JP6770428B2 - 除電装置および除電方法 - Google Patents

Description

この発明は、除電装置および除電方法に関する。

従来より、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、基板処理装置を用いて酸化膜等の絶縁膜を有する基板に対して様々な処理が施される。例えば、表面上にレジストのパターンが形成された基板に処理液を供給することにより、基板の表面に対してエッチング等の処理が行われる。また、エッチング等の終了後、基板上のレジストを除去する処理も行われる。

基板処理装置にて処理される基板には、基板処理装置に搬入される前に、ドライエッチングやプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等のドライ工程が行われている。このようなドライ工程では、デバイス内に電荷が発生して帯電するため、基板は、帯電した状態で基板処理装置に搬入される（いわゆる、持ち込み帯電）。そして、基板処理装置において、ＳＰＭ液のような比抵抗が小さい処理液が基板上に供給されると、デバイス内の電荷が、デバイスから処理液へと急激に移動し（すなわち、処理液中へと放電し）、当該移動に伴う発熱によりデバイスにダメージが生じるおそれがある。

そこで、従来から、除電装置が使用されている（例えば特許文献１）。この除電装置は一対の放電針を有しており、この一対の放電針に電圧を印加することでイオンを生成し、このイオンを含む空気を除電対象物へと供給する。また、この除電装置には、除電対象物の一つの箇所において表面電位を測定する表面測定計が設けられている。除電装置は、一対の放電針に印加される電圧を、この一つの箇所の表面電位に基づいて制御する。これにより、表面電位に応じた適切なイオンを含む空気を除電対象物に供給できる。

また従来から、紫外線を備える除電装置も使用されている。この除電装置は、基板に対して紫外線を照射することで、除電処理を行う。

なお本発明に関連する技術として、特許文献２，３も掲示する。

特開２０１２−１８６１４８号公報 特開２００９−１５８３７５号公報 特開平１１−３２９７８３号公報

図２８は、基板の主面における表面電位の分布の一例を概略的に示す図である。図２８は、紫外線の照射前の表面電位の分布Ｖ１と、紫外線の照射後の表面電位の分布Ｖ２と、分布Ｖ２の平均的な分布Ｖ３とが示されている。図２９は、基板の主面の中心付近における表面電位の時間変化の一例を概略的に示す図である。

図２８および図２９の例においては、紫外線の照射前においては、表面電位は負の値をとっている。これは基板の主面が負の電荷が蓄積していることを意味する。紫外線の照射前の分布Ｖ１において、表面電位は基板の主面の中央付近で低く、その周縁に向かうにしたがって増大する。つまり、表面電位の絶対値（以下、帯電量と呼ぶ）は、基板の主面の中央付近で大きく、その周縁に向かうにしたがって低減する。表面電位の分布Ｖ１は皿状の形状を有している。

紫外線が基板の主面に照射されることにより、表面電位は時間の経過とともに増大する（つまり、帯電量は低下する）。つまり、電荷が除去される。しかるに、図２８に示すように、紫外線の照射後においては、その表面電位は主面上の位置に応じて正負の値をとっている。具体的には、表面電位の分布Ｖ３（白抜きの四角）は、基板の主面の周縁付近において負の値をとるものの、中央付近において正の値をとる。これは、基板の主面がその中央付近において正に帯電していることを意味する。

つまり、基板の主面に対して一律に紫外線を照射した場合、基板の主面における表面電位は零に収束するのではなく、基板の主面の場所によっては、負の電荷が残ったり、正の電荷が蓄積することが分かる。したがって、基板の主面に対して一律に紫外線を照射しても、基板の主面の全領域において表面電位を均一に低減することはできなかった。従来では、このような現象は知られておらず、本願出願人によって初めて確認された。

そこで、本発明は、基板の主面に蓄えられた電荷の量を、その主面の各領域に応じて適切に低減できる除電装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、除電装置の第１の態様は、電荷を除去する処理を基板に対して行う装置であって、基板保持手段と紫外線照射手段を備える。基板保持手段は基板を保持する。紫外線照射手段は、基板の主面を分割した複数の領域の相互間について異なる照射量で、基板の複数の領域に対して紫外線を照射する。

除電装置の第２の態様は、第１の態様にかかる除電装置であって、複数の領域に対する紫外線照射手段からの紫外線の照射量は可変である。除電装置は、複数の表面電位測定手段と、照射量制御手段とを更に備える。複数の表面電位測定手段は、当該複数の領域内の表面電位をそれぞれ測定する。照射量制御手段は、複数の領域のそれぞれにおける照射量を、複数の表面電位測定手段によって測定された表面電位に応じて制御する。

除電装置の第３の態様は、第１または第２の態様にかかる除電装置であって、紫外線照射手段は複数の単位照射手段を有する。複数の単位照射手段は複数の領域にそれぞれ紫外線を照射する。

除電装置の第４の態様は、第２の態様にかかる除電装置であって、紫外線照射手段を制御する紫外線制御手段を備える。紫外線照射手段は複数の単位照射手段を有する。複数の単位照射手段は複数の領域にそれぞれ紫外線を照射する。複数の表面電位測定手段は、紫外線照射手段による紫外線の照射中において、基板の主面の表面電位を測定する。紫外線制御手段は、複数の表面電位測定手段の一つによって測定された複数の領域の一つにおける表面電位の絶対値が、基準値よりも低いか否かを判断し、複数の領域の当該一つにおける表面電位の絶対値が基準値よりも低いと判断したときに、複数の単位照射手段のうち複数の領域の当該一つに対応した単位照射手段を停止させる。

除電装置の第５の態様は、第３または第４の態様にかかる除電装置であって、複数の単位照射手段は、互いに異なる径を含む円弧状またはリング状の形状を有しており、複数の単位照射手段は同心円状に配置されている。

除電装置の第６の態様は、第３または第４の態様にかかる除電装置であって、回転手段を更に備える。回転手段は、基板の主面に垂直な軸を回転軸として、基板保持手段を回転させる。複数の単位照射手段は、基板の主面に平行な第１方向に延在する棒状の形状を有しており、基板の主面に平行かつ第１方向に垂直な第２方向に沿って並んで配置される。

除電装置の第７の態様は、第３から第６のいずれか一つの態様にかかる除電装置であって、オン／オフ制御手段を更に備える。オン／オフ制御手段は、複数の単位照射手段の各々の紫外線の照射および停止を切り替えて、複数の領域のそれぞれに対する紫外線の照射量を制御する。

除電装置の第８の態様は、第３から第７のいずれか一つの態様にかかる除電装置であって、強度制御手段を更に備える。強度制御手段は、複数の単位照射手段を制御して、複数の単位照射手段の各々から照射される紫外線の強度を制御する。

除電装置の第９の態様は、第２の態様にかかる除電装置であって、第１移動手段と回転手段と速度制御手段とを更に備える。第１移動手段は、基板の主面に沿う方向に紫外線照射手段および基板保持手段を相対的に移動させる。回転手段は、基板の主面に垂直な軸を回転軸として、基板保持手段を回転させる。速度制御手段は、第１移動手段を制御して、紫外線照射手段と基板保持手段との間の相対的な移動速度のパターンを、複数の表面電位測定手段によって測定された表面電位に基づいて制御する。

除電装置の第１０の態様は、第９の態様にかかる除電装置であって、第２移動手段を更に備える。第２移動手段は、複数の表面電位測定手段が基板の主面に対向する位置と、複数の表面電位測定手段が基板の主面に対向しない位置との間で、複数の表面電位測定手段と基板保持手段とを相対的に移動させる。

除電方法の第１１の態様は、帯電した基板の帯電量を低減する除電方法であって、第１工程と第２工程とを備える。第１工程において、基板保持手段に基板を配置する。第２工程において、紫外線照射手段が、基板の主面を分割した複数の領域について異なる照射量で、基板の複数の領域に対して紫外線を照射する。

除電方法の第１２の態様は、第１１の態様にかかる除電方法であって、第２工程は、紫外線照射手段に含まれる複数の単位照射手段が複数の領域にそれぞれ紫外線の照射を開始する工程と、紫外線照射手段による紫外線の照射中において、複数の表面電位測定手段が基板の主面の表面電位を測定する工程と、複数の表面電位測定手段の一つによって測定された複数の領域の一つにおける表面電位の絶対値が、基準値よりも低いか否かを判断する工程と、複数の領域の当該一つにおける表面電位の絶対値が基準値よりも低いと判断したときに、複数の単位照射手段のうち複数の領域の当該一つに対応した単位照射手段を停止させる工程とを含む。

除電装置および除電方法によれば、基板の主面に蓄えられた電荷の量を、その主面の各領域に応じて適切に低減できる。

基板処理システムの構成の一例を概略的に示す図である。 除電装置の構成の一例を概略的に示す図である。 除電装置の構成の一例を概略的に示す図である。 基板および紫外線照射器の構成の一例を概略的に示す図である。 除電装置の動作の一例を示すフローチャートである。 除電装置の構成の他の一例を概略的に示す図である。 基板、紫外線照射器および表面電位測定部の構成の他の一例を概略的に示す図である。 基板および紫外線照射器を概略的に示す図である。 基板および紫外線照射器を概略的に示す図である。 基板および紫外線照射器を概略的に示す図である。 除電装置の動作の一例を示すフローチャートである。 紫外線照射器および表面電位測定部の他の一例を概略的に示す図である。 紫外線照射器および表面電位測定部の他の一例を概略的に示す図である。 紫外線照射器および表面電位測定部の他の一例を概略的に示す図である。 紫外線照射器および表面電位測定部の他の一例を概略的に示す図である。 除電装置の構成の他の一例を概略的に示す図である。 基板、紫外線照射器および測定ユニットの一例を概略的に示す図である。 除電装置の一例を概略的に示す図である。 基板、紫外線照射器および測定ユニットの一例を概略的に示す図である。 除電装置の一例を概略的に示す図である。 基板、紫外線照射器および測定ユニットの一例を概略的に示す図である。 除電装置の一例を概略的に示す図である。 基板、紫外線照射器および測定ユニットの一例を概略的に示す図である。 除電装置の一例を概略的に示す図である。 基板、紫外線照射器および測定ユニットの一例を概略的に示す図である。 基板および測定ユニットの一例を概略的に示す図である。 除電装置の動作の一例を示すフローチャートである。 表面電位の分布の一例を概略的に示すフラグである。 表面電位の時間変化の一例を示すグラフである。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

第１の実施の形態．
＜基板処理システムの全体構成の一例＞
図１は、基板処理システム１００の全体構成の一例を概略的に示す図である。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。

基板処理システム１００は、半導体基板に対して種々の処理を施すための装置である。この基板処理システム１００は、例えば、収容器保持部１１０、基板通過部１２０および基板処理部１３０を備えている。収容器保持部１１０は基板収容器を保持する。この基板収容器には、例えば複数の基板が収容される。図１の例においては、複数の収容器保持部１１０が設けられており、これらは、水平面に平行な一方向（以下、Ｘ方向とも呼ぶ）に沿って配列されている。

基板処理部１３０は、基板に対して所定の処理を施すための装置である。図１の例においては、複数の基板処理部１３０（図示例では基板処理部１３０ａ〜１３０ｄ）が設けられている。基板処理部１３０ａ〜１３０ｄはそれぞれ基板に対して各種の処理を行う。説明の便宜上、各基板は基板処理部１３０ａ〜１３０ｄの順に処理を受ける場合を想定する。例えば基板処理部１３０ａは基板に対して処理液（薬液、リンス液またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）液などの処理液）を供給する。これにより、処理液に応じた処理が基板に対して行われる。後の基板処理部１３０ｃにおける処理にとって、基板に電荷が蓄積されていることは望ましくない。また、基板処理部１３０ｂによる処理（例えばＩＰＡを用いた処理）によって、有機物が不純物として基板の主面上に残留することがあり、そのような有機物は除去することが望ましい。

基板通過部１２０は収容器保持部１１０と基板処理部１３０ａ〜１３０ｄの各々との間に位置している。未処理の基板は収容器保持部１１０から基板通過部１２０を経由して基板処理部１３０ａへと渡される。基板処理部１３０ａにおいて処理が施された処理済みの基板は、当該基板処理部１３０ａから基板通過部１２０を経由して、収容器保持部１１０、或いは、他の基板処理部１３０ｂへと渡される。基板処理部１３０ｂ〜１３０ｄの間の基板の時間順次の搬送も同様である。

基板通過部１２０は例えばインデクサロボット１２１、パス部１２２および搬送ロボット１２３を備えている。インデクサロボット１２１は次に説明するインデクサ搬送路１２４をＸ方向に往復移動することができる。インデクサ搬送路１２４は、複数の収容器保持部１１０に隣り合ってＸ方向に延びる搬送路である。インデクサロボット１２１は、このインデクサ搬送路１２４において、各収容器保持部１１０と対向する位置で停止することができる。

インデクサロボット１２１は例えばアームとハンドとを有している。ハンドはアームの先端に設けられており、基板を保持したり、或いは、保持した基板を解放できる。ハンドは、アームの駆動によって、水平面に平行かつＸ方向に垂直な方向（以下、Ｙ方向とも呼ぶ）に往復移動可能である。インデクサロボット１２１は、収容器保持部１１０と対向した状態で、ハンドを収容器保持部１１０へと移動させて、未処理の基板を収容器保持部１１０から取り出したり、処理済みの基板を収容器保持部１１０に渡すことができる。

パス部１２２はインデクサ搬送路１２４に対して収容器保持部１１０とは反対側に位置している。例えばパス部１２２は、インデクサ搬送路１２４のＸ方向における中央部と対向する位置に形成されてもよい。例えばパス部１２２は、基板が載置される載置台あるいは棚を有していてもよい。インデクサロボット１２１はアームを水平面において１８０度回転させることができる。これにより、インデクサロボット１２１はハンドをパス部１２２へと移動させることができる。インデクサロボット１２１は、収容器保持部１１０から取り出した基板をパス部１２２に渡したり、パス部１２２に載置された基板をパス部１２２から取り出すことができる。

搬送ロボット１２３はパス部１２２に対してインデクサ搬送路１２４とは反対側に設けられている。また複数（図１では４つ）の基板処理部１３０が搬送ロボット１２３を囲むように配置されている。図１の例においては、基板処理部１３０の各々に隣接する流体ボックス１３１が設けられている。流体ボックス１３１は、隣接する基板処理部１３０へと処理液を供給し、また当該基板処理部１３０から使用済の処理液を回収することができる。

搬送ロボット１２３もインデクサロボット１２１と同様に、アームおよびハンドを有している。この搬送ロボット１２３はパス部１２２から基板を取り出したり、パス部１２２に基板を渡すことができる。また搬送ロボット１２３は各基板処理部１３０へと基板を渡したり、各基板処理部１３０から基板を取り出すことができる。なおインデクサロボット１２１および搬送ロボット１２３は、基板を搬送する搬送手段とみなすことができる。

これらの構成により、例えば次のような概略動作が行われ得る。すなわち、収容器保持部１１０に収容された各半導体基板は、インデクサロボット１２１によってパス部１２２に順次に搬送される。そして、基板は搬送ロボット１２３によって基板処理部１３０ａ〜１３０ｄに順次に搬送され、基板処理部１３０ａ〜１３０ｄにおいてそれぞれの処理を受ける。一連の処理が完了した基板は、パス部１２２およびインデクサロボット１２１によって収容器保持部１１０に戻される。

＜除電装置＞
図２および図３は、除電装置１０の構成の一例を概略的に示す図である。この除電装置１０は例えばパス部１２２に設けられてもよい。図２および図３は、例えばＹ方向に垂直な断面の構成の一例を示している。なお、除電装置１０は必ずしもパス部１２２に設けられる必要はなく、たとえば基板処理部１３０ｄとして設けられてもよい。言い換えれば、除電装置１０は複数の基板処理部１３０のうちの一部として設けられてもよい。

除電装置１０は、基板保持部１、移動機構１２、紫外線照射器２、表面電位測定部８、筒部材３、気体供給部４２、排気部６１および制御部７を備えている。

＜基板保持部＞
基板保持部１は、基板Ｗ１を水平に保持する部材である。基板Ｗ１が半導体基板（すなわち半導体ウエハ）の場合、基板Ｗ１は略円形の平板状である。基板保持部１は円柱状の形状を有しており、上面１ａと側面１ｂと下面１ｃとを有している。側面１ｂは上面１ａの周縁および下面１ｃの周縁を連結する。基板保持部１の上面１ａの上には、基板Ｗ１が載置される。

図２および図３に例示するように、上面１ａには、一対の溝１１が形成されている。一対の溝１１の内部には、インデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３のハンドが挿入される。

基板Ｗ１は次のように基板保持部１に載置される。即ち、基板Ｗ１は、ハンドの上に載置された状態で、基板保持部１の上方に搬送される。次にハンドが上方から基板保持部１へと移動する。この移動に伴って、ハンドが上方から一対の溝１１に挿入される。また移動により、基板Ｗ１が基板保持部１に載置され、ハンドから離れる。その後、インデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３はハンドをＹ方向に移動させて、ハンドを溝１１の内部から引き抜く。これにより、基板Ｗ１が基板保持部１に載置される。

基板保持部１の上面１ａは、溝１１とは別の領域において、基板Ｗ１へ向かって突起する複数の突起形状（以下、突起部と呼ぶ）を有していてもよい。この突起部はピンとも呼ばれる。この突起部は例えば円柱形状を有している。突起部が設けられる場合には、基板Ｗ１はこの突起部の先端によって支持される。

＜紫外線照射器＞
紫外線照射器２は基板Ｗ１に対して上方側（基板保持部１とは反対側）に配置されている。つまり紫外線照射器２、基板Ｗ１および基板保持部１はこの順でＺ方向において並んでいる。紫外線照射器２は紫外線を発生し、当該紫外線を基板Ｗ１の主面（基板保持部１とは反対側の主面）へ照射することができる。この紫外線照射器２は、基板Ｗ１の主面の複数の領域の相互間において異なる照射量で、基板Ｗ１の主面に対して紫外線を照射することができる。この複数の領域の一例は後に詳述するものの、基板Ｗ１の主面を平面視において分割した領域である。よって複数の領域の一組は主面と一致しており、当該主面を覆う。照射量は紫外線の強度の時間積分である。よって照射時間が長いほど照射量は増大し、紫外線の強度が大きいほど照射量は増大する。

図４は、紫外線照射器２の構成の一例を概略的に示す斜視図である。紫外線照射器２は複数の単位照射器２１（図では単位照射器２１ａ〜２１ｃ）を備えている。単位照射器２１ａは、Ｚ方向から見た平面視において円形状を有しており、単位照射器２１ｂ，２１ｃは、Ｚ方向から見た平面視においてリング形状を有している。単位照射器２１ｂの内径は単位照射器２１ａの外径より大きく、単位照射器２１ｃの内径は単位照射器２１ｂの外径より大きい。これらの単位照射器２１ａ〜２１ｃは同心円状に配置されている。具体的には、単位照射器２１ａは単位照射器２１ｂよりも内周側に位置し、単位照射器２１ｂは単位照射器２１ｃよりも内周側に位置している。単位照射器２１ａ〜２１ｃの中心軸は基板Ｗ１の中心を通る。なお単位照射器２１ａは平面視において円形状を有しているものの、リング形状を有していてもよい。

単位照射器２１ａ〜２１ｃはＺ方向において基板Ｗ１と間隙を介して対向する。具体的には、単位照射器２１ａは基板Ｗ１の主面のうち、その中心を含む円状の領域Ｗ１ａと対向し、単位照射器２１ｂは基板Ｗ１の主面のうち、領域Ｗ１ａよりも外側に位置して所定幅を有するリング状の領域Ｗ１ｂと対向し、単位照射器２１ｃは基板Ｗ１の主面のうち、領域Ｗ１ｂよりも外側のリング状の領域Ｗ１ｃと対向する。つまり、単位照射器２１ａ〜２１ｃは領域Ｗ１ａ〜Ｗ１ｃにそれぞれ対応して配置されている。

単位照射器２１ａ〜２１ｃは主として領域Ｗ１ａ〜Ｗ１ｃへとそれぞれ紫外線を照射する。単位照射器２１ａは領域Ｗ１ａの外側にも紫外線を照射し得るものの、以下では、説明の簡単のために、単位照射器２１ａは領域Ｗ１ａのみに紫外線を照射すると仮定する。単位照射器２１ｂ，２１ｃも同様である。

単位照射器２１としては、例えばエキシマＵＶ（紫外線）ランプを採用できる。この単位照射器２１は、例えば放電用のガス（例えば希ガスまたは希ガスハロゲン化合物）を充填した石英管と、一対の電極とを備えている。放電用のガスは一対の電極間に存在している。一対の電極間に高周波で高電圧を印加することにより、放電用ガスが励起されてエキシマ状態となる。放電用ガスはエキシマ状態から基底状態へ戻る際に紫外線を発生する。

＜表面電位測定部＞
複数の表面電位測定部８（図２〜図４の例では、表面電位測定部８ａ〜８ｃ）は複数の領域Ｗ１ａ〜Ｗ１ｃ内の表面電位をそれぞれ測定する。つまり、表面電位測定部８ａ〜８ｃはそれぞれ領域Ｗ１ａ〜Ｗ１ｃに対応して設けられている。表面電位測定部８は例えば非接触式の表面電位計であり、紫外線照射器２と基板Ｗ１との間に配置されている。例えば表面電位測定部８はプローブを有している。プローブには電極が含まれている。測定時において、プローブの先端と基板Ｗ１の主面との間の距離は数［ｍｍ］（例えば５［ｍｍ］）以下程度に設定される。表面電位測定部８はプローブの電極に生じる電圧に基づいて、プローブと対向する部分の表面電位を測定する。

図２〜図４の例においては、表面電位測定部８ａは領域Ｗ１ａの中心とＺ方向において対向する位置に配置され、当該中心における表面電位を測定する。表面電位測定部８ｂは領域Ｗ１ｂ内の第１測定対象部分とＺ方向において対向する位置に配置されており、当該第１測定対象部分における表面電位を測定する。表面電位測定部８ｃは領域Ｗ１ｃ内の第２測定対象部分とＺ方向において対向する位置に配置されており、第２測定対象部分における表面電位を測定する。基板Ｗ１の中心、第１測定対象部分および第２測定対象部分は基板Ｗ１の径方向に沿ってこの順で並んでいる。つまり、表面電位測定部８ａ〜８ｃは基板Ｗ１の径方向に沿ってこの順で並んで配置されている。

表面電位測定部８は、例えば接地電位に対する表面電位を測定する。この場合、基板保持部１（具体的には基板Ｗ１との接触部、例えばピン）を電気的に接地してもよい。これにより、表面電位測定部８はより高い精度で基板Ｗ１に蓄えられた電荷量（つまり帯電量）を、表面電位として測定することができる。

＜移動機構＞
移動機構１２は基板保持部１をＺ方向に沿って移動させることができる。例えば移動機構１２は基板保持部１の下面１ｃに取り付けられている。この移動機構１２は、基板保持部１が紫外線照射器２に近い第１位置（図３参照）と、基板保持部１が紫外線照射器２から遠い第２位置（図２参照）との間で、基板保持部１を往復移動させることができる。後に説明するように、第１位置は、紫外線を用いた処理を基板Ｗ１に対して行うときの基板保持部１の位置であり、第２位置は、基板Ｗ１の授受を行うときの基板保持部１の位置である。移動機構１２には、例えば油圧シリンダ、一軸ステージまたはモータなどを採用し得る。移動機構１２はベローズによって周囲が覆われていてもよい。

＜筒部材および気体供給部＞
筒部材３は内周面３ａ、外周面３ｂ、上面３ｃおよび下面３ｄを有しており、筒状形状を有している。上面３ｃは、内周面３ａと外周面３ｂとを連結する面であって、紫外線照射器２側の面である。下面３ｄは、内周面３ａと外周面３ｂとを連結する面であって、紫外線照射器２とは反対側の面である。筒部材３の内周面３ａの径は基板保持部１の側面１ｂの径よりも大きい。図３を参照して、筒部材３は、基板保持部１が第１位置で停止した状態において、基板保持部１を外側から囲んでいる。

基板保持部１が第１位置で停止した状態（図３）において、紫外線照射器２が紫外線を照射する。これにより、紫外線を用いた処理が基板Ｗ１に対して行われる。その一方で、基板保持部１が第１位置で停止した状態では、基板Ｗ１の周囲が紫外線照射器２、筒部材３および基板保持部１によって囲まれる。したがって、この状態では基板Ｗ１を基板保持部１から容易に取り出すことができない。

そこで、移動機構１２は基板保持部１を第２位置に移動させる（図２）。これにより、基板保持部１は筒部材３の内周面３ａの内部から、紫外線照射器２に対して遠ざかる方向に退く。この第２位置において、基板Ｗ１は筒部材３の下面３ｄに対して鉛直下方側（紫外線照射器２とは反対側）に位置する。よって、インデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３は、筒部材３によって阻害されることなく、基板Ｗ１をＹ方向に沿って移動させて、基板Ｗ１を取り出すことができる。逆に、インデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３は、基板保持部１が第２位置で停止した状態で、基板Ｗを基板保持部１に載置することができる。

筒部材３には、貫通孔３２１，３２２が形成されている。貫通孔３２１，３２２は筒部材３を貫通して、紫外線照射器２と基板Ｗ１との間の作用空間Ｈ１に連通している。具体的には、貫通孔３２１，３２２の一端は筒部材３の上面３ｃにおいて開口している。当該開口部が形成された位置において、筒部材３の上面３ｃは空隙を介して紫外線照射器２と対向している。当該開口部の各々と紫外線照射器２との間の空間は作用空間Ｈ１に連続している。つまり、貫通孔３２１，３２２は作用空間Ｈ１と連通する。

貫通孔３２１，３２２の他端は筒部材３の外周面３ｂにおいて開口している。貫通孔３２１，３２２の他端は気体供給部４２に連結されている。具体的には、貫通孔３２１の他端は気体供給部４２ａに接続され、貫通孔３２２の他端は気体供給部４２ｂに接続されている。気体供給部４２ａ，４２ｂは酸素または不活性ガス（例えば窒素またはアルゴンなど）などの気体を、それぞれ貫通孔３２１，３２２を経由して作用空間Ｈ１に供給することができる。つまり、貫通孔３２１，３２２は給気用の経路として機能する。

気体供給部４２ａ，４２ｂの各々は、配管４２１、開閉弁４２２および気体収容器４２３を備えている。気体供給部４２ａ，４２ｂは配管４２１の接続先を除いて、互いに同一である。よって、まず共通する内容について述べる。気体収容器４２３は、作用空間Ｈ１へと供給すべき気体を収容している。気体収容器４２３は配管４２１の一端に連結される。開閉弁４２２は配管４２１に設けられて、配管４２１の開閉を切り替える。次に気体供給部４２ａ，４２ｂの配管４２１の他端の接続先について説明する。気体供給部４２ａの配管４２１の他端は貫通孔３２１の他端に連結され、気体供給部４２ｂの配管４２１の他端は貫通孔３２２の他端に連結される。

＜密閉空間＞
除電装置１０は密閉空間を形成してもよい。図２および図３の例においては、紫外線照射器２、筒部材３、隔壁５、床部５１および連結部材５２が互いに連結して、密閉空間を形成している。連結部材５２は筒状の部材であって、紫外線照射器２の外周側の面と、筒部材３の上面３ｃのうち外周側の部分とを連結している。貫通孔３２１，３２２の開口部は上面３ｃのうち内周側の部分に形成されており、紫外線照射器２の下面とＺ方向において空隙を介して対面する。隔壁５は筒部材３の下面３ｄと連結している。隔壁５はＺ方向に延在して床部５１に連結される。紫外線照射器２、筒部材３、隔壁５、床部５１および連結部材５２によって形成される密閉空間には、基板保持部１、移動機構１２および表面電位測定部８が収容される。

＜排気＞
隔壁５には、排気用の貫通孔５３が形成されている。この貫通孔５３はＸ方向に沿って隔壁５を貫通する。この貫通孔５３は排気部６１に連結されている。排気部６１は、例えば、貫通孔５３に連結される配管６１１などを備えている。除電装置１０の内部の空気は配管６１１を経由して外部へと排気される。

＜シャッタ＞
隔壁５には、基板Ｗ１用の出入り口として機能するシャッタ（不図示）が設けられている。シャッタが開くことにより、除電装置１０の内部と外部とが連通する。インデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３は、この開いたシャッタを介して基板Ｗ１を除電装置１０の内部に入れたり、また基板Ｗ１を取り出すことができる。除電装置１０がパス部１２２に設けられる場合には、インデクサロボット１２１用のシャッタと、搬送ロボット１２３用のシャッタとが設けられる。

＜制御部＞
紫外線照射器２、移動機構１２、気体供給部４２の開閉弁４２２およびシャッタは、制御部７によって制御される。また制御部７には、表面電位測定部８によって測定された表面電位Ｖａ〜Ｖｃが入力される。制御部７は表面電位Ｖａ〜Ｖｃに基づいて、複数の領域Ｗ１ａ〜Ｗ１ｃのそれぞれにおける照射量を制御する。このとき、制御部７は、照射量を制御する照射量制御手段として機能する。

制御部７は電子回路機器であって、例えばデータ処理装置および記憶媒体を有していてもよい。データ処理装置は例えばＣＰＵ(Central Processor Unit)などの演算処理装置であってもよい。記憶部は非一時的な記憶媒体（例えばＲＯＭ(Read Only Memory)またはハードディスク）および一時的な記憶媒体（例えばＲＡＭ(Random Access Memory)）を有していてもよい。非一時的な記憶媒体には、例えば制御部７が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。処理装置がこのプログラムを実行することにより、制御部７が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部７が実行する処理の一部または全部がハードウェアによって実行されてもよい。

＜除電装置の動作＞
図５は、除電装置１０の動作の一例を示すフローチャートである。移動機構１２は初期的には、基板保持部１を第２位置で停止させている（図２）。またここでは一例として排気部６１による排気は常時行われている。ステップＳ１にて、制御部７はシャッタを開いた上で、インデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３を制御して、基板Ｗ１を基板保持部１の上に配置し、シャッタを閉じる。次にステップＳ２にて、制御部７は例えば気体供給部４２（具体的には開閉弁４２２）を制御して、気体の供給を開始する。これにより、貫通孔３２１，３２２の開口部から気体が吐出される。気体としては、例えば窒素を採用することができる。なおステップＳ１，Ｓ２の実行順序は逆であってもよく、これらが並行して実行されてもよい。

次にステップＳ３にて、制御部７は移動機構１２を制御して、基板保持部１を紫外線照射器２へと近づけ、第１位置で停止させる。第１位置において、基板Ｗ１と紫外線照射器２との間の距離は例えば数［ｍｍ］から数十［ｍｍ］程度である。より具体的な一例としては、例えば２［ｍｍ］を採用できる。

次にステップＳ４にて、制御部７は紫外線照射器２に紫外線を照射させる。より具体的には、制御部７は単位照射器２１ａ〜２１ｃに紫外線を照射させる。なお制御部７は、作用空間Ｈ１の雰囲気が所定の雰囲気になったときに、ステップＳ３を実行してもよい。例えば制御部７はステップＳ２からの経過時間を計時する。経過時間の計時はタイマ回路などの計時回路によって行われ得る。制御部７はこの経過時間が所定の基準値よりも大きいか否かを判断し、肯定的な判断をしたときに、ステップＳ３を実行してもよい。あるいは、作用空間Ｈ１の雰囲気を計測し、制御部７は、作用空間Ｈ１の雰囲気が所定の雰囲気になっているか否かを、その計測値に基づいて判断してもよい。

単位照射器２１ａ〜２１ｃによる紫外線の照射によって、基板Ｗ１の電荷が時間の経過とともに低減する。つまり、基板Ｗ１の帯電量が低減する。その理由の一つは、基板Ｗ１に光電効果が生じるからである、と考えられている。紫外線の波長としては例えば２５２［ｎｍ］以下の波長を採用できる。この波長範囲において、基板Ｗ１の電荷を効果的に除去できるからである。より効果的な波長として、１７２±２０［ｎｍ］内の波長を採用できる。

次にステップＳ５にて、表面電位測定部８ａ〜８ｃはそれぞれ表面電位Ｖａ〜Ｖｃを測定し、測定した表面電位Ｖａ〜Ｖｃを制御部７へ出力する。制御部７はステップＳ６，Ｓ７の一組、ステップＳ８，Ｓ９の一組、および、ステップＳ１０，Ｓ１１の一組を実行する。ステップＳ６においては、制御部７は表面電位Ｖａの絶対値が基準値Ｖｒｅｆよりも低いか否かを判断する。基準値Ｖｒｅｆは例えば予め設定されており、零に近い値が採用される。ステップＳ６にて表面電位Ｖａが基準値Ｖｒｅｆよりも低くないと判断したときには、制御部７は後述のステップＳ１２を実行する。

表面電位Ｖａの絶対値が基準値Ｖｒｅｆよりも低いと判断したときには、ステップＳ７にて、制御部７は単位照射器２１ａによる紫外線の照射を停止する。この制御部７は、紫外線を制御する紫外線制御手段として機能する。これにより、領域Ｗ１ａへの紫外線の照射が停止される。したがって、紫外線の過剰な照射に起因した逆極性の電荷の蓄積を、領域Ｗ１ａにおいて抑制または回避できる。次に制御部７は後述のステップＳ１２を実行する。

ステップＳ８においては、制御部７は表面電位Ｖｂの絶対値が基準値Ｖｒｅｆよりも低いか否かを判断する。表面電位Ｖｂが基準値Ｖｒｅｆよりも低くないと判断したときには、制御部７は後述のステップＳ１２を実行する。表面電位Ｖｂの絶対値が基準値Ｖｒｅｆよりも低いと判断したときには、ステップＳ９にて、制御部７は単位照射器２１ｂによる紫外線の照射を停止する。これにより、領域Ｗ１ｂへの紫外線の照射が停止される。よって、紫外線の過剰な照射に起因した逆極性の電荷の蓄積を、領域Ｗ１ｂにおいて抑制または回避できる。次に制御部７は後述のステップＳ１２を実行する。

ステップＳ１０においては、制御部７は表面電位Ｖｃの絶対値が基準値Ｖｒｅｆよりも低いか否かを判断する。表面電位Ｖｂが基準値Ｖｒｅｆよりも低くないと判断したときには、制御部７は後述のステップＳ１２を実行する。表面電位Ｖｃの絶対値が基準値Ｖｒｅｆよりも低いと判断したときには、ステップＳ１１にて、制御部７は単位照射器２１ｃによる紫外線の照射を停止する。これにより、領域Ｗ１ｃへの紫外線の照射が停止される。したがって、紫外線の過剰な照射に起因した逆極性の電荷の蓄積を、領域Ｗ１ｃにおいて抑制または回避できる。次に制御部７は後述のステップＳ１２を実行する。

ステップＳ１２においては、制御部７は除電処理を終了するか否かを判断する。具体的には制御部７は、表面電位Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃの絶対値の全てが基準値Ｖｒｅｆよりも低いと判断したときには、処理を終了する。その一方で、表面電位Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃの絶対値の少なくともいずれか一つが基準値Ｖｒｅｆよりも低くないと判断したときには、制御部７は再びステップＳ５を実行する。

以上のように、制御部７は、単位照射手段２１ａ〜２１ｃの各々の紫外線の照射および停止を切り替えて、複数の領域Ｗ１ａ〜Ｗ１ｃのそれぞれに対する紫外線の照射量を制御するオン／オフ制御手段として機能する。これにより、領域Ｗ１ａ〜Ｗ１ｃへと紫外線を、それぞれの除電に適した照射量で照射することができる。したがって、各領域Ｗ１ａ〜Ｗ１ｃに対する紫外線の過剰な照射を抑制でき、当該過剰な照射に起因して蓄積される逆極性の電荷を抑制または回避することができる。

図５の動作によれば、表面電位測定部８ａ〜８ｃはそれぞれ単位照射器２１ａ〜２１ｃによる紫外線の照射中において表面電位Ｖａ〜Ｖｃを測定し（ステップＳ４，Ｓ５）、制御部７はこの表面電位Ｖａ〜Ｖｃに基づいて、それぞれ単位照射器２１ａ〜２１ｃの停止を決定する（ステップＳ６〜Ｓ１１）。つまり、照射中に各領域の表面電位をモニタしながら、その表面電位に基づいて照射の停止を領域ごとに決定する。これによれば、各領域Ｗ１ａ〜Ｗ１ｃにおいて、逆極性の電荷の蓄積をより確実に抑制または回避して、電荷を除去することができる。

＜除電装置の他の例＞
図６は、除電装置１０の他の一例たる除電装置１０Ａの構成を概略的に示す図である。除電装置１０Ａは紫外線照射器２の構成および回転機構１４の有無という点で除電装置１０と相違する。

＜回転機構＞
回転機構１４は基板保持部１を、ひいては基板Ｗ１を水平面において回転させる。具体的には、回転機構１４は、基板Ｗ１の中心を通り且つ基板Ｗ１の主面に垂直な軸を回転軸として、基板保持部１を回転させる。回転機構１４は例えばモータを有しており、その回転は制御部７によって制御される。

＜紫外線照射器＞
図７は、基板Ｗ１、紫外線照射器２および表面電位測定部８の構成の一例を概略的に示す図である。紫外線照射器２は複数の単位照射器２１（図では単位照射器２１Ａ〜２１Ｅ）を備えている。単位照射器２１Ａ〜２１Ｅは互いに同一形状を有している。より具体的には、単位照射器２１Ａ〜２１Ｅは、基板Ｗ１に水平な方向（図ではＹ方向）に延在する棒状の形状を有している。また単位照射器２１Ａ〜２１Ｅは並列に並べられている。具体的には、単位照射器２１Ａ〜２１ＥはＸ方向に沿って、この順で並んで配置されている。つまり、単位照射器２１Ａ，２１ＥはそれぞれＸ方向における両端に位置し、単位照射器２１ＣはＸ方向における中央に位置する。

単位照射器２１Ａ〜２１Ｅは基板Ｗ１の主面とＺ方向において対面する。具体的には、中央に位置する単位照射器２１Ｃは、基板Ｗ１のＸ方向の中央の領域Ｗ１Ｃと、Ｚ方向において対向する。より詳細には、単位照射器２１Ｃおよび基板Ｗ１のＸ方向における中心が互いに一致するように、単位照射器２１Ｃが配置される。つまり単位照射器２１Ａ〜２１Ｅは基板Ｗ１の中心に対して線対称に配置されている。Ｘ方向の両端に位置する単位照射器２１Ａ，２１Ｅは、基板Ｗ１のＸ方向における両端付近の領域Ｗ１Ａ，Ｗ１ＥとそれぞれＺ方向で対向する。単位照射器２１Ｂは領域Ｗ１Ａ，Ｗ１Ｃの間の領域Ｗ１ＢとＺ方向において対向し、単位照射器２１Ｄは領域Ｗ１Ｃ，Ｗ１Ｅの間の領域Ｗ１ＤとＺ方向において対向する。単位照射器２１Ａ〜２１Ｅの長手方向における長さは基板Ｗ１の直径よりも長い。

単位照射器２１Ａ〜２１Ｅは、主として、基板Ｗ１の主面のうち、自身と対向する領域Ｗ１Ａ〜Ｗ１Ｅに対して紫外線を照射する。以下では、説明の簡単のために、単位照射器２１Ａは領域Ｗ１Ａのみに紫外線を照射すると仮定する。単位照射器２１Ｂ〜２１Ｅも同様である。

＜表面電位測定部＞
図６および図７においては、複数の表面電位測定部８として表面電位測定部８Ａ〜８Ｃが示されている。表面電位測定部８Ａは基板Ｗ１の中心における表面電位ＶＡを測定する。表面電位測定部８Ｂは領域Ｗ１Ｄ内の所定の測定対象部分における表面電位ＶＢを測定する。表面電位測定部８Ｃは、領域Ｗ１Ｅ内の所定の測定対象部分における表面電位ＶＣを測定する。表面電位測定部８Ａ〜８Ｃは基板Ｗ１の径方向に沿ってこの順で並んで配置されている。よって、領域Ｗ１Ｄ，Ｗ１Ｅ内の測定対象部分も径方向に沿って並ぶ。

＜制御部＞
制御部７は、回転機構１４を制御して基板保持部１を、ひいては基板Ｗ１を回転させつつ、単位照射器２１Ａ〜２１Ｅに紫外線を照射させる。基板Ｗ１の回転速度は例えば１［ｒｐｍ］〜１０００［ｒｐｍ］程度に設定され得る。

図８は、単位照射器２１Ａ〜２１Ｅと基板Ｗ１との構成の一例を概略的に示している。図８においては、基板Ｗ１が回転していることを、基板Ｗ１の紙面右側の矢印で示している。以下で参照する図面においても適宜に同様の矢印が付記される。単位照射器２１Ａ〜２１Ｅが紫外線を照射しているときには、基板Ｗ１の主面の全領域に均一に紫外線が照射される。図８においては、基板Ｗ１の主面の全領域に紫外線が照射されていることを、基板Ｗ１の斜線のハッチングで示している。

ところで、図２８の表面電位の分布Ｖ３に鑑みて、基板Ｗ１の中央付近の電荷は基板Ｗ１の周縁付近に電荷に比べて除去しやすい、と考えることができる。そこで、基板Ｗ１の周縁付近への紫外線の照射量を、基板Ｗ１の中心付近への紫外線の照射量に比べて増大させることを企図する。

制御部７は基板Ｗ１を回転した状態で、中央の単位照射器２１Ｃによる紫外線の照射を停止させる。図９は、単位照射器２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｄ，２１Ｅと基板Ｗ１との構成の一例を概略的に示している。制御部７は単位照射器２１Ｃを停止させるので、図９においては、単位照射器２１Ｃの図示を省略している。

このとき、基板Ｗ１の主面のうち仮想円Ａ１よりも外側の領域には、単位照射器２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｄ，２１Ｅによって紫外線が照射される一方で、仮想円Ａ１の内側の領域には、紫外線が照射されない。この仮想円Ａ１は、単位照射器２１Ｂ，２１Ｄの互いに向かい合う面の両方に接する円である。このように単位照射器２１Ｃによる紫外線の照射停止により、仮想円Ａ１の内側の領域への紫外線の照射が停止される。よって、仮想円Ａ１の外側の領域への紫外線の照射量を、仮想円Ａ１の内側の領域への紫外線の照射量よりも増大できる。

なお仮想円Ａ１の外側の領域内の各点は、基板Ｗ１の回転によって、単位照射器２１Ｂ，２１Ｄの間に位置するときがある。このとき、当該点には紫外線が照射されない。一方で、基板Ｗ１の回転によって、当該点が単位照射器２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｄ，２１Ｅの直下に位置すると、当該点に紫外線が照射される。つまり、基板Ｗ１の１回転において、当該点は常に紫外線が照射される訳ではない。したがって、仮想円Ａ１の外側の領域における紫外線の照射量（基板Ｗ１の１回転当たりの照射量）は、単位照射器２１Ａ〜２１Ｅの全てが紫外線を照射する場合に比べれば、小さくなる。図８および図９においては、１回転当たりの照射量の大小を、基板Ｗ１に付記されるハッチングの粗密で模式的に示している。

制御部７は基板Ｗ１を回転した状態で、更に単位照射器２１Ｂ，２１Ｄによる紫外線の照射を停止させる。図１０は、単位照射器２１Ａ，２１Ｅと基板Ｗ１との構成の一例を概略的に示している。制御部７は単位照射器２１Ｂ〜２１Ｄによる紫外線の照射を停止するので、図１０においては、これらの図示を省略している。

このとき、基板Ｗ１の主面のうち仮想円Ａ２よりも外側の領域には、単位照射器２１Ａ，２１Ｅによって紫外線が照射される一方で、仮想円Ａ２の内側の領域では、紫外線が照射されない。仮想円Ａ２は、単位照射器２１Ａ，２１Ｅの互いに向かい合う面の両方に接する円である。仮想円Ａ２の径は仮想円Ａ１の径よりも大きい。つまり、単位照射器２１Ｂ〜２１Ｄによる紫外線の照射停止により、より広い仮想円Ａ２の内側の領域への紫外線の照射が停止される。よって、仮想円Ａ２の外側の領域、つまり、より周縁側の領域への紫外線の照射量を、仮想円Ａ２の内側の領域への紫外線の照射量よりも増大できる。

なお、仮想円Ａ２の外側の領域は常に紫外線が照射される訳ではない。仮想円Ａ２の外側の領域内の各点が単位照射器２１Ａ，２１Ｅの間に位置するときには、当該点には紫外線が照射されない。単位照射器２１Ｂ，２１Ｄも停止することにより、紫外線が照射されない範囲は広がるので、仮想円Ａ２の外側の領域への１回転当たり照射量は、図９の場合に比べて低減する。図９および図１０においては、１回転当たりの照射量の大小を、基板Ｗ１に付記されるハッチングの粗密で模式的に示している。

図１１は、除電装置１０Ａの動作の一例を示すフローチャートである。ここでは、基板Ｗ１の全面への紫外線の照射により、基板Ｗ１の中央付近の表面電位が周縁付近の表面電位よりも先に零に近づく場合を想定する。

ステップＳ２１〜Ｓ２３はステップＳ１〜Ｓ３とそれぞれ同一である。ステップＳ２３の次のステップＳ２４にて、制御部７は回転機構１４を制御して基板保持部１を、ひいては基板Ｗ１を回転させる。次にステップＳ２５にて、制御部７は単位照射器２１Ａ〜２１Ｅに紫外線を照射させる。これにより、基板Ｗ１の主面の全面に紫外線が照射される。次にステップＳ２６にて、表面電位測定部８Ａ〜８Ｃはそれぞれ表面電位ＶＡ〜ＶＣを測定し、測定した表面電位ＶＡ〜ＶＣを制御部７へと出力する。

次にステップＳ２７にて、制御部７は表面電位ＶＡの絶対値が基準値Ｖｒｅｆよりも低いか否かを判断する。表面電位ＶＡが基準値Ｖｒｅｆよりも低くないと判断したときには、制御部７はステップＳ２６を再び実行する。表面電位ＶＡの絶対値が基準値Ｖｒｅｆよりも低いと判断したときには、ステップＳ２８にて、制御部７は、中央の単位照射器２１Ｃによる紫外線の照射を停止する。これにより、仮想円Ａ１の内側の領域への紫外線の照射が停止される。よって、仮想円Ａ１の内側の領域において、紫外線の過剰な照射に起因した逆極性の電荷の蓄積を抑制または回避できる。

次にステップＳ２９にて、制御部７は表面電位ＶＢの絶対値が基準値Ｖｒｅｆよりも低いか否かを判断する。表面電位ＶＢが基準値Ｖｒｅｆよりも低くないと判断したときには、制御部７はステップＳ２６を再び実行する。表面電位ＶＢの絶対値が基準値Ｖｒｅｆよりも低いと判断したときには、ステップＳ３０にて、制御部７は単位照射器２１Ｂ，２１Ｄによる紫外線の照射を停止する。これにより、仮想円Ａ２の内側の領域への紫外線の照射が停止される。よって、仮想円Ａ２の内側の領域において、紫外線の過剰な照射に起因した逆極性の電荷の蓄積を抑制または回避できる。

次にステップＳ３１にて、制御部７は表面電位ＶＣの絶対値が基準値Ｖｒｅｆよりも低いか否かを判断する。表面電位ＶＣが基準値Ｖｒｅｆよりも低くないと判断したときには、制御部７はステップＳ２６を再び実行する。表面電位ＶＣの絶対値が基準値Ｖｒｅｆよりも低いと判断したときには、ステップＳ３２にて、制御部７は単位照射器２１Ａ，２１Ｅによる紫外線の照射を停止する。これにより、基板Ｗ１の主面への紫外線の照射が停止する。つまり、基板Ｗ１の除電処理が終了する。

除電装置１０Ａにおいても、上述のように、基板Ｗ１の主面の各領域へと紫外線を、それぞれの除電に適した照射量で照射することができる。これにより、各領域に対する紫外線の過剰な照射を抑制でき、当該過剰な照射に起因して蓄積される逆極性の電荷を抑制または回避することができる。

しかも除電装置１０Ａによれば、中央の単位照射器２１Ｃによる照射の停止により、仮想円Ａ１の内側の領域への紫外線の照射を停止するとともに、仮想円Ａ１の外側の領域の照射量を低減することができる（図９も参照）。同様に、単位照射器２１Ｂ〜２１Ｃによる照射の停止により、仮想円Ａ２の内側の領域への紫外線の照射を停止するとともに、仮想円Ａ２の外側の領域の照射量を更に低減することができる（図１０も参照）。これにより、周縁付近の電荷の除去速度を低減することができ、周縁付近の表面電位をより精度よく制御することができる。一方で、基板Ｗ１の中央付近における帯電量は初期的には大きい（図２８）ところ、初期における単位照射器２１Ａ〜２１Ｄの照射により、基板Ｗ１の中央付近の電荷を速やかに除去することができる。

なお上述の例では、Ｘ方向の中央から両側に向かって順に単位照射器２１を停止させているものの、必ずしもこれに限らない。要するに、制御部７は、各領域の表面電位が時間の経過とともに低減したときに、その表面電位に対応する単位照射器２１を停止させればよい。

＜表面電位の測定タイミング＞
上述の例においては、紫外線の照射中に表面電位を測定した。しかるに、表面電位測定部８は紫外線の照射前に表面電位を測定してもよい。この場合、制御部７はその表面電位に基づいて各領域の除電に要する必要照射量を決定する。表面電位と必要照射量との関係は、例えば実験またはシミュレーションによって予め設定することができる。この関係は例えば制御部７の記憶部などに記憶されていてもよい。そして、制御部７は、各単位照射器２１の照射時間を必要照射量に基づいて決定する。制御部７はこの照射時間に基づいて各単位照射器２１を制御してもよい。つまり、制御部７は単位照射器２１による紫外線の照射からの経過時間を計時し、その経過時間が、決定した照射時間を超えているときに、当該単位照射器２１による紫外線の照射を停止する。

これによっても、各単位照射器２１は各領域に適した照射量で紫外線を照射できる。よって、紫外線の過剰な照射に起因した逆極性の電荷の蓄積を抑制または回避できる。

またこの場合、表面電位測定部８は除電装置１０に必ずしも設けられる必要はない。表面電位測定部８は除電装置１０の外部に設けられて、基板Ｗ１の表面電位を測定してもよい。制御部７はこの表面電位の情報を例えば通信などで取得してもよい。

＜単位照射器２１の紫外線の強度＞
制御部７は複数の単位照射器２１を制御して、複数の単位照射器２１からの紫外線の強度を互いに異ならせてもよい。この場合、制御部７は強度制御部として機能する。例えば単位照射器２１の一対の電極は石英ガラスの外側に取り付けられる。この構造によれば、紫外線の強度が一対の電極間の電圧に依存する。制御部７はこの一対の電極間に可変の電圧を印加する。例えば単位照射器２１はインバータを有している。インバータは可変の振幅で交流電圧を出力する。振幅が高いほど、紫外線の強度は高い。

制御部７は例えば単位照射器２１ｃの紫外線の強度を、単位照射器２１ｂの紫外線の強度よりも高く制御し、単位照射器２１ｂの紫外線の強度を単位照射器２１ａの紫外線の強度よりも高く制御してもよい。これによれば、除電の遅い領域Ｗ１ｃに対して紫外線の強度を高くして、除電の速度を向上することができる。また、単位照射器２１ａの紫外線の強度を低くすることにより、消費電力を低減できる。

同様に、制御部７は例えば単位照射器２１Ａ，２１Ｅの紫外線の強度を、単位照射器２１Ｂ，２１Ｄの紫外線の強度よりも高く制御し、単位照射器２１Ｂ，２１Ｄの紫外線の強度を単位照射器２１Ｃの紫外線の強度よりも高く制御してもよい。

＜単位照射器の形状および表面電位測定部の配置＞
上述の例では、単位照射器２１は円状、リング状、または直線状（棒状）の形状を有していた。図１２は、紫外線照射器２の他の一例を概略的に示す斜視図である。単位照射器２１ａはＺ方向に見て、半円形状を有し、単位照射器２１ｂ，２１ｃは円弧状に延在している。つまり、単位照射器２１ｂ，２１ｃはＣ字状の形状を有していてもよい。単位照射器２１ａ〜２１ｃは異なる径を有している。具体的には、単位照射器２１ａの外径は、単位照射器２１ｂの内径よりも小さく、単位照射器２１ｂの外径は単位照射器２１ｃの内径よりも小さい。単位照射器２１ａ〜２１ｃは同心円状に配置されている。この場合であっても、基板Ｗ１を回転させることにより、単位照射器２１ａ〜２１ｃはそれぞれ領域Ｗ１ａ〜Ｗ１ｃの全領域へと紫外線を照射できる。

また、表面電位測定部８は半径方向に並んで配置される必要はない。例えば図１２に示すように、表面電位測定部８は直径方向に沿って並んで配置されてもよい。図１２においては複数の表面電位測定部８として、表面電位測定部８ａ〜８ｅが示されている。表面電位測定部８ａは基板Ｗ１の中心と対向する位置に配置されている。表面電位測定部８ａ〜８ｅは基板Ｗ１の直径方向に沿って並んで配置されている。具体的には、表面電位測定部８ｂ，８ｄは表面電位測定部８ａを挟む位置であって、領域Ｗ１ｂと対向する位置に配置されている。表面電位測定部８ｃ，８ｅは表面電位測定部８ａを挟む位置であって、領域Ｗ１ｃと対向する位置に配置されている。

領域Ｗ１ｂにおける表面電位として、表面電位測定部８ｂ，８ｄによって測定された表面電位の統計値(例えば平均値)を採用してもよい。つまり、制御部７は、表面電位測定部８ｂ，８ｄによって測定された表面電位の統計値の絶対値が基準値Ｖｒｅｆよりも低いときに、領域Ｗ１ｂに対応する単位照射器２１ｂ（あるいは、単位照射器２１Ｂ，２１Ｄ）を停止させてもよい。同様に、領域Ｗ１ｃにおける表面電位として、表面電位測定部８ｃ，８ｅによって測定された表面電位の統計値(例えば平均値)を採用してもよい。

また表面電位測定部８は十字状に配置されてもよい。図１３は、基板Ｗ１および表面電位測定部８の一例を概略的に示す図である。図１３の例においては、９個の表面電位測定部８として、表面電位測定部８ａ〜８ｉが示されており、これらは十字状に配置されている。表面電位測定部８ａは基板Ｗ１の中心と対向する位置に配置され、表面電位測定部８ａ〜８ｅはＸ方向に沿って並んで配置されており、８ａ，８ｆ〜８ｉはＹ方向に沿って並んで配置されている。表面電位測定部８ｂ，８ｄ，８ｆ，８ｇは領域Ｗ１ｂと対向し、表面電位測定部８ｃ，８ｅ，８ｈ，８ｉは領域Ｗ１ｃと対向する。

領域Ｗ１ｂにおける表面電位として、表面電位測定部８ｂ，８ｄ，８ｆ，８ｇによって測定された表面電位の統計値(例えば平均値)を採用してもよい。領域Ｗ１ｃにおける表面電位も同様である。

また複数の単位照射器２１が格子状に配置されていてもよい。図１４は、基板Ｗ１、紫外線照射器２および表面電位測定部８の一例を概略的に示す図である。複数の単位照射器２１は、Ｚ方向に見て矩形状の形状を有しており、これらが格子状に配置されている。複数の表面電位測定部８も、単位照射器２１に対応して格子状に配置されている。各表面電位測定部８は、基板Ｗ１の主面のうち、対応する単位照射器２１によって照射される領域内の表面電位を測定する。

制御部７は、表面電位測定部８によって測定された表面電位に基づいて、紫外線照射器２の紫外線の照射および停止を制御する。具体的には、制御部７は各表面電位測定部８によって測定された表面電位の絶対値が基準値Ｖｒｅｆよりも低いと判断したときに、対応する単位照射器２１を停止させる。

単位照射器２１はハニカム状に配置されてもよい。図１５は、基板Ｗ１、紫外線照射器２および表面電位測定部８の一例を概略的に示す図である。複数の単位照射器２１は、Ｚ方向に見て六角形の形状を有しており、これらがハニカム状に配置されている。複数の表面電位測定部８は、単位照射器２１に対向する位置に配置されている。各表面電位測定部８は、基板Ｗ１の主面のうち、対応する単位照射器２１によって照射される領域内の表面電位を測定する。

制御部７は、表面電位測定部８によって測定された表面電位に基づいて、紫外線照射器２の紫外線の照射および停止を制御する。具体的には、制御部７は各表面電位測定部８によって測定された表面電位の絶対値が基準値Ｖｒｅｆよりも低いと判断したときに、対応する単位照射器２１を停止させる。

第２の実施の形態．
図１６は、除電装置１０の一例たる除電装置１０Ｂの構成を概略的に示す図である。除電装置１０Ｂは、チャンバ５０、基板保持部１、回転機構１４、紫外線照射器２、測定ユニット８０、移動機構２２，８２、気体供給部４２および排気部６１を備えている。図１７は、基板Ｗ１、測定ユニット８０および紫外線照射器２の構成の一例を概略的に示す図である。

チャンバ５０は密閉空間を形成しており、基板保持部１、紫外線照射器２、測定ユニット８０、および、移動機構２２，８２を収容している。基板保持部１の具体的な一例は第１の実施の形態と同様である。

チャンバ５０の例えば天井部分には、貫通孔５４が形成されている。貫通孔５４は天井部分をＺ方向に沿って貫通する。この貫通孔５４は気体供給部４２に接続されている。気体供給部４２は貫通孔５４を経由して気体をチャンバ５０内へと供給する。この貫通孔５４は基板Ｗ１とＺ方向において対向しており、気体供給部４２からの気体は基板Ｗ１の主面上の作用空間に供給される。気体供給部４２の具体的な一例は第１の実施の形態と同様である。

チャンバ５０の例えば側壁には、貫通孔５３が形成されている。貫通孔５３は例えばＸ方向に沿って当該側壁を貫通している。貫通孔５３は排気部６１に接続されている。排気部６１はチャンバ５０内の空気を、貫通孔５３を経由して外部へと排気する。

チャンバ５０には、基板Ｗ１の出入り口として機能する開閉式のシャッタ（不図示）が形成される。シャッタは制御部７によって制御される。

測定ユニット８０は、棒状の部材８１と、複数の表面電位測定部８ａ〜８ｃとを備えている。部材８１はその長手方向がＹ方向に沿う姿勢で配置されている。表面電位測定部８ａ〜８ｃは部材８１の下方側（基板Ｗ１側）の面に取り付けられている。表面電位測定部８ａ〜８ｃはＹ方向において並んで設けられている。

移動機構８２は、次に説明する測定位置と非測定位置との間で、測定ユニット８０を移動させる。測定位置は、測定ユニット８０が基板Ｗ１の主面に対してＺ方向において所定距離で対向する位置である。所定距離は例えば数［ｍｍ］以下に設定され得る。図１８は、測定ユニット８０が測定位置で停止したときの、除電装置１０Ｂの構成の一例を概略的に示している。図１８においては、図の簡略化のために、移動機構２２，８２、気体供給部４２および排気部６１の図示を省略している。図１９は、測定ユニット８０が測定位置で停止したときの、基板Ｗ１、測定ユニット８０および紫外線照射器２の構成の一例を概略的に示す図である。

測定ユニット８０が測定位置で停止した状態において、表面電位測定部８ａ〜８ｃはＺ方向において基板Ｗ１の主面と対向する。具体的には、表面電位測定部８ａは基板Ｗ１の主面の中心とＺ方向において対向する。表面電位測定部８ａ〜８ｃはＹ方向に沿って並ぶので、表面電位測定部８ａ〜８ｃは基板Ｗ１の径方向に沿って並ぶことになる。つまり、表面電位測定部８ａ〜８ｃは径方向において異なる位置で、基板Ｗ１の主面の表面電位を測定する。表面電位測定部８ｃは表面電位測定部８ｂよりも基板Ｗ１の周縁側に位置している。

非測定位置は上記測定位置とは異なる位置であって、例えば測定ユニット８０が基板Ｗ１とＺ方向において対向しない位置である（図１６および図１７）。

移動機構８２には例えば油圧シリンダ、一軸ステージまたはモータなどを採用し得る。移動機構８２は制御部７によって制御される。

紫外線照射器２は紫外線を照射する。紫外線照射器２は例えばエキシマＵＶランプである。紫外線照射器２は例えば棒状の形状を有しており、その長手方向がＹ方向に沿う姿勢で配置されている。紫外線照射器２のＹ方向に沿う長さは基板Ｗ１の直径よりも長く、紫外線照射器２のＸ方向に沿う幅は基板Ｗ１の半径よりも短い。

移動機構２２は基板Ｗ１の上方において、紫外線照射器２を基板Ｗ１の主面に沿って（図ではＸ方向に沿って）移動させる。具体的には、移動機構２２は紫外線照射器２が基板Ｗ１とはＸ方向にずれた初期位置（図１６および図１７）から、紫外線照射器２をＸ方向に沿って基板Ｗ１側へと移動させる。そして移動機構２２は、基板Ｗ１のＸ方向における一端から少なくとも基板Ｗ１の中央まで紫外線照射器２を移動させる。移動機構２２には例えば油圧シリンダ、一軸ステージまたはモータなどを採用し得る。移動機構２２は制御部７によって制御される。

なお図１６においては、測定ユニット８０と紫外線照射器２とはＺ方向において同じ位置に配置されている。よって、制御部７はこれらが干渉しないように、移動機構２２，８２を制御する。

回転機構１４は第１の実施の形態と同様に、基板保持部１を、ひいては基板Ｗ１を回転させる。制御部７は、回転機構１４を制御して基板Ｗ１を回転させた状態で、紫外線照射器２に紫外線を照射させつつ、紫外線照射器２を基板Ｗ１のＸ方向の一端から少なくとも中央まで移動させる。図２０から図２５は、紫外線照射器２を移動させたときの様子の一例を概略的に示している。図２０、図２２および図２４は、除電装置１０Ｂの構成の一例を概略的に示しており、図２１、図２３および図２５は、基板Ｗ１、紫外線照射器２および測定ユニット８０の構成の一例を概略的に示している。

図２０および図２１においては、紫外線照射器２が基板Ｗ１のＸ方向における端付近に位置している。この場合、基板Ｗ１のうち仮想円Ｂ１の内側の領域では紫外線が照射されず、仮想円Ｂ１の外側の領域において紫外線が照射される。この仮想円Ｂ１は、基板Ｗ１の同心円であって、基板Ｗ１の中心側における紫外線照射器２の第１面２ａと接する円である。なお基板Ｗ１の１回転において、基板Ｗ１の周縁に近い部分ほど、長い距離で紫外線照射器２の直下を移動する。つまり、基板Ｗ１の周縁に近い部分ほど照射時間が長くなる。したがって、基板Ｗ１の周縁に近いほど紫外線の照射量（１回転当たりの照射量）は大きい。

図２２および図２３においては、紫外線照射器２がＸ方向において、基板Ｗ１の中心と周縁との間に位置している。この場合、基板Ｗ１のうち仮想円Ｂ２の内側の領域では紫外線が照射されず、仮想円Ｂ２の外側の領域において紫外線が照射される。仮想円Ｂ２は、基板Ｗ１の同心円であって、紫外線照射器２の第１面２ａと接する円である。紫外線照射器２は図２１と比べて基板Ｗ１の中心側に位置しているので、仮想円Ｂ２の径は仮想円Ｂ１よりも狭い。言い換えれば、より広い領域に紫外線を照射できる。

ここで仮想円Ｂ２１を導入する。仮想円Ｂ２１は基板Ｗ１の同心円であって、基板Ｗ１の周縁側における紫外線照射器２の第２面２ｂに接する円である。この仮想円Ｂ２１上の点は、基板Ｗ１の回転に伴って、最も長い距離で紫外線照射器２の直下を移動する。つまり、仮想円Ｂ２１に近い部分ほど紫外線の照射時間が長くなる。よって、仮想円Ｂ２１に近いほど紫外線の照射量（１回転当たりの照射量）は大きい。つまり、紫外線照射器２が基板Ｗ１の中心側に移動することにより、１回転当たりの照射量の大きい領域も基板Ｗ１の中心側に移動することになる。

図２４および図２５においては、紫外線照射器２が基板Ｗ１の中心に位置している。この場合、基板Ｗ１の全域において紫外線が照射される。ここで仮想円Ｂ３を導入する。仮想円Ｂ３は基板Ｗ１の同心円であって、紫外線照射器２の第１面２ａおよび第２面２ｂに接する円である。仮想円Ｂ３の内側の領域は常に紫外線が照射されるので、この領域における１回転当たりの照射量が他の領域に比べて大きくなる。

以上のように、紫外線照射器２の移動とともに、１回転当たりの照射量の大きい領域が移動する。

制御部７は、移動機構２２による紫外線照射器２の移動速度を制御することができる。これにより、基板Ｗ１へ照射される紫外線の照射量を制御することができる。例えば制御部７は移動速度を低くすることで、紫外線照射器２による基板Ｗ１上の滞在時間を長くすることができる。これにより、基板Ｗ１への紫外線の照射量を増大できる。逆に、制御部７は移動速度を高くすることにより、基板Ｗ１への紫外線の照射量を低減できる。

しかも、制御部７は、基板Ｗ１に対する紫外線照射器２の位置に応じて、移動速度を制御する。つまり、制御部７は、移動速度のパターン（移動速度の位置に応じた変化パターン）を制御する速度制御手段として機能する。換言すれば、制御部７は、基板Ｗ１に対する各位置の照射量を移動速度によって制御する。例えば制御部７は、紫外線照射器２がＸ方向において基板Ｗ１の端付近に位置する（図２０および図２１）ときの移動速度を、紫外線照射器２が基板Ｗ１の中央付近に位置するとき（図２４および図２５）の移動速度よりも低くすることができる。これによれば、紫外線照射器２が基板Ｗ１の周縁付近に滞在する時間を長くすることができる。つまり、基板Ｗ１の周縁付近の領域に対する照射時間を増大できる。したがって、周縁付近の領域へ照射される紫外線の照射量を増大することができる。

制御部７は、紫外線照射前において表面電位測定部８ａ〜８ｃによって測定された表面電位Ｖａ〜Ｖｃに基づいて、紫外線照射器２の移動速度のパターンを制御する。つまり、紫外線照射前の表面電位Ｖａ〜Ｖｃに基づいて、基板Ｗ１の各位置の電荷の除去に必要な紫外線の必要照射量を決定し、各位置においてその照射量で紫外線を照射すべく、紫外線照射器２の各位置における移動速度を決定するのである。表面電位Ｖａ〜Ｖｃの各々と各位置における必要照射量との関係は例えば予め設定されて、制御部７の記憶部などに記憶される。

ここで、紫外線照射器２の位置について複数の領域を設定する。図２６はこの領域を示す図である。図２６の例においては、領域Ｒ１，Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ３１，Ｒ３２が示されている。これらの領域はＹ方向に延びる領域であって、Ｘ方向において隣接して配置されている。領域Ｒ１は基板Ｗ１の中心を含む領域であり、領域Ｒ１のＸ方向の中心が基板Ｗ１の中心と一致する。領域Ｒ３１は基板Ｗ１のＸ方向の一方の端に位置する領域であり、領域Ｒ３２は基板Ｗ１のＸ方向の他方の端に位置する領域である。領域Ｒ２１は領域Ｒ１，Ｒ３１の間に位置し、領域Ｒ２２は領域Ｒ１と領域Ｒ３２との間に位置する。領域Ｒ１，Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ３１，Ｒ３２のＸ方向に沿う幅は互いに等しく設定されている。

以下では、紫外線照射器２のＸ方向における中心が、領域Ｒ１内に位置するときに、紫外線照射器２が領域Ｒ１に位置する、と定義する。領域Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ３１，Ｒ３２も同様である。

次に、領域Ｒ１，Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ３１，Ｒ３２と、表面電位測定部８ａ〜８ｃとの関係ついて述べる。表面電位測定部８ａは、測定ユニット８０が測定位置で停止した状態（図１９）で、基板Ｗ１の中心と対向する位置に配置されている。この位置は領域Ｒ１に含まれる。

表面電位測定部８ｂは領域Ｒ２１，Ｒ２２に対応して設けられる。具体的には、測定ユニット８０が測定位置で停止した状態において、表面電位測定部８ｂの測定対象部分を基板Ｗ１の中心に対して±９０度回転させた部分８１ｂ，８２ｂは、それぞれ領域Ｒ２１，Ｒ２２内に含まれる。表面電位の対称性から、表面電位は周方向においてほぼ同一であると考えられるので、表面電位測定部８ｂは領域Ｒ２１，Ｒ２２内の部分８１ｂ，８２ｂの表面電位を測定している、と考えることができる。

表面電位測定部８ｃは領域Ｒ３１，Ｒ３２に対応して設けられている。具体的には、測定ユニット８０が測定位置で停止した状態において、表面電位測定部８ｃの測定対象部分を基板Ｗ１の中心に対して±９０度回転させた部分８１ｃ，８２ｃは、それぞれ領域Ｒ３１，Ｒ３２内に含まれる。表面電位の対称性から、表面電位は周方向においてほぼ同一であると考えられるので、表面電位測定部８ｃは領域Ｒ３１，Ｒ３２内の部分８１ｃ，８２ｃの表面電位を測定している、と考えることができる。

次に移動速度の決定方法の一例について述べる。ここでは、紫外線照射器２が領域Ｒ３１から領域Ｒ１へと移動し、領域Ｒ１で停止する場合を考慮する。この場合、制御部７は領域Ｒ１，Ｒ２１，Ｒ３１における紫外線照射器２の移動速度を決定する。

ところで、基板Ｗ１の中心付近の領域は、紫外線照射器２が基板Ｗ１の中心付近に位置するときのみ、紫外線が照射される。例えば図２１および図２３に示すように、紫外線照射器２が基板Ｗ１の中心から離れているときには、基板Ｗ１の中心付近の領域には、紫外線が照射されない。つまり、紫外線照射器２は、基板Ｗ１の中心付近の領域の除電に要する必要照射量を、領域Ｒ１に位置する第１期間において照射する必要がある。

そこで制御部７は、領域Ｒ１における移動速度を、基板Ｗ１の中心の表面電位Ｖａに基づいて決定する。具体的には、制御部７は、基板Ｗ１の中心付近の領域の除電に必要な必要照射量Ｕａを表面電位Ｖａに基づいて決定し、その必要照射量Ｕａを第１期間において照射できるように、領域Ｒ１における移動速度を決定する。表面電位Ｖａ〜Ｖｃと各領域の必要照射量との関係は、上述のように、例えば実験またはシミュレーションによって予め設定されている。

紫外線照射器２が領域Ｒ２１に位置するときには、表面電位測定部８ｂの測定対象部分を含むリング状の領域（リング領域とも呼ぶ）に対して、より大きな照射量（１回転当たりの照射量）で紫外線を照射することができる（図２３も参照）。よって、簡単に考えれば、このリング領域は、主として紫外線照射器２が領域Ｒ２１に位置する第２期間において、除電される。

そこで、制御部７は、第１リング領域の除電に要する必要照射量Ｕｂを表面電位Ｖｂに基づいて決定し、その必要照射量Ｕｂを第２期間において照射できるように、領域Ｒ２１における移動速度を決定する。

或いは、紫外線照射器２が領域Ｒ１に位置するときにリング領域に照射される紫外線の照射量も勘案して、領域Ｒ２１における移動速度を決定してもよい。さて、領域Ｒ１における移動速度が低いほど、第１期間においてリング領域に照射される照射量は大きい。そして、表面電位Ｖａが高いほど領域Ｒ１における移動速度が低いことに鑑みると、表面電位Ｖａが高いほど、第１期間においてリング領域に照射される照射量は大きい、と考えることができる。換言すると、表面電位Ｖａが高いほど、第２期間において照射すべき照射量は低減する。

そこで、制御部７は領域Ｒ２１における移動速度を、表面電位Ｖａ，Ｖｂに基づいて決定してもよい。具体的には、制御部７は表面電位Ｖｂが高いほど、領域Ｒ２１の移動速度を低く設定するとともに、表面電位Ｖａが高いほど、領域Ｒ２１における移動速度を増大する補正を行ってもよい。

紫外線照射器２が領域Ｒ３１に位置するときには、表面電位測定部８ｃの測定対象部分を含む周縁領域に対して、より大きな照射量（１回転当たりの照射量）で紫外線を照射することができる（図２５も参照）。よって、簡単に考えれば、この周縁領域は主として紫外線照射器２が領域Ｒ３１に位置する第３期間において、除電される。

そこで、制御部７は、周縁領域の除電に要する必要照射量Ｕｃを、表面電位Ｖｃに基づいて決定し、その必要照射量Ｕｃを与えるように、領域Ｒ３１における移動速度を決定する。

或いは、紫外線照射器２が領域Ｒ１，Ｒ２１に位置するときに周縁領域に照射される紫外線の照射量も勘案して、領域Ｒ３１における移動速度を決定してもよい。さて、領域Ｒ１，Ｒ２１における移動速度が低いほど、第１期間および第２期間において周縁領域に照射される照射量は大きい。そして、表面電位Ｖａ，Ｖｂが高いほど、それぞれ領域Ｒ１，Ｒ２１における移動速度が低いことに鑑みると、表面電位Ｖａ，Ｖｂが高いほど、それぞれ第１期間および第２期間において周縁領域に照射される照射量は大きい。換言すると、表面電位Ｖａが高いほど、第３期間において照射すべき照射量は低減し、表面電位Ｖｂが高いほど、第３期間において照射すべき照射量は低減する。

そこで、制御部７は領域Ｒ３１における移動速度を、表面電位Ｖａ〜Ｖｃに基づいて決定してもよい。具体的には、制御部７は表面電位Ｖｃが高いほど、領域Ｒ３１の移動速度を低く設定するとともに、表面電位Ｖａ，Ｖｂの各々が高いほど、領域Ｒ３１の移動速度を増大する補正を行ってもよい。

図２７は、除電装置１０Ｂの動作の一例を示すフローチャートである。初期的には、紫外線照射器２および測定ユニット８０は基板Ｗ１に対して同じ側に位置している。ステップＳ４１，Ｓ４２はそれぞれステップＳ１，Ｓ２と同一である。ステップＳ４２の次のステップＳ４３にて、制御部７は移動機構８２を制御して、測定ユニット８０を測定位置まで移動させる（図１９）。次にステップＳ４４にて、制御部７は回転機構１４を制御して基板保持部１を、ひいては基板Ｗ１を回転させる。次にステップＳ４５にて、表面電位測定部８ａ〜８ｃは表面電位Ｖａ〜Ｖｃをそれぞれ測定する。ステップＳ４５において、基板Ｗ１が回転しているので、制御部７は、複数のタイミングで表面電位Ｖａ〜Ｖｃを測定し、その統計値（例えば平均値など）を表面電位Ｖａ〜Ｖｃとして採用してもよい。

次にステップＳ４６にて、制御部７は、測定した表面電位Ｖａ〜Ｖｃに基づいて、紫外線照射器２の移動速度のパターンを決定する。ここでいう移動速度のパターンとは、紫外線照射器２の位置と移動速度との関係を示している。例えば制御部７は領域Ｒ１，Ｒ２１，Ｒ３１における移動速度を決定する。

次にステップＳ４７にて、制御部７は測定ユニット８０を非測定位置まで移動させる。具体的には、制御部７は測定ユニット８０をＸ方向に沿って、紫外線照射器２とは反対側に移動させて、測定ユニット８０を基板Ｗ１と対向しない非測定位置で停止させる。これにより、紫外線照射器２を移動させても、測定ユニット８０と衝突しない。なおステップＳ４６，Ｓ４７の実行順序は逆でもよく、これらを並行して実行してもよい。

次にステップＳ４８にて、制御部７は、決定した移動速度のパターンで紫外線照射器２を移動させる。これにより、紫外線照射器２からの紫外線が適宜に基板Ｗ１の主面に照射される。しかも、基板Ｗ１の各位置に適した照射量で紫外線が照射される。よって、紫外線の過剰な照射に起因した逆極性の電荷の蓄積を抑制または回避できる。

上述の例においては、制御部７は移動機構２２を制御して、紫外線照射器２を基板Ｗ１の端から中央まで移動させているものの、紫外線照射器２を基板Ｗ１の端から端まで移動させてもよい。つまり、紫外線照射器２を領域Ｒ３１，Ｒ２１，Ｒ１，Ｒ２２，Ｒ３２をこの順で経由して基板Ｗ１の主面に紫外線を照射してもよい。

第２の実施の形態においても、紫外線の照射中に、表面電位を測定してもよい。例えば紫外線照射器２と基板Ｗ１との間であって、Ｙ方向における基板Ｗ１の中心と対向する位置に単一の表面電位測定部８を配置してもよい。そして、紫外線照射器２と表面電位測定部８との位置関係を固定し、これらを一体に移動させてもよい。あるいは、Ｘ方向において紫外線照射器２と隣接する位置に表面電位測定部８を設け、これらを一体に移動させてもよい。そして、制御部７は、紫外線照射中に測定した表面電位に基づいて、紫外線照射器２をＸ方向に移動させてもよい。

＜表面電位測定部８＞
表面電位測定部８は除電装置１０に必ずしも設けられる必要はない。表面電位測定部８は除電装置１０の外部に設けられて、基板Ｗ１の表面電位を測定してもよい。制御部７はこの表面電位の情報を例えば通信などで取得してもよい。

＜移動機構＞
移動機構２２，８２はそれぞれ紫外線照射器２および測定ユニット８０を移動させているものの、必ずしもこれに限らない。例えば一つの移動機構を設け、この移動機構が基板保持部１をＸ方向に移動させてもよい。これによっても、紫外線照射器２および測定ユニット８０の各々と、基板保持部１とをＸ方向に沿って相対的に移動させることができる。

１ 基板保持手段（基板保持部）
２ 紫外線照射手段（紫外線照射器）
２１ 単位照射手段（単位照射器）
７ 制御手段（制御部）
８ 表面電位測定手段（表面電位測定部）
１０ 除電装置
１２ 移動手段（移動機構）
１４ 回転手段（回転機構）

Claims (12)

1. 帯電した基板に対して、その帯電量を低減する処理を行う除電装置であって、
   基板を保持する基板保持手段と、
   基板の主面を分割した複数の領域の相互間について異なる照射量で、基板の前記複数の領域に対して紫外線を照射可能な紫外線照射手段と、
   を備える、除電装置。
2. 請求項１に記載の除電装置であって、
   前記複数の領域に対する前記紫外線照射手段からの紫外線の照射量は可変であり、
   前記除電装置は、
   前記複数の領域内の表面電位をそれぞれ測定する複数の表面電位測定手段と、
   前記複数の領域のそれぞれにおける照射量を、前記複数の表面電位測定手段によって測定された表面電位に応じて制御する照射量制御手段と
   を更に備える、除電装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の除電装置であって、
   前記紫外線照射手段は複数の単位照射手段を有し、
   前記複数の単位照射手段は前記複数の領域にそれぞれ紫外線を照射する、除電装置。
4. 請求項２に記載の除電装置であって、
   前記紫外線照射手段を制御する紫外線制御手段を備え、
   前記紫外線照射手段は複数の単位照射手段を有し、
   前記複数の単位照射手段は前記複数の領域にそれぞれ紫外線を照射し、
   前記複数の表面電位測定手段は、前記紫外線照射手段による紫外線の照射中において、基板の主面の表面電位を測定し、
   前記紫外線制御手段は、
   前記複数の表面電位測定手段の一つによって測定された前記複数の領域の一つにおける表面電位の絶対値が、基準値よりも低いか否かを判断し、
   前記複数の領域の前記一つにおける表面電位の絶対値が前記基準値よりも低いと判断したときに、前記複数の単位照射手段のうち前記複数の領域の前記一つに対応した単位照射手段を停止させる、除電装置。
5. 請求項３または請求項４に記載の除電装置であって、
   前記複数の単位照射手段は、互いに異なる径を含む円弧状またはリング状の形状を有しており、前記複数の単位照射手段は同心円状に配置されている、除電装置。
6. 請求項３または請求項４に記載の除電装置であって、
   基板の主面に垂直な軸を回転軸として、前記基板保持手段を回転させる回転手段を更に備え、
   前記複数の単位照射手段は、基板の主面に平行な第１方向に延在する棒状の形状を有しており、基板の主面に平行かつ前記第１方向に垂直な第２方向に沿って並んで配置される、除電装置。
7. 請求項３から請求項６のいずれか一つに記載の除電装置であって、
   前記複数の単位照射手段の各々の紫外線の照射および停止を切り替えて、前記複数の領域のそれぞれに対する紫外線の照射量を制御するオン／オフ制御手段を更に備える、除電装置。
8. 請求項３から請求項７のいずれか一つに記載の除電装置であって、
   前記複数の単位照射手段を制御して、前記複数の単位照射手段の各々から照射される紫外線の強度を制御する強度制御手段を更に備える、除電装置。
9. 請求項２に記載の除電装置であって、
   基板の主面に沿う方向に前記紫外線照射手段および前記基板保持手段を相対的に移動させる第１移動手段と、
   基板の主面に垂直な軸を回転軸として、前記基板保持手段を回転させる回転手段と、
   前記第１移動手段を制御して、前記紫外線照射手段と前記基板保持手段との間の相対的な移動速度のパターンを、前記複数の表面電位測定手段によって測定された表面電位に基づいて制御する速度制御手段と
   を更に備える、除電装置。
10. 請求項９に記載の除電装置であって、
    前記複数の表面電位測定手段が基板の主面に対向する位置と、前記複数の表面電位測定手段が基板の主面に対向しない位置との間で、前記複数の表面電位測定手段と前記基板保持手段とを相対的に移動させる第２移動手段を更に備える、除電装置。
11. 帯電した基板の帯電量を低減する除電方法であって、
    基板保持手段に基板を配置する第１工程と、
    紫外線照射手段が、基板の主面を分割した複数の領域について異なる照射量で、基板の前記複数の領域に対して紫外線を照射する第２工程と
    を備える、除電方法。
12. 請求項１１に記載の除電方法であって、
    前記第２工程は、
    前記紫外線照射手段に含まれる複数の単位照射手段が前記複数の領域にそれぞれ紫外線の照射を開始する工程と
    前記紫外線照射手段による紫外線の照射中において、複数の表面電位測定手段が基板の主面の表面電位を測定する工程と、
    前記複数の表面電位測定手段の一つによって測定された前記複数の領域の一つにおける表面電位の絶対値が、基準値よりも低いか否かを判断する工程と、
    前記複数の領域の前記一つにおける表面電位の絶対値が前記基準値よりも低いと判断したときに、前記複数の単位照射手段のうち前記複数の領域の前記一つに対応した単位照射手段を停止させる工程と
    を含む、除電方法。

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