JP5312138B2 - スパッタリング方法 - Google Patents
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(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1におけるスパッタリング装置の概略構成図であって、より詳しくは、DC反応性マグネトロンスパッタリング装置の概略構成を示す。
本実施の形態では、基板15としてSi基板を用い、導電体であるNb、半導体であるSi、誘電体であるNb2O5,SiO2の薄膜を形成するために、Nbターゲット2としてNb(外径300mm×100mmの矩形)を用い、Siターゲット4としてSi(外径300mm×100mmの矩形)を用いる。そして、Nbターゲット2とSiターゲット4との中心間距離が100mmとなり、Nbターゲット2およびSiターゲット4と基板15との間の距離が100mmとなるように、それぞれを配置する。
続いて、Siターゲット4にて成膜するために、基板シャッター19を閉じてNbターゲット2,Siターゲット4から基板15を遮蔽し(ステップS16)、反応性ガスであるO2ガスを止め、スパッタガスであるArガスのみの供給とする(ステップS17)。
本実施の形態2は、前述の実施の形態1のNbターゲット2で成膜した後にSiターゲット4で成膜する順番とは逆に、Siターゲット4の反応生成物であるSiO2にて成膜した後に、導電体であるNbで成膜する場合である。
2 Nbターゲット
4 Siターゲット
3,5 下部電極
15 基板
19 基板シャッター
Claims (8)
- 成膜対象の基板と膜材料となる複数のターゲット材料とを互いに対向させ、スパッタガスを単独または反応性ガスと共に導入しつつプラズマを発生させて成膜するスパッタリング方法であって、
前記反応性ガスを使用すると共に前記複数のターゲット材料の内の第1ターゲット材料をスパッタリングして成膜する第1スパッタ工程と、
前記反応性ガスを使用しないと共に前記複数のターゲット材料の内の前記第1ターゲット材料とは異なる第2ターゲット材料をスパッタリングして成膜する第2スパッタ工程と、
前記第1スパッタ工程と前記第2スパッタ工程との間で、前記基板を前記複数のターゲット材料から遮蔽しつつ、前記第1および第2ターゲット材料にそれぞれ印加する電力を変化させてスパッタリングするプリスパッタ工程とを有し、
前記プリスパッタ工程においては、
前記第1ターゲット材料へ供給される電力を徐々に低くしながら前記第1ターゲット材料をスパッタリングすると共に、前記第2ターゲット材料へ供給される電力を徐々に高くしながら前記第2ターゲット材料をスパッタリングし、
前記第1および前記第2ターゲット材料の両方を同時にスパッタリングした後、前記第1ターゲット材料のスパッタリングを前記第2ターゲット材料のスパッタリングよりも先に停止することを特徴とする
スパッタリング方法。 - 前記プリスパッタ工程において、前記第1ターゲット材料のスパッタリングを前記第2ターゲット材料のスパッタリングよりも先に開始することを特徴とする
請求項1に記載のスパッタリング方法。 - 前記プリスパッタ工程において、前記第2ターゲット材料の電圧をモニタリングし、前記電圧に基いてプリスパッタ終了を決定することを特徴とする
請求項1に記載のスパッタリング方法。 - 前記プリスパッタ工程において、前記第2ターゲット材料の発光強度をモニタリングし、前記発光強度に基いてプリスパッタ終了を決定することを特徴とする
請求項1に記載のスパッタリング方法。 - 前記複数のターゲット材料は、Si、Ti、Nb、Ta、Al、Mgのいずれか1つを少なくとも含むことを特徴とする
請求項1に記載のスパッタリング方法。 - 前記反応性ガスは、酸素、窒素、弗素のいずれか1つを少なくとも含むことを特徴とする
請求項1に記載のスパッタリング方法。 - 前記第2ターゲット材料が半導体であることを特徴とする
請求項1に記載のスパッタリング方法。 - 前記第2ターゲット材料がSiであることを特徴とする
請求項1に記載のスパッタリング方法。
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