JP6450851B2 - エピタキシャルウェーハの成長のためのリアクターの再稼動準備方法 - Google Patents
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Description
[付記1]
ウェーハにおけるエピタキシャル成長が遂行されるエピタキシャルリアクターの再稼動準備過程において反応チャンバ内部をベーキングする段階として、
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階と、
前記反応チャンバ側面に設けられたメインバルブとスリットバルブからサセプタ上下部に水素ガスを流入する段階と、
を含むエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階は、前記反応チャンバに熱を印加する熱源のパワーを時間によって段階的に増加するように設定する段階を含む、
付記1に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階と、前記サセプタ上下部に水素ガスを流入する段階は同時に遂行される、
付記1に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
前記熱源のパワーは、30kw以上95kw以下の範囲を有するように設定される、
付記2に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
前記熱源のパワーは、30kw以上95kw以下の範囲で時間によって10kwずつ増加するように設定される、
付記4に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
前記反応チャンバ内部のベーキング段階において、前記反応チャンバ内部の温度は600℃から1200℃まで非線形的に昇温される、
付記1に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
前記メインバルブにおいては、水素ガスが90slmで流入され、前記スリットバルブでは20slmで流入される、
付記1に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
前記反応チャンバ内部をベーキングする段階において、前記反応チャンバを時間によって段階的に昇温させる段階を数回繰り返して実施することを特徴とする、
付記1に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
前記反応チャンバを時間によって段階的に昇温させる段階は、前記反応チャンバ内部をベーキングする段階で2〜5回遂行される、
付記8に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
前記反応チャンバを時間によって段階的に昇温させる段階においては、時間による反応チャンバの温度変化幅が異なるように設定される、
付記1に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
前記反応チャンバを時間によって段階的に昇温させる段階においては、時間による熱源のパワー値の増加幅が異なるように設定される、
付記10に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
Claims (20)
- ウェーハにおけるエピタキシャル成長が遂行されるエピタキシャルリアクターの再稼動準備過程において反応チャンバ内部をベーキングする段階として、
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階と、
前記反応チャンバ側面に設けられたメインバルブとスリットバルブからサセプタ上下部に水素ガスを流入する段階と、
を含み、
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階と、前記サセプタ上下部に水素ガスを流入する段階は同時に遂行される、
エピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階は、前記反応チャンバに熱を印加する熱源のパワーを時間によって段階的に増加するように設定する段階を含む、
請求項1に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記熱源のパワーは、30kw以上95kw以下の範囲を有するように設定される、
請求項2に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記熱源のパワーは、30kw以上95kw以下の範囲で時間によって10kwずつ増加するように設定される、
請求項3に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記反応チャンバ内部をベーキングする段階において、前記反応チャンバ内部の温度は600℃から1200℃まで非線形的に昇温される、
請求項1に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記メインバルブにおいては、水素ガスが90slmで流入され、前記スリットバルブでは20slmで流入される、
請求項1に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記反応チャンバ内部をベーキングする段階において、前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階を数回繰り返して実施することを特徴とする、
請求項1に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階は、前記反応チャンバ内部をベーキングする段階で2〜5回遂行される、
請求項7に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階においては、時間による反応チャンバの温度変化幅が異なるように設定される、
請求項1に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階においては、時間による熱源のパワー値の増加幅が異なるように設定される、
請求項9に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - ウェーハにおけるエピタキシャル成長が遂行されるエピタキシャルリアクターの再稼動準備過程において反応チャンバ内部をベーキングする段階として、
前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階と、
前記反応チャンバ側面に設けられたメインバルブとスリットバルブからサセプタ上下部に水素ガスを流入する段階と、
を含み、
前記メインバルブにおいては、水素ガスが90slmで流入され、前記スリットバルブでは20slmで流入される、
エピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階は、前記反応チャンバに熱を印加する熱源のパワーを時間によって段階的に増加するように設定する段階を含む、
請求項11に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階と、前記サセプタ上下部に水素ガスを流入する段階は同時に遂行される、
請求項11に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記熱源のパワーは、30kw以上95kw以下の範囲を有するように設定される、
請求項12に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記熱源のパワーは、30kw以上95kw以下の範囲で時間によって10kwずつ増加するように設定される、
請求項14に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記反応チャンバ内部をベーキングする段階において、前記反応チャンバ内部の温度は600℃から1200℃まで非線形的に昇温される、
請求項11に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記反応チャンバ内部をベーキングする段階において、前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階を数回繰り返して実施することを特徴とする、
請求項11に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階は、前記反応チャンバ内部をベーキングする段階で2〜5回遂行される、
請求項17に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階においては、時間による反応チャンバの温度変化幅が異なるように設定される、
請求項11に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。 - 前記反応チャンバ内部を時間によって段階的に昇温させる段階においては、時間による熱源のパワー値の増加幅が異なるように設定される、
請求項19に記載のエピタキシャル成長装置の再稼動準備方法。
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