JP6924581B2 - 研磨装置 - Google Patents
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Description
図1に示されるように、基板処理システム1(基板処理装置)は、塗布現像装置2(基板処理装置)と、コントローラCnt1(制御部)とを備える。基板処理システム1には、露光装置100が併設されている。
続いて、図4及び図5を参照して、露光装置100の構成について説明する。露光装置100は、塗布現像装置2との間でウエハWを授受して、ウエハWの表面Waに形成された感光性レジスト膜の露光処理(パターン露光)を行うように構成されている。例えば、露光装置100は、液浸露光等の方法により感光性レジスト膜(感光性被膜)の露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、g線、i線、又は極端紫外線(EUV:Extreme Ultraviolet)が挙げられる。
続いて、図6〜図9を参照して、研磨ユニットU12の構成について説明する。研磨ユニットU12は、図6に示されるように、回転保持部200と、研磨装置300とを備える。
コントローラCnt1は、図11に示されるように、機能モジュールとして、読取部M1と、記憶部M2と、処理部M3と、指示部M4とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラCnt1の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラCnt1を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路(例えば論理回路)、又は、これを集積した集積回路(ASIC:Application Specific Integrated Circuit)により実現されるものであってもよい。
続いて、図13〜図15を参照して、研磨ユニットU12によるウエハWの裏面Wb(被研磨面)の研磨方法について説明する。まず、棚ユニットU11から取り出されたウエハWが受け渡しアームA8により研磨ユニットU12に搬送されると、ウエハWは、被研磨面である裏面Wbが上方を向いた状態で、保持部203によって保持される。
以上のような本実施形態では、研磨体316がウエハWの裏面Wb(被研磨面)を研磨するので、裏面Wbが粗面化される。そのため、露光時にウエハWがステージ101に保持される際、裏面Wbに対する支持ピン107の先端の接触面積が減少する。従って、各吸引孔105を通じてウエハWが吸引されるときに、裏面Wbが支持ピン107の先端に対して滑りやすくなり、ステージ101上でのウエハWの非平坦状態が抑制される。その結果、目標とする本来の露光領域に対する実際の露光位置のずれが抑制されるので、オーバーレイの精度を改善することが可能となる。加えて、本実施形態では、研磨体316の中央の吸引空間Vを通じて、研磨体316が当接している裏面Wbをポンプ340が吸引する。そのため、ウエハWが研磨体316に対して引き寄せられる。従って、研磨体316による裏面Wbの研磨に際し、ウエハWの非平坦状態が抑制され、研磨体316が裏面Wbに密接しやすくなる(図16(a)参照)。その結果、研磨体316により裏面Wbがより均一に研磨され、裏面Wbに研磨斑が生じ難くなるので、露光の際に裏面Wbが支持ピン107の先端に対して均一に滑りやすくなる。以上より、オーバーレイの精度をいっそう改善することが可能となる。
ここで、実施例として、上記の実施形態に係る研磨ユニットU12を用いて、ウエハWの裏面Wbの研磨を行った。その後、当該ウエハWを露光装置100に搬入してレジストパターンを形成した後、オーバーレイを測定した。その結果を図17に示す。このときのX方向におけるオーバーレイの平均±3σは7.37nmであり、Y方向におけるオーバーレイの平均±3σは7.60であった。
以上、本開示に係る実施形態について詳細に説明したが、本発明の要旨の範囲内で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。例えば、間隙G1,G2の大きさは、略等しくてもよいし、一方が他方に対して大きくてもよい。
Claims (8)
- 基板の被研磨面に当接して前記被研磨面を研磨するように構成された先端部を含み、全体として環状を呈する研磨体と、
一端部に前記研磨体が取り付けられた支持体と、
前記研磨体の内側に位置する吸引空間を通じて、前記研磨体が当接している前記被研磨面を吸引するように構成された吸引部と、
前記研磨体を取り囲むように前記被研磨面に向けて研磨液を供給する液供給部とを備える、研磨装置。 - 前記研磨液は、粘度が1000cP〜5000cPの粘性液体である、請求項1に記載の研磨装置。
- 前記研磨体は、前記研磨体の外側から前記吸引空間内への前記研磨液の流通を阻害する一方で気体を流通させるラビリンス構造を呈する、請求項1又は2に記載の研磨装置。
- 前記研磨体は、
複数の第1の研磨部が環状を呈するように並んで構成された第1の研磨ユニットと、
複数の第2の研磨部が環状を呈するように並んで構成された第2の研磨ユニットとを有し、
前記第2の研磨ユニットは、前記第1の研磨ユニットを取り囲むように配置されている、請求項3に記載の研磨装置。 - 前記複数の第1の研磨部のうち隣り合う第1の研磨部同士の間における第1の間隙の大きさは、前記複数の第2の研磨部のうち隣り合う第2の研磨部の間における第2の間隙の大きさよりも小さく設定されており、
前記第1の間隙は、前記第2の間隙よりも前記研磨液の流通を阻害するように構成されている、請求項4に記載の研磨装置。 - 前記支持体を前記被研磨面に沿って所定方向に移動させるように構成された駆動部と、
前記駆動部による前記支持体の進行方向に向けて前記研磨体に対して弾性力を付与するように構成された弾性体とを更に備え、
前記支持体は、前記進行方向に交差し且つ前記被研磨面に沿って延びる軸に関して揺動可能に構成されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の研磨装置。 - 前記吸引空間内の圧力を測定するように構成された気圧センサと、
前記気圧センサによって測定された前記吸引空間内の圧力に基づいて、前記吸引空間の気密性又は前記研磨体の前記基板に対する接触状態を判断するように構成された判断部とを更に備える、請求項1〜6のいずれか一項に記載の研磨装置。 - 前記支持体と前記研磨体との間に設けられた緩衝部材を更に備える、請求項1〜7のいずれか一項に記載の研磨装置。
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