JP7101185B2 - マルチブロックコポリマー形成用触媒系 - Google Patents
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Description
(A)第1のオレフィン重合プロ触媒と、
(B)第2のオレフィン重合プロ触媒と、
(C)チェーンシャトリング剤と、を組み合わせることで得られる混合物または反応生成物を含む、組成物に関し、
第2のオレフィン重合プロ触媒は、式(I)の金属-配位子錯体を含み、
各Z1は、独立して、(C1~C40)炭化水素、(C1~C40)ヘテロ炭化水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、(C1~C40)ヘテロヒドロカルビル、Si(RC1)3、Ge(RC1)3、P(RC1)2、N(RC1)2、ORC1、SRC1、CN、CF3、RC1S(O)-、RC1S(O)2-、(RC1)2C=N-、RC1C(O)O-、RC1OC(O)-、RC1C(O)N(R)-、(RC1)2NC(O)-、ハロゲン原子、または水素原子であり、
各RC1は、独立して、(C1~C30)ヒドロカルビルまたは(C1~C30)ヘテロヒドロカルビルであり、
各MAは、独立して、元素周期表の3~6族または7~9族のうちのいずれか1つの金属であり、金属は、+2、+3、+4、+5、または+6の形式酸化状態にあり、
nnは、1または2の整数であり、
各Q1は、独立して、水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、または(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
Q2、Q3、およびQ4の各々は、独立して、水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、(C1~C40)ヒドロカルビルO-、(C1~C40)ヒドロカルビルS-、(C1~C40)ヒドロカルビルS(O)-、(C1~C40)ヒドロカルビルS(O)2-、((C1~C40)ヒドロカルビル)2N-、((C1~C40)ヒドロカルビル)2P-、または(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
各Q5は、独立して、(C1~C40)ヒドロカルビルまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
Q1およびQ2、Q2およびQ3、Q3およびQ4、ならびにQ4およびQ5は、任意選択で、一緒になって、(C1~C40)ヒドロカルビレンまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビレンを形成するか、あるいはQ1~Q5のうちのいずれか3つまたは4つは、任意選択で、一緒になって、(C1~C40)ヒドロカルビレンまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビレンのそれぞれの三価または四価類似体を形成し、Q1~Q5のうちの残りは、上に定義したとおりであり、
ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、Si(RC1)3、Ge(RC1)3、P(RC1)2、N(RC1)2、ORC1、SRC1、RC1S(O)-、RC1S(O)2-、(RC1)2C=N-、RC1C(O)O-、RC1OC(O)-、RC1C(O)N(R)-、(RC1)2NC(O)-、ヒドロカルビレン、およびヘテロヒドロカルビレン基の各々は、独立して、置換されていないか、または1つ以上のRS置換基で置換されており、
各RSは、独立して、ハロゲン原子、ポリフルオロ置換、ペルフルオロ置換、非置換(C1~C18)アルキル、F3C-、FCH2O-、F2HCO-、F3CO-、オキソ(即ち、=O)、R3Si-、R3Ge-、RO-、RS-、RS(O)-、RS(O)2-、R2P-、R2N-、R2C=N-、NC-、RC(O)O-、ROC(O)-、RC(O)N(R)-、またはR2NC(O)-であるか、あるいはRSのうちの2つは、一緒になって、非置換(C1~C18)アルキレンを形成し、各Rが、独立して、非置換(C1~C18)アルキルであり、
任意選択で、RC1またはRSは、MAとの追加の相互作用を有し得る。
(A)第1のオレフィン重合プロ触媒と、
(B)第2のオレフィン重合プロ触媒と、
(C)チェーンシャトリング剤と、を組み合わせることで得られる混合物または反応生成物を含み、
第2のオレフィン重合プロ触媒は、式(I)の金属-配位子錯体を含む。
(A)第1のオレフィン重合プロ触媒と、
(B)第2のオレフィン重合プロ触媒と、
(C)チェーンシャトリング剤と、を組み合わせることで得られる混合物または反応生成物を含み、
第2のオレフィン重合プロ触媒は、式(I)の金属-配位子錯体を含む。
(A)第1のオレフィン重合プロ触媒と、
(B)第2のオレフィン重合プロ触媒と、
(C)チェーンシャトリング剤と、を含むオレフィン重合触媒系に関し、
第2のオレフィン重合プロ触媒は、式(I)の金属-配位子錯体を含む。
(A)第1のオレフィン重合プロ触媒と、
(B)第2のオレフィン重合プロ触媒と、
(C)チェーンシャトリング剤と、を組み合わせることで得られる混合物または反応生成物を含む組成物と接触させることを含み、
第2のオレフィン重合プロ触媒は、式(I)の金属-配位子錯体を含む。
(A)第1のオレフィン重合プロ触媒と、
(B)第2のオレフィン重合プロ触媒と、
(C)チェーンシャトリング剤と、を組み合わせることで得られる混合物または反応生成物を含む組成物と接触させることを含み、
第2のオレフィン重合プロ触媒は、式(I)の金属-配位子錯体を含む。
(A)第1のオレフィン重合プロ触媒と、
(B)第2のオレフィン重合プロ触媒と、
(C)チェーンシャトリング剤と、を組むオレフィン重合触媒系と接触させることを含み、
第2のオレフィン重合プロ触媒は、式(I)の金属-配位子錯体を含む。
(A)第1のオレフィン重合プロ触媒と、
(B)第2のオレフィン重合プロ触媒と、
(C)チェーンシャトリング剤と、を組むオレフィン重合触媒系と接触させることを含み、
第2のオレフィン重合プロ触媒は、式(I)の金属-配位子錯体を含む。
元素周期表への全ての言及は、CRC Press,Inc.,2003によって出版および著作権保護された元素周期表を指す。また、族(単数または複数)へのいかなる言及も、族の番号付けのためのIUPACシステムを使用するこの元素周期表に反映される族(単数または複数)に対するものとする。相反する記載がない限り、文脈から黙示的でない限り、または当該技術分野で慣習的でない限り、全ての部およびパーセントは重量に基づき、全ての試験方法は本開示の出願日時点で最新のものである。米国特許慣行のため、参照されるいかなる特許、特許出願、または刊行物の内容の全体も、特に合成技術、製品設計および加工設計、ポリマー、触媒、定義(本開示に具体的に提供されるいかなる定義とも矛盾しない程度まで)の開示、ならびに当該技術分野における一般的知識に関して、参照により組み込まれる(またはその米国版に相当するものの全体が、参照によりそのように組み込まれる)。
Xi[n]=(1-pi)pi (n-1)ブロック長の最確分布
Rp[i]=触媒iによるモノマー消費速度(モル/L)、
Rt[i]=触媒iの連鎖移動および停止の合計速度(モル/L)、
Rs[i]=休止ポリマーによる他の触媒へのチェーンシャトリング速度(モル/L)、および
[Ci]=触媒iの濃度(モル/L)。
Rt[i]=θkH2i[H2][Ci]+θkβi[Ci]+θkai[CSA][Ci]
Rs[1]=Rs[2]=θka1[CSA]θka2[C1][C2]。
(A)第1のオレフィン重合プロ触媒と、
(B)等価の重合条件下で第1のオレフィン重合プロ触媒(A)によって調製されるポリマーとは化学的または物理的特性が異なるポリマーを調製することができる第2のオレフィン重合プロ触媒と、
(C)チェーンシャトリング剤と、を組み合わせることで得られる混合物または反応生成物を含み、
ここで、
第1のオレフィン重合プロ触媒のr1(r1A)と、
第2のオレフィン重合プロ触媒のr1(r1B)とは、
重合条件下での反応性比の比(r1A/r1B)が0.5以下(例えば、0.25以下、0.125以下、0.08以下、0.04以下)となるように選択される。
(A)第1のオレフィン重合プロ触媒と、
(B)等価の重合条件下で第1のオレフィン重合プロ触媒(A)によって調製されるポリマーとは化学的または物理的特性が異なるポリマーを調製することができる第2のオレフィン重合プロ触媒と、
(C)チェーンシャトリング剤と、を組み合わせることで得られる混合物または反応生成物を含み、
ここで、
第1のオレフィン重合プロ触媒のr1(r1A)と、
第2のオレフィン重合プロ触媒のr1(r1B)とは、
重合条件下での反応性比の比(r1A/r1B)が0.5以下(例えば、0.25以下、0.125以下、0.08以下、0.04以下)となるように選択される。
(A)第1のオレフィン重合プロ触媒と、
(B)等価の重合条件下で第1のオレフィン重合プロ触媒(A)によって調製されるポリマーとは化学的または物理的特性が異なるポリマーを調製することができる第2のオレフィン重合プロ触媒と、
(C)チェーンシャトリング剤と、を組み合わせることで得られる混合物または反応生成物を含み、
第1のオレフィン重合プロ触媒から得られるコポリマーのモルパーセントでのコモノマー含有量(F1)と、
第2のオレフィン重合プロ触媒から得られるコポリマーのモルパーセントでのコモノマー含有量(F2)とは、
重合条件下での比(F1/F2)が2以上(例えば、4以上、10以上、15以上、および20以上)になるように選択される。
(A)第1のオレフィン重合プロ触媒と、
(B)等価の重合条件下で第1のオレフィン重合プロ触媒(A)によって調製されるポリマーとは化学的または物理的特性が異なるポリマーを調製することができる第2のオレフィン重合プロ触媒と、
(C)チェーンシャトリング剤と、を組み合わせるステップであって、
第1のオレフィン重合プロ触媒から得られるコポリマーのモルパーセントでのコモノマー含有量(F1)と、
第2のオレフィン重合プロ触媒から得られるコポリマーのモルパーセントでのコモノマー含有量(F2)とは、
重合条件下での比(F1/F2)が2以上(例えば、4以上、10以上、15以上、および20以上)になるように選択される、ステップと、
ポリマー生成物を回収するステップと、を含む。
本開示のオレフィンブロックコポリマーまたはマルチブロックコポリマーの調製における使用に好適なモノマーには、エチレンおよびエチレン以外の1つ以上の付加重合性モノマー(即ち、コモノマー)が含まれる。好適なコモノマーの例としては、3~30個、好ましくは3~20個の炭素原子の直鎖または分岐α-オレフィン、例えば、プロピレン、1-ブテン、1-ペンテン、3-メチル-1-ブテン、1-ヘキセン、4-メチル-l-ペンテン、3-メチル-1-ペンテン、1-オクテン、1-デセン、1-ドデセン、1-テトラデセン、1-ヘキサデセン、1-オクタデセン、および1-エイコセン;3~30個、好ましくは3~20個の炭素原子のシクロオレフィン、例えば、シクロペンテン、シクロヘプテン、ノルボルネン、5-メチル-2-ノルボルネン、テトラシクロドデセン、および2-メチル-1,4,5,8-ジメタノ-l,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロ-ナフタレン;ジおよびポリオレフィン、例えば、ブタジエン、イソプレン、4-メチル-1,3-ペンタジエン、1,3-ペンタジエン、1,4-ペンタジエン、1,5-ヘキサジエン、1,4-ヘキサジエン、1,3-ヘキサジエン、1,3-オクタジエン、1,4-オクタジエン、1,5-オクタジエン、1,6-オクタジエン、1,7-オクタジエン、エチリデンノルボルネン、ビニルノルボルネン、ジシクロペンタジエン、7-メチル-1,6-オクタジエン、4-エチリデン-8-メチル-1,7-ノナジエン、および5,9-ジメチル,4,8-デカトリエン;芳香族ビニル化合物、例えば、モノまたはポリアルキルスチレン(スチレン、o-メチルスチレン、m-メチルスチレン、p-メチルスチレン、o,p-ジメチルスチレン、o-エチルスチレン、m-エチルスチレン、およびp-エチルスチレンを含む)、ならびに官能基含有誘導体、例えば、メトキシスチレン、エトキシスチレン、ビニル安息香酸、ビニル安息香酸メチル、酢酸ビニルベンジル、ヒドロキシスチレン、o-クロロスチレン、p-クロロスチレン、ジビニルベンゼン、3-フェニルプロペン、4-フェニルプロペン、α-メチルスチレン、塩化ビニル、1,2-ジフルオロエチレン、1,2-ジクロロエチレン、テトラフルオロエチレン、および3,3,3-トリフルオロ-l-プロペンが挙げられる。
「シャトリング剤」という用語は、重合条件下で、組成物/触媒系/プロセスに含まれる触媒の少なくとも2つの活性触媒部位の間でポリメリル交換を引き起こすことができる、本開示の組成物/触媒系/プロセスに用いられる化合物または化合物の混合物を指す。即ち、ポリマー断片の移動は、活性触媒部位のうちの1つ以上に対しておよびそれらからの両方で起こる。シャトリング剤とは対照的に、「連鎖移動剤」は、ポリマー鎖の成長の停止を引き起こし、触媒から移動剤への成長ポリマーの1回の移動に相当する。好ましくは、シャトリング剤は、0.01~100、より好ましくは0.1~10、最も好ましくは0.5~2.0、最も極めて好ましくは0.8~1.2の活性比RA-B/RB-Aを有する。RA-Bは、シャトリング剤を介した触媒A活性部位から触媒B活性部位へのポリマー移動速度であり、RB-Aは、逆ポリマー移動速度、即ち、シャトリング剤を介した触媒B活性から始まる触媒A活性部位への交換速度である。望ましくは、シャトリング剤とポリメリル鎖との間に形成される中間体は、連鎖停止が比較的まれであるように、十分に安定である。望ましくは、3つの区別可能なポリマーセグメントまたはブロックを達成する前に、シャトル-ポリマー生成物の90パーセント未満、好ましくは75パーセント未満、より好ましくは50パーセント未満、最も望ましくは10パーセント未満が停止される。理想的には、チェーンシャトリングの速度(ポリマー鎖を触媒部位からチェーンシャトリング剤に、次に触媒部位に戻して移動させるのに必要な時間によって定義される)は、ポリマー停止の速度と同等、またはそれよりも速く、さらには最大でポリマーの停止速度よりも10倍、またはさらには100倍速い。これにより、ポリマーの伝播と同じ時間スケールでポリマーブロックが形成されるようになる。
本開示の第1のオレフィン重合プロ触媒(A)の範囲内にある好適なプロ触媒には、所望の組成または種類のポリマーの調製に適合し、チェーンシャトリングによる可逆的連鎖移動が可能な以下で考察する触媒/錯体が含まれる。上述のように、本明細書で使用される「プロ触媒」、「触媒」、「金属錯体」、および「錯体」という用語は、交換可能であるものとする。ある特定の実施形態では、第1のオレフィン重合プロ触媒(A)は、本開示のオレフィンブロックコポリマーのソフトブロック/セグメント触媒(即ち、高いコモノマー組み込み剤)である。
Mは、元素周期表の3~15族、好ましくは3~10族、より好ましくは4~10族、最も好ましくは4族から選択される金属であり、
Kは、出現ごとに独立して、それを介してKがMに結合される非局在化π電子または1以上の電子対を含有する基であり、該K基は、水素原子を含まない最大50個の原子を含有し、任意選択で、2つ以上のK基は、一緒になって接合して架橋構造を形成してもよく、さらに任意選択で1個以上のK基は、Z、X、またはZとXの両方に結合してもよく、
Xは、出現ごとに独立して、最大40個の非水素原子を有する一価のアニオン性部分であり、任意選択で1つ以上のX基が一緒になって結合することによって二価または多価アニオン基を形成してもよく、さらに任意選択で、1つ以上のX基および1つ以上のZ基が一緒になって結合することによって、Mに共有結合し、かつそれに配位している部分を形成してもよく、あるいは2つのX基が一緒になって、最大40個の非水素原子の二価アニオン性配位子基を形成するか、あるいは一緒に非局在化π電子によってMに結合した4~30個の非水素原子を有する共役ジエンであり、その際、Mは、+2形式的な酸化状態にあり、
Zは、出現ごとに独立して、ZがMに配位する少なくとも1つの非共有電子対を含有する最大50個の非水素原子の中性ルイス塩基ドナー配位子であり、
kは、0~3の整数であり、xは、1~4の整数であり、Zは、0~3の数であり、
和、k+xは、Mの形式的酸化状態に等しい。
本明細書における使用に好適な遷移金属錯体は、式:MKkXxZzまたはその二量体に対応し、式中、
Mは、4族の金属であり、
Kは、KがMに結合される非局在化π電子を含有する基であり、該K基は、水素原子を含まない最大50個の原子を含有し、任意選択で、2つのK基は、一緒になって接合して架橋構造を形成してもよく、さらに任意選択で1個のK基は、XまたはZに結合してもよく、
Xは、出現ごとに、最大40個の非水素原子を有する一価のアニオン性部分であり、任意選択で1つ以上のXおよび1つ以上のK基は、一緒になって結合して金属環を形成し、さらに任意選択で1つ以上のX基および1つ以上のZ基は一緒になって結合することによって、Mに共有結合し、かつそれに配位している部分を形成する。
Zは、出現ごとに独立して、ZがMに配位する少なくとも1つの非共有電子対を含有する最大50個の非水素原子の中性ルイス塩基ドナー配位子であり、
kは、0~3の整数であり、xは、1~4の整数であり、Zは、0~3の数であり、かつ和、k+xは、Mの形式的な酸素状態に等しい。
Mは、+2または+4の形式酸化状態にあるチタン、ジルコニウムまたはハフニウム、好ましくはジルコニウムまたはハフニウムであり;R3は、出現ごとに独立して、水素、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、シアノ、ハロおよびそれらの組み合わせからなる群から選択され、該R3は、20個の非水素原子を有し、または隣接R3基が一緒になって二価誘導体(即ち、ヒドロカルバジイル、シラジイルまたはゲルマジイル基)を形成し、それにより縮合環系を形成し、
X”は、出現ごとに独立して、40個までの非水素原子のアニオン性配位子基であり、または、2つのX”基が一緒になって最大40個の非水素原子の二価アニオン性配位子基を形成し、もしくは一緒になって、非局在化π電子によりMに結合した4~30個の非水素原子を有する共役ジエンであり、Mは、+2の形式酸化状態にあり、
R’、E、およびeは、先に定義したとおりである。
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルベンジル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルフェニル、ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジフェニル、
ビス(シクロペンタジエニル)チタン-アリル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルメトキシド、ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルクロリド、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)チタンジメチル、
ビス(インデニル)ジルコニウムジメチル、
インデニルフルオレニルジルコニウムジメチル、
ビス(インデニル)ジルコニウムメチル(2-(ジメチルアミノ)ベンジル)、ビス(インデニル)ジルコニウムメチルトリメチルシリル、ビス(テトラヒドロインデニル)ジルコニウムメチルトリメチルシリル、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルベンジル、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルメトキシド、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルクロリド、ビス(メチルエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、ビス(ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、
ビス(t-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、ビス(エチルテトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、ビス(メチルプロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、ビス(トリメチルシリルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、ジメチルシリルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシリルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、ジメチルシリルビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)チタン(III)アリル、
ジメチルシリルビス(t-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリルビス(n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、
(ジメチルシリルビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)チタン(III)2-(ジメチルアミノ)ベンジル、
(ジメチルシリルビス(n-ブチルシクロペンタジエニル)チタン(III)2-(ジメチルアミノ)ベンジル、ジメチルシリルビス(インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシリルビス(インデニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(2-メチルインデニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(2-メチル-4-フェニルインデニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(2-メチルインデニル)ジルコニウム-1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、ジメチルシリルビス(2-メチル-4-フェニルインデニル)ジルコニウム(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、ジメチルシリルビス(4,5,6,7-テトラヒドロインデン-l-イル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシリルビス(4,5,6,7-テトラヒドロインデン-l-イル)ジルコニウムジメチル、ジメチルシリルビス(テトラヒドロインデニル)ジルコニウム(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、ジメチルシリルビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、ジメチルシリルビス(フルオレニル)ジルコニウムジメチル、ジメチルシリルビス(テトラヒドロフルオレニル)ジルコニウムビス(トリメチルシリル)、エチレンビス(インドニル)ジルコニウムジクロリド、
エチレンビス(インデニル)ジルコニウムジメチル、
エチレンビス(4,5,6,7-テトラヒドロインデニル)ジルコニウムジクロリド、
エチレンビス(4,5,6,7-テトラヒドロインデニル)ジルコニウムジメチル、
(イソプロピリデン)(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)ジルコニウムジベンジル、およびジメチルシリル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(フルオレニル)ジルコニウムジメチル。
K1は、1~5個のR2基で任意選択で置換された非局在化π結合配位子基であり、
R2は、出現ごとに独立して、水素、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、シアノ、ハロおよびそれらの組み合わせからなる群から選択され、該R2は、20個までの非水素原子を有し、または、隣接R2基が一緒になって二価誘導体(即ち、ヒドロカルバジイル、シラジイルまたはゲルマジイル基)を形成し、それにより縮合環系を形成し、
各Xは、ハロ、ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシまたはシリル基であり、該基は、20個までの非水素原子を有し、または、2個のX基が一緒になって中性C5~30共役ジエンもしくはその二価誘導体を形成し、
xは、1または2であり、
Yは、-O-、-S-、-NR’-、-PR’-であり、
X’は、SiR’2、CR’2、SiR’2SiR’2、CR’2CR’2、CR’=CR’、CR’2SiR’2、またはGeR’2であり、式中、
R’は、出現ごとに独立して、水素、またはシリル、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、およびそれらの組み合わせから選択される基であり、該R’は、最大30個の炭素原子またはケイ素原子を有する。
Arは、水素を含まない6~30個の原子のアリール基であり、
R4は、出現ごとに独立して、水素、Ar、または、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルゲルミル、ハライド、ヒドロカルビルオキシ、トリヒドロカルビルシロキシ、ビス(トリヒドロカルビルシリル)アミノ、ジ(ヒドロカルビル)アミノ、ヒドロカルバジイルアミノ、ヒドロカルビルイミノ、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ、ヒドロカルバジイルホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ置換ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル置換ヒドロカルビル、ビス(トリヒドロカルビルシリル)アミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)アミノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンホスフィノ置換ヒドロカルビル、もしくはヒドロカルビルスルフィド置換ヒドロカルビルから選択されるAr以外の基であり、該R基は、水素原子を含まない40個までの原子を有し、任意選択で2つの隣接R4基が一緒になって接合して多環式縮合環基を形成してもよく、
Mは、チタンであり、
X’は、SiR6 2、CR6 2、SiR6 2SiR6 2、CR6 2CR6 2、CR6=CR6、CR6 2SiR6 2、BR6、BR6L’’、またはGeR6 2であり、
Yは、-O-、-S-、-NR5-、-PR5-、-NR5 2、または-PR5 2であり、
R5は、出現ごとに独立して、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、またはトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビルであり、該R5は、水素以外の20個までの原子を有し、任意選択で2つのR5基またはR5とYまたはZとが一緒になって環系を形成し、
R6は、出現ごとに独立して、水素、またはヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、シリル、ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリール、-NR5 2およびそれらの組み合わせから選択されるメンバーであり、該R6は、20個までの非水素原子を有し、任意選択で2つのR6基またはR6とZとが一緒になって環系を形成し、
Zは、任意選択でR5、R6、またはXに結合した中性ジエンまたは単座もしくは多座ルイス塩基であり、
Xは、水素原子、水素原子を含まない最大60個の原子を有する一価のアニオン性配位子基、または2つのX基が、一緒になって接合されることで、二価配位子基を形成し、
xは、1または2であり、
zは、0、1、または2である。
(3-フェニルシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3-フェニルシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3-フェニルシクロペンタジエン-l-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタン(II)l,3-ジフェニル-l,3-ブタジエン、
(3-(ピロール-1-イル)シクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3-(ピロール-1-イル)シクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3-(ピロール-1-イル)シクロペンタジエン-1-イル))ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタンジエン;
(3-(1-メチルピロール-3-イル)シクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3-(1-メチルピロール-3-イル)シクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3-(1-メチルピロール-3-イル)シクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン;
(3,4-ジフェニルシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3,4-ジフェニルシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3,4-ジフェニルシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタン(II)1,3-ペンタジエン、
(3-(3-N,N-ジメチルアミノ)フェニル)シクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3-(3-N,N-ジメチルアミノ)フェニルシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3-(3-N,N-ジメチルアミノ)フェニルシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
(3-(4-メトキシフェニル)-4-メチルシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3-(4-メトキシフェニル)-4-フェニルシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3-4-メトキシフェニル)-4-フェニルシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン;
(3-フェニル-4-メトキシシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3-フェニル-4-メトキシシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3-フェニル-4-メトキシシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
(3-フェニル-4-(N,N-ジメチルアミノ)シクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3-フェニル-4-(N,N-ジメチルアミノ)シクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3-フェニル-4-(N,N-ジメチルアミノ)シクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
2-メチル-(3,4-ジ(4-メチルフェニル)シクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
2-メチル-(3,4-ジ(4-メチルフェニル)シクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジメチル、
2-メチル-(3,4-ジ(4-メチルフェニル)シクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
((2,3-ジフェニル)-4-(N,N-ジメチルアミノ)シクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
((2,3-ジフェニル)-4-(N,N-ジメチルアミノ)シクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジメチル、
((2,3-ジフェニル)-4-(N,N-ジメチルアミノ)シクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
(2,3,4-トリフェニル-5-メチルシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(2,3,4-トリフェニル-5-メチルシクロペンタジエン-l-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(2,3,4-トリフェニル-5-メチルシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
(3-フェニル-4-メトキシシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3-フェニル-4-メトキシシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3-フェニル-4-メトキシシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
(2,3-ジフェニル-4-(n-ブチル)シクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(2,3-ジフェニル-4-(n-ブチル)シクロペンタジエン-l-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(2,3-ジフェニル-4-(n-ブチル)シクロペンタジエン-l-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
(2,3,4,5-テトラフェニルシクロペンタジエン-l-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(2,3,4,5-テトラフェニルシクロペンタジエン-1-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタンジメチル、および(2,3,4,5-テトラフェニルシクロペンタジエン-l-イル)ジメチル(t-ブチルアミド)シランチタン(II)1,4-ジフェニル-l,3-ブタジエン。
R7は、出現ごとに独立して、水素化物、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、ハライド、ヒドロカルビルオキシ、ヒドロカルビルシロキシ、ヒドロカルビルシリルアミノ、ジ(ヒドロカルビル)アミノ、ヒドロカルビレンアミノ、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ、ヒドロカルビレン-ホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ置換ヒドロカルビル、シリル置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシロキシ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリルアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)アミノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレン-ホスフィノ置換ヒドロカルビル、またはヒドロカルビルスルフィド置換ヒドロカルビルであり、該R7基は、水素を含まない40個までの原子を有し、任意選択で2つ以上の前述の基が一緒になって二価誘導体を形成してもよく、
R8は、金属錯体の残りの部分と縮合系を形成する二価ヒドロカルビレンまたは置換ヒドロカルビレン基であり、該R8は、水素を含まない1~30個の原子を含み、
Xaは、二価部分、または1つのσ結合およびMと配位共有結合を形成することができる中性の2つの電子対とを含む部分であり、該Xaは、ホウ素、または元素周期表の14族のメンバーを含み、またさらに窒素、リン、硫黄または酸素を含み、
Xは、環式、非局在化、π結合配位子基である配位子のクラスを除く60個までの原子を有する一価のアニオン性配位子基であり、任意選択で2つのX基が一緒になって二価配位子基を形成し、
Zは、出現ごとに独立して、最大20個の原子を有する中性配位化合物であり、
xは、0、1、または2であり、
zは、ゼロまたは1である。
(8-メチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-l-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
(8-メチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-1-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,3-ペンタジエン、
(8-メチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-1-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(III)2-(N,N-ジメチルアミノ)ベンジル、
(8-メチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-1-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジクロリド、
(8-メチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-1-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジメチル、
(8-メチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-1-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジベンジル、
(8-ジフルオロメチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-1-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタンジエン、
(8-メチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-1-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,3-ペンタジエン、
(8-ジフルオロメチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-1-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(III)2-(N,N-ジメチルアミノ)ベンジル、
(8-ジフルオロメチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-1-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジクロリド、
(8-ジフルオロメチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-1-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジメチル、
(8-ジフルオロメチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-1-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジベンジル、
(8-メチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-2-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
(8-メチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-2-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,3-ペンタジエン、
(8-メチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-2-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(III)2-(N,N-ジメチルアミノ)ベンジル、
(8-メチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-2-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジクロリド、
(8-メチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-2-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジメチル、
(8-メチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-2-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジベンジル、
(8-ジフルオロメチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-2-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)l,4-ジフェニル-l,3-ブタンジエン、
(8-ジフルオロメチレン-l,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-2-イル)-N-(l,l-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,3-ペンタジエン、
(8-ジフルオロメチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-2-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(III)2-(N,N-ジメチルアミノ)ベンジル、
(8-ジフルオロメチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-2-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジクロリド、
(8-ジフルオロメチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-2-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジメチル、
(8-ジフルオロメチレン-1,8-ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン-2-イル)-N-(1,1-ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジベンジル、およびこれらの混合物、特に位置異性体の混合物。
式中、Mは、+2、+3、または+4のホルマール酸化状態のチタンであり、
Tは、-NR9-または-O-であり、
R9は、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、ジヒドロカルビルボリル、もしくはハロヒドロカルビル、または水素を含まない10個までの原子であり、
R10は、出現ごとに独立して、水素、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルシリルヒドロカルビル、ゲルミル、ハライド、ヒドロカルビルオキシ、ヒドロカルビルシロキシ、ヒドロカルビルシリルアミノ、ジ(ヒドロカルビル)アミノ、ヒドロカルビレンアミノ、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ置換ヒドロカルビル、シリル置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシロキシ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリルアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)アミノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンホスフィノ置換ヒドロカルビル、またはヒドロカルビルスルフィド置換ヒドロカルビルであり、該R10基は、水素原子を含まない40個までの原子を有し、任意選択で2つ以上の前述の隣接R10基が一緒になって二価誘導体を形成し、それにより飽和または不飽和縮合環を形成してもよく、
Xaは、非局在化π電子を欠く二価部分、または1つのσ結合およびMと配位共有結合を形成することができる中性の2つの電子対とを含むそのような部分であり、該Xaは、ホウ素、また元素の周期表の14族のメンバーを含み、またさらに窒素、リン、硫黄または酸素を含み、
Xは、非局在化π電子を介してMに結合した環式配位子基である配位子のクラスを除く60個までの原子を有する一価のアニオン性配位子基であるか、または2つのX基が一緒になって二価のアニオン性配位子基であり、
Zは、出現ごとに独立して、最大20個の原子を有する中性配位化合物であり、
xは、0、1、2、または3であり、
zは、0または1である。
(t-ブチルアミド)ジメチル-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(II)l,4-ジフェニル-l,3-ブタジエン、
(t-ブチルアミド)ジメチル-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(II)1,3-ペンタジエン、
(t-ブチルアミド)ジメチル-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(III)2-(N,N-ジメチルアミノ)ベンジル、
(t-ブチルアミド)ジメチル-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(IV)ジクロリド、
(t-ブチルアミド)ジメチル-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(IV)ジメチル、
(t-ブチルアミド)ジメチル-[6J]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(IV)ジベンジル、
(t-ブチルアミド)ジメチル-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(IV)ビス(トリメチルシリル)、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(II)1,3-ペンタジエン、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(III)2-(N,N-ジメチルアミノ)ベンジル、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(IV)ジクロリド、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(IV)ジメチル、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(IV)ジベンジル、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(IV)ビス(トリメチルシリル)、
(t-ブチルアミド)ジ(p-メチルフェニル)-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
(t-ブチルアミド)ジ(p-メチルフェニル)-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(II)1,3-ペンタジエン、
(t-ブチルアミド)ジ(p-メチルフェニル)-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(III)2-(N,N-ジメチルアミノ)ベンジル、
(t-ブチルアミド)ジ(p-メチルフェニル)-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(IV)ジクロリド、
(t-ブチルアミド)ジ(p-メチルフェニル)-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(IV)ジメチル、
(t-ブチルアミド)ジ(p-メチルフェニル)-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(IV)ジベンジル、
(t-ブチルアミド)ジ(p-メチルフェニル)-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(IV)ビス(トリメチルシリル)、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p-メチルフェニル)-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p-メチルフェニル)-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(II)1,3-ペンタジエン、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p-メチルフェニル)-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(III)2-(N,N-ジメチルアミノ)ベンジル、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p-メチルフェニル)-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(IV)ジクロリド、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p-メチルフェニル)-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(IV)ジメチル、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p-メチルフェニル)-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(IV)ジベンジル、および
(シクロヘキシルアミド)ジ(p-メチルフェニル)-[6,7]ベンゾ-[4,5:2’,3’](l-メチルイソインドール)-(3H)-インデン-2-イル)シランチタン(IV)ビス(トリメチルシリル)。
(tert-ブチルアミド)(1,1-ジメチル-2,3,4,9,10-η-1,4,5,6,7,8-ヘキサヒドロナフタレニル)ジメチルシランチタンジメチル
(tert-ブチルアミド)(1,1,2,3-テトラメチル-2,3,4,9,10-η-1,4,5,6,7,8-ヘキサヒドロナフタレニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタンジベンジル、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)-1,2-エタンジイルチタンジメチル、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-インデニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(III)2-(ジメチルアミノ)ベンジル、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(III)アリル、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(III)2,4-ジメチルペンタジエニル、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(II)1,3-ペンタジエン、
(tert-ブチルアミド)(2-メチルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
(tert-ブチルアミド)(2-メチルインデニル)ジメチルシランチタン(II)2,4-ヘキサジエン、
(tert-ブチルアミド)(2-メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)2,3-ジメチル-1,3-ブタジエン、
(tert-ブチルアミド)(2-メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)イソプレン、
(tert-ブチルアミド)(2-メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)1,3-ブタジエン、
(tert-ブチルアミド)(2,3-ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)2,3-ジメチル-1,3-ブタジエン、
(tert-ブチルアミド)(2,3-ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)イソプレン、
(tert-ブチルアミド)(2,3-ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)ジメチル、
(tert-ブチルアミド)(2,3-ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)ジベンジル、
(tert-ブチルアミド)(2,3-ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)1,3-ブタジエン、
(tert-ブチルアミド)(2,3-ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,3-ペンタジエン、
(tert-ブチルアミド)(2,3-ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
(tert-ブチルアミド)(2-メチルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,3-ペンタジエン、
(tert-ブチルアミド)(2-メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)ジメチル、
(tert-ブチルアミド)(2-メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)ジベンジル、
(tert-ブチルアミド)(2-メチル-4-フェニルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
(tert-ブチルアミド)(2-メチル-4-フェニルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,3-ペンタジエン、
(tert-ブチルアミド)(2-メチル-4-フェニルインデニル)ジメチルシランチタン(II)2,4-ヘキサジエン、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)ジメチル-シランチタン(IV)1,3-ブタジエン、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(IV)2,3-ジメチル-1,3-ブタジエン、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(IV)イソプレン、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)ジメチル-シランチタン(II)1,4-ジベンジル-1,3-ブタジエン、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(II)2,4-ヘキサジエン、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)ジメチル-シランチタン(II)3-メチル-1,3-ペンタジエン、
(tert-ブチルアミド)(2,4-ジメチルペンタジエン-3-イル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert-ブチルアミド)(6,6-ジメチルシクロヘキサジエニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert-ブチルアミド)(1,1-ジメチル-2,3,4,9,10-η-1,4,5,6,7,8-ヘキサヒドロナフタレン-4-イル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert-ブチルアミド)(1,1,2,3-テトラメチル-2,3,4,9,10-η-1,4,5,6,7,8-ヘキサヒドロナフタレン-4-イル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニルメチルフェニルシランチタン(IV)ジメチル、
(tert-ブチルアミド)(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニルメチルフェニルシランチタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、
1-(tert-ブチルアミド)-2-(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)エタンジイルチタン(IV)ジメチル、および
1-(tert-ブチルアミド)-2-(テトラメチル-η5-シクロペンタジエニル)エタンジイル-チタン(II)1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン。
XbおよびYbは、各々独立して、窒素、硫黄、酸素およびリンからなる群から選択され、より好ましくは、XbおよびYbの両方が窒素であり、
RbおよびRb’は、出現ごとに独立して、水素または1個以上のヘテロ原子を任意選択で含むC1~50ヒドロカルビル基もしくはそれらの不活性に置換された誘導体である。好適なRbおよびRb’基の非限定的な例には、アルキル、アルケニル、アリール、アラルキル、(ポリ)アルキルアリール、およびシクロアルキル基、ならびにそれらの窒素、リン、酸素、およびハロゲン置換誘導体が挙げられる。好適なRbおよびRb’基の具体例には、メチル、エチル、イソプロピル、オクチル、フェニル、2,6-ジメチルフェニル、2,6-ジ(イソプロピル)フェニル、2,4,6-トリメチルフェニル、ペンタフルオロフェニル、3,5-トリフルオロメチルフェニル、およびベンジルが挙げられ、
gおよびg’は、各々独立して、0または1であり、
Mbは、元素周期表の3~15族、またはランタニド系列から選択される金属元素である。好ましくは、Mbは、3~13族金属であり、より好ましくは、Mbは、4~10族金属であり、
Lbは、水素を含まない1~50個の原子を含む一価、二価、または三価のアニオン性配位子である。好適なLb基の例には、ハライド;水素化物;ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、ジ(ヒドロカルビル)アミド、ヒドロカルビレンアミド、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィド、ヒドロカルビルスルフィド;ヒドロカルビルオキシ、トリ(ヒドロカルビルシリル)アルキル;およびカルボキシレートが含まれる。より好ましいLb基は、C1~20アルキル、C7~20アラルキル、およびクロリドであり、
hおよびh’は、各々独立して、1~6、好ましくは1~4、より好ましくは1~3の整数であり、jは、1または2であり、h×jの値は、電荷平衡を提供するように選択され、
Zbは、Mbに配位した中性配位子基であり、水素を含まない原子を50個まで含有する。好ましいZb基には、脂肪族および芳香族アミン、ホスフィン、ならびにエーテル、アルケン、アルカジエン、およびそれらの不活性に置換された誘導体が含まれる。好適な不活性に置換された基には、ハロゲン、アルコキシ、アリールオキシ、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、ジ(ヒドロカルビル)アミン、トリ(ヒドロカルビル)シリル、およびニトリル基が含まれる。好ましいZb基には、トリフェニルホスフィン、テトラヒドロフラン、ピリジン、および1,4-ジフェニルブタジエンが含まれ、
fは、1~3の整数であり、
Tb、Rb、およびRb’のうちの2つまたは3つは、一緒になって接合して、単一または複数の環構造を形成してもよく、
hは、1~6、好ましくは1~4、より好ましくは1~3の整数であり、
各Rdは、C1~10ヒドロカルビル基、好ましくはメチル、エチル、n-プロピル、i-プロピル、t-ブチル、フェニル、2,6-ジメチルフェニル、ベンジル、またはトリルである。各Reは、C1~10ヒドロカルビル、好ましくはメチル、エチル、n-プロピル、i-プロピル、t-ブチル、フェニル、2,6-ジメチルフェニル、ベンジル、またはトリルである。さらに、2つ以上のRdもしくはRe基、またはRdおよびRe基の混合物が一緒になってヒドロカルビル基の多価誘導体、例えば1,4-ブチレン、1,5-ペンチレン、または多環式基、縮合環、多価ヒドロカルビルまたはヘテロヒドロカルビル基、例えばナフタレン-1,8-ジイルを形成してもよい。
d’は、4であり、
Mb’は、4族金属、好ましくはチタンもしくはハフニウム、または10族金属、好ましくはNiもしくはPdであり、
Lb’は、水素を含まない50個までの原子の一価配位子、好ましくはハライドもしくはヒドロカルビルであるか、または2つのLb’基が一緒になって二価もしくは中性配位子基、好ましくはC2~50ヒドロカルビレン、ヒドロカルバジイルもしくはジエン基である。
R11は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリール、および水素を含まない1~30個の原子を含むそれらの不活性に置換された誘導体またはそれらの二価誘導体から選択され、
T1は、水素以外の1~41個の原子、好ましくは水素以外の1~20個の原子の二価架橋基、最も好ましくはモノ-またはジ-C1~20ヒドロカルビル置換メチレンまたはシラン基であり、
R12は、ルイス塩基官能基を含むC5~20ヘテロアリール基、特にピリジン-2-イル-もしくは置換ピリジン-2-イル基、またはそれらの二価誘導体であり、
M1は、4族金属、好ましくはハフニウムであり、
X1は、アニオン性、中性またはジアニオン性の配位子基であり、
x’は、そのようなX1基の数を示す0~5の数であり、結合、任意選択の結合および電子供与性相互作用は、それぞれ線、点線および矢印で表される。
R13、R14、R15およびR16は、水素、ハロ、または水素を含まない20個までの原子のアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、もしくはシリル基であり、または隣接するR13、R14、R15、またはR16基が、一緒になって接合して縮合環誘導体を形成してもよく、結合、任意選択の結合、および電子対供与性相互作用は、それぞれ線、点線、および矢印で表される。前述の金属錯体の好適例は、以下の式に対応し:
M1、X1、およびx’は、以前に定義されたとおりであり、
R13、R14、R15およびR16は、以前に定義されたとおりであり、好ましくは、R13、R14、およびR15は、水素、またはC1~4アルキルであり、R16は、C6~20アリール、最も好ましくはナフタレニルであり、
Raは、出現ごとに独立して、C1~4アルキルであり、aは、1~5であり、最も好ましくは、窒素への2つのオルト位置のRaは、イソプロピルまたはt-ブチルであり、
R17およびR18は、出現ごとに独立して、水素、ハロゲン、またはC1~20アルキルもしくはアリール基であり、最も好ましくは、R17およびR18の一方が水素であり、他方がC6~20アリール基、特に2-イソプロピル、フェニルまたは縮合多環式アリール基、最も好ましくはアントラセニル基であり、結合、任意選択の結合および電子対供与性相互作用は、それぞれ線、点線および矢印で表される。
Rfは、出現ごとに独立して、水素、ハロゲン、C1~20アルキル、もしくはC6~20アリールであるか、または2つの隣接するRf基が一緒になって接合して環を形成し、fは1~5であり、
Rcは、出現ごとに独立して、水素、ハロゲン、C1~20アルキル、もしくはC6~20アリールであるか、または2つの隣接するRc基が一緒になって接合して環を形成し、cは1~5である。
X1は、出現ごとに、ハライド、N,N-ジメチルアミド、またはC1~4アルキル、好ましくはメチルである。
[N-(2,6-ジ(l-メチルエチル)フェニル)アミド)(o-トリル)(α-ナフタレン-2-ジイル(6-ピリジン-2-ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル、
[N-(2,6-ジ(l-メチルエチル)フェニル)アミド)(o-トリル)(α-ナフタレン-2-ジイル(6-ピリジン-2-ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N-ジメチルアミド)、
[N-(2,6-ジ(l-メチルエチル)フェニル)アミド)(o-トリル)(α-ナフタレン-2-ジイル(6-ピリジン-2-ジイル)メタン)]ハフニウムジクロリド、
[N-(2,6-ジ(l-メチルエチル)フェニル)アミド)(2-イソプロピルフェニル)(α-ナフタレン-2-ジイル(6-ピリジン-2-ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル、
[N-(2,6-ジ(l-メチルエチル)フェニル)アミド)(2-イソプロピルフェニル)(α-ナフタレン-2-ジイル(6-ピリジン-2-ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N-ジメチルアミド)、
[N-(2,6-ジ(1-メチルエチル)フェニル)アミド)(2-イソプロピルフェニル)(α-ナフタレン-2-ジイル(6-ピリジン-2-ジイル)メタン)]ハフニウムジクロリド、
[N-(2,6-ジ(l-メチルエチル)フェニル)アミド)(フェナントレン-5-イル)(α-ナフタレン-2-ジイル(6-ピリジン-2-ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル、
[N-(2,6-ジ(l-メチルエチル)フェニル)アミド)(フェナントレン-5-イル)(α-ナフタレン-2-ジイル(6-ピリジン-2-ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N-ジメチルアミド)、および
[N-(2,6-ジ(l-メチルエチル)フェニル)アミド)(フェナントレン-5-イル)(α-ナフタレン-2-ジイル(6-ピリジン-2-ジイル)メタン)]ハフニウムジクロリド。
R20は、水素を含まない5~20個の原子を含む芳香族もしくは不活性に置換された芳香族基、またはそれらの多価誘導体であり、
T3は、水素を含まない1~20個の原子を有するヒドロカルビレンもしくはヒドロカルビルシラン基、またはそれらの不活性に置換された誘導体であり、
M3は、4族金属、好ましくはジルコニウムまたはハフニウムであり、
Gは、アニオン性、中性またはジアニオン性配位基;好ましくは、水素を含まない20個までの原子を有するハライド、ヒドロカルビル、シラン、トリヒドロカルビルシリルヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、またはジヒドロカルビルアミド基であり、
gは、そのようなG基の数を示す1~5の数であり、結合および電子供与性相互作用は、それぞれ、線および矢印で表される。
T3は、水素を含まない2~20個の原子の二価架橋基、好ましくは置換または非置換のC3~6アルキレン基であり、
Ar2は、出現ごとに独立して、水素を含まない6~20個の原子のアリーレンまたはアルキルもしくはアリール置換アリーレン基であり、
M3は、4族金属、好ましくはハフニウムまたはジルコニウムであり、
Gは、出現ごとに独立して、アニオン性、中性またはジアニオン性配位基であり、
gは、そのようなX基の数を示す1~5の数であり、電子供与性相互作用は矢印で表される。
Ar4は、C6~20アリールまたはその不活性に置換された誘導体、特に3,5-ジ(イソプロピル)フェニル、3,5-ジ(イソブチル)フェニル、ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル、またはアントラセン-5-イルであり、
T4は、出現ごとに独立して、C3~6アルキレン基、C3~6シクロアルキレン基、またはそれらの不活性に置換された誘導体を含み、
R21は、出現ごとに独立して、水素、ハロ、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、または水素を含まない50個までの原子のトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビルであり、
Gは、出現ごとに独立して、ハロ、または水素を含まない最大20個の原子のヒドロカルビルもしくはトリヒドロカルビルシリル基であるか、あるいは2個のG基は、一緒になって、前述のヒドロカルビルまたはトリヒドロカルビルシリル基の二価誘導体である。
R21は、水素、ハロ、またはC1~4アルキル、特にメチルであり、
T4は、プロパン-l,3-ジイルまたはブタン-l,4-ジイルであり、
Gは、クロロ、メチル、またはベンジルである。
Mは、ジルコニウムまたはハフニウムであり、
R20は、出現ごとに独立して、水素を含まない5~20個の原子を含有する二価の芳香族基または不活性に置換された芳香族基であり、
T3は、水素を含まない3~20個の原子を有する二価の炭化水素もしくはシラン基、またはそれらの不活性に置換された誘導体であり、
RDは、出現ごとに独立して、水素を含まない1~20個の原子の一価配位子基であるか、または2つのRD基は、一緒になって、水素を含まない1~20個の原子の二価配位子基である。
Ar2は、出現ごとに独立して、水素を含まない6~20個の原子または任意の置換基の任意の原子の、アリーレン、またはアルキル、アリール、アルコキシ、もしくはアミノ置換アリーレン基であり、
T3は、水素を含まない3~20個の原子の二価炭化水素架橋基、好ましくは、酸素原子を隔てる少なくとも3個の炭素原子を有する二価の置換または非置換C3~6脂肪族、脂環式、またはビス(アルキレン)置換脂環式の基であり、
RDは、出現ごとに独立して、水素を含まない1~20個の原子の一価配位子基であるか、または2つのRD基は、一緒になって、水素を含まない1~40個の原子の二価配位子基である。
Ar4は、出現ごとに独立して、C6~20アリールまたはその不活性に置換された誘導体、特に、3,5-ジ(イソプロピル)フェニル、3,5-ジ(イソブチル)フェニル、ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル、ナフチル、アントラセン-5-イル、1,2,3,4,6,7,8,9-オクタヒドロアントラセン-5-イルであり、
T4は、出現ごとに独立して、プロピレン-1,3-ジイル基、ビス(アルキレン)シクロヘキサン-1,2-ジイル基、または各々最大20個の炭素を有する1~5個のアルキル、アリール、もしくはアラルキル置換基で置換された、それらの不活性に置換された誘導体であり、
R21は、出現ごとに独立して、水素、ハロ、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルシリルヒドロカルビル、アルコキシ、または水素を含まない最大50個の原子のアミノであり、
RDは、出現ごとに独立して、ハロ、または水素を含まない最大20個の原子のヒドロカルビルもしくはトリヒドロカルビルシリル基であるか、あるいは2つのRD基は、一緒になって、水素を含まない最大40個の原子の二価ヒドロカルビレン、ヒドロカルバジイル、またはトリヒドロカルビルシリル基である。
R21は、出現ごとに独立して、水素、ハロ、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルシリルヒドロカルビル、アルコキシ、または水素を含まない最大50個の原子のアミノであり、
T4は、プロパン-1,3-ジイルまたはビス(メチレン)シクロヘキサン-1,2-ジイルであり、
RDは、出現ごとに独立して、ハロ、または水素を含まない最大20個の原子のヒドロカルビルもしくはトリヒドロカルビルシリル基であるか、あるいは2つのRD基は、一緒になって、水素を含まない最大40個の原子のヒドロカルビレン、ヒドロカルバジイル、またはヒドロカルビルシランジイル基である。
A)ビス((2-オキソイル-3-(1,2,3,4,6,7,8,9-オクタヒドロアントラセン-5-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシ)-1,3-プロパンジイルハフニウム(IV)ジメチル、
ビス((2-オキソイル-3-(1,2,3,4,6,7,8,9-オクタヒドロアントラセン-5-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシ)-1,3-プロパンジイルハフニウム(IV)ジクロリド、
ビス((2-オキソイル-3-(1,2,3,4,6,7,8,9-オクタヒドロアントラセン-5-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシ)-1,3-プロパンジイルハフニウム(IV)ジベンジル、
ビス((2-オキソイル-3-(ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシ)-1,3-プロパンジイルハフニウム(IV)ジメチル、
ビス((2-オキソイル-3-(ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシ)-1,3-プロパンジイルハフニウム(IV)ジクロリド、
ビス((2-オキソイル-3-(ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシ)-1,3-プロパンジイルハフニウム(IV)ジベンジル、
B)ビス((2-オキソイル-3-(1,2,3,4,6,7,8,9-オクタヒドロアントラセン-5-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシメチル)-1,4-ブタンジイルハフニウム(IV)ジメチル、
ビス((2-オキソイル-3-(1,2,3,4,6,7,8,9-オクタヒドロアントラセン-5-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシメチル)-1,4-ブタンジイルハフニウム(IV)ジクロリド、
ビス((2-オキソイル-3-(1,2,3,4,6,7,8,9-オクタヒドロアントラセン-5-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシメチル)-1,4-ブタンジイルハフニウム(IV)ジベンジル、
ビス((2-オキソイル-3-(ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシメチル)-1,4-ブタンジイルハフニウム(IV)ジメチル、
ビス((2-オキソイル-3-(ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシメチル)-1,4-ブタンジイルハフニウム(IV)ジクロリド、
ビス((2-オキソイル-3-(ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシメチル)-1,4-ブタンジイルハフニウム(IV)ジベンジル、
C)ビス((2-オキソイル-3-(1,2,3,4,6,7,8,9-オクタヒドロアントラセン-5-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシ)-2,4-ペンタンジイルハフニウム(IV)ジメチル、
ビス((2-オキソイル-3-(1,2,3,4,6,7,8,9-オクタヒドロアントラセン-5-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシ)-2,4-ペンタンジイルハフニウム(IV)ジクロリド、
ビス((2-オキソイル-3-(1,2,3,4,6,7,8,9-オクタヒドロアントラセン-5-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシ)-2,4-ペンタンジイルハフニウム(IV)ジベンジル、
ビス((2-オキソイル-3-(ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシ)-2,4-ペンタンジイルハフニウム(IV)ジメチル、
ビス((2-オキソイル-3-(ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシ)-2,4-ペンタンジイルハフニウム(IV)ジクロリド、
ビス((2-オキソイル-3-(ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシ)-2,4-ペンタンジイルハフニウム(IV)ジベンジル、
D)ビス((2-オキソイル-3-(1,2,3,4,6,7,8,9-オクタヒドロアントラセン-5-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシメチル)-メチレンtrans-1,2-シクロヘキサンジイルハフニウム(IV)ジメチル、
ビス((2-オキソイル-3-(1,2,3,4,6,7,8,9-オクタヒドロアントラセン-5-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシメチル)-メチレンtrans-1,2-シクロヘキサンジイルハフニウム(IV)ジクロリド、
ビス((2-オキソイル-3-(1,2,3,4,6,7,8,9-オクタヒドロアントラセン-5-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシメチル)-メチレンtrans-1,2-シクロヘキサンジイルハフニウム(IV)ジベンジル、
ビス((2-オキソイル-3-(ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシメチル)-メチレンtrans-1,2-シクロヘキサンジイルハフニウム(IV)ジメチル、
ビス((2-オキソイル-3-(ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシメチル)-メチレンtrans-1,2-シクロヘキサンジイルハフニウム(IV)ジクロリド、および
ビス((2-オキソイル-3-(ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル)-5-(メチル)フェニル)-2-フェノキシメチル)-メチレンtrans-1,2-シクロヘキサンジイルハフニウム(IV)ジベンジル。
本開示の第2のオレフィン重合プロ触媒(B)は、式(I)の金属-配位子錯体を含み、
各Z1は、独立して、(C1~C40)炭化水素、(C1~C40)ヘテロ炭化水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、(C1~C40)ヘテロヒドロカルビル、Si(RC1)3、Ge(RC1)3、P(RC1)2、N(RC1)2、ORC1、SRC1、CN、CF3、RC1S(O)-、RC1S(O)2-、(RC1)2C=N-、RC1C(O)O-、RC1OC(O)-、RC1C(O)N(R)-、(RC1)2NC(O)-、ハロゲン原子、または水素原子であり、
各RC1は、独立して、(C1~C30)ヒドロカルビルまたは(C1~C30)ヘテロヒドロカルビルであり、
各MAは、独立して、元素周期表の3~6族または7~9族のうちのいずれか1つの金属であり、金属は、+2、+3、+4、+5、または+6の形式酸化状態にあり、
nnは、1または2の整数であり、
各Q1は、独立して、水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、または(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
Q2、Q3、およびQ4の各々は、独立して、水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、(C1~C40)ヒドロカルビルO-、(C1~C40)ヒドロカルビルS-、(C1~C40)ヒドロカルビルS(O)-、(C1~C40)ヒドロカルビルS(O)2-、((C1~C40)ヒドロカルビル)2N-、((C1~C40)ヒドロカルビル)2P-、または(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
各Q5は、独立して、(C1~C40)ヒドロカルビルまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
Q1およびQ2、Q2およびQ3、Q3およびQ4、ならびにQ4およびQ5は、任意選択で、一緒になって、(C1~C40)ヒドロカルビレンまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビレンを形成するか、あるいはQ1~Q5のうちのいずれか3つまたは4つは、任意選択で、一緒になって、(C1~C40)ヒドロカルビレンまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビレンのそれぞれの三価または四価類似体を形成し、Q1~Q5のうちの残りは、上に定義したとおりであり、
ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、Si(RC1)3、Ge(RC1)3、P(RC1)2、N(RC1)2、ORC1、SRC1、RC1S(O)-、RC1S(O)2-、(RC1)2C=N-、RC1C(O)O-、RC1OC(O)-、RC1C(O)N(R)-、(RC1)2NC(O)-、ヒドロカルビレン、およびヘテロヒドロカルビレン基の各々は、独立して、置換されていないか、または1つ以上のRS置換基で置換されており、
各RSは、独立して、ハロゲン原子、ポリフルオロ置換、ペルフルオロ置換、非置換(C1~C18)アルキル、F3C-、FCH2O-、F2HCO-、F3CO-、オキソ(即ち、=O)、R3Si-、R3Ge-、RO-、RS-、RS(O)-、RS(O)2-、R2P-、R2N-、R2C=N-、NC-、RC(O)O-、ROC(O)-、RC(O)N(R)-、またはR2NC(O)-であるか、あるいはRSのうちの2つは、一緒になって、非置換(C1~C18)アルキレンを形成し、各Rが、独立して、非置換(C1~C18)アルキルであり、
任意選択で、RC1またはRSは、MAとの追加の相互作用を有し得る。
活性化剤は、プロ触媒に接触させるか、またはプロ触媒と組み合わせることにより、プロ触媒をオレフィン重合に関して活性にする添加剤である。一般的に使用される活性化剤は、モノアニオン性配位子、典型的にはアルキル基、場合によってはベンジルまたはメチル基を抽出し、活性化剤の一部として誘導されるかまたは存在する弱配位または非配位アニオンを有する、プロ触媒のカチオン性金属-配位子錯体を形成する。例えば、この種類の活性化剤には以下が含まれる:[R3NH]+(アンモニウム)系活性化剤、例えば、N,N-ジメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートなどのブレンステッド酸;およびルイス酸、例えば、アルキルアルミニウム、ポリマーもしくはオリゴマーのアルモキサン(アルミノキサンとしても知られている)、ボラン(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボランなど)、またはカルボカチオン種(トリチルテアトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートなど)。アルモキサン単独を活性化剤として使用する場合、用いられるアルモキサンのモル数は、金属-配位子錯体のモル数の少なくとも100倍であることが好ましい。アルモキサンの充填量が少ないと、活性化剤として作用せず、むしろ除去剤として機能する。除去剤は、触媒を添加する前に反応器内の不純物を封鎖するため、活性化剤の性質ではない。
任意の従来の重合プロセスが、本開示のブロックコポリマーを製造するために用いられ得る。そのような従来の重合プロセスとしては、1つ以上の従来の反応器、例えば、ループ反応器、等温反応器、流動床反応器、撹拌槽型反応器、バッチ式反応器の並列、直列、および/またはそれらの任意の組み合わせを用いた、溶液重合プロセス、気相重合プロセス、スラリー、または粒子形成重合プロセス、およびそれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。
ある特定の実施形態において、本開示の組成物/触媒系/プロセスによって調製されるマルチブロックコポリマー(即ち、オレフィンブロックコポリマーまたはOBC)は、以下を有すると定義される:
Tm≧-2002.9+4538.5(d)-2422.2(d)2、ならびに/または
ゼロより大きく、最大130J/gであるΔHに関しては、ΔT>-0.1299(ΔH)+62.81、
130J/gを超えるΔHに関しては、ΔT≧48℃、
ここで、CRYSTAFピークは、累積ポリマーの少なくとも5パーセントを用いて決定され、ポリマーの5パーセント未満が同定可能なCRYSTAFピークを有する場合、CRYSTAF温度は、30℃である;ならびに/または
Re>1481-1629(d);ならびに/または
組み合わせた触媒効率:組み合わせた触媒効率を、調製されたオレフィンブロックコポリマーの質量(例えば、グラム数(gポリマー))を両方のプロ触媒からの金属の質量(例えば、総ミリグラムまたはグラム数(g金属))で割ることによって計算する。
[(E)-N-(6-(ブチルイミノ)シクロへキシ-1-エン-1-イル)-2,6-ジイソプロピルアニリド]Sc[ビス(2-ジメチルアミノベンジル)]の合成:窒素を充填したグローブボックス中で、トルエン(2.5mL)中の(E)-N-(6-(ブチルイミノ)シクロヘキシ-1-エン-1-イル)-2,6-ジイソプピルアニリン(0.250g、0.766mmol、1当量)の溶液を、トルエン(2.5mL)中のSc(CH2-o-NMe2C6H4)3(0.343g、0.766mmol、1当量)の溶液に添加した。材料を60℃で17時間撹拌し、こげ茶色/黄色の溶液を得た。全ての揮発物を真空除去して、こげ茶色/黄色の油を得た。ヘキサン(10mL)をその油上に重ね、混合物を-30℃の冷凍庫で3カ月間保管したが、相当量の沈殿物は形成されなかった。溶液をシリンジフィルタを通して濾過し、全ての揮発物を真空除去して、粘度が高い黒色油を得た。油をヘキサメチルジシロキサン(3mL)に溶解し、-30℃の冷凍庫で3日間保管した。大量の黄色固体が溶液から沈殿した。材料を、予冷したガラスフリットを通して濾過し、最小限の冷ヘキサメチルジシロキサンで洗浄し、真空乾燥して、黄色粉末(0.2506g、収率51%)を得た。残留しているヘキサメチルジシロキサンを、固体をヘキサンに溶解し、真空乾燥することによって除去した。1H NMR(400MHz,ベンゼン-d6)δ7.21-7.12(m,3H),6.99(ddd,J=8.2,6.6,1.8Hz,2H),6.95-6.89(m,2H),6.82-6.71(m,4H),4.43(t,J=4.9Hz,1H),3.55(hept,J=6.7Hz,2H),2.73-2.64(m,2H),2.27(s,12H),1.98(t,J=6.4Hz,2H),1.87(q,J=5.7Hz,2H),1.61-1.48(m,4H),1.44-1.37(m,2H),1.37-1.29(m,2H),1.21(d,J=6.8Hz,6H),1.16(d,J=6.7Hz,6H),1.21-1.11(m,2H),0.84(t,J=7.3Hz,3H).13C NMR(400MHz,ベンゼン-d6)δ174.33,148.84,145.56,145.17,144.31,143.09,128.72,125.43,124.71,123.80,120.05,118.45,109.60,48.33,47.67,44.26,30.96,27.93,27.50,26.78,24.62,23.27,22.95,20.86,13.60.
プロ触媒(A1)を、全体が参照により本明細書に組み込まれる米国特許第6,953,764(B2)号に記載されている手順に従って合成する。
バッチ反応器重合手順
バッチ反応器重合の実行を、プロ触媒(A1)、(A4)、(B1)、本発明のCSAと二元触媒との組み合わせ(即ち、プロ触媒(A1)および(B1)ならびにチェーンシャトリング剤)、およびさらなる本発明のCSAと二元触媒との組み合わせ(即ち、プロ触媒(A4)および(B1))について行った。バッチ反応器重合の実行は、下記の手順および表1~3に概説されるプロセス条件に従って行った。共触媒(「共触媒」(Cocat.))は[HNMe(C18H37)2][B(C6F5)4]である。
以下は、本開示の例示的かつ非限定的な実施形態およびそれらの組み合わせである。
1.組成物であって、
(A)第1のオレフィン重合プロ触媒と、
(B)第2のオレフィン重合プロ触媒と、
(C)チェーンシャトリング剤と、を組み合わせることで得られる混合物または反応生成物を含み、
第2のオレフィン重合プロ触媒は、式(I)の金属-配位子錯体を含み、
各Z1は、独立して、(C1~C40)炭化水素、(C1~C40)ヘテロ炭化水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、(C1~C40)ヘテロヒドロカルビル、Si(RC1)3、Ge(RC1)3、P(RC1)2、N(RC1)2、ORC1、SRC1、CN、CF3、RC1S(O)-、RC1S(O)2-、(RC1)2C=N-、RC1C(O)O-、RC1OC(O)-、RC1C(O)N(R)-、(RC1)2NC(O)-、ハロゲン原子、または水素原子であり、
各RC1は、独立して、(C1~C30)ヒドロカルビルまたは(C1~C30)ヘテロヒドロカルビルであり、
各MAは、独立して、元素周期表の3~6族または7~9族のうちのいずれか1つの金属であり、金属が、+2、+3、+4、+5、または+6の形式酸化状態にあり、
nnは、1または2の整数であり、
各Q1は、独立して、水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、または(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
Q2、Q3、およびQ4の各々は、独立して、水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、(C1~C40)ヒドロカルビルO-、(C1~C40)ヒドロカルビルS-、(C1~C40)ヒドロカルビルS(O)-、(C1~C40)ヒドロカルビルS(O)2-、((C1~C40)ヒドロカルビル)2N-、((C1~C40)ヒドロカルビル)2P-、または(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
各Q5は、独立して、(C1~C40)ヒドロカルビルまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
Q1およびQ2、Q2およびQ3、Q3およびQ4、ならびにQ4およびQ5は、任意選択で、一緒になって、(C1~C40)ヒドロカルビレンまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビレンを形成するか、あるいはQ1~Q5のうちのいずれか3つまたは4つは、任意選択で、一緒になって、(C1~C40)ヒドロカルビレンまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビレンのそれぞれの三価または四価類似体を形成し、Q1~Q5のうちの残りは、上に定義したとおりであり、
ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、Si(RC1)3、Ge(RC1)3、P(RC1)2、N(RC1)2、ORC1、SRC1、RC1S(O)-、RC1S(O)2-、(RC1)2C=N-、RC1C(O)O-、RC1OC(O)-、RC1C(O)N(R)-、(RC1)2NC(O)-、ヒドロカルビレン、およびヘテロヒドロカルビレン基の各々は、独立して、置換されていないか、または1つ以上のRS置換基で置換されており、
各RSは、独立して、ハロゲン原子、ポリフルオロ置換、ペルフルオロ置換、非置換(C1~C18)アルキル、F3C-、FCH2O-、F2HCO-、F3CO-、オキソ(即ち、=O)、R3Si-、R3Ge-、RO-、RS-、RS(O)-、RS(O)2-、R2P-、R2N-、R2C=N-、NC-、RC(O)O-、ROC(O)-、RC(O)N(R)-、またはR2NC(O)-であるか、あるいはRSのうちの2つは、一緒になって、非置換(C1~C18)アルキレンを形成し、各Rが、独立して、非置換(C1~C18)アルキルであり、
任意選択で、RC1またはRSは、MAとの追加の相互作用を有し得る、組成物。
2.(D)活性化剤をさらに含む、実施形態1に記載の組成物。
3.MAは、3~6族のうちのいずれかの金属である、実施形態1または2に記載の組成物。
4.MAは、3族の金属またはランタニドである、実施形態1~3のいずれかに記載の組成物。
5.MAは、スカンジウムである、実施形態1~4のいずれかに記載の組成物。
6.Z1は、(C1~C40)ヒドロカルビル、(C1~C40)ヘテロヒドロカルビル、Si(RC1)3、またはヒドリド基である、実施形態1~5のいずれかに記載の組成物。
7.Z1は、置換ベンジルまたは置換ヘテロアリールベンジルである、実施形態1~6のいずれかに記載の組成物。
8.Z1は、
9.式(I)の金属-配位子錯体は、
10.第1のオレフィン重合プロ触媒(A)および第2のオレフィン重合プロ触媒(B)は、重合条件下での比(r1A/r1B)が0.5以下であるように、それぞれの反応性比r1Aおよびr1Bを有する、実施形態1~9のいずれかに記載の組成物。
11.第1のオレフィン重合プロ触媒(A)は、式(II)の金属-配位子錯体を含み、
Mは、ジルコニウムまたはハフニウムであり、
R20は、出現ごとに独立して、水素を含まない5~20個の原子を含有する二価の芳香族基または不活性に置換された芳香族基であり、
T3は、水素を含まない3~20個の原子を有する二価の炭化水素もしくはシラン基、またはそれらの不活性に置換された誘導体であり、
RDは、出現ごとに独立して、水素を含まない1~20個の原子の一価配位子基であるか、または2つのRD基は、一緒になって、水素を含まない1~20個の原子の二価配位子基である、実施形態1~10のいずれかに記載の組成物。
12.該式(III)の金属-配位子錯体は、以下の構造:
Ar4は、出現ごとに独立して、C6~20アリールまたはその不活性に置換された誘導体、特に、3,5-ジ(イソプロピル)フェニル、3,5-ジ(イソブチル)フェニル、ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル、ナフチル、アントラセン-5-イル、1,2,3,4,6,7,8,9-オクタヒドロアントラセン-5-イルであり、
T4は、出現ごとに独立して、プロピレン-1,3-ジイル基、ビス(アルキレン)シクロヘキサン-1,2-ジイル基、または各々最大20個の炭素を有する1~5個のアルキル、アリール、もしくはアラルキル置換基で置換された、それらの不活性に置換された誘導体であり、
R21は、出現ごとに独立して、水素、ハロ、水素を含まない最大50個の原子のヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルシリルヒドロカルビル、アルコキシ、またはアミノであり、
RDは、出現ごとに独立して、ハロ、または水素を含まない最大20個の原子のヒドロカルビルもしくはトリヒドロカルビルシリル基であるか、あるいは2つのRD基は、一緒になって、水素を含まない最大40個の原子の二価ヒドロカルビレン、ヒドロカルバジイル、またはトリヒドロカルビルシリル基である、実施形態1~11のいずれかに記載の組成物。
13.該式(III)の金属-配位子錯体は、以下の構造:
Ar4は、出現ごとに独立して、3,5-ジ(イソプロピル)フェニル、3,5-ジ(イソブチル)フェニル、ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル、またはアントラセン-5-イルであり、
R21は、出現ごとに独立して、水素、ハロ、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルシリルヒドロカルビル、アルコキシ、または水素を含まない最大50個の原子のアミノであり、
T4は、プロパン-1,3-ジイルまたはビス(メチレン)シクロヘキサン-1,2-ジイルであり、
RDは、出現ごとに独立して、ハロ、または水素を含まない最大20個の原子のヒドロカルビルもしくはトリヒドロカルビルシリル基であるか、あるいは2つのRD基は、一緒になって、水素を含まない最大40個の原子のヒドロカルビレン、ヒドロカルバジイル、またはヒドロカルビルシランジイル基である、実施形態1~12のいずれかに記載の組成物。
14.該式(III)の金属-配位子錯体は、
15.第1のオレフィン重合プロ触媒(A)は、以下の構造を有し、
Rfは、出現ごとに独立して、水素、ハロゲン、C1~20アルキル、もしくはC6~20アリールであるか、または2つの隣接するRf基が一緒になって接合して環を形成し、fは1~5であり、
Rcは、出現ごとに独立して、水素、ハロゲン、C1~20アルキル、もしくはC6~20アリールであるか、または2つの隣接するRc基が一緒になって接合して環を形成し、cは1~5である、実施形態1~10のいずれかに記載の組成物。
16.第1のオレフィン重合プロ触媒(A)は、以下の構造を有し、
X1は、出現ごとに、ハライド、N,N-ジメチルアミド、またはC1~4アルキル、好ましくはメチルである、実施形態15に記載の組成物。
17.第1のオレフィン重合プロ触媒(A)は、以下の構造:
18.チェーンシャトリング剤は、1~12個の炭素を有する少なくとも1つのヒドロカルビル置換基を含有する、アルミニウム、亜鉛、またはガリウム化合物である、実施形態1~17のいずれかに記載の組成物。
19.オレフィン重合触媒系であって、
(A)第1のオレフィン重合プロ触媒と、
(B)第2のオレフィン重合プロ触媒と、
(C)チェーンシャトリング剤と、を含み、
第2のオレフィン重合プロ触媒は、式(I)の金属-配位子錯体を含み、
各Z1は、独立して、(C1~C40)炭化水素、(C1~C40)ヘテロ炭化水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、(C1~C40)ヘテロヒドロカルビル、Si(RC1)3、Ge(RC1)3、P(RC1)2、N(RC1)2、ORC1、SRC1、CN、CF3、RC1S(O)-、RC1S(O)2-、(RC1)2C=N-、RC1C(O)O-、RC1OC(O)-、RC1C(O)N(R)-、(RC1)2NC(O)-、ハロゲン原子、または水素原子であり、
各RC1は、独立して、(C1~C30)ヒドロカルビルまたは(C1~C30)ヘテロヒドロカルビルであり、
各MAは、独立して、元素周期表の3~6族または7~9族のうちのいずれか1つの金属であり、金属が、+2、+3、+4、+5、または+6の形式酸化状態にあり、
nnは、1または2の整数であり、
各Q1は、独立して、水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、または(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
Q2、Q3、およびQ4の各々は、独立して、水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、(C1~C40)ヒドロカルビルO-、(C1~C40)ヒドロカルビルS-、(C1~C40)ヒドロカルビルS(O)-、(C1~C40)ヒドロカルビルS(O)2-、((C1~C40)ヒドロカルビル)2N-、((C1~C40)ヒドロカルビル)2P-、または(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
各Q5は、独立して、(C1~C40)ヒドロカルビルまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
Q1およびQ2、Q2およびQ3、Q3およびQ4、ならびにQ4およびQ5は、任意選択で、一緒になって、(C1~C40)ヒドロカルビレンまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビレンを形成するか、あるいはQ1~Q5のうちのいずれか3つまたは4つは、任意選択で、一緒になって、(C1~C40)ヒドロカルビレンまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビレンのそれぞれの三価または四価類似体を形成し、Q1~Q5のうちの残りは、上に定義したとおりであり、
ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、Si(RC1)3、Ge(RC1)3、P(RC1)2、N(RC1)2、ORC1、SRC1、RC1S(O)-、RC1S(O)2-、(RC1)2C=N-、RC1C(O)O-、RC1OC(O)-、RC1C(O)N(R)-、(RC1)2NC(O)-、ヒドロカルビレン、およびヘテロヒドロカルビレン基の各々は、独立して、置換されていないか、または1つ以上のRS置換基で置換されており、
各RSは、独立して、ハロゲン原子、ポリフルオロ置換、ペルフルオロ置換、非置換(C1~C18)アルキル、F3C-、FCH2O-、F2HCO-、F3CO-、オキソ(即ち、=O)、R3Si-、R3Ge-、RO-、RS-、RS(O)-、RS(O)2-、R2P-、R2N-、R2C=N-、NC-、RC(O)O-、ROC(O)-、RC(O)N(R)-、またはR2NC(O)-であるか、あるいはRSのうちの2つは、一緒になって、非置換(C1~C18)アルキレンを形成し、各Rが、独立して、非置換(C1~C18)アルキルであり、
任意選択で、RC1またはRSは、MAとの追加の相互作用を有し得る、オレフィン重合触媒系。
20.(D)活性化剤をさらに含む、実施形態19に記載の触媒系。
21.MAは、3~6族のうちのいずれかの金属である、実施形態19または20に記載の触媒系。
22.MAは、3族の金属である、実施形態19~21のいずれかに記載の触媒系。
23.MAは、スカンジウムである、実施形態19~22のいずれかに記載の触媒系。
24.Z1は、(C1~C40)ヒドロカルビル、(C1~C40)ヘテロヒドロカルビル、Si(RC1)3、またはヒドリド基である、実施形態19~23のいずれかに記載の触媒系。
25.Z1は、置換ベンジルまたは置換ヘテロアリールベンジルである、実施形態19~24のいずれかに記載の触媒系。
26.Z1は、
27.式(I)の金属-配位子錯体は、
28.第1のオレフィン重合プロ触媒(A)および第2のオレフィン重合プロ触媒(B)は、重合条件下での比(r1A/r1B)が0.5以下であるように、それぞれの反応性比r1Aおよびr1Bを有する、実施形態19~27のいずれかに記載の触媒系。
29.第1のオレフィン重合プロ触媒(A)は、式(II)の金属-配位子錯体を含み、
Mは、ジルコニウムまたはハフニウムであり、
R20は、出現ごとに独立して、水素を含まない5~20個の原子を含有する二価の芳香族基または不活性に置換された芳香族基であり、
T3は、水素を含まない3~20個の原子を有する二価の炭化水素もしくはシラン基、またはそれらの不活性に置換された誘導体であり、
RDは、出現ごとに独立して、水素を含まない1~20個の原子の一価配位子基であるか、または2つのRD基は、一緒になって、水素を含まない1~20個の原子の二価配位子基である、実施形態19~28のいずれかに記載の触媒系。
30.該式(III)の金属-配位子錯体は、以下の構造を有し、
Ar4は、出現ごとに独立して、C6~20アリールまたはその不活性に置換された誘導体、特に、3,5-ジ(イソプロピル)フェニル、3,5-ジ(イソブチル)フェニル、ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル、ナフチル、アントラセン-5-イル、1,2,3,4,6,7,8,9-オクタヒドロアントラセン-5-イルであり、
T4は、出現ごとに独立して、プロピレン-1,3-ジイル基、ビス(アルキレン)シクロヘキサン-1,2-ジイル基、または各々最大20個の炭素を有する1~5個のアルキル、アリール、もしくはアラルキル置換基で置換された、それらの不活性に置換された誘導体であり、
R21は、出現ごとに独立して、水素、ハロ、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルシリルヒドロカルビル、アルコキシ、または水素を含まない最大50個の原子のアミノであり、
RDは、出現ごとに独立して、ハロ、または水素を含まない最大20個の原子のヒドロカルビルもしくはトリヒドロカルビルシリル基であるか、あるいは2つのRD基は、一緒になって、水素を含まない最大40個の原子の二価ヒドロカルビレン、ヒドロカルバジイル、またはトリヒドロカルビルシリル基である、実施形態19~29のいずれかに記載の触媒系。
31.該式(III)の金属-配位子錯体は、以下の構造を有し、
Ar4は、出現ごとに独立して、3,5-ジ(イソプロピル)フェニル、3,5-ジ(イソブチル)フェニル、ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル、またはアントラセン-5-イルであり、
R21は、出現ごとに独立して、水素、ハロ、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルシリルヒドロカルビル、アルコキシ、または水素を含まない最大50個の原子のアミノであり、
T4は、プロパン-1,3-ジイルまたはビス(メチレン)シクロヘキサン-1,2-ジイルであり、
RDは、出現ごとに独立して、ハロ、または水素を含まない最大20個の原子のヒドロカルビルもしくはトリヒドロカルビルシリル基であるか、あるいは2つのRD基は、一緒になって、水素を含まない最大40個の原子のヒドロカルビレン、ヒドロカルバジイル、またはヒドロカルビルシランジイル基である、実施形態19~30のいずれかに記載の触媒系。
32.該式(III)の金属-配位子錯体は、
33.第1のオレフィン重合プロ触媒(A)は、以下の構造を有し、
Rfは、出現ごとに独立して、水素、ハロゲン、C1~20アルキル、もしくはC6~20アリールであるか、または2つの隣接するRf基が一緒になって接合して環を形成し、fは1~5であり、
Rcは、出現ごとに独立して、水素、ハロゲン、C1~20アルキル、もしくはC6~20アリールであるか、または2つの隣接するRc基が一緒になって接合して環を形成し、cは1~5である、実施形態19~28のいずれかに記載の触媒系。
34.第1のオレフィン重合プロ触媒(A)は、以下の構造を有し、
X1は、出現ごとに、ハライド、N,N-ジメチルアミド、またはC1~4アルキル、好ましくはメチルである、実施形態19~28のいずれかに記載の触媒系。
35.第1のオレフィン重合プロ触媒(A)は、以下の構造:
36.チェーンシャトリング剤は、1~12個の炭素を有する少なくとも1つのヒドロカルビル置換基を含有する、アルミニウム、亜鉛、またはガリウム化合物である、実施形態19~35のいずれかに記載の触媒系。
37.1つ以上の付加重合性モノマーを、付加重合条件で、実施形態1~18のいずれかに記載の組成物または実施形態19~36に記載のオレフィン重合触媒系と接触させることを含む、マルチブロックコポリマーを調製するためのプロセス。
38.エチレンおよびエチレン以外の少なくとも1つの共重合性コモノマーを、付加重合条件下で、実施形態1~18のいずれかに記載の組成物または実施形態19~36に記載のオレフィン重合触媒系と接触させることを含む、マルチブロックコポリマーを調製するためのプロセス。
39.エチレンおよびC3~8アルファオレフィンを、付加重合条件下で、実施形態1~18のいずれかに記載の組成物または実施形態19~36に記載のオレフィン重合触媒系と接触させることを含む、マルチブロックコポリマーを調製するためのプロセス。
40.プロセスは連続溶液プロセスである、実施形態37~39のいずれかに記載のプロセス。
41.プロセスは、120℃以上の温度で実行される、実施形態40に記載のプロセス。
42.実施形態37~41のいずれかに記載のプロセスによって調製される、マルチブロックコポリマー。
43.マルチブロックコポリマーは、重合形態で、1つ以上の付加重合性モノマーを含み、該コポリマーは、コモノマー含有量、結晶化度、立体規則性、均質性、密度、融点、またはガラス転移温度が異なる2つ以上のセグメントまたはブロックを中に含有する、実施形態42に記載のマルチブロックコポリマー。
44.マルチブロックコポリマーは、重合形態で、エチレンおよび1つ以上の共重合性コモノマーを含み、該コポリマーは、コモノマー含有量、結晶化度、立体規則性、均質性、密度、融点、またはガラス転移温度が異なる2つ以上のセグメントまたはブロックを中に含有する、実施形態42に記載のマルチブロックコポリマー。
45.実施形態42に記載のマルチブロックコポリマーの官能化誘導体。
46.実施形態42に記載のマルチブロックコポリマーであって、フィルム形態にあるマルチブロックコポリマー、少なくとも1つの多層フィルムの層、少なくとも1つの積層物品、発泡物品、繊維、不織布、射出成型物品、ブロー成型物品、回転成型物品、または接着剤の層を含む、マルチブロックコポリマー。
Claims (9)
- オレフィン重合触媒系であって、
(A)第1のオレフィン重合プロ触媒と、
(B)第2のオレフィン重合プロ触媒と、
(C)チェーンシャトリング剤と、を含み、
第2のオレフィン重合プロ触媒(B)は、式(I)の金属-配位子錯体を含み、
各Z1は、独立して、(C1~C40)炭化水素、(C1~C40)ヘテロ炭化水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、(C1~C40)ヘテロヒドロカルビル、Si(RC1)3、Ge(RC1)3、P(RC1)2、N(RC1)2、ORC1、SRC1、CN、CF3、RC1S(O)-、RC1S(O)2-、(RC1)2C=N-、RC1C(O)O-、RC1OC(O)-、RC1C(O)N(R)-、(RC1)2NC(O)-、ハロゲン原子、または水素原子であり、
各RC1は、独立して、(C1~C30)ヒドロカルビルまたは(C1~C30)ヘテロヒドロカルビルであり、
各MAは、独立して、元素周期表の3~6族または7~9族のうちのいずれか1つの金属であり、前記金属が、+2、+3、+4、+5、または+6の形式酸化状態にあり、
nnは、1または2の整数であり、
各Q1は、独立して、水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、または(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
Q2、Q3、およびQ4の各々は、独立して、水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、(C1~C40)ヒドロカルビルO-、(C1~C40)ヒドロカルビルS-、(C1~C40)ヒドロカルビルS(O)-、(C1~C40)ヒドロカルビルS(O)2-、((C1~C40)ヒドロカルビル)2N-、((C1~C40)ヒドロカルビル)2P-、または(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
各Q5は、独立して、(C1~C40)ヒドロカルビルまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
Q1およびQ2、Q2およびQ3、Q3およびQ4、ならびにQ4およびQ5は、任意選択で、一緒になって、(C1~C40)ヒドロカルビレンまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビレンを形成するか、あるいはQ1~Q5のうちのいずれか3つまたは4つは、任意選択で、一緒になって、(C1~C40)ヒドロカルビレンまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビレンのそれぞれの三価または四価類似体を形成し、Q1~Q5のうちの残りは、上に定義したとおりであり、
前記ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、Si(RC1)3、Ge(RC1)3、P(RC1)2、N(RC1)2、ORC1、SRC1、RC1S(O)-、RC1S(O)2-、(RC1)2C=N-、RC1C(O)O-、RC1OC(O)-、RC1C(O)N(R)-、(RC1)2NC(O)-、ヒドロカルビレン、およびヘテロヒドロカルビレン基の各々は、独立して、置換されていないか、または1つ以上のRS置換基で置換されており、
各RSは、独立して、ハロゲン原子、ポリフルオロ置換、ペルフルオロ置換、非置換(C1~C18)アルキル、F3C-、FCH2O-、F2HCO-、F3CO-、オキソ(即ち、=O)、R3Si-、R3Ge-、RO-、RS-、RS(O)-、RS(O)2-、R2P-、R2N-、R2C=N-、NC-、RC(O)O-、ROC(O)-、RC(O)N(R)-、またはR2NC(O)-であるか、あるいは前記RSのうちの2つは、一緒になって、非置換(C1~C18)アルキレンを形成し、各Rが、独立して、非置換(C1~C18)アルキルであり、
任意選択で、RC1またはRSは、MAとの追加の相互作用を有し得、
第1のオレフィン重合プロ触媒(A)は、以下の構造の金属-配位子錯体を含み、
Ar4は、出現ごとに独立して、C6~20アリールまたはその不活性に置換された誘導体、特に、3,5-ジ(イソプロピル)フェニル、3,5-ジ(イソブチル)フェニル、ジベンゾ-1H-ピロール-1-イル、ナフチル、アントラセン-5-イル、1,2,3,4,6,7,8,9-オクタヒドロアントラセン-5-イルであり、
T4は、出現ごとに独立して、プロピレン-1,3-ジイル基、ビス(アルキレン)シクロヘキサン-1,2-ジイル基、または各々最大20個の炭素を有する1~5個のアルキル、アリール、もしくはアラルキル置換基で置換された、それらの不活性に置換された誘導体であり、
R21は、出現ごとに独立して、水素、ハロ、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルシリルヒドロカルビル、アルコキシ、または水素を含まない最大50個の原子のアミノであり、
RDは、出現ごとに独立して、ハロ、または水素を含まない最大20個の原子のヒドロカルビルもしくはトリヒドロカルビルシリル基であるか、あるいは2つのRD基は、一緒になって、水素を含まない最大40個の原子の二価ヒドロカルビレン、ヒドロカルバジイル、またはトリヒドロカルビルシリル基である、
オレフィン重合触媒系。 - オレフィン重合触媒系であって、
(A)第1のオレフィン重合プロ触媒と、
(B)第2のオレフィン重合プロ触媒と、
(C)チェーンシャトリング剤と、を含み、
第2のオレフィン重合プロ触媒(B)は、式(I)の金属-配位子錯体を含み、
各Z1は、独立して、(C1~C40)炭化水素、(C1~C40)ヘテロ炭化水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、(C1~C40)ヘテロヒドロカルビル、Si(RC1)3、Ge(RC1)3、P(RC1)2、N(RC1)2、ORC1、SRC1、CN、CF3、RC1S(O)-、RC1S(O)2-、(RC1)2C=N-、RC1C(O)O-、RC1OC(O)-、RC1C(O)N(R)-、(RC1)2NC(O)-、ハロゲン原子、または水素原子であり、
各RC1は、独立して、(C1~C30)ヒドロカルビルまたは(C1~C30)ヘテロヒドロカルビルであり、
各MAは、独立して、元素周期表の3~6族または7~9族のうちのいずれか1つの金属であり、前記金属が、+2、+3、+4、+5、または+6の形式酸化状態にあり、
nnは、1または2の整数であり、
各Q1は、独立して、水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、または(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
Q2、Q3、およびQ4の各々は、独立して、水素、(C1~C40)ヒドロカルビル、(C1~C40)ヒドロカルビルO-、(C1~C40)ヒドロカルビルS-、(C1~C40)ヒドロカルビルS(O)-、(C1~C40)ヒドロカルビルS(O)2-、((C1~C40)ヒドロカルビル)2N-、((C1~C40)ヒドロカルビル)2P-、または(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
各Q5は、独立して、(C1~C40)ヒドロカルビルまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビルであり、
Q1およびQ2、Q2およびQ3、Q3およびQ4、ならびにQ4およびQ5は、任意選択で、一緒になって、(C1~C40)ヒドロカルビレンまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビレンを形成するか、あるいはQ1~Q5のうちのいずれか3つまたは4つは、任意選択で、一緒になって、(C1~C40)ヒドロカルビレンまたは(C1~C40)ヘテロヒドロカルビレンのそれぞれの三価または四価類似体を形成し、Q1~Q5のうちの残りは、上に定義したとおりであり、
前記ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、Si(RC1)3、Ge(RC1)3、P(RC1)2、N(RC1)2、ORC1、SRC1、RC1S(O)-、RC1S(O)2-、(RC1)2C=N-、RC1C(O)O-、RC1OC(O)-、RC1C(O)N(R)-、(RC1)2NC(O)-、ヒドロカルビレン、およびヘテロヒドロカルビレン基の各々は、独立して、置換されていないか、または1つ以上のRS置換基で置換されており、
各RSは、独立して、ハロゲン原子、ポリフルオロ置換、ペルフルオロ置換、非置換(C1~C18)アルキル、F3C-、FCH2O-、F2HCO-、F3CO-、オキソ(即ち、=O)、R3Si-、R3Ge-、RO-、RS-、RS(O)-、RS(O)2-、R2P-、R2N-、R2C=N-、NC-、RC(O)O-、ROC(O)-、RC(O)N(R)-、またはR2NC(O)-であるか、あるいは前記RSのうちの2つは、一緒になって、非置換(C1~C18)アルキレンを形成し、各Rが、独立して、非置換(C1~C18)アルキルであり、
任意選択で、RC1またはRSは、MAとの追加の相互作用を有し得、
第1のオレフィン重合プロ触媒(A)は、以下の構造の金属-配位子錯体を含み、
X1は、出現ごとに、ハライド、N,N-ジメチルアミド、またはC1~4アルキルであり、好ましくは出現ごとに、X1はメチルであり、
Rfは、出現ごとに独立して、水素、ハロゲン、C1~20アルキル、もしくはC6~20アリールであるか、または2つの隣接するRf基が一緒になって接合して環を形成し、fは1~5であり、
Rcは、出現ごとに独立して、水素、ハロゲン、C1~20アルキル、もしくはC6~20アリールであるか、または2つの隣接するRc基が一緒になって接合して環を形成し、cは1~5である、
オレフィン重合触媒系。 - (D)活性化剤をさらに含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の触媒系。
- MAは、スカンジウムである、請求項1~5のいずれか一項に記載の触媒系。
- Z1は、(C1~C40)ヒドロカルビル、(C1~C40)ヘテロヒドロカルビル、Si(RC1)3、またはヒドリド基である、請求項1~6のいずれか一項に記載の触媒系。
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