JP7032307B2 - チャック表面の決定論的な仕上げのための方法 - Google Patents
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Description
本特許文献は、発明者であるEdward Gratrixの名義で2015年8月14日に出願された「Method for deterministic finishing of a chuck surface」という名称の米国仮特許出願第62/205,643号明細書の利益を主張する。許容される場合、この仮特許出願の内容は、その全内容が参照により本明細書に援用される。
なし。
(a)均一な高さであり、且つ処理ツールの接触表面が平らな表面と接触される際、接触のエリアが円、リング、又は環帯の形態であるように成形された動作又は接触表面を含む処理ツールを含む機械を提供するステップと、
(b)補正を必要とする支持表面上の1つ又は複数の領域に関する情報を前記機械に提供するステップと、
(c)前記処理ツールの前記動作表面を前記支持表面に物理的又は機械的に接触させるステップと、
(d)仕上げられる前記チャック支持表面の少なくとも一部分上で印加圧力において前記処理ツールを移動させるステップであって、それにより、前記機械は、補正を必要とする前記支持表面の領域のみを実質的に処理するために、前記入力された情報を使用する、ステップと
を含み、
(e)前記支持表面の直径は、前記環帯の直径よりも大きい。
(a)前記支持表面に接触し、且つその上を通過するように構成された平らな表面をそれぞれ含む複数の処理ツールを提供するステップと、
(b)前記処理ツールのそれぞれの前記平らな表面を前記支持表面に接触させるステップと、
(c)仕上げられる前記チャック支持表面の少なくとも一部分上で印加圧力において前記複数の処理ツールの少なくとも2つを同時に移動させるステップと
を含み、
(d)前記支持表面に対する前記複数のうちのそれぞれの前記印加圧力は、前記複数のうちの他のものの印加圧力とは独立しており且つ制御可能であり、
(e)更に、前記支持表面の直径は、前記複数の有効直径よりも大きい。
この例は、局所的な粗度変化を実証し、且つ図6A及び図6Bを参照して実施される。
Claims (14)
- 直径および硬度を有するチャックの支持表面を仕上げる方法において、
(a)前記支持表面に接触し、且つその上を通過するように構成された円環体形状の表面をそれぞれが有する複数の処理ツールを含む機械を提供するステップであって、1以上の第1の処理ツールの円環体形状の表面が第1の直径を有し、1以上の第2の処理ツールの円環体形状の表面が、前記第1の直径よりも小さい第2の直径を有するものであるステップと、
(b)補正を必要とする前記支持表面上の1つ又は複数の領域に関する情報を前記機械に提供するステップと、
(c)複数の前記処理ツールの前記円環体形状の表面を前記支持表面に物理的又は機械的に接触させるステップと、
(d)1以上の前記第1の処理ツールを用いて前記支持表面を平坦化し、1以上の前記第2の処理ツールを用いて前記支持表面に局所的な粗度を付与するステップであって、仕上げられる前記支持表面の少なくとも一部分上で印加圧力において複数の前記処理ツールを移動させることにより行われるステップと、を含み、
前記支持表面に対するそれぞれの前記処理ツールの印可圧力は、制御可能で他の処理ツールから独立しており、前記機械は、補正を必要とする前記支持表面の領域のみを実質的に処理するために、入力された前記情報を使用し、
前記支持表面の直径は、複数の前記処理ツールの有効直径よりも大きいことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記処理ツールは、前記支持表面の前記硬度とほぼ同じ硬度を有することを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記入力された情報は、前記領域の形状又は高さを補正するように前記機械に命令することを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記入力された情報は、前記領域のテクスチャを補正するように前記機械に命令することを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記支持表面に接触するように構成された前記円環体形状の表面は、SiCを含むことを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記支持表面に接触するように構成された前記円環体形状の表面は、反応接合SiCを含むことを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、
前記仕上げられる前記支持表面の少なくとも一部分上で印加圧力において複数の前記処理ツールを移動させることが、仕上げられる前記支持表面の少なくとも一部分上で前記印加圧力において前記複数の処理ツールの少なくとも2つを同時に移動させることを含むことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記処理ツールのそれぞれと前記支持表面との間の接触は、円として成形されていることを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記1以上の第1および第2の処理ツールの一対が、同心状に配置されていることを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記複数の処理ツールは、前記支持表面に対して垂直である共通軸を共有しないクラスタとして配置されていることを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記移動させるステップは、前記支持表面の高さを望ましいプロファイルに工学処理するために前記支持表面から材料を除去するステップを含むことを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記移動させるステップは、前記支持表面の望ましい粗度又は平滑度を工学処理するために前記支持表面から材料を除去するステップを含むことを特徴とする方法。
- 請求項11又は12に記載の方法において、前記材料を除去するステップは、決定論的に実行されることを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記補正は、前記支持表面からデブリを取り除くことを含むことを特徴とする方法。
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