505
が設けられている。また画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び
走査線駆動回路4504a、4504bの上に第2の基板4506が設けられている。よ
って画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び走査線駆動回路45
04a、4504bは、第1の基板4501とシール材4505と第2の基板4506と
によって、充填材4507と共に密封されている。このように外気に曝されないように気
密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム(貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィル
ム等)やカバー材でパッケージング(封入)することが好ましい。
503b、及び走査線駆動回路4504a、4504bは、薄膜トランジスタを複数有し
ており、図11(B)では、画素部4502に含まれる薄膜トランジスタ4510と、信
号線駆動回路4503aに含まれる薄膜トランジスタ4509とを例示している。
体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタを適用することができる。駆動回路に配置され
る薄膜トランジスタ4509としては、実施の形態1、2、5、6で示した薄膜トランジ
スタ260、270、画素に配置される薄膜トランジスタ4510としては、薄膜トラン
ジスタ420、448、220、280、290を用いることができる。本実施の形態に
おいて、薄膜トランジスタ4509、4510はnチャネル型薄膜トランジスタである。
ャネル形成領域と重なる位置に導電層4540が設けられている。導電層4540を酸化
物半導体層のチャネル形成領域と重なる位置に設けることによって、BT試験前後におけ
る薄膜トランジスタ4509のしきい値電圧の変化量を低減することができる。また、導
電層4540は、電位が薄膜トランジスタ4509のゲート電極層と同じでもよいし、異
なっていても良く、第2のゲート電極層として機能させることもできる。また、導電層4
540の電位がGND、0V、或いはフローティング状態であってもよい。
酸化物半導体層の周縁部(側面を含む)を覆う絶縁層4541bとが形成されている。同
様に薄膜トランジスタ4510は、チャネル保護層として機能する絶縁層4542aと、
酸化物半導体層の周縁部(側面を含む)を覆う絶縁層4542bとが形成されている。
542bは、ゲート電極層と、その上方または周辺に形成される配線層(ソース配線層や
容量配線層など)との距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。絶縁層45
41a、4541b、4542a、4542bは実施の形態1で示した酸化物絶縁層42
6a、426bと同様な材料及び方法で形成すればよい。また、薄膜トランジスタの表面
凹凸を低減するため平坦化絶縁膜として機能する絶縁層4543で覆う構成となっている
。ここでは、絶縁層4541a、4541b、4542a、4542bとして、実施の形
態1を用いてスパッタ法により酸化珪素膜を形成する。
成されている。絶縁層4543は実施の形態1で示した保護絶縁層403と同様な材料及
び方法で形成すればよい。ここでは、絶縁層4543として、RFスパッタ法により窒化
珪素膜を形成する。
形態1で示した平坦化絶縁層404と同様な材料及び方法で形成すればよい。ここでは、
絶縁層4544としてアクリルを用いる。
としてもよい。絶縁層4543とゲート絶縁層とに窒化物絶縁膜を用いて、図11に示す
ように少なくともアクティブマトリクス基板の画素部の周縁を囲むように絶縁層4543
とゲート絶縁層とが接する領域を設ける構成とすればよい。この製造プロセスでは、外部
からの水分の侵入を防ぐことができる。また、半導体装置、例えば表示装置としてデバイ
スが完成した後にも長期的に、外部からの水分の侵入を防ぐことができデバイスの長期信
頼性を向上することができる。
層4517は、薄膜トランジスタ4510のソース電極層またはドレイン電極層と電気的
に接続されている。なお発光素子4511の構成は、第1の電極層4517、電界発光層
4512、第2の電極層4513の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光
素子4511から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子4511の構成は適宜変え
ることができる。
特に感光性の材料を用い、第1の電極層4517上に開口部を形成し、その開口部の側壁
が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
されていてもどちらでも良い。
4513及び隔壁4520上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜、
窒化酸化珪素膜、DLC膜等を形成することができる。
、または画素部4502に与えられる各種信号及び電位は、FPC4518a、4518
bから供給されている。
から形成され、端子電極4516は、薄膜トランジスタ4509、4510が有するソー
ス電極層及びドレイン電極層と同じ導電膜から形成されている。
して電気的に接続されている。
ない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリル
フィルムのような透光性を有する材料を用いる。
脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、
ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEV
A(エチレンビニルアセテート)を用いることができる。例えば充填材として窒素を用い
ればよい。
位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜によって形成された駆動回
路で実装されていてもよい。また、信号線駆動回路のみ、或いは一部、又は走査線駆動回
路のみ、或いは一部のみを別途形成して実装しても良く、図11の構成に限定されない。
ることができる。
実施することが可能である。
本明細書に開示する半導体装置は、電子ペーパーとして適用することができる。電子ペー
パーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である
。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍(電子ブック)、ポスター、電車などの乗り
物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる
。電子機器の一例を図20に示す。
701および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐体27
03は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動作を行
うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる
。
込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成として
もよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とするこ
とで、例えば右側の表示部(図20では表示部2705)に文章を表示し、左側の表示部
(図20では表示部2707)に画像を表示することができる。
701において、電源2721、操作キー2723、スピーカ2725などを備えている
。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキー
ボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側
面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSBケ
ーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える構成と
してもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせた構成として
もよい。
電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすること
も可能である。
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用すること
ができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン
受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメ
ラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型
ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられ
る。
00は、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映
像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601
を支持した構成を示している。
コン操作機9610により行うことができる。リモコン操作機9610が備える操作キー
9609により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9603に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機9610に、当該リモコン操作機
9610から出力する情報を表示する表示部9607を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
ルフォトフレーム9700は、筐体9701に表示部9703が組み込まれている。表示
部9703は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影
した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。
Bケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える構
成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に
備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒
体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像デー
タを取り込み、取り込んだ画像データを表示部9703に表示させることができる。
。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
れており、連結部9893により、開閉可能に連結されている。筐体9881には表示部
9882が組み込まれ、筐体9891には表示部9883が組み込まれている。また、図
22(A)に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部9884、記録媒体挿入部988
6、LEDランプ9890、入力手段(操作キー9885、接続端子9887、センサ9
888(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、
化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振
動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン9889)等を備え
ている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも本明細書
に開示する半導体装置を備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成
とすることができる。図22(A)に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプ
ログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信
を行って情報を共有する機能を有する。なお、図22(A)に示す携帯型遊技機が有する
機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
マシン9900は、筐体9901に表示部9903が組み込まれている。また、スロット
マシン9900は、その他、スタートレバーやストップスイッチなどの操作手段、コイン
投入口、スピーカなどを備えている。もちろん、スロットマシン9900の構成は上述の
ものに限定されず、少なくとも本明細書に開示する半導体装置を備えた構成であればよく
、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。
するヒンジユニットを閉状態として表示部9303を有する上部筐体9301と、キーボ
ード9304を有する下部筐体9302とを重ねた状態とすることができ、持ち運ぶこと
が便利であるとともに、使用者がキーボード入力する場合には、ヒンジユニットを開状態
として、表示部9303を見て入力操作を行うことができる。
イス9306を有する。また、表示部9303をタッチ入力パネルとすれば、表示部の一
部に触れることで入力操作を行うこともできる。また、下部筐体9302はCPUやハー
ドディスク等の演算機能部を有している。また、下部筐体9302は他の機器、例えばU
SBの通信規格に準拠した通信ケーブルが差し込まれる外部接続ポート9305を有して
いる。
07を有しており、広い表示画面を実現することができる。また、収納可能な表示部93
07の画面の向きを使用者は調節できる。また、収納可能な表示部9307をタッチ入力
パネルとすれば、収納可能な表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。
は無機発光素子などの発光表示パネルなどの映像表示装置を用いる。
放送を受信して映像を表示部に表示することができる。また、上部筐体9301と下部筐
体9302とを接続するヒンジユニットを閉状態としたまま、表示部9307をスライド
させて画面全面を露出させ、画面角度を調節して使用者がテレビ放送を見ることもできる
。この場合には、ヒンジユニットを開状態として表示部9303を表示させず、さらにテ
レビ放送を表示するだけの回路の起動のみを行うため、最小限の消費電力とすることがで
き、バッテリー容量の限られている携帯型のコンピュータにおいて有用である。
話の一例を示す斜視図である。
体を腕に装着するためのバンド部9204、腕に対するバンド部の固定状態を調節する調
節部9205、表示部9201、スピーカ9207、及びマイク9208から構成されて
いる。
チや、撮像開始指示スイッチの他、例えばボタンを押すとインタネット用のプログラムが
起動されるなど、各ファンクションを対応づけることができる。
スイッチ9203の操作、またはマイク9208への音声入力により行われる。なお、図
23(B)では、表示部9201に表示された表示ボタン9202を図示しており、指な
どで触れることにより入力を行うことができる。
段を有するカメラ部9206を有する。なお、特にカメラ部は設けなくともよい。
レビ放送を受信して映像を表示部9201に表示することができ、さらにメモリーなどの
記憶装置などを備えた構成として、テレビ放送をメモリーに録画できる。また、図23(
B)に示す携帯電話は、GPSなどの位置情報を収集できる機能を有していてもよい。
ネルなどの映像表示装置を用いる。図23(B)に示す携帯電話は、小型、且つ、軽量で
あるため、バッテリー容量の限られており、表示部9201に用いる表示装置は低消費電
力で駆動できるパネルを用いることが好ましい。
ず、携行できる形状を有しているものであればよい。
本実施の形態では、半導体装置の一形態として、実施の形態1、2、5、6で示す薄膜ト
ランジスタを有する表示装置の例を図24乃至図357を用いて説明する。本実施の形態
は、表示素子として液晶素子を用いた液晶表示装置の例を図24乃至図35を用いて説明
する。図24乃至図37の液晶表示装置に用いられるTFT628、629は、実施の形
態1、2、5、6で示す薄膜トランジスタを適用することができ、実施の形態1、2、5
、6で示す工程で同様に作製できる電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタである。
TFT628はチャネル保護層608を、TFT629はチャネル保護層611をそれぞ
れ有し、半導体膜をチャネル形成領域とする逆スタガ薄膜トランジスタである。
。VA型とは、液晶表示パネルの液晶分子の配列を制御する方式の一種である。VA型の
液晶表示装置は、電圧が印加されていないときにパネル面に対して液晶分子が垂直方向を
向く方式である。本実施の形態では、特に画素(ピクセル)をいくつかの領域(サブピク
セル)に分け、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されている。これをマルチドメイ
ン化あるいはマルチドメイン設計という。以下の説明では、マルチドメイン設計が考慮さ
れた液晶表示装置について説明する。
電極が形成される基板側の平面図であり、図中に示す切断線E-Fに対応する断面構造を
図24に表している。また、図26は対向電極が形成される基板側の平面図である。以下
の説明ではこれらの図を参照して説明する。
成された基板600と、対向電極層640等が形成される対向基板601とが重ね合わせ
られ、液晶が注入された状態を示している。
に突起644が形成されている。この構造により、液晶の配向を制御するための突起64
4とスペーサの高さを異ならせている。画素電極層624上には配向膜648が形成され
、同様に対向電極層640及び突起644上にも配向膜646が形成されている。基板6
00と対向基板601の間に液晶層650が形成されている
の場合は、基板600上に形成される画素電極層624上に形成してもよい。
30が形成される。画素電極層624は、TFT628、配線616、及び保持容量部6
30を覆う絶縁膜620、絶縁膜620を覆う第3絶縁膜622をそれぞれ貫通するコン
タクトホール623で、配線618と接続する。TFT628は実施の形態1、2、5、
6で示す薄膜トランジスタを適宜用いることができる。また、保持容量部630は、TF
T628のゲート配線602と同時に形成した第1の容量配線604と、ゲート絶縁膜6
06と、配線616、618と同時に形成した第2の容量配線617で構成される。
成されている。
を用いて形成する。画素電極層624にはスリット625を設ける。スリット625は液
晶の配向を制御するためのものである。
それぞれTFT628、画素電極層624及び保持容量部630と同様に形成することが
できる。TFT628とTFT629は共に配線616と接続している。この液晶表示パ
ネルの画素(ピクセル)は、画素電極層624と画素電極層626により構成されている
。画素電極層624と画素電極層626はサブピクセルである。
いる。対向電極層640は、画素電極層624と同様の材料を用いて形成することが好ま
しい。対向電極層640上には液晶の配向を制御する突起644が形成されている。なお
、図26に基板600上に形成される画素電極層624及び画素電極層626を破線で示
し、対向電極層640と、画素電極層624及び画素電極層626が重なり合って配置さ
れている様子を示している。
線602、配線616と接続している。この場合、容量配線604と容量配線605の電
位を異ならせることで、液晶素子651と液晶素子652の動作を異ならせることができ
る。すなわち、容量配線604と容量配線605の電位を個別に制御することにより液晶
の配向を精密に制御して視野角を広げている。
は電界の歪み(斜め電界)が発生する。このスリット625と、対向基板601側の突起
644とを交互に咬み合うように配置することで、斜め電界を効果的に発生させて液晶の
配向を制御することで、液晶が配向する方向を場所によって異ならせている。すなわち、
マルチドメイン化して液晶表示パネルの視野角を広げている。
る。
の平面図であり、図中に示す切断線Y-Zに対応する断面構造を図28に表している。以
下の説明ではこの両図を参照して説明する。
続されている。各TFTは、異なるゲート信号で駆動されるように構成されている。すな
わち、マルチドメイン設計された画素において、個々の画素電極に印加する信号を、独立
して制御する構成を有している。
コンタクトホール623において、配線618でTFT628と接続している。また、画
素電極層626は、絶縁膜620、絶縁膜621及び絶縁膜622をそれぞれ貫通するコ
ンタクトホール627において、配線619でTFT629と接続している。TFT62
8のゲート配線602と、TFT629のゲート配線603には、異なるゲート信号を与
えることができるように分離されている。一方、データ線として機能する配線616は、
TFT628とTFT629で共通に用いられている。TFT628とTFT629は実
施の形態1、2、5、6で示す薄膜トランジスタを適宜用いることができる。なお、ゲー
ト配線602、ゲート配線603及び容量配線690上にはゲート絶縁膜606が形成さ
れている。
離されている。V字型に広がる画素電極層624の外側を囲むように画素電極層626が
形成されている。画素電極層624と画素電極層626に印加する電圧のタイミングを、
TFT628及びTFT629により異ならせることで、液晶の配向を制御している。こ
の画素構造の等価回路を図31に示す。TFT628はゲート配線602と接続し、TF
T629はゲート配線603と接続している。また、TFT628とTFT629は、共
に配線616と接続している。ゲート配線602とゲート配線603に異なるゲート信号
を与えることで、TFT628とTFT629の動作タイミングを異ならせることができ
る。すなわち、TFT628とTFT629の動作を個別に制御することにより、液晶素
子651と液晶素子652の液晶の配向を精密に制御して視野角を広げることができる。
636と対向電極層640の間には平坦化膜637が形成され、液晶の配向乱れを防いで
いる。図30に対向基板側の平面構造を示す。対向電極層640は異なる画素間で共通化
されている電極であるが、スリット641が形成されている。このスリット641と、画
素電極層624及び画素電極層626側のスリット625とを交互に咬み合うように配置
することで、斜め電界を効果的に発生させて液晶の配向を制御することができる。これに
より、液晶が配向する方向を場所によって異ならせることができ、視野角を広げている。
なお、図30に基板600上に形成される画素電極層624及び画素電極層626を破線
で示し、対向電極層640と、画素電極層624及び画素電極層626が重なり合って配
置されている様子を示している。
層640上にも配向膜646が形成されている。基板600と対向基板601の間に液晶
層650が形成されている。また、画素電極層624と液晶層650と対向電極層640
が重なり合うことで、第1の液晶素子が形成されている。また、画素電極層626と液晶
層650と対向電極層640が重なり合うことで、第2の液晶素子が形成されている。ま
た、図28乃至図31で説明する表示パネルの画素構造は、一画素に第1の液晶素子と第
2の液晶素子が設けられたマルチドメイン構造となっている。
て水平方向に電界を加えることで液晶を駆動して階調表現する方式である。この方式によ
れば、視野角を約180度にまで広げることができる。以下の説明では、横電界方式を採
用する液晶表示装置について説明する。
成された基板600と、対向基板601を重ね合わせ、液晶を注入した状態を示している
。対向基板601には、着色膜636、平坦化膜637などが形成されている。なお、対
向基板601側に対向電極層は設けられていない。また、基板600と対向基板601の
間に配向膜646及び配向膜648を介して液晶層650が形成されている。
FT628が形成される。容量配線604はTFT628のゲート配線602と同時に形
成することができる。TFT628としては、実施の形態1乃至5で示した薄膜トランジ
スタを適用することができる。電極層607は、実施の形態1で示す画素電極層427と
同様の材料を用いることができる。また、電極層607は略画素の形状に区画化した形状
で形成する。なお、電極層607及び容量配線604上にはゲート絶縁膜606が形成さ
れる。
6は液晶表示パネルにおいてビデオ信号をのせるデータ線であり一方向に伸びる配線であ
ると同時に、TFT628のソース領域又はドレイン領域と接続し、ソース及びドレイン
の一方の電極となる。配線618はソース及びドレインの他方の電極となり、画素電極層
624と接続する配線である。
は、絶縁膜620に形成されるコンタクトホール623を介して、配線618に接続する
画素電極層624が形成される。画素電極層624は実施の形態1で示した画素電極層と
同様の材料を用いて形成する。
される。なお、保持容量は電極層607と画素電極層624の間で形成している。
断面構造を図32に表している。画素電極層624にはスリット625が設けられる。ス
リット625は液晶の配向を制御するためのものである。この場合、電界は電極層607
と画素電極層624の間で発生する。電極層607と画素電極層624の間にはゲート絶
縁膜606が形成されているが、ゲート絶縁膜606の厚さは50~200nmであり、
2~10μmである液晶層の厚さと比較して十分薄いので、実質的に基板600と平行な
方向(水平方向)に電界が発生する。この電界により液晶の配向が制御される。この基板
と略平行な方向の電界を利用して液晶分子を水平に回転させる。この場合、液晶分子はど
の状態でも水平であるため、見る角度によるコントラストなどの影響は少なく、視野角が
広がることとなる。また、電極層607と画素電極層624は共に透光性の電極であるの
で、開口率を向上させることができる。
あり、図中に示す切断線V-Wに対応する断面構造を図34に表している。以下の説明で
はこの両図を参照して説明する。
対向基板601を重ね合わせ、液晶を注入した状態を示している。対向基板601には、
着色膜636、平坦化膜637などが形成されている。なお、対向基板601側に対向電
極層は設けられていない。基板600と対向基板601の間に、配向膜646及び配向膜
648を介して液晶層650が形成されている。
9はTFT628のゲート配線602と同時に形成することができる。TFT628とし
ては、実施の形態1、2、5、6で示した薄膜トランジスタを適用することができる。
6は液晶表示パネルにおいてビデオ信号をのせるデータ線であり一方向に伸びる配線であ
ると同時に、TFT628のソース領域又はドレイン領域と接続し、ソース及びドレイン
の一方の電極となる。配線618はソース及びドレインの他方の電極となり、画素電極層
624と接続する配線である。
縁膜620に形成されるコンタクトホール623を介して、配線618に接続する画素電
極層624が形成される。画素電極層624は実施の形態1で示した画素電極層427と
同様の材料を用いて形成する。なお、図35に示すように、画素電極層624は、共通電
位線609と同時に形成した櫛形の電極と横電界が発生するように形成される。また、画
素電極層624の櫛歯の部分が共通電位線609と同時に形成した櫛形の電極と交互に咬
み合うように形成される。
この電界により液晶の配向が制御される。この基板と略平行な方向の電界を利用して液晶
分子を水平に回転させる。この場合、液晶分子はどの状態でも水平であるため、見る角度
によるコントラストなどの影響は少なく、視野角が広がることとなる。
される。保持容量は共通電位線609と容量電極615の間にゲート絶縁膜606を設け
、それにより形成している。容量電極615と画素電極層624はコンタクトホール63
3を介して接続されている。
の液晶表示装置は、開口率が高い液晶表示装置である。
本実施の形態では、液晶表示パネルのサイズが10インチを超え、60インチ、さらには
120インチとする場合には透光性を有する配線の配線抵抗が問題となる恐れがあるため
、ゲート配線の一部を金属配線として配線抵抗を低減する例を示す。
は省略する。なお、本実施の形態は実施の形態1で示したアクティブマトリクス基板に適
用することができる。
である。駆動回路においては、ゲート電極層は透光性を有する材料に限定されない。なお
、金属配線を形成するため、実施の形態1及び実施の形態2に比べ、フォトマスクの数は
増える。
に第2の金属配線層241が積層されたゲート電極層とする。なお、第1の金属配線層2
42は、第1の金属配線層236と同じ材料、同じ工程で形成することができる。また、
第2の金属配線層241は、第2の金属配線層237と同じ材料、同じ工程で形成するこ
とができる。
244上に第2の金属配線層243が積層されたゲート電極層とする。なお、第1の金属
配線層244は、第1の金属配線層236と同じ材料、同じ工程で形成することができる
。また、第2の金属配線層243は、第2の金属配線層237と同じ材料、同じ工程で形
成することができる。
線層242の酸化を防ぐための第2の金属配線層241が窒化金属膜であることが好まし
い。同様に、第1の金属配線層244と導電層277とを電気的に接続する場合、第1の
金属配線層244の酸化を防ぐための第2の金属配線層243が窒化金属膜であることが
好ましい。
る耐熱性導電性材料膜(膜厚100nm以上500nm以下)を形成する。
形成する。ここでは導電膜を窒化タンタル膜とタングステン膜との積層としたが、特に限
定されず、Ta、W、Ti、Mo、Al、Cuから選ばれた元素、または上述した元素を
成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜、または上述した元素を成分とす
る窒化物で形成する。耐熱性導電性材料膜は、上述した元素を含む単層に限定されず、二
層以上の積層を用いることができる。
の金属配線層237、第1の金属配線層242と第2の金属配線層241、第1の金属配
線層244と第2の金属配線層243を形成する。タングステン膜及び窒化タンタル膜の
エッチングにはICP(Inductively Coupled Plasma:誘導
結合型プラズマ)エッチング法を用いると良い。ICPエッチング法を用い、エッチング
条件(コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の
電極温度等)を適宜調節することによって所望のテーパー形状に膜をエッチングすること
ができる。第1の金属配線層236と第2の金属配線層237をテーパー形状とすること
で上に接して形成する透光性を有する導電膜の成膜不良を低減することができる。
ト配線層238、薄膜トランジスタ220のゲート電極層を形成する。透光性を有する導
電膜は、実施の形態1に記載の可視光に対して透光性を有する導電材料を用いる。
属配線層236または第2の金属配線層237に接する界面があると、後の熱処理などに
よって酸化膜が形成され、接触抵抗が高くなる恐れがあるため、第2の金属配線層237
は第1の金属配線層236の酸化を防ぐ窒化金属膜を用いることが好ましい。
の工程は、実施の形態1に従ってアクティブマトリクス基板を作製する。
示したが、第1の金属配線層236及び第2の金属配線層237の全部を覆うゲート配線
層としてもよい。即ち、第1の金属配線層236及び第2の金属配線層237は、ゲート
配線層238を低抵抗化するための補助配線と呼ぶことができる。
形成され、第2の金属配線層237と電気的に接続する。端子部から引き回す配線も金属
配線で形成する。
金属配線、即ち、第1の金属配線層236及び第2の金属配線層237を補助配線として
用いることもできる。
10インチを超え、60インチ、さらには120インチとする場合であっても表示画像の
高精細化を図り、高い開口率を実現することができる。
ける、加熱処理に伴う酸素の拡散現象について計算した。結果を、図37及び図38を用
いて説明する。ここでは、計算用のソフトウェアとしては、富士通株式会社製のMate
rials Explorer5.0を用いた。
1を、酸素密度の低い層703及び酸素密度の高い層705が積層される構造とした。
個のZn原子、及び54個のO原子からなるアモルファス構造とした。
Zn原子、及び66個のO原子からなるアモルファス構造とした。
典MD(分子動力学)計算を行った。時間刻み幅を0.2fsとし、総計算時間を200
psと設定した。また、ポテンシャルは、金属-酸素結合、及び酸素-酸素結合にBor
n-Mayer-Huggins型を適用した。また、酸化物半導体層701の上端及び
下端の原子の動きを固定した。
703であり、z軸座標の1.15nmから2.3nmが酸素密度の高い層705である
。MD計算前の酸素の密度分布を実線707で示し、MD計算後の酸素密度の分布を破線
709で示す。
、酸素密度の高い層705において、酸素の密度が高い。一方、破線709においては、
酸素密度の低い層703及び酸素密度の高い層705において、酸素密度が均質であるこ
とが分かる。
、酸素密度の分布に偏りが有る場合、加熱処理により酸素密度が高い方から低い方へ拡散
し、酸素密度が均質になることが分かる。
形成することで、酸化物半導体層及び酸化物絶縁層の界面において酸素密度が高まるため
、当該酸素が酸化物半導体層の酸素密度の低い方へ拡散し、酸化物半導体層が高抵抗化す
る。
れる金属イオン(Me)とイオン結合を生じ、酸素原子の状態で酸化物半導体層内部に拡
散する。(図39参照。)。
11 第1の配線
12 第2の配線
13 第3の配線
14 第4の配線
15 第5の配線
21 第1の入力端子
22 第2の入力端子
23 第3の入力端子
24 第4の入力端子
25 第5の入力端子
26 第1の出力端子
27 第2の出力端子
28 薄膜トランジスタ
31 トランジスタ
32 トランジスタ
33 トランジスタ
34 トランジスタ
35 トランジスタ
36 トランジスタ
37 トランジスタ
38 トランジスタ
39 トランジスタ
40 トランジスタ
41 トランジスタ
42 トランジスタ
43 トランジスタ
51 電源線
52 電源線
53 電源線
61 期間
62 期間
200 基板
202 ゲート絶縁層
203 保護絶縁層
204 平坦化絶縁層
205 共通電位線
206 共通電極層
207 酸化物半導体層
208 酸化物絶縁層
209 共通電位線
210 共通電位線
220 薄膜トランジスタ
221 端子
222 端子
223 接続電極層
225 導電層
226 電極層
227 画素電極層
228 端子
229 端子
230 容量配線層
231 容量電極
236 金属配線層
237 金属配線層
238 ゲート配線層
241 金属配線層
242 金属配線層
243 金属配線層
244 金属配線層
250 容量配線層
251 酸化物半導体層
254 ソース配線
255 端子電極
256 ソース配線
257 端子電極
260 薄膜トランジスタ
261 ゲート電極層
263 チャネル形成領域
264a 高抵抗ソース領域
264b 高抵抗ドレイン領域
264c 領域
264d 領域
265a ソース電極層
265b ドレイン電極層
266a 酸化物絶縁層
266b 酸化物絶縁層
267 導電層
268a 補助電極層
268b 補助電極層
270 薄膜トランジスタ
271 ゲート電極層
273 チャネル形成領域
274a 高抵抗ソース領域
274b 高抵抗ドレイン領域
274c 領域
274d 領域
274e 領域
274f 領域
275a ソース電極層
275b ドレイン電極層
276a 酸化物絶縁層
276b 酸化物絶縁層
277 導電層
280 薄膜トランジスタ
281 ゲート電極層
282a ゲート絶縁層
282b ゲート絶縁層
282c ゲート絶縁層
283 チャネル形成領域
284a 高抵抗ソース領域
284b 高抵抗ドレイン領域
284c ソース領域
284d ドレイン領域
285a ソース電極層
285b ドレイン電極層
286a 酸化物絶縁層
286b 酸化物絶縁層
290 薄膜トランジスタ
291 ゲート電極層
292a ゲート絶縁層
292b ゲート絶縁層
293 チャネル形成領域
294a 高抵抗ソース領域
294b 高抵抗ドレイン領域
294c 領域
294d 領域
294e 領域
294f 領域
295a ソース電極層
295b ドレイン電極層
296a 酸化物絶縁層
296b 酸化物絶縁層
400 基板
402 ゲート絶縁層
403 保護絶縁層
404 平坦化絶縁層
420 薄膜トランジスタ
421a ゲート電極層
421b ゲート電極層
422 酸化物半導体層
423 チャネル形成領域
424a 高抵抗ソース領域
424b 高抵抗ドレイン領域
424c 領域
424d 領域
425a ソース電極層
425b ドレイン電極層
426a 酸化物絶縁層
426b 酸化物絶縁層
427 画素電極層
430 酸化物半導体膜
441 コンタクトホール
442 酸化物半導体層
448 薄膜トランジスタ
580 基板
581 薄膜トランジスタ
583 絶縁膜
585 絶縁層
587 電極層
588 電極層
589 球形粒子
590a 黒色領域
590b 白色領域
594 キャビティ
595 充填材
596 基板
600 基板
601 対向基板
602 ゲート配線
603 ゲート配線
604 容量配線
605 容量配線
606 ゲート絶縁膜
607 電極層
608 チャネル保護層
609 共通電位線
611 チャネル保護層
615 容量電極
616 配線
617 容量配線
618 配線
619 配線
620 絶縁膜
621 絶縁膜
622 絶縁膜
623 コンタクトホール
624 画素電極層
625 スリット
626 画素電極層
627 コンタクトホール
628 TFT
629 TFT
630 保持容量部
631 保持容量部
632 遮光膜
633 コンタクトホール
636 着色膜
637 平坦化膜
640 対向電極層
641 スリット
644 突起
646 配向膜
648 配向膜
650 液晶層
651 液層素子
652 液晶素子
690 容量配線
701 酸化物半導体層
703 酸素密度の低い層
705 酸素密度の高い層
707 実線
709 破線
2600 TFT基板
2601 対向基板
2602 シール材
2603 画素部
2604 表示素子
2605 着色層
2606 偏光板
2607 偏光板
2608 配線回路部
2609 フレキシブル配線基板
2610 冷陰極管
2611 反射板
2612 回路基板
2613 拡散板
2700 電子書籍
2701 筐体
2703 筐体
2705 表示部
2707 表示部
2711 軸部
2721 電源
2723 操作キー
2725 スピーカ
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 薄膜トランジスタ
4011 薄膜トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4019 異方性導電膜
4020 絶縁層
4021 絶縁層
4030 画素電極層
4031 対向電極層
4032 絶縁層
4040 導電層
4041a 絶縁層
4041b 絶縁層
4042a 絶縁層
4042b 絶縁層
4501 基板
4502 画素部
4505 シール材
4506 基板
4507 充填材
4509 薄膜トランジスタ
4510 薄膜トランジスタ
4511 発光素子
4512 電界発光層
4513 電極層
4515 接続端子電極
4516 端子電極
4517 電極層
4519 異方性導電膜
4520 隔壁
4540 導電層
4541a 絶縁層
4541b 絶縁層
4542a 絶縁層
4542b 絶縁層
4543 絶縁層
4544 絶縁層
5300 基板
5301 画素部
5302 走査線駆動回路
5303 走査線駆動回路
5304 信号線駆動回路
5305 タイミング制御回路
5601 シフトレジスタ
5602 スイッチング回路
5603 薄膜トランジスタ
5604 配線
5605 配線
6400 画素
6401 スイッチング用トランジスタ
6402 発光素子駆動用トランジスタ
6403 容量素子
6404 発光素子
6405 信号線
6406 走査線
6407 電源線
6408 共通電極
7001 TFT
7002 発光素子
7003 陰極
7004 発光層
7005 陽極
7008 陰極
7009 隔壁
7011 発光素子駆動用TFT
7012 発光素子
7013 陰極
7014 発光層
7015 陽極
7016 遮蔽膜
7017 導電膜
7018 導電膜
7019 隔壁
7021 発光素子駆動用TFT
7022 発光素子
7023 陰極
7024 発光層
7025 陽極
7027 導電膜
7028 導電膜
7029 隔壁
9201 表示部
9202 表示ボタン
9203 操作スイッチ
9204 バンド部
9205 調節部
9206 カメラ部
9207 スピーカ
9208 マイク
9301 上部筐体
9302 下部筐体
9303 表示部
9304 キーボード
9305 外部接続ポート
9306 ポインティングデバイス
9307 表示部
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
9607 表示部
9609 操作キー
9610 リモコン操作機
9700 デジタルフォトフレーム
9701 筐体
9703 表示部
9881 筐体
9882 表示部
9883 表示部
9884 スピーカ部
9885 入力手段(操作キー
9886 記録媒体挿入部
9887 接続端子
9888 センサ
9889 マイクロフォン
9890 LEDランプ
9891 筐体
9893 連結部
9900 スロットマシン
9901 筐体
9903 表示部
4503a 信号線駆動回路
4504a 走査線駆動回路
4518a FPC
Claims (2)
- ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の、酸化珪素を有するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上であって、前記ゲート電極層と重なる領域にI型のチャネル形成領域を有する、In、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の、酸化珪素を有する酸化物絶縁層と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、かつ前記酸化物絶縁層上に設けられた、ソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記ゲート絶縁層は、窒化珪素膜と、前記窒化珪素膜上の酸化珪素膜と、を有し、
前記ゲート電極層の幅は、前記酸化物半導体膜の幅よりも大きく、
前記酸化物絶縁層は、前記酸化物半導体膜の周縁部と重なる領域を有し、
前記酸化物絶縁層は、前記領域において、前記ゲート電極層と重なり、
前記ソース電極層は、前記ゲート電極層、前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体膜、および前記酸化物絶縁層と重なる領域を有し、
前記ドレイン電極層は、前記ゲート電極層、前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体膜、および前記酸化物絶縁層と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体膜のチャネル幅方向の断面において、前記酸化物半導体膜の端部を越えて延在する前記酸化物絶縁層は、前記ゲート絶縁層と接する領域を有する半導体装置。 - ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の、酸化珪素を有するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上であって、前記ゲート電極層と重なる領域にI型のチャネル形成領域を有する、In、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の、酸化珪素を有する酸化物絶縁層と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、かつ前記酸化物絶縁層上に設けられた、ソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ゲート電極層と、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層とが交差する、配線交差部と、を有し、
前記ゲート絶縁層は、窒化珪素膜と、前記窒化珪素膜上の酸化珪素膜と、を有し、
前記ゲート電極層の幅は、前記酸化物半導体膜の幅よりも大きく、
前記酸化物絶縁層は、前記酸化物半導体膜の周縁部と重なる領域を有し、
前記酸化物絶縁層は、前記領域において、前記ゲート電極層と重なり、
前記ソース電極層は、前記ゲート電極層、前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体膜、および前記酸化物絶縁層と重なる領域を有し、
前記ドレイン電極層は、前記ゲート電極層、前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体膜、および前記酸化物絶縁層と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体膜のチャネル幅方向の断面において、前記酸化物半導体膜の端部を越えて延在する前記酸化物絶縁層は、前記ゲート絶縁層と接する領域を有し、
前記配線交差部において、前記ゲート電極層と、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層との間に、前記ゲート絶縁層及び前記酸化物絶縁層を有する半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022120473A JP7304466B2 (ja) | 2009-07-31 | 2022-07-28 | 液晶表示装置 |
JP2023103990A JP2023123675A (ja) | 2009-07-31 | 2023-06-26 | 半導体装置 |
JP2023103887A JP2023130388A (ja) | 2009-07-31 | 2023-06-26 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009179773 | 2009-07-31 | ||
JP2009179773 | 2009-07-31 | ||
JP2019227080A JP6865261B2 (ja) | 2009-07-31 | 2019-12-17 | 液晶表示装置の作製方法、及び液晶表示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019227080A Division JP6865261B2 (ja) | 2009-07-31 | 2019-12-17 | 液晶表示装置の作製方法、及び液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022120473A Division JP7304466B2 (ja) | 2009-07-31 | 2022-07-28 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021106291A JP2021106291A (ja) | 2021-07-26 |
JP7116214B2 true JP7116214B2 (ja) | 2022-08-09 |
Family
ID=43526144
Family Applications (10)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010167799A Active JP5586361B2 (ja) | 2009-07-31 | 2010-07-27 | 半導体装置 |
JP2014148712A Withdrawn JP2014225687A (ja) | 2009-07-31 | 2014-07-22 | 半導体装置 |
JP2016112799A Active JP6306087B2 (ja) | 2009-07-31 | 2016-06-06 | 液晶表示装置及び液晶表示装置の作製方法 |
JP2018040749A Withdrawn JP2018136549A (ja) | 2009-07-31 | 2018-03-07 | 液晶表示装置 |
JP2018231501A Active JP6636126B2 (ja) | 2009-07-31 | 2018-12-11 | 液晶表示装置の作製方法、及び液晶表示装置 |
JP2019227080A Active JP6865261B2 (ja) | 2009-07-31 | 2019-12-17 | 液晶表示装置の作製方法、及び液晶表示装置 |
JP2021064402A Active JP7116214B2 (ja) | 2009-07-31 | 2021-04-05 | 半導体装置 |
JP2022120473A Active JP7304466B2 (ja) | 2009-07-31 | 2022-07-28 | 液晶表示装置 |
JP2023103887A Withdrawn JP2023130388A (ja) | 2009-07-31 | 2023-06-26 | 液晶表示装置 |
JP2023103990A Pending JP2023123675A (ja) | 2009-07-31 | 2023-06-26 | 半導体装置 |
Family Applications Before (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010167799A Active JP5586361B2 (ja) | 2009-07-31 | 2010-07-27 | 半導体装置 |
JP2014148712A Withdrawn JP2014225687A (ja) | 2009-07-31 | 2014-07-22 | 半導体装置 |
JP2016112799A Active JP6306087B2 (ja) | 2009-07-31 | 2016-06-06 | 液晶表示装置及び液晶表示装置の作製方法 |
JP2018040749A Withdrawn JP2018136549A (ja) | 2009-07-31 | 2018-03-07 | 液晶表示装置 |
JP2018231501A Active JP6636126B2 (ja) | 2009-07-31 | 2018-12-11 | 液晶表示装置の作製方法、及び液晶表示装置 |
JP2019227080A Active JP6865261B2 (ja) | 2009-07-31 | 2019-12-17 | 液晶表示装置の作製方法、及び液晶表示装置 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022120473A Active JP7304466B2 (ja) | 2009-07-31 | 2022-07-28 | 液晶表示装置 |
JP2023103887A Withdrawn JP2023130388A (ja) | 2009-07-31 | 2023-06-26 | 液晶表示装置 |
JP2023103990A Pending JP2023123675A (ja) | 2009-07-31 | 2023-06-26 | 半導体装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (10) | US8546180B2 (ja) |
EP (1) | EP2460183A4 (ja) |
JP (10) | JP5586361B2 (ja) |
KR (11) | KR102058329B1 (ja) |
CN (4) | CN104992984B (ja) |
TW (5) | TWI550874B (ja) |
WO (1) | WO2011013561A1 (ja) |
Families Citing this family (93)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2256814B1 (en) * | 2009-05-29 | 2019-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101643835B1 (ko) | 2009-07-10 | 2016-07-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR20120051727A (ko) | 2009-07-31 | 2012-05-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 디바이스 및 그 형성 방법 |
WO2011013523A1 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2011013502A1 (en) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN105097946B (zh) | 2009-07-31 | 2018-05-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
KR20170143023A (ko) * | 2009-10-21 | 2017-12-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작방법 |
WO2011070929A1 (en) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
EP2513966B1 (en) * | 2009-12-18 | 2020-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101850926B1 (ko) | 2010-04-09 | 2018-04-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8895375B2 (en) | 2010-06-01 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor and method for manufacturing the same |
US8735231B2 (en) * | 2010-08-26 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of dual-gate thin film transistor |
JP5775712B2 (ja) * | 2010-10-28 | 2015-09-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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TWI534905B (zh) | 2010-12-10 | 2016-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及顯示裝置之製造方法 |
US8921948B2 (en) | 2011-01-12 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8536571B2 (en) | 2011-01-12 | 2013-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
TWI535032B (zh) | 2011-01-12 | 2016-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
TWI570809B (zh) | 2011-01-12 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US9019440B2 (en) | 2011-01-21 | 2015-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TW202320146A (zh) | 2011-01-26 | 2023-05-16 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI570920B (zh) | 2011-01-26 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
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US9105749B2 (en) | 2011-05-13 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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WO2013005380A1 (en) | 2011-07-01 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI605590B (zh) | 2011-09-29 | 2017-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
JP2013093561A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜及び半導体装置 |
JP6122275B2 (ja) | 2011-11-11 | 2017-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP6076038B2 (ja) | 2011-11-11 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
CN102522411B (zh) * | 2011-12-22 | 2016-02-10 | 深圳莱宝高科技股份有限公司 | 薄膜晶体管、使用该薄膜晶体管的阵列基板及其制作方法 |
JP6059566B2 (ja) | 2012-04-13 | 2017-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR102330543B1 (ko) | 2012-04-13 | 2021-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN102709189A (zh) * | 2012-05-21 | 2012-10-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制作方法及一种阵列基板 |
US9048265B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device comprising oxide semiconductor layer |
US8995607B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
KR102093060B1 (ko) | 2012-07-20 | 2020-03-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치 |
KR102354212B1 (ko) | 2012-08-03 | 2022-01-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6103854B2 (ja) * | 2012-08-10 | 2017-03-29 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタ基板 |
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DE102013216824A1 (de) | 2012-08-28 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
TWI575663B (zh) | 2012-08-31 | 2017-03-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR102679509B1 (ko) | 2012-09-13 | 2024-07-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
TWI600157B (zh) | 2012-11-16 | 2017-09-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR20240105514A (ko) * | 2012-12-25 | 2024-07-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9905585B2 (en) | 2012-12-25 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising capacitor |
KR102305310B1 (ko) | 2012-12-28 | 2021-09-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
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US9231002B2 (en) | 2013-05-03 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
TWI809225B (zh) | 2013-05-16 | 2023-07-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9035301B2 (en) | 2013-06-19 | 2015-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
KR102090713B1 (ko) | 2013-06-25 | 2020-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 패널 및 상기 가요성 표시 패널의 제조 방법 |
KR102143924B1 (ko) * | 2013-07-12 | 2020-08-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
TWI635750B (zh) | 2013-08-02 | 2018-09-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 攝像裝置以及其工作方法 |
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US9590111B2 (en) | 2013-11-06 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
CN104656328B (zh) * | 2013-11-15 | 2017-10-31 | 群创光电股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
KR102248641B1 (ko) * | 2013-11-22 | 2021-05-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
JP6496132B2 (ja) | 2013-12-02 | 2019-04-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9806098B2 (en) * | 2013-12-10 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP6537264B2 (ja) | 2013-12-12 | 2019-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102283806B1 (ko) * | 2013-12-17 | 2021-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US9577110B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device |
JP6506545B2 (ja) | 2013-12-27 | 2019-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10586954B2 (en) | 2014-05-23 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device including secondary battery |
CN104020621B (zh) * | 2014-05-26 | 2017-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
KR102293123B1 (ko) * | 2015-04-08 | 2021-08-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 유기 발광 표시 장치, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102568632B1 (ko) | 2016-04-07 | 2023-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 |
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- 2010-07-14 KR KR1020197013993A patent/KR102058329B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-14 KR KR1020217003865A patent/KR102362616B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-14 KR KR1020197036969A patent/KR20190141791A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-07-14 KR KR1020177017916A patent/KR101799252B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-14 KR KR1020177030607A patent/KR101913995B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-14 KR KR1020207028305A patent/KR102215941B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-14 KR KR1020137020641A patent/KR101541630B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-14 CN CN201510387603.6A patent/CN104992984B/zh active Active
- 2010-07-14 KR KR1020177005878A patent/KR101762101B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-14 KR KR1020127005273A patent/KR101716918B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-14 KR KR1020187030809A patent/KR101981441B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-14 CN CN201510405528.1A patent/CN105070761B/zh active Active
- 2010-07-14 CN CN201310317861.8A patent/CN103489871B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-14 KR KR1020227004403A patent/KR102490468B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-14 CN CN201080034955.9A patent/CN102473735B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-14 WO PCT/JP2010/062287 patent/WO2011013561A1/en active Application Filing
- 2010-07-27 JP JP2010167799A patent/JP5586361B2/ja active Active
- 2010-07-29 US US12/846,534 patent/US8546180B2/en active Active
- 2010-07-29 TW TW099125102A patent/TWI550874B/zh active
- 2010-07-29 TW TW104140308A patent/TWI550880B/zh active
- 2010-07-29 TW TW104112694A patent/TWI511304B/zh active
- 2010-07-29 TW TW104140310A patent/TWI565083B/zh active
- 2010-07-29 TW TW105126910A patent/TWI602307B/zh active
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-
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- 2014-08-29 US US14/472,618 patent/US9224870B2/en active Active
-
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- 2015-06-08 US US14/732,874 patent/US9293601B2/en active Active
-
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