CN111699439A - 用于修复衬底支撑件的***、装置和方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于修复光刻工具中的衬底支撑件(60)的多个突出部(20)的顶部表面的被改良的处理工具(100)。所述被改良的处理工具包括修复表面，所述修复表面相对于所述突出部的被平滑的顶部表面是粗糙的，并且所述修复表面具有比所述突出部的所述顶部表面的材料更硬的材料。还提供一种修复方法，所述修复方法使得所述被改良的处理工具的所述修复表面与所述衬底支撑件的所述突出部的所述顶部表面之间发生相互作用，以使这些顶部表面比其在所述相互作用之前更粗糙。

Description

用于修复衬底支撑件的***、装置和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年2月6日递交的美国申请62/627,177的优先权，所述美国申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本说明书涉及一种用于修复用于保持诸如半导体晶片之类的衬底的衬底支撑件的装置。本说明书还涉及一种***和一种使用这种装置的方法。
背景技术
光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。这种光刻设备能够用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(常常被称作“设计布局”或“设计”)投影至被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用辐射，诸如电磁辐射。当前在使用中的这种辐射的典型波长为约365nm、约248nm、约193nm(深紫外(DUV)辐射)和13.5nm(极紫外(EUV)辐射)。
当将图案从图案形成装置转印时，将衬底(例如，晶片，诸如半导体晶片)夹持至光刻设备中的衬底台(例如，晶片台)的衬底支撑件上。这种衬底支撑件可以具有在第一(z)方向上延伸的多个突出部(被称作突节)以支撑衬底。相比于衬底的总面积，接触衬底由此支撑衬底的突出部的顶部表面的总面积较小。因此，污染物粒子随机地位于衬底的表面上或衬底支撑件被截留在突出部与衬底之间的机会较小。另外，在衬底支撑件的制造中，相比于能够使大的表面准确地平坦，能够使多个突出部的顶部更准确地共面。
为了在例如集成电路(IC)的制造期间实现期望的精确度，衬底台的衬底支撑件应表现出高的机械稳定性和热稳定性。因此，衬底支撑件通常由诸如碳化硅(SiC)之类的陶瓷制成，其具有期望的属性，诸如低密度、低热膨胀系数和高导热性。
当衬底首先在准备曝光时装载至衬底台的衬底支撑件上时，衬底由所谓的电子销(e-pin)支撑，所述电子销将衬底保持在多个位置处。为了将衬底装载至衬底支撑件上，使电子销回缩以使得接着由衬底支撑件的多个突出部(被称作突节)支撑衬底。
发明内容
期望衬底平坦地位于衬底支撑件上。否则，投影至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上的图案可能离焦(导致所谓的聚焦误差)。此外，光刻术可能涉及随时间推移而将图案多次投影到单个衬底上。期望使衬底在先前投影期间相对于其位置在衬底支撑件上精确地重新对准。在后续投影中的任一投影期间的不正确对准可能导致所谓的重叠误差。
因此，多个突出部的平整度(即，突出部的所有顶部表面将在同一平面中的接近程度)是重要的。这是因为突出部的平整度的任何变化被传输至经受辐照的衬底的顶部表面。作为示例，如果在突出部的顶部表面与衬底之间存在污染物，则衬底的平整度可能减小。
为了从衬底支撑件移除这种污染物，通过在多个突出部的顶部表面上方在与第一(z)方向正交的方向上移动处理工具来周期性地清洁衬底支撑件。一种这样的处理工具被公开在PCT专利申请公开出版物第WO 2016/081951号中，所述专利申请以全文引用的方式被并入本文，所述公开出版物描述在衬底支撑件上方移动且可以在其在衬底支撑件上方移动的同时被旋转的圆盘(或圆片)。这种圆盘(或圆片)的覆盖面积(footprint)小于衬底支撑件的覆盖面积，使得衬底支撑件和圆盘(或圆片)在处理期间相对于彼此移动。用于移除污染物的处理工具可以由(例如)花岗岩或硅与碳化硅的复合材料(SiSiC)、或如CVD SiC的单片材料制成。
衬底至衬底支撑件上的完美装载意指在衬底完全处于衬底支撑件的多个突出部(被称作突节)上(且被夹持至所述多个突出部)之后，装载后的衬底中不存在应变。锁定至衬底中的任何应变可以使衬底在与第一(z)方向正交的方向(即，xy平面)上变形，并且由此导致重叠误差。当将衬底装载至衬底支撑件上时，可能发生衬底的局部滑动。由这种局部滑动造成的衬底中的残余变形对重叠误差作出贡献。用于对由这种变形引入的误差进行量化的指标是所谓的晶片负载栅格(WLG)。
已观察到，将上文所描述的处理工具应用至衬底支撑件以移除污染物和/或恢复多个突出部的期望的平整度，可能导致较高的晶片装载栅格(WLG)，并且由此导致较高的重叠误差。
期望提供一种用于移除污染物且维持衬底支撑件的平整度，同时维持或甚至减少晶片装载栅格(WLG)效应的被改良的处理工具。还期望提供一种用于衬底支撑件的被改良的处理工具，其减少已经存在的晶片负载栅格(WLG)效应，由此修复衬底支撑件。
根据一方面，提供一种用于修复衬底支撑件的多个突出部的顶部表面的被改良的处理工具，所述被改良的处理工具包括修复表面，所述修复表面相对于所述突出部的所述顶部表面是粗糙的，并且所述修复表面包括比所述突出部的所述顶部表面的材料更硬的材料。根据这一方面，被改良的处理工具的修复表面与待由被改良的处理工具处理的衬底支撑件的顶部表面(也就是，当衬底支撑件在使用期间已被污染时，突出部的顶部表面的原始粗糙度、或突出部的被平滑顶部表面的粗糙度)相比是粗糙的。
根据一方面，提供一种修复方法，所述修复方法使得所述被改良的处理工具的所述修复表面与所述突出部的所述顶部表面之间发生相互作用，以使这些顶部表面比其在所述相互作用之前更粗糙。
附图说明
现将参考示意性附图而仅通过举例的方式来描述本发明的实施例，在所述附图中，相应的附图标记指示相应的部分，并且在所述附图中：
图1示意性地描绘了包括衬底支撑件的光刻设备；
图2描绘了具有叠置的处理工具的衬底支撑件的平面图；
图3描绘了在利用如本文中所描述的被改良的处理工具的实施例进行修复之前和进行修复之后的衬底支撑件的表面；
图4描绘了如本文中所描述的被改良的处理工具的实施例的表面的结构；
图5示意性地图示了用于修复衬底支撑件的再生方法的实施例；
图6为用于清洁衬底支撑件的***的示意性图示；和
图7示出了根据实施例的被改良的处理工具的实施例。
具体实施方式
在本文件中，术语“辐射”和“束”是用以涵盖所有类型的辐射，包括具有(例如)约365nm、约248nm、约193nm、约157nm、约126nm或约13.5nm的波长的辐射。
本文中所使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被广泛地解释为是指能够用以向图案化横截面赋予入射辐射束的通用图案形成装置，所述图案化横截面对应于待在衬底的目标部分中产生的图案。在这种内容背景下，也可以使用术语“光阀”。除经典掩模(透射式或反射式、二元式、相移式、混合式等等)以外，其它这样的图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
图1示意性地描绘了一实施例的光刻设备。所述设备包括：
-可选地，照射***(照射器)IL，所述照射***被配置成调节辐射束B(例如UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；
-支撑结构(例如，掩模台)MT，所述支撑结构被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，并且被连接至被配置成根据某些参数来准确地定位所述图案形成装置MA的第一***PM；
-衬底台WT(例如，晶片台)，所述衬底台被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的半导体晶片)W，被连接至被配置成根据某些参数来准确地定位(例如，衬底W的)台的表面的第二***PW；和
-投影***(例如，折射式投影透镜***)PS，所述投影***被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如，包括管芯的部分、一个管芯或更多管芯)上。投影***可以被支撑在参考框架RF上，参考框架RF又可以被支撑在基部框架BF上。
光刻设备可以属于如下类型：其中衬底W的至少一部分可以由具有相对较高折射率的浸没液体(例如，水，诸如超纯水(UPW))覆盖，以便填充投影***PS与衬底W之间的浸没空间。也可以将浸没液体施加至光刻设备中的其它空间，例如图案形成装置MA与投影***PS之间的空间。本文中所使用的术语“浸没”不意味着诸如衬底W之类的结构必须浸没在浸没液体中，而是“浸没”仅意味着浸没液体在曝光期间位于投影***PS与衬底W之间。被图案化的辐射束B从投影***PS至衬底W的路径完全通过浸没液体。
在操作中，照射器IL例如经由束传递***BD接收来自辐射源SO的辐射束。照射***IL可以包括用于引导、成形和/或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型和/或其它类型的光学部件，或其任何组合。照射器IL可以用以使用(例如)调整器AD来调节辐射束B以在图案形成装置MA的平面处在其横截面中具有期望的空间强度分布和角强度分布。另外，照射器IL可以包括各种其它部件，诸如积分器IN和聚光器CO。
本文中所使用的术语“投影***”PS应被广泛地解释为涵盖适于所使用的曝光辐射或适于诸如浸渍液体的使用或真空的使用之类的其它因素的各种类型的投影***，包括折射型、反射型、反射折射型、变形型、磁性型、电磁型和/或静电型光学***，或其任何组合。
光刻设备可以属于具有两个或更多个衬底台(例如，两个或更多个衬底台，或一个或更多个衬底台与一个或更多个清洁台、传感器台或测量台的组合)的类型。例如，光刻设备可以是包括位于投影***的曝光侧处的两个或更多个台的多平台设备，每个台包括和/或保持一个或更多个物体。在一示例中，所述台中的一个或更多个台可以保持辐射敏感衬底。在一示例中，所述台中的一个或更多个台可以保持用以测量来自投影***的辐射的传感器。在一示例中，多平台设备包括：被配置成保持辐射敏感衬底的第一台(即，衬底台)；和没有被配置成保持辐射敏感衬底的第二台(通常在下文中(且不限于)被称作测量台、传感器台和/或清洁台)。第二台可以包括和/或可以保持除辐射敏感衬底以外的一个或更多个物体。这种一个或更多个物体可以包括选自以下中的一个或更多个：用以测量来自投影***的辐射的传感器、一个或更多个对准标记，和/或清洁装置(用以清洁例如液体限制结构)。
在操作中，所述辐射束B被入射到图案形成装置(例如，掩模)MA的图案(设计布局)部分上，所述图案形成装置MA保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上，所述辐射束B由图案形成装置MA图案化。在已横穿图案形成装置MA的情况下，辐射束B传递通过投影***PS，投影***PS将所述束聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二***PW和位置传感器IF(例如，干涉装置、线性编码器、2-D编码器或电容式传感器)，可以准确地移动衬底台WT，例如，以便使不同的目标部分C在聚焦且对准位置处定位在辐射束B的路径中。类似地，第一***PM和另一位置传感器(图1中未明确地描绘)可以用以相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置MA。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管如所图示的衬底对准标记P1、P2占据专用目标部分，但所述衬底对准标记可以位于目标部分C之间的空间中(这些衬底对准标记被称为划线对准标记)。控制器500控制光刻设备的总体操作，并且特别执行下文进一步描述的操作过程。
衬底台WT包括衬底支撑件60。衬底W在曝光期间通常被夹持至衬底支撑件60。通常使用两种夹持技术。在真空夹持中，例如通过将衬底支撑件60与衬底W之间的空间连接至比衬底W上方的较高压力更低的负压而建立横跨衬底W的压力差。所述压力差产生将衬底W保持至衬底支撑件60的力。在静电夹持中，静电力被用于将力施加在衬底W与衬底支撑件60之间。
为了将衬底W装载至衬底支撑件60上以用于曝光，通过衬底处置器机器人拾取衬底W并将衬底W降低至一组电子销上。电子销突出穿过衬底支撑件60。电子销被致动以使得其可以伸出和缩回。电子销可以在其尖端处设置有抽吸开口以夹紧衬底W。一旦衬底W已安置在电子销上，所述电子销就缩回，使得衬底W由衬底支撑件60的突出部20支撑。
图2描绘了用于例如光刻设备中的衬底支撑件60的实施例。衬底支撑件60支撑衬底W。衬底支撑件60包括主体21。主体21具有主体表面22。多个突出部20被设置成沿着第一(z)方向从主体表面22突出。每个突出部20的顶部表面与衬底W接合(接触)。突出部20的顶部表面与支撑平面大体一致或大体遵从支撑平面并支撑衬底W。主体21和突出部20可以由碳化硅(SiC)形成。主体21和突出部20可以由SiSiC形成，SiSiC是在硅基质中具有碳化硅(SiC)颗粒的陶瓷材料。为了改良这些突出部20的顶部表面的摩擦行为，可以用类金刚石碳(DLC)或全氟聚醚(PFPE)涂层对其进行涂覆。
多个通孔89可以形成在主体21中。通孔89允许电子销突出穿过衬底支撑件60以接纳衬底W。通孔89可以允许将衬底W与衬底支撑件60之间的空间的抽空。如果衬底W上方的空间也没有被抽空，则衬底W与衬底支撑件60之间的空间的抽空可以提供夹持力。夹持力将衬底W保持在适当位置。如果衬底W上方的空间也被抽空，则如将在使用EUV辐射的光刻设备中的情况，电极可以被设置在支撑件60WT上以形成静电夹持。
图2中图示了其它通孔79。这种通孔可以存在(例如)以允许(例如)使用螺栓将衬底支撑件60固定至衬底台WT。在实施例中，衬底支撑件60可以通过真空夹持固定至衬底台WT。
在用如PCT专利申请公开出版物第第WO 2016/081951号中公开的处理工具100清洁衬底支撑件60期间，处理工具100被支撑在突出部20的末端表面上。图2示出了叠置在衬底支撑件60上的圆盘形处理工具100。
衬底W与衬底支撑件之间的接触面通过衬底支撑件60的大量的小突出部20(或突节)。例如，这些突出部的直径可以(例如)为约300μm，并且其间的节距为约2.5mm，和/或直径为约210μm且其间的节距为约1.5mm。对于在不锁定可能使衬底W变形且导致重叠误差的显著应变的情况下夹持衬底W来说，这些突出部20的顶部表面的摩擦行为是重要的。WLG模型中突出部20的顶部表面与衬底W的相互作用的模型化已表明，突出部20的顶部表面的摩擦特性是显著的。较大的摩擦力将应变锁定至被夹持的衬底W中，从而导致这种衬底变形。
用如PCT专利申请公开出版物第WO 2016/081951号中公开的处理工具清洁突出部20的顶部表面可以以不明显的方式改变这些顶部表面，从而潜在地导致WLG较高，这可能导致重叠误差。归因于在用例如PCT专利申请公开出版物第WO 2016/081951号中公开的处理工具清洁时突出部20的顶部表面变平滑，摩擦力可能增加。
此外，这些摩擦力(且由此WLG)可以在使用期间随时间增大；即，在使用期间，突出部20的顶部表面表现出磨损。
因此，在实施例中，提供一种用于修复突出部20的顶部表面的被改良的处理工具。被改良的处理工具的这样的实施例包括修复表面，所述修复表面相对于突出部20的被平滑的顶部表面是粗糙的，并且所述修复表面包括比突出部20的顶部表面的材料更硬的材料。被改良的处理工具的修复表面与突出部的顶部表面之间的修复相互作用使这些顶部表面20比其在修复相互作用之前更粗糙。例如，修复相互作用可以呈产生刮痕的移动(例如，旋转、振动)的形式，或呈施加产生凹痕的夹持力的形式。在执行修复相互作用(诸如在被改良的处理工具的修复表面与突出部20的顶部表面之间施加夹持力)之后，由于顶部表面微破裂和/或顶部表面上因材料堆积而产生尖峰，顶部表面稍微粗糙。图3A示出修复相互作用之前的突出部的顶部表面，图3B示出修复相互作用之后的同一顶部表面。
在实施例中，修复相互作用是呈被改良的处理工具的压电引发振动的形式。使用压电元件来使被改良的处理工具振动，允许纳米级粗糙度操纵并减少或最小化由修复相互作用产生的碎屑。
使衬底支撑件粗糙化以使得衬底支撑件(的突出部)与衬底之间的总接触面积减小，将实现较低摩擦且由此允许较低且较稳定的WLG。
根据一实施例，这样的被改良的处理工具可以具有圆盘状或圆片状形状。根据一实施例，这样的被改良的处理工具可以采取与衬底(晶片)W兼容的形状，使得其可以循环通过光刻设备，如同其为“标准”衬底一样。
期望将压力(即，力)施加至被改良的处理工具与衬底支撑件之间的总接触面积，而不管是用于呈移动形式的修复相互作用和/或尤其是用于呈施加夹持力形式的修复相互作用。
在实施例中，修整表面包括在粗糙度和硬度方面被调适以专用于修复突出部的顶部表面的顶层。期望被改良的处理工具的材料比衬底支撑件的材料更硬，使得衬底支撑件将具有塑性变形(即，变得较粗糙)，同时被改良的处理工具将保持相对未受损。例如，类金刚石碳(DLC)涂层的典型硬度为约20GPa。因此，用于修复具有这种涂层的衬底支撑件的被改良的处理工具的修复表面的硬度应因此高于20GPa。
在实施例中，修复表面包括在Si(如图4中所示出的)或SiC材料或包含碳的任何其它相容的陶瓷材料的顶部上的金刚石沉积的颗粒结构。在实施例中，修复表面的这种顶层可以采取具有微米级硬突点(asperity)的负载有金刚石的SiSiC涂层的形式。应注意，可以在被改良的处理工具中调整这些金刚石颗粒的大小和分布，使得衬底支撑件的修复采用受控的方式，因此形成衬底支撑件中的突出部的顶部表面的期望的粗糙度。
硬突点的大小应使得其帮助保证衬底支撑件的顶部表面的塑性变形(即，刮擦)。在实施例中，这些突点(或突起)的大小小于2μm，期望地小于0.5μm。
在实施例中，突点的空间密度在1至3个/μm2的范围内。在实施例中，突点之间的节距在1至10μm的范围内。在实施例中，突点曲率半径(即，突点的顶部的半径)小于约0.5μm，期望地小于约0.1μm。应注意，小的半径是期望的。
图5A至图5C示意性地图示了用于修复衬底支撑件60的再生方法的实施例。图5A中的左图示出由突出部20支撑的衬底W。突出部20的顶部表面209仍为其原始条件(即，不受因使用造成的磨损或用先前处理工具清洁的影响)。图5A中的右图示出受磨损或清洁影响的突出部的顶部表面。右图中的顶部表面明显比左图中的顶部表面更光滑。图5B示出修复相互作用，其中具有与衬底兼容的形状的被改良的处理工具310(在力作用下)被夹持至衬底支撑件的突出部的顶部表面上。在这种修复相互作用之后，突出部的较粗糙的顶部表面继续存在(如图中5C所示出)，从而导致WLG减小，并且因此导致重叠误差减小。
图6示意性地图示用于修复衬底支撑件60的***1。被改良的处理工具100被布置成围绕z轴旋转，如由箭头110所图示的。这是通过使轴150旋转来实现的。处理工具100可以接触衬底支撑件60的突出部20的顶部表面。被改良的处理工具100与衬底支撑件60之间在x和y方向上的相对平移移动意味着可以在处理工具100下方移动衬底支撑件60的整个顶部表面，使得可以修复所有突出部20。在实施例中，***1可能导致力202施加至处理工具100，使得由处理工具100将压力施加至衬底支撑件60。在实施例中，可以将流体201供应至处理工具100与衬底支撑件60之间的相互作用以(例如)移除材料和/或促进粗糙化。在实施例中，可以经由处理工具100供应流体201。例如，处理工具100的表面可以具有开口以分配流体201。在实施例中，流体201经由连接至通道180的喷嘴175从流体201的源提供至处理工具100。
在实施例中，如图7中所示出，被改良的处理工具属于包括至少两个不同部分的混合种类，所述两个不同部分是被配置成从衬底支撑件60移除污染物的清洁部分250和被配置成减小衬底支撑件60的WLG的再生部分230。可以增加另一部分，所述另一部分意图用于恢复衬底支撑件的总平整度。再生部分可以采取如先前所述的实施例中的任一实施例的形式。清洁部分具有接触表面255，其材料的硬度低于再生部分的材料，所述材料诸如例如花岗岩。
尽管在本文中可具体地参考光刻设备在IC制造中的使用，但应理解，本文中所描述的光刻设备可以具有其它应用，诸如，制造集成光学***、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域技术人员应了解，在这些替代应用的内容背景下，可以认为本文中任何使用的术语“晶片”或“管芯”分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。可以在曝光之前或之后在(例如)涂覆显影***(典型地将抗蚀剂层施加至衬底且显影曝光后的抗蚀剂的工具)、量测工具和/或检测工具中处理本文中提及的衬底。在适用的情况下，可以将本文中的公开内容应用至这些和其它衬底处理工具。
虽然上文已描述本发明的具体实施例，但应了解，可以与所描述方式不同的其它方式来实践本发明。
以上描述意图为说明性的，而不是限制性的。因此，本领域技术人员将明白，可以在不背离下文所阐明的权利要求的范围的情况下对所描述的本发明进行修改。

Claims (17)

1.一种修复装置，配置成修改衬底支撑件的表面，所述修复装置包括修复表面，所述修复表面相对于所述衬底支撑件的表面是粗糙的，并且所述修复表面包括比所述衬底支撑件的材料更硬的材料。
2.根据权利要求1所述的修复装置，其中所述修复表面包括在Si材料的顶部上或在SiC材料的顶部上的金刚石沉积的颗粒结构。
3.根据权利要求1所述的修复装置，其中所述修复表面包括具有微米级硬突点的负载有金刚石的SiSiC涂层的顶层。
4.根据权利要求3所述的修复装置，其中所述突点的空间密度在1至3个/μm2的范围内，和/或所述突点之间的节距在1至10μm的范围内。
5.根据权利要求3所述的修复装置，其中所述突点具有小于0.5μm的曲率半径。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的修复装置，所述修复装置由至少两个部分构成，其中
第一部分包括所述修复表面，
第二部分包括清洁表面，所述清洁表面的材料的硬度低于所述修复表面的材料的硬度。
7.根据权利要求6所述的修复装置，其中所述清洁表面的所述材料包括花岗岩。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的修复装置，包括在表面中的开口以分配流体。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的修复装置，所述修复装置具有在标准生产期间使用的衬底的形状和尺寸。
10.一种用于修改衬底支撑件的表面的***，所述***包括根据权利要求1至9中任一项所述的修复装置。
11.一种用于修改衬底支撑件的表面的***，所述***包括根据权利要求8所述的修复装置，所述***还包括
喷嘴，所述喷嘴用于将所述流体提供至根据权利要求8所述的装置，
所述流体的源，和
通道，所述通道将所述喷嘴连接至所述流体的源。
12.一种用于修改衬底支撑件的表面的方法，所述方法包括使用根据权利要求1至9中任一项所述的修复装置。
13.根据权利要求12所述的方法，包括以下步骤：使得所述修复装置的所述修复表面与从所述衬底支撑件延伸的多个突出部的顶部表面之间发生相互作用。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述相互作用是所述修复表面相对于从所述衬底支撑件延伸的多个突出部的所述顶部表面的移动。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述相互作用是压电引发的振动。
16.根据权利要求13所述的方法，其中所述相互作用是通过在所述修复表面与从所述衬底支撑件延伸的多个突出部的所述顶部表面之间施加夹持力。
17.根据权利要求13所述的方法，包括将流体供应至所述修复装置。
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