JP7078118B2 - 蒸着マスク、蒸着マスク装置、蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法及び蒸着方法 - Google Patents

蒸着マスク、蒸着マスク装置、蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法及び蒸着方法 Download PDF

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Description

本開示は、蒸着マスク、蒸着マスク装置、蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法及び蒸着方法に関する。
近年、スマートフォンやタブレットPC等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置に対して、高精細であること、例えば画素密度が500ppi以上であることが求められている。また、持ち運び可能なデバイスにおいても、ウルトラハイディフィニション(UHD)に対応することへの需要が高まっており、この場合、表示装置の画素密度が例えば800ppi以上であることが求められる。
表示装置の中でも、応答性の良さ、消費電力の低さやコントラストの高さのため、有機EL表示装置が注目されている。有機EL表示装置の画素を形成する方法として、所望のパターンで配列された貫通孔を含む蒸着マスクを用い、所望のパターンで画素を形成する方法が知られている。具体的には、はじめに、有機EL表示装置用の基板(有機EL基板)を蒸着装置に投入し、次に、蒸着装置内で有機EL基板に対して蒸着マスクを密着させ、有機材料を有機EL基板に蒸着させる蒸着工程を行う。
特開2016-148112号公報
特許文献1に開示された技術では、めっき処理を利用して蒸着マスクを製造した後、当該蒸着マスクをフレームに取り付けて蒸着マスク装置を製造している。このとき、蒸着マスク装置のフレームは、蒸着マスクを張った状態に保持している。すなわち、フレームに固定された状態において、蒸着マスクには張力が付与されている。これにより、蒸着マスクに撓みが生じることが抑制される。しかしながら、薄厚化された蒸着マスクに張力が付与されることにより、この蒸着マスクにシワや変形が生じる問題が知見された。
本開示は、このような点を考慮してなされたものであって、蒸着マスクにシワや変形が生じることを抑制することが可能な、蒸着マスク、蒸着マスク装置、蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法及び蒸着方法を提供することを目的とする。
本開示の第1の態様は、第1貫通孔が形成されためっき層を有するマスクと、前記マスクに接合され、平面視で前記第1貫通孔に重なる第2貫通孔が形成された支持体とを備え、前記支持体の厚みは、0.20mm以上2.0mm以下である、蒸着マスクである。
本開示の第2の態様は、上述した第1の態様による蒸着マスクにおいて、前記支持体は、前記マスクに接合された第1層と、前記第1層に接合された第2層とを有し、前記第2貫通孔は、前記第1層および前記第2層を貫通していてもよい。
本開示の第3の態様は、上述した第2の態様による蒸着マスクにおいて、前記第1層および前記第2層は、接着剤、ロウ材または溶接により互いに接合されていてもよい。
本開示の第4の態様は、上述した第2の態様または上述した第3の態様による蒸着マスクにおいて、前記第1層および前記第2層の接合面は、側方から金属により覆われていてもよい。
本開示の第5の態様は、上述した第4の態様による蒸着マスクにおいて、前記金属は、めっき処理により形成されていてもよい。
本開示の第6の態様は、上述した第2の態様から上述した第5の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、前記支持体は、前記第2層に接合された第3層を更に有していてもよい。
本開示の第7の態様は、上述した第6の態様による蒸着マスクにおいて、前記第2層および前記第3層は、接着剤、ロウ材または溶接により互いに接合されていてもよい。
本開示の第8の態様は、上述した第6の態様または上述した第7の態様による蒸着マスクにおいて、前記第2層および前記第3層の接合面は、側方から金属により覆われていてもよい。
本開示の第9の態様は、上述した第8の態様による蒸着マスクにおいて、前記金属は、めっき処理により形成されていてもよい。
本開示の第10の態様は、上述した第1の態様から上述した第9の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、前記支持体は、剛性率が50GPa以上65GPa以下の材料を含んでいてもよい。
本開示の第11の態様は、上述した第1の態様から上述した第10の態様のいずれかによる蒸着マスクと、前記蒸着マスクの前記支持体に接合され、平面視で前記第2貫通孔に重なる開口が設けられたフレームとを備える、蒸着マスク装置である。
本開示の第12の態様は、基材に接合され、第1貫通孔が形成されためっき層を有するマスクを準備する工程と、第2貫通孔が形成された支持体を準備する工程と、平面視で、前記支持体の前記第2貫通孔が前記マスクの前記第1貫通孔に重なるように、前記支持体と、前記マスクとを接合する工程と、前記マスクから前記基材を剥がす工程とを備え、前記支持体の厚みは、0.20mm以上2.0mm以下である、蒸着マスクの製造方法である。
本開示の第13の態様は、上述した第12の態様による蒸着マスクの製造方法において、前記基材には、導電層が形成され、前記第1貫通孔は、前記導電層上に前記めっき層を析出させることにより形成されてもよい。
本開示の第14の態様は、上述した第12の態様または上述した第13の態様による蒸着マスクの製造方法において、前記支持体を準備する工程は、第1層および第2層を準備する工程と、前記第1層および前記第2層を互いに接合する工程とを有していてもよい。
本開示の第15の態様は、上述した第14の態様による蒸着マスクの製造方法において、前記第1層および前記第2層を互いに接合する工程において、前記第1層および前記第2層は、接着剤、ロウ材または溶接により互いに接合されてもよい。
本開示の第16の態様は、上述した第14の態様または上述した第15の態様による蒸着マスクの製造方法において、前記支持体を準備する工程は、前記第1層および前記第2層を互いに接合する工程の後に、金属により前記第1層および前記第2層の接合面を側方から覆う工程を更に有していてもよい。
本開示の第17の態様は、上述した第16の態様による蒸着マスクの製造方法において、前記金属により前記第1層および前記第2層の接合面を側方から覆う工程において、前記金属は、めっき処理により形成されてもよい。
本開示の第18の態様は、上述した第14の態様から上述した第17の態様のそれぞれによる蒸着マスクの製造方法において、前記支持体を準備する工程は、第3層を準備する工程と、前記第2層および前記第3層を互いに接合する工程とを更に有していてもよい。
本開示の第19の態様は、上述した第18の態様による蒸着マスクの製造方法において、前記第2層および前記第3層を互いに接合する工程において、前記第2層および前記第3層は、接着剤、ロウ材または溶接により互いに接合されてもよい。
本開示の第20の態様は、上述した第18の態様または上述した第19の態様による蒸着マスクの製造方法において、前記支持体を準備する工程は、前記第2層および前記第3層を互いに接合する工程の後に、金属により前記第2層および前記第3層の接合面を側方から覆う工程を更に有していてもよい。
本開示の第21の態様は、上述した第20の態様による蒸着マスクの製造方法において、前記金属により前記第2層および前記第3層の接合面を側方から覆う工程において、前記金属は、めっき処理により形成されてもよい。
本開示の第22の態様は、上述した第12の態様から上述した第21の態様のいずれかによる蒸着マスクの製造方法により製造された蒸着マスクを準備する工程と、前記蒸着マスクの前記支持体にフレームを取り付ける工程とを備える、蒸着マスク装置の製造方法である。
本開示の第23の態様は、基板に蒸着材料を蒸着させる、蒸着材料の蒸着方法あって、上述した第22の態様による蒸着マスク装置の製造方法により製造された蒸着マスク装置を準備する工程と、前記基板を準備する工程と、前記基板を前記蒸着マスク装置の前記マスク上に設置する工程と、前記マスク上に設置された前記基板に前記蒸着材料を蒸着させる工程と、を備える、蒸着方法である。
本開示の第24の態様は、上述した第12の態様から上述した第21の態様のいずれかによる蒸着マスクの製造方法によって製造された蒸着マスクであってもよい。
本開示の第25の態様は、上述した第22の態様による蒸着マスク装置の製造方法により製造された蒸着マスク装置であってもよい。
本開示の実施形態によれば、蒸着マスクにシワや変形が生じることを抑制することができる。
図1は、本開示の一実施の形態を説明するための図であって、蒸着マスク装置を有する蒸着装置及びこの蒸着装置を用いた蒸着方法を説明するための図である。 図2は、図1に示す蒸着装置で製造された有機EL表示装置の一例を示す断面図である。 図3は、蒸着マスクを有する蒸着マスク装置の一例を概略的に示す平面図である。 図4は、図3のIV-IV線に対応する断面において蒸着マスク装置を示す断面図である。 図5は、図3の蒸着マスク装置のマスクを示す部分拡大図(図3のV部拡大図)である。 図6Aは、図5のVIA-VIA線に対応する断面においてマスクを示す断面図である。 図6Bは、図4の支持体をより詳細に示す断面図である。 図7Aは、剛性率を説明するための概略斜視図である。 図7Bは、蒸着装置を用いた蒸着方法を説明するための図である。 図8Aは、めっき処理によってマスクを製造するために用いられるパターン基板を製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図8Bは、めっき処理によってマスクを製造するために用いられるパターン基板を製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図8Cは、めっき処理によってマスクを製造するために用いられるパターン基板を製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図8Dは、めっき処理によってマスクを製造するために用いられるパターン基板を製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図9Aは、マスクをめっき処理によって製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図9Bは、マスクをめっき処理によって製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図9Cは、マスクをめっき処理によって製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図9Dは、マスクをめっき処理によって製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図10Aは、金属板上にレジストパターンを形成する工程を示す図である。 図10Bは、第1面エッチング工程を示す図である。 図10Cは、第2面エッチング工程を示す図である。 図10Dは、金属板から樹脂及びレジストパターンを除去する工程を示す図である。 図11Aは、蒸着マスクの製造方法の一例の一工程を示す図である。 図11Bは、蒸着マスクの製造方法の一例の一工程を示す図である。 図11Cは、蒸着マスクの製造方法の一例の一工程を示す図である。 図12Aは、蒸着マスク装置の製造方法の一例の一工程を示す図である。 図12Bは、蒸着マスク装置の製造方法の一例の一工程を示す図である。 図12Cは、蒸着マスク装置の製造方法の一例の一工程を示す図である。 図13Aは、有機EL基板に蒸着材料を蒸着させる工程を示す図である。 図13Bは、有機EL基板に蒸着材料を蒸着させる工程を示す図である。 図14は、有機EL基板に蒸着材料を蒸着させる工程を示す図である。 図15は、マスクの変形例を概略的に示す平面図である。 図16は、支持体の変形例を示す断面図である。 図17Aは、支持体の製造方法の変形例を示す断面図である。 図17Bは、支持体の製造方法の変形例を示す断面図である。 図17Cは、支持体の製造方法の変形例を示す断面図である。 図18Aは、支持体の変形例を示す断面図である。 図18Bは、支持体の変形例を示す断面図である。 図18Cは、支持体の製造方法の変形例を示す断面図である。 図18Dは、支持体の製造方法の変形例を示す断面図である。 図18Eは、支持体の製造方法の変形例を示す断面図である。 図18Fは、支持体の変形例を示す断面図である。 図19Aは、マスクの製造方法の変形例を示す断面図である。 図19Bは、マスクの製造方法の変形例を示す断面図である。 図19Cは、マスクの製造方法の変形例を示す断面図である。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「板」、「シート」、「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。また、「面(シート面、フィルム面)」とは、対象となる板状(シート状、フィルム状)の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となる板状部材(シート状部材、フィルム状部材)の平面方向と一致する面のことを指す。また、板状(シート状、フィルム状)の部材に対して用いる法線方向とは、当該部材の面(シート面、フィルム面)に対する法線方向のことを指す。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
本明細書および本図面において、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に(又は下に)」、「上側に(又は下側に)」、または「上方に(又は下方に)」とする場合、特別な説明が無い限りは、ある構成が他の構成に直接的に接している場合のみでなく、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合も含めて解釈することとする。また、特別な説明が無い限りは、上(または、上側や上方)又は下(または、下側、下方)という語句を用いて説明する場合があるが、上下方向が逆転してもよい。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態や変形例と組み合わせられ得る。また、その他の実施形態同士や、その他の実施形態と変形例も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。また、変形例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「~」という記号によって表現される数値範囲は、「~」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「34~38質量%」という表現によって画定される数値範囲は、「34質量%以上且つ38質量%以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。
本明細書および本図面において、「平面視」とは、対称となる板状の部材を全体的かつ大局的に見た場合において、板状の部材の平面方向に直交する法線方向から見た状態を指す。例えば、ある板状の部材が「平面視において矩形状の形状を有する」とは、当該部材を法線方向から見たときに、当該部材が矩形状の形状を有していることを指す。
本明細書の一実施形態において、有機EL表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスクやその製造方法に関した例をあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスクに対し、本実施形態を適用することができる。
以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。
まず、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する蒸着装置90について、図1を参照して説明する。図1に示すように、蒸着装置90は、その内部に、蒸着源(例えばるつぼ94)、ヒータ96、及び蒸着マスク装置10を備えていてもよい。また、蒸着装置90は、蒸着装置90の内部を真空雰囲気にするための排気手段(図示せず)を更に備えていてもよい。るつぼ94は、有機発光材料などの蒸着材料98を収容する。ヒータ96は、るつぼ94を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料98を蒸発させる。蒸着マスク装置10は、るつぼ94と対向するよう配置されている。
図1に示すように、蒸着マスク装置10は、蒸着マスク20と、蒸着マスク20の後述する支持体40に接合されたフレーム15とを備えていてもよい。この場合、蒸着マスク20は、蒸着マスク20が撓んでしまうことがないように、その面方向に引っ張られた状態で、フレーム15により支持されていても良く、あるいは、蒸着マスク20は、その面方向に引っ張られることなく、フレーム15により支持されていても良い。蒸着マスク装置10は、図1に示すように、蒸着マスク20が、蒸着材料98を付着させる対象物である被蒸着基板(例えば有機EL基板)92に対面するよう、蒸着装置90内に配置されていてもよい。
蒸着マスク装置10は、図1に示すように、被蒸着基板92の、蒸着マスク20と反対の側の面に配置された磁石93を備えていてもよい。磁石93を設けることにより、磁力によって蒸着マスク20を磁石93側に引き寄せて、蒸着マスク20を被蒸着基板92に密着させることができる。
次に、蒸着マスク装置10の蒸着マスク20について説明する。図1に示すように、蒸着マスク20は、第1貫通孔35が形成されためっき層31を有するマスク30と、マスク30に接合され、平面視で第1貫通孔35に重なる第2貫通孔45が形成された支持体40とを備えていてもよい。このうち、マスク30の第1貫通孔35は、複数形成されていてもよい。
図1に示すように、マスク30は、第1面30aと、第1面30aと反対側の面をなす第2面30bと、を有していてもよい。図示された例では、マスク30は、被蒸着基板92とるつぼ94との間に配置されている。マスク30は、その第1面30aが被蒸着基板92の下面に対面するようにして、換言するとその第2面30bがるつぼ94と対面するようにして、蒸着装置90内に支持され、被蒸着基板92への蒸着材料98の蒸着に使用されてもよい。図1に示す蒸着装置90において、るつぼ94から蒸発して、マスク30の第2面30b側から蒸着マスク20に到達した蒸着材料98は、支持体40の第2貫通孔45及びマスク30の第1貫通孔35を通って被蒸着基板92に付着する。これによって、マスク30の第1貫通孔35の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料98を被蒸着基板92の表面に成膜することができる。
図2は、図1の蒸着装置90を用いて製造した有機EL表示装置100を示す断面図である。有機EL表示装置100は、被蒸着基板(有機EL基板)92と、パターン状に設けられた蒸着材料98を含む画素と、を備えていてもよい。なお、図2の有機EL表示装置100においては、蒸着材料98を含む画素に電圧を印加する電極等が省略されている。また、有機EL基板92上に蒸着材料98をパターン状に設ける蒸着工程の後、図2の有機EL表示装置100には、有機EL表示装置のその他の構成要素が更に設けられ得る。従って、図2の有機EL表示装置100は、有機EL表示装置の中間体と呼ぶこともできる。
複数の色によるカラー表示を行いたい場合には、各色に対応する蒸着マスク装置10が搭載された蒸着装置90をそれぞれ準備し、被蒸着基板92を各蒸着装置90に順に投入する。これによって、例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料および青色用の有機発光材料を順に被蒸着基板92に蒸着させることができる。
蒸着処理は、高温雰囲気となる蒸着装置90の内部で実施される場合がある。この場合、蒸着処理の間、蒸着装置90の内部に保持される蒸着マスク20、フレーム15及び被蒸着基板92も加熱される。この際、蒸着マスク20のマスク30及び支持体40、フレーム15並びに被蒸着基板92は、各々の熱膨張係数に基づいた寸法変化の挙動を示すことになる。この場合、マスク30、支持体40及びフレーム15と、被蒸着基板92との熱膨張係数が大きく異なっていると、それらの寸法変化の差異に起因した位置ずれが生じ、この結果、被蒸着基板92上に付着する蒸着材料の寸法精度や位置精度が低下してしまう。
このような課題を解決するため、マスク30、支持体40およびフレーム15の熱膨張係数が、被蒸着基板92の熱膨張係数と同等の値であることが好ましい。例えば、被蒸着基板92としてガラス基板が用いられる場合、マスク30、支持体40及びフレーム15の主要な材料として、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。例えば、マスク30、支持体40及びフレーム15を構成する部材の材料として、30質量%以上54質量%以下のニッケルを含む鉄合金を用いることができる。ニッケルを含む鉄合金の具体例としては、34質量%以上38質量%以下のニッケルを含むインバー材、30質量%以上34質量%以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、38質量%以上54質量%以下のニッケルを含む低熱膨張Fe-Ni系めっき合金などを挙げることができる。
なお、蒸着処理の際に、マスク30、支持体40、フレーム15及び被蒸着基板92の温度が高温には達しない場合は、マスク30、支持体40及びフレーム15の熱膨張係数を、被蒸着基板92の熱膨張係数と同等の値にしなくてもよい。この場合、マスク30及び支持体40を構成する材料として、上述の鉄合金以外の材料を用いてもよい。例えば、クロムを含む鉄合金など、上述のニッケルを含む鉄合金以外の鉄合金を用いてもよい。クロムを含む鉄合金としては、例えば、いわゆるステンレスと称される鉄合金を用いることができる。また、ニッケルやニッケル-コバルト合金など、鉄合金以外の金属または合金を用いてもよい。
次に、図1及び図3乃至図6Bにより、蒸着マスク20のマスク30及び支持体40、並びにフレーム15について更に詳細に説明する。
まず、マスク30について詳細に説明する。このマスク30は、めっき処理によって作製されたものであってもよい。図3に示すように、マスク30は、平面視において略矩形状の形状を有していてもよい。このマスク30は、マスク30の外縁30eを構成する枠状の耳部17と、耳部17に囲まれた中間部18とを備えていてもよい。このうち耳部17は、蒸着マスク20を利用した蒸着工程の際に支持体40に取り付けられる部分である。なお、この耳部17は、有機EL基板92へ蒸着されることを意図された蒸着材料が通過する領域ではない。
また、図3乃至図5に示すように、蒸着マスク20の中間部18は、規則的な配列で第1貫通孔35(図4及び図5参照)が形成された有効領域22と、有効領域22を取り囲む周囲領域23とを含んでいてもよい。周囲領域23は、有効領域22を支持するための領域であり、有機EL基板92へ蒸着されることを意図された蒸着材料98が通過する領域ではない。一方、マスク30の有効領域22は、有機発光材料の蒸着に用いられる蒸着マスク20においては、有機発光材料が蒸着して画素を形成するようになる有機EL基板92の表示領域となる区域に対面する、蒸着マスク20内の領域となる。ただし、種々の目的から、周囲領域23に貫通孔や凹部が形成されていてもよい。図3に示された例において、各有効領域22は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。なお、図示はしないが、各有効領域22は、有機EL基板92の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。すなわち、各有効領域22は、有機EL表示装置100が表示する各アプリケーションの表示領域に対応した輪郭を有していても良く、有機EL表示装置100を例えば腕時計に使用する場合、各有効領域22は、円形状の輪郭を有していてもよい。
図3に示すように、蒸着マスク20の複数の有効領域22は、互いに直交する二方向に沿って所定の間隔を空けて配列されていてもよい。図示された例では、一つの有効領域22が一つの有機EL表示装置に対応するようになっている。すなわち、図3及び図4に示された蒸着マスク装置10(マスク30)によれば、多面付蒸着が可能となっている。また、図5に示すように、各有効領域22に形成された複数の第1貫通孔35は、当該有効領域22において、互いに直交する二方向に沿ってそれぞれ所定のピッチで配列されていてもよい。
次に、図6Aを参照して、マスク30のめっき層31について説明する。図6Aに示すように、マスク30のめっき層31は、所定のパターンで第1開口部30cが設けられた第1金属層32と、第1開口部30cに連通する第2開口部30dが設けられた第2金属層37とを含んでいてもよい。図6Aに示す例においては、第1金属層32がマスク30の第1面30aを構成し、第2金属層37がマスク30の第2面30bを構成している。
本実施の形態においては、第1開口部30cと第2開口部30dとが互いに連通することにより、マスク30を貫通する第1貫通孔35が構成されていてもよい。この場合、マスク30の第1面30a側における第1貫通孔35の開口寸法や開口形状は、第1金属層32の第1開口部30cによって画定されていてもよい。一方、マスク30の第2面30b側における第1貫通孔35の開口寸法や開口形状は、第2金属層37の第2開口部30dによって画定されていてもよい。言い換えると、第1貫通孔35には、第1金属層32の第1開口部30cによって画定される形状、および、第2金属層37の第2開口部30dによって画定される形状の両方が付与されていてもよい。
図5に示すように、第1貫通孔35を構成する第1開口部30cや第2開口部30dは、平面視において略多角形状になっていてもよい。ここでは第1開口部30cおよび第2開口部30dが、略四角形状、より具体的には略正方形状になっている例が示されている。また、図示はしないが、第1開口部30cや第2開口部30dは、略六角形状や略八角形状など、その他の略多角形状になっていてもよい。なお、「略多角形状」とは、多角形の角部が丸められている形状を含む概念である。また、図示はしないが、第1開口部30cや第2開口部30dは、円形状になっていてもよい。また、平面視において第2開口部30dが第1開口部30cを囲う輪郭を有する限りにおいて、第1開口部30cの形状と第2開口部30dの形状とが相似形になっている必要はない。
図6Aにおいて、符号41は、第1金属層32と第2金属層37とが接続される接続部を表している。また符号S0は、第1金属層32と第2金属層37との接続部41における第1貫通孔35の寸法を表している。なお、図6Aにおいては、第1金属層32と第2金属層37とが接している例を示したが、これに限られることはなく、第1金属層32と第2金属層37との間にその他の層が介在されていてもよい。例えば、第1金属層32と第2金属層37との間に、第1金属層32上における第2金属層37の析出を促進させるための触媒層が設けられていてもよい。
図6Aに示すように、第2面30bにおける第1貫通孔35(第2開口部30d)の開口寸法S2は、第1面30aにおける第1貫通孔35(第1開口部30c)の開口寸法S1よりも大きくなっていてもよい。以下、このように第1金属層32および第2金属層37を構成することの利点について説明する。
マスク30の第2面30b側からマスク30に向かって飛来する蒸着材料98は、第1貫通孔35の第2開口部30dおよび第1開口部30cを順に通って有機EL基板92に付着する。有機EL基板92のうち蒸着材料98が付着する領域は、第1面30aにおける第1貫通孔35の開口寸法S1や開口形状によって主に定められる。ところで、図6Aにおいて第2面30b側から第1面30aへ向かう矢印で示すように、蒸着材料98は、るつぼ94から有機EL基板92に向けてマスク30の法線方向Nに沿って移動するだけでなく、マスク30の法線方向Nに対して大きく傾斜した方向に移動することもある。ここで、仮に第2面30bにおける第1貫通孔35の開口寸法S2が第1面30aにおける第1貫通孔35の開口寸法S1と同一であるとすると、マスク30の法線方向Nに対して大きく傾斜した方向に移動する蒸着材料98の多くは、第1貫通孔35を通って有機EL基板92に到達するよりも前に、第1貫通孔35の第2開口部30dの壁面36に到達して付着してしまう。従って、蒸着材料98の利用効率を高めるためには、第2開口部30dの開口寸法S2を大きくすることが好ましいと言える。
図6Aにおいて、マスク30の第2面30b側における第1貫通孔35(第2開口部30d)の端部38を通る蒸着材料98の経路であって、有機EL基板92に到達することができる経路のうち、マスク30の法線方向Nに対してなす角度が最小となる経路が、符号L1で表されている。また、経路L1とマスク30の法線方向Nとがなす角度が、符号θ1で表されている。斜めに移動する蒸着材料98を、第2開口部30dの壁面36に到達させることなく可能な限り有機EL基板92に到達させるためには、角度θ1を大きくすることが有利となる。例えば角度θ1を45°以上にすることが好ましい。
上述の開口寸法S0,S1,S2は、有機EL表示装置の画素密度や上述の角度θ1の所望値などを考慮して、適切に設定される。例えば、400ppi以上の画素密度の有機EL表示装置を作製する場合、接続部41における第1貫通孔35の開口寸法S0は、20μm以上60μm以下の範囲内に設定され得る。また、第1面30aにおける第1開口部30cの開口寸法S1は、10μm以上50μm以下の範囲内に設定され、第2面30bにおける第2開口部30dの開口寸法S2は、15μm以上80μm以下の範囲内に設定され得る。
また、上述したマスク30の厚みT0は、例えば2.0μm以上50μm以下とすることができる。
マスク30の厚みT0の範囲は、2.0μm、5.0μm、10μm及び15μmからなる第1グループ、及び/又は、20μm、30μm、40μm及び50μmからなる第2グループによって定められてもよい。マスク30の厚みT0の範囲の下限は、上述の第1グループに含まれる値のうちの任意の1つによって定められてもよい。例えば、マスク30の厚みT0の範囲の下限は、2.0μm以上であってもよく、5.0μm以上であってもよく、10μm以上であってもよく、15μm以上であってもよい。また、マスク30の厚みT0の範囲の上限は、上述の第2グループに含まれる値のうちの任意の1つによって定められてもよい。例えば、マスク30の厚みT0の範囲の上限は、20μm以下であってもよく、30μm以下であってもよく、40μm以下であってもよく、50μm以下であってもよい。マスク30の厚みT0の範囲は、上述の第1グループに含まれる値のうちの任意の1つと、上述の第2グループに含まれる値のうちの任意の1つとの組み合わせによって定められてもよく、例えば、2.0μm以上50μm以下であってもよく、5.0μm以上40μm以下であってもよく、10μm以上30μm以下であってもよく、15μm以上20μm以下であってもよい。また、マスク30の厚みT0の範囲は、上述の第1グループに含まれる値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、2.0μm以上15μm以下であってもよく、2.0μm以上10μm以下であってもよく、5.0μm以上15μm以下であってもよく、5.0μm以上10μm以下であってもよい。また、マスク30の厚みT0の範囲は、上述の第2グループに含まれる値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、20μm以上50μm以下であってもよく、20μm以上40μm以下であってもよく、30μm以上50μm以下であってもよく、30μm以上40μm以下であってもよい。
次に、支持体40について詳細に説明する。図3に示すように、支持体40は平面視において略矩形状の形状を有していてもよい。この支持体40は、面方向において、マスク30よりも大きい寸法を有していてもよく、平面視において、支持体40を画定する輪郭は、マスク30を画定する輪郭を取り囲んでいてもよい。この支持体40は、支持体40の各辺がマスク30の各辺に対応するようにして、マスク30に対して取り付けられていてもよい。
また、上述したように、支持体40には複数の第2貫通孔45が形成されており、第2貫通孔45は、平面視でマスク30の有効領域22よりも大きくなっていてもよい。また、支持体40の一つの第2貫通孔45は、マスク30の一つの有効領域22に対応していてもよい。
図3に示すように、第2貫通孔45は、例えば、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有していてもよい。なお図示はしないが、各第2貫通孔45は、被蒸着基板(有機EL基板)92の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各第2貫通孔45は、円形状の輪郭を有していてもよい。図3には、各第2貫通孔45が互いに同じ平面視形状を有しているものが示されているが、これに限られず、各第2貫通孔45は、互いに異なる開口部形状を有していてもよい。換言すると、支持体40は、互いに異なる平面視形状を有する複数の第2貫通孔45を有していてもよい。
この第2貫通孔45の周囲には、支持領域46が設けられていてもよく、この支持領域46がマスク30の周囲領域23を支持するように構成されていてもよい。これにより、支持体40が、マスク30の有効領域22を囲うようにマスク30を支持することができるため、マスク30にシワや変形が生じることを効果的に抑制することができる。なお、支持領域46は、有機EL基板92へ蒸着されることを意図された蒸着材料98が通過する領域ではない。
次に、図6Bを参照して、支持体40についてより詳細に説明する。図6Bに示すように、複数の第2貫通孔45は、支持体40の法線方向n(マスク30の法線方向N)に沿った一方の側(図示された例では、マスク30の第2面30bに対面する側)となる第1面400aから、支持体40の法線方向nに沿った他方の側となる第2面400bへ貫通していてもよい。図示された例では、後に詳述するように、支持体40の法線方向nにおける一方の側となる金属板64の第1面64aに第1凹部401がエッチングによって形成され、支持体40の法線方向nにおける他方の側となる金属板64の第2面64bに第2凹部402が形成される。第1凹部401は、第2凹部402に接続され、これによって第2凹部402と第1凹部401とが互いに通じ合うように形成されてもよい。第2貫通孔45は、第2凹部402と、第2凹部402に接続された第1凹部401とによって構成されていてもよい。
本開示において、支持体40の厚みT1は、0.20mm以上2.0mm以下となっている。支持体40の厚みT1が、0.20mm以上であることにより、蒸着マスク20の剛性を向上させることができる。これにより、マスク30にシワや変形が生じることを抑制することができる。また、支持体40の厚みT1が2.0mm以下であることにより、後述するように支持体40に接合されたマスク30から基材51を剥がす際に、基材51を剥がせなくなる不具合を抑制することができる。
支持体40の厚みT1の範囲は、0.20mm、0.50mm、0.75mm及び1.0mmからなる第1グループ、及び/又は、1.2mm、1.5mm、1.8mm及び2.0mmからなる第2グループによって定められてもよい。支持体40の厚みT1の範囲の下限は、上述の第1グループに含まれる値のうちの任意の1つによって定められてもよい。例えば、支持体40の厚みT1の範囲の下限は、0.20mm以上であってもよく、0.50mm以上であってもよく、0.75mm以上であってもよく、1.0mm以上であってもよい。また、支持体40の厚みT1の範囲の上限は、上述の第2グループに含まれる値のうちの任意の1つによって定められてもよい。例えば、支持体40の厚みT1の範囲の上限は、1.2mm以下であってもよく、1.5mm以下であってもよく、1.8mm以下であってもよく、2.0mm以下であってもよい。支持体40の厚みT1の範囲は、上述の第1グループに含まれる値のうちの任意の1つと、上述の第2グループに含まれる値のうちの任意の1つとの組み合わせによって定められてもよく、例えば、0.20mm以上2.0mm以下であってもよく、0.50mm以上1.8mm以下であってもよく、0.75mm以上1.5mm以下であってもよく、1.0mm以上1.2mm以下であってもよい。また、支持体40の厚みT1の範囲は、上述の第1グループに含まれる値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、0.20mm以上1.0mm以下であってもよく、0.20mm以上0.75mm以下であってもよく、0.50mm以上1.0mm以下であってもよく、0.50mm以上0.75mm以下であってもよい。また、支持体40の厚みT1の範囲は、上述の第2グループに含まれる値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、1.2mm以上2.0mm以下であってもよく、1.2mm以上1.8mm以下であってもよく、1.5mm以上2.0mm以下であってもよく、1.5mm以上1.8mm以下であってもよい。
また、支持体40は、剛性率が50GPa以上65GPa以下の材料を含んでいる事が好ましい。この場合、剛性率Gは、以下のようにして算出することができる。すなわち、図7Aに示すように、直方体形状の弾性体Eにおいて、下面を固定した状態で弾性体Eに対して上面に平行な力を加えた際に、側面が傾いたとする。この場合、弾性体Eの上面の表面積をS、加えた力をF、側面の傾きをφとすると、剛性率Gは、以下の式(1)により算出することができる。
G=F/(S・φ)・・・式(1)
支持体40の材料の剛性率が50GPa以上であることにより、蒸着マスク20の剛性を効果的に向上させることができる。これにより、マスク30にシワや変形が生じることを抑制することができる。また、支持体40の材料の剛性率が65GPa以下であることにより、後述するように支持体40に接合されたマスク30から基材51を剥がす際に、基材51を剥がせなくなる不具合を抑制することができる。
また、上述した剛性率は、共振法を用いて固有振動数を測定することにより求めることもできる。この場合、まず、支持体40を構成する材料により、幅(W)10mm×長さ(L)60mm×厚み(t)0.5mmの試験片を作製する。次に、試験装置(例えば、日本テクノプラス社製、EG-HT)に試験片の長手方向の一端部を固定し、長手方向の他端部を自由端とする。次いで、例えば室温が25℃の雰囲気下において、当該他端部に対して、例えば10Hz以上200Hz以下のねじり振動を加える。この際、ねじり振動の振動数を変化させて、試験片の振幅が最大となった際の振動数(固有振動数(ω))を測定する。そして、得られた振動数(固有振動数(ω))、試験片の寸法(幅(W)、長さ(L)、厚み(t))から、以下の式(2)により剛性率Gを算出することができる。
G=(K1・L・ω)/((1-K2・t/W)・W・t)・・・式(2)
ここで、K1は装置定数であり、K2は、定数である。
支持体40の材料の剛性率の範囲は、50GPa、52GPa、54GPa及び56GPaからなる第1グループ、及び/又は、58GPa、60GPa、62GPa及び65GPaからなる第2グループによって定められてもよい。支持体40の材料の剛性率の範囲の下限は、上述の第1グループに含まれる値のうちの任意の1つによって定められてもよい。例えば、支持体40の材料の剛性率の範囲の下限は、50GPa以上であってもよく、52GPa以上であってもよく、54GPa以上であってもよく、56GPa以上であってもよい。また、支持体40の材料の剛性率の範囲の上限は、上述の第2グループに含まれる値のうちの任意の1つによって定められてもよい。例えば、支持体40の材料の剛性率の範囲の上限は、58GPa以下であってもよく、60GPa以下であってもよく、62GPa以下であってもよく、65GPa以下であってもよい。支持体40の材料の剛性率の範囲は、上述の第1グループに含まれる値のうちの任意の1つと、上述の第2グループに含まれる値のうちの任意の1つとの組み合わせによって定められてもよく、例えば、50GPa以上65GPa以下であってもよく、52GPa以上62GPa以下であってもよく、54GPa以上60GPa以下であってもよく、56GPa以上58GPa以下であってもよい。また、支持体40の材料の剛性率の範囲は、上述の第1グループに含まれる値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、50GPa以上56GPa以下であってもよく、50GPa以上54GPa以下であってもよく、52GPa以上56GPa以下であってもよく、52GPa以上54GPa以下であってもよい。また、支持体40の材料の剛性率の範囲は、上述の第2グループに含まれる値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、58GPa以上65GPa以下であってもよく、58GPa以上62GPa以下であってもよく、60GPa以上65GPa以下であってもよく、60GPa以上62GPa以下であってもよい。
上述した支持体40を構成する主要な材料としては、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。例えば、34質量%以上38質量%以下のニッケルを含むインバー材や、ニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材などの鉄合金を用いることができる。また、これに限られず、支持体40を構成する主要な材料として、例えば、クロムを含む鉄合金など、上述のニッケルを含む鉄合金以外の鉄合金を用いてもよい。クロムを含む鉄合金としては、例えば、いわゆるステンレスと称される鉄合金を用いることができる。また、ニッケルやニッケル-コバルト合金など、鉄合金以外の金属または合金を用いてもよい。
ところで、上述したように、蒸着処理は、蒸着装置90の内部で実施され得る。この際、図7Bに示すように、るつぼ94及びヒータ96を蒸着マスク20の面方向に沿って移動させながら、蒸着処理が行われる場合がある。この場合、るつぼ94及びヒータ96の移動に伴い、蒸着装置90の内部に保持される蒸着マスク20のマスク30のうち、ヒータ96に面する部分がヒータ96から供給される輻射熱を吸収し、局所的に熱膨張する。このため、当該部分と他の部分との寸法変化の差異に起因した位置ずれが生じ、この結果、被蒸着基板92上に付着する蒸着材料の寸法精度や位置精度が低下してしまう可能性がある。
とりわけ、蒸着装置90として、ヒータ96をマスク30の面方向のうち、マスク30の長手方向に直交する方向に移動させる蒸着装置90を使用した際には、マスク30のうち、ヒータ96に面する部分が薄くて細長くなるため、被蒸着基板92に比べて熱容量が小さくなる。このため、マスク30の隣接する第1貫通孔35間の部分が熱膨張して、マスク30が長手方向に伸びるように熱膨張する。
また、蒸着マスク20のマスク30に対しては、強度の強い磁界を作用させているものの、ヒータ96によって加熱されることにより熱膨張したマスク30が、被蒸着基板92に対して、熱膨張した量だけ、蒸着材料98が本来蒸着されるべき箇所から動いてしまう場合がある。この場合、蒸着材料98が本来蒸着されない部分に付着し、マスク30の第1貫通孔35の位置に対応したパターンのエッジがぼやけたり、当該パターンの形状が拡大したりする問題がある。特に、当該パターンが高精細になればなるほどこの問題は無視することができず、これがパターンの高精細化を制限する一要因ともなっていた。
これに対して、本実施の形態では、上述したように、支持体40の一つの第2貫通孔45が、マスク30の一つの有効領域22に対応していてもよい。また、この第2貫通孔45の周囲に支持領域46が設けられていてもよく、この支持領域46がマスク30の周囲領域23を支持するように構成されていてもよい。さらに、支持体40の材料として、剛性率が50GPa以上である、34質量%以上38質量%以下のニッケルを含むインバー材や、ニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材などの鉄合金を用いることができる。これにより、剛性率が50GPa以上の材料から構成される支持体40が、マスク30の有効領域22を囲うようにマスク30を支持することができるため、マスク30の局所的な熱膨張を抑制することができる。
次に、フレーム15について詳細に説明する。図3に示すように、フレーム15は平面視において略矩形の枠状に形成されていてもよく、フレーム15には、平面視で支持体40の第2貫通孔45に重なる開口15aが設けられていてもよい。本開示においては、平面視において開口15aを画定する輪郭は、第2貫通孔45を画定する輪郭の全てを取り囲んでいてもよい。蒸着時には、るつぼ94から蒸発した蒸着材料98は、フレーム15の開口15aを通って蒸着マスク20に到達する。
また、フレーム15は、面方向において、支持体40よりも大きい寸法を有していてもよく、平面視において、フレーム15を画定する輪郭は、支持体40を画定する輪郭を取り囲んでいてもよい。このフレーム15は、フレーム15の各辺が支持体40の各辺に対応するようにして、支持体40に対して取り付けられていてもよい。
ここで、図3及び図4に示すように、上述したマスク30及び支持体40は、複数の第1接合部19aにより、互いに接合されていてもよい。また、上述した支持体40及びフレーム15は、複数の第2接合部19bにより、互いに接合されていてもよい。第1接合部19aは、マスク30の外縁30eに沿って配列されていてもよく、第2接合部19bは、支持体40の外縁40eに沿って配列されていてもよい。上述のように、マスク30及び支持体40は平面視において略矩形状の輪郭を有していてもよい。したがって、接合部19a、19bも、それぞれ外縁30e、40eに沿って略矩形状のパターンにて配列されていてもよい。図3に示された例では、接合部19a、19bは、それぞれ外縁30e、40eから一定の距離を有して一直線状に配列されている。すなわち、図3に示された例では、接合部19a、19bは、それぞれ外縁30e、40eの延びる方向と平行な方向に沿って配列されている。
また、図示された例では、接合部19a、19bは、それぞれ外縁30e、40eの延びる方向に沿って互いに等間隔を有して配列されている。本実施の形態では、マスク30及び支持体40、並びに支持体40及びフレーム15は、スポット溶接により互いに接合されていてもよい。なお、これに限られず、マスク30及び支持体40、並びに、マスク30及びフレーム15は、例えば接着剤等の他の固定手段により互いに接合されていてもよい。
次に、蒸着マスク装置10を製造する方法について説明する。まず、蒸着マスク装置10の蒸着マスク20を製造する方法について説明する。
まず、基材51(図8A参照)に接合され、第1貫通孔35が形成されためっき層31を有するマスク30を準備する。この際、まず、基材51を準備する。絶縁性及び適切な強度を有する限りにおいて、基材51を構成する材料や基材51の厚みが特に限られることはない。後述するように、マスク30と支持体40、あるいは支持体40とフレーム15とが、基材51を介したレーザー光の照射により溶接固定される場合には、基材51を構成する材料として、高い光透過性を有するガラス材料が好適に使用され得る。また、マスク30と支持体40、あるいは支持体40とフレーム15とが、接着剤を用いて互いに固定される場合には、基材51を構成する材料として、ガラス、合成樹脂、金属などを用いることができる。この場合、基材51は、光透過性を有していなくてもよい。ここでは、基材51としてガラス材料を使用する例について説明する。
次に、図8Aに示すように、基材51上に導電性材料からなる導電性材料層52aを形成する。導電性材料層52aは、パターニングされることによって導電層52となる層である。導電性材料層52aを構成する材料としては、金属材料や酸化物導電性材料等の導電性を有する材料が適宜用いられる。金属材料の例としては、例えばクロムや銅などを挙げることができる。好ましくは、後述する第1レジストパターン53に対する高い密着性を有する材料が、導電性材料層52aを構成する材料として用いられる。例えば第1レジストパターン53が、アクリル系光硬化性樹脂を含むレジスト膜など、いわゆるドライフィルムと称されるものをパターニングすることによって作製される場合、導電性材料層52aを構成する材料として、銅が用いられることが好ましい。
導電性材料層52aは、例えばスパッタリングや無電解めっき等により形成される。導電性材料層52aを厚く形成しようとすると、導電性材料層52aの形成に長時間を要する。一方、導電性材料層52aの厚みは、薄すぎると抵抗値が大きくなり、電解めっき処理により第1金属層32が形成されにくくなる。したがって、例えば導電性材料層52aの厚みは、0.050μm以上3.0μm以下の範囲内であることが好ましい。
導電性材料層52aの厚みの範囲は、0.050μm、0.075μm、0.10μm及び0.50μmからなる第1グループ、及び/又は、1.0μm、1.5μm、2.0μm及び3.0μmからなる第2グループによって定められてもよい。導電性材料層52aの厚みの範囲の下限は、上述の第1グループに含まれる値のうちの任意の1つによって定められてもよい。例えば、導電性材料層52aの厚みの範囲の下限は、0.050μm以上であってもよく、0.075μm以上であってもよく、0.10μm以上であってもよく、0.50μm以上であってもよい。また、導電性材料層52aの厚みの範囲の上限は、上述の第2グループに含まれる値のうちの任意の1つによって定められてもよい。例えば、導電性材料層52aの厚みの範囲の上限は、1.0μm以下であってもよく、1.5μm以下であってもよく、2.0μm以下であってもよく、3.0μm以下であってもよい。導電性材料層52aの厚みの範囲は、上述の第1グループに含まれる値のうちの任意の1つと、上述の第2グループに含まれる値のうちの任意の1つとの組み合わせによって定められてもよく、例えば、0.050μm以上3.0μm以下であってもよく、0.075μm以上2.0μm以下であってもよく、0.10μm以上1.5μm以下であってもよく、0.50μm以上1.0μm以下であってもよい。また、導電性材料層52aの厚みの範囲は、上述の第1グループに含まれる値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、0.050μm以上0.50μm以下であってもよく、0.050μm以上0.10μm以下であってもよく、0.075μm以上0.50μm以下であってもよく、0.075μm以上0.10μm以下であってもよい。また、導電性材料層52aの厚みの範囲は、上述の第2グループに含まれる値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、1.0μm以上3.0μm以下であってもよく、1.0μm以上2.0μm以下であってもよく、1.5μm以上3.0μm以下であってもよく、1.5μm以上2.0μm以下であってもよい。
次に、図8Bに示すように、導電性材料層52a上に、所定のパターンを有する第1レジストパターン53を形成する。第1レジストパターン53を形成する方法としては、後述する第2レジストパターン55の場合と同様に、フォトリソグラフィー法などが採用され得る。第1レジストパターン53用の材料に所定のパターンで光を照射する方法としては、所定のパターンで露光光を透過させる露光マスクを用いる方法や、所定のパターンで露光光を第1レジストパターン53用の材料に対して相対的に走査する方法などが採用され得る。その後、図8Cに示すように、導電性材料層52aのうち第1レジストパターン53によって覆われていない部分を、エッチングによって除去する。次に図8Dに示すように、第1レジストパターン53を除去する。これによって、第1金属層32に対応するパターンを有する導電層52が形成されたパターン基板50を得ることができる。
次に、導電層52が形成された基材51(パターン基板50)を利用して、導電層52上にめっき層31を析出させる。
次に、パターン基板50を利用して上述の第1金属層32を作製する第1成膜工程について説明する。ここでは、絶縁性を有する基材51上に所定のパターンで第1開口部30cが設けられた第1金属層32を形成する。具体的には、導電層52が形成された基材51上に第1めっき液を供給して、導電層52上に第1金属層32を析出させる第1めっき処理工程を実施する。例えば、導電層52が形成された基材51を、第1めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図9Aに示すように、基材51上に、所定のパターンで第1開口部30cが設けられた第1金属層32を得ることができる。なお、第1金属層32の厚みは、例えば5.0μm以下になっていてもよい。また、基材51上に第1金属層32を形成するとは、基材51上に直接第1金属層32を形成することに限られず、基材51上に導電層52等の他の層を介して第1金属層32を形成することをも含む。
なお、めっき処理の特性上、図9Aに示すように、第1金属層32は、基材51の法線方向に沿って見た場合に導電層52と重なる部分だけでなく、導電層52と重ならない部分にも形成され得る。これは、導電層52の端部54と重なる部分に析出した第1金属層32の表面にさらに第1金属層32が析出するためである。この結果、図9Aに示すように、第1開口部30cの端部33は、基材51の法線方向に沿って見た場合に導電層52と重ならない部分に位置するようになり得る。
導電層52上に第1金属層32を析出させることができる限りにおいて、第1めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることはない。例えば第1めっき処理工程は、導電層52に電流を流すことによって導電層52上に第1金属層32を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第1めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお、第1めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、導電層52上には適切な触媒層が設けられていてもよい。若しくは、導電層52が、触媒層として機能するよう構成されていてもよい。電解めっき処理工程が実施される場合にも、導電層52上に触媒層が設けられていてもよい。
用いられる第1めっき液の成分は、第1金属層32に求められる特性に応じて適宜定められる。例えば、第1めっき液として、ニッケル化合物を含む溶液と、鉄化合物を含む溶液との混合溶液を用いることができる。例えば、スルファミン酸ニッケルや臭化ニッケルを含む溶液と、スルファミン酸第一鉄を含む溶液との混合溶液を用いることができる。めっき液には、様々な添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、ホウ酸などのpH緩衝剤、サッカリンナトリウムなどの一次光沢剤、ブチンジオール、プロパギルアルコール、クマリン、ホルマリン、チオ尿素などの二次光沢剤や、酸化防止剤などが用いられ得る。
次に、第1開口部30cに連通する第2開口部30dが設けられた第2金属層37を第1金属層32上に形成する第2成膜工程を実施する。この際、まず、基材51上及び第1金属層32上に、所定の隙間56を空けて第2レジストパターン55を形成する。図9Bは、基材51上に形成された第2レジストパターン55を示す断面図である。図9Bに示すように、レジスト形成工程は、第1金属層32の第1開口部30cが第2レジストパターン55によって覆われるとともに、第2レジストパターン55の隙間56が第1金属層32上に位置するように実施される。
以下、レジスト形成工程の一例について説明する。はじめに、基材51上及び第1金属層32上にドライフィルムを貼り付けることによって、ネガ型のレジスト膜を形成する。ドライフィルムの例としては、例えば日立化成製のRY3310など、アクリル系光硬化性樹脂を含むものを挙げることができる。また、第2レジストパターン55用の材料を基材51上に塗布し、その後に必要に応じて焼成を実施することにより、レジスト膜を形成してもよい。次に、レジスト膜のうち隙間56となるべき領域に光を透過させないようにした露光マスクを準備し、露光マスクをレジスト膜上に配置する。その後、真空密着によって露光マスクをレジスト膜に十分に密着させる。なおレジスト膜として、ポジ型のものが用いられてもよい。この場合、露光マスクとして、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させるようにした露光マスクが用いられる。
その後、レジスト膜を露光マスク越しに露光する。さらに、露光されたレジスト膜に像を形成するためにレジスト膜を現像する。なお、第2レジストパターン55を基材51及び第1金属層32に対してより強固に密着させるため、現像工程の後に第2レジストパターン55を加熱する熱処理工程を実施してもよい。
次に、第2金属層37を第1金属層32上に形成する。この際、第1開口部30cに連通する第2開口部30dが設けられた第2金属層37を第1金属層32上に形成する。具体的には、第2レジストパターン55の隙間56に第2めっき液を供給して、第1金属層32上に第2金属層37を析出させる。例えば、第1金属層32が形成された基材51を、第2めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図9Cに示すように、第1金属層32上に、第2金属層37を得ることができる。なお、第2金属層37の厚みは、有効領域22における蒸着マスク20のめっき層31の厚みT0(図6参照)が2.0μm以上50μm以下になるように設定されてもよい。
第1金属層32上に第2金属層37を析出させることができる限りにおいて、第2めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることとはない。例えば、第2めっき処理工程は、第1金属層32に電流を流すことによって第1金属層32上に第2金属層37を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第2めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお、第2めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、第1金属層32上には適切な触媒層が設けられていてもよい。電解めっき処理工程が実施される場合にも、第1金属層32上に触媒層が設けられていてもよい。
第2めっき液としては、上述の第1めっき液と同一のめっき液が用いられてもよい。若しくは、第1めっき液とは異なるめっき液が第2めっき液として用いられてもよい。第1めっき液の組成と第2めっき液の組成とが同一である場合、第1金属層32を構成する金属の組成と、第2金属層37を構成する金属の組成も同一になる。
なお、図9Cにおいては、第2レジストパターン55の上面と第2金属層37の上面とが一致するようになるまで第2めっき処理工程が継続される例を示したが、これに限られることはない。第2金属層37の上面が第2レジストパターン55の上面よりも下方に位置する状態で、第2めっき処理工程が停止されてもよい。
その後、第2レジストパターン55を除去する除去工程を実施する。除去工程は、パターン基板50、第1金属層32、第2金属層37及び第2レジストパターン55の積層体を、例えばアルカリ系の剥離液に浸漬することにより行われる。これにより、図9Dに示されているように、第2レジストパターン55を、パターン基板50、第1金属層32及び第2金属層37から剥離させることができる。このようにして、基材51に接合されたマスク30が得られる。また、この際、第1金属層32上に、所定のパターンで第2開口部30dが設けられた第2金属層37を得ることができる。さらに、第1開口部30cと第2開口部30dとが互いに連通することにより、マスク30を貫通する第1貫通孔35が形成される。このようにして、導電層52上にめっき層31を析出させることにより、複数の第1貫通孔35が形成される。
また、基材51に接合された蒸着マスク20を準備することと並行して、第2貫通孔45が形成された支持体40を準備する。この際、まず、金属板64の第1面64a上および第2面64b上に感光性レジスト材料を含むレジスト膜を形成する。続いて、レジスト膜を露光及び現像する。これにより、図10Aに示すように、金属板64の第1面64a上に第1レジストパターン65aを形成し、金属板64の第2面64b上に第2レジストパターン65bを形成することができる。
次に、図10Bに示すように、金属板64の第1面64aのうち第1レジストパターン65aによって覆われていない領域を、第1エッチング液を用いてエッチングする第1面エッチング工程を実施する。これによって、金属板64の第1面64aに多数の第1凹部401が形成される。第1エッチング液としては、例えば塩化第2鉄溶液及び塩酸を含むものを用いる。
次に、図10Cに示すように、金属板64の第2面64bのうち第2レジストパターン65bによって覆われていない領域をエッチングし、第2面64bに第2凹部402を形成する第2面エッチング工程を実施する。第2面エッチング工程は、第1凹部401と第2凹部402とが互いに通じ合い、これによって第2貫通孔45が形成されるようになるまで実施される。第2エッチング液としては、上述の第1エッチング液と同様に、例えば塩化第2鉄溶液及び塩酸を含むものを用いる。なお、第2面エッチング工程の際、図10Cに示すように、第2エッチング液に対する耐性を有した樹脂69によって第1凹部401が被覆されていてもよい。
その後、図10Dに示すように、金属板64から樹脂69を除去する。樹脂69は、例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、除去することができる。アルカリ系剥離液が用いられる場合、図10Dに示すように、樹脂69と同時にレジストパターン65a、65bも除去される。なお、樹脂69を除去した後、樹脂69を剥離させるための剥離液とは異なる剥離液を用いて、樹脂69とは別途にレジストパターン65a、65bを除去してもよい。これにより、第2貫通孔45が形成された支持体40を得ることができる。
このような支持体40の厚みT1(図4参照)は、0.20mm以上2.0mm以下とすることができる。支持体40の厚みT1が、0.20mm以上であることにより、蒸着マスク20の剛性を向上させることができる。これにより、マスク30にシワや変形が生じることを抑制することができる。また、支持体40の厚みT1が2.0mm以下であることにより、後述するように支持体40に接合されたマスク30から基材51を剥がす際に、基材51を剥がせなくなる不具合を抑制することができる。
また、支持体40は、剛性率が50GPa以上65GPa以下の材料を含んでいる事が好ましい。支持体40の材料の剛性率が50GPa以上であることにより、蒸着マスク20の剛性を効果的に向上させることができる。これにより、マスク30にシワや変形が生じることを抑制することができる。また、支持体40の材料の剛性率が65GPa以下であることにより、支持体40に接合されたマスク30から基材51を剥がす際に、基材51を剥がせなくなる不具合を抑制することができる。このような支持体40を構成する材料としては、例えば、34質量%以上38質量%以下のニッケルを含むインバー材や、ニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材などの鉄合金を用いることができる。
次に、マスク30と支持体40とを接合する接合工程を実施する。この接合工程では、平面視で支持体40の第2貫通孔45がマスク30の第1貫通孔35に重なるように、支持体40とマスク30とを接合する。この際、まず、図11Aに示すように、マスク30が支持体40上に配置される。次に、マスク30に対して、基材51側から、基材51を介してレーザー光Laを照射して、第2金属層37の一部及び支持体40の一部をレーザー光Laの照射により生じた熱で融解させて、マスク30と支持体40とを溶接により互いに接合する。レーザー光Laとしては、例えば、YAGレーザー装置によって生成されるYAGレーザー光を用いることができる。YAGレーザー装置としては、例えば、YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)にNd(ネオジム)を添加した結晶を発振用媒質として備えたものを用いることができる。
これにより、図11Bに示すように、マスク30と支持体40とを接合する第1接合部19aが形成され、基材51に接合されたマスク30と、マスク30に接合された支持体40とを有する第1中間部材70aが得られる。なお、これに限られず、マスク30と支持体40とは、例えば接着剤等の他の固定手段により互いに接合されても良く、あるいは、マスク30と支持体40とは、めっき処理によって互いに接合されても良い。
次に、第1中間部材70aのマスク30から基材51を剥がす、引き剥がし工程を実施する。これによって、図11Cに示すように、複数の第1貫通孔35が形成されためっき層31を有するマスク30と、マスク30に接合され、平面視で複数の第1貫通孔35に重なる第2貫通孔45が形成された支持体40とを備えた蒸着マスク20を得ることができる。この際、上述したように支持体40の厚みT1は、2.0mm以下となっていてもよい。これにより、第1中間部材70aのマスク30から基材51を剥がす際に、基材51を剥がせなくなる不具合を抑制することができる。すなわち、マスク30から基材51を剥がす際には、マスク30にシワや塑性変形が生じないように支持体40を弾性変形させながら基材51を剥がす。一方、支持体40の厚みT1が大きすぎる場合、支持体40の剛性が大きくなりすぎることにより、支持体40を弾性変形させることが困難になる可能性がある。これに対して支持体40の厚みT1を2.0mm以下とすることより、支持体40の剛性が大きくなりすぎることを抑制することができ、支持体40を弾性変形させることができる。このため、第1中間部材70aのマスク30から基材51を剥がす際に、基材51を剥がせなくなる不具合を抑制することができる。
次に、蒸着マスク装置10を製造する方法について説明する。
まず、例えば図8A乃至図11Cに示す方法により、蒸着マスク20を作製する。
次に、蒸着マスク20を、フレーム15に接合する。この場合、平面視でフレーム15の開口15aが支持体40の第2貫通孔45に重なるように、フレーム15と支持体40とを接合する。この際、図12Aに示すように、支持体40とフレーム15とが接触するように、蒸着マスク20がフレーム15上に配置される。次に、図12Bに示すように、支持体40に対して、レーザー光Laを照射して、支持体40の一部及びフレーム15の一部をレーザー光Laの照射により生じた熱で融解させて、支持体40とフレーム15とを溶接により互いに接合する。この際、蒸着マスク20に撓みが発生することを抑制するとともに、マスク30の有効領域22の位置調整を行うために、蒸着マスク20をその面方向に引っ張った状態で、支持体40とフレーム15とが互いに接合されても良い。
これにより、図12Cに示すように、支持体40とフレーム15とを接合する第2接合部19bが形成され、蒸着マスク20と、蒸着マスク20の支持体40に接合され、平面視で第2貫通孔45に重なる開口15aが設けられたフレーム15とを備えた蒸着マスク装置10が得られる。なお、これに限られず、支持体40とフレーム15とは、例えば接着剤等の他の固定手段により互いに接合されても良い。
次に、上述した工程により得られた蒸着マスク装置10を用いて有機EL基板92に蒸着材料98を蒸着する蒸着材料の蒸着方法について、主に図13A乃至図14を参照して説明する。
まず、図13Aに示すように、上述した工程により得られた蒸着マスク装置10を準備する。この際、蒸着材料98が収容されたるつぼ94及びヒータ96を準備し、蒸着装置90を準備する。
また、有機EL基板92を準備する。
次に、図13Bに示すように、有機EL基板92を蒸着マスク装置10のマスク30上に設置する。この際、例えば有機EL基板92の図示しないアライメントマークと、蒸着マスク20の図示しないアライメントマークとを直接観察し、当該アライメントマーク同士が重なるように有機EL基板92の位置決めを行いながら、有機EL基板92を蒸着マスク装置10に設置する。
次いで、蒸着マスク装置10のマスク30上に設置された有機EL基板92に蒸着材料98を蒸着させる。この際、例えば、図14に示すように、有機EL基板92の、蒸着マスク装置10と反対の側の面に磁石93が配置される。このように磁石93を設けることにより、磁力によって蒸着マスク装置10を磁石93側に引き寄せて、マスク30を有機EL基板92に密着させることができる。次に、蒸着装置90の内部が高真空状態となるように、蒸着装置90の内部を図示しない排気手段により排気する。次に、ヒータ96が、るつぼ94を加熱して蒸着材料98を蒸発させる。そして、るつぼ94から蒸発して蒸着マスク装置10に到達した蒸着材料98は、支持体40の第2貫通孔45及びマスク30の第1貫通孔35を通って有機EL基板92に付着する(図1参照)。
このようにして、マスク30の第1貫通孔35の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料98が有機EL基板92に蒸着される。
本実施の形態によれば、蒸着マスク20が、第1貫通孔35が形成されためっき層31を有するマスク30と、マスク30に接合され、平面視で第1貫通孔35に重なる第2貫通孔45が形成された支持体40とを備え、支持体40の厚みが、0.20mm以上2.0mm以下である。このように支持体40の厚みT1が、0.20mm以上であることにより、蒸着マスク20の剛性を向上させることができる。これにより、マスク30にシワや変形が生じることを抑制することができる。また、支持体40の厚みT1が2.0mm以下であることにより、支持体40に接合されたマスク30から基材51を剥がす際に、基材51を剥がせなくなる不具合を抑制することができる。
また、本実施の形態によれば、支持体40は、剛性率が50GPa以上65GPa以下の材料を含んでいる。このように支持体40の材料の剛性率が50GPa以上であることにより、蒸着マスク20の剛性を効果的に向上させることができる。これにより、マスク30にシワや変形が生じることを抑制することができる。また、支持体40の材料の剛性率が65GPa以下であることにより、支持体40に接合されたマスク30から基材51を剥がす際に、基材51を剥がせなくなる不具合を抑制することができる。
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明及び以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
上述の本実施の形態においては、蒸着マスク20が、複数の有効領域22を有する単一のマスク30を用いている例について説明した。しかしながら、これに限られることはなく、図15に示すように、フレーム15に複数のマスク30が割り付けられた蒸着マスク20を用いてもよい。なお、図15においては、図面を明瞭にするために、支持体40の第2貫通孔45の図示を省略している。
上述の本実施の形態においては、マスク30のめっき層31が、第1金属層32と、第1金属層32上に設けられた第2金属層37とを備え、2層構造で形成されている例について説明した。しかしながら、これに限られることはなく、第1金属層32上に第2金属層37が形成されることなく、めっき層31が1層構造で形成されていても良い。
また、上述の本実施の形態においては、支持体40が単一の部材から構成されている例について説明した。しかしながら、これに限られることはなく、図16に示すように、支持体40が、互いに接合された複数の層を有していても良い。本変形例においては、支持体40は、マスク30に接合された第1層40aと、第1層40aに接合された第2層40bとを有していても良い。この場合、支持体40の第2貫通孔45は、第1層40aおよび第2層40bを貫通していてもよい。すなわち、支持体40の第1層40aには所定のパターンで第1開口部40cが設けられていてもよく、第2層40bには、第1開口部40cに連通する第2開口部40dが設けられていてもよい。そして、第1開口部40cと第2開口部40dとが互いに連通することにより、支持体40の第1層40aおよび第2層40bを貫通する第2貫通孔45が画定されていてもよい。
このように、支持体40が第1層40aと第2層40bとを有することにより、所望の厚みT1を有する支持体40を容易に得ることができる。すなわち、支持体40の第2貫通孔45を形成する際、上述したように、露光工程および現像工程を含むフォトリソグラフィー法により金属板をパターニングする。この際、金属板の厚みが厚い場合、金属板を所望のパターンにパターニングすることが困難になる可能性がある。これに対して、支持体40が第1層40aと、第2層40bとを有することにより、第1層40aおよび第2層40bが接合される前に、第1層40aの第1開口部40cおよび第2層40bの第2開口部40dをそれぞれ形成することができる。そして、第1開口部40cが形成された第1層40aと、第2開口部40dが形成された第2層40bとを互いに接合することにより、第2貫通孔45が形成され、十分な厚みT1を有する支持体40を容易に得ることができる。
また、これらの第1層40aおよび第2層40bは、接着剤、ロウ材または溶接により互いに接合されていてもよい。この場合、上述した第2接合部19b(図3及び図4参照)のように、図示しない接合部が支持体40の外縁40eの延びる方向と平行な方向に沿って配列されても良い。また、この場合、第1層40aと第2層40bとの接合面47aは、側方(すなわち、図16に示す左右方向)から金属48により覆われていることが好ましい。この場合、金属48は、例えば溶接によって、接合面47aを側方から覆うように肉盛りすることにより形成されてもよく、めっき処理によって、接合面47aを側方から覆うように金属を析出させることにより形成されてもよい。ところで、蒸着マスク装置10を利用して有機EL基板92に対して蒸着材料98を蒸着させる場合、蒸着マスク装置10の蒸着マスク20を繰り返して使用する場合がある。この場合、蒸着マスク20を使用する毎に、蒸着マスク20を洗浄し、蒸着マスク20に付着した蒸着材料98を除去している。一方、第1層40aおよび第2層40bの接合面47aが露出している場合、蒸着マスク20を洗浄する際に、第1層40aと第2層40bとの間の隙間に蒸着材料98を洗浄するための洗浄液が入り込んでしまう可能性がある。第1層40aと第2層40bとの間の隙間に洗浄液が入り込んでしまった蒸着マスク20を用いて有機EL基板92に蒸着材料98を蒸着させた場合、第1層40aと第2層40bとの間の隙間に入り込んだ洗浄液が、有機EL基板92に付着してしまうおそれがある。この場合、有機EL基板92において、所望のコントラストが得られない等、様々な不具合が発生する可能性がある。
これに対して、本変形例においては、第1層40aと第2層40bとの接合面47aが、側方から金属48により覆われている。これにより、第1層40aと第2層40bとの間の隙間に洗浄液が入り込んでしまう不具合を抑制することができる。
このような支持体40を作製する場合、まず、マスク30に接合される第1層40aと、第1層40aに接合される第2層40bとを準備する。この場合、まず、金属板を準備し、露光工程および現像工程を含むフォトリソグラフィー法により金属板をパターニングする。これにより、図17Aに示すように、第1層40aに第1開口部40cが形成され、第2層40bに第2開口部40dが形成される。
次に、図17Bに示すように、第1層40aと第2層40bとを互いに接合する。この際、第1層40aおよび第2層40bは、接着剤、ロウ材または溶接により互いに接合される。例えば、第1層40aおよび第2層40bが溶接により互いに接合される場合、第1層40aと第2層40bとを重ね合わせ、第1層40aまたは第2層40bに対して、上述したレーザー光Laを照射して、第1層40aの一部及び第2層40bの一部をレーザー光Laの照射により生じた熱で融解させて、第1層40aと第2層40bとを溶接により互いに接合する。
次いで、図17Cに示すように、第1層40aと第2層40bとの接合面47aを金属48によって覆う。この場合、例えば溶接によって、接合面47aを側方(すなわち、図17Cに示す左右方向)から覆うように金属48を肉盛りしてもよく、めっき処理によって、接合面47aを側方から覆うように金属を析出させて、金属48を形成しても良い。このようにして、支持体40が得られる。
また、本変形例においては、図18Aに示すように、各層40a、40bが金属48により側方(すなわち、図18Aに示す左右方向)から完全に覆われていても良く、第2層40bの下面が金属48により覆われていても良い。
また、本変形例においては、支持体40が、3つ以上の層を有していても良い。例えば、図18Bに示すように、支持体40が、第2層40bに接合された第3層40fを更に有していても良い。第2層40bおよび第3層40fは、接着剤、ロウ材または溶接により互いに接合されていてもよい。この場合、支持体40の第2貫通孔45は、各層40a、40b、40fを貫通していてもよい。すなわち、支持体40の第3層40fには第2層40bの第2開口部40dに連通する第3開口部40gが設けられていてもよい。そして、第1開口部40c、第2開口部40dおよび第3開口部40gが互いに連通することにより、支持体40の第1層40a、第2層40bおよび第3層40fを貫通する第2貫通孔45が画定されていてもよい。また、この場合においても、第1層40aと第2層40bとの接合面47aが、側方(すなわち、図18Bに示す左右方向)から金属48により覆われていることが好ましい。さらに、第2層40bと第3層40fとの接合面47bが、側方(すなわち、図18Bに示す左右方向)から金属48により覆われていることが好ましい。この場合においても、金属48は、例えば溶接によって、接合面47aおよび接合面47bを側方から覆うように肉盛りすることにより形成されてもよく、めっき処理によって、接合面47aおよび接合面47bを側方から覆うように金属を析出させることにより形成されてもよい。
図18Bに示す支持体40を作製する場合、第2層40bに接合される第3層40fを更に準備する。この場合、第1層40aおよび第2層40bと同様に、金属板を準備し、露光工程および現像工程を含むフォトリソグラフィー法により金属板をパターニングする。これにより、図18Cに示すように、第3層40fに第3開口部40gが形成される。
次に、図18Dに示すように、第1層40aに接合された第2層40bと、第3層40fとを互いに接合する。この際、第2層40bおよび第3層40fは、接着剤、ロウ材または溶接により互いに接合される。例えば、第2層40bおよび第3層40fが溶接により互いに接合される場合、第2層40bと第3層40fとを重ね合わせ、第3層40fに対して、上述したレーザー光Laを照射して、第3層40fの一部及び第2層40bの一部をレーザー光Laの照射により生じた熱で融解させて、第2層40bと第3層40fとを溶接により互いに接合する。
次いで、図18Eに示すように、第1層40aと第2層40bとの接合面47aを金属48によって覆う。また、第2層40bと第3層40fとの接合面47bを金属48によって覆う。この場合、例えば溶接によって、接合面47a、47bを側方(すなわち、図18Eに示す左右方向)から覆うように金属48を肉盛りしてもよく、めっき処理によって、接合面47a、47bを側方から覆うように金属を析出させて、金属48を形成しても良い。このようにして、支持体40が得られる。
また、本変形例においては、図18Fに示すように、各層40a、40b、40fが金属48により側方(すなわち、図18Cに示す左右方向)から完全に覆われていても良く、第3層40fの下面が金属48により覆われていても良い。
また、上述の本実施の形態においては、支持体40の第2貫通孔45が、平面視でマスク30の有効領域22よりも大きい寸法を有している例について説明した。しかしながら、これに限られることはなく、第2貫通孔45が平面視で有効領域22よりも小さい寸法を有していても良い。また、複数の有効領域22のうち一部の有効領域22が、支持領域46によって覆われていても良い。
また、上述の本実施の形態においては、めっき層31が導電層52上にめっき層31を析出させた例について説明した。しかしながら、これに限られることはなく、基材51上に直接めっき層31を析出させても良い。この場合、まず、導電性を有する材料、例えばステンレスや真ちゅう鋼からなる基材51を準備する。次に、図19Aに示すように、導電性を有する基材51上に、所定のパターンを有する第1レジストパターン53を形成する。次いで、図19Bに示すように、第1レジストパターン53が形成された基材51上に第1めっき液を供給して、基材51上にめっき層31を析出させる。その後、図19Cに示すように、第1レジストパターン53を除去することにより、基材51上にめっき層31を析出させることができる。なお、図示はしないが、めっき層31が第1金属層32上に設けられた第2金属層37を備え、2層構造で形成されていても良い。
なお、以上において上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

Claims (11)

  1. 基材に接合され、第1貫通孔が形成されためっき層を有するマスクを準備する工程と、
    第2貫通孔が形成された支持体を準備する工程と、
    平面視で、前記支持体の前記第2貫通孔が前記マスクの前記第1貫通孔に重なるように、前記支持体と、前記マスクとを接合する工程と、
    前記マスクから前記基材を剥がす工程とを備え、
    前記支持体の厚みは、0.20mm以上2.0mm以下であり、
    前記支持体を準備する工程は、
    第1層および第2層を準備する工程と、
    前記第1層および前記第2層を互いに接合する工程と、
    前記第1層および前記第2層を互いに接合する工程の後に、金属により前記第1層および前記第2層の接合面を側方から覆う工程とを有する、蒸着マスクの製造方法。
  2. 前記基材には、導電層が形成され、
    前記第1貫通孔は、前記導電層上に前記めっき層を析出させることにより形成される、請求項に記載の蒸着マスクの製造方法。
  3. 前記第1層および前記第2層を互いに接合する工程において、前記第1層および前記第2層は、接着剤、ロウ材または溶接により互いに接合される、請求項1または2に記載の蒸着マスクの製造方法。
  4. 前記金属により前記第1層および前記第2層の接合面を側方から覆う工程において、前記金属は、めっき処理により形成される、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
  5. 前記支持体を準備する工程は、第3層を準備する工程と、前記第2層および前記第3層を互いに接合する工程とを更に有する、請求項乃至のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
  6. 前記第2層および前記第3層を互いに接合する工程において、前記第2層および前記第3層は、接着剤、ロウ材または溶接により互いに接合される、請求項に記載の蒸着マスクの製造方法。
  7. 前記支持体を準備する工程は、前記第2層および前記第3層を互いに接合する工程の後に、金属により前記第2層および前記第3層の接合面を側方から覆う工程を更に有する、請求項またはに記載の蒸着マスクの製造方法。
  8. 基材に接合され、第1貫通孔が形成されためっき層を有するマスクを準備する工程と、
    第2貫通孔が形成された支持体を準備する工程と、
    平面視で、前記支持体の前記第2貫通孔が前記マスクの前記第1貫通孔に重なるように、前記支持体と、前記マスクとを接合する工程と、
    前記マスクから前記基材を剥がす工程とを備え、
    前記支持体の厚みは、0.20mm以上2.0mm以下であり、
    前記支持体を準備する工程は、
    第1層、第2層および第3層を準備する工程と、
    前記第1層および前記第2層を互いに接合する工程と、
    前記第2層および前記第3層を互いに接合する工程と、
    前記第2層および前記第3層を互いに接合する工程の後に、金属により前記第2層および前記第3層の接合面を側方から覆う工程とを有する、蒸着マスクの製造方法。
  9. 前記金属により前記第2層および前記第3層の接合面を側方から覆う工程において、前記金属は、めっき処理により形成される、請求項7または8に記載の蒸着マスクの製造方法。
  10. 請求項乃至のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法により製造された蒸着マスクを準備する工程と、
    前記蒸着マスクの前記支持体にフレームを取り付ける工程とを備える、蒸着マスク装置の製造方法。
  11. 基板に蒸着材料を蒸着させる、蒸着材料の蒸着方法あって、
    請求項10に記載の蒸着マスク装置の製造方法により製造された蒸着マスク装置を準備する工程と、
    前記基板を準備する工程と、
    前記基板を前記蒸着マスク装置の前記マスク上に設置する工程と、
    前記マスク上に設置された前記基板に前記蒸着材料を蒸着させる工程と、を備える、蒸着方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI773911B (zh) * 2018-08-10 2022-08-11 日商大日本印刷股份有限公司 蒸鍍罩、蒸鍍罩裝置、蒸鍍罩之製造方法、蒸鍍罩裝置之製造方法及蒸鍍方法
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法
JP2021155763A (ja) * 2020-03-25 2021-10-07 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスクの製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005302457A (ja) 2004-04-09 2005-10-27 Toray Ind Inc 蒸着マスクおよびその製造方法並びに有機電界発光装置の製造方法
JP2017057494A (ja) 2015-09-17 2017-03-23 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機半導体素子の製造方法
JP2017210633A (ja) 2016-05-23 2017-11-30 マクセルホールディングス株式会社 蒸着マスクおよびその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005042147A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 蒸着用マスクの製造方法および蒸着用マスク
JP4847081B2 (ja) * 2005-09-20 2011-12-28 九州日立マクセル株式会社 メタルマスクおよびその製造方法
CN107208250A (zh) * 2015-01-05 2017-09-26 夏普株式会社 蒸镀掩膜、蒸镀装置、及蒸镀掩膜的制造方法
JP6341434B2 (ja) * 2016-03-29 2018-06-13 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、その製造方法及び成膜マスクのリペア方法
EP4148161A1 (en) * 2016-12-14 2023-03-15 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method of manufacturing vapor deposition mask device
TWI773911B (zh) * 2018-08-10 2022-08-11 日商大日本印刷股份有限公司 蒸鍍罩、蒸鍍罩裝置、蒸鍍罩之製造方法、蒸鍍罩裝置之製造方法及蒸鍍方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005302457A (ja) 2004-04-09 2005-10-27 Toray Ind Inc 蒸着マスクおよびその製造方法並びに有機電界発光装置の製造方法
JP2017057494A (ja) 2015-09-17 2017-03-23 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機半導体素子の製造方法
JP2017210633A (ja) 2016-05-23 2017-11-30 マクセルホールディングス株式会社 蒸着マスクおよびその製造方法

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