DE102020107286A1

DE102020107286A1 - Mehrschichtiger Keramikkondensator und Verfahren zu dessen Herstellung

Info

Publication number: DE102020107286A1
Application number: DE102020107286.4A
Authority: DE
Inventors: Kiyoshiro Yatagawa; Satoshi Kobayashi; Takahisa FUKUDA
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2019-03-28
Filing date: 2020-03-17
Publication date: 2020-10-01
Also published as: US20200312571A1; US11688559B2

Abstract

Ein mehrschichtiger Keramikkondensator enthält: einen mehrschichtigen Chip, in dem jede von dielektrischen Schichten und jede von internen Elektrodenschichten gestapelt sind, die mehreren internen Elektrodenschichten zu mindestens einer von einer ersten Stirnfläche und einer zweiten Stirnfläche der mehrschichtigen Struktur freiliegen, die erste Stirnfläche der zweiten Stirnfläche gegenüberliegt, eine erste externe Elektrode an der ersten Stirnfläche bereitgestellt ist; eine zweite externe Elektrode an der zweiten Stirnfläche bereitgestellt ist; und eine Fluorverbindung, die an mindestens einem Teil einer Region, die eine Oberfläche des mehrschichtigen Chips enthält, wo weder die erste externe Elektrode noch die zweite externe Elektrode gebildet ist, und Oberflächen der ersten externen Elektrode und der zweiten externen Elektrode haftet, wobei die Fluorverbindung bei einer Temperatur von 380 Grad C oder mehr freigesetzt wird.

Description

GEBIET
Ein gewisser Aspekt der vorliegenden Erfindung betrifft einen mehrschichtigen Keramikkondensator und ein Verfahren zur Herstellung des mehrschichtigen Keramikkondensators.
HINTERGRUND
Eine externe Elektrode einer keramischen elektronischen Vorrichtung wie ein mehrschichtiger Keramikkondensator hat zum Beispiel eine leitfähige Harzschicht, in der eine Metallkomponente und Harz gemischt sind, um Belastung zu unterdrücken, wenn die keramische elektronische Vorrichtung an einem Substrat montiert wird (siehe zum Beispiel Japanische Patentanmeldung, Veröffentlichung Nr. 2016-63008 ).
KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
Wenn die keramische elektronische Vorrichtung unter einer Bedingung hoher Temperatur und hoher Feuchtigkeit verwendet wird, kann die Metallkomponente der leitfähigen Harzschicht aufgrund von Wasser, das an einer Oberfläche der keramischen elektronischen Vorrichtung haftet, diffundieren. In diesem Fall kann die Zuverlässigkeit der keramischen elektronischen Vorrichtung verschlechtert sein. Selbst wenn die externe Elektrode keine leitfähige Harzschicht aufweist, kann eine Metallkomponente der externen Elektrode diffundieren und die Zuverlässigkeit verschlechtert sein.
Die vorliegende Erfindung hat zum Zweck, einen mehrschichtigen Keramikkondensator und ein Verfahren zur Herstellung des mehrschichtigen Keramikkondensators bereitzustellen, die imstande sind, Zuverlässigkeit des mehrschichtigen Keramikkondensators zu verbessern.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein mehrschichtiger Keramikkondensator bereitgestellt, enthaltend: einen mehrschichtigen Chip, in dem jede von mehreren dielektrischen Schichten und jede von mehreren internen Elektrodenschichten gestapelt sind, wobei eine Hauptkomponente der dielektrischen Schichten keramisch ist, der mehrschichtige Chip eine rechteckige parallelepipede Form aufweist, entsprechende Enden der mehreren internen Elektrodenschichten zu mindestens einer von einer ersten Stirnfläche und einer zweiten Stirnfläche der mehrschichtigen Struktur freiliegen, die erste Stirnfläche der zweiten Stirnfläche gegenüberliegt, eine erste externe Elektrode an der ersten Stirnfläche bereitgestellt ist; eine zweite externe Elektrode an der zweiten Stirnfläche bereitgestellt ist; und eine Fluorverbindung, die an mindestens einem Teil einer Region, die eine Oberfläche des mehrschichtigen Chips enthält, wo weder die erste externe Elektrode noch die zweite externe Elektrode gebildet ist, und Oberflächen der ersten externen Elektrode und der zweiten externen Elektrode haftet, wobei die Fluorverbindung bei einer Temperatur von 380 Grad C oder mehr freigesetzt wird.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Keramikkondensators bereitgestellt, enthaltend: Fertigen eines mehrschichtigen Keramikkondensators mit einem mehrschichtigen Chip, einer ersten externen Elektrode und einer zweiten externen Elektrode, Binden einer Fluorverbindung, die bei einer Temperatur von 380 Grad C oder mehr freigesetzt wird, an mindestens einen Teil einer Region, die eine Oberfläche des mehrschichtigen Chips enthält, wo weder die erste externe Elektrode noch die zweite externe Elektrode gebildet ist, und Oberflächen der ersten externen Elektrode und der zweiten externen Elektrode, durch Kontaktieren von erhitztem Fluorkautschuk mit der Region, wobei der mehrschichtige Chip eine Struktur aufweist, in der jede von mehreren dielektrischen Schichten und jede von mehreren internen Elektrodenschichten gestapelt sind, wobei eine Hauptkomponente der dielektrischen Schichten keramisch ist, die mehrschichtige Struktur eine rechteckige parallelepipede Form aufweist, entsprechende Enden der mehreren internen Elektrodenschichten zu mindestens einer von einer ersten Stirnfläche und einer zweiten Stirnfläche der mehrschichtigen Struktur freiliegen, die erste Stirnfläche der zweiten Stirnfläche gegenüberliegt, wobei die erste externe Elektrode an der ersten Stirnfläche bereitgestellt ist, wobei die zweite externe Elektrode an der zweiten Stirnfläche bereitgestellt ist.
Figurenliste

1 zeigt eine perspektivische Ansicht eines mehrschichtigen Keramikkondensators, in der ein Querschnitt eines Teils des mehrschichtigen Keramikkondensators gezeigt ist;
2 zeigt eine Querschnittsansicht einer externen Elektrode und ist eine Teilquerschnittsansicht entlang einer Linie A-A von 1;
3 zeigt eine Struktur, in der eine Fluorverbindung an einem mehrschichtigen Keramikkondensator haftet;
4 zeigt eine Struktur, in der eine Fluorverbindung an einem mehrschichtigen Keramikkondensator haftet;
5 zeigt eine Struktur, in der eine Fluorverbindung an einem mehrschichtigen Keramikkondensator haftet;
6 zeigt ein Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Keramikkondensators;
7 zeigt ein Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Keramikkondensators;
8 zeigt einen Fall, wo eine Fluorfolie auf einen mehrschichtigen Keramikkondensator gepresst wird;
9A zeigt eine GC-MS-Analyse eines Beispiels 1;
9B zeigt eine GC-MS-Analyse eines Beispiels 4; und
10 zeigt ein Analysenergebnis, in dem m/z 19 ist.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Es folgt eine Beschreibung einer Ausführungsform unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen.
(Ausführungsform) Es folgt eine Beschreibung eines Umrisses eines mehrschichtigen Keramikkondensators. 1 zeigt eine perspektivische Ansicht eines mehrschichtigen Keramikkondensators 100 gemäß einer Ausführungsform, in der ein Querschnitt eines Teils des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 gezeigt ist. Wie in 1 gezeigt, enthält der mehrschichtige Keramikkondensator 100 einen mehrschichtigen Chip 10, der eine rechteckige parallelepipede Form aufweist, und ein Paar externer Elektroden 20a und 20b, die jeweils an zwei Stirnflächen des mehrschichtigen Chips 10 bereitgestellt sind, die einander zugewandt sind. Von vier Flächen außer den zwei Stirnflächen des mehrschichtigen Chips 10 werden zwei Flächen, die nicht eine obere Fläche und eine untere Fläche des mehrschichtigen Chips 10 in einer Stapelrichtung sind, als Seitenflächen bezeichnet. Die externen Elektroden 20a und 20b erstrecken sich zu der oberen Fläche, der unteren Fläche und den zwei Seitenflächen des mehrschichtigen Chips 10. Die externen Elektroden 20a und 20b sind voneinander beabstandet.
Der mehrschichtige Chip 10 hat eine Struktur, die mit abwechselnd gestapelten dielektrischen Schichten 11 und internen Elektrodenschichten 12 gestaltet ist. Die dielektrische Schicht 11 enthält keramisches Material, das als ein dielektrisches Material dient. Die internen Elektrodenschichten 12 enthalten ein Metallgrundmaterial. Endränder der internen Elektrodenschichten 12 liegen abwechselnd zu einer ersten Stirnfläche des mehrschichtigen Chips 10 und einer zweiten Stirnfläche des mehrschichtigen Chips 10 frei, die sich von der ersten Stirnfläche unterscheidet. In der Ausführungsform ist die erste Stirnfläche der zweiten Stirnfläche zugewandt. Die externe Elektrode 20a ist auf der ersten Stirnfläche bereitgestellt. Die externe Elektrode 20b ist auf der zweiten Stirnfläche bereitgestellt. Somit werden die internen Elektrodenschichten 12 abwechselnd zu der externen Elektrode 20a und der externen Elektrode 20b geleitet. Somit weist der mehrschichtige Keramikkondensator 100 eine Struktur auf, in der mehrere dielektrische Schichten 11 gestapelt sind und jeweils zwei der dielektrischen Schichten 11 die interne Elektrodenschicht 12 dazwischen aufnehmen. In einer mehrschichtigen Struktur der dielektrischen Schichten 11 und der internen Elektrodenschichten 12 ist die interne Elektrodenschicht 12 bei einer äußersten Schicht in einer Stapelrichtung positioniert. Die obere Fläche und die untere Fläche der mehrschichtigen Struktur, die die internen Elektrodenschichten 12 sind, sind von Abdeckschichten 13 bedeckt. Eine Hauptkomponente der Abdeckschicht 13 ist ein keramisches Material. Zum Beispiel ist eine Hauptkomponente der Abdeckschicht 13 dieselbe wie jene der dielektrischen Schicht 11.
Zum Beispiel kann der mehrschichtige Keramikkondensator 100 eine Länge von 0,25 mm, eine Breite von 0,125 mm und eine Höhe von 0,125 mm aufweisen. Der mehrschichtige Keramikkondensator 100 kann eine Länge von 0,4 mm, eine Breite von 0,2 mm und eine Höhe von 0,2 mm aufweisen. Der mehrschichtige Keramikkondensator 100 kann eine Länge von 0,6 mm, eine Breite von 0,3 mm und eine Höhe von 0,3 mm aufweisen. Der mehrschichtige Keramikkondensator 100 kann eine Länge von 1,0 mm, eine Breite von 0,5 mm und eine Höhe von 0,5 mm aufweisen. Der mehrschichtige Keramikkondensator 100 kann eine Länge von 3,2 mm, eine Breite von 1,6 mm und eine Höhe von 1,6 mm aufweisen. Der mehrschichtige Keramikkondensator 100 kann eine Länge von 4,5 mm, eine Breite von 3,2 mm und eine Höhe von 2,5 mm aufweisen. Die Größe des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 ist jedoch nicht begrenzt.
Eine Hauptkomponente der internen Elektrodenschichten 12 ist ein Grundmetall wie Nickel (Ni), Kupfer (Cu), Zinn (Sn) oder dergleichen. Die internen Elektrodenschichten 12 können aus einem Edelmetall wie Platin (Pt), Palladium (Pd), Silber (Ag), Gold (Au) oder einer Legierung davon hergestellt sein. Die dielektrischen Schichten 11 bestehen vorwiegend aus einem keramischen Material, das durch eine allgemeine Formel ABO₃ angegeben ist und eine Perowskitstruktur hat. Die Perowskitstruktur enthält ABO_3-α mit einer nicht stöchiometrischen Zusammensetzung. Zum Beispiel ist das keramische Material BaTiO₃ (Bariumtitanat), CaZrO₃ (Kalziumzirkonat), CaTiO₃ (Kalziumtitanat), SrTiO₃ (Strontiumtitanat), Ba_1-x-yCa_xSr_yTi_1-zZr_zO₃ (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1) mit einer Perowskitstruktur.
2 zeigt eine Querschnittsansicht der externen Elektrode 20b und ist eine Teilquerschnittsansicht entlang einer Linie A-A von 1. In 2 fehlt Schraffierung für Querschnitt. Wie in 2 gezeigt, hat die externe Elektrode 20b eine Struktur, in der eine erste plattierte Schicht 22 wie Cu, eine leitfähige Harzschicht 23, eine zweite plattierte Schicht 24 wie Ni und eine dritte plattierte Schicht 25 wie Sn auf einer Grundschicht 21 in dieser Reihenfolge gebildet sind. Die Grundschicht 21, die erste plattierte Schicht 22, die leitfähige Harzschicht 23, die zweite plattierte Schicht 24 und die dritte plattierte Schicht 25 erstrecken sich zu den zwei Seitenflächen, der oberen Fläche und der unteren Fläche des mehrschichtigen Chips 10 von beiden Stirnflächen des mehrschichtigen Chips 10,
Eine Hauptkomponente der Grundschicht 21 ist ein Metall wie Cu, Ni, Al (Aluminium) oder Zn (Zink). Die Grundschicht 21 enthält eine Glaskomponente zum Verdichten der Grundschicht 21 oder ein Co-Material zum Steuern einer Sinterbarkeit der Grundschicht 21. Die Grundschicht 21, die diese keramischen Komponenten enthält, hat hohes Haftvermögen mit der Abdeckschicht 13, deren Hauptkomponente ein keramisches Material ist. Die leitfähige Harzschicht 23 ist eine Harzschicht, die eine Metallkomponente wie Ag enthält. Die leitfähige Harzschicht 23 ist flexibel. Daher unterdrückt die leitfähige Harzschicht 23 Belastung, die durch Biegen eines Substrats verursacht wird, auf dem der mehrschichtige Keramikkondensator 100 montiert ist. Die erste plattierte Schicht 22 ist bereitgestellt, um Haftvermögen zwischen der Grundschicht 21 und der leitfähigen Harzschicht 23 zu erhöhen. Die externe Elektrode 20a weist dieselbe Struktur wie die externe Elektrode 20b auf. Die leitfähige Harzschicht 23 muss nicht unbedingt bereitgestellt sein.
Wenn die externen Elektroden 20a und 20b die in 2 gezeigte Struktur aufweisen und der mehrschichtige Keramikkondensator 100 unter einer Bedingung hoher Temperatur und hoher Feuchtigkeit verwendet wird, kann eine Metallkomponente der leitfähigen Harzschicht 23 aufgrund von Wasser, das an der Oberfläche des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 haftet, diffundieren. In diesem Fall kann sich die Zuverlässigkeit des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 verschlechtern. Zum Beispiel kann die Metallkomponente der leitfähigen Harzschicht 23 zu der Oberfläche des mehrschichtigen Chips 10 zwischen der externen Elektrode 20a und der externen Elektrode 20b diffundieren (Migrationsphänomen). Selbst wenn die externen Elektroden 20a und 20b die leitfähige Harzschicht 23 nicht enthalten, kann eine andere Metallkomponente der externen Elektroden 20a und 20b diffundieren.
Und somit weist der mehrschichtige Keramikkondensator 100 der Ausführungsform eine Struktur auf, in der eine Fluorverbindung 14 an mindestens einem Teil der Oberfläche des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 haftet, wie in 3 gezeigt. Die Fluorverbindung 14 haftet an mindestens einem Teil einer Region, die die Oberfläche des mehrschichtigen Chips 10 enthält, wo die externe Elektrode 20a oder 20b nicht gebildet ist, und der Oberfläche der Oberfläche der externen Elektroden 20a und 20b. Wie zum Beispiel in 4 gezeigt ist, kann die Fluorverbindung 14 nur an einem Teil der Oberfläche des mehrschichtigen Chips 10 haften, wo die externe Elektrode 20a oder 20b nicht gebildet ist. Alternativ, wie in 5 gezeigt, kann die Fluorverbindung 14 nur an einem Teil der Oberfläche der externen Elektroden 20a und 20b haften.
Wenn die Fluorverbindung 14 an der Oberfläche des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 haftet, kann die Fluorverbindung 14 in direktem Kontakt mit der Oberfläche stehen oder die Fluorverbindung 14 kann an der Oberfläche durch einen weiteren Film oder dergleichen haften. Dasselbe gilt für die folgende Beschreibung.
In der Ausführungsform wird die Fluorverbindung 14 von der Oberfläche des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 bei einer Temperatur freigesetzt, die gleich oder höher als 380 Grad C ist. Die Fluorverbindung 14 verbleibt tendenziell nach Montage des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 mit Lötmittel, da die Fluorverbindung 14 bei einer Temperatur gleich oder höher als 380 Grad C freigesetzt wird. Die Fluorverbindung 14 hat wasserabweisende Eigenschaft. Daher, selbst wenn der mehrschichtige Keramikkondensator 100 unter einer Bedingung hoher Temperatur und hoher Feuchtigkeit verwendet wird, wird ein Anhaften von Wasser an der Oberfläche des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 unterdrückt. Es ist daher möglich, die Zuverlässigkeit des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 zu verbessern. Die Fluorverbindung 14 trägt zu einer Verbesserung der Zuverlässigkeit bei, selbst wenn die Fluorverbindung 14 an der Oberfläche des mehrschichtigen Chips 10, wo die externe Elektrode 20a oder 20b nicht gebildet ist, oder an der Oberfläche der externen Elektroden 20a und 20b haftet. Es ist bevorzugt, dass die Fluorverbindung 14 bei einer Temperatur von weniger als 380 Grad C nicht von der Oberfläche des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 freigesetzt wird.
Die Fluorverbindung 14 ist eine Verbindung, deren Masse-zu-Ladung-Verhältnis m/z in GC-MS-, (Gaschromatographiemassenspektrometrie), Analyse 19 ist. Es ist bevorzugt, dass mindestens eine Spitze einer freigesetzten Menge (ein lokaler Maximalwert der freigesetzten Menge) der Fluorverbindung 14 bei einer Temperatur von 300 Grad C oder mehr vorhanden ist.
Selbst wenn die Fluorverbindung 14 an der Oberfläche der externen Elektroden 20a und 20b haftet, wird eine Verschlechterung einer Benetzbarkeit des Lötmittels unterdrückt. Dies ist darauf zurückzuführen, dass die Menge der Fluorverbindung 14, die an der Oberfläche der externen Elektroden 20a und 20b haftet, gering ist. Eine Dicke der Fluorverbindung 14 ist 1 nm bis 80 nm. Selbst wenn daher die Fluorverbindung 14 an der Oberfläche der externen Elektroden 20a und 20b haftet, kann eine Montageeigenschaft sichergestellt werden.
Eine Region der Oberfläche des mehrschichtigen Keramikkondensators 100, an der die Fluorverbindung 14 haftet, ist nicht begrenzt. Es ist bevorzugt, dass die Fluorverbindung 14 an mindestens einem Teil einer Region zwischen der externen Elektrode 20a und der externen Elektrode 20b an der oberen Fläche, der unteren Fläche und den zwei Seitenflächen des mehrschichtigen Chips 10 haftet. Dies ist darauf zurückzuführen, dass das Anhaften von Wasser an der Oberfläche des mehrschichtigen Chips 10 zwischen der externen Elektrode 20a und der externen Elektrode 20b unterdrückt ist und die Migration unterdrückt ist.
Alternativ ist bevorzugt, dass die Fluorverbindung 14 die Gesamtheit des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 bedeckt. Dies ist darauf zurückzuführen, dass ein Anhaften von Wasser an der Gesamtheit des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 unterdrückt ist.
Es folgt eine Beschreibung eines Herstellungsverfahrens des mehrschichtigen Keramikkondensators 100. 6 zeigt ein Herstellungsverfahren des mehrschichtigen Keramikkondensators 100.
(Bildungsprozess von Rohmaterialpulver) Es wird ein dielektrisches Material zur Bildung der dielektrischen Schicht 11 gefertigt. Im Allgemeinen sind ein A-Stellenelement und ein B-Stellenelement in der dielektrischen Schicht 11 in einer gesinterten Phase von Körnern von ABO₃ enthalten. Zum Beispiel ist BaTiO₃ eine tetragonale Verbindung mit einer Perowskitstruktur und weist eine hohe Dielektrizitätskonstante auf. Im Allgemeinen wird BaTiO₃ durch Umsetzen eines Titanmaterials wie Titandioxid mit einem Bariummaterial wie Bariumcarbonat uns Synthetisieren von Bariumtitanat erhalten. Es können verschiedene Verfahren als Synthetisierungsverfahren zum keramischen Strukturieren der dielektrischen Schicht 11 verwendet werden. Zum Beispiel können ein Festphasenverfahren, ein Sol-Gel-Verfahren, ein hydrothermisches Verfahren oder dergleichen verwendet werden. Die Ausführungsform kann jedes dieser Verfahren verwenden.
Es kann eine Zusatzverbindung dem Zweck entsprechend den erhaltenen keramischen Pulvern zugegeben werden. Die Zusatzverbindung kann ein Oxid von Mg (Magnesium), Mn (Mangan), V (Vanadium), Cr (Chrom) oder eines Seltenerdelements (Y (Yttrium), Sm (Samarium), Eu (Europium), Gd (Gadolinium), Tb (Terbium), Dy (Dysprosium), Ho (Holmium), Er (Erbium), Tm (Thulium) und Yb (Ytterbium)) oder ein Oxid von Co (Kobalt), Ni, Li (Lithium), B (Bor), Na (Natrium), K (Kalium) und Si oder Glas sein.
In der Ausführungsform ist bevorzugt, dass keramische Partikel, die die dielektrische Schicht 11 strukturieren, mit Verbindung gemischt sind, die Zusätze enthält, und in einem Temperaturbereich von 820 Grad C bis 1150 Grad C kalziniert werden. Anschließend werden die erhaltenen keramischen Partikel mit Zusätzen nassgemischt, getrocknet und zerkleinert. Somit wird das keramische Pulver erhalten. Zum Beispiel ist bevorzugt, dass ein durchschnittlicher Korndurchmesser des erhaltenen keramischen Pulvers 50 nm bis 300 nm vom Standpunkt einer Dickenverringerung der dielektrischen Schicht 11 ist. Der Korndurchmesser kann durch Zerkleinern des erhaltenen keramischen Pulvers nach Bedarf eingestellt werden. Alternativ kann der Korndurchmesser des erhaltenen keramischen Pulvers durch Kombinieren von Zerkleinern und Klassieren eingestellt werden.
(Stapelprozess) Anschließend werden ein Bindemittel wie Polyvinylbutyral-, (PVB), Harz, ein organisches Lösemittel wie Ethanol oder Toluol und ein Weichmacher dem erhaltenen dielektrischen Material zugegeben und nass vermengt. Unter Verwendung der erhaltenen Aufschlämmung wird eine streifenförmige dielektrische Grünfolie mit einer Dicke von 0,8 µm oder weniger auf ein Grundmaterial durch zum Beispiel ein Formauftragsverfahren oder ein Rakelverfahren aufgetragen und dann getrocknet.
Anschließend wird eine leitfähige Metallpaste zur Bildung einer internen Elektrode an der Oberfläche der dielektrischen Grünfolie durch Siebdruck oder Tiefdruck bereitgestellt. Die leitfähige Metallpaste enthält ein organisches Bindemittel. Somit wird eine Struktur zur Bildung einer internen Elektrodenschicht bereitgestellt. Als Co-Materialien werden keramische Partikel der leitfähigen Metallpaste hinzugefügt. Eine Hauptkomponente der keramischen Partikel ist nicht begrenzt. Es ist jedoch bevorzugt, dass die Hauptkomponente der keramischen Partikel dieselbe wie jene der dielektrischen Schicht 11 ist.
Dann werden die dielektrischen Grünfolien abwechselnd gestapelt, während das Grundmaterial abgezogen wird, sodass die internen Elektrodenschichten 12 und die dielektrischen Schichten 11 einander abwechseln und die Endränder der internen Elektrodenschichten 12 abwechselnd zu beiden Stirnflächen in der Längsrichtung der dielektrischen Schicht 11 freiliegen, um so abwechselnd zu dem Paar von externen Elektroden 20a und 20b unterschiedlicher Polarisierungen geführt zu werden. Zum Beispiel ist eine Gesamtzahl der gestapelten dielektrischen Grünfolien 100 bis 500.
Danach wird eine Abdeckfolie, die die Abdeckschicht 13 sein wird, an der mehrschichtigen Struktur der dielektrischen Grünfolien befestigt. Und eine andere Abdeckfolie, die die Abdeckschicht 13 sein wird, wird unter der mehrschichtigen Struktur befestigt. Somit wird eine mehrschichtige keramische Struktur erhalten. Danach wird das Bindemittel von der mehrschichtigen keramischen Struktur (zum Beispiel 1,0 mm x 0,5 mm) in N₂-Atmosphäre von 250 Grad C bis 500 Grad C entfernt.
(Brennprozess) Der erhaltene Kompaktkörper wird 10 Minuten bis 2 Stunden in einer reduzierenden Atmosphäre mit einem Sauerstoffteildruck von 10^-7 bis 10^-10 atm in einem Temperaturbereich von 1100 Grad C bis 1300 Grad C gebrannt.
(Reoxidationsprozess) Danach kann ein Reoxidationsprozess in N₂-Gasatmosphäre in einem Temperaturbereich von 600 Grad C bis 1000 Grad C durchgeführt werden.
(Bildungsprozess einer externen Elektrode) Metallpaste, die einen Metallfüllstoff, eine Glasfritte, ein Bindemittel und ein Lösemittel enthält wird an beiden Stirnflächen des mehrschichtigen Chips 10 bereitgestellt und wird getrocknet. Danach wird die Metallpaste gebacken. Daher wird die Grundschicht 21 gebildet. Das Bindemittel und das Lösemittel verdampfen durch das Backen. In dem Verfahren ist bevorzugt, dass das Metallfüllmittel Cu oder dergleichen ist. Es ist bevorzugt, dass das Backen 3 Minuten bis 30 Minuten in einem Temperaturbereich von 700 Grad C bis 900 Grad C durchgeführt wird. Es ist bevorzugter, dass das Backen 5 Minuten bis 15 Minuten in einem Temperaturbereich von 760 Grad C bis 840 Grad C durchgeführt wird. Danach kann die erste plattierte Schicht 22 auf der Grundschicht 21 durch Plattieren gebildet werden.
Anschließend wird die leitfähige Harzschicht 23 gebildet. Zum Beispiel wird die leitfähige Harzschicht 23 durch Tauchbeschichtung von wärmehärtendem Harz wie Epoxidharz oder Phenolharz, in das leitfähige Füllstoffe wie Ag, Ni, Cu oder dergleichen eingeknetet sind, auf der Oberfläche der ersten plattierten Schicht 22 und Härten des wärmehärtenden Harzes durch Wärmebehandlung gebildet. Die Dicke der leitfähigen Harzschicht 23 ist nicht begrenzt. Zum Beispiel ist die Dicke der leitfähigen Harzschicht 23 etwa 10 µm bis 50 µm. Die Dicke der leitfähigen Harzschicht 23 kann gemäß der Größe eines unbearbeiteten Produkts bestimmt werden. Danach werden die zweite plattierte Schicht 24 und die dritte plattierte Schicht 25 auf der leitfähigen Harzschicht 23 durch Elektroplattieren oder dergleichen gebildet.
(Kontakterwärmungsprozess) Anschließend wird Fluorkautschuk auf 150 Grad C oder mehr erhitzt und mit der Oberfläche des unbearbeiteten Produkts in Kontakt gebracht. daher ist es möglich, die Fluorverbindung 14 an mindestens einen Teil der Region, enthaltend die Region der Oberfläche des mehrschichtigen Chips 10, wo die externe Elektrode 20a oder 20b nicht bereitgestellt ist, und die Oberfläche der externen Elektroden 20a und 20b zu binden. Auf diese Weise wird der mehrschichtige Keramikkondensator 100 erhalten.
In dem Herstellungsverfahren der Ausführungsform wird die Fluorverbindung 14, die von der Oberfläche des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 bei einer Temperatur von 380 Grad C oder mehr freigesetzt wird, an mindestens einen Teil der Region enthaltend die Region der Oberfläche des mehrschichtigen Chips 10, wo die externe Elektrode 20a oder 20b nicht gebildet ist, und die Oberfläche der Oberfläche der externen Elektroden 20a und 20b geheftet, indem der Fluorkautschuk auf 150 Grad C oder mehr erwärmt wird und der Fluorkautschuk mit der Oberfläche des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 in Kontakt gebracht wird. Daher neigt die Fluorverbindung 14 dazu, nach Montage des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 mit Lötmittel zu verbleiben. Die Fluorverbindung 14 weist wasserabweisende Eigenschaft auf. Selbst wenn daher der mehrschichtige Keramikkondensator 100 unter einer Bedingung hoher Temperatur und hoher Feuchtigkeit verwendet wird, wird ein Anhaften von Wasser an die Oberfläche des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 unterdrückt. Es ist daher möglich, die Zuverlässigkeit des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 zu verbessern.
Die Grundschicht 21 kann gemeinsam mit dem mehrschichtigen Chip 10 gebrannt werden. In diesem Fall, wie in 7 gezeigt, wird das Bindemittel von der mehrschichtigen keramischen Struktur in N₂-Atmosphäre von 250 Grad C bis 500 Grad C entfernt. Danach wird eine Metallpaste, die einen Metallfüllstoff, ein Co-Material, ein Bindemittel und ein Lösemittel enthält, an den beiden Stirnflächen der mehrschichtigen keramischen Struktur durch ein Tauchverfahren oder dergleichen bereitgestellt und wird getrocknet. Danach wird die Metallpaste gemeinsam mit der mehrschichtigen keramischen Struktur gebrannt. Brennbedingungen sind in dem oben angeführten Brennprozess beschrieben. Danach kann ein Reoxidationsprozess in N₂-Gasatmosphäre in einem Temperaturbereich von 600 Grad C bis 1000 Grad C durchgeführt werden. Danach wird die erste plattierte Schicht 22 auf der Grundschicht 21 durch Plattieren gebildet. Anschließend wird die leitfähige Harzschicht 23 auf der ersten plattierten Schicht 22 gebildet. Danach werden die zweite plattierte Schicht 24 und die dritte plattierte Schicht 25 auf der leitfähigen Harzschicht 23 durch Elektroplattieren oder dergleichen gebildet.
Wie in 8 gezeigt, können die mehrschichtigen Keramikkondensatoren 100 auf einem Substrat 16 vor Binden der Fluorverbindung 14 an die mehrschichtigen Keramikkondensatoren 100 montiert werden. Eine Folie 17 des Fluorkautschuks kann erhitzt werden und kann auf die mehrschichtigen Keramikkondensatoren 100 gepresst werden. Dadurch kann die Fluorverbindung 14 an mindestens einen Teil der Region, enthaltend die Region der Oberfläche des mehrschichtigen Chips 10 wo die externe Elektrode 20a oder 20b nicht bereitgestellt ist, und die Oberfläche der externen Elektroden 20a und 20b geheftet werden. In diesem Fall wird die Fluorverbindung 14 an das Substrat 16 geheftet. Es ist daher möglich, einen Durchbruch zu unterdrücken, der durch Kondensation auf der Oberfläche des Substrats 16 verursacht wird. Es ist möglich, einen Montagedefekt zu unterdrücken, da die mehrschichtigen Keramikkondensatoren 100 montiert werden, bevor die Folie 17 des Fluorkautschuks an die mehrschichtigen Keramikkondensatoren 100 gepresst wird. Es ist bevorzugt, dass eine scheinbare Dichte der Folie 17 des Fluorkautschuks 0,75 g/cm³ oder weniger ist. Der Grund ist, dass, wenn die scheinbare Dichte des Fluorkautschuks groß ist, die Folie 17 gehärtet wird. Und wenn die scheinbare Dichte des Fluorkautschuks groß ist und die Folie 17 an den mehrschichtigen Keramikkondensator 100 gepresst wird, es nicht möglich ist, die Chips ausreichend mit der Folie 17 zu bedecken. Und wenn die Folie 17, die eine große scheinbare Dichte aufweist, so angepresst wird, dass sie die Chips bedeckt, übermäßige Kraft auf die Chips ausgeübt wird und die Chips beschädigt werden könnten. Die scheinbare Dichte ist Masse der Folie 17 in Bezug auf das Volumen der Folie 17.
In den Ausführungsformen ist der mehrschichtige Keramikkondensator als ein Beispiel keramischer elektronischer Vorrichtungen beschrieben. Die Ausführungsformen sind jedoch nicht auf den mehrschichtigen Keramikkondensator begrenzt. Zum Beispiel können die Ausführungsformen bei einer anderen elektronischen Vorrichtung wie einem Varistor oder Thermistor angewendet werden.
[Beispiele]
Die mehrschichtigen Keramikkondensatoren gemäß der Ausführungsform wurden hergestellt und die Eigenschaft wurde gemessen.
(Beispiele 1 bis 4) Ein organisches Bindemittel wurde mit keramischem Pulver geknetet, von dem eine Hauptkomponente Bariumtitanat war, das Reduktionsbeständigkeit aufwies. Somit wurde eine Aufschlämmung zubereitet. Die Aufschlämmung wurde mit einer Rakel zu einer Folie gebildet. Somit wurde eine dielektrische Grünfolie hergestellt. Leitfähige Metallpaste aus Ni mit einer vorbestimmten Struktur wurde auf der dielektrischen Grünfolie durch Siebdruck bereitgestellt. Somit wurde eine interne Elektrodenstruktur gebildet. Die dielektrische Grünfolie, auf welcher die interne Elektrodenstruktur gebildet wurde, wurde zu einer vorbestimmten Größe gestanzt. Und eine vorbestimmte Anzahl der dielektrischen Grünfolien wurde gestapelt. Und eine mehrschichtige keramische Struktur wurde durch Thermokompression hergestellt.
Anschließend wurde die mehrschichtige keramische Struktur zu vorbestimmten Chipgrößen geschnitten und wurde geteilt. Metallpaste, die ein Co-Material enthielt, wurde an den beiden Stirnflächen der mehrschichtigen keramischen Struktur (Flächen liegen zu externen Elektroden frei) durch ein Tauchverfahren bereitgestellt, sodass die Metallpaste eine vorbestimmte Elektrodenbreite (E-Größe) aufweist.
Anschließend wurde die erhaltene mehrschichtige keramische Struktur bei 1250 Grad C in Stickstoff- oder Wasserstoffatmosphäre gebrannt und wurde einem vorbestimmten Wärmebehandlung unterzogen. Somit bedeckt die Grundschicht 21 den mehrschichtigen Chip 10 und die beiden Stirnflächen des mehrschichtigen Chips 10. Anschließend wurde die Oberfläche der Grundschicht 21 einem Trockenpolieren unter Verwendung von „Whitemorundum“ (eingetragenes Warenzeichen) als Poliermittel unterzogen. Danach wurde die erste plattierte Schicht 22 durch Cu-Plattieren gebildet. Anschließend wurde die leitfähige Harzpaste, deren Viskosität auf einen vorbestimmten Wert (10 bis 30 Pa·s) eingestellt war, an der Oberfläche der ersten plattierten Schicht 22 durch ein Tauchverfahren bereitgestellt. Epoxidharz, in das ein Ag-Füllstoff eingeknetet war, wurde als die leitfähige Harzpaste verwendet. Danach wurde die leitfähige Harzschicht 23 durch Härten der leitfähigen Harzpaste durch eine Wärmebehandlung gebildet. Und die zweite plattierte Schicht 24 und die dritte plattierte Schicht 25 wurden auf der leitfähigen Harzschicht 23 durch Ni-Plattieren und Sn-Plattieren gebildet. Der erhaltene mehrschichtige Keramikkondensator 100 hatte eine Länge von 3,2 mm, eine Breite von 2,5 mm und eine Höhe von 2,5 mm.
Fluorkautschuk wurde gemeinsam mit dem mehrschichtigen Keramikkondensator 100 erhitzt. Und der Fluorkautschuk wurde mit der Oberfläche des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 in Kontakt gebracht. Somit wurde die Fluorverbindung 14 an die Oberfläche des mehrschichtigen Keramikkondensators 100 geheftet. In dem Beispiel 1 war die Erhitzungstemperatur des Fluorkautschuks 150 Grad C. In dem Beispiel 2 war die Erhitzungstemperatur des Fluorkautschuks 170 Grad C. In dem Beispiel 3 war die Erhitzungstemperatur des Fluorkautschuks 190 Grad C. In dem Beispiel 4 war die Erhitzungstemperatur des Fluorkautschuks 210 Grad C.
In dem Vergleichsbeispiel wurde die Fluorverbindung 14 nicht angeheftet (ohne wasserabweisenden Prozess).
In Bezug auf die mehrschichtigen Keramikkondensatoren 100 des Beispiels 1 und 2 wurde festgestellt, ob die Fluorverbindung freigesetzt wurde. Die mehrschichtigen Keramikkondensatoren 100 wurden von 60 Grad C auf 600 Grad C erhitzt und die Komponente des Gases und die von der Masse des freigesetzten Gases freigesetzte Menge wurden durch Gaschromatographmassenspektrometrie analysiert: GC-MS (Gaschromatographiemassenspektrometrie) (EGA/Py-3030D hergestellt von Frontier Laboratories/ GC7980A hergestellt von Agilent/ JMS1050GC hergestellt von JEOL).
Analysebedingung war wie folgt.

Thermische Zersetzungsbedingung:
- Thermische Zersetzungstemperatur war 60 Grad C bis 800 Grad C.
- Temperaturanstiegsrate war 20 Grad C / min.
Säule:
- Säuleninnendurchmesser war 0,25 mm.
- Säulenlänge war 5 m.
Ofentemperaturbedingung:
- Temperaturbereich war 250 Grad C.
- Haltezeit war 37 Minuten.

9A zeigt ein GC-MS-Analysenergebnis des Beispiels 1, 9B zeigt ein GC-MS-Analysenergebnis des Beispiels 4. In 9A und 9B gibt eine horizontale Achse das Masse-zu-Ladung-Verhältnis (m/z-Wert) an. Eine vertikale Achse gibt Spitzenintensität an. 9A und 9B geben Ergebnisse zu einem Zeitpunkt an, zu dem eine erhitzte Temperatur 450 Grad C war. Wie in 9A und 9B gezeigt, wurde Freisetzung von Fluor, dessen M/z 19 war, zu dem Zeitpunkt bestätigt, zu dem die erhitzte Temperatur 450 Grad C war.
10 konzentriert sich auf m/z=19 in den GC-MS-Analysenergebnissen des Beispiels 1 und 4. Eine horizontale Achse von 10 gibt eine Temperatur an. Wie in 10 gezeigt, wurde in dem Beispiel 1 und 4 die Freisetzung der Fluorverbindung bei einer Temperatur von weniger als 380 Grad C nicht beobachtet und die Freisetzung der Fluorverbindung wurde bei einer hohen Temperatur von 380 Grad C oder mehr beobachtet. Es wird angenommen, dass dies darauf zurückzuführen war, dass die Freisetzung der Fluorverbindung bei einer niederen Temperatur unterdrückt war, da Kontakterhitzung des Fluorkautschuks durchgeführt wurde. In den Ergebnissen von 10 wurde eine Spitze der freigesetzten Menge der Fluorverbindung bei einer Temperatur von 380 Grad C oder mehr beobachtet.
Anschließend wurden weitere 400 Proben einem Feuchtigkeitsbeständigkeitstest in Bezug auf jedes der Beispiele 1 bis 4 und das Vergleichsbeispiel unterzogen. In dem Feuchtigkeitsbeständigkeitstest wurde jede Probe unter einer Bedingung bei einer Temperatur von 120 Grad C und bei einer relativen Feuchtigkeit von 85% belassen. Und eine Spannung vom 1,5-Fachen einer Nennspannung wurde an jede Probe 100 Stunden lang angelegt. Und ein elektrischer Wert (Isolationswiderstand zwischen Elektroden) wurde gemessen. Wenn Isolationswiderstand x Kapazität 100 MΩ·µF oder mehr war, wurde dies als annehmbar bestimmt. Wenn Isolationswiderstand x Kapazität kleiner als 100 MΩ·µF war, wurde dies als nicht annehmbar bestimmt. Ein Verhältnis von Proben, die als nicht annehmbar bestimmt wurden, wurde in Bezug auf 400 Proben bestimmt.
Anschließend wurden weitere 400 Proben einem Kondensationstest in Bezug auf jedes der Beispiele 1 bis 4 und das Vergleichsbeispiel unterzogen. Die Proben wurden auf zuverlässigen Substraten (CEM 3) montiert. Die Proben wurden in einen Thermo-Hygrostattank eingebracht. Und 16 V wurden an die Proben angelegt. Ein Kondensationstestprogramm von JIS 60068-2-30 wurde 6 mal durchgeführt. Danach wurde festgestellt, ob die Migration stattfand oder nicht. Die Bedingung jedes Zyklus des Programms ist wie folgt. (1) Die Feuchtigkeit wurde bei 98% gehalten. Die Temperatur wurde 3 Stunden von 25 Grad C auf 55 Grad C geändert. (2) Die Temperatur wurde bei 55 Grad C gehalten. Die Feuchtigkeit wurde 15 Minuten von 98% auf 93% geändert. (3) Die Temperatur wurde bei 55 Grad C gehalten und die Feuchtigkeit wurde 9 Stunden und 25 Minuten bei 93% gehalten. (4) Die Feuchtigkeit wurde bei 93% gehalten. Die Temperatur wurde drei Stunden von 55 Grad C auf 25 Grad C geändert. (5) Die Temperatur wurde bei 25 Grad C gehalten und die Feuchtigkeit wurde 3 Stunden bei 93% gehalten. (6) Die Temperatur wurde bei 25 Grad C gehalten. Die Feuchtigkeit wurde 5 Stunden und 30 Minuten von 93% auf 98% geändert. Jede Probe wurde durch ein Stereomikroskop mit Vergrößerung 40 beobachtet. Und es wurde bestimmt, ob ein Niederschlag zwischen externen Elektroden vorhanden war. wenn ein Niederschlag vorhanden war, wurde bestimmt, dass die Migration stattgefunden hatte. Ein Verhältnis von Proben, bei welchen die Migration stattgefunden hatte, wurde in Bezug auf 400 Proben gemessen.
Tabelle 1 zeigt die Ergebnisse des Feuchtigkeitsbeständigkeitstests und des Kondensationstests. Wie in Tabelle 1 dargestellt, war im Vergleichsbeispiel die Nichtannehmbarkeitsrate des Feuchtigkeitsbeständigkeitstests hoch. Andererseits war in den Beispielen 1 bis 4 die Nichtannehmbarkeitsrate des Feuchtigkeitsbeständigkeitstests nieder. Es wird angenommen, dass dies darauf zurückzuführen war, dass die wasserabweisende Eigenschaft aufgrund der Bildung der Fluorverbindung 14 erreicht wurde. [Tabelle 1]

Vergleichsbeispiel Beispiel 1 Beispiel 2 Beispiel 3 Beispiel 4

Feuchtigkeitsbeständigkeitstest 7/400 0/400 0/400 0/400 0/400

Kondensationstest 23/400 0/400 0/400 0/400 0/400
Anschließend war die Nichtannehmbarkeitsrate des Kondensationstests des Vergleichsbeispiels hoch. Andererseits war die Nichtannehmbarkeitsrate des Kondensationstests in den Beispielen 1 bis 4 nieder. Es wird angenommen, dass dies darauf zurückzuführen war, dass die wasserabweisende Eigenschaft aufgrund der Bildung der Fluorverbindung 14 erreicht wurde.
Obwohl die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ausführlich beschrieben wurden, ist klar, dass verschiedene Änderungen, Substitutionen und Abänderungen hier vorgenommen werden können, ohne vom Wesen und Umfang der Erfindung abzuweichen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 201663008 [0002]

Claims

Mehrschichtiger Keramikkondensator (100), umfassend: einen mehrschichtigen Chip (10), in dem jede von mehreren dielektrischen Schichten (11) und jede von mehreren internen Elektrodenschichten (12) gestapelt sind, wobei eine Hauptkomponente der dielektrischen Schichten (11) keramisch ist, der mehrschichtige Chip (10) eine rechteckige parallelepipede Form aufweist, entsprechende Enden der mehreren internen Elektrodenschichten (12) an mindestens einer von einer ersten Stirnfläche und einer zweiten Stirnfläche der mehrschichtigen Struktur freiliegen, die erste Stirnfläche der zweiten Stirnfläche gegenüberliegt, eine erste externe Elektrode (20a), die an der ersten Stirnfläche bereitgestellt ist; eine zweite externe Elektrode (20b), die an der zweiten Stirnfläche bereitgestellt ist; und eine Fluorverbindung (14), die an mindestens einem Teil einer Region, die eine Oberfläche des mehrschichtigen Chips (10) enthält, wo weder die erste externe Elektrode (20a) noch die zweite externe Elektrode (20b) gebildet ist, und Oberflächen der ersten externen Elektrode (20a) und der zweiten externen Elektrode (20b) haftet, wobei die Fluorverbindung (14) bei einer Temperatur von 380 Grad C oder mehr freigesetzt wird.
Mehrschichtiger Keramikkondensator (100) nach Anspruch 1, wobei die Fluorverbindung (14) eine Verbindung ist, deren Masse-zu-Ladung-Verhältnis „m/z“ in einer GC-MS-Analyse 19 ist.
Mehrschichtiger Keramikkondensator (100) nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine Spitze einer freigesetzten Menge der Fluorverbindung (14) bei einer Temperatur von 380 Grad C oder mehr vorhanden ist.
Mehrschichtiger Keramikkondensator (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Fluorverbindung (14) an der Oberfläche des mehrschichtigen Chips (10) zwischen der ersten externen Elektrode (20a) und der zweiten externen Elektrode (20b) haftet.
Mehrschichtiger Keramikkondensator (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die erste externe Elektrode (20a) und die zweite externe Elektrode (20b) eine leitfähige Harzschicht (23) enthalten, die eine Metallkomponente enthält.
Mehrschichtiger Keramikkondensator (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Fluorverbindung (14) bei einer Temperatur von weniger als 380 Grad C nicht freigesetzt wird.
Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Keramikkondensators, umfassend: Fertigen eines mehrschichtigen Keramikkondensators mit einem mehrschichtigen Chip, einer ersten externen Elektrode und einer zweiten externen Elektrode, Binden einer Fluorverbindung, die bei einer Temperatur von 380 Grad C oder mehr freigesetzt wird, an mindestens einen Teil einer Region, die eine Oberfläche des mehrschichtigen Chips enthält, wo weder die erste externe Elektrode noch die zweite externe Elektrode gebildet ist, und Oberflächen der ersten externen Elektrode und der zweiten externen Elektrode durch Kontaktieren von erhitztem Fluorkautschuk mit der Region, wobei der mehrschichtige Chip eine Struktur aufweist, in der jede von mehreren dielektrischen Schichten und jede von mehreren internen Elektrodenschichten gestapelt sind, wobei eine Hauptkomponente der dielektrischen Schichten keramisch ist, die mehrschichtige Struktur eine rechteckige parallelepipede Form aufweist, entsprechende Enden der mehreren internen Elektrodenschichten zu mindestens einer von einer ersten Stirnfläche und einer zweiten Stirnfläche der mehrschichtigen Struktur freiliegen, die erste Stirnfläche der zweiten Stirnfläche gegenüberliegt, wobei die erste externe Elektrode an der ersten Stirnfläche bereitgestellt ist, wobei die zweite externe Elektrode an der zweiten Stirnfläche bereitgestellt ist.
Verfahren nach Anspruch 7, wobei die Fluorverbindung an mindestens dem Teil der Region, die die Oberfläche des mehrschichtigen Chips enthält, wo weder die erste externe Elektrode noch die zweite externe Elektrode gebildet ist, und den Oberflächen der ersten externen Elektrode und der zweiten externen Elektrode haftet, indem der mehrschichtige Keramikkondensator an einem Substrat montiert wird, bevor die Fluorverbindung angeheftet wird, und der erhitzte Fluorkautschuk mit dem mehrschichtigen Keramikkondensator in Kontakt gebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, wobei der Fluorkautschuk, der auf 150 Grad C oder mehr erhitzt ist, mit der Region, die die Oberfläche des mehrschichtigen Chips enthält, wo weder die erste externe Elektrode noch die zweite externe Elektrode gebildet ist, und den Oberflächen der ersten externen Elektrode und der zweiten externen Elektrode in Kontakt gebracht wird.