JP7077734B2 - 構造体、およびその製造方法 - Google Patents
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Description
1.全体構造
本実施形態に係る構造体100の上面模式図を図1(A)に、図1(A)の鎖線A-A´に沿った断面模式図を図2に示す。以下、便宜上基板102の上面が形成する面をxy平面、上面の法線に平行な軸をz軸とする。これらの図に示すように、構造体100は少なくとも一つの凹部を有する基板、および凹部に形成される金属膜(金属箔とも呼ばれる)106を備える。凹部は複数設けられてもよい。図1(A)、図2に示した例では、凹部はxy平面において互いにほぼ平行に延伸する複数の溝104である。溝104は基板102を貫通せず、基板102によって溝104の側壁104aと底面104b形成される。金属膜106は溝104の中に設けられる。凹部の形状は溝状に限られず、図1(B)に示すように、凹部は、基板102を貫通せず、z軸方向に延伸する孔(以下、有底孔)108でもよい。図示しないが、凹部が有底孔108の場合、そのxy平面に平行な断面(以下、平行断面)は円形、楕円形、多角形などでも良い。本明細書と請求項では、凹部の平行断面において凹部の最大長の方向に垂直な方向の長さに対する最大長が2以上を溝と定義し、0よりも大きく2未満のものを孔と定義する。以下、凹部として溝104が設けられる例について説明する。
溝104の幅(すなわち平行断面における最小長)Lwに対する溝104の深さ(すなわち底面104bと基板102の上面までの距離)Ldの比(アスペクト比)は任意に設定でき、たとえば5以上200以下、5以上100以下、5以上50以下、あるいは10以上30以下とすることができる(図2参照)。Ldは、50μm以上1000μm以下、50μm以上500μm以下、あるいは50μm以上200μm以下とすることができ、典型的には100μmである。Lwは、1μm以上50μm以下、1μm以上20μm以下、あるいは1μm以上10μm以下とすることができる。
La<Lb<Lc
溝104の構造は上述した構造に限られない。図3に示した例では、突起112aは溝104の底面104bの全体にわたって形成されているが、突起112aは必ずしも底面104bに均一に分布する必要は無く、不均一に分布してもよい。すなわち、底面104bは、突起112aの存在密度が異なる領域を複数有することができる。具体的には図4に示すように、突起112aは底面104bの中央部には形成されず、溝104の側壁104a近傍に選択的に分布するよう、溝104の構造を制御してもよい。逆に、図5に示すように、側壁104aには形成されず、底面104bの中央部とその近傍に選択的に分布するように突起112aを形成してもよい。
本実施形態では、構造体100の製造方法について述べる。第1実施形態で述べた構成と同様、あるいは類似する構成については説明を省略することがある。
Claims (18)
- 少なくとも一つの溝を有する基板、
前記溝内に位置する金属膜、および
前記溝の側壁の一部、および前記基板の上面と接する絶縁膜を有し、
前記溝の底面は、前記基板に含まれる材料を含有する複数の突起を備え、
前記複数の突起の少なくとも一つは、1よりも大きく50以下のアスペクト比を有し、
前記絶縁膜の下端は、前記溝内において前記底面から離れ、
前記底面から前記下端までの距離は、前記複数の突起の最大高さよりも大きい構造体。 - 少なくとも一つの溝を有する基板、
前記溝内に位置する金属膜、および
前記金属膜と前記溝の底面に囲まれる空洞を有し、
前記底面は、前記基板に含まれる材料を含有する複数の突起を備え、
前記複数の突起の少なくとも一つは、1よりも大きく50以下のアスペクト比を有する構造体。 - 少なくとも一つの溝を有する基板、
前記溝内に位置する金属膜、および
前記溝の側壁の一部、および前記基板の上面と接する絶縁膜を有し、
前記溝の底面は、前記基板に含まれる材料を含有する複数の突起を備え、
前記複数の突起の少なくとも一つは、1よりも大きく50以下のアスペクト比を有し、
前記複数の突起は、前記溝の深さ方向において、前記絶縁膜から露出する構造体。 - 前記複数の突起の少なくとも一つは、100nm以上20μm以下の高さを有する、請求項1から3のいずれか一項に記載の構造体。
- 前記複数の突起は、前記溝の側壁の近傍に選択的に分布する、請求項1から3のいずれか一項に記載の構造体。
- 前記複数の突起は、前記底面の中央部近傍に選択的に分布する、請求項1から3のいずれか一項に記載の構造体。
- 前記複数の突起の下端が形成する近似曲線は、前記基板の上面に垂直な断面において前記基板の底面方向に突き出る、請求項1から3のいずれか一項に記載の構造体。
- 前記溝の側壁は複数の凹部を有する、請求項1から3のいずれか一項に記載の構造体。
- 前記基板が複数の溝を有する、請求項1から3のいずれか一項に記載の構造体。
- 前記材料はケイ素であり、
前記金属膜は、ケイ素よりもX線に対する透過率が小さい、請求項1から3のいずれか一項に記載の構造体。 - 基板の上面にマスクを形成すること、
前記基板の前記マスクに覆われていない領域を異方的にエッチングする第1のステップと前記第1のステップでエッチングされた前記基板上に保護膜を形成する第2のステップを交互に繰り返すことにより、少なくとも一つの溝を基板に形成すること、
前記マスクと前記保護膜を除去すること、
前記基板の前記上面、および前記溝の側壁の一部に接する絶縁膜を、前記溝の底面が露出されるように形成すること、
前記溝の底面に対してドライエッチングを行うことによって前記基板に含まれる材料を含有する複数の突起を前記底面に形成すること、および
前記溝に金属膜を形成することを含み、
前記ドライエッチングは、前記複数の突起の少なくとも一つが1よりも大きく50以下のアスペクト比を有するように行われ、
前記絶縁膜は、前記絶縁膜の下端が前記溝内において前記底面から離れ、前記底面から前記下端までの距離が前記複数の突起の最大高さよりも大きくなるように形成される、構造体を製造する方法。 - 基板の上面にマスクを形成すること、
前記基板の前記マスクに覆われていない領域を異方的にエッチングする第1のステップと前記第1のステップでエッチングされた前記基板上に保護膜を形成する第2のステップを交互に繰り返すことにより、少なくとも一つの溝を基板に形成すること、
前記溝の底面に対してドライエッチングを行うことによって前記基板に含まれる材料を含有する複数の突起を前記底面に形成すること、
前記ドライエッチング後に前記マスクと前記保護膜を除去すること、
前記基板の前記上面、および前記溝の側壁の一部と接する絶縁膜を、前記溝の底面が露出されるように形成すること、および
前記溝に金属膜を形成することを含み、
前記ドライエッチングは、前記複数の突起の少なくとも一つが1よりも大きく50以下のアスペクト比を有するように行われ、
前記絶縁膜は、前記絶縁膜の下端が前記溝内において前記底面から離れ、前記底面から前記下端までの距離が前記複数の突起の最大高さよりも大きくなるように形成される、構造体を製造する方法。 - 少なくとも一つの溝を基板に形成すること、
前記溝の底面に対してドライエッチングを行うことによって前記基板に含まれる材料を含有する複数の突起を前記底面に形成すること、
前記基板の上面および前記溝の側壁の一部と接する絶縁膜を形成すること、および
前記溝に金属膜を形成することを含み、
前記ドライエッチングは、前記複数の突起の少なくとも一つが1よりも大きく50以下のアスペクト比を有するように行われ
前記絶縁膜は、前記突起が前記溝の深さ方向において前記絶縁膜から露出するように形成される、構造体を製造する方法。 - 前記ドライエッチングは、前記複数の突起の少なくとも一つが100nm以上20μm以下の高さを有するように行われる、請求項11から13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ドライエッチングは、前記複数の突起が前記溝の側壁の近傍に選択的に分布するように行われる、請求項11から13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ドライエッチングは、前記複数の突起が前記底面の中央部近傍に選択的に分布するように行われる、請求項11から13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記溝は複数形成される、請求項11から13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記材料はケイ素であり、
前記金属膜は、ケイ素よりもX線に対する透過率が小さい、請求項11から13のいずれか一項に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication Number | Publication Date |
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JP (1) | JP7077734B2 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060006559A1 (en) | 2004-07-09 | 2006-01-12 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Light guide plate mold and method for manufacturing the same |
JP2011512010A (ja) | 2008-02-12 | 2011-04-14 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 小型バッテリとこれに用いる電極 |
JP2012079960A (ja) | 2010-10-04 | 2012-04-19 | Denso Corp | キャパシタ構造体およびその製造方法 |
US20120099702A1 (en) | 2009-06-16 | 2012-04-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Correction method for differential phase contrast imaging |
JP5420923B2 (ja) | 2009-02-10 | 2014-02-19 | 株式会社ナノクリエート | X線タルボ回折格子の製造方法 |
JP5773624B2 (ja) | 2010-01-08 | 2015-09-02 | キヤノン株式会社 | 微細構造体の製造方法 |
JP6070555B2 (ja) | 2011-07-27 | 2017-02-01 | コニカミノルタ株式会社 | 金属格子の製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4499390B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2010-07-07 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP6024019B2 (ja) * | 2012-11-01 | 2016-11-09 | 株式会社フジクラ | プリント基板及びその製造方法 |
-
2018
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060006559A1 (en) | 2004-07-09 | 2006-01-12 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Light guide plate mold and method for manufacturing the same |
JP2011512010A (ja) | 2008-02-12 | 2011-04-14 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 小型バッテリとこれに用いる電極 |
JP5420923B2 (ja) | 2009-02-10 | 2014-02-19 | 株式会社ナノクリエート | X線タルボ回折格子の製造方法 |
US20120099702A1 (en) | 2009-06-16 | 2012-04-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Correction method for differential phase contrast imaging |
JP5773624B2 (ja) | 2010-01-08 | 2015-09-02 | キヤノン株式会社 | 微細構造体の製造方法 |
JP2012079960A (ja) | 2010-10-04 | 2012-04-19 | Denso Corp | キャパシタ構造体およびその製造方法 |
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