JP6959359B2 - 基板及び電気泳動装置 - Google Patents
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Description
図1は、実施形態1に係る表示装置の構成例を示すブロック図である。図2は、実施形態1に係るTFT基板において、1画素の構成例を示す回路図である。実施形態1に係る表示装置200は、例えば、図示しない電子機器に搭載される。表示装置200は、電子機器の電源回路から電源電圧が印加され、電子機器のホストプロセッサである制御回路から出力される信号に基づいて画像表示を行う。表示装置200は、例えば電気泳動層160(後述の図15参照)を有する電気泳動型ディスプレイ(EPD)である。図1に示すように、表示装置200は、TFT基板100と、TFT基板100に接続するゲート駆動部110と、TFT基板100に接続するソース駆動部120と、を備える。電気泳動型ディスプレイ(EPD)は、電気泳動装置ともいう。
上述の実施形態1では、共通電極41上に反射膜43が設けられていることを説明した。しかしながら、実施形態1及び後述の実施形態2、4、5において、反射膜43は必須ではない。図19は、実施形態1の変形例1に係るTFT基板の構成例を示す断面図である。
上述の実施形態1では、連結部50が有する配線COMLがゲート線GCLと同じ層に設けられていることを説明した。しかしながら、本実施形態において、配線COMLはゲート線GCLとは異なる層に設けられていてもよい。
本実施形態において、画素トランジスタTRは、NMOSトランジスタTRではなく、PMOSトランジスタを備えてもよい。また、本実施形態において、画素トランジスタTRは、NMOSトランジスタと、PMOSトランジスタの両方を有してもよい。以下、画素トランジスタTRが、NMOSトランジスタと、PMOSトランジスタの両方を有する場合を、実施形態2の変形例として具体的に説明する。
上述の実施形態1、2では、連結部50としての配線COMLが、ゲート線GCL又は信号線SGLと同一の層に設けられる場合を説明した。しかしながら、本実施形態において、複数の共通電極同士を接続する連結部はこれに限定されない。本実施形態において、連結部は、反射膜43と一体に形成されてもよい。
本実施形態において、複数の共通電極同士を接続する連結部は、共通電極41と一体に形成されてもよい。図27は、実施形態4に係るTFT基板の構成例を示す平面図である。実施形態4に係るTFT基板100Fにおいて、複数の共通電極41同士を接続する連結部42は、共通電極41と同一組成の材料で構成されており、共通電極41と一体に形成されている。連結部42は、共通電極41と同一のプロセスで同時に形成される。
上記の実施形態4では、連結部42が、X方向及びY方向において隣り合う共通電極41同士を接続することを説明した。しかしながら、連結部42は、X方向及びY方向の両方向ではなく、X方向又はY方向の一方向において、隣り合う共通電極同士を接続してもよい。図28は、実施形態5に係るTFT基板の構成例を示す平面図である。実施形態5に係るTFT基板100Gにおいて、共通電極41と一体に形成されている連結部42は、X方向において、隣り合う共通電極41同士を接続している。
図29は、実施形態5の変形例に係るTFT基板の構成例を示す平面図である。実施形態5の変形例に係るTFT基板100Hにおいて、共通電極41と一体に形成されている連結部42は、Y方向において、隣り合う共通電極41同士を接続している。このような態様であっても、上述の実施形態5と同様の効果を奏する。
特許文献1に記載の第2蓄積容量71B(共通電極に相当)がベタ膜であると、X方向及びY方向に隣接する4つの画素電極51の角部に囲まれた領域において、電位のむらが生じやすい。X方向及びY方向に隣接する4つの画素電極51の角部に囲まれた領域では、画素電極51への電界量が小さいと推定される。そこで、実施形態6の表示装置200は、共通電極41が導電膜で形成され、共通電極41には、平面視で導電膜の孔である複数の導電膜非形成領域41Sを備えることにしている。以下、実施形態1の表示装置200と異なる点について、実施形態6の表示装置200を詳細に説明し、同じ構成については説明を省略する。
図33は、実施形態6の変形例1に係る共通電極の導電膜非形成領域を示す平面図である。導電膜非形成領域41Sは、X方向及びY方向に隣接する4つの画素電極51の角部51cが囲む領域よりも大きい。
(1)絶縁性の基材と、
前記基材の一方の面側に設けられ、第1方向と、前記第1方向と平面視で交差する第2方向とに複数並ぶ画素電極と、
前記基材と前記画素電極との間に設けられる共通電極と、を備え、
前記共通電極が導電膜で形成され、前記共通電極には、平面視で前記導電膜の孔である複数の導電膜非形成領域があり、
前記導電膜非形成領域は、前記第1方向及び前記第2方向に隣接する4つの画素電極の角部が囲む領域の少なくとも一部と平面視で重なっている、基板。
(2)前記導電膜非形成領域は、前記第1方向及び前記第2方向に隣接する4つの画素電極の角部が囲む領域と同じ面積を有する、上記(1)に記載の基板。
(3)前記導電膜非形成領域は、前記第1方向及び前記第2方向に隣接する4つの画素電極の角部が囲む領域よりも大きい、上記(1)に記載の基板。
(4)前記導電膜非形成領域は、前記第1方向及び前記第2方向に隣接する4つの画素電極の角部が囲む領域よりも小さい、上記(1)に記載の基板。
(5)前記導電膜非形成領域は、矩形であって角が丸い、上記(1)から(4)のいずれか1つに記載の基板。
(6)前記導電膜非形成領域は、丸い、上記(1)から(4)のいずれか1つに記載の基板。
(7)前記導電膜非形成領域は、八角形である、上記(1)から(4)のいずれか1つに記載の基板。
(8)前記導電膜非形成領域は、十字形である、上記(1)から(4)のいずれか1つに記載の基板。
(9)前記導電膜非形成領域は、前記第1方向に隣接する2つの画素電極の間および前記第2方向に隣接する2つの画素電極の間にさらに設けられている、上記(1)から(8)のいずれか1つに記載の基板。
(10)
(1)から(9)のいずれか1つの基板と、
前記基板と対向して配置される電気泳動層と、を備える、電気泳動装置。
1a 一方の面
13 絶縁膜
13H、23H、33H、41H、43H 貫通穴
21 半導体膜
23 層間絶縁膜
31d ドレイン
31s ソース
33 平坦化膜
41 共通電極
42、44、50 連結部
43 反射膜
45 絶縁膜
51 画素電極
100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100H、100I TFT基板(基板の一例)
110 ゲート駆動部
120 ソース駆動部
130 対向基板
131 基材
133 対向電極
152 シール部
153 接続部材
160 電気泳動層
161 黒色微粒子
162 白色微粒子
163 マイクロカプセル
165 分散液
200 表示装置
211 第1部位
212 第2部位
213 第3部位
311A 第1端部
C1 第1保持容量
C2 第2保持容量
COML 配線
GCL ゲート線
H1 第1コンタクトホール
H2 第2コンタクトホール
H3 第3コンタクトホール
n1g、n2g ゲート
NTR NMOSトランジスタ
ntr1 第1NMOSトランジスタ
ntr2 第2NMOSトランジスタ
PTR PMOSトランジスタ
ptr1 第1PMOSトランジスタ
ptr2 第2PMOSトランジスタ
PX 画素
rel1 第1中継部
rel2 第2中継部
TR 画素トランジスタ
VCOM 共通電位
Claims (9)
- 絶縁性の基材と、
前記基材の一方の面側に設けられる画素電極と、
前記基材と前記画素電極との間に設けられる共通電極と、
前記基材と前記画素電極との間に設けられる連結部と、を備え、
平面視で、前記共通電極の外周の辺は全て前記画素電極の内側に位置し、
前記画素電極は、第1方向と、前記第1方向と平面視で交差する第2方向とに複数並び、
前記共通電極は、前記第1方向と前記第2方向とに複数並び、
前記連結部は、前記第1方向及び前記第2方向のうち少なくとも一方向に並ぶ前記共通電極同士を接続する、基板。 - 前記基材と前記画素電極との間において、前記第1方向に延設されるゲート線、をさらに備え、
前記連結部は、前記ゲート線と同一の層に設けられる配線を有する、請求項1に記載の基板。 - 前記基材と前記画素電極との間において、前記第2方向に延設される信号線、をさらに備え、
前記連結部は、前記信号線と同一の層に設けられる配線を有する、請求項1に記載の基板。 - 前記連結部は、
前記共通電極において前記画素電極と対向する面上に設けられる、請求項1に記載の基板。 - 前記連結部は、
前記共通電極と同一の層に設けられ、かつ、前記共通電極と同一組成の材料で構成される、請求項1に記載の基板。 - 基板と、
前記基板と対向して配置される電気泳動層と、を備え、
前記基板は、
絶縁性の基材と、
前記基材において前記電気泳動層と対向する面側に設けられ、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記基材と前記画素電極との間に設けられ、マトリクス状に配置された複数の共通電極と、
前記基材と前記画素電極との間において、第1方向に延設されるゲート線と、を備え、
平面視で、前記複数の画素電極と前記複数の共通電極の各々は1対1で対向し、前記共通電極の外周の全辺は前記画素電極の内側に位置し、
前記複数の共通電極のうち、互いに隣り合う共通電極同士は、それぞれ離隔し、
前記第1方向に並んで配置された複数の共通電極は互いに連結部により前記共通電極同士が接続されており、
前記連結部は前記ゲート線と平行に前記第1方向に延設されており、
前記連結部は、前記ゲート線と同一の層に設けられる配線である、
電気泳動装置。 - 基板と、
前記基板と対向して配置される電気泳動層と、を備え、
前記基板は、
絶縁性の基材と、
前記基材において前記電気泳動層と対向する面側に設けられ、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記基材と前記画素電極との間に設けられ、マトリクス状に配置された複数の共通電極と、
前記基材と前記画素電極との間において、第2方向に延設される信号線と、を備え、
平面視で、前記複数の画素電極と前記複数の共通電極の各々は1対1で対向し、前記共通電極の外周の全辺は前記画素電極の内側に位置し、
前記複数の共通電極のうち、互いに隣り合う共通電極同士は、それぞれ離隔し、
前記第2方向に並んで配置された複数の共通電極は互いに連結部により前記共通電極同士が接続されており、
前記連結部は前記信号線と平行に前記第2方向に延設されており、
前記連結部は、前記信号線と同一の層に設けられる配線である、
電気泳動装置。 - 前記基材と前記共通電極との間に有機膜と、を更に備え、
前記共通電極と、前記連結部は前記有機膜に形成されたコンタクトホールを介して接続されており、
前記コンタクトホールは前記画素電極と対向する、
請求項6又は7に記載の電気泳動装置。 - 前記共通電極は透光性導電膜と、前記透光性導電膜に接する反射膜とを有し、
前記コンタクトホールにおいて、前記連結部は前記透光性導電膜に接する、
請求項8に記載の電気泳動装置。
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