JP4916736B2 - 半導体結晶の成長装置 - Google Patents
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Description
この半導体結晶の成長装置10では、ガス供給管11が縦型に配置され、その外周に誘導加熱手段26が配置されている。そして、第1の隔壁18と第2の隔壁22とで断面矩形状に画成された内室12内に基板保持治具30が収容され、この基板保持治具30の各段に基板32が配置されている。
また、図7および図8に示した従来の成長装置10、100では、ガス供給管11、104の断熱性が十分でなく、反応室の保熱性が損なわれ、結晶の厚みやドーピング濃度等得られる結晶の品質にばらつきが生じるという問題がある。さらには、一度下がった温度を上昇させるための時間およびエネルギーが余分にかかるという問題があった。
縦型に配置され、内部の限定された空間内に外部から反応ガスが導入されるガス供給管と、
前記ガス供給管の外周面にラセン状に配置される誘導加熱手段と、
前記誘導加熱手段と対向するように前記ガス供給管の内周側に配置され、ガス導入口とガス排出口とがそれぞれ互いに対向する軸方向の一方の端部側と、軸方向の他方の端部側に形成された有底筒構造の輻射部材と、
前記輻射部材の内方に挿入された軸に一体的に支持され、略水平方向に基板を支持できるように構成されたサセプタと、
前記サセプタを支持する軸に回転力および直線方向への移動力を付与する動力手段と、を備えた半導体結晶の成長装置であって、
前記ガス供給管内の前記輻射部材内へのガス導入口と、前記輻射部材内から輻射部材外へのガス排出口を、前記ガス供給管の中心部以外の対称的な位置にそれぞれ設置したことを特徴としている。
縦型に配置され、内部の限定された空間内に外部から反応ガスが導入されるガス供給管と、
前記誘導加熱手段と対向するように前記ガス供給管の内周側に配置され、ガス導入口とガス排出口とがそれぞれ互いに対向する軸方向の一方の端部側と、軸方向の他方の端部側に形成された有底筒構造の輻射部材と、
前記輻射部材の内方に挿入された軸に一体的に支持され、略水平方向に基板を支持できるように構成されたサセプタと、
前記サセプタを支持する軸に回転力および直線方向への移動力を付与する動力手段と、を備えた半導体結晶の成長装置であって、
前記有底筒構造の輻射部材を、その軸方向と直交する方向の断面で見た場合のその周方向の一部に、前記誘導加熱手段を設けたことを特徴としている。
図1は本発明の一実施例に係る半導体結晶の成長装置の一部を示したものである。なお、本明細書において、「上」「下」「右」「左」などは、説明の都合上便宜的に用いたもので、「上」とは図1において紙面の上を、「右」とは図1において紙面の右を示しているが、上下左右逆転した状態に配置することも可能である。
以下、本実施例による半導体結晶の成長装置50の作用について、図2を参照しながら説明する。
こうして、エピタキシャル層の形成が完了したら、図2(B)に示したように、ガス供給管52の下端を開放し、軸59を下方向に移動し、軸59とともにサセプタ58を成長装置50の外方に取り出す。この状態から、サセプタ58に収納された基板71を新たなものと入れ替える。なお、この入れ替え作業を行なう場合に、誘導加熱手段54を継続して駆動しておき輻射部材56を加熱しておくことが好ましい。このようにすれば、空間S内の温度を高温状態に維持することができる。
このようにすれば、成長装置全体の温度を上げ下げする必要がないので、昇温時間の短縮化が図れる。
れにより、例えば、サセプタ58が例えば、矢印で示したように回転すれば、サセプタ58上の図示しない基板は誘導加熱手段54により強く加熱されたり、弱く加熱されたりしながら周回する。結果として結晶成長速度とドーピング濃度に違いがあるとしても、その差を積極的に縮めることができる。図5は、図4のように誘導加熱手段54を配置した場合の空間S内の温度分布を、楕円の長軸方向の断面位置で表示したもので、点Oは、サセプタ58の中心軸を示している。
52 ガス供給管
54 誘導加熱手段
56 輻射部材
58 サセプタ
59 軸
60 動力手段
68 内側筒
70 外側筒
72 天井面
72a 開口
72d 開口
80 結晶装置
S 空間
Claims (2)
- 縦型に配置され、内部の限定された空間内に外部から反応ガスが導入されるガス供給管と、
前記ガス供給管の外周面にラセン状に配置される誘導加熱手段と、
前記誘導加熱手段と対向するように前記ガス供給管の内周側に配置され、ガス導入口とガス排出口とがそれぞれ互いに対向する軸方向の一方の端部側と、軸方向の他方の端部側に形成された有底筒構造の輻射部材と、
前記輻射部材の内方に挿入された軸に一体的に支持され、略水平方向に基板を支持できるように構成されたサセプタと、
前記サセプタを支持する軸に回転力および直線方向への移動力を付与する動力手段と、を備えた半導体結晶の成長装置であって、
前記ガス供給管内の前記輻射部材内へのガス導入口と、前記輻射部材内から輻射部材外へのガス排出口を、前記ガス供給管の中心部以外の対称的な位置にそれぞれ設置したことを特徴とする半導体結晶の成長装置。 - 縦型に配置され、内部の限定された空間内に外部から反応ガスが導入されるガス供給管と、
前記誘導加熱手段と対向するように前記ガス供給管の内周側に配置され、ガス導入口とガス排出口とがそれぞれ互いに対向する軸方向の一方の端部側と、軸方向の他方の端部側に形成された有底筒構造の輻射部材と、
前記輻射部材の内方に挿入された軸に一体的に支持され、略水平方向に基板を支持できるように構成されたサセプタと、
前記サセプタを支持する軸に回転力および直線方向への移動力を付与する動力手段と、を備えた半導体結晶の成長装置であって、
前記有底筒構造の輻射部材を、その軸方向と直交する方向の断面で見た場合のその周方向の一部に、前記誘導加熱手段を設けたことを特徴とする半導体結晶の成長装置。
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