JP7062653B2 - ステルスダイシング用粘着シートおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
ステルスダイシング用粘着シートおよび半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7062653B2 JP7062653B2 JP2019528340A JP2019528340A JP7062653B2 JP 7062653 B2 JP7062653 B2 JP 7062653B2 JP 2019528340 A JP2019528340 A JP 2019528340A JP 2019528340 A JP2019528340 A JP 2019528340A JP 7062653 B2 JP7062653 B2 JP 7062653B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- sensitive adhesive
- stealth dicing
- adhesive sheet
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
- C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
Description
〔ステルスダイシング用粘着シート〕
本発明の一実施形態に係るステルスダイシング用粘着シートは、少なくとも、内部に改質層が形成された半導体ウエハを、低温環境下で個々のチップに切断分離するために使用されるものである。ここで、低温環境下とは、DAFやNCFが十分に脆性化する温度環境下のことをいい、例えば10℃以下の環境下であることを意味し、特に6℃以下の環境下であることが好ましく、さらには4℃以下の環境下であることが好ましい。また、ここにいう低温環境下における温度の下限値は特に制限されず、例えば、低温環境下とは、-20℃以上の環境下であることを意味し、特に-15℃以上の環境下であることが好ましく、さらには-10℃以上の環境下であることが好ましい。10℃を超える環境下では、DAFやNCFの脆性化が不十分となり、良好な分割を行うことができないおそれがある。また、-20℃未満の環境下では、DAF、NCFまたは粘着シートがそれらのガラス転移温度(Tg)以下の環境下に置かれることになるため、それらと半導体ウエハとの密着性が低下する懸念があり、またエキスパンド時に粘着シートの破断が生じる懸念がある。半導体ウエハ内部に改質層を形成する工程(改質層形成工程)は、半導体ウエハが当該ステルスダイシング用粘着シートに貼合された状態で行われてもよいし、半導体ウエハが当該ステルスダイシング用粘着シートに貼合される前に行われてもよい。なお、本明細書における「シート」には「テープ」の概念も含まれるものとする。
本実施形態に係るステルスダイシング用粘着シートの粘着剤層は、上記のせん断力を満たすものであれば、特に限定されない。当該粘着剤層は、非エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよいし、エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよい。非エネルギー線硬化性粘着剤としては、所望の粘着力および再剥離性を有するものが好ましく、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等を使用することができる。これらの中でも、改質層形成工程やクールエキスパンド工程等にて半導体ウエハやチップ等の脱落を効果的に抑制することのできるアクリル系粘着剤が好ましい。
本実施形態に係るステルスダイシング用粘着シートにおける基材は、0℃における貯蔵弾性率が、100MPa以上、1500MPa以下であるものが好ましい。一般的に、基材の貯蔵弾性率が過度に低い場合、エキスパンド工程において、ステルスダイシング用粘着シートにおける半導体ウエハが積層されている領域よりも、半導体ウエハが積層されていない領域において優先的に伸張し易いものとなってしまう。しかしながら、上記貯蔵弾性率が上記範囲であることで、ステルスダイシング用粘着シートにおける半導体ウエハが積層されている領域も良好に伸張することができ、その結果、個々のチップを効果的に切断分離することが可能となる。なお、上記貯蔵弾性率の測定方法は、後述する試験例に示す通りである。
本実施形態に係るステルスダイシング用粘着シートにおける粘着剤層の基材側とは反対側の面には、当該ステルスダイシング用粘着シートが使用されるまで、粘着剤層を保護するために、剥離シートが積層されていてもよい。
本実施体形態に係るステルスダイシング用粘着シートでは、0℃におけるシリコンミラーウエハに対する粘着力が、0.5N/25mm以上であることが好ましく、特に1.0N/25mm以上であることが好ましい。また、当該粘着力は、30N/25mm以下であることが好ましく、特に25N/25mm以下であることが好ましい。0℃における粘着力が上記範囲であることで、クールエキスパンド工程において粘着シートをエキスパンドする際に、半導体ウエハや得られる半導体チップの所定の位置に維持し易くなり、半導体ウエハの改質層部分における分断を良好に行うことが可能となる。なお、粘着剤層がエネルギー線硬化性粘着剤から構成される場合、上記粘着力は、エネルギー線照射前の粘着力をいうものとする。また、粘着力は、後述する方法により測定されたものをいう。
本実施形態に係るステルスダイシング用粘着シートの製造方法は、特に限定されず、常法を使用することができる。当該製造方法の第1の例としては、まず、粘着剤層の材料を含む粘着剤組成物、および所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工用組成物を調製する。次に、この塗工用組成物を、剥離シートの剥離面上に、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、スリットコーター、ナイフコーター等により塗布して塗膜を形成する。さらに、当該塗膜を乾燥させることにより、粘着剤層を形成する。その後、剥離シート上の粘着剤層と基材とを貼合することで、ステルスダイシング用粘着シートが得られる。塗工用組成物は、塗布を行うことが可能であればその性状は特に限定されない。粘着剤層を形成するための成分は、塗工用組成物中に溶質として含有されてもよく、または分散質として含有されてもよい。
本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、前述したステルスダイシング用粘着シート(本実施形態に係るステルスダイシング用粘着シート)の粘着剤層と半導体ウエハとを貼合する貼合工程と、半導体ウエハの内部に改質層を形成する改質層形成工程と、低温環境下でステルスダイシング用粘着シートをエキスパンドして、内部に改質層が形成された半導体ウエハを個々のチップに切断分離するクールエキスパンド工程とを備える。
まず、本実施形態に係るステルスダイシング用粘着シートの粘着剤層と半導体ウエハとを貼合する貼合工程を行う。通常は、ステルスダイシング用粘着シートの粘着剤層側の面を、半導体ウエハの一方の面にマウントするが、これに限定されるものではない。この貼合工程では、通常、ステルスダイシング用粘着シートの粘着剤層側の面における、半導体ウエハが貼着している領域の外周側の領域に、リングフレームが貼付される。この場合、平面視で、リングフレームと半導体ウエハとの間には粘着剤層が露出した領域が、周縁領域として存在する。
次に、ステルスダイシング用粘着シートに貼合された半導体ウエハにおけるステルスダイシング用粘着シート側とは反対側の面に、接着用フィルムを積層するラミネート工程を行ってもよい。この積層は、通常、加熱積層(熱ラミネート)によって行う。半導体ウエハが表面に電極を有する場合、通常、半導体ウエハにおけるステルスダイシング用粘着シート側とは反対側の面に電極が存在するため、接着用フィルムは、半導体ウエハの電極側に積層される。
好ましくは、上記貼合工程後またはラミネート工程後に、半導体ウエハの内部に改質層を形成する改質層形成工程を行うが、それらの工程の前に改質層形成工程を行ってもよい。改質層形成工程は、通常、半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束されるように赤外域のレーザ光を照射することにより行う(ステルスダイシング加工)。レーザ光の照射は、半導体ウエハのいずれの側から行ってもよい。改質層形成工程を、ラミネート工程後に行う場合であれば、ステルスダイシング用粘着シート越しにレーザ光を照射することが好ましい。また、改質層形成工程を上記貼合工程と上記ラミネート工程との間に行う場合、または上記ラミネート工程を行わない場合には、ステルスダイシング用粘着シートを介さず、半導体ウエハに直接レーザ光を照射することが好ましい。
改質層形成工程の後、低温環境下でステルスダイシング用粘着シートをエキスパンドすることにより、半導体ウエハを切断分離するクールエキスパンド工程を行う。これにより、ステルスダイシング用粘着シートの粘着剤層上には、半導体ウエハが分割されてなる半導体チップが貼着した状態となる。また、半導体ウエハ上に接着フィルムが積層されている場合には、エキスパンド工程により当該接着フィルムも半導体ウエハの分割と同時に分割され、接着剤層付きチップが得られる。
クールエキスパンド工程を行った後、ステルスダイシング用粘着シートおよびその上に積層された半導体チップまたは接着剤層付きチップを室温環境下に戻し、室温環境下で再度エキスパンド工程を行ってもよい(再エキスパンド工程)。再エキスパンド工程における具体的な条件は、エキスパンドを室温(例えば23℃)で行うことを除いて特に制限されない。
再エキスパンド工程により、ステルスダイシング用粘着シートの周縁領域に弛みが生じた場合には、当該周縁領域を加熱するシュリンク工程を行うことが好ましい。ステルスダイシング用粘着シートの周辺領域を加熱することにより、この周縁領域に位置する基材が収縮し、再エキスパンド工程で生じたステルスダイシング用粘着シートの弛み量を低減させることが可能となる。シュリンク工程における加熱方法は限定されない。熱風を吹き付けてもよいし、赤外線を照射してもよいし、マイクロ波を照射してもよい。
再エキスパンド工程を行う場合には、それに続くシュリンク工程の後、再エキスパンド工程を行わない場合には、クールエキスパンド工程の後に、ステルスダイシング用粘着シートに貼着しているチップを個別にステルスダイシング用粘着シートからピックアップして、チップを半導体装置として得るピックアップ工程を行う。
(1)粘着剤組成物の調製
ラウリルアクリレート/メチルメタクリレート/2-ヒドロキシエチルアクリレート=42/30/28(質量比)を反応させて得られたアクリル系共重合体と、その2-ヒドロキシエチルアクリレートに対して80モル%のメタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)とを反応させて、エネルギー線硬化型重合体(Mw:40万)を得た。
剥離シート(リンテック社製,製品名「SP-PET3811」)の剥離面上に、上記の粘着剤組成物を塗布した。次いで、加熱による乾燥を行い、粘着剤組成物の塗膜を粘着剤層とした。この粘着剤層の厚さは10μmであった。その後、得られた剥離シート上の粘着剤層と、基材として一方の面がコロナ処理されたエチレン-メタクリル酸共重合体(EMAA)フィルム(厚さ:80μm,コロナ処理面の表面張力:54mN/m)のコロナ処理面とを貼合することで、ステルスダイシング用粘着シートを得た。
2-エチルヘキシルアクリレート/メチルメタクリレート/2-ヒドロキシエチルアクリレート=42/30/28(質量比)を反応させて得られたアクリル系共重合体と、その2-ヒドロキシエチルアクリレートに対して80モル%のメタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)とを反応させて、エネルギー線硬化型重合体(Mw:40万)を得た。
ブチルアクリレート/メチルメタクリレート/2-ヒドロキシエチルアクリレート=42/30/28(質量比)を反応させて得られたアクリル系共重合体と、その2-ヒドロキシエチルアクリレートに対して80モル%のメタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)とを反応させて、エネルギー線硬化型重合体(Mw:40万)を得た。
ブチルアクリレート/メチルメタクリレート/2-ヒドロキシエチルアクリレート=42/30/28(質量比)を反応させて得られたアクリル系共重合体と、その2-ヒドロキシエチルアクリレートに対して70モル%のメタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)とを反応させて、エネルギー線硬化型重合体(Mw:40万)を得た。
ブチルアクリレート/メチルメタクリレート/2-ヒドロキシエチルアクリレート=80/5/15(質量比)を反応させて得られたアクリル系共重合体と、その2-ヒドロキシエチルアクリレートに対して80モル%のメタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)とを反応させて、エネルギー線硬化型重合体を得た。このエネルギー線硬化型重合体の重量平均分子量(Mw)は、40万であった。
2-エチルヘキシルアクリレート/酢酸ビニル/2-ヒドロキシエチルアクリレート=60/20/20(質量比)を反応させて得られたアクリル系共重合体と、その2-ヒドロキシエチルアクリレートに対して80モル%のメタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)とを反応させて、エネルギー線硬化型重合体(Mw:40万)を得た。
ブチルアクリレート/メチルメタクリレート/2-ヒドロキシエチルアクリレート=62/10/28(質量比)を反応させて得られたアクリル系共重合体と、その2-ヒドロキシエチルアクリレートに対して80モル%のメタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)とを反応させて、エネルギー線硬化型重合体(Mw:40万)を得た。
2-エチルヘキシルアクリレート/イソボルニルアクリレート/2-ヒドロキシエチルアクリレート=42/30/28(質量比)を反応させて得られたアクリル系共重合体と、その2-ヒドロキシエチルアクリレートに対して80モル%のメタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)とを反応させて、エネルギー線硬化型重合体(Mw:40万)を得た。
実施例および比較例で得られたステルスダイシング用粘着シートの基材における粘着剤層とは反対側の面に、瞬間接着剤(東亜合成社製,製品名「アロンアルファ」)を使用して、裏打ち材としてのポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ:100μm)を接着し、積層体を得た。
実施例および比較例で使用した基材について、下記の装置および条件で0℃における基材の貯蔵弾性率(MPa)を測定した。結果を表1に示す。
測定装置:ティー・エイ・インスツルメント社製,動的弾性率測定装置「DMA Q800」
試験開始温度:0℃
試験終了温度:200℃
昇温速度:3℃/分
周波数:11Hz
振幅:20μm
実施例および比較例で使用した粘着剤組成物を、剥離シートの剥離面に塗布して粘着剤層を形成し、別途用意した剥離シートの剥離面を、露出している粘着剤層に圧着し、剥離シート/粘着剤層/剥離シートからなる粘着シートを作製した。その粘着シートから剥離シートを剥がし、粘着剤層を厚さ200μmになるように複数層積層した。得られた粘着剤層の積層体から、30mm×4mmの矩形(厚さ:200μm)を打ち抜き、これを測定用試料とした。この測定用試料について、下記の装置および条件で0℃における粘着剤層の貯蔵弾性率(MPa)を測定した。結果を表1に示す。
測定装置:ティー・エイ・インスツルメント社製,動的弾性率測定装置「ARES」
測定間距離:20mm
試験開始温度:-30℃
試験終了温度:120℃
昇温速度:3℃/分
周波数:11Hz
振幅:20μm
実施例および比較例で得られたステルスダイシング用粘着シートの粘着剤層に、6インチリングフレームおよび6インチシリコンミラーウエハ(厚さ:150μm)のミラー面を貼付した。次いで、ステルスダイシング装置(ディスコ社製,製品名「DFL7360」)を使用して、以下の条件で、6インチシリコンミラーウエハにおけるステルスダイシング用粘着シートとは反対側の面からレーザを照射して、6インチシリコンミラーウエハ内に改質層を形成した。このときのレーザ照射は、得られるチップのサイズが、それぞれ16mm角、8mm角、4mm角および1mm角となるように、4通りに行った。
<照射の条件>
照射高さ:テープ側から100μm
周波数:90Hz
出力:0.25W
加工速度:360mm/sec
○:上記割合が、100%である。
△:上記割合が、100%未満、80%以上である。
×:上記割合が、80%未満である。
11…基材
12…粘着剤層
13…裏打ち材
2…シリコンミラーウエハ
Claims (8)
- 少なくとも、内部に改質層が形成された半導体ウエハを、-20℃以上、10℃以下の環境下で個々のチップに切断分離するために使用される、ステルスダイシング用粘着シートであって、
基材と、前記基材の一方の面側に積層された粘着剤層とを備え、
前記粘着剤層を介して前記ステルスダイシング用粘着シートをシリコンウエハに貼付した場合における、前記粘着剤層と前記シリコンウエハとの界面の0℃でのせん断力が、190N/(3mm×20mm)以上、400N/(3mm×20mm)以下である
ことを特徴とするステルスダイシング用粘着シート。 - 前記粘着剤層における前記基材とは反対側の面が前記半導体ウエハに対して直接貼付されることを特徴とする請求項1に記載のステルスダイシング用粘着シート。
- 前記チップは、最小の辺の長さが0.5mm以上、20mm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のステルスダイシング用粘着シート。
- 前記半導体ウエハは、厚さが10μm以上、1000μm以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のステルスダイシング用粘着シート。
- 前記粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から構成されることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載のステルスダイシング用粘着シート。
- 前記基材の0℃における貯蔵弾性率は、100MPa以上、1500MPa以下であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載のステルスダイシング用粘着シート。
- 請求項1~6のいずれか一項に記載のステルスダイシング用粘着シートの前記粘着剤層と半導体ウエハとを貼合する貼合工程と、
前記半導体ウエハの内部に改質層を形成する改質層形成工程と、
-20℃以上、10℃以下の環境下で前記ステルスダイシング用粘着シートをエキスパンドして、内部に改質層が形成された前記半導体ウエハを個々のチップに切断分離するクールエキスパンド工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ステルスダイシング用粘着シートに貼合された前記半導体ウエハにおける前記ステルスダイシング用粘着シート側とは反対側の面に、接着用フィルムを積層するラミネート工程をさらに備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017130299 | 2017-07-03 | ||
JP2017130299 | 2017-07-03 | ||
PCT/JP2018/003592 WO2019008808A1 (ja) | 2017-07-03 | 2018-02-02 | ステルスダイシング用粘着シートおよび半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019008808A1 JPWO2019008808A1 (ja) | 2020-05-07 |
JP7062653B2 true JP7062653B2 (ja) | 2022-05-06 |
Family
ID=64949902
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019528340A Active JP7062653B2 (ja) | 2017-07-03 | 2018-02-02 | ステルスダイシング用粘着シートおよび半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7062653B2 (ja) |
KR (1) | KR102560370B1 (ja) |
CN (1) | CN110832620B (ja) |
TW (1) | TWI762576B (ja) |
WO (1) | WO2019008808A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200143259A (ko) | 2019-06-13 | 2020-12-23 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013157589A (ja) | 2012-01-06 | 2013-08-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ及びこれを使用した半導体装置の製造方法 |
JP2014509450A (ja) | 2011-03-08 | 2014-04-17 | エルジー・ハウシス・リミテッド | ウエハ加工フィルム用粘着剤組成物 |
WO2016052444A1 (ja) | 2014-09-29 | 2016-04-07 | リンテック株式会社 | 半導体ウエハ加工用シート用基材、半導体ウエハ加工用シート、および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4770126B2 (ja) | 2003-06-06 | 2011-09-14 | 日立化成工業株式会社 | 接着シート |
WO2009063825A1 (ja) * | 2007-11-16 | 2009-05-22 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | ウェーハ処理装置 |
JP4927187B2 (ja) * | 2010-02-19 | 2012-05-09 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
US11493428B2 (en) * | 2013-03-15 | 2022-11-08 | Gpb Scientific, Inc. | On-chip microfluidic processing of particles |
CN105683319A (zh) * | 2013-10-30 | 2016-06-15 | 琳得科株式会社 | 半导体接合用粘接片及半导体装置的制造方法 |
CN110753993B (zh) * | 2017-07-03 | 2023-12-01 | 琳得科株式会社 | 隐形切割用粘着片及半导体装置的制造方法 |
-
2018
- 2018-02-02 WO PCT/JP2018/003592 patent/WO2019008808A1/ja active Application Filing
- 2018-02-02 JP JP2019528340A patent/JP7062653B2/ja active Active
- 2018-02-02 CN CN201880044028.1A patent/CN110832620B/zh active Active
- 2018-02-02 KR KR1020197030926A patent/KR102560370B1/ko active IP Right Grant
- 2018-02-09 TW TW107104714A patent/TWI762576B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014509450A (ja) | 2011-03-08 | 2014-04-17 | エルジー・ハウシス・リミテッド | ウエハ加工フィルム用粘着剤組成物 |
JP2013157589A (ja) | 2012-01-06 | 2013-08-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ及びこれを使用した半導体装置の製造方法 |
WO2016052444A1 (ja) | 2014-09-29 | 2016-04-07 | リンテック株式会社 | 半導体ウエハ加工用シート用基材、半導体ウエハ加工用シート、および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110832620A (zh) | 2020-02-21 |
CN110832620B (zh) | 2024-01-02 |
JPWO2019008808A1 (ja) | 2020-05-07 |
KR102560370B1 (ko) | 2023-07-27 |
TWI762576B (zh) | 2022-05-01 |
KR20200024126A (ko) | 2020-03-06 |
WO2019008808A1 (ja) | 2019-01-10 |
TW201906957A (zh) | 2019-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20190000304A (ko) | 다이싱 다이 본드 필름 | |
WO2017169387A1 (ja) | フィルム状接着剤、半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法 | |
JP6875865B2 (ja) | 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2018154737A (ja) | ワーク加工用粘着シートおよびその製造方法 | |
JP7062654B2 (ja) | ステルスダイシング用粘着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
KR102515877B1 (ko) | 워크 가공용 시트 및 가공된 워크의 제조방법 | |
KR20180116751A (ko) | 다이싱 다이 본드 필름 | |
JP7062653B2 (ja) | ステルスダイシング用粘着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP7042271B2 (ja) | ステルスダイシング用粘着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP6818612B2 (ja) | 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法 | |
WO2020100491A1 (ja) | ワーク加工用シート | |
JP7062655B2 (ja) | ステルスダイシング用粘着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP6980680B2 (ja) | ステルスダイシング用粘着シート | |
JP7176919B2 (ja) | ダイシングダイボンドフィルム | |
JP2021158277A (ja) | 半導体装置製造用シート及び半導体装置製造用シートの製造方法。 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210817 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20211012 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220420 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7062653 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |