JP7030570B2 - ウルトラキャパシタのためのエネルギー貯蔵媒体 - Google Patents

Description

［連邦政府支援による研究の申告］
本発明は、米国エネルギー省によって授与された認可ＤＥ－ＡＲ０００００３５／０００１の下で政府の援助によってなされた（ＡＲＰＡ－Ｅ）。米国政府は本発明に一定の権利を有する。

本発明は概括的にはキャパシタに関し、より具体的にはキャパシタに用いられるカーボンナノチューブに関する。

カーボンナノチューブ（以下、「ＣＮＴ」ともよぶ）は、種々の特性を示す炭素構造体である。多数の特性が種々の科学技術における改良の機会を示唆している。例えば、強度、伝導度または静電容量（キャパシタンス）の増大から利益を得る技術は、ＣＮＴの使用から利益を得るだろう。従って、ＣＮＴ技術における進歩は、キャパシタを扱う仕事に従事している人々にとって非常に興味深い。

キャパシタは、種々の電気システムにおいて重要な構成要素の１つである。機能としては、電力の緩衝（またはバッファリング）、エネルギーの貯蔵および電圧の平滑化（またはスムージング）が挙げられる。種々の産業がキャパシタに対して厳しい要求を示している。

例えば、自動車、製造業、航空宇宙産業、航空機産業、医療および軍事等の産業は、電気駆動、パルス電力またはプロセス作動にエネルギーまたは電力支援を提供するためにキャパシタを必要とするいくつかの用途を有することを考える。エネルギー容量および電力の能力は、それらの産業における代表的な用途において重要な要件である。電気駆動系（またはドライブトレイン）におけるトルクアシスト（またはトルク補助）、製造プラントにおけるモーター駆動のためのパワーアシスト（または動力補助）または高出力負荷需要の間の電圧サポート（または電圧補助）の提供等の用途は、かなりのエネルギーおよび電力を必要とする。いくつかの用途は制限された物理的スペースまたは重量の上限を示す。いくつかの用途は長いサイクル寿命を必要とする。

従って、産業環境において用いられるキャパシタは、物理的制約を満たしつつ性能に関する要件を満たさなければならない。ウルトラキャパシタの設計者および製造者にとって、付随する課題の１つは所望の出力で機能する電極を得ることである。

従って、カーボンナノチューブをベースとする高出力の電極を製造するための方法および装置が必要とされる。好ましくは、方法および装置は実行が簡単であり、従って製造コストの低減および生産率（または工率）の向上を提供する。好ましくは、方法および装置は、要求が多い状況において十分に機能するウルトラキャパシタのための電極を提供する。好ましくは、電極は、広い温度範囲にわたって安定な伝導度および低い内部抵抗をもたらす。

カーボンナノチューブを製造するための方法および装置が提供される。方法および装置は、優れた特性、従って種々の用途において用いる際の優れた性能を示すカーボンナノチューブを提供する。電極およびウルトラキャパシタの種々の形態が結果として理解され得る。

一の実施形態において、垂直に配列されたカーボンナノチューブの集合体の製造方法が提供される。方法は、実質的に酸素のない環境中に基材を装着すること；基材上に触媒を配置して基体を提供すること；基体を原材料ガスに付し、基体上に集合体を成長させるために原材料ガスおよび基体の少なくとも一方を加熱すること；ならびに実質的に酸素のない環境において集合体を冷却することを含む。

もう１つの実施形態において、垂直に配列されたカーボンナノチューブの集合体を製造する装置が提供される。この装置は、実質的に酸素のない環境中に基材を装着するためのローダー部：基材上に触媒を配置して基体を提供するためのスパッタリング部；基体を原材料ガスに付し、基体上に集合体を成長させるために原材料ガスおよび基体の少なくとも一方を加熱するための炭素沈積部；ならびに実質的に酸素のない環境において集合体を冷却するための冷却部を含む。

もう１つの実施形態において、ウルトラキャパシタの電極の製造方法であって、電極が垂直に配列されたカーボンナノチューブの集合体を含む、方法が提供される。方法は、実質的に酸素のない環境中に基材を装着すること；基材上に触媒を配置して基体を提供すること；基体を原材料ガスに付し、原材料ガスおよび基体の少なくとも一方を加熱して基体上に集合体を成長させること；ならびに実質的に酸素のない環境において集合体を冷却することによって製造された集合体を選択することと、集合体を集電体と接合すること、集合体を基体から取り外して集電体を集合体上に配置すること、および集合体を他の炭素質材料と組み合わせてその組み合わせを集電体と接合することの１つとを含む。

もう１つの実施形態において、エネルギー貯蔵システムのための電極の製造方法が提供される。方法は、上に配置された一の厚さの垂直に配列されたカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を含む基体を選択すること；前記厚さのＣＮＴ上に結合層を配置すること；結合層を集電体と結合させること；およびＣＮＴから基体を除去して電極を提供することを含む。

もう１つの実施形態において、ウルトラキャパシタの製造方法であって、ウルトラキャパシタは、垂直に配列されたカーボンナノチューブの集合体を含む少なくとも１つの電極を含む、方法が提供される。方法は、実質的に酸素のない環境中に基材を装着すること；基材上に触媒を配置して基体を提供すること；基体を原材料ガスに付し、原材料ガスおよび基体の少なくとも一方を加熱して基体上に集合体を成長させること；ならびに実質的に酸素のない環境において集合体を冷却することによって製造された集合体を選択することと、集合体を集電体上に移動させること、基体から集合体を取り外して集合体上に集電体を配置すること、および集合体を集電体上で他の炭素質材料と組み合わせて電極を提供することの１つとによって製造された電極を選択すること；ならびに電極をウルトラキャパシタに組み込むことを含む。

もう１つの実施形態において、エネルギー貯蔵システムのための電極の製造方法が提供される。方法は、集電体と、集電体の表面に配置された第１の接合層とを含む基部を選択すること；および第２の接合層を第１の接合層と接合することであって、第２の接合層はその上に配置された炭素質層を含み、炭素質層は電荷を貯蔵するための材料を含む、ことを含む。

もう１つの実施形態において、電極が提供される。電極は、集電体と、集電体の表面に配置された第１の接合層とを含む基部；および第１の接合層と接合された第２の接合層であって、第２の接合層は、その上に配置された炭素質層を含み、炭素質層は電荷を貯蔵するための材料を含む、第２の接合層を含む。

もう１つの実施形態において、キャパシタが提供される。キャパシタは、集電体および集電体の表面に配置された第１の接合層を含む基部と、第１の接合層に接合された第２の接合層であって、その上に配置された炭素質層を含み、炭素質層はキャパシタの電荷を貯蔵するための材料を含む、第２の接合層とを含む少なくとも１つの電極を備えるハウジング；ならびにハウジングの中に配置される電解質および誘電材料の少なくとも一方を含み、少なくとも１つの電極はハウジングの出力電極に連結される。

もう１つの実施形態において、エネルギー貯蔵デバイスのためのマルチフォーム電極を提供する方法が提供される。方法は、集電体と電気的に接触するカーボンナノチューブの集合体を含む電極を選択すること；キャリア材料中に分散した少なくとも１つのナノフォームカーボンを集合体の上に配置すること；およびキャリア材料を放出してマルチフォーム電極を提供することを含む。

もう１つの実施形態において、エネルギー貯蔵デバイスのためのマルチフォーム電極である、マルチフォーム電極が提供される。電極は、集電体の表面に配置されたカーボンナノチューブの集合体を含み、集合体は、キャリア材料中に分配されたナノフォームカーボンを含む溶液として集合体の上に配置されたナノフォームカーボンの少なくとも１つの追加の層を更に含む。

もう１つの実施形態において、ウルトラキャパシタが提供される。ウルトラキャパシタは、中に配置されたマルチフォーム電極を少なくとも含むハウジング；集電体の表面に配置されたカーボンナノチューブの集合体を含むマルチフォーム電極であって、集合体は、キャリア材料中に分配されたナノフォームカーボンを含む溶液として集合体の上に配置されたナノフォームカーボンの少なくとも１つの追加の層を更に含む、マルチフォーム電極；およびウルトラキャパシタ内のイオン輸送をもたらす電解質を含む。

もう１つの実施形態において、炭素質集合体を提供する方法が提供される。方法は、配列されたカーボンナノチューブの集合体を第１の溶液中に分散させること；炭素添加物を第２の溶液中に分散させること；第１の溶液および第２の溶液を超音波混合すること；混合された第１の溶液と混合された第２の溶液とを混合して混合溶液を提供すること；混合溶液を超音波混合すること；混合された混合溶液から炭素質集合体を得ることを含む。

もう１つの実施形態において、炭素質集合体を含むエネルギー貯蔵媒体を備える電極が提供される。電極は、上に配置された炭素質集合体を含む集電体を含み、集合体は、超音波処理したカーボンナノフォームの組み合わせを含む。

もう１つの実施形態において、ウルトラキャパシタが提供される。ウルトラキャパシタは、炭素質集合体を含むエネルギー貯蔵媒体を備える少なくとも１つの電極を含み、電極は、上に配置された炭素質集合体を含む集電体を含み、集合体は、超音波処理したカーボンナノフォームの組み合わせを含む。

もう１つの実施形態において、電極の構成要素の製造方法が提供される。方法は、上に配置されたカーボンナノチューブの集合体を含む基体を選択すること；導電性材料の層を集合体の上に沈積させること；および基体から集合体および導電性材料を取り外すことを含む。

もう１つの実施形態において、電極が提供される。電極は、複数の電極構成要素を含み、各構成要素は、カーボンナノチューブの集合体と、その上に配置された導電性材料の層とを含み、構成要素の各々は構成要素の別の１つと連結され、少なくとも１つの連結は、構成要素の導電性材料との結合を含む。

もう１つの実施形態において、ウルトラキャパシタが提供される。ウルトラキャパシタは、複数の電極構成要素を含む少なくとも１つの電極であって、各々の構成要素はカーボンナノチューブの集合体と、その上に配置された導電性材料の層とを含み、構成要素の各々は構成要素の別の１つと連結され、少なくとも１つの連結は、構成要素の導電性材料との結合を含む、電極；少なくとも１つの電極を収容するハウジング；およびウルトラキャパシタ内のイオンの輸送をもたらす電解質を含む。

もう１つの実施形態において、電極の製造方法が提供される。方法は、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の層状の積層体を得ること；層状の積層体を溶液で濡らすこと；層状の積層体を圧縮すること；圧縮された層状の積層体を乾燥させること；および圧縮された層状の積層体に集電体を適用することを含む。

もう１つの実施形態において、ウルトラキャパシタが提供される。ウルトラキャパシタは、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の圧縮された層状の積層体と、積層体の上に配置された集電体とを含む少なくとも１つの電極；および電極に貯蔵されたエネルギーをウルトラキャパシタの少なくとも１つの端子に輸送するための電解質を含む。

もう１つの実施形態において、ウルトラキャパシタの使用方法が提供される。方法は、電解質および２つの電極を含むウルトラキャパシタであって、電極の各々は、集電体と電気的に連通し且つセパレータによって他方の電極から離隔される、ウルトラキャパシタを得ること；ならびにウルトラキャパシタを二者択一的に充電および放電することによりウルトラキャパシタをサイクルさせることであって、ウルトラキャパシタの出力される電力密度が、各サイクルについて少なくとも１２ｋＷ／ｋｇであり、最大で約２５０ｋＷ／ｋｇであることを含む。

もう１つの実施形態において、ウルトラキャパシタの使用方法が提供される。方法は、電解質および２つの電極を含むウルトラキャパシタであって、電極の各々は、集電体と電気的に連通し且つセパレータによって他方の電極から離隔される、ウルトラキャパシタを得ること；ならびにウルトラキャパシタを二者択一的に充電および放電することによりウルトラキャパシタをサイクルさせることであって、ウルトラキャパシタの出力されるエネルギー密度が、各サイクルについて少なくとも１Ｗｈ／ｋｇであり、最大で約３５Ｗｈ／ｋｇであることを含む。

もう１つの実施形態において、ウルトラキャパシタの使用方法が提供される。方法は、電解質および２つの電極を含むウルトラキャパシタであって、電極の各々は、集電体と電気的に連通し且つセパレータによって他方の電極から離隔される、ウルトラキャパシタを得ること；ならびにウルトラキャパシタを横切る電圧を最大電圧と最大電圧の約半分との間に保持しながら、ウルトラキャパシタを二者択一的に少なくとも３回充電および放電することによりウルトラキャパシタをサイクルさせることであって、充電および放電が、１回の充電または放電において少なくとも３．７５Ｗｈ／ｋｇのエネルギーのウルトラキャパシタからの出力をもたらすことを含む。

追加の実施形態は、以下に提示する説明を踏まえて明らかになるだろう。

本発明は、以下の図面と共に詳細な説明を参照することによってより十分に理解されるだろう。

図１は、ウルトラキャパシタの概略図である。 図２は、製造装置の機能的構成の一の実施形態を概略的に示すブロック図である。 図３は、製造装置の機能的構成のもう１つの実施形態を概略的に示すブロック図である。 図４は、製造装置の態様のブロック図である。 図５は、製造装置の制御システムの態様を表すブロック図である。 図６は、集電体と、複数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）が上に形成された基体とを表すブロック図である。 図７は、集電体の上に図６のＣＮＴを載せることを表すブロック図である。 図８は、図７の積載された集電体と、積載された集電体の上に追加のＣＮＴを移動させるために製造されたもう一つの基体とを表すブロック図である。 図９は、積載された集電体に追加のＣＮＴを積載することを表すブロック図である。 図１０は、図６の集電体の上にＣＮＴを複数回移動させることにより得られる高出力電極を表すブロック図である。 図１１Ａおよび１１Ｂ（本明細書においてまとめて図１１とよぶ）は、圧縮されていないカーボンナノチューブおよび圧縮されたカーボンナノチューブの各々の透過電子顕微鏡写真を表す。 図１２Ａおよび１２Ｂ（本明細書においてまとめて図１２とよぶ）は、活性炭をベースとするウルトラキャパシタおよびカーボンナノチューブをベースとするウルトラキャパシタの各々の比較性能を表す。 図１３Ａおよび１３Ｂ（まとめて図１３とよぶ）は、電極基部構造体および電極プロセス構造体の実施形態の態様を表すブロック図である。 図１４は、機能的に積層された電極の一の実施形態を表すブロック図である。 図１５は、集電体の上に配置された炭素基層を有する電極を表すブロック図である。 図１６は、図１５の電極の上に追加のカーボンナノフォームを沈積させるための装置を表すブロック図である。 図１７は、マルチフォーム電極を表すブロック図である。 図１８は、図１５の電極の上に追加のカーボンナノフォームを沈積させるためのもう１つの装置を表すブロック図である。 図１９は、マルチフォーム電極を提供するための例示的方法を提示するフローチャートである。 図２０Ａおよび２０Ｂ（本明細書においてまとめて図２０とよぶ）は、溶媒中に分散された、垂直に配列されたカーボンナノチューブおよび炭素添加物の各々の断片を表す図である。 図２１は、図２０に表わされる溶液の超音波処理を表す図である。 図２２は、図２１において表される処理により生じる炭素質集合体を表す。 図２３は、図２２において表される炭素質集合体の処理の一の実施形態を表す。 図２４は、図１のウルトラキャパシタにおいて用いるのに適した電極に配置される図２３の処理された炭素質集合体を表す。 図２５は、基体上で成長した複数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を表すブロック図である。 図２６は、図２５のＣＮＴの上に集電体を沈積させて電極構成要素をもたらすことを表すブロック図である。 図２７は、図２５の電極構成要素に移動テープを加えることを表すブロック図である。 図２８は、移動プロセスの間の電極構成要素を表すブロック図である。 図２９は、移動後の電極構成要素を表すブロック図である。 図３０は、複数の電極構成要素から製造される例示的電極を表すブロック図である。 図３１は、複数の電極構成要素から電極を製造するための例示的プロセスを表すフローチャートである。 図３２Ａおよび３２Ｂ（本明細書においてまとめて図３２とよぶ）は、本明細書の教示事項に従って製造された電極を含むウルトラキャパシタの一の例示的実施形態に関する、周波数応答の関数としての電力密度を表すグラフである。図３２Ｂは図３２Ａに提示される曲線の初期部分の拡大図を提示する。 図３３は、例示的ウルトラキャパシタに関する放電サイクルの電圧応答を表すグラフである。 図３４は、例示的ウルトラキャパシタの充放電サイクルに対する電圧応答を表すグラフである。 図３５は、一連の例示的ウルトラキャパシタに関する組み合わされた電力およびエネルギー性能を表す。 図３６は、一連の例示的ウルトラキャパシタに関する組み合わされた電力およびエネルギー性能を表す。

本明細書において、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を提供する方法および装置が開示される。カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は、ウルトラキャパシタにおいて使用するのに特に良好に適している。ウルトラキャパシタにおいて用いられる場合、本明細書において開示されるカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は、高電力の出力および信頼性のある操作を提供する。カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の態様を提示する前に、いくつかの背景をまず提示する。

図１に示すように、「ウルトラキャパシタ１０」の一の例示的実施形態を示す。この場合において、ウルトラキャパシタ１０は、電気二重層キャパシタ（ＥＤＬＣ）である。ＥＤＬＣは少なくとも１つの電極３を含む（２つの電極３が存在する場合等、いくつかの場合において、電極は、負極３および正極３とよんでよい）。ウルトラキャパシタ１０内に取り付けるとき、各々の電極３は、電解質界面において電荷の二重層を提供する。いくつかの実施形態において、複数の電極３が含まれる。尤も、議論の目的のため、２つの電極３のみを示す。慣例通り、本明細書において電極３の少なくとも１つは、エネルギー貯蔵を提供するために炭素ベースのエネルギー貯蔵媒体１（本明細書において更に論じる）を使用する。

電極３の各々はそれぞれ、集電体２（「電荷収集体（ｃｈａｒｇｅ ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ）」ともよぶ）を含む。電極３は、セパレータ５によって離隔される。一般に、セパレータ５は、電極３を２以上の区画に離隔するのに用いられる薄型構造材料（通常はシート（または薄板））である。

電解質６の少なくとも１つの形態は、電極３およびセパレータ５における空隙（ｖｏｉｄ ｓｐａｃｅ）ならびに電極３とセパレータ５との間の空隙に含まれ、かつそれを満たす。一般に、電解質６は、電荷を帯びたイオンへと分離する物質である。いくつかの実施形態において、その物質を溶解する溶媒が含まれてよい。結果として得られる電解液は、イオン輸送により電気を通す。

一般に、（１または複数の）電極３およびセパレータ５の組み合わせは、その後、巻かれた形状または角柱形の一方に成形され、次いで、円筒形または角柱形のハウジング７に詰められる。電解質６が加えられると、ハウジング７は密封される。種々の例において、パッケージは、レーザー、超音波および／または溶接技術を用いた技術によって密封される。ハウジング７（「封入体（ｅｎｃｌｏｓｉｎｇ ｂｏｄｙ）」または「容器（またはケース、ｃａｓｅ）」または他の同様の用語でよぶ）は、少なくとも１つの端子８を含む。各端子８は、通常はエネルギー貯蔵媒体１に連結された導線（図示せず）を通じて、エネルギー貯蔵媒体１に貯蔵されるエネルギーへの電気的アクセスを提供する。

即ち、いくつかの実施形態において、複数のリード線（図示せず）が、集電体２の各々に電気的に連結される。複数のリード線の各々は、（従ってウルトラキャパシタ１０の極性に対して）まとめられてハウジング７の各々の端子８に連結される。

例示的ＥＤＬＣにおいて、エネルギー貯蔵媒体１はカーボンナノチューブから形成される。エネルギー貯蔵媒体１は、例えば活性炭、炭素繊維（またはカーボンファイバー）、レーヨン、グラフェン、エアロゲル、炭素布およびカーボンナノチューブの複数の形態を含む他の炭素質材料を含んでよい。活性炭電極は、例えば、炭素化合物の炭化により得られる炭素材料に第１の活性化処理を行うことにより炭素基材（ｂａｓｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）を製造し、炭素基材にバインダー（または結合剤）を加えることにより成形体を製造し、成形体を炭化し、最後に炭化した成形体に第２の活性化処理を行うことにより活性炭電極を製造することにより製造することができる。炭素繊維電極は、例えば、表面積の大きい炭素繊維を備える紙または布状の母材（またはプレフォーム）を用いることにより製造することができる。カーボンナノチューブの製造およびウルトラキャパシタ１０におけるナノチューブの適用は、本明細書において更に詳細に論じられる。

従って、いくつかの実施形態において、エネルギー貯蔵媒体１を形成するのに用いられる材料は、純炭素（および現在存在し得る又は後に考案され得る炭素の種々の形態）以外の材料を含んでよい。即ち、他の材料の種々の配合がエネルギー貯蔵媒体１に含まれてよい。より具体的には、かつ限定的でない例において、少なくとも１つのバインダー材料をエネルギー貯蔵媒体１において用いてよいが、（バインダー材料等の）他の材料の添加を勧める又は必要とするものではない。尤も、一般に、エネルギー貯蔵媒体１は実質的に炭素から形成され、従って、本明細書において「炭素質材料」、「炭素質層」および他の同様の用語でよんでよい。手短に言えば、エネルギー貯蔵媒体１は、主に炭素から形成されるが、エネルギー貯蔵媒体１として所望の機能性を提供するために、任意の形態の炭素（および適切である又は許容可能であると見なされる任意の添加剤または不純物）を含んでよい。

エネルギー貯蔵媒体１において用いるのに適した炭素質材料の種々の形態のいくつかの実施形態が、本明細書において例として提示される。以下に論じるこれらの実施形態はロバスト性のエネルギー貯蔵をもたらし、電極３において用いるのによく適している。これらの例は説明のためのものであり、エネルギー貯蔵媒体１において用いるのに適した炭素質材料の実施形態に限定されないことに留意すべきである。

電解質６は、カチオン９およびアニオン１１のペアを含み、溶媒を含んでよい。各々の種々の組み合わせを用いてよい。例示的ＥＤＬＣにおいて、カチオン９は、１－（３－シアノプロピル）－３－メチルイミダゾリウム、１，２－ジメチル－３－プロピルイミダゾリウム、１，３－ビス（３－シアノプロピル）イミダゾリウム、１，３－ジエトキシイミダゾリウム、１－ブチル－１－メチルピペリジニウム、１－ブチル－２，３－ジメチルイミダゾリウム、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウム、１－ブチル－４－メチルピリジニウム、１－ブチルピリジニウム、１－デシル－３－メチルイミダゾリウム、１－エチル－３－メチルイミダゾリウム、３－メチル－１－プロピルピリジニウムおよびこれらの組み合わせ並びに適切であると見なされる他の同等物の少なくとも１つを含んでよい。

追加の例示的カチオン９は、イミダゾリウム、ピラジニウム、ピペリジニウム、ピリジニウム、ピリミジニウムおよびピロリジニウムを含む。概括的に、これらのカチオン９は、高い熱安定性、低いガラス転移温度（Ｔｇ）および高い伝導率を示すものとして選択され、広い温度範囲にわたって良好な電気的性能を示した。従って、所望の特性を示すカチオン９の他の実施形態を同様に使用してよく、または上述のいずれかと併せて使用してよい。

例示的ＥＤＬＣにおいて、アニオン１１は、ビス（トリフルオロメタンスルホナート）イミド、トリス（トリフルオロメタンスルホナート）メチド、ジシアナミド、テトラフルオロボラート、ヘキサフルオロホスフェート、トリフルオロメタンスルホナート、ビス（ペンタフルオロエタンスルホナート）イミド、チオシアナート、トリフルオロ（トリフルオロメチル）ボレートおよびこれらの組み合わせ並びに適切であると見なされる他の同等物の少なくとも１つを含んでよい。

溶媒は、アセトニトリル、アミド、ベンゾニトリル、ブチロラクトン、環状エーテル、ジブチルカーボナート、ジエチルカーボナート、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、ジメチルカーボナート、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホン、ジオキサン、ジオキソラン、ギ酸エチル、エチレンカーボナート、エチルメチルカーボナート、ラクトン、直鎖状エーテル、ギ酸メチル、メチルプロピオナート、メチルテトラヒドロフラン、ニトリル、ニトロベンゼン、ニトロメタン、ｎ－メチルピロリドン、プロピレンカーボナート、スルホラン、スルホン、テトラヒドロフラン、テトラメチレンスルホン、チオフェン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、炭酸エステル、γ－ブチロラクトン、ニトリル、トリシアノヘキサン、これらのいずれかの組み合わせ、または適切な性能特性を示す他の（１または複数の）材料を含んでよい。

セパレータ５は不織ガラスから作製してよい。セパレータ５は、ガラス繊維、セラミック、およびＤｕＰｏｎｔ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ（デラウェア州ウィルミントン）によってＴＥＦＬＯＮ（登録商標）として一般に市販されているポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素ポリマーから作製してもよい。例えば、不織ガラスを用いることにより、セパレータ５は、主繊維（ｍａｉｎ ｆｉｂｅｒ）およびバインダー繊維を含み得、バインダー繊維の各々は主繊維の各々の繊維径より小さい繊維径を有し、主繊維が一緒に結合するのを可能にする。

一般に、用語「電極」は、電気回路に組み込んでよいデバイスにおいて、多くの場合非金属である別の材料と接触させるのに用いられる電気伝導体を指す。エネルギー貯蔵媒体における例示的な第２の材料は、固体、液体および気体を含む種々の形態であってよい。エネルギー貯蔵媒体１の材料は、導電性材料、半導体、電解質等を含んでよい。一般に、用語「電極」は、本明細書において用いる場合、エネルギー貯蔵媒体１、および所望の機能性をもたらすためにエネルギー貯蔵媒体１に伴われてよい追加の構成要素（例えばエネルギー貯蔵媒体１と一体になる集電体２）に関する。

ここで図２～５を参照して、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を製造するための方法および装置の態様を示す。開示される技術は、製造プロセスにわたって高度な制御を提供し、それにより、ウルトラキャパシタ１０における使用等の特定の用途に十分に適合され得る（即ち特定の用途のために設計され得る）ＣＮＴがもたらされる。概要としては、基材が提供される。次いで、触媒材料を基材上に配置し、炭素質材料を触媒の上に沈積させる。実質的に酸素のない環境において製造を行う場合、酸化に伴う問題および還元の必要性が回避される。技術の種々の態様を実施する場合、ＣＮＴの製造者は、高品質のＣＮＴを製造するための効果的な方法を理解するだろう。

本明細書に開示される技術は、所望の特性を有するＣＮＴを提供するために必要に応じて調節されてよい。即ち、方法は、例えば密度、表面積、長さ、壁の数、組成（即ち金属または非金属）、端部の特性（即ち開放端（またはオープンエンド）または閉端（またはクローズドエンド））等の好都合な特性を考慮して制御してよい。

例示的実施形態の概説のために図２を参照してよい。図２において、ＣＮＴの製造１２０のための方法の限定的でない態様が提示される。この実施形態において、製造１２０のための方法は、基材が製作機（「製造装置」および他の同様の用語でもよぶ）の中に装着される第１の工程（基材の装着１２１）を含む。第２の工程において、触媒の層が基材に適用される（触媒の適用１２２）。第３の工程において、炭素質材料が触媒の上に徐々に沈積してＣＮＴが成長する（炭素の沈積１２３、「沈積工程」、「成長工程」または他の同様の用語でもよばれる）。第４の工程において、取り外し及び後続の使用のためにＣＮＴを冷却する（ＣＮＴ冷却１２４）。いくつかの実施形態において、本明細書において更に論じるように、緩衝（またはバッファ、ｂｕｆｆｅｒ）工程１２５が同様に含まれる。

ＣＮＴの大量生産のための例示的装置の態様が提供される。種々の実施形態において、装置は、厳密な環境制御（例えば温度、雰囲気の含有量（ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ ｃｏｎｔｅｎｔ）および／または圧力等の制御）をもたらすように配置（または構成）される。いくつかの実施形態において、ＣＮＴ製品は、継続的（即ち中断のない又は連続的）プロセスにおいて製造される。プロセス全体にわたって製造環境を制御することにより、また、プロセスの間に必要に応じて製造環境の態様を変化させることにより、所望の特性を示すＣＮＴを製造することが可能である。

想像されるように、方法は多数の機器および制御を必要とし、従って、これらの４つの工程の説明は過度に単純化されている。製造１２０のための方法における各工程をより十分に説明するためのいくつかの状況（または前後関係）および追加の実施形態を提示するために、いくつかの定義、パラメータ、特性等を示す。

「製造装置」、「製作機」または他の同様の（１または複数の）用語のいずれかでよばれる機械は通常、必要に応じて、またはＣＮＴの作製の要求に従って構成要素（または部品）を含む。製造装置に含まれる例示的構成要素は、記載される機能を必要に応じて果たす構成要素を含む。含まれてよい例示的かつ限定的でない例としては、少なくとも１つのポンプ、バルブ、電線管、ガス管、電力供給装置（または電源）、ガス供給装置（不活性ガス、炭素質ガス等の供給装置を含む）、水供給装置、ノズル、取り入れ口、出口、通気孔（ｖｅｎｔ）、排気装置（ｅｘｈａｕｓｔ）、ファン、材料移動装置（例えばコンベヤベルト、駆動システム等）、加熱要素（抵抗加熱要素等）、熱交換器（または他の形態の冷却）、シャッター、ドア、サーボモーター（または自動制御装置、ｓｅｒｖｏ）、モーター、センサー（電気、温度、圧力、ガス、光学等）、変換器（またはトランスデューサ）、制御装置（またはコントローラ）、ヒューマンインターフェース、コンピュータインターフェース、処理装置（またはプロセッサ）、データ記憶装置、メモリー、バス、機械の操作を管理するためのコンピュータ実行可能コード、および機械のオペレータ、製造者または設計者により必要とされ得る他の構成要素が挙げられる。手短に言えば、本明細書に記載の方法を支援し且つ可能にする種々の科学技術が周知であると考えられ、概括的には本明細書に開示される発明の一部ではない。従って、本明細書における教示事項を実施するための機器の種々の実施形態および変形を考えると、そのような機器の議論は、概括的にはＣＮＴ集合体の発生に影響を及ぼし得るいくつかの態様に限定される。

本明細書において用いられる場合、「配列されたＣＮＴ集合体」、「ＣＮＴ集合体」、「垂直に配列されたカーボンナノチューブ、ＶＣＮＴ」および同様の用語は通常、多数のＣＮＴが共通の方法で配列または配向している構造体を指す。いくつかの実施形態において、配列されたＣＮＴ集合体の比表面積ＳＡは３００ｍ^２／ｇ以上である（例えばＣＮＴの大部分が閉じている場合）。他の実施形態において、表面積ＳＡは１，３００ｍ^２／ｇ以上である（例えばＣＮＴの大部分が開いている場合）。「ＣＮＴの集合体」は通常、複数の垂直に配列されたＣＮＴ構造体を指す。いくつかの実施形態において、重量密度（ρ_ｗ）は０．００２ｇ／ｃｍ^３～０．２ｇ／ｃｍ^３の範囲である。一般に、本明細書において論じられるＣＮＴの実施形態は、垂直に配列されたカーボンナノチューブ、ＶＣＮＴに関する。尤も、ＣＮＴが炭素の他のナノフォームと混合される実施形態等のいくつかの実施形態において、このことは必要条件ではなく、あるいは事実ですらない。

ナノチューブおよび他のナノ構造体に関する用語「垂直に配列された」は一般に、製造時におけるナノチューブの配向に関することを認識すべきである。尤も、この専門用語は限定的であることを意味しない。即ち、「垂直に配列されたナノチューブ」の集合体を考える場合、用語「垂直」は重要でないことがあり、あるいは誤解を招くおそれがあり得ることを認識すべきである。従って、本明細書において論じられるように、「垂直に配列されたナノチューブ」の集合体および他の形態は一般に、実質的に平行な、繰り返しの又は組織的な構造を含む集合体を指すことを認識すべきである。

ＣＮＴ集合体が共通の配向および大きい比表面積ＳＡを示すためには、ＣＮＴ集合体の高さは、１０μｍ以上１ｃｍ以下の範囲であってよい。一般に、高さが１０μｍ以上であることにより、配向が向上する。別法として、高さが１ｃｍ以下であると、そのような高さは急速な成長を可能にし、従って炭素質不純物の付着が制御されるので、比表面積ＳＡを向上させることができる。

種々の実施形態において、カーボンナノチューブは通常、特定の特性を示す。とりわけ、いくつかの実施形態において、製造されるカーボンナノチューブは、約５０μｍ～約５ｍｍの長さ（またはそれより長い長さ）を示す。いくつかの実施形態において、カーボンナノチューブは約２００μｍ～約２ｍｍである。いくつかの実施形態において、カーボンナノチューブは、例えば１～１０の壁を含んでよい。いくつかの実施形態において、例えば１～５の壁を含んでよい。カーボンナノチューブは、例えば約０．７ｎｍ～１０ｎｍの径を有してよい。垂直に配列されたカーボンナノチューブのアレイ（または配列、ａｒｒａｙ）として考えた場合、密度は約１０３ＣＮＴ／ｃｍ^２～約１０１３ＣＮＴ／ｃｍ^２であってよい。いくつかの実施形態において、密度は約１０１１ＣＮＴ／ｃｍ^２～約１０１２ＣＮＴ／ｃｍ^２であってよい。

電極３において用いられるカーボンナノチューブは、特定の特性が実現されるように処理してよく、さもなければ加工してよい。電極に含まれる場合におけるカーボンナノチューブの例示的特性および物理的特性としては、約３０μｍ～５００μｍ、いくつかの場合において約１００μｍ～約２００μｍの活物質の厚さ；約０．３ｇ／ｃｍ^３～約０．８ｇ／ｃｍ^３、いくつかの場合において約０．５ｇ／ｃｍ^３～約０．６ｇ／ｃｍ^３の体積密度が挙げられる。一般に、カーボンナノチューブはいずれの種類のバインダーも含まない。エネルギー貯蔵媒体は、垂直に配列されたカーボンナノチューブ、もつれた（ｅｎｔａｎｇｌｅｄ）カーボンナノチューブ、他の形態の炭素、および適切であると見なされる材料のいずれかの組み合わせを含んでよい。一般に、カーボンナノチューブは、約５００ｍ^２／ｇ～約２，２００ｍ^２／ｇの表面積ＳＡを示す（これは、ＣＮＴの壁に穴（ｈｏｌｅ）および／または細孔（ｐｏｒｅ）が形成された結果としての、処理されていないＣＮＴの表面積の増大であってよい）。エネルギー貯蔵媒体として成形した場合、カーボンナノチューブは、約１０：１～約１００：１の圧縮率（垂直に配列された場合）を有してよい。

従って、ウルトラキャパシタ１０において用いられる場合、本明細書に記載のカーボンナノチューブを用いた電極３は特定の好都合な特性も示してよい。例えば、ウルトラキャパシタ１０の性能は、（最大作動電圧において）約１００Ｆ／ｇ～約２００Ｆ／ｇの質量比容量；（最大作動電圧において）約５０Ｆ／ｃｃ～約１００Ｆ／ｃｃの体積比容量；約３Ｖ～４．５Ｖの最大作動電圧を含んでよい。例えば、ウルトラキャパシタ１０は、約０．５Ω／ｃｍ^２～約１Ω／ｃｍ^２の等価直列抵抗（ＥＳＲ）を示してよい。

用語「基材」は一般に、カーボンナノチューブのための触媒を表面に担持することができる部材であって、高温（例えば４００℃以上の温度）であってもその形状を保持し得る部材を指す。ＣＮＴの製造に使用可能であることが証明されている任意の種類の基材を用いてよい。材料の限定的でない例としては、以下のものを含む：鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、マンガン、コバルト、銅、銀、金、白金、ニオブ、タンタル、鉛、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ素、インジウム、蛍光物質（ｐｈｏｓｐｈｏｒ）およびアンチモン等の金属；これらの材料または他の適切な材料を含む合金および酸化物；シリコン、石英、ガラス、雲母、黒鉛およびダイヤモンド等の非金属；ならびにセラミック。一般に、一般に、金属材料は、シリコンおよびセラミックよりもコストが低い。特に、Ｆｅ－Ｃｒ（鉄－クロム）合金、Ｆｅ－Ｎｉ（鉄－ニッケル）合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｎｉ（鉄－クロム－ニッケル）合金等が適している。基材は、薄膜、ブロック（または塊）または粉末および平板の形状をとってよい。尤も、特に、基材がその体積に対して大きい表面積を有するような形状が大量生産に好都合である。

用語「浸炭防止層」は一般に、基材上の層を指す。基材は、その前面または裏面のいずれかに形成された浸炭防止層を有してよい。いくつかの実施形態において、基材は、その前面および裏面の各々に形成された浸炭防止層を含む。形成は、例えばスパッタリング等の技術によって実現されてよい。浸炭防止層は一般に、基材が浸炭して、それによりカーボンナノチューブを発生させる工程において変形するのを防止するための保護層である。浸炭防止層は厚さが様々であってよい。種々の実施形態において、浸炭防止層の厚さは約１ｎｍ～約５００ｎｍであり、いくつかの場合において約５ｎｍ～約１００ｎｍである。

いくつかの実施形態において、浸炭防止層は金属またはセラミック材料から構成される（セラミック材料は浸炭を防止するのに効果的である）。適切な金属の例として、銅およびアルミニウムが挙げられる。適切なセラミック材料の例としては、以下のものが挙げられる：酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化クロム、酸化ホウ素、酸化カルシウムおよび酸化亜鉛等の酸化物；ならびに窒化アルミニウムおよび窒化ケイ素等の窒化物。なお、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素は共に、浸炭を防止するのに非常に効果的である。

本明細書において用いられる場合、「触媒」は、基材または浸炭防止層に設けられてよい。ＣＮＴ製造において使用可能であることが証明されている任意の種類の触媒を用いることができる。触媒の限定的でない例としては、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン、これらの塩化物、これらの合金、ならびにこれらとアルミニウム、アルミナ、チタニア、窒化チタンまたは酸化ケイ素との複合体または層が挙げられる。他の限定的でない例としては、鉄－モリブデン薄膜、アルミナ－鉄薄膜、アルミナ－コバルト薄膜、アルミナ－鉄－モリブデン薄膜、アルミニウム－鉄薄膜およびアルミニウム－鉄－モリブデン薄膜が挙げられる。触媒は、ＣＮＴ製造に使用可能であることが証明されている量の範囲において用いることができる。例えば、鉄を用いるいくつかの実施形態において、形成される薄膜（またはフィルム）の厚さは０．１ｎｍ以上～１００ｎｍ以下の範囲であってよい。いくつかの他の実施形態において、鉄の厚さは０．５ｎｍ以上～５ｎｍ以下であってよい。いくつかの更なる実施形態において、鉄の厚さは０．８ｎｍ～２ｎｍ以下であってよい。

触媒は複数の層を含んでよい。触媒は、基材の層または浸炭防止層等のもう１つの（または別の）層にわたって連続的であってよく、あるいは少なくとも部分的に非連続的であってよい。いくつかの実施形態において、追加の浸炭防止層等のもう１つの層は、触媒の表面に配置されてよい。いくつかの実施形態において、触媒は、酸化物等の別の材料の表面に沈積した金属を含んでよい。沈積は、「クラスター」または非連続な層をもたらす。本明細書において用いられる場合、用語「連続的」は一般に、下層の材料の「濡れ」または実質的に全面的な被覆を指す。

基材の表面への触媒の形成に乾式法を適用することが可能である。例えば、スパッタリング蒸発（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）法を用いてよい。カソードアーク（ｃａｔｈｏｄｉｃ ａｒｃ）蒸着、スパッタ蒸着、イオンビーム支援蒸着、イオンビーム誘起蒸着およびエレクトロスプレーイオン化のいずれかの１以上等の他の技術を必要に応じて用いてよい。更に、周知のフォトリソグラフィ、ナノプリント（ｎａｎｏｐｒｉｎｔｉｎｇ）等の適用により得られるパターニングを併用して触媒を任意の形状に成形することが可能である。

一の実施形態において、配列されたＣＮＴ集合体の形状を適宜制御することが可能である。このことは、例えば、基体に形成された触媒のパターニングおよびＣＮＴの成長時間の制御に応じて達成され得る。その結果、配列されたＣＮＴ集合体は、薄膜形状、円筒形、角柱形または他の複雑な形状のいずれかをとる。特に、薄膜の形状において、配列されたＣＮＴ集合体は、その長さ及び幅と比較して非常に小さい厚さ（高さ）を有する；尤も、長さ及び幅は、触媒のパターニングに応じて適宜制御することができ、配列されたＣＮＴ集合体を構成するＣＮＴの成長時間に応じて適宜制御することができる。いくつかの実施形態において、触媒の形態は、例えば、触媒における粒子サイズを変化または制御し、それにより触媒上に成長するＣＮＴの径の調節をもたらすことにより適合される。

一般に、「還元ガス」は本明細書の教示事項により必要とされていない。還元ガスは、触媒の還元をもたらすのに従来技術において通常用いられる。還元ガスは、成長温度において気体状態である任意の材料を含んでよい。還元ガスは、ＣＮＴの成長に適した微粒子になるため及び触媒の活性を向上させるために触媒を刺激するのに用いてもよい。還元ガスの一例は、水素ガス、アンモニウム、水蒸気またはそれらの混合物等の還元能力を有するガスである。還元ガスは一般に酸化を克服するのに用いられるが、本明細書において開示される方法は、実質的に酸化がない（または酸化を含まない）。

「原材料ガス」は一般に、ＣＮＴを発生させるために原材料（即ち炭素質材料）を供給するのに用いられる。ＣＮＴ製造に使用可能であることが証明されている任意の種類の原材料を用いることができる。一般に、成長温度において気体状である原料炭素源が使用可能である。中でも、メタン、エタン、エチレン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタンプロピレンおよびアセチレン等の炭化水素が適している。加えて、メタノールおよびエタノール等の低級アルコール、アセトン、一酸化炭素等の低炭素の酸素含有化合物、ならびにこれらの混合物が使用可能である。更に、原材料ガスは不活性ガスで希釈してよい。

一般に、「不活性ガス」は、製造プロセスにおいて含まれてよいガスであり、ＣＮＴが成長する温度において不活性であるガスであることのみが必要とされる。一般に、「不活性」は、ＣＮＴの成長と実質的に反応しないガスの特性であると考えられる。ＣＮＴ製造に使用可能であることが証明されている任意の種類の不活性ガスを使用することができる。不活性ガスの限定的でない例は、ヘリウム、アルゴン、水素、窒素、ネオン、クリプトン、二酸化炭素、塩素およびこれらの混合物である。

「触媒活性化材料」を種々の実施形態において用いてよい。触媒活性化材料の添加により、カーボンナノチューブ製造における効率およびカーボンナノチューブの純度を向上させることができる。一般に、触媒活性化材料は、ＣＮＴを成長温度において実質的に損傷しない酸素含有物質として特徴付けられてよい。従って、いくつかの点において、この実施形態は「実質的に酸素のない環境」であると考えてよい。水以外の有効な例として以下のものが挙げられる：硫化水素、酸素、オゾン、酸性ガス、窒素酸化物、一酸化炭素および二酸化炭素等の低炭素の酸素含有化合物；エタノールおよびメタノール等のアルコール；テトラヒドロフラン等のエーテル；アセトン等のケトン；アルデヒド；エステル；窒素酸化物；およびこれらの混合物。

一般に、触媒活性化材料は少量加えることのみが必要とされるが、加えるべき量に特定の限定は存在しない。一例として、いくつかの実施形態において、触媒活性化材料が水である場合、触媒活性化材料は、約１０ｐｐｍから約１０，０００ｐｐｍ以下の範囲、これらの実施形態のいくつかにおいて５０ｐｐｍ以上１，０００ｐｐｍ以下の量、およびこれらの実施形態のいくつかにおいて１００ｐｐｍ以上７００ｐｐｍ以下の量が加えられる。

触媒活性化材料を加えることにより、触媒の活性が強化され、触媒の寿命が延びる。触媒活性化材料を加える場合、ＣＮＴの成長はより長時間継続し、成長速度が同様に増大する。結果として、高さが著しく増大したＣＮＴ集合体が得られる。

「高炭素濃度の環境」は、全流量（または流れ）に対する原料ガスの割合が約２％～約２０％である成長雰囲気を指す。これは一般に、過剰の炭素が存在する環境を指し、この環境はＣＮＴ集合体の効率の低い成長をもたらし得る。即ち、例えば、高炭素濃度の環境は、触媒の失活を含み得る。

触媒の活性は触媒活性化材料によって向上するので、触媒の活性は、炭素濃度が高いいくつかの環境においてさえ持続するだろう。従って、ＣＮＴの成長速度はかなり向上し得る。

炉内圧力に関しては、種々の実施形態において、炉内圧力は１０^２Ｐａ以上であり且つ１０^７Ｐａ以下（１００気圧）である。いくつかの実施形態において、炉内圧力は１０^４Ｐａ以上であり且つ３×１０^５Ｐａ以下（３気圧）である。

ＣＮＴが合成される反応温度は、金属触媒の特性、原料の炭素源および炉内圧力等の種々のパラメータを考慮して決定してよい。触媒活性化材料を使用する実施形態において、反応温度は一般に、触媒活性化材料が適切にはたらくような温度範囲に設定される。

特に、触媒活性化材料として水を使用する場合において、反応温度は４００℃～１，０００℃であることが好ましい。４００℃以下において、触媒活性化材料はその効果を発現しない。１，０００℃以上において、触媒活性化材料はＣＮＴと反応し得る。

別法として、触媒活性化材料として二酸化炭素を用いる場合、反応温度は約４００℃～約１，１００℃であることが好ましい。一般に、４００℃以下の温度において、触媒活性化材料はその効果を発現しない。１，１００℃以上において、触媒活性化材料はＣＮＴと反応する。

本明細書において用いられる場合、用語「成長工程」、「沈積工程」および他の同様の用語は、ＣＮＴ集合体の合成プロセスを指す。この工程は一般に、原材料ガス等の炭素質成分を含む、触媒の周りの環境を提供すること、ならびに環境、原材料ガスおよび触媒の少なくとも１つを加熱することを含む。これによりＣＮＴ集合体がもたらされる。

本明細書において用いられる場合、「冷却工程」（「ＣＮＴの冷却１２４」および他の同様の用語でもよぶ）は一般に、ＣＮＴ集合体、触媒および基材を冷却する工程を指す。いくつかの実施形態において、冷却工程は不活性ガスの存在下で行われる。即ち、成長工程の後、ＣＮＴ集合体、触媒および基材は高温であり、酸素の存在下におかれるとそれ自体が酸化されるだろう。酸化は、酸化プロセスが実質的に制限される温度にＣＮＴ集合体、触媒および基材を冷却することにより実質的に防止される。いくつかの例において、冷却の停止は約２００℃以下の温度である。

「装着部」は一般に、外気が製造装置に流れ込むのを防止するための一連のデバイスを含む。即ち、操作において、装着部は、基材を装着するための構成要素を備える。一般に、基材は搬送デバイスに装着される。一旦装着されると、酸素が（負圧排気および不活性ガスによる加圧の少なくとも一方により）装着部から放出される。いくつかの実施形態において、装着部は、ガスカーテン、ドア、シャッターまたは他のそのようなデバイスの少なくとも１つによって隔離される。

環境制御が装着部において確立されると（即ち、装着部が実質的に又は十分に酸素のない状態になると）、基材は、触媒の適用１２２を完了させるために触媒適用部へと進められる。装着部と同様に、製造装置の触媒適用部は環境制御に付される（即ち、実質的に又は十分に酸素のない状態である）。基材が触媒適用部に配置されると、触媒が基材に適用される。触媒を適用するための一の実施形態は、基材に触媒をスパッタリングすることを含む。

本明細書において用いられる場合、用語「実質的に酸素のない」は、酸素が意図される機能性を撹乱しない環境に関する。例えば、実質的に酸素のない環境の装着部において、基材は無視できる量の酸化のみを経験するだろう。

適切な触媒の層が（上に配置される浸炭防止層を含んでよい）基材に適用されると、ＣＮＴ基体が実現される。基体は、上に配置された触媒材料の層を有する基材として特徴付けられてよい。好都合なことに、基体は実質的に又は十分に酸素のない環境において製造されたので、触媒は有意な酸化に付されていない。このようにして、ＣＮＴの成長のために基体を調製する。

基体が調製されると、いくつかの実施形態において、基体は、緩衝工程１２５を完了させるために緩衝（またはバッファ）部の中に移動させられる。種々の実施形態において、緩衝部は、基体の周りの環境における圧力、温度およびガスの少なくとも１つの調節および変更の少なくとも一方を提供する。緩衝部は、基体の装着または再配置等の他の機能性を備えてもよい。

次いで、基体は、炭素の沈積１２３を完了させるために炭素沈積部に移動させてよい。沈積部は、触媒の周りの環境を原材料ガスの環境にすることにより、および触媒および原材料ガスの少なくとも一方を加熱することにより、ＣＮＴ集合体を合成する機能を有する。沈積部の特定の例として、原材料ガスの環境が保持される炉、原材料ガスを注入するための原材料ガス注入部、および触媒および原材料ガスの少なくとも一方を加熱するための加熱器が挙げられる。加熱器は、適切に加熱することが可能な任意の種類の加熱器であってよい。いくつかの実施形態において、加熱器は、約４００℃～約１，１００℃の範囲の温度に加熱する。加熱器の限定的でない例として、抵抗加熱器、赤外線加熱器および電磁誘導加熱器が挙げられる。

いくつかの実施形態において、沈積部は触媒活性化材料を添加するためのサブセクションも含む。一般に、触媒活性化材料を添加するためのサブセクションは、原材料ガスに活性化材料を直接供給するため、または沈積部の内部における触媒の周りの環境に触媒活性化材料を直接添加するために設置される。触媒活性化材料は、種々の方法で供給してよく、バブラー（または気泡管、ｂｕｂｂｌｅｒ）による触媒活性化材料の供給、触媒活性化材料を含有する溶液の気化による触媒活性化材料の供給、触媒活性化材料の気体の状態そのままでの供給、および固体の触媒活性化材料の液化または気化による触媒活性化材料の供給による方法が挙げられる。サブセクションは、気化器、混合器、撹拌機、希釈器、ポンプおよび圧縮器の少なくとも１つ等の種々の装置を用いた供給システムを含んでよい。いくつかの実施形態は、サブセクションにおける触媒活性化材料の濃度を測定するためのデバイスを含む。フィードバックおよびエンジニアリング制御により、触媒活性化材料の安定供給を確保することができる。

ＣＮＴの成長後、およびＣＮＴ集合体が製造に用いられる温度範囲またはその温度範囲付近である温度範囲のままである間、ＣＮＴ集合体の酸化が懸案事項のままである。従って、ＣＮＴ集合体は沈積部から冷却部に移動させられる。

冷却部は、ＣＮＴ集合体と、ＣＮＴ集合体が上に成長した基体とを冷却するために設けられる。冷却部は、酸化防止剤を機能させる機能、ならびに沈積が完了した後のＣＮＴ集合体、触媒および基材における冷却効果を有する。冷却部のための例示的装置は、基体およびＣＮＴ集合体を受け入れるための受け入れ領域を含み、受け入れ領域は、不活性ガスが保持される体積内に配置される。体積は、例えば、より低温の不活性ガスの流れを供給するための入口（および出口）、体積内に配置される少なくとも１つの冷却管であって、冷却液（水等）を運ぶための冷却管、および冷媒を運搬するのに適した他の同様の装置を含んでよい。追加の装置が冷却部の外部に含まれてよく、そのような追加の装置として、例えば、冷却ユニットから運ばれる熱を放散することができる少なくとも１つの熱交換器が挙げられる。

このように製造装置の種々の構成要素を導入することにより、特定の追加の態様をここで論じる。

本明細書に開示される製造技術は一般に、還元ガスの使用を必要としない。即ち、製造技術により、実質的に酸化されることなく調製された触媒材料がもたらされる。従って、製造装置の操作は通常、製造領域内への（周囲空気の形態等の）酸素の侵入を制限する方法で実施される。従って、本明細書において論じられる種々の工程は、少なくとも不活性ガス（とりわけ酸素を置換するために供給される）の存在下で実施してよい。

従って、製造装置は比較的酸素のない環境を確保するように構成されてよい。即ち、種々のエンジニアリング制御（その多くは上記において紹介される）は、所望の環境の維持を確保するように配置（または構成）されてよい。図２と同様に、図３の議論は機能的構成におけるものである。

ここで図３を参照して、製造装置の一の追加の実施形態の態様を示す。この実施形態において、中間工程が含まれる。即ち、触媒を基材の上に配置した（触媒の適用１２２）後、かつ炭素の沈積１２３の前に、もう１つの工程を実施する。もう１つの工程のいくつかの実施形態において、プラズマが提供される。より具体的には、基体（即ち、触媒が上に配置された基材）は、例えばプラズマ処理による触媒の仕上げ加工１２６に付される。触媒の適用と同様に、触媒の仕上げ加工１２６は、還元ガスの添加等による還元雰囲気の形成を必要とすることなく実施される。プラズマの時間および出力を制御することにより、触媒の形態を調節してよい。特に、この工程において、プラズマは、触媒に所望の変化をもたらすように制御してよい。例示的変化として、触媒における粒子サイズおよび粒子の密度の変更が挙げられる。触媒の表面処理が実施される触媒の仕上げ加工１２６の後、基体は炭素の沈積１２３へと進められる。図３に表されていないが、いくつかの実施形態は、緩衝工程１２５を提供するために少なくとも１つの緩衝部を含んでもよい。

一般に、図２および３に示す実施形態において、方法は、人間の相互作用（例えば、基材の装着、完成した製品の取り外し）により開始し且つ終了する。尤も、他の実施形態において、追加の自動化された工程または機能が行われてよい。

図４は製造装置４０の一の実施形態の態様を表す。この例において、製造装置４０は、ローダー部４１、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｅｒ）部４２、プラズマ部４３、炭素沈積部４４および冷却（ｃｏｏｌｅｒ）部４５を含む。操作の間、基材４９はローダー部４１を介して製造装置に装着される。基材４９は、コンベヤベルト上でスパッタリング部４２、プラズマ部４３、炭素沈積部４４および冷却部４５を経て進み、完成した製品が現れる。即ち、基材４９は、触媒層４６がその上に配置され、かつカーボンナノチューブ集合体４７が触媒層４６の上に配置されて、製造装置４０から現れる。これらの実施形態のいくつかにおいて、コンベヤベルト（図示せず）は実際には複数のコンベヤベルトであり、それにより、製造装置４０の各部（または各セクション）を通って基材４９が運ばれる速度の微調整が可能となる。

製造装置４０の上述の各部は、適切であると見なされる特定の種類の機器のいずれかが用いられてよく、昇温（または高温）で作動する能力等の実用上考慮すべき事項によってのみ限定される。例えば、炭素質材料の均一な分散をもたらすために、炭素沈積部４４において「ガスシャワー」を用いてよい。

一般に、用語「ガスシャワー」は、ガス注入等により少なくとも１つの気体状材料が導入される体積を指す。一般に、ガスシャワーは、例えば、製造装置４０における第１の体積を製造装置４０における第２の体積から隔離する等の目的の達成をもたらす。ガスシャワーは「排出装置（または排出管、ｄｒａｉｎ）」（即ち排気装置）を含んでよい。排出装置は負圧であってよく、少なくとも１つの気体状材料をガスシャワーの体積から実質的に引き出すようになっていてよい。ガスシャワーは、設計者、製造者および使用者のいずれか１者により決定される意図される設計および／または機能性を達成するために公知の構成要素を用いてよい。

カーボンナノチューブ集合体４７は、種々の方法（そのいくつかは本明細書において示される）で回収してよい。回収後、いくつかの実施形態において、エッチングまたは他の方法を用いて基材４９から触媒層４６を除去してよい。その後、基材４９を適切に調製して製造にリサイクルしてよい。

ここで図５を参照して、製造装置の例示的制御システム５０の態様を示す。この例において、制御システム５０は複数のセンサー５８を含む。センサー５８は、温度、ガス、供給量（または供給速度）、光学的特性等の測定装置を含んでよい。手短に言えば、製造プロセスを制御するのに有用な任意のプロセス動力（ｐｒｏｃｅｓｓ ｄｙｎａｍｉｃ）である。センサー５８は、通信リンク５６を通じて少なくとも１つの処理装置５３と通信する。有線および無線リンクを含む任意の種類の通信リンク５６を用いてよい。少なくとも１つの処理装置５３は同様に、演算要素（ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）５４（メモリー、データ記憶装置、電力供給装置、時計、ソフトウェアの形態で機械可読媒体に格納された機械が実行可能なプログラム指示、および他のそのような構成要素等）および少なくとも１つのインターフェース５５と通信する。少なくとも１つのインターフェース５５は、キーボード、ビデオディスプレイ、マウス、ネットワークアダプター、プリンターおよび他の同様のインターフェース要素を含んでよい。制御システム５０のこれらの構成要素は、製造プロセスを変更するための制御装置５２（サーボモーター、モーター、バルブ、加熱器（またはヒーター）、ガス供給装置、オペレータおよび他のいずれかの種類のプロセス制御装置等）への入力を提供する。

制御システム５０は、本明細書に記載の実施形態の装置および他の製造装置等の製造装置４０を管理（または制御）するのに用いてよい。例えば、制御システム５０は、形成ユニットおよび別個の成長ユニットならびに移動機構を含むシステムと共に用いてよい。手短に言えば、制御システム５０はカスタマイズ可能であり、カーボンナノチューブ集合体の製造のために設計されたいずれのシステムをも実質的に制御するのに用いてよい。制御システム５０によって制御され得る態様は、温度、流速、コンベヤ速度、積層に関連するプロセス（層の厚さ、材料（例えばガス等）の組み合わせの制御等）等を含むが、これらに限定されない。

実施可能であるように、制御システム５０は、インライン（即ちリアルタイム）品質管理（または品質制御）を提供する。例として、制御システム５０は、触媒層４６およびカーボンナノチューブ集合体４７の少なくとも一方の少なくとも１つの特性を測定する光学的計測システムを含んでよい。例示的特性として、厚さ、密度、外観（または表面状態）等が挙げられる。製造装置４０に含まれる場合、光学的計測システムは、材料の適切な積層、欠陥のある材料の早期排除等を確保するために、使用者に対する情報または他の同様の出力を提供してよい。

製造装置４０の構成要素の材料の例として、石英、耐熱セラミック、耐熱性合金等の高温に耐えることができる材料が挙げられる。尤も、処理の正確性、処理の自由度およびコストの観点からは、耐熱性合金が好ましい。耐熱性合金の例として、耐熱スチール、ステンレススチールおよびニッケル系合金が挙げられる。一般に、用語「耐熱スチール」は、主な割合においてＦｅを含有し且つ５０パーセント以下の濃度で他の合金を含むスチールを指し、「ステンレススチール」は、約１２パーセント以上のＣｒを含有するスチールを指す。更に、ニッケル系合金の例として、ＮｉにＭｏ、Ｃｒ、Ｆｅ等を加えることにより得られる合金が挙げられる。特に、耐熱性、機械的強度、化学安定性および低コストを考慮すると、ＳＵＳ ３１０、Ｉｎｃｏｎｅｌ（登録商標）６００、Ｉｎｃｏｎｅｌ（登録商標）６０１、Ｉｎｃｏｎｅｌ（登録商標）６２５、Ｉｎｃｏｌｏｙ（登録商標）８００、ＭＣ合金、Ｈａｙｎｅｓ（登録商標）２３０合金が有用であり得る。

ＣＮＴを合成する際に製造装置４０の壁面および他の構成要素に付着する炭素汚染物質の存在は、種々の技術により低減することができる。即ち、例として、炉の内壁等の内部に面している構成要素および／または炉において用いられる構成要素は、金属（例えば、耐熱性合金、および内部に面している表面等の表面処理により仕上げ加工されたもの）から作製してよい。これにより、とりわけ、得られる配列されたＣＮＴ集合体の質における劣化を制限しながら、継続した生産量がもたらされる。

慣例として、かつ明確さのために、製造装置の構成要素は処理工程（「不動態化」とよぶ）によって仕上げ加工されてよい。不動態化によって仕上げ加工されてよい製造装置の構成要素は、概括的に「物品（ｉｔｅｍ）」とよぶ。議論の目的のため、「物品」は少なくとも１つの表面を有してよい構成要素を含むと考えられるがこれに限定されず、物品の表面は、滑らか、粗面、不規則および非連続の少なくとも１つであってよい。物品は、内面および外面または外側の面を有してよい。各物品の不動態化は、真空に付される物品の内部にコーティングを適用することにより、水素の浸透に対する耐性または水素の浸透の防止を与えてもよい。不動態化は、物品の内部が真空に付される物品の外側にコーティングを適用することにより、水素の浸透に対する耐性または水素の浸透の防止を与えてもよい。別法として、例えば、物品の内面および外面に不動態化を提供してよい。不動態化は、物品の表面に向上した特性を与えるのに有用であってよい。加えて、不動態化は、炭素質材料（原材料ガスの分解によりもたらされる炭素質材料等）の、製造装置４０の構成要素への浸透（または侵入）の制限、従って製造装置４０の劣化の制限、およびそれによる製造装置４０の寿命の延長において重要な役割を果たし得る。

表面における汚染物質の蓄積の制限は、製造装置に組み込まれる物品の不動態化によって達成してよい。一の限定的でない例として、特定の物品の表面を不動態化する方法を用いて、腐食、真空環境における表面の影響またはその両方から物品の少なくとも１つの表面を保護することが挙げられる。一般に、不動態化すべき各物品を処理環境に置き、まず脱水し、次いで環境を排気する。水素化ケイ素ガスを処理環境に導入するが、処理環境はガスの導入前に加熱してよい。ガスの導入前に既に処理環境を加熱していなかった場合、物品およびそのなかに含まれる水素化ケイ素ガスを加熱し、加圧してガスを分解する。シリコンの層が物品の表面に沈積する。シリコン沈積工程の継続時間を制御して、処理環境におけるシリコンダスト（またはシリコン塵、ｓｉｌｉｃｏｎ ｄｕｓｔ）の形成を防止する。次いで、物品を冷却し、冷却温度に保持して後続の沈積のための表面状態を準備し、処理環境を不活性ガスでパージして水素化ケイ素ガスを除去する。物品の表面がシリコンの層で被覆されるまで、シリコン沈積工程に物品を循環させる。その後、処理環境を排気し、物品を室温に冷却する。

もう１つの例において、腐食、真空環境における望ましくない影響またはその両方から物品の表面を保護するために、物品の表面の不動態化が行われる。化学蒸着法を実施することにより、物品をシリコンでコーティングして、腐食環境および／または真空環境に適用するための特性を与える。プロセス温度、圧力および時間を中間で変化させながら単層～多層の沈積層を用いることにより、処理される物品に強化された特性（抵抗性の向上のために腐食環境に適用すること、ならびに物品のオフガス、アウトガスおよび水素浸透を低減するために真空環境に適用することが含まれるがこれらに限定されない）をもたらすコーティングが与えられることがわかった。物品は、例えば低真空（１０^５～３．３×１０^３Ｐａ）、中真空（３．３×１０^３～１０^－１Ｐａ）、高真空（１０^－１～１０^－４Ｐａ）、非常に高度の（ｖｅｒｙ ｈｉｇｈ）真空（１０^－４～１０^－７Ｐａ）、超高真空（１０^－７～１０^－１０Ｐａ）および極超高真空（１０^－１０Ｐａ未満）等の真空環境に対して強化された特性を有してよい。

コーティングしてよい表面は、内面および／または別法として物品の任意の他の表面を含み得る。これらの技術により不動態化された接触面を有する物品は一般に、腐食に対する耐性の向上のための特性を示し、真空環境に付される気体分子の放出が低減される。

もう１つの例において、物品は、例えば処理チャンバー等の環境に置かれ、その環境は、不動態化のための工程を実施するために制御されてよい。不動態化は、物品自体を用いて、または処理チャンバーに収容される物品で実施してよい。いくつかの実施形態において、各々の物品の表面はまず、物品の表面を脱水することにより前処理される。脱水工程において、物品は、約１０～２４０分の継続時間にわたって約２０℃～６００℃の範囲の温度に加熱される。物品は、不活性ガス中で又は真空において加熱してよい。

この例において、物品の表面を脱水した後、物品の表面の周りの環境または処理チャンバーを排気する。水素化ケイ素ガスを、物品の周りの環境または処理チャンバーに導入してよい。物品およびガスを加熱および加圧して、処理チャンバー内の水素化ケイ素ガスを分解する。水素化ケイ素ガスの加熱は、処理チャンバーへのガスの導入前、導入中または導入後に行ってよい。処理チャンバーを加熱し、その後水素化ケイ素ガスを導入してよい。ガスが分解するに従って、シリコンの層が物品の表面に沈積する。

シリコン沈積工程の継続時間およびガスの圧力は、物品上または処理チャンバー内にシリコンダストが生成するのを防止するように制御される。シリコン沈積の終了時において、環境または処理チャンバーを冷却し、一の温度において一定時間保持し、不活性ガスでパージして水素化ケイ素ガスを除去する。パージは、物品を冷却する前、冷却した後または冷却している間に行ってよい。いくつかの実施形態において、パージは物品が冷却されている際に行われる。シリコン層が物品の表面を完全に被覆している場合、物品を取り出して室温に冷却する。シリコン層が物品の表面を完全に被覆していない場合、表面が完全に被覆され、それにより不動態化されるまで、シリコン沈積工程を繰り返してよい。

いくつかの実施形態において、水素化ケイ素ガスは、ＳｉＨ_４およびＳｉ_ｎＨ_ｎ＋２を含む群から選択される。水素化ケイ素ガスは、ガスの分解温度にほぼ等しい温度、約３００℃～約６００℃の範囲の温度等に加熱してよい。いくつかの実施形態において、水素化ケイ素ガスは、約１×１０^－７トル（Ｔｏｒｒ）～２５００トルの範囲、特に約１００トル～２５０トルの範囲の圧力に加圧してよい。

技術は、不動態化された表面を有する耐食性基体または構成要素も提供する。例えば、基体は、（鉄および非鉄）金属、ガラス、炭素、銅、石英、ニッケル含有鉄合金、チタン、アルミニウムおよびセラミックを含んでよい。慣例として、基体の表面は平均表面粗度（または粗さ）ＲＡを有する。シリコン層は、基体表面の上に形成されてその表面を不動態化する。シリコン層は、シリコンの複数の層から形成されてよく、シリコンダストを実質的に含まない。いくつかの実施形態において、シリコンの１～１０層を適用してよい。

不動態化のための技術は、構成要素または特定の物品、および特に真空条件、腐食性物質、炭素に富むガスにさらした場合に望ましくない特性を示し、またはさもなければ不動態化から利益を得るであろう物品の表面を不動態化するのに用いてよいことを理解するべきである。例えば、技術は、金属（鉄および非鉄）、ガラス、炭素、銅、石英、ニッケル含有鉄合金、チタン、アルミニウムおよびセラミックで構成される基体の表面を不動態化するのに用いてよい。例えば有機硫黄、硫化水素、アルコール、アセテート、金属水素化物、塩酸、硝酸または硫酸および水性塩類（ａｑｕｅｏｕｓ ｓａｌｔｓ）等の腐食性物質または分子にさらされるであろう表面の不動態化は、表面を腐食から保護するはたらきをする。表面の不動態化はまた、各々の表面におけるオフガス、アウトガス、水素の浸透、および特に腐食または汚染物質の凝集を含む望ましくない影響を低減するために、真空環境における基体に利益をもたらす。

ここで、不動態化のための技術をより詳細に提示する。

初めに、不動態化すべき表面を前処理する。次いで、連続する沈積層の間に表面が冷却され、一の温度において一定時間保持される制御された条件の下で、シリコンの連続層を表面に適用する。いくつかの実施形態において、シリコン沈積層は、シリコン層が物品の表面積全体を被覆するまで適用される。方法は、物品自体の上もしくは内部において、または物品を例えば処理チャンバー等の制御された環境に置くことにより実施してよい。

不動態化のための各表面はまず、表面に吸着した水を除去することにより前処理される。脱水工程において、容器を、約１０分～２４０分（４時間）の継続時間の間、約２０℃～約６００℃の範囲の温度に加熱する。脱水工程の間、不動態化すべき基体が入っている処理チャンバーは排気され又は不活性ガス（希ガスまたは窒素）で満たされる。脱水プロセスの最後において、処理チャンバーを排気して気化した水を除去する。

処理チャンバーを脱水および排気した後、ＳｉＨ_４またはＳｉ_ｎＨ_ｎ＋２等の水素化ケイ素ガスを、表面、または物品の入っている処理チャンバーに導入する。いくつかの実施形態において、水素化ケイ素ガスの圧力は、約１×１０^－７トル～２５００トルの範囲内、特に約１００トル～２５０トルの範囲内である。脱水工程の結果として未だガスの分解温度ではない場合、物品および処理チャンバーに含まれるガスは、ガスの分解温度にほぼ等しい温度に加熱される。いくつかの実施形態において、物品およびガスは、約３００℃～約６００℃の範囲の温度に加熱される。水素化ケイ素ガスは、熱の下で導入してよく、または室温において導入してその後加熱してよい。これらの圧力および温度において、水素化ケイ素ガスは、表面または表面付近においてケイ素と水素ガスとに分解する。分解プロセスの間に形成されたケイ素は処理される物品の表面に付着する。

一般に、シリコン沈積プロセスの継続時間は制御される。上述の条件の下で、処理チャンバーにおける水素化ケイ素ガスの分解は、圧力、時間および温度の結果として、最終的に、本明細書においてシリコンダストとよぶ望ましくない副生成物も形成し得る。シリコンダストは、水素化ケイ素ガスがそれ自体と反応してシリコンおよび水素ガスを生成した結果である。この気相核形成は、重力により物品の表面または処理チャンバーに沈着するであろうシリコンダストを形成し、表面に形成されるシリコン層の完成度（ｉｎｔｅｇｒｉｔｙ）を低下させ得る。シリコンダストは、不導態層におけるシリコンの連続層の間の物理的障壁も形成し得る。

シリコンダストの形成は、沈積プロセスの継続時間、ガスの圧力および基体の表面における汚染物質の存在、またはこれらのいずれか若しくは全ての組み合わせによって影響を受け得る。シリコンダストの形成の防止を促進するためには、シリコン沈積プロセスの継続時間を制御して約１分から最大で約４８０分（８時間）の範囲の時間に制限する。シリコン沈積プロセスは、シリコンダストの形成を防止する方法の１つとして省略してよい。尤も、シリコンの層は、１回のシリコン沈積サイクルの後に表面全体を完全に被覆しなくてよい。従って、シリコン沈積サイクルは、シリコンの不導態層を所望の厚さに積層するために複数回繰り返してよい。尤も、不動態化の有効性は、１層の沈積層により得ることができる。いくつかの実施形態において、有効性は、表面粗度（または粗さ）ＲＡとは無関係に、１層～１０層のシリコンを表面に沈積させることにより向上させることができる。いくつかの場合において、表面に沈積した６層のシリコン層を有することにより性能を向上させることが特に好ましいことがある。

第１のシリコン沈積サイクルの後、物品を収容する処理チャンバーを不活性ガスでパージして水素化ケイ素ガスを除去してよい。シリコンの層が物品の表面を完全に被覆していない場合、シリコン沈積サイクルを繰り返してよい。次のシリコン層を沈積させる前に、物品の表面を冷却し、低温のままにして次のシリコン層の沈積の形成における表面特性を確立する。いくつかの実施形態において、表面は約５０℃～約４００℃の範囲に冷却し、約５分～約１００分の間、冷却温度のままにする。

一例として、約２０マイクロインチより小さい表面粗度ＲＡを有する粗面または（電解研磨または研磨した）平滑面は、１回の沈積サイクルにより、本明細書において記載される不動態化の利益を得ることができる。不動態化の有効性を増大させるために選択される層の数は、表面粗度ＲＡとは無関係に選択してよい。腐食に対する耐性を向上させるための層の数は、表面粗度ＲＡとは無関係に選択してよい。

シリコンの不導態層を形成した後、物品が入っている処理チャンバーを約５０℃～約４００℃の範囲に冷却し、約５分～約１００分の継続時間保持し、不活性ガスでパージして反応性の水素化ケイ素ガスを除去する。この不活性ガスによるパージにより、水素化ケイ素の分解反応が停止して、水素化ケイ素成分と、物品の表面または処理チャンバーではなく水素化ケイ素成分自体との反応に起因して起こる不要な気相核形成の問題が低減されることが確保される。最後のパージ工程の後に、物品の入っている処理チャンバーを排気して室温に冷却してよい。

いくつかの実施形態において、表面に沈積した不動態化されたシリコン層は、約１００Å～５０，０００Åの厚さであってよい。

不動態化のための上述の技術は、製造装置４０内に含まれるであろう物品であって、腐食性成分および気体環境（原材料ガスの環境等）の少なくとも一方に付してよい物品を不動態化するための特定の用途を有する。より具体的には、本明細書において示される不動態化の技術は、表面における炭素質材料および炭素の形態の蓄積が実質的に制限されるという、結果としてもたらされる効果と共に、物品の表面処理をもたらす。このことにより、製造衛生を確保するために少なくとも１つの設計要素を包含する製造装置４０が効果的にもたらされる。

不動態化は、とりわけ、各々の表面に抵抗特性を与えて、それにより例えば他の分子の化学吸着；他の分子の可逆的および不可逆的物理吸着、他の分子との触媒活性；無関係な種から攻撃されて、表面および／またはバルクの分子の破壊、構造的破壊および／または表面的な破壊がもたらされること；または上述のいずれかの組み合わせ等の、腐食性物質の望ましくない影響を最小限にするのに用いられてよい。加えて、提示される技術は、真空または低圧環境において用いてよい物品を不動態化するのに特に有用である。不動態化のための技術は、例えば化学的抵抗性を与えること、材料のガス発生の影響を制限すること、洗浄を簡略化すること等の種々の他の利益も同様に提示し得る。

方法は、化学的抵抗特性を基体に与えて、真空環境における基板上の望ましくない表面の影響、例えば目的とする真空に達するのに必要な時間の延長をもたらし且つ／又は目的とする真空に達するのを不可能にし且つ／又は目的とする真空を保持するのを不可能にする真空環境下における基体からの揮発性材料（例えば水蒸気および有機物）のオフガスまたはアウトガス；内側部分が真空に付されるのに対する、内側および／または外側におけるコーティングを通じた真空環境下における基体の水素浸透；または上述のいずれかの組み合わせ等を最小限にするのに用いてよい。

方法は、処理工程の間に各物品を収容するように構成された処理チャンバーを用いて実施してよいが、物品自体が、その構造に応じて、それ自体の処理チャンバーとして機能してよく、物品の内部で方法が実施されてよいことが理解されるだろう。例えば、不動態化プロセスは、いくつかの実施形態において炉（または乾燥器）において実施してよく、炉の内部における表面処理（即ち不動態化）がもたらされてよい。

手短に言えば、（１または複数の）炉の構成要素は、製造に先立って不動態化されてよく、またはさもなければ適切に処理してよい。提示される例において、用語「不動態化」は概括的に、製造プロセスの間の汚染物質（即ちトランプ（ｔｒａｍｐ）炭素または炭素質残余）の蓄積およびそれに付随する原材料ガスの分圧の低下を制限するのに適した処理方法を指すと考えてよい。紹介される方法はケイ素およびケイ素含有材料を含むが、用語「不動態化材料」は、これらの材料および炭素質残余の蓄積を制限するのに適した材料の他のいずれかの実施形態を包含すると考えてよい。

構成要素は、汚染物質の蓄積を制限する能力のために定期的に評価されてよい。必要に応じて、使用者は、継続的な性能を確保するために構成要素を新しいものにしてよく、または構成要素を交換してよい。

このように、優れた特性を示す集合体を製造するための技術を説明してきたが、炭素質材料の集合体および他の形態を（単独で又は集合体と共に）用いるための追加の技術がここで提示される。一般に、これらの追加の技術は、ウルトラキャパシタ１０において用いるための優れた電極３を提供することを対象としているが、電極３は、必要に応じて他のエネルギー貯蔵デバイスに組み込まれてよい。

好都合なことに、電極３は大量生産されたＣＮＴ４７から作製してよく、とりわけ、従来達成可能であったものよりも高い質量電力密度（重量の関数としての電力）および体積電力密度（体積の関数としての電力）を示す。更に、高出力の電極３は低い内部抵抗を示し、高電圧（約４ボルト以上等）をもたらすように構成され得る。

高電力の電極を提供するための例示的方法および装置のいくつかの実施形態において、電極３は、炭素ベースのエネルギー貯蔵媒体１の少なくとも１層を含み、追加の１～多数の層を含んでよい。

ここで、炭素質材料の製造技術および炭素質材料から作成される電極の種々の例示的実施形態が提示される。例示的実施形態として、圧縮されたカーボンナノチューブの少なくとも１層から作製される高電力（または高出力）電極；機能的に積層された電極；マルチフォーム電極；成形炭素質集合体から作製される電極；複数の電極構成要素から作製される電極；および高密度化された（ｄｅｎｓｉｆｉｅｄ）電極が挙げられる。例示的実施形態は、エネルギー貯蔵媒体１において用いられる炭素質材料を操作する技術の複数の実施形態を提供する。例は、限定的なものであると考えるべきでない。例えば、一の実施形態の態様は、種々の実施形態の別の１つと共に、少なくとも一部分において用いてよい。更なる技術は、種々の実施形態を精査することにより明らかになるだろう。

電極３の一の実施形態において、圧縮されたカーボンナノチューブの少なくとも１つの層がエネルギー貯蔵媒体として用いられる。ここで、電極３のこの実施形態の態様を導入するために、図６～１０を参照する。この例において、提示される電極３は、圧縮されたカーボンナノチューブおよび／または炭素の他の形態の複数の層を含んでよい。電極３の組み立てが集電体２および炭素質材料の沈積で始まる図６を参照する。図６～１０を参照して論じられる実施形態において、炭素質材料はＣＮＴ４７の集合体である。尤も、図６～１０を参照して論じられる実施形態は、ＣＮＴ４７の使用に限定されず、炭素質材料は、本明細書の他の箇所に示される形態等の他の形態を想定してよい。

図６において集電体２の実施形態を示す。一般に、集電体２は導体層６１を含み、結合層６２を含んでよい。導体層６１は、目的とする用途において電荷を伝導するのに適した任意の材料から作製してよい。例示的材料としてアルミニウムが挙げられる。導体層６１は、ホイル（または箔）、メッシュ、複数のワイヤまたは他の形態で示されてよい。一般に、導体層６１は伝導度および電気的に不活性であること等の特性で選択される。いくつかの実施形態において、導体層６１は、酸化物層を導体層６１から除去することにより作製される。酸化物は、例えば導体層６１をＫＯＨでエッチングすることにより除去してよい。

いくつかの実施形態において、結合層６２は導体層６１に配置される。結合層６２は、スパッタリング、ｅ－ビームまたは別の適切な技術によって適用される層等の薄層として現れてよい。種々の実施形態において、結合層６２は約１０ｎｍ～約５００ｎｍの厚さである。一般に、結合層６２は、伝導度、電気的に不活性であること、および導体層６１の材料との適合性等の結合層６２の特性で選択される。いくつかの例示的材料として、アルミニウム、金、銀、パラジウム、スズおよび白金、ならびにＦｅ－Ｃｒ－Ｎｉ等の材料の合金または組み合わせが挙げられる。

第２の構成要素は、カーボンナノチューブ集合体（ＣＮＴ）４７に対するホスト（ｈｏｓｔ）である基体６５を含む。図６に示す実施形態において、基体６５は、上に配置された触媒４６の薄層を備える基材４９を含む。一般に、基体６５は少なくとも幾分かは可とう性であり（即ち、基体６５は脆性でなく）、ＣＮＴ４７を沈積させるための環境（例えば約４００℃～約１，１００℃の高温環境）に耐え得る構成要素から作製される。

ＣＮＴ４７が作製されると、もう１つの結合層６２がその上に配置される。いくつかの実施形態において、もう１つの結合層６２は約１０ｎｍ～約５００ｎｍの厚さである。その後、図７に示すように、集電体２の結合層６２をＣＮＴ４７の上に配置されたもう１つの結合層６２と組み合わせる。

図７は、ＣＮＴ４７を集電体２と組み合わせる態様を説明している。下向きの矢印で示すように、基材４９に圧力がかけられる。ＣＮＴ４７の適用は、構成要素の加熱を伴ってよい。一例として、結合層６２において白金が用いられる場合、約２００℃～約２５０℃に加熱することが通常は適切である。次いで、ＣＮＴ４７と触媒４６とは分離され、集電体２に配置されたＣＮＴ４７の層が得られる。

触媒４６からのＣＮＴ４７の分離を促進するために種々の製造後プロセスを完了してよい。例えば、沈積を完了させた後、ＣＮＴ４７を上に含む基体６５を室内空気、二酸化炭素の環境または別の適切な環境にさらしてよい（例えば上述の環境で加熱してよい）。一般に、ＣＮＴ４７の製造後処理は、ＣＮＴ４７を高温へと徐々に傾斜させ、次いで減圧（即ち約１気圧より低い圧力）の下で一の温度にて数時間ＣＮＴ４７を保持することを含む。

図８に示すように、圧力を加えることによりＣＮＴ４７を集電体２の上に移動させる工程は、圧縮されたＣＮＴ８１の層をもたらす。圧縮されたＣＮＴ８１は今や、窓（ｗｉｎｄｏｗ）および割れ目等の物理的欠陥を含み得、一般に圧縮されていないＣＮＴ４７より大きい電荷貯蔵のための表面積がもたらされ、一方、圧縮されていないＣＮＴ４７より小さい体積を占める。ＣＮＴ４７のもう１つの層の追加も図８において示される。

図９に示すように、ＣＮＴ４７のもう１つの層を圧縮されたＣＮＴ８１の上に適用してよい。いくつかの実施形態において、この工程は、わずかな（ｎｏｍｉｎａｌ）量の圧力を（例えば手によって）かけることを含む。一般に、ＣＮＴ４７のもう１つの層は、カーボンナノチューブ間のファンデルワールス力によって圧縮されたＣＮＴ８１に移動（即ち接着）されると考えられる。これにより、好都合なことに、図１０に示すように圧縮されたＣＮＴ８１のもう１つの層（即ち、別の厚さの圧縮されたＣＮＴ８１）が集電体２の上にもたらされる。高出力かつ高エネルギーの電極３は、圧縮されたＣＮＴ８１の複数の層を適用することにより実現される。

この方法を繰り返して、複数の厚さの圧縮されたＣＮＴ８１を集電体２上にもたらしてよい。尤も、一般に、特定の実用上の限定が認識されるであろうことが予測される、即ち、例えば、各層の移動における複合的欠陥により、電荷の貯蔵について所望の性能を示さない圧縮されたＣＮＴ８１の層がもたらされ得る。尤も、移動プロトコルが向上し続けるにつれて、より一層多くの数の層の追加が可能になるであろうことも予測される。

従って、上に配置された少なくとも１層の圧縮されたＣＮＴ８１～複数の層の圧縮されたＣＮＴ８１を備える集電体２を、電荷貯蔵デバイス（即ち、電極３の実施形態）として用いてよい。一般に、電極３のそのような実施形態は、ウルトラキャパシタ１０において用いるのに特によく適している。上述のいくつかの利点（より高い質量電力密度および体積電力密度、低い内部抵抗および高い電圧の提供ならびにより高いエネルギー密度）に加えて、必要とされる電解質６がより少ない。従って、使用者は、エネルギー貯蔵のいくつかの同様の実施形態よりも製造に費用がかからない性能の向上したエネルギー貯蔵が提供される。

ＣＮＴ４７および圧縮されたＣＮＴ８１の比較例を図１１に提示する。即ち、図１１Ａおよび１１Ｂ（本明細書においてまとめて図１１とよぶ）は、圧縮されていないＣＮＴ４７および圧縮されたＣＮＴ８１の各々の透過電子顕微鏡写真を表す。

図１１Ａに示すように、ＣＮＴ４７は比較的直線状であり、Ｙ方向に沿って平行である。図１１Ｂに示すように、圧縮されたＣＮＴ８１は、（「波」のような）周期的変形（または歪み）を示す。即ち、圧縮されたＣＮＴ８１は概して互いに平行のままである一方、圧縮されたＣＮＴ８１は（圧縮されていないＣＮＴ４７と比較して）直線状でない。即ち、いくつかの実施形態において、圧縮されたＣＮＴ８１の形状は、シヌソイド（または正弦状）関数等の関数によって表されてよい。他の実施形態において、波形の周期性は、他の方法で表現または定量化されてよい。いくつかの更なる実施形態において、圧縮されたＣＮＴ８１は繰り返しの形態（または変形（ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ））を示さない。手短に言えば、圧縮されたＣＮＴ８１は、ＣＮＴ４７の特定の特性が向上または強化されるような、ＣＮＴ４７（圧縮されていないＣＮＴ）の圧縮の結果であってよい。強化は、例えば密度の増加、欠陥の増加等の特定の現象のいずれか１つ以上の結果であってよい。

本明細書において教示されるカーボンナノチューブの利点の実証として比較評価を行った。この評価において、２つのウルトラキャパシタ１０を組み立てた。ウルトラキャパシタ１０の１つ目は、活性炭から作製された電極３を含んだ。ウルトラキャパシタ１０の２つ目は、本明細書の教示事項によるカーボンナノチューブをベースとする電極３を含んだ。結果を図１２に示す。他の部分において、ウルトラキャパシタ１０は全ての観点において同一であった。

図１２Ａおよび１２Ｂ（本明細書においてまとめて図１２とよぶ）において、比較性能を示すナイキスト線図が提示される。図１２Ａは、活性炭電極を用いた（従来技術の）キャパシタを表し、一方、図１２Ｂは、カーボンナノチューブをベースとする電極を用いたウルトラキャパシタ１０を表す。電極抵抗の伝統的な評価は、ナイキスト線図における３ｄＢの点における抵抗である。図１２Ａは、従来技術のキャパシタのセル全体の抵抗が約４Ω／ｃｍ^２を示し、一方、図１２Ｂは、カーボンナノチューブをベースとするキャパシタのセル全体の抵抗が約１Ω／ｃｍ^２であることを示す。更に、活性炭の実施形態における電極の接触抵抗（図１２Ａ）は（ナイキスト線図において半円形で示されるように）実質的であるが、一方、ＣＮＴの実施形態においては実質的に存在しない（図１２Ｂ）ことが理解され得る。

いくつかの実施形態において、基材４９、触媒４６、導体層６１および結合層６２の特定の特性を考慮してよい。即ち、例えば上述の作製が実質的に酸素のない環境において完了する場合、圧縮されたＣＮＴ８１の少なくとも１層～圧縮されたＣＮＴ８１の複数の層を備える集電体２を提供するために他の材料およびプロセスが用いられてよい（または省略されてよい）ことが予測される。従って、これらの及び他の実施形態は、当業者によって考案され得るように本発明および本明細書における教示事項の範囲内である。

ここで電極３の追加の実施形態を考えるが、この電極３は一般に「機能的に積層された電極」とよばれる。

ここで図１３を参照して、機能的に積層された電極３の例示的実施形態の態様を示す。一般に、機能的に積層された電極３は、２つの別個の構造（即ち、電極基部構造体（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｂａｓｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）２６および電極プロセス構造体（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）２８）から作製してよい。図１３Ａに示す例において、電極基部構造体２６（作製された電極が上に存在するであろう構造を提供してよい）は、例えばアルミニウム（Ａｌ）箔（またはホイル）または銅（Ｃｕ）箔から作製された一の実施形態の集電体２を含んでよい。図１３Ｂに示す例示的電極プロセス構造体２８は、（例えばタングステン（Ｗ）またはステンレススチール（ＳＳ）またはアルミニウム（Ａｌ）ホイルを含む）プロセス基体層３５、およびエネルギー貯蔵媒体１において用いてよい炭素質材料から形成される炭素質層３２を含む。一般に、電極プロセス構造体２８は、炭素質材料が上に形成される構造を提供する。

目標の１つはプロセス基体層３５の上に炭素質層３２を形成することであるが、炭素質層３２を、例えば中間材料を介して連結されるように集電体２へと効果的に移動させることである。プロセス基体層３５を構成する材料と、集電体２を構成する材料とは異なっていてよい。材料は、炭素材料の製造要件および集電体２の有効性等の態様を考慮して選択してよい。プロセス基体層３５および集電体２の材料の選択の間の設計上の制約を切り離すことは、性能、コスト、信頼性等における著しい利点を有する。

いくつかの実施形態において、電極基部構造体２６は３つの層を含んでよい。例えば、３つの層の第１の層として集電体２が提供されてよい。集電体２は最終的に作動電流をキャパシタの端子から炭素質材料に伝達するので、使用される材料は良好な伝導度で選択するべきである。集電体２は、電極が最終的に浸漬される電解質にさらされるので、集電体２の材料は、良好な電気化学的適合性、所定の電解質との通常は適切に低い反応速度（または反応率）で選択されるべきである。機械的圧縮の下での熱結合し易さ等の実用上の理由で、集電体２における材料および材料の厚さは、機械的可とう性で選択するべきである。集電体２に含まれてよい材料の例としては、アルミニウム（Ａｌ）、ステンレススチール、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、タンタル（Ｔａ）、導電性酸化物（例えば、インジウム－スズ－酸化物（ＩＴＯ））またはこれらの材料の組み合わせが挙げられる。一般に、集電体２の厚さは、約１マイクロメートル（μｍ）～１００μｍの間で様々であってよい。

集電体２は、必要に応じて、まず水酸化カリウム（ＫＯＨ、アルミニウムを含む電極の実施形態に有用であり得る）等の塩基性のエッチング液に浸漬してよく、かつ／またはバックスパッタリングを行って酸化物フィルム（例えば酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３））を除去してよい。電極基部構造体２６の製造方法がマグネトロンスパッタリングにおいて必要とされるような低酸素環境で行われる場合、エッチング、バックスパッタリングまたは他の方法による酸化物層の除去を同じチャンバーにおいて行ってよい。第２および第３の層は、同じチャンバーにおいて沈積される場合、その後、電極基部構造体２６が低酸素環境から取り出された時に更に酸化されるのを防ぐのに有用な保護障壁を形成する。

第２の層（「接着層３４」とよぶ）は、集電体２と第３の層（「第１の接合層３６」とよぶ）との接着を向上させるために用いてよい。接着層３４はマグネトロンスパッタリングまたは同様の方法を用いて集電体２の上に沈積させてよい。接着層３４に含まれる代表的な材料は、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン－タングステン（Ｔｉ－Ｗ）またはこれらの材料の組み合わせである。接着層３４を構成する材料の伝導度が比較的低い場合、その厚さは、適切な電流処理性能を達成するように限定されるべきである。一般に、この接着層３４の厚さは約１ナノメートル（ｎｍ）～約１００（ｎｍ）の間で様々である。

第１の接合層３６は、電極基部構造体２６を電極プロセス構造体２８に接合するのに有用である。電極基部構造体２６と電極プロセス構造体２８とを、中程度の温度（または中温）および機械的圧力を用いて熱結合すべきである場合、軟質金属が第１の接合層３６に最も有用であり得る。第１の接合層３６は、マグネトロンスパッタリングまたは同様の方法を用いて接着層３４の上に沈積されてよい。第１の接合層３６の材料の伝導度が比較的低い場合、第１の接合層３６の厚さは、適切な電流処理性能を達成するように限定されるべきである。第１の接合層３６に用いられる例示的材料として、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）またはこれらの材料の組み合わせが挙げられる。一般に、この第１の接合層３６の厚さは約１ｎｍ～約１０μｍの間で様々である。

いくつかの実施形態において、電極プロセス構造体２８は４つの層を含む。電極プロセス構造体２８の第１の層は、活性電極材料が上に形成されてよいプロセス基体層３５である。例示的プロセス基体層３５は、タングステン（Ｗ）ホイル、鉄（Ｆｅ）（粒子）およびアルミニウム（Ａｌ）の中間層を含む下部構造である。この例示的プロセス基体層３５における層の厚さは、３つの副層（またはサブレイヤー）についてそれぞれ、約５μｍ～１ｍｍ、０．５ｎｍ～５ｎｍおよび２ｎｍ～１００ｎｍの範囲で様々であってよい。この例示的プロセス基体層は、化学蒸着法による垂直に配列されたカーボンナノチューブ（ＶＡＣＮＴ）を含む特定の炭素電極材料を製造するのに有用である。機械的圧縮の下での熱結合し易さ等の実用上の理由で、プロセス基体材料および厚さは機械的可とう性で選択するべきである。他の代表的なプロセス基体材料として、ステンレススチール、ニッケル（Ｎｉ）またはこれらの材料の組み合わせが挙げられる。

電極プロセス構造体２８の炭素質層３２は、製造されるキャパシタにおける電荷の貯蔵に対する最終的な原因となる材料を含む。炭素質層３２において用いるのに適した例示的材料として、活性炭、炭素繊維、レーヨン、グラフェン、エアロゲル、炭素布、カーボンナノホーン、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）およびこれらの材料の組み合わせが挙げられる。本明細書において開示される他の炭素質材料を炭素質層３２において用いてよい。炭素質層３２において用いられる材料はとりわけ、化学蒸着（ＣＶＤ）によって製造されてよく、プロセス基体層３５の上に沈積されてよく、またはプレスしてよい。一般に、炭素質層３２の厚さは約１μｍ～約１０ｍｍの範囲で様々であってよい。

オーミックコンタクト層３０は、電極プロセス構造体２８に含まれてよく、炭素質層３２とのオーミックコンタクトを達成するのに有用である。オーミックコンタクト層３０が多孔性の炭素質層３２を通じて電極が最終的に浸漬される電解質にさらされる場合、オーミックコンタクト層３０の材料は、良好な電気的適合性、その特定の実施形態の電解質との通常は適切に低い反応速度で選択されるべきである。オーミックコンタクト層３０は、マグネトロンスパッタリング、熱蒸発または同様の方法を用いて炭素質層３２の上に沈積されてよい。オーミックコンタクト層３０において用いてよい例示的材料は、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）およびパラジウム（Ｐｔ）である。一般に、オーミックコンタクト層３０の厚さは、約１ｎｍ～約１０μｍの範囲で様々である。

電極プロセス構造体２８は第２の接合層３８も含む。第２の接合層３８は、電極基部構造体２６を電極プロセス構造体２８と接合するのに有用である。電極基部構造体２６と電極プロセス構造体２８とを、中程度の温度（または中温）および機械的圧力を用いて熱結合すべきである場合、軟質金属が第２の接合層３８に有用である。第２の接合層３８は、マグネトロンスパッタリング、熱蒸発または同様のプロセスを用いてオーミックコンタクト層３０の上に沈積されてよい。第２の接合層３８の材料の伝導度が比較的低い場合、その厚さは適切な電流処理性能を達成するように限定されるべきである。第２の接合層３８に有用な例示的材料は、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）またはこれらの材料の組み合わせを含む。一般に、この第２の接合層３８の厚さは約１ｎｍ～約１０μｍの間で様々である。

電極基部構造体２６と電極プロセス構造体２８とは、第１の接合層３６と第２の接合層３８との間の界面においてあらゆる方法により接合してよい。一の例示的方法は、２つの構造体が同時に加熱されて一緒に加圧される熱結合である。白金（Ｐｔ）接合層の材料について、熱結合に有用な温度範囲は約１５０℃～約６００℃で様々である。

電極基部構造体２６と電極プロセス構造体２８とが接合されると、プロセス基体層３５は、単に剥くことにより又は他の方法により除去されて炭素質層３２の表面が露出してよい。

図１４に示すように、例示的な機能的に積層された電極３は、集電体２、接着層３４、第１の接合層３６、第２の接合層３８、オーミックコンタクト層３０および炭素質層３２を含む。

更なる実施形態において、少なくとも１つの他の層を含んでよい。例えば、オーミックコンタクト層が含まれてよく、もう１つの結合層６２、圧縮されたＣＮＴ８１（「エネルギー貯蔵層」、「活性層」および他の同様の用語でよんでよい）または別の層の間のオーミックコンタクトを増大させるために設けられてよい。もう１つの例において、接着層が含まれてよく、もう１つの結合層６２と圧縮されたＣＮＴ８１または別の層との間の接着を強化するために設けられてよい。追加の層またはオプションの層における材料は、例えば電気伝導度、適合性等の少なくとも１つの特性に従って選択してよい。

機能的に積層された電極３は一般に層状形状である。本明細書において示される層は、電極３を限定するものではなく、単に説明するためのものである。他の組み合わせを実施してよい。そのような他の組み合わせは、例えば一の層の態様ともう１つの層の態様との組み合わせを考慮してよい。他の態様を考慮してよく、いくつかの態様は全く含めなくてよい。手短に言えば、設計者、製造者、使用者および／もしくはオペレータの要求、ならびに材料および製造プロセスの機能的制約のいずれか、または他の同様の（１または複数の）パラメータのいずれかを考慮する場合、電極３の特定の構成を決定してよい。

電極３の更なる実施形態は「マルチフォーム」電極３として提示され、これは図１５から始まる製造方法として導入される。

ここで図１５を参照して、基部（ｂａｓｉｃ）電極３の実施形態を示す。この限定的でない例において、電極３は、基層１５を担持（または支持）する集電体２を含む。いくつかの実施形態において、集電体２は約０．５マイクロメートル（μｍ）～約２５マイクロメートル（μｍ）の厚さである。集電体２は、化学蒸着（ＣＶＤ）、スパッタリング、ｅ－ビーム（または電子ビーム）、熱蒸発または別の適切な技術によって適用される層等の、薄層として現れてよい。一般に、集電体２は、伝導度、電気的に不活性であること、および基層１５と適合すること等の集電体２の特性で選択される。いくつかの例示的材料は、アルミニウム、白金、金、タンタル、チタンを含み、他の材料および種々の合金を含んでよい。

例示的実施形態において、基層１５は、垂直に配列されたカーボンナノチューブ（ＶＡＣＮＴ）４７から形成される。基層１５に含まれてよい炭素のナノフォームの限定的でない例として、単層ナノチューブおよび多層ナノチューブが挙げられるが、これに限定されない。

ここで図１６を参照して、ナノフォームカーボン１６を基層１５に加える一の実施形態の態様を示す。この例において、電極３はキャリア材料の浴１７に浸漬される。いくつかの実施形態において、浴１７は溶媒を含む。ナノフォームカーボン１６の添加は、浴１７において提供され、通常は浴１７において懸濁される。一般に、ナノフォームカーボン１６は、ナノチューブ、ナノホーン、ナノオニオン、カーボンブラック、フラーレン、グラフェン、酸化グラフェンの少なくとも１つを含む。添加が完了すると、浴１７は、蒸気１９及び／又はキャリア材料の排出によって除去される。これにより、図１７に示すようにマルチフォーム電極３がもたらされる。即ち、得られる電極は、炭素のナノフォームを多数含むので、「マルチフォーム」電極３とよぶ。

即ち、浴１７を除去する工程により、基層１５の上に配置されるナノフォームカーボン１６のもう１つの層がもたらされる。従って、マルチフォーム電極３は種々の段階で製造されてよい。

基層１５の上にナノフォームカーボン１６を適用するもう１つの実施形態を図１８に示す。図１８において、複数のアプリケータ（または塗布装置もしくは散布装置）１３が、各電極３の基層１５にナノフォームカーボン１６を適用する。各々のアプリケータ１３は、ナノフォームカーボン１６の多数の供給の１つからナノフォームカーボン１６が供給されてよい。従って、種々の形態のナノフォームカーボン１６を供給してよい。この例において、アプリケータ１３の各々は、基層１５の上へのナノフォームカーボン１６の適切な噴霧を提供する装置を含む。従って、ナノフォームカーボン１６は、溶媒または他のキャリア材料と混合してよい。キャリア材料は、基層１５の上へのナノフォームカーボン１６の分配（または分散）をもたらす。いくつかの実施形態において、キャリア材料は高い蒸気圧を示す。従って、ナノフォームカーボン１６は素早く凝固してマルチフォーム（ｍｕｌｔｉｆｏｒｍ）電極３をもたらすだろう。

一般に、ナノフォームカーボン１６はもう１つの層として基層１５上に分配（または分散）されると考えてよい。キャリア材料中のナノフォームカーボン１６の混合物または溶液としてもう１つの層を適用することにより、特定の利点が実現され得る。例えば、ナノフォームカーボン１６の全体的な配置が少なくともある程度制御され得る。例えば、複数の積層を行ってよい。ナノフォームカーボン１６の濃度は、用いられるナノフォームカーボン１６の組み合わせと同様に制御してよい。従って、マルチフォーム電極３の特定の態様は概括的に制御されてよい（エネルギー貯蔵媒体１の密度等）。顕微鏡レベルにおいて、このことは、もつれ（または絡み合い）、空隙、充填された空間（ｐａｃｋｅｄ ｓｐａｃｅ）等が組み込まれることの結果であり得る。

基層１５の上にナノフォームカーボン１６を供給するための他の実施形態を用いてよい。例えば、紙の製造において用いられる技術を用いてよい。より具体的には、ナノフォームカーボン１６はキャリア材料と混合してよく、パルプを配置する方法と同様の方法で基層１５の上に適用してよい。

例示的キャリア材料は、エタノール、イソプロピルアルコール、脱イオン水、アセトン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）および他の同様の材料を含む。

オプションで、製造後の処理を行ってよい。製造後の処理における例示的方法として、マルチフォーム電極３の加熱が挙げられる。例えば、マルチフォーム電極３を適切に加熱して、残っているキャリア材料をナノフォームカーボン１６から実質的に放出してよい。方法（加熱等）は、実質的に酸素のない環境等の制御された環境で行ってよい。

ここで図１９を参照して、マルチフォーム電極３を提供する例示的方法１９０を提示する。第１段階において、基部電極３を選択して供給する（電極の選択１９１）。第２段階において、ナノフォームカーボン１６を基部電極３に適用する（ナノフォームの適用１９２）。第３段階において、マルチフォーム電極３が浴１７等から回収される（電極の回収１９３）。オプションの第４段階において、マルチフォーム電極３の後処理が実施される（電極後処理１９４）。

電極３の更なる実施形態が、成形炭素質集合体を含む電極３として提供され、図２０から始まる製造プロセスとして導入される。電極３のこの実施形態は、「超音波処理された」材料を含むものとよんでよく、従って、「超音波処理された」電極３または他の同様の用語でよんでよい。

ここで図２０Ａおよび２０Ｂ（本明細書においてまとめて図２０とよぶ）を参照して、溶液の実施形態を示す。図２０Ａにおいて、第１の溶液６６は、溶媒６８および垂直に配列されたカーボンナノチューブ（ＶＣＮＴ）４７の集合体の分散物を含む。図２０Ｂにおいて、第２の溶液６７は、溶媒６８および溶媒に分散される炭素添加物２７を含む。炭素添加物２７は、実質的に炭素から構成される材料の少なくとも１つの形態を含む。炭素添加物２７の例示的形態は、例えば、活性炭、炭素粉末、炭素繊維、レーヨン、グラフェン、エアロゲル、ナノホーン、カーボンナノチューブ等の少なくとも１つを含む。いくつかの実施形態において炭素添加物２７が実質的に炭素から形成されるが、炭素添加物２７は、少なくともいくらかの不純物を故意に又は意図的に含んでよいことが理解される。手短に言えば、炭素添加物２７のために選択される（１または複数の）材料は、設計者、製造者または他の同様の状態にある者により適切であると見なされる場合、本明細書の教示事項の実施に適した任意の材料を含んでよい。

一般に、溶媒６８は無水溶媒であるが、このことは必要条件ではない。例えば、溶媒６８は、エタノール、メタノール、ＤＭＳＯ、ＤＭＦ、アセトン等の少なくとも１つを含んでよい。一般に、垂直に配列されたカーボンナノチューブ４７の集合体の分散物は、製造サイクルによって製造された垂直に配列されたカーボンナノチューブ４７の断片（またはフラグメント）を含む。即ち、垂直に配列されたカーボンナノチューブの集合体４７は、基体６５から回収した際に断片（またはフラグメント）へと分割してよい。

ここで、第１の溶液６６および第２の溶液６７の各々が「超音波処理」（例えば超音波装置７８によってもたらされる、超音波場において実現される物理的効果）に付されることを示す図２１を参照する。第１の溶液６６に関しては、超音波処理は一般に、カーボンナノチューブを引き出す（ｔｅａｓｅ ｏｕｔ）、膨らませる（または毛羽立てる、ｆｌｕｆｆ）またはさもなければ分解（ｐａｒｓｅ）するのに十分な時間行われる。第２の溶液６７に関しては、超音波処理は一般に、溶媒６８内の炭素添加物の良好な分散または混合を確保するのに十分な時間行われる。

第１の溶液６６および第２の溶液６７を適切に超音波処理したら、第１の溶液６６および第２の溶液６７を一緒に混合して混合溶液６９を得（図２２を参照のこと）、再び超音波処理する。通常、第１の溶液６６および第２の溶液６７の混合物は、垂直に配列されたカーボンナノチューブの集合体（ＶＣＮＴ）４７と炭素添加物２７との良好な混合を確実にするのに十分な時間、超音波処理する。この第２の混合により炭素質集合体５１がもたらされる。

次いで、炭素質集合体５１を混合溶液６９から取り出して処理する。図２３に示すように、炭素質集合体５１を成形して成形炭素質集合体５１をもたらしてよい。この工程は、炭素質集合体５１を適切な表面４８に配置することにより補助してよい。適切であると見なされる任意の材料を表面４８に用いてよいが、後続の表面からの除去がその表面の特性によって促進されるので、例示的材料としてはＰＴＦＥが挙げられる。

いくつかの実施形態において、炭素質集合体５１はプレス機（ｐｒｅｓｓ）において成形されて、所望の厚さ、面積および密度を示す成形炭素質集合体５１がもたらされる。これらの実施形態は、とりわけ、ウルトラキャパシタ１０のための電極３の実施形態の場合において有用である。

電極３の一の実施形態を示す図２４を参照する。この例において、電極３は、成形炭素質集合体５１から作製されたエネルギー貯蔵媒体１を含む。示される集電体２は、例えば成形炭素質集合体５１の上に集電体２を沈積させることによる技術を含む種々の技術によって、成形炭素質集合体５１に連結されてよい。

成形炭素質集合体５１の態様をこのように開示してきたが、追加の態様を提示する。要約すれば、各事例のエネルギー貯蔵媒体１の製造は一般に、溶媒６８中の垂直に配列されたカーボンナノチューブ（ＶＣＮＴ）４７の断片（またはフラグメント）の懸濁液から開始される。次いで、懸濁液は、例えば常套的な超音波装置７８を用いて「超音波処理」され又は穏やかに混合される。いくつかの実施形態において、他の形態の炭素が別々に溶媒６８において超音波処理され、一方、他の実施形態において、他の形態の炭素が、その後、ＶＣＮＴ４７を含む溶液に加えられる。これらの後者の実施形態は、制限された量の溶媒６８が用いられ得るという利点を提供する。

ＶＣＮＴ４７および追加の炭素の形態は超音波場によって混合される。適切な時間間隔の後、懸濁液中のＶＣＮＴ４７および種々の形態の炭素は、泡状の炭素質材料へと集合する。その後、泡を溶媒６８から取り出し、次いで、乾燥し、平らにし、圧縮し、加熱し、処理し、または種々の方法のいずれか１つ以上で成形して、エネルギー貯蔵媒体１をもたらしてよい。

一般に、ＶＣＮＴ４７は比較的長い（例えば、約３００μｍより長い）ナノチューブを含む。炭素添加物の種々の形態は、活性炭、炭素繊維、レーヨン、グラフェン、エアロゲル、ナノホーン、カーボンナノチューブ等の少なくとも１つを含んでよい。カーボンナノチューブの添加物は、多層カーボンナノチューブ（ＭＷＮＴ）および単層カーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）を含んでよい。一般に、炭素添加物に含まれるナノチューブは、ＶＣＮＴ４７におけるナノチューブよりも比較的短い。

電極３の更なる実施形態は、複数の電極構成要素を組み立ててより大きい電極３とする技術を含む。導入として、図２５から開始される技術の説明が提示される。図２５～３１に関して開示される実施形態は、複数の電極構成要素を組み立ててより大きい電極３とする技術を含むが、追加の態様が含まれることに留意するべきである。

ここで図２５を参照して、カーボンナノチューブ集合体（ＶＣＮＴ）４７に対するホストである基体６５を示す。図２５に示す実施形態において、基体６５は、上に配置された触媒４６の薄層を備える基材４９を含む。

一般に、基体６５は少なくとも幾分かは可とう性であり（即ち、基体６５は脆性でない）、エネルギー貯蔵媒体１（例えばＶＣＮＴ）を沈積させるための環境（例えば約４００℃～約１，１００℃の高温環境）に耐え得る構成要素から作製される。尤も、適切に決定される場合、種々の材料を基体６５に用いてよい。

ここで図２６を参照する。エネルギー貯蔵媒体１（例えばＣＮＴ）が基体６５上に作製されると、集電体２がその上に配置される。いくつかの実施形態において、集電体２は約０．５マイクロメートル（μｍ）～約２５マイクロメートル（μｍ）の厚さである。集電体２は、化学蒸着（ＣＶＤ）、スパッタリング、ｅ－ビーム、熱蒸発または別の適切な技術によって適用される層等の薄層として現れてよい。一般に、集電体２は、伝導度、電気的に不活性であること、およびエネルギー貯蔵媒体１（例えばＣＮＴ４７）に適合すること等のその特性で選択される。いくつかの例示的材料は、アルミニウム、白金、金、タンタル、チタンを含み、かつ他の材料および種々の合金を含んでよい。

集電体２がエネルギー貯蔵媒体１（例えばＣＮＴ）の上に配置されると電極構成要素２０が実現される。各々の電極構成要素２０は個別に電極３として用いてよく、または少なくとももう１つの電極構成要素２０と連結（即ち接合）して電極３を提供してよい。

オプションで、望ましい基準に従って集電体２が作製される前に、作製後の処理が行われる。例示的後処理としては、わずかに酸化性の環境におけるエネルギー貯蔵媒体１（例えばＣＮＴ）の加熱および冷却が挙げられる。作製（およびオプションの後処理）の後、移動器具（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｔｏｏｌ）が集電体２に適用される。図２７を参照してよい。

図２７は、移動器具６３の集電体２への適用を図示する。この例において、移動器具６３は、「乾式」移動法において用いられる熱剥離（または熱脱着）テープである。例示的熱剥離テープは、ＮＩＴＴＯ ＤＥＮＫＯ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ（カリフォルニア州フリーモントおよび日本国大阪）により製造される。一の適切な移動テープはＲＥＶＡＬＰＨＡ（登録商標）として市販されている。この剥離テープは、室温においてしっかりと接着し且つ加熱により剥がすことが可能である接着テープとして特徴付けられてよい。このテープおよび熱剥離テープの他の適切な実施形態は、所定の温度で剥離するだろう。好都合なことに、剥離テープは、電極構成要素２０において化学的活性残余を残さない。

「湿式」移動法とよばれるもう１つのプロセスにおいて、化学的剥離（または脱着）のために設計されたテープを用いてよい。一旦適用されると、テープは溶媒に浸漬することにより除去される。溶媒は、接着剤を溶解するように設計される。

移動器具６３の他の実施形態において、吸引を集電体２に適用してよい。吸引は、例えば、吸引を分配する（または分布させる）ための複数の穿孔を有するわずかにオーバーサイズのパドル（ｐａｄｄｌｅ）を介して適用してよい。もう１つの例において、吸引は、吸引を分配するための複数の穿孔を有するローラーを介して適用される。吸引により駆動される実施形態（即ち空気動力工具）は、電気的に制御されるという利点、および移動プロセスの一部として消耗材が用いられていないので経済的であるという利点を提供する。移動器具６３の他の実施形態を用いてよい。

移動器具６３を一時的に集電体２と連結させた時点で、電極構成要素２０を基体６５から徐々に取り外す（図２７および２８を参照のこと）。取り外しは通常、エネルギー貯蔵媒体１（例えばＣＮＴ４７）を基体６５から剥がすことを伴い、これは基体６５およびエネルギー貯蔵媒体１（例えばＣＮＴ４７）の一の端部において開始される。

その後、移動器具６３を電極構成要素２０から分離してよい（図２９を参照のこと）。いくつかの実施形態において、移動器具６３は、電極構成要素２０を取り付けるのに用いられる。例えば、移動器具６３は、電極構成要素２０をセパレータ５の上に直接置くのに用いてよい。一般に、一旦基体６５から取り外されると、電極構成要素２０は使用可能である。

大型の電極３が望まれる場合において、複数の電極構成要素２０を一緒に接合してよい。図３０を参照してよい。図３０に示すように、複数の電極構成要素２０を、例えば、連結５９を複数の電極構成要素２０の各電極構成要素２０と連結させることにより接合してよい。組み合わされた電極構成要素２０は、電極３のもう１つの実施形態を提示する。

いくつかの実施形態において、連結５９は、接合部５７において電極構成要素２０の各々と連結される。接合部５７の各々は超音波溶接５７によりもたらされる。超音波溶接技術は、各接合部５７をもたらすのに特によく適していることがわかった。即ち、一般に、エネルギー貯蔵媒体１（例えばＣＮＴ４７）の集合体は溶接に適合せず、本明細書において開示されている集電体等のわずかな（ｎｏｍｉｎａｌ）集電体２のみが利用される。結果として、電極構成要素２０を接合するための多数の技術が破壊的であり、構成要素２０荷損傷を与える。尤も、他の実施形態において、他の連結の形態が用いられ、連結５９は、結合、圧着（ｃｒｉｍｐ）または他のそのような種類の接続を含む。

連結５９は、ホイル、メッシュ、複数のワイヤであってよく、または他の形態で実現されてよい。一般に、連結５９は、伝導度および電気化学的に不活性であること等の特性で選択される。いくつかの実施形態において、連結５９は、集電体２において存在する材料と同じ（１または複数の）材料から作製される。

いくつかの実施形態において、連結５９は、上に存在する酸化物層を除去することにより調製される。酸化物は、例えば接合部５７を設ける前に連結５９をエッチングすることにより除去してよい。エッチングは、例えばＫＯＨを用いて達成してよい。

電極３は種々の用途に用いてよい。例えば、電極３は、巻き上げて「ゼリーロール（ｊｅｌｌｙ ｒｏｌｌ）」型のエネルギー貯蔵体としてよい。

ここで図３１を参照して、電極を製造するための例示的方法１７０が提示される。この例示的方法１７０において、第１の工程はＣＮＴの成長１７１を指示する。第２の工程は、配列されたＣＮＴ集合体の上に集電体を沈積させること１７２を伴う。第３のオプションの工程は、基体からの取り外しを促進するためのＣＮＴ後処理１７３を伴う。第４の工程は移動器具を集電体の上に設置し（１７４）、第５の工程において、基体から電極構成要素を回収する（１７５）。第６の工程において、電極構成要素からの移動器具の取り外し１７６が行われる。第７の工程において、電極構成要素を一緒に接合してより大きい高出力の電極を提供する（１７７）。

電極３の更なる実施形態は、電極３を組み立て、種々の組み立て後処理を行って「高密度化された（ｄｅｎｓｉｆｉｅｄ）」電極３、または「高密度化（または緻密化）」を示す電極３をもたらすための技術を含む。高密度化された電極３を提供するための技術に関して、概括的には技術の理解を確実にするために前図を参照してよい。

電極３を高密度化するための技術は、上述のいくつかの実施形態の態様を含む。高密度化の一例において、ＣＮＴ４７の複数の層は、それらの各々の基体６５から取り外される。ＣＮＴ４７の層の各々は、例えば上述の技術等の技術によって（例えば、熱剥離テープ、ブレード（ｂｌａｄｅ）、空気動力工具および他のそのような技術を用いることにより）取り外される。

次いで、ＣＮＴ４７の層の各々を積層させてＣＮＴ４７の層状の積層体（ｌａｙｅｒｅｄ ｓｔａｃｋ）をもたらす。図９およびそれに関連して論じられる技術を参照してよい。ＣＮＴ４７の層状の積層体が組み立てられると、その後、ＣＮＴ４７の層状の積層体は濡らされる。濡らすことは、例えば溶媒等の溶液と共に提供されてよい。溶媒の例示的実施形態として、イソプロピルアルコール、脱イオン水、アセトン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、適切な組み合わせ、および他の適切な又は同様の材料のいずれかが挙げられる。

濡らすことは、適切な噴霧、浴、または適切であると見なされる他の同様の技術によって達成されてよい。

ＣＮＴ４７の層状の積層体を適切に濡らし、次いで、ＣＮＴ４７の層状の積層体を圧縮する。適切な圧縮をもたらすための一の例示的器具は「カレンダー」機（即ち対向するローラーを備える機械）である。その後、ＣＮＴ４７の層状の積層体中に残っている溶媒を、蒸発、真空における排出または他の同様の技術によって除去する。ＣＮＴ４７の層状の積層体の加熱を用いて溶媒の排除を促進してよい。

乾燥させると、得られるＣＮＴ４７の圧縮された層状の積層体は通常、可とう性であり、機械的に耐久性（またはロバスト性）がある。一般に、集電体２は、プロセスのこの時点においてＣＮＴ４７の圧縮された層状の積層体に適用される（尤も、集電体２は例えば積層の間に適用してよいので、このことは必要ではない）。いくつかの実施形態において、集電体２は、化学蒸着（ＣＶＤ）、スパッタリング、ｅ－ビーム、熱蒸発または別の適切な技術を用いて、圧縮されたＣＮＴ４７の層状の積層体の上に沈積される。

もう１つの実施形態において、溶媒および炭素のナノフォームの溶液はＣＮＴ４７の層の間に分散している。

得られる電極３は高いエネルギー密度を示す。一般に、ＣＮＴ４７の層の数が増加すると、エネルギー密度の増加がもたらされる。得られる電極３は、（得られる電極３が組み込まれるウルトラキャパシタ１０において）イオン液体が用いられる場合であっても、高い電力密度も示す。

例示的ウルトラキャパシタの性能の態様をここで提示する。いくつかの実施形態において、ウルトラキャパシタの総重量は２．２５ｍｇであり、ウルトラキャパシタの総体積は２ｃｃであった。質量ピーク電力密度は、下記式（１）および（２）に従って計算した：

Ｖｍ^２／（４＊Ｒ＊Ｗ） 式（１）；および
Ｖｍ^２／（４＊Ｒ＊Ｖ） 式（２）；

式中、Ｖｍ＝定格電圧、Ｒ＝等価直列抵抗（ＥＳＲ）、Ｗ＝総重量、Ｖ＝総体積である。

要約すれば、開示される技術は、ロバスト性のエネルギー貯蔵システムをもたらす。ウルトラキャパシタ１０の例示的実施形態の電力密度を表す性能データを表１に提示し、図３２にも表す。

図３２Ａおよび３２Ｂ（本明細書においてまとめて図３２とよぶ）は、本明細書の教示事項に従って製造された電極を含むウルトラキャパシタの一の実施形態の周波数応答の関数としての電力密度を表すグラフである。図３２Ｂは図３２Ａに提示される曲線の初期部分の拡大図を提示する。

図３３は、例示的ウルトラキャパシタの放電に対する電圧応答を表す。放電曲線は、０．５Ａの電流で評価した。放電の評価の更なる態様は表２に提示される。

図３４は、例示的ウルトラキャパシタの充放電サイクルに対する電圧応答を表す。放電の評価の更なる態様は表３に提示される。

このように種々の実施形態を開示してきたが、エネルギー貯蔵媒体の充填量（即ち、集電体に配置される炭素質材料の重量）を変化させることにより、ウルトラキャパシタ１０の電力密度およびエネルギー密度を制御し得ることが理解されるはずである。

即ち、（ウルトラキャパシタ）の総重量に対するエネルギー貯蔵媒体の重量比が高いほど、エネルギー密度が高くなる。対照的に、電力密度は、電極のユークリッド表面積に実質的に依存する。従って、（電極の総表面積が変化しないのに対し、ウルトラキャパシタの総重量は低くなるので）（ウルトラキャパシタ）の総重量に対するエネルギー貯蔵媒体の重量比が低いほど、電力密度が高くなる。

いくつかの実施形態において、エネルギー貯蔵媒体の充填は０．１ｍｇ／ｃｍ^２～３０ｍｇ／ｃｍ^２の範囲であり得る。エネルギー貯蔵媒体の充填が０．１ｍｇ／ｃｍ^２である場合、ウルトラキャパシタは、約２５０ｋＷ／ｋｇを超える等の非常に高い電力密度を示し、この場合においてエネルギー密度は約１Ｗｈ／ｋｇだろう。エネルギー貯蔵媒体の充填が３０ｍｇ／ｃｍ^２である場合、デバイスは、３０Ｗｈ／ｋｇを超える等の非常に高いエネルギー密度を示し、この場合において電力密度は約１２ｋＷ／ｋｇだろう。

電力およびエネルギー出力の組み合わせの観点におけるウルトラキャパシタの性能は、図３５および３６に提示される。

慣例として、本明細書において用いられる用語「…であってよい」は、オプション（または任意）であると解釈するべきであること；「含む」は他のオプション（即ち、工程、材料、構成要素（または部品もしくは成分）、組成等）を除外しないと解釈するべきであること；および「…べきである」は必要条件を意味せず、むしろ単に場合による又は状況による好ましい事項を意味することを考慮するべきである。他の類似の専門用語は一般に、常套的な方法で同様に用いられる。

一般に、電力出力およびエネルギー出力は、本明細書において種々の形式で表してよい。例えば、電力密度をｋＷ／ｋｇで表してよい。同様に、エネルギー密度をＷｈ／ｋｇで表してよい。両方の場合において、出力を正規化するのに用いられる質量は、評価されるエネルギー貯蔵体（例えばウルトラキャパシタ）の質量である。電力密度およびエネルギー密度の別の表現として、例えば、エネルギー貯蔵体の体積を使用してよく、かつ考慮してよい。

例示的実施形態を参照して本発明を説明してきたが、当業者は、本発明の範囲から逸脱することなく種々の変更を行ってよく、かつ本発明の構成要素を均等物で置き換えてよいことを理解するだろう。本発明の本質的な範囲から逸脱することなく特定の配置または材料を本発明の教示事項に適合するための多数の変形が当業者に理解されるだろう。

本明細書における教示事項は単に説明のためのものであり、本発明を限定するものでないことが認識されるべきである。更に、当業者は、追加の構成要素、構成、配置等が本発明の範囲内のままでありながら理解されてよいことを認識するだろう。例えば、層の構成、層の含有量等が、本明細書に開示される実施形態から変化してよい。層が追加されてよく、追加の機能性が与えられてよく、機能性が低減されてよく、いくつかの層を省略してよい。一般に、電極および電極を使用するウルトラキャパシタの設計および／または用途は、システム設計者、製造者、オペレータおよび／または使用者のニーズならびに任意の特定の状況に存在する要求によってのみ限定される。

更に、種々の他の構成要素が含まれてよく、かつ本明細書における教示事項の態様を提供するために求められる。例えば、追加の材料、材料の組み合わせ及び／又は材料の省略を、本明細書における教示事項の範囲内である追加された実施形態を提供するために用いてよい。

本発明の構成要素または本発明の（１または複数の）実施形態を導入する場合、冠詞「ａ」、「ａｎ」および「ｔｈｅ」は、１以上の構成要素が存在することを意味することが意図される。同様に、形容詞「もう１つの（または別の）」は、構成要素を導入するのに用いられる場合、１以上の構成要素を意味することが意図される。用語「含む」および「有する」は、列挙された構成要素以外に追加の構成要素が存在してよいように包含的であることが意図される。

本願において、構成要素（例えば電極材料、電解質等）、状態（または条件）（例えば温度、種々のレベルにおける種々の不純物が存在しないこと）および性能特性（例えば初期サイクルと比較したサイクル後の容量、低リーク電流等）を含む種々の可変物（または変数）が記載されているが、これらに限定されない。これらの可変物のいずれかの任意の組み合わせが本発明の一の実施形態を定義し得ることが理解されるべきである。例えば、特定の温度範囲の下における、特定の値のサイクル後容量及びリーク電流で作動する、特定の量より少ない不純物を含む、特定の電極材料の特定の電解質との組み合わせ（これらの可変物は可能性として含まれるが特定の組み合わせは明確に提示されてないかも知れない）は、本発明の一の実施形態である。当業者に明らかであるように、物品、構成要素、状態および／または方法の他の組み合わせもまた、他の実施形態を定義するために、本明細書に列挙される可変物の中から具体的に選択され得る。

種々の構成要素または技術が特定の必要な又は有益な機能性または特徴を提供してよいことが認識されるだろう。従って、これらの機能および特徴は、添付の特許請求の範囲およびその変形の裏付けに必要であり得、本明細書における教示事項の一部および開示される発明の一部として本質的に含まれるものと理解される。

例示的実施形態を参照して本発明を説明してきたが、本発明の範囲から逸脱することなく種々の変更を行ってよく、かつ本発明の構成要素を均等物で置き換えてよいことが理解されるだろう。加えて、本発明の本質的な範囲から逸脱することなく特定の機器、状態または材料を本発明の教示事項に適合するための多数の変形が理解されるだろう。従って、本発明は、本発明を実施するために考えられる最良の形態として開示される特定の実施形態に限定されず、本明細書に添付の特許請求の範囲によって理解されるべきであることが意図される。
本願発明は以下の態様を含む。
（態様１）
垂直に配列されたカーボンナノチューブの集合体の製造方法であって、
実質的に酸素のない環境中に基材を装着すること；
基材上に触媒を配置して基体を提供すること；
基体を原材料ガスに付し、基体上に集合体を成長させるために原材料ガスおよび基体の少なくとも一方を加熱すること；ならびに
実質的に酸素のない環境において集合体を冷却すること
を含む、方法。
（態様２）
基材が、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、マンガン、コバルト、銅、銀、金、白金、ニオブ、タンタル、鉛、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ素、インジウム、蛍光物質およびアンチモン；前記の合金、前記の酸化物、シリコン、石英、ガラス、雲母、黒鉛、ダイヤモンドならびにセラミックの少なくとも１つを含む、態様１に記載の方法。
（態様３）
触媒を配置することが、スパッタリング蒸発、カソードアーク蒸着、スパッタ蒸着、イオンビーム支援蒸着、イオンビーム誘起蒸着、およびエレクトロスプレーイオン化の少なくとも１つを用いることを含む、態様１に記載の方法。
（態様４）
触媒を配置することが、約０．１ｎｍ～約１００ｎｍ、約０．５ｎｍ～約５ｎｍおよび約０．８ｎｍ～約２ｎｍのいずれか１つの厚さを配置することを含む、態様１に記載の方法。
（態様５）
触媒をパターニングして集合体の成形を制御することを更に含む、態様３に記載の方法。
（態様６）
触媒を配置することが、非連続および実質的に連続のいずれか一方である層を配置することを含む、態様１に記載の方法。
（態様７）
集合体の成長の間に、基体を触媒活性化材料に付すことを更に含む、態様１に記載の方法。
（態様８）
触媒活性化材料を原材料ガスに加えることを更に含む、態様７に記載の方法。
（態様９）
原材料ガスが、メタン、エタン、エチレン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタンプロピレンおよびアセチレンの少なくとも１つを含む、態様１に記載の方法。
（態様１０）
原材料ガスが、メタノールおよびエタノール、アセトン、一酸化炭素、ならびに低炭素の酸素含有化合物の少なくとも１つを更に含む、態様９に記載の方法。
（態様１１）
汚染物質の蓄積を制限するように処理される構成要素を備える製造装置を選択することを更に含む、態様１に記載の方法。
（態様１２）
構成要素の処理が、少なくとも１つの不動態化材料で構成要素を不動態化することを含む、態様１１に記載の方法。
（態様１３）
不動態化材料がシリコン含有材料を含む、態様１２に記載の方法。
（態様１４）
一旦成長すると、集合体は約３００ｍ^２／ｇ～約２，２００ｍ^２／ｇの比表面積ＳＡを有する、態様１に記載の方法。
（態様１５）
一旦成長すると、集合体は約０．００２ｇ／ｃｍ^３～約０．２ｇ／ｃｍ^３の重量密度（ρ_ｗ）を有する、態様１に記載の方法。
（態様１６）
一旦成長すると、集合体は約５０μｍ～約５ｍｍの高さを有する、態様１に記載の方法。
（態様１７）
一旦成長すると、集合体中のカーボンナノチューブは約１～１０個の壁を含む、態様１に記載の方法。
（態様１８）
一旦成長すると、集合体中のカーボンナノチューブは約０．７ｎｍ～約１０ｎｍの直径を有する、態様１に記載の方法。
（態様１９）
一旦成長すると、集合体は約１０^３ＣＮＴ／ｃｍ^２～約１０^１２ＣＮＴ／ｃｍ^２の密度を有する、態様１に記載の方法。
（態様２０）
触媒が、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン、それらの塩化物、それらの合金、それらとアルミニウム、アルミナ、チタニア、窒化チタンおよび酸化ケイ素の少なくとも１つとの複合体；鉄－モリブデンフィルム、アルミナ－鉄フィルム、アルミナ－コバルトフィルム、アルミナ－鉄－モリブデンフィルム、アルミニウム－鉄フィルムおよびアルミニウム－鉄－モリブデンフィルムの少なくとも１つを含む、態様１に記載の方法。
（態様２１）
触媒が複数の層を含む、態様１に記載の方法。
（態様２２）
基材および触媒の少なくとも一方に浸炭防止層を配置することを更に含む、態様１に記載の方法。
（態様２３）
浸炭防止層が、金属およびセラミック材料の少なくとも一方を含む、態様２２に記載の方法。
（態様２４）
浸炭防止層が、約１ｎｍ～約５００ｎｍの厚さである、態様２２に記載の方法。
態様１に記載の方法。
（態様２５）
浸炭防止層が、銅、アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化クロム、酸化ホウ素、酸化カルシウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウムおよび窒化ケイ素の少なくとも１つを含む、態様２２に記載の方法。
（態様２６）
垂直に配列されたカーボンナノチューブの集合体を製造する装置であって、
実質的に酸素のない環境中に基材を装着するためのローダー部：
基材上に触媒を配置して基体を提供するためのスパッタリング部；
基体を原材料ガスに付し、基体上に集合体を成長させるために原材料ガスおよび基体の少なくとも一方を加熱するための炭素沈積部；ならびに
実質的に酸素のない環境において集合体を冷却するための冷却部
を含む、装置。
（態様２７）
ローダー部が、実質的に酸素のない環境を提供するための制御装置を含む、態様２６に記載の装置。
（態様２８）
スパッタリング部が、スパッタリング蒸発、カソードアーク蒸着、スパッタ蒸着、イオンビーム支援蒸着、イオンビーム誘起蒸着、およびエレクトロスプレーイオン化の少なくとも１つのための装置を含む、態様２６に記載の装置。
（態様２９）
触媒の形態を調節するようになっている触媒の仕上げ加工部を更に含む、態様２６に記載の装置。
（態様３０）
触媒の仕上げ加工部がグロー放電ユニットを含む、態様２９に記載の装置。
（態様３１）
炭素沈積部が化学蒸着装置を含む、態様２６に記載の装置。
（態様３２）
炭素沈積部がガス注入器を含む、態様２６に記載の装置。
（態様３３）
装置の少なくとも１つの構成要素が不動態化された、態様２６に記載の装置。
（態様３４）
ウルトラキャパシタの電極の製造方法であって、電極は、垂直に配列されたカーボンナノチューブの集合体を含み、前記方法は：
実質的に酸素のない環境中に基材を装着すること；基材上に触媒を配置して基体を提供すること；基体を原材料ガスに付し、原材料ガスおよび基体の少なくとも一方を加熱して基体上に集合体を成長させること；ならびに実質的に酸素のない環境において集合体を冷却することによって製造された集合体を選択することと、
集合体を集電体と接合すること、集合体を基体から取り外して集電体を集合体上に配置すること、および集合体を他の炭素質材料と組み合わせてその組み合わせを集電体と接合することの１つと
を含む、方法。
（態様３５）
追加の集合体および追加の炭素質材料の少なくとも一方を電極に加えることを更に含む、態様３４に記載の方法。
（態様３６）
移動させることが、集合体の表面に結合層を形成すること、および集合体を集電体に結合することを含む、態様３４に記載の方法。
（態様３７）
取り外すことが、製造後プロセスにおいて集合体を処理して基体からの集合体の分離を促進することを含む、態様３４に記載の方法。
（態様３８）
集電体を配置することが、層を集合体に沈積させることを含む、態様３７に記載の方法。
（態様３９）
組み合わせることが、集合体のもう１つの層の表面に集合体を配置することを含む、態様３４に記載の方法。
（態様４０）
組み合わせることが、他の炭素質材料の層の表面に集合体を配置することを含む、態様３４に記載の方法。
（態様４１）
他の炭素質材料が、活性炭、炭素繊維、レーヨン、グラフェン、エアロゲル、炭素布および複数の形態のカーボンナノチューブの少なくとも１つを含む、態様３４に記載の方法。
（態様４２）
集合体を処理してカーボンナノチューブの表面積ＳＡを増加させることを更に含む、態様３４に記載の方法。
（態様４３）
処理することが、集合体を酸化させることを含む、態様４２に記載の方法。
（態様４４）
エネルギー貯蔵システムのための電極の製造方法であって、
上に配置された一の厚さの垂直に配列されたカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を含む基体を選択すること；
前記厚さのＣＮＴ上に結合層を配置すること；
結合層を集電体と結合させて、前記厚さのＣＮＴを圧縮すること；および
ＣＮＴから基体を除去して電極を提供すること
を含む、方法。
（態様４５）
圧縮されたＣＮＴが周期的変形を示す、態様４４に記載の方法。
（態様４６）
ＣＮＴの少なくとももう１つの層を電極上に配置することを更に含む、態様４４に記載の方法。
（態様４７）
前記ＣＮＴの少なくとももう１つの層を圧縮することを更に含む、態様４６に記載の方法。
（態様４８）
選択することが、基体からのＣＮＴの分離を促進するように処理された基体を選択することを含む、態様４４に記載の方法。
（態様４９）
処理が、基体およびＣＮＴを加熱することを含む、態様４８に記載の方法。
（態様５０）
エネルギー貯蔵システムのための電極であって、
上に配置された結合層を含む集電体；
上に配置された結合層を含む圧縮された垂直に配列されたカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の少なくとも１つの層；
を含み、
集電体の結合層が、圧縮されたＣＮＴの層の結合層に結合される、電極。
（態様５１）
上に配置された結合層を含む集電体と、上に配置された結合層を含む圧縮された垂直に配列されたカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の少なくとも１つの層とを含む少なくとも１つの電極であって、集電体の結合層が、圧縮されたＣＮＴの層の結合層に結合される、電極；および
少なくとも１つの電極を濡らす電解質
を含む、ウルトラキャパシタ。
（態様５２）
ウルトラキャパシタのハウジングが、角柱形および円筒形の一方である、態様５１に記載のウルトラキャパシタ。
（態様５３）
ウルトラキャパシタの製造方法であって、ウルトラキャパシタは、垂直に配列されたカーボンナノチューブの集合体を含む少なくとも１つの電極を含み、前記方法は：
実質的に酸素のない環境中に基材を装着すること；基材上に触媒を配置して基体を提供すること；基体を原材料ガスに付し、原材料ガスおよび基体の少なくとも一方を加熱して基体上に集合体を成長させること；ならびに実質的に酸素のない環境において集合体を冷却することによって製造された集合体を選択することと、集合体を集電体上に移動させること、基体から集合体を取り外して集合体上に集電体を配置すること、および集合体を集電体上で他の炭素質材料と組み合わせて電極を提供することの１つとによって製造された電極を選択すること；ならびに
電極をウルトラキャパシタに組み込むこと
を含む、方法。
（態様５４）
電解質およびセパレータの少なくとも一方をウルトラキャパシタに組み込むことを更に含む、態様５３に記載の方法。
（態様５５）
ウルトラキャパシタを密封することを更に含む、態様５３に記載の方法。
（態様５６）
エネルギー貯蔵システムのための電極の製造方法であって、
集電体と、集電体の表面に配置された第１の接合層とを含む基部を選択すること；および
第２の接合層を第１の接合層と接合することであって、第２の接合層はその上に配置された炭素質層を含み、炭素質層は電荷を貯蔵するための材料を含む、こと
を含む、方法。
（態様５７）
接合することが、接合層を加熱すること及び接合層を一緒に加圧することの少なくとも一方を含む、態様５６に記載の方法。
（態様５８）
加熱の温度範囲が約１５０℃～約６００℃である、態様５４に記載の方法。
（態様５９）
炭素質層から基体層を除去して炭素質層を露出させることを更に含む、態様５６に記載の方法。
（態様６０）
基部を製造するときに集電体から酸化物を除去することを更に含む、態様５６に記載の方法。
（態様６１）
炭素質層が、化学蒸着（ＣＶＤ）によって沈積される、態様５６に記載の方法。
（態様６２）
接合層の少なくとも１つが、マグネトロンスパッタリングおよび熱蒸発の一方によって沈積される、態様５６に記載の方法。
（態様６３）
集電体と、集電体の表面に配置された第１の接合層とを含む基部；および
第１の接合層と接合された第２の接合層であって、第２の接合層は、その上に配置された炭素質層を含み、炭素質層は電荷を貯蔵するための材料を含む、第２の接合層
を含む、電極。
（態様６４）
炭素質層が、活性炭、炭素繊維、レーヨン、グラフェン、エアロゲル、炭素布、カーボンナノホーン、エッチングされたアルミニウム、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）およびそれらの組み合わせの少なくとも１つを含む、態様６３に記載の電極。
（態様６５）
集電体が、アルミニウム、銅、ステンレススチール、ニッケル、鉄、タンタル、導電性酸化物およびそれらの組み合わせの少なくとも１つを含む、態様６３に記載の電極。
（態様６６）
集電体が、キャパシタの電解質との低い反応速度を示す、態様６３に記載の電極。
（態様６７）
集電体が実質的に酸化物を含まない、態様６３に記載の電極。
（態様６８）
集電体と第１の接合層との間に配置される接着層、炭素質層と第２の接合層との間に配置されるオーミック層、および炭素質層が上に配置された基体層の少なくとも１つを更に含む、態様６３に記載の電極。
（態様６９）
接着層は、集電体と第１の接合層との間の接着性を向上させるようになっている、態様６８に記載の電極。
（態様７０）
接着層が、チタン、タングステン、クロムおよびそれらの組み合わせの１つを含む、態様６８に記載の電極。
（態様７１）
オーミック層が、キャパシタの電解質との低い反応速度を示す、態様６８に記載の電極。
（態様７２）
オーミック層が、アルミニウム、タンタルおよび白金の少なくとも１つを含む、態様６８に記載の電極。
（態様７３）
基体層が、炭素質層中の材料に対するホストとして選択され、かつ機械的可とう性で選択される、態様６８に記載の電極。
（態様７４）
第１の接合層および第２の接合層の一方が、白金、金、銀、パラジウム、スズ、ニッケル、銅およびそれらの組み合わせの少なくとも１つを含む、態様６３に記載の電極。
（態様７５）
集電体および集電体の表面に配置された第１の接合層を含む基部と、第１の接合層に接合された第２の接合層であって、その上に配置された炭素質層を含み、炭素質層はウルトラキャパシタの電荷を貯蔵するための材料を含む、第２の接合層とを含む少なくとも１つの電極を備えるハウジング；ならびに
ハウジングの中に配置される電解質および誘電材料の少なくとも一方を含み、少なくとも１つの電極はハウジングの出力電極に連結される、ウルトラキャパシタ。
（態様７６）
ウルトラキャパシタのハウジングが、角柱形および円筒形の一方である、態様７５に記載のウルトラキャパシタ。
（態様７７）
エネルギー貯蔵デバイスのためのマルチフォーム電極を提供する方法であって、
集電体と電気的に接触するカーボンナノチューブの集合体を含む電極を選択すること；
キャリア材料中に分散した少なくとも１つのナノフォームカーボンを集合体の上に配置すること；および
キャリア材料を放出してマルチフォーム電極を提供すること
を含む、方法。
（態様７８）
集合体が、垂直に配列されたカーボンナノチューブを含む、態様７７に記載の方法。
（態様７９）
集電体が、アルミニウムおよびアルミニウム合金の少なくとも１つを含む、態様７７に記載の方法。
（態様８０）
配置することが、ナノフォームカーボンを含む浴に電極を浸漬することを含む、態様７７に記載の方法。
（態様８１）
浴から電極を回収することを更に含む、態様８０に記載の方法。
（態様８２）
前記放出のために浴を蒸発させることを更に含む、態様８０に記載の方法。
（態様８３）
配置することが、アプリケータを用いてナノフォームカーボンを適用することを含む、態様７７に記載の方法。
（態様８４）
放出することが、上に配置されたナノフォームカーボンを含む電極を加熱することを含む、態様７７に記載の方法。
（態様８５）
配置することが、単層ナノチューブ、多層ナノチューブ、ナノホーン、ナノオニオン、カーボンブラック、フラーレン、グラフェン、酸化グラフェン、金属ナノ粒子、金属酸化物ナノ粒子、導電性ポリマーの少なくとも１つの形態、および上述のものの処理された形態の少なくとも１つをキャリア材料に混入することを含む、態様７７に記載の方法。
態様７７に記載の方法。
（態様８６）
配置することを制御して、マルチフォーム電極におけるエネルギー貯蔵媒体の所望の特性を達成することを更に含む、態様７７に記載の方法。
（態様８７）
特性が、エネルギー貯蔵媒体の密度を含む、態様８６に記載の方法。
（態様８８）
エネルギー貯蔵デバイスのためのマルチフォーム電極であって、
集電体の表面に配置されたカーボンナノチューブの集合体であって、集合体は、キャリア材料中に分配されたナノフォームカーボンを含む溶液として集合体の上に配置されたナノフォームカーボンの少なくとも１つの追加の層を更に含む、集合体
を含む、マルチフォーム電極。
（態様８９）
集合体が、垂直に配列されたカーボンナノチューブを含む、態様８８に記載のマルチフォーム電極。
（態様９０）
集電体が、アルミニウムおよびアルミニウム合金の少なくとも一方を含む、態様８９に記載のマルチフォーム電極。
（態様９１）
中に配置されたマルチフォーム電極を少なくとも含むハウジング；
集電体の表面に配置されたカーボンナノチューブの集合体を含むマルチフォーム電極であって、集合体は、キャリア材料中に分配されたナノフォームカーボンを含む溶液として集合体の上に配置されたナノフォームカーボンの少なくとも１つの追加の層を更に含む、マルチフォーム電極；および
ウルトラキャパシタ内のイオン輸送をもたらす電解質
を含む、ウルトラキャパシタ。
（態様９２）
ウルトラキャパシタのハウジングが、角柱形および円筒形の一方である、態様９１に記載のウルトラキャパシタ。
（態様９３）
電解質が、１－（３－シアノプロピル）－３－メチルイミダゾリウム、１，２－ジメチル－３－プロピルイミダゾリウム、１，３－ビス（３－シアノプロピル）イミダゾリウム、１，３－ジエトキシイミダゾリウム、１－ブチル－１－メチルピペリジニウム、１－ブチル－２，３－ジメチルイミダゾリウム、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウム、１－ブチル－４－メチルピリジニウム、１－ブチルピリジニウム、１－デシル－３－メチルイミダゾリウム、１－エチル－３－メチルイミダゾリウム、３－メチル－１－プロピルピリジニウムおよびこれらの組み合わせの少なくとも１つを含む、態様９１に記載のウルトラキャパシタ。
（態様９４）
電解質が、ビス（トリフルオロメタンスルホナート）イミド、トリス（トリフルオロメタンスルホナート）メチド、ジシアナミド、テトラフルオロボラート、ヘキサフルオロホスフェート、トリフルオロメタンスルホナート、ビス（ペンタフルオロエタンスルホナート）イミド、チオシアナート、トリフルオロ（トリフルオロメチル）ボレートおよびこれらの組み合わせの少なくとも１つを含む、態様９１に記載のウルトラキャパシタ。
（態様９５）
ナノフォームカーボンが、単層ナノチューブ、多層ナノチューブ、ナノホーン、ナノオニオン、カーボンブラック、フラーレン、グラフェン、酸化グラフェン、金属ナノ粒子、金属酸化物ナノ粒子、導電性ポリマーの少なくとも１つの形態、および上述のものの処理された形態の少なくとも１つを含む、態様９１に記載のウルトラキャパシタ。
（態様９６）
電解質が、アセトニトリル、アミド、ベンゾニトリル、ブチロラクトン、環状エーテル、ジブチルカーボナート、ジエチルカーボナート、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、ジメチルカーボナート、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホン、ジオキサン、ジオキソラン、ギ酸エチル、エチレンカーボナート，エチルメチルカーボナート、ラクトン、直鎖状エーテル、ギ酸メチル、メチルプロピオナート、メチルテトラヒドロフラン、ニトリル、ニトロベンゼン、ニトロメタン、ｎ－メチルピロリドン、プロピレンカーボナート、スルホラン、スルホン、テトラヒドロフラン、テトラメチレンスルホン、チオフェン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、炭酸エステル、γ－ブチロラクトン、ニトリル、トリシアノヘキサン、これらのいずれかの組み合わせの少なくとも１つを含む、態様９１に記載のウルトラキャパシタ。
（態様９７）
炭素質集合体を提供する方法であって、
配列されたカーボンナノチューブの集合体を第１の溶液中に分散させること；
炭素添加物を第２の溶液中に分散させること；
第１の溶液および第２の溶液を超音波混合すること；
混合された第１の溶液と混合された第２の溶液とを混合して混合溶液を提供すること；
混合溶液を超音波混合すること；
混合された混合溶液から炭素質集合体を得ること
を含む、方法。
（態様９８）
炭素質集合体を、エネルギー貯蔵媒体としてウルトラキャパシタの電極に組み込むことを更に含む、態様９７に記載の方法。
（態様９９）
炭素質集合体を、エネルギー貯蔵媒体としてエネルギー貯蔵セルの電極に組み込むことを更に含む、態様９７に記載の方法。
（態様１００）
組み込むことが、エネルギー貯蔵媒体の密度、厚さおよび面積の少なくとも１つを制御することを含む、態様９７に記載の方法。
（態様１０１）
炭素添加物を分散させることが、活性炭、炭素粉末、炭素繊維、レーヨン、グラフェン、エアロゲル、ナノホーンおよびカーボンナノチューブの少なくとも１つを分散させることを含む、態様９７に記載の方法。
（態様１０２）
溶液を超音波混合することが、溶液中の炭素を引き出すこと、膨らませること及び分解することの少なくとも１つに対して十分な時間、炭素を混合することを含む、態様９７に記載の方法。
（態様１０３）
炭素質集合体を乾燥させること、平らにすること、圧縮すること、加熱すること、処理すること、および成形することの少なくとも１つを更に含む、態様９７に記載の方法。
（態様１０４）
炭素質集合体を含むエネルギー貯蔵媒体を備える電極であって、
上に配置された炭素質集合体を含む集電体であって、集合体は、超音波処理したカーボンナノフォームの組み合わせを含む、集電体
を含む、電極。
（態様１０５）
カーボンナノフォームの少なくとも１つが、活性炭、炭素粉末、炭素繊維、レーヨン、グラフェン、エアロゲル、ナノホーンおよびカーボンナノチューブを含む、態様１０４に記載の電極。
（態様１０６）
炭素質集合体を含むエネルギー貯蔵媒体を備える少なくとも１つの電極であって、電極は、上に配置された炭素質集合体を含む集電体を含み、集合体は、超音波処理したカーボンナノフォームの組み合わせを含む、電極
を含む、ウルトラキャパシタ。
（態様１０７）
電解質を更に含む、態様１０６に記載のウルトラキャパシタ。
（態様１０８）
電極の構成要素の製造方法であって、
上に配置されたカーボンナノチューブの集合体を含む基体を選択すること；
導電性材料の層を集合体の上に沈積させること；および
基体から集合体および導電性材料を取り外すこと
を含む、方法。
（態様１０９）
集合体を処理して、集合体と基体との結合を弱めることを更に含む、態様１０８に記載の方法。
（態様１１０）
処理することが、結合を酸化させることを含む、態様１０９に記載の方法。
（態様１１１）
処理することが、集合体および基体の少なくとも一方を加熱することを含む、態様１０９に記載の方法。
（態様１１２）
取り外すことが、移動器具を導電性材料に適用し、基体から集合体を持ち上げることを含む、態様１０８に記載の方法。
（態様１１３）
移動器具が、熱剥離テープおよび空気動力工具の一方を含む、態様１１２に記載の方法。
（態様１１４）
リード線を電気的接続として導電性材料に連結することを更に含む、態様１０８に記載の方法。
（態様１１５）
連結をもたらすために酸化物層を除去することを更に含む、態様１１４に記載の方法。
（態様１１６）
連結することが、超音波溶接することを含む、態様１１５に記載の方法。
（態様１１７）
電極を提供するために一緒に連結される複数の構成要素を更に含む、態様１０８に記載の方法。
（態様１１８）
複数の電極構成要素であって、各構成要素は、カーボンナノチューブの集合体と、その上に配置された導電性材料の層とを含む、電極構成要素
を含む電極であって、
構成要素の各々は構成要素の別の１つと連結され、少なくとも１つの連結は、構成要素の導電性材料との結合を含む、電極。
（態様１１９）
連結の少なくとも１つが接合部を含む、態様１１８に記載の電極。
（態様１２０）
カーボンナノチューブが、垂直に配列されたカーボンナノチューブを含む、態様１１８に記載の電極。
（態様１２１）
導電性材料が、アルミニウムおよびアルミニウム合金の一方を含む、態様１１８に記載の電極。
（態様１２２）
複数の電極構成要素を含む少なくとも１つの電極であって、各々の構成要素はカーボンナノチューブの集合体と、その上に配置された導電性材料の層とを含み；構成要素の各々は構成要素の別の１つと連結され、少なくとも１つの連結は、構成要素の導電性材料との結合を含む、電極；
少なくとも１つの電極を収容するハウジング；および
ウルトラキャパシタ内のイオンの輸送をもたらす電解質
を含むウルトラキャパシタ。
（態様１２３）
電極の製造方法であって、
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の層状の積層体を得ること；
層状の積層体を溶液で濡らすこと；
層状の積層体を圧縮すること；
圧縮された層状の積層体を乾燥させること；および
圧縮された層状の積層体に集電体を適用すること
を含む、方法。
（態様１２４）
濡らすことが、溶液の浴および噴霧の少なくとも一方を用いることを含む、態様１２３に記載の方法。
（態様１２５）
圧縮することが、カレンダー機を用いて圧力をかけることを含む、態様１２３に記載の方法。
（態様１２６）
乾燥させることが、溶液を蒸発させること、圧縮された層状の積層体に真空を適用すること、および圧縮された層状の積層体を加熱することの少なくとも１つを含む、態様１２３に記載の方法。
（態様１２７）
層状の積層体中のＣＮＴの層の少なくとも２つの間に、溶媒および炭素のナノフォームの溶液を配置することを更に含む、態様１２３に記載の方法。
（態様１２８）
溶液が、エタノール、イソプロピルアルコール、脱イオン水、アセトン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）およびジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）の少なくとも１つを含む、態様１２３に記載の方法。
（態様１２９）
エネルギー貯蔵のための電極であって、
垂直に配列されたカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の圧縮された層状の積層体および該積層体の上に配置された集電体
を含む、電極。
（態様１３０）
集電体が、化学蒸着（ＣＶＤ）、スパッタリング蒸発、カソードアーク蒸着、スパッタ蒸着、イオンビーム支援蒸着、イオンビーム誘起蒸着、およびエレクトロスプレーイオン化の少なくとも１つによってＣＮＴの上に配置される、態様１２９に記載の電極。
（態様１３１）
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の圧縮された層状の積層体と、該積層体の上に配置された集電体とを含む少なくとも１つの電極；および
電極に貯蔵されたエネルギーをウルトラキャパシタの少なくとも１つの端子に輸送するための電解質
を含むウルトラキャパシタ。
（態様１３２）
ウルトラキャパシタの使用方法であって、
電解質および２つの電極を含むウルトラキャパシタであって、電極の各々は、集電体と電気的に連通し且つセパレータによって他方の電極から離隔される、ウルトラキャパシタを得ること；ならびに
ウルトラキャパシタを二者択一的に充電および放電することによりウルトラキャパシタをサイクルさせることであって、ウルトラキャパシタの出力される電力密度が、各サイクルについて少なくとも１２ｋＷ／ｋｇであり、最大で約２５０ｋＷ／ｋｇであること
を含む、方法。
（態様１３３）
ウルトラキャパシタは、約１０００万回サイクルするようになっている、態様１３２に記載の方法。
（態様１３４）
ウルトラキャパシタの使用方法であって、
電解質および２つの電極を含むウルトラキャパシタであって、電極の各々は、集電体と電気的に連通し且つセパレータによって他方の電極から離隔される、ウルトラキャパシタを得ること；ならびに
ウルトラキャパシタを二者択一的に充電および放電することによりウルトラキャパシタをサイクルさせることであって、ウルトラキャパシタの出力されるエネルギー密度が、各サイクルについて少なくとも１Ｗｈ／ｋｇであり、最大で約３５Ｗｈ／ｋｇであること
を含む、方法。
（態様１３５）
ウルトラキャパシタは、約１０００万回サイクルするようになっている、態様１３４に記載の方法。
（態様１３６）
ウルトラキャパシタの使用方法であって、
電解質および２つの電極を含むウルトラキャパシタであって、電極の各々は、集電体と電気的に連通し且つセパレータによって他方の電極から離隔される、ウルトラキャパシタを得ること；ならびに
ウルトラキャパシタを横切る電圧を最大電圧と最大電圧の約半分との間に保持しながら、ウルトラキャパシタを二者択一的に充電および放電することによりウルトラキャパシタをサイクルさせることであって、充電および放電が、ウルトラキャパシタからの出力をもたらし、１回の充電または放電において少なくとも３．７５Ｗｈ／ｋｇのエネルギーであること
を含む、方法。
（態様１３７）
ウルトラキャパシタは、約１０００万回サイクルするようになっている、態様１３６に記載の方法。
（態様１３８）
最大電圧が約４ボルトである、態様１３６に記載の方法。
（態様１３９）
ウルトラキャパシタの使用方法であって、前記方法は、
電解質および２つの電極を含むウルトラキャパシタであって、電極の各々は、集電体と電気的に連通し且つセパレータによって他方の電極から離隔される、ウルトラキャパシタを得ること
を含み、
ウルトラキャパシタの充電および放電の一方が、約７Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約２５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲の電力およびエネルギーの組み合わせをもたらし、電力の積は、ウルトラキャパシタの質量で除され、エネルギーはウルトラキャパシタの質量で除される、方法。
（態様１４０）
範囲が、約２５Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約２５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１４１）
範囲が、約５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約２５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１４２）
範囲が、約１００Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約２５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１４３）
範囲が、約１５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約２５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１４４）
範囲が、約２００Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約２５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１４５）
範囲が、約７Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約２００Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１４６）
範囲が、約２５Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約２００Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１４７）
範囲が、約５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約２００Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１４８）
範囲が、約１００Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約２００Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１４９）
範囲が、約１５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約２００Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１５０）
範囲が、約７Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１５１）
範囲が、約２５Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１５２）
範囲が、約５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１５３）
範囲が、約１００Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１５４）
範囲が、約７Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１００Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１５５）
範囲が、約２５Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１００Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１５６）
範囲が、約５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１００Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１５７）
範囲が、約７Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１５８）
範囲が、約２５Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１３９に記載の方法。
（態様１５９）
ウルトラキャパシタの使用方法であって、前記方法は、
電解質および２つの電極を含むウルトラキャパシタであって、電極の各々は集電体と電気的に連通し且つセパレータによって他方の電極から離隔される、ウルトラキャパシタを得ること
を含み、
ウルトラキャパシタを横切る電圧を最大電圧と最大電圧の約半分との間に保持している間の、ウルトラキャパシタの充電および放電の一方が、約７Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約２５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲の電力およびエネルギーの組み合わせをもたらし、電力の積は、ウルトラキャパシタの質量で除され、エネルギーはウルトラキャパシタの質量で除される、方法。
（態様１６０）
範囲が、約５Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１９０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１６１）
範囲が、約１９Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１９０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１６２）
範囲が、約３８Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１９０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１６３）
範囲が、約７５Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１９０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１６４）
範囲が、約１１２Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１９０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１６５）
範囲が、約１５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１９０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１６６）
範囲が、約５Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１６７）
範囲が、約１９Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１６８）
範囲が、約３８Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１６９）
範囲が、約７５Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１７０）
範囲が、約１１２Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１５０Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１７１）
範囲が、約５Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１１２Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１７２）
範囲が、約１９Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１１２Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１７３）
範囲が、約３８Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１１２Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１７４）
範囲が、約７５Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約１１２Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１７５）
範囲が、約５Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約７５Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１７６）
範囲が、約１９Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約７５Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１７７）
範囲が、約３８Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約７５Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１７８）
範囲が、約５Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約３８Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。
（態様１７９）
範囲が、約１９Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２～約３８Ｗｈ－ｋＷ／ｋｇ^２の範囲である、態様１５９に記載の方法。

Claims (15)

1. ウルトラキャパシタのための電極を含む装置であって、電極は、
   上に配置された結合層を含む集電体であって、集電体の結合層は、伝導度、および集電体の材料との適合性の少なくとも１つを備える、集電体；および
   上に配置された結合層を含む圧縮された垂直に配列されたカーボンナノチューブの少なくとも１つの層
   を含み、
   集電体の結合層は、圧縮された垂直に配列されたカーボンナノチューブの層の結合層に結合され、
   電極は、前記圧縮された垂直に配列されたカーボンナノチューブの少なくとも１つの層の上に、カーボンナノチューブのもう１つの層を含む、装置。
2. 電極を濡らす電解質を更に含む、請求項１に記載の装置。
3. ウルトラキャパシタがハウジング内にあり、ハウジングは角柱形および円筒形の一方である、請求項２に記載の装置。
4. 前記カーボンナノチューブのもう１つの層は、ファンデルワールス力によって、前記圧縮された垂直に配列されたカーボンナノチューブの少なくとも１つの層に接着可能である、請求項１～３のいずれか１項に記載の装置。
5. 前記カーボンナノチューブのもう１つの層は、圧縮されたカーボンナノチューブを含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の装置。
6. 各々の結合層の厚さは１０ｎｍ～５００ｎｍの範囲である、請求項１～５のいずれか１項に記載の装置。
7. 結合層は、アルミニウム、金、銀、パラジウム、スズ、白金、およびこれらの合金、ならびにＦｅ－Ｃｒ－Ｎｉの１以上を含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の装置。
8. ウルトラキャパシタのための電極を形成することを含む方法であって、前記形成することは、以下の工程：
   上に配置された結合層を含む集電体を提供する工程であって、集電体の結合層は、伝導度、および集電体の材料との適合性の少なくとも１つを備える、工程；
   上に配置された結合層を含む垂直に配列されたカーボンナノチューブの少なくとも１つの層を提供する工程；
   垂直に配列されたカーボンナノチューブの層の結合層に集電体の結合層を結合する工程；
   前記垂直に配列されたカーボンナノチューブの少なくとも１つの層を圧縮して、圧縮された垂直に配列されたカーボンナノチューブの層を形成する工程
   を含み、
   前記圧縮された垂直に配列されたカーボンナノチューブの少なくとも１つの層の上に、カーボンナノチューブのもう１つの層を適用することを含む、方法。
9. 電極をウルトラキャパシタに組み込むこと；および
   ウルトラキャパシタに電解質を加え、それにより電極を濡らすこと
   を含む、請求項８に記載の方法。
10. 前記垂直に配列されたカーボンナノチューブの少なくとも１つの層を圧縮することが、
    圧縮された垂直に配列されたカーボンナノチューブの層の結合層に集電体の結合層を結合する工程の間に、前記少なくとも１つの層に力を加えること
    を含む、請求項８または９に記載の方法。
11. 前記カーボンナノチューブのもう１つの層は、ファンデルワールス力によって、前記圧縮された垂直に配列されたカーボンナノチューブの少なくとも１つの層に直接接着する、請求項８～１０のいずれか１項に記載の方法。
12. 適用されたカーボンナノチューブの層を圧縮することを更に含む、請求項８～１１のいずれか１項に記載の方法。
13. 垂直に配列されたカーボンナノチューブの層の結合層に集電体の結合層を結合する工程の後に、垂直に配列されたカーボンナノチューブの層をキャリア基体から分離することを含む、請求項８～１２のいずれか１項に記載の方法。
14. 垂直に配列されたカーボンナノチューブの層の結合層に集電体の結合層を結合する工程は、結合層を２００℃～２５０℃の範囲の温度に加熱することを含む、請求項８～１３のいずれか１項に記載の方法。
15. 結合層は、アルミニウム、金、銀、パラジウム、スズ、白金、およびこれらの合金、ならびにＦｅ－Ｃｒ－Ｎｉの１以上を含む、請求項８～１４のいずれか１項に記載の方法。

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