JP6934340B2 - 電子部品 - Google Patents
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Description
図4(a)から図6(c)は、実施例1に係る電子部品の製造方法を示す断面図である。図4(a)に示すように、支持基板10aの上面に圧電基板10bの下面を接合する。支持基板10aと圧電基板10bとは数nmのアモルファス層等を介し直接接合されていてもよいし、接着剤等により接合されていてもよい。
図7は、比較例1に係る電子部品の断面図である。図7に示すように、貫通電極16は、貫通孔15bに埋め込まれ、貫通電極16上面と圧電基板10bの上面とは平坦である。貫通電極16上に金属層14が設けられている。金属層14上にバンプ28が接合されている。チップ面積を小さくするためには、貫通電極16とバンプ28とは平面視において重なることが好ましい。
実施例1によれば、支持基板10aは、貫通電極16a(第1貫通電極)が埋め込まれた貫通孔15a(第1貫通孔)を有する。圧電基板10bは、貫通孔15aが露出する開口15cを有し、支持基板10a上に接合されている。バンプ28a(第1バンプ)は、平面視において貫通孔15aに重なり、開口15c内において貫通電極16aに接続されている。基板10(デバイスチップ)は、空隙26を介し圧電基板10bに対向するように、バンプ28aを介し圧電基板10b上に実装されている。
図8は、実施例1の変形例1に係る電子部品の断面図である。図8に示すように、機能素子12に電気的に接続される貫通電極およびバンプに貫通電極16aおよびバンプ28aを用いてもよい。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図9は、実施例1の変形例2に係る電子部品の断面図である。図9に示すように、貫通電極16aは支持基板10aの上面まで設けられている。その他の構成は実施例1と同じであり、説明を省略する。バンプ28aと貫通電極16aとの接合強度が十分大きい場合には、バンプ28aを貫通孔15aの上部に埋め込まなくてもよい。
10a 支持基板
10b 圧電基板
12、22 機能素子
14a、14b、24 金属層
15a、15b 貫通孔
15c 開口
16a、16b 貫通電極
18a、18b 端子
26 空隙
28a、28b バンプ
Claims (7)
- 第1貫通電極が埋め込まれた第1貫通孔を有する支持基板と、
前記第1貫通孔が露出する開口を有し、前記支持基板上に接合された圧電基板と、
平面視において前記第1貫通孔に重なり、前記開口内において前記第1貫通電極に接続された第1バンプと、
空隙を介し前記圧電基板に対向するように、前記第1バンプを介し前記圧電基板上に実装されたデバイスチップと、
を具備する電子部品。 - 前記第1バンプは前記圧電基板と接触しない請求項1記載の電子部品。
- 前記第1貫通電極と前記第1バンプとの接合領域は、前記支持基板と前記圧電基板との接合領域より前記デバイスチップから遠く、前記第1バンプの一部は、前記第1貫通孔に埋め込まれている請求項1または2記載の電子部品。
- 前記空隙を介し前記圧電基板に対向するように前記デバイスチップに設けられ、前記第1貫通電極と前記第1バンプを介し電気的に接続された機能素子を具備する請求項1から3記載の電子部品。
- 前記支持基板および前記圧電基板は、第2貫通電極が埋め込まれた第2貫通孔を有し、
前記電子部品は、前記圧電基板に設けられ前記第2貫通孔に接続された配線と、平面視において前記第2貫通孔と重ならず前記配線と重なり前記配線と接続された第2バンプを具備し、
前記デバイスチップは前記第1バンプおよび前記第2バンプを介し前記圧電基板上に実装されている請求項1から4のいずれか一項記載の電子部品。 - 前記空隙を介し前記デバイスチップに対向するように前記圧電基板に設けられ、前記第2貫通電極と電気的に接続された弾性波素子を具備する請求項5記載の電子部品。
- 前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である請求項1から6のいずれか一項記載の電子部品。
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