JP7055004B2 - SiCエピタキシャルウェハの製造方法 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。
図1に示すようなSiCエピタキシャルウェハの製造装置において、サセプタ12を交換した。交換の際にはサセプタ12を、サセプタ支持台14及びサセプタ押え板16と共摺りした。共摺りは、接触面に光沢がでるまで行った。
比較例1は、共摺りを行わなかった点が実施例1と異なる。サセプタを交換後に、エピタキシャル成長を50回行った。成膜後のウェハにおけるパーティクル起因の欠陥数をカウントした。その結果を図7に示す。
11 回転軸
12 サセプタ
12A 開口部
12B 凹部
14 サセプタ支持台
16 サセプタ押え板
18 サセプタ覆い板
20 サテライト
30 シーリング
31 ガス供給管
40 周壁
50 誘導コイル
W ウェハ
G 原料ガス
Claims (4)
- TaCコートされたコーティング部材を複数用いたSiCエピタキシャルウェハの製造方法であって、
前記コーティング部材を交換する際に、交換する前記コーティング部材の所定の部分の表面状態を変える表面処理工程を有し、
前記所定の部分は、交換する前記コーティング部材が、成膜時に他のコーティング部材と接触する部分又は接触するおそれがある部分であり、
前記所定の部分の表面粗さ(Ra)を0.5μm以下とする、SiCエピタキシャルウェハの製造方法。 - 前記表面処理工程において、交換する前記コーティング部材と、当該コーティング部材と接触又は接触するおそれがある前記他のコーティング部材と、を共摺りする、請求項1に記載のSiCエピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記コーティング部材が、サセプタ、サセプタ支持台、サセプタ覆い板、サセプタ押え板、サテライトからなる群から選択されるいずれかを含む、請求項1又は2に記載のSiCエピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記表面処理工程の後に、部材交換後における初回のエピタキシャル成長を行う、請求項1~3のいずれか一項に記載のSiCエピタキシャルウェハの製造方法。
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