JP2011221097A - 電気泳動表示装置用基板、電気泳動表示装置、および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の電気泳動表示装置用基板30は、第1、第2TFT72,73が、第1導電膜からなるゲート電極74,75と、第1絶縁膜からなるゲート絶縁膜83と、半導体層76と、第2導電膜からなるソース電極77及びドレイン電極79と、を備え、第1蓄積容量71Aが、遮光性金属膜からなる第1蓄積容量電極80Aと、第2保護膜85Bと、画素電極35と、から構成され、第1蓄積容量電極80Aの少なくとも一部が、第1、第2TFT72,73およびデータ線68、走査線等の配線の少なくとも一部と重なっている。
【選択図】図6
Description
なお、本発明で言う「遮光性金属膜」とは、透明導電材料を除く、周知の金属材料からなる膜のことであり、膜厚によって異なるが、必ずしも光透過率が0%でないものも含む。
この構成によれば、基板本体の法線方向から見たときに少なくとも一部が第1蓄積容量と重なるように形成された第2蓄積容量を備えているので、第1蓄積容量と第2蓄積容量とが足し合わされることで単位面積当たりの容量値が大きくなり、占有面積を大きくすることなく十分な蓄積容量値が得られる。
この構成によれば、容量絶縁膜を薄くできることで容量値を大きく取れる第1蓄積容量の方が面積が大きいので、全体の蓄積容量値をより大きくできるとともに、遮光性能や電気的遮蔽性能をより高めることができる。
この構成によれば、第1絶縁膜からなるゲート絶縁膜の膜厚を相対的に厚くできるので、画素スイッチング素子を構成するTFTの漏れ電流を防止でき、TFT特性を改善できる。また、第2絶縁膜からなる第1蓄積容量絶縁膜の膜厚を相対的に薄くできるので、蓄積容量を増加させることができる。
この構成によれば、複数の画素の行間のスペースを含めて略全てが第1蓄積容量電極で覆われるので、遮光性能や電気的遮蔽性能をより高めることができる。
第1蓄積容量電極には共通電位が与えられるため、この構成によれば、複数の画素の行毎に第1蓄積容量電極(容量線)の電位を変化させるような駆動を行うことが可能になる。
この構成によれば、既存の製造プロセスを用いて、電気的特性に優れたTFTを比較的容易に製造することができる。
この構成によれば、一対の基板のうちの一方の基板として本発明の電気泳動表示装置用基板が用いられているので、フィードスルー電圧のばらつきが抑えられ、表示ムラの少ない電気泳動表示装置を実現できる。
本発明によれば、上記本発明の電気泳動表示装置を備えているので、表示ムラが少ない電気泳動表示部を備えた電子機器を実現できる。
以下、本発明の第1実施形態について、図1〜図8を用いて説明する。
本実施形態の電気光学装置は、アクティブマトリクス型の電気泳動表示装置の例である。
図1は本実施形態の電気泳動表示装置を示す等価回路図である。図2は同、電気泳動表示装置の各画素の等価回路図である。図3は、(a)同、電気泳動表示装置の断面図、(b)マイクロカプセルの断面図、(c)電気泳動素子の動作を説明するための図である。図4は同、電気泳動表示装置の全体構成を示す平面図である。図5は同、電気泳動表示装置の素子基板の各画素の平面パターンを示す図である。図6は図5のA−A’線に沿う断面図である。図7はフィードスルー電圧を示す図である。図8は共通電位を示す図である。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
なお、本実施形態の説明では、各TFT72,73のソース、ドレインのうち、データ線68と接続された側(データ線68に近い側)をソース、画素電極35と接続された側(画素電極35に近い側)をドレインと呼ぶが、これは便宜的にこのように決めただけであり、各TFT72,73のソース、ドレインの呼称は上記と逆であってもよい。
そして、電気泳動素子32と画素電極35とが接着剤層33を介して接着されることによって、素子基板30と対向基板31とが接合されている。
分散媒21は、白色粒子27と黒色粒子26とをマイクロカプセル20内に分散させる液体である。
また、黒色粒子26および白色粒子27に代えて、例えば赤色、緑色、青色、イエロー、シアン、マゼンタなどの顔料を用いてもよい。かかる構成によれば、表示部5に赤色、緑色、青色、イエロー、シアン、マゼンタなどを表示することができる。
図4(a)に示す例では、素子基板30は電気泳動シートである対向基板31よりも大きな平面寸法を有しており、対向基板31よりも外側に張り出した素子基板30上に2つの走査線駆動回路61と2つのデータ線駆動回路62とがCOG(Chip On Glass)実装されている。また、データ線駆動回路62の近傍の辺縁部に端子形成領域110が設けられており、端子形成領域110に、外部機器と接続するためのフレキシブル基板201が、ACP(異方性導電ペースト)やACF(異方性導電フィルム)を介して接着されている。
素子基板30では、図5の平面パターンに示すように、図5の縦方向に延びるデータ線68と図5の横方向に延びる走査線66とが互いに交差するように配置され、隣接する2本のデータ線68と隣接する2本の走査線66とによって区画された領域が一つの画素40である。矩形状の画素40の一つの角部に第1TFT72、第2TFT73の2つのTFTからなる選択トランジスター41が設けられ、選択トランジスター41やデータ線68および走査線66の一部と平面的に重なる領域に矩形状の画素電極35が設けられている。
図6に示すように、素子基板30を構成する基板本体82の電気泳動素子32が配置された側の面には、第1TFT72、第2TFT73からなる選択トランジスター41、画素電極35、第1蓄積容量電極80A、第2蓄積容量電極80B、走査線66、データ線68等が形成されている。
最初に、ガラスやプラスチック等の基板本体82の一面に、スパッタ法により下層側から膜厚150nmのAl−Nd、膜厚20nmのMoの金属積層膜からなる第1導電膜を形成する。
次いで、フォトリソグラフィー法、エッチング法により第1導電膜をパターニングし、走査線66およびゲート電極74,75、第2蓄積容量電極80Bおよび第2容量線67Bを形成する。
次いで、フォトリソグラフィー法、エッチング法により第2導電膜をパターニングし、ソース電極77、ソース・ドレイン電極78、ドレイン電極79を形成する。
次いで、ドライエッチング法により、第1TFT72のソース電極77−ソース・ドレイン電極78間、および第2TFT73のソース・ドレイン電極78−ドレイン電極79間にあるN+半導体層84を選択的に除去し、ソース領域とドレイン領域とを分離する。
次いで、感光性アクリル樹脂を塗布、露光し、平坦化膜92を形成する。
次いで、スパッタ法により遮光性金属膜を形成した後、フォトリソグラフィー法、エッチング法により遮光性金属膜をパターニングし、第1蓄積容量電極80Aを形成する。
次いで、プラズマCVD法により、第2保護膜85Bとなる膜厚100nmのシリコン窒化膜を成膜した後、ドレイン電極上にて後でコンタクトホールとなる領域のシリコン窒化膜を選択的に除去する。
最後に、スパッタ法により導電膜を形成した後、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法により導電膜をパターニングし、画素電極35を形成する。
以上の工程により、本実施形態の素子基板30が完成する。
TFTには、構造に起因する寄生容量が存在する。図7(a)に破線のキャパシターの記号で表したものが寄生容量であり、ゲート電極とドレイン電極との重なり部分で形成されるゲート−ドレイン間寄生容量Cgd、TFTがオン状態のときにチャネル領域に形成される容量の約半分、等がそれに該当する。このとき、蓄積容量をCst、電気泳動素子容量をCepd、ゲート電圧のハイレベルをVgh、ローレベルをVglとすると、フィードスルー電圧ΔVgは、ゲート−ドレイン間寄生容量Cgdと画素容量Cpix(=Cgd+Cst+Cepd)との比を用いて、以下のように表される。
ΔVg=(Cgd/Cpix)×(Vgh−Vgl)
=(Cgd/(Cgd+Cst+Cepd))×(Vgh−Vgl) …(1)
画素実効電圧を数式で表すと、交流駆動の液晶表示装置の場合と直流駆動の電気泳動表示装置の場合とで異なり、それぞれ下記の(2)式、(3)式のようになる。
その点、本実施形態の電気泳動表示装置100においては、第1蓄積容量絶縁膜として膜厚100nmのシリコン窒化膜からなる第2保護膜85Bを用いたため、単位面積当たりの容量値を大きくでき、十分大きな蓄積容量を形成することができる。その結果、フィードスルー電圧ばらつきΔVを低減できるため、画素電位の変動が抑えられ、表示ムラの少ない電気泳動表示装置を実現できる。
なお、蓄積容量値には画素電極35と第1蓄積容量電極80Aとの重なり部分の面積が関係するため、画素電極35と第1蓄積容量電極80Aとのアライメントばらつき等の加工ばらつきを低減可能な設計を行うことが望ましい。
一般に、消費電力Pは、駆動周波数をf、容量をC、印加電圧をVとすると、P=fCV2で表され、消費電力Pの大半は、駆動周波数fが高く、印加電圧Vが大きいデータ線の駆動で占められる。電気泳動表示装置の駆動電圧は例えば15V程度と、液晶表示装置の5V程度と比べて大きいため、データ線駆動のための消費電力は液晶表示装置に比べて大きい。一方、消費エネルギーは消費電力と駆動時間との積で表され、表示の記憶性を有する電気泳動表示装置の場合、表示を維持するためのリフレッシュ駆動が不要である。そのため、書き換え頻度が少ない使い方においては、消費エネルギーは液晶表示装置よりも小さくできる。
以下、本発明の第2実施形態について、図9、図10を用いて説明する。
本実施形態の電気光学装置も、第1実施形態と同様、アクティブマトリクス型の電気泳動表示装置の例である。
また、本実施形態の電気泳動表示装置の基本構成は第1実施形態と同様であり、第1蓄積容量電極の形状が異なるのみである。
図9は本実施形態の電気泳動表示装置の素子基板の各画素の平面パターンを示す図である。図10は同、電気泳動表示装置の各画素の等価回路図である。
図9、図10において、第1実施形態で用いた図2、図5と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
さらに、第1実施形態では、第1蓄積容量電極80Aが複数の画素40の全体にわたって形成されているので、複数の画素40の全体にわたって同じ共通電位が与えられるだけである。これに対して、本実施形態によれば、第1蓄積容量電極80Cが複数の画素40の行毎に分割されているので、複数の画素40の行毎に第1蓄積容量電極80A(第1容量線)の電位を個別に制御して駆動を行うことが可能になる。
以下、本発明の第3実施形態について、図11〜図13を用いて説明する。
本実施形態の電気光学装置も、第1、第2実施形態と同様、アクティブマトリクス型の電気泳動表示装置の例である。
また、本実施形態の電気泳動表示装置の基本構成は第1実施形態と同様であり、蓄積容量の構成が異なるのみである。
図11は本実施形態の電気泳動表示装置の素子基板の各画素の平面パターンを示す図である。図12は図11のA−A‘線に沿う断面図である。図13は同、電気泳動表示装置の各画素の等価回路図である。
図11〜図13において、第1実施形態で用いた図2、図5、図6と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
また、断面構造においても、図12に示すように、図6に示す第1実施形態の素子基板30から、ゲート電極74等と同層の第2蓄積容量電極80Bのパターンがなくなっている。その他は第1実施形態と同様である。
さらに本実施形態の場合、ゲート電極74や走査線66と同層の第2蓄積容量電極が存在しないため、ゲート電極74や走査線66と第2蓄積容量電極との短絡不良が発生することがない。
以下、本発明の第4実施形態について、図14を用いて説明する。
本実施形態の電気光学装置も、第1〜第3実施形態と同様、アクティブマトリクス型の電気泳動表示装置の例である。
また、本実施形態の電気泳動表示装置の基本構成は第3実施形態と同様であり、絶縁膜の構成が異なるのみである。
図14は本実施形態の電気泳動表示装置の素子基板の断面図である。
図14において、第3実施形態で用いた図12と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
さらに本実施形態の場合、平坦化膜を形成する必要がないため、製造プロセスを簡単化することができる。また、ゲート電極74や走査線と同層の第2蓄積容量電極が存在しないため、ゲート電極74や走査線と第2蓄積容量電極との短絡不良が発生することがないという効果は第3実施形態と同様である。
例えば上記実施形態では、アモルファスシリコンTFTを用いた例を挙げたが、酸化物半導体TFT、有機TFT、多結晶シリコンTFT等を用いても良い。なお、酸化物半導体TFTはアモルファスシリコンに比べて移動度が高く、TFTを小型化できるため、ゲート−ドレイン間寄生容量を小さくでき、フィードスルー電圧ばらつきを小さくできる点で好適である。
その他、電気泳動表示装置の各部材の材料、膜厚、形状、製法等の具体的な構成については、上記実施形態に限らず、適宜変更が可能である。
次に、上記実施形態の電気泳動表示装置100を、電子機器に適用した場合について説明する。
図15は、腕時計1000の正面図である。腕時計1000は、時計ケース1002と、時計ケース1002に連結された一対のバンド1003とを備えている。
時計ケース1002の正面には、上記各実施形態の電気泳動表示装置からなる表示部1005と、秒針1021と、分針1022と、時針1023とが設けられている。時計ケース1002の側面には、操作子としての竜頭1010と操作ボタン1011とが設けられている。竜頭1010は、ケース内部に設けられる巻真(図示は省略)に連結されており、巻真と一体となって多段階(例えば2段階)で押し引き自在、かつ、回転自在に設けられている。表示部1005では、背景となる画像、日付や時間などの文字列、あるいは秒針、分針、時針などを表示することができる。
なお、上記の電子機器は、本発明に係る電子機器を例示するものであって、本発明の技術範囲を限定するものではない。例えば、携帯電話、携帯用オーディオ機器などの電子機器の表示部にも、本発明に係る電気光学装置は好適に用いることができる。
Claims (11)
- 基板本体と、前記基板本体に設けられた複数のデータ線および複数の走査線からなる配線と、前記データ線と前記走査線とにより区画された複数の画素と、を備え、前記複数の画素の各々が、画素スイッチング素子と画素電極と第1蓄積容量とを備えた電気泳動表示装置用基板であって、
前記画素スイッチング素子が、前記基板本体上に形成された第1導電膜からなるゲート電極と、少なくとも前記ゲート電極を覆うように形成された第1絶縁膜からなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層のソース領域および前記データ線と電気的に接続された第2導電膜からなるソース電極と、前記半導体層のドレイン領域および前記画素電極と電気的に接続された前記第2導電膜からなるドレイン電極と、を備え、
前記第1蓄積容量が、前記第2導電膜より上層側に形成された遮光性金属膜からなる第1蓄積容量電極と、少なくとも前記第1蓄積容量電極を覆うように形成された第2絶縁膜からなる第1蓄積容量絶縁膜と、前記基板本体の法線方向から見たときに、前記第1蓄積容量絶縁膜を間に挟んで少なくとも一部が前記第1蓄積容量電極と重なるように形成された前記画素電極と、から構成され、
前記基板本体の法線方向から見たときに、前記第1蓄積容量電極の少なくとも一部が、前記画素スイッチング素子および前記配線の少なくとも一部と重なるように形成されていることを特徴とする電気泳動表示装置用基板。 - 前記複数の画素の各々が、前記基板本体の法線方向から見たときに少なくとも一部が前記第1蓄積容量と重なるように形成された第2蓄積容量を備え、
前記第2蓄積容量が、前記第1導電膜からなる第2蓄積容量下部電極と、少なくとも前記第2蓄積容量下部電極を覆うように形成された前記第1絶縁膜からなる第2蓄積容量絶縁膜と、前記基板本体の法線方向から見たときに前記第2蓄積容量絶縁膜を間に挟んで少なくとも一部が前記第2蓄積容量下部電極と重なるように形成された前記第2導電膜からなる第2蓄積容量上部電極と、から構成されていることを特徴とする請求項1に記載の電気泳動表示装置用基板。 - 前記第1蓄積容量電極と前記画素電極との重なり部分からなる前記第1蓄積容量の面積が、前記第2蓄積容量下部電極と前記第2蓄積容量上部電極との重なり部分からなる前記第2蓄積容量の面積よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の電気泳動表示装置用基板。
- 前記第2絶縁膜の膜厚が、前記第1絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置用基板。
- 前記第1蓄積容量電極が、前記複数の画素の全体にわたって形成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置用基板。
- 前記第1蓄積容量電極が、マトリクス状に配列された前記複数の画素の行毎に分割されて形成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置用基板。
- 前記半導体層が非単結晶シリコンからなることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置用基板。
- 前記半導体層が酸化物半導体材料からなることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置用基板。
- 前記半導体層が有機物半導体材料からなることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置用基板。
- 一対の基板と、前記一対の基板の間に挟持された電気泳動素子と、を備え、
前記一対の基板のうちの一方の基板が、請求項1ないし9のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置用基板であることを特徴とする電気泳動表示装置。 - 請求項10に記載の電気泳動表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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---|---|
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019061261A (ja) * | 2012-07-20 | 2019-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び電子機器 |
WO2019202838A1 (ja) * | 2018-04-19 | 2019-10-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US10824041B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-11-03 | Japan Display Inc. | Display device |
US10866474B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-12-15 | Japan Display Inc. | Display device |
US10871698B2 (en) | 2018-03-28 | 2020-12-22 | Japan Display Inc. | Display device |
US10903243B2 (en) | 2017-09-08 | 2021-01-26 | Japan Display Inc. | Display device |
US11150524B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-10-19 | Japan Display Inc. | Display device |
CN113687550A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-11-23 | 福州京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制备方法、电子纸显示装置 |
US11187958B2 (en) | 2018-05-22 | 2021-11-30 | Japan Display Inc. | Display device and array substrate |
US11480842B2 (en) | 2017-12-28 | 2022-10-25 | Japan Display Inc. | Substrate and electrophoretic device |
US11682732B2 (en) | 2020-02-28 | 2023-06-20 | Japan Display Inc. | Semiconductor substrate and display device |
US11927869B2 (en) | 2020-10-26 | 2024-03-12 | Japan Display Inc. | Semiconductor substrate and a display device incorporating the semiconductor substrate |
JP7509949B2 (ja) | 2013-04-04 | 2024-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US12051703B2 (en) | 2013-04-04 | 2024-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002323704A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2006208541A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法 |
JP2007140440A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Prime View Internatl Co Ltd | 電子インク表示装置 |
-
2010
- 2010-04-05 JP JP2010087242A patent/JP2011221097A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002323704A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2006208541A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法 |
JP2007140440A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Prime View Internatl Co Ltd | 電子インク表示装置 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11209710B2 (en) | 2012-07-20 | 2021-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the display device |
US10514580B2 (en) | 2012-07-20 | 2019-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the display device |
US10514579B2 (en) | 2012-07-20 | 2019-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the display device |
JP2019061261A (ja) * | 2012-07-20 | 2019-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び電子機器 |
US11899328B2 (en) | 2012-07-20 | 2024-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the display device |
US11531243B2 (en) | 2012-07-20 | 2022-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the display device |
US12051703B2 (en) | 2013-04-04 | 2024-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP7509949B2 (ja) | 2013-04-04 | 2024-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10903243B2 (en) | 2017-09-08 | 2021-01-26 | Japan Display Inc. | Display device |
US10824041B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-11-03 | Japan Display Inc. | Display device |
US10866474B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-12-15 | Japan Display Inc. | Display device |
US11480842B2 (en) | 2017-12-28 | 2022-10-25 | Japan Display Inc. | Substrate and electrophoretic device |
US11150524B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-10-19 | Japan Display Inc. | Display device |
US10871698B2 (en) | 2018-03-28 | 2020-12-22 | Japan Display Inc. | Display device |
JP7091122B2 (ja) | 2018-04-19 | 2022-06-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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JP2019191231A (ja) * | 2018-04-19 | 2019-10-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2019202838A1 (ja) * | 2018-04-19 | 2019-10-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US11187958B2 (en) | 2018-05-22 | 2021-11-30 | Japan Display Inc. | Display device and array substrate |
US11682732B2 (en) | 2020-02-28 | 2023-06-20 | Japan Display Inc. | Semiconductor substrate and display device |
US11927869B2 (en) | 2020-10-26 | 2024-03-12 | Japan Display Inc. | Semiconductor substrate and a display device incorporating the semiconductor substrate |
CN113687550A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-11-23 | 福州京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制备方法、电子纸显示装置 |
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