JP6896576B2 - ガスセンサおよびその製造方法 - Google Patents
ガスセンサおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6896576B2 JP6896576B2 JP2017180740A JP2017180740A JP6896576B2 JP 6896576 B2 JP6896576 B2 JP 6896576B2 JP 2017180740 A JP2017180740 A JP 2017180740A JP 2017180740 A JP2017180740 A JP 2017180740A JP 6896576 B2 JP6896576 B2 JP 6896576B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- insulating layer
- cavity
- gas sensor
- sensor according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 122
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 122
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 56
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-3-(trifluoromethyl)pyrrolidin-1-ium-3-carboxylate Chemical compound C1C(C(=O)O)(C(F)(F)F)CCN1CC1=CC=CC=C1 BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000239290 Araneae Species 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0022—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment using a number of analysing channels
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
- G01N27/226—Construction of measuring vessels; Electrodes therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
- G01N25/20—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating the development of heat, i.e. calorimetry, e.g. by measuring specific heat, by measuring thermal conductivity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
- G01N27/221—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance by investigating the dielectric properties
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
- G01N27/227—Sensors changing capacitance upon adsorption or absorption of fluid components, e.g. electrolyte-insulator-semiconductor sensors, MOS capacitors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
- G01N33/0036—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
- G01N33/005—H2
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
- G01N27/221—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance by investigating the dielectric properties
- G01N2027/222—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance by investigating the dielectric properties for analysing gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
図1は、第1の実施形態に係る水素センサを模式的に示す断面図である。図2Aは、本実施形態に係る水素センサを模式的に示す平面図である。図1の断面図は図2Aの平面図の1−1線に沿った断面図に対応する。図2Bは、本実施形態に係る水素センサの上部電極5aを含む領域を模式的に示す平面図である。図2BCは、本実施形態に係る水素センサのヒーター11を含む領域を模式的に示す平面図である。本実施形態に係る水素センサは、MEMSキャパシタを利用する容量型水素センサであり、ガス状の水素を検出する。
図17は、第2の実施形態に係る水素センサを模式的に示す断面図である。
図19は、第3の実施形態に係る水素センサを模式的に示す断面図である。
図23は、第4の実施形態に係る水素センサを模式的に示す平面図である。本実施形態の水素センサの断面図は、例えば、図19(第3の実施形態)の断面図に対応する。すなわち、本実施形態の水素センサは、可動構造が水素アクチュエータと上部電極部とに分かれている水素センサに関するものであり、本実施形態の水素センサの平面パターン(平面形状)は、第3の実施形態のそれとは異なっている。
図25は、第5の実施形態に係る水素センサを模式的に示す平面図である。
基板領域と、
前記基板領域上に設けられた第1の電極と、
前記第1の電極の上方に設けられており、所定のガスを吸収または吸着することで変形する変形部材、前記変形部材を加熱するための加熱部材および第2の電極を含む可動構造と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた第1の空洞領域と、
前記基板領域に設けられ、前記第1の空洞領域に連通する第2の空洞領域と
を具備してなることを特徴とするガスセンサ。
前記基板領域は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた第1の絶縁層とを含み、
前記第2の空洞領域は前記第1の絶縁層に設けられていることを特徴とする付記1に記載のガスセンサ。
前記第2の空洞領域を規定する前記第1の絶縁層の側面はテーペー状の形状を有することを特徴とする付記2に記載のガスセンサ。
前記第1の絶縁層上に設けられた第2の絶縁層をさらに具備してなり、
前記第2の絶縁層には、前記第1の空洞領域と前記第2の空洞領域とを連通する貫通孔が設けられていることを特徴とする付記2または3に記載のガスセンサ。
前記第1の電極は前記第2の絶縁層上に固定されていることを特徴とする付記4に記載のガスセンサ。
前記第1の電極から前記可動構造に向かう方向における前記第2の空洞領域の距離は、前記方向における前記第1の空洞領域の距離よりも大きいことを特徴とする付記5に記載のガスセンサ。
前記基板領域は半導体基板を含み、
前記第2の空洞領域は前記半導体基板に設けられていることを特徴とする付記1に記載のガスセンサ。
前記可動構造は、少なくとも一つの可動部と、電極部とを含み、
前記少なくとも一つの可動部の各々の下方には前記第2の空洞領域が設けられていることを特徴とする付記1ないし6のいずれか1項に記載のガスセンサ。
前記少なくとも一つの可動部は第1の可動部と第2の可動部とを含み、前記電極部は前記第1の可動部と前記第2の可動部との間に設けられていることを特徴とする付記8に記載のガスセンサ。
前記少なくとも一つの可動部の各々は前記変形部材および前記加熱部材を含み、前記電極部は前記第2の電極を含み、かつ、前記変形部材を含まないことを特徴とする付記8または9に記載のガスセンサ。
少なくとも一つのばね部をさらに具備してなり、前記少なくとも一つの可動部にはそれぞれ前記少なくとも一つのばね部が接続されており、前記少なくとも一つのばね部の各々は前記第1の空洞領域の熱抵抗と前記第2の空洞領域の熱抵抗との和よりも大きいことを特徴とする付記8ないし10のいずれか1項に記載のガスセンサ。
前記少なくとも一つのばね部の各々は直線状の形状を有することを特徴とする付記11に記載のガスセンサ。
前記少なくとも一つのばね部の各々は引張り応力を有することを特徴とする付記11または12に記載のガスセンサ。
前記少なくとも一つの可動部および前記少なくとも一つのばね部はそれらの上方から見て回転対称な構造を有することを特徴とする付記11ないし13のいずれか1項に記載のガスセンサ。
前記所定のガスは水素を含むことを特徴とする付記1ないし14のいずれか1項に記載のガスセンサ。
前記変形部材は、パラジウム、パラジウムを含有する合金もしくは当該合金に銅(Cu)およびシリコン(Si)を含有させた合金、チタンを含有する合金、ランタンを含有する合金、または、金属ガラスを具備することを特徴とする付記15に記載のガスセンサ。
前記可動構造は、前記変形部材の変形に対応して前記第1の電極と前記第2の電極との間隔が変化するように可動することを特徴とする付記1ないし16に記載のガスセンサ。
半導体基板上に第1の絶縁層、第2の絶縁層、第1の電極を順次形成する工程と、
前記第2の絶縁層および前記第1の電極の上に第3の絶縁層を形成する工程と、
前記第3の絶縁層および前記第2の絶縁層を貫通して前記第1の絶縁層に達する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を埋め込むように、前記第1の絶縁層、前記第3の絶縁層の上に第4の絶縁層を形成する工程と、
前記第4の絶縁層上に、所定のガスを吸収または吸着することで変形する変形部材、前記変形部材を加熱するための加熱部材および第2の電極を含む可動構造を形成する工程と、
前記第4の絶縁層を除去するとともに、前記第1の絶縁層の一部を除去することにより、前記第1の電極と前記第2の電極との間に第1の空洞領域を形成するとともに、前記第1の空洞領域と連通する第2の空洞領域を形成する工程と
を具備してなることを特徴とするガスセンサの製造方法。
前記第1および第4の絶縁層は第1の材料を含み、前記第2および第3の絶縁層は前記第1の材料とは種類が異なる第2の材料を含むことを特徴とする付記18に記載のガスセンサの製造方法。
前記第1および第2の空洞領域を形成する工程は、前記第1および第4の絶縁層のエッチングレートが前記第2および第3の絶縁層のエッチングレートよりも高くなる条件で、前記第1および第4の絶縁層をエッチングする工程を含むことを特徴とする付記19に記載のガスセンサの製造方法。
Claims (13)
- 基板と、
前記基板に設けられた第1の電極と、
前記基板および前記第1の電極から離間して配置された可動構造であって、第1のガスを吸収または吸着すると変形する変形部材、前記変形部材を加熱する加熱部材および前記変形部材の変形に応じて前記第1の電極との間隔が変化し、前記間隔の変化に応じて前記第1の電極との間のキャパシタンスが変化する第2の電極を含む可動構造と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の前記キャパシタンスを検出可能な検出回路と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた空洞と
を具備し、
前記基板は、半導体基板と、前記半導体基板に設けられた絶縁層とを含み、
前記半導体基板は、前記絶縁層の一部が露出する貫通孔を有し、
前記第1の電極は、前記絶縁層と前記空洞との間に配置されるガスセンサ。 - 基板と、
前記基板に設けられた第1の電極と、
前記基板および前記第1の電極から離間して配置された可動構造であって、第1のガスを吸収または吸着すると変形する変形部材、前記変形部材を加熱する加熱部材および前記変形部材の変形に応じて前記第1の電極との間隔が変化し、前記間隔の変化に応じて前記第1の電極との間のキャパシタンスが変化する第2の電極を含む可動構造と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の前記キャパシタンスを検出可能な検出回路と
を具備するガスセンサ。 - 基板と、
前記基板に設けられた第1の電極と、
前記基板および前記第1の電極から離間して配置された可動構造であって、第1のガスを吸収または吸着すると変形する変形部材、前記変形部材を加熱する加熱部材および前記変形部材の変形に応じて前記第1の電極との間隔が変化し、前記間隔の変化に応じて前記第1の電極との間のキャパシタンスが変化する第2の電極を含む可動構造と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の前記キャパシタンスを検出可能な検出回路と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた第1の空洞と、
前記基板に設けられ、前記第1の空洞と繋がっている第2の空洞と
を具備するガスセンサ。 - 前記可動構造は、第1の可動部と、電極部とを含み、
前記第1の可動部は前記変形部材および前記加熱部材を含み、前記電極部は前記第2の電極を含む請求項1ないし3のいずれか1項に記載のガスセンサ。 - 前記可動構造は、第2の可動部を含み、
前記電極部は、前記第1の可動部と前記第2の可動部との間に設けられている請求項4に記載のガスセンサ。 - 引張り応力を有する第1のばね部と、引張り応力を有する第2のばね部と、第1のアンカーと、第2のアンカーとをさらに具備し、
前記第1の可動部は、前記第1のばね部を介して前記第1のアンカーに接続され、
前記第2の可動部は、前記第2のばね部を介して前記第2のアンカーに接続される請求項5に記載ガスセンサ。 - 前記基板は、半導体基板と、第1の絶縁層と、第2の絶縁層とを含み、前記第1の絶縁層は前記半導体基板と前記第2の絶縁層との間に設けられており、
前記第2の空洞は前記第1の絶縁層に設けられており、
前記第2の絶縁層には前記第1の空洞と前記第2の空洞とを繋げる貫通孔が設けられている請求項3に記載のガスセンサ。 - 前記第1の電極から前記可動構造に向かう方向における前記第2の空洞の距離は、前記方向における前記第1の空洞の距離よりも大きい請求項7に記載のガスセンサ。
- 前記可動構造は、第1の可動部と、第2の可動部と、電極部とを含み、
前記第2の空洞は二つの空洞を含み、前記二つの空洞の一方は前記第1の絶縁層と前記第1の可動部との間の前記第2の絶縁層に設けられ、前記二つの空洞の他方は前記第1の絶縁層と前記第2の可動部との間の前記第2の絶縁層に設けられる請求項7または8に記載のガスセンサ。 - 前記第1の可動部に接続された第1のばね部と、前記第2の可動部に接続された第2のばね部とをさらに具備してなり、前記第1のばね部の熱抵抗および前記第2のばね部の熱抵抗の各々は前記第1の空洞の熱抵抗と前記第2の空洞の熱抵抗との和よりも大きい請求項9に記載のガスセンサ。
- 前記第1のばね部および前記第2のばね部の各々は引張り応力を有する請求項10に記載のガスセンサ。
- 前記第1のガスは、水素を含む請求項1ないし11のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 半導体基板上に第1の絶縁層、第2の絶縁層、第1の電極を順次形成する工程と、
前記第2の絶縁層および前記第1の電極の上に第3の絶縁層を形成する工程と、
前記第3の絶縁層および前記第2の絶縁層を貫通して前記第1の絶縁層に達する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を埋め込むように、前記第1の絶縁層、前記第3の絶縁層の上に第4の絶縁層を形成する工程と、
前記第4の絶縁層上に、所定のガスを吸収または吸着することで変形する変形部材、前記変形部材を加熱するための加熱部材および第2の電極を含む可動構造を形成する工程と、
前記第4の絶縁層を除去するとともに、前記第1の絶縁層の一部を除去することにより、前記第1の電極と前記第2の電極との間に第1の空洞を形成するとともに、前記第1の空洞と繋がる第2の空洞を形成する工程と
を具備し、
前記第1および第4の絶縁層は第1の材料を含み、前記第2および第3の絶縁層は第2の材料を含み、
前記第1および第2の空洞を形成する工程は、前記第1および第4の絶縁層のエッチングレートが前記第2および第3の絶縁層のエッチングレートよりも高い条件で、前記第1および第4の絶縁層をエッチングする工程を含むガスセンサの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017180740A JP6896576B2 (ja) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | ガスセンサおよびその製造方法 |
EP18159186.8A EP3460461A1 (en) | 2017-09-20 | 2018-02-28 | Gas sensor and manufacturing method of the same |
US15/914,828 US10598647B2 (en) | 2017-09-20 | 2018-03-07 | Gas sensor and manufacturing method of the same |
CN201810211511.6A CN109521065A (zh) | 2017-09-20 | 2018-03-15 | 气体传感器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017180740A JP6896576B2 (ja) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | ガスセンサおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019056607A JP2019056607A (ja) | 2019-04-11 |
JP6896576B2 true JP6896576B2 (ja) | 2021-06-30 |
Family
ID=61569054
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017180740A Active JP6896576B2 (ja) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | ガスセンサおよびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10598647B2 (ja) |
EP (1) | EP3460461A1 (ja) |
JP (1) | JP6896576B2 (ja) |
CN (1) | CN109521065A (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6829181B2 (ja) * | 2017-11-28 | 2021-02-10 | 株式会社東芝 | ガスセンサ |
JP6896679B2 (ja) | 2018-07-03 | 2021-06-30 | 株式会社東芝 | ガスセンサ |
JP6926040B2 (ja) | 2018-09-10 | 2021-08-25 | 株式会社東芝 | 水素センサ、水素検出方法およびプログラム |
CN109813766B (zh) * | 2019-03-26 | 2021-06-29 | 吉林大学 | 一种仿蝎子栉齿的气敏传感器及其制备方法 |
JP7319505B2 (ja) | 2019-09-06 | 2023-08-02 | 株式会社東芝 | 磁気ヘッド及び磁気記録装置 |
JP7227883B2 (ja) | 2019-10-09 | 2023-02-22 | 株式会社東芝 | センサ及びセンサの校正方法 |
JP7414656B2 (ja) | 2020-07-08 | 2024-01-16 | 株式会社東芝 | センサ及びその製造方法 |
JP7362557B2 (ja) * | 2020-07-17 | 2023-10-17 | 株式会社東芝 | センサ及びセンサモジュール |
JP7362578B2 (ja) * | 2020-09-16 | 2023-10-17 | 株式会社東芝 | センサ |
JP7500467B2 (ja) | 2021-02-22 | 2024-06-17 | 株式会社東芝 | センサ |
JP7500480B2 (ja) * | 2021-03-15 | 2024-06-17 | 株式会社東芝 | センサ |
JP2023127778A (ja) | 2022-03-02 | 2023-09-14 | 株式会社東芝 | センサ及びキャパシタ装置 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6235253A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Canon Inc | ガスセンサ− |
JP2816128B2 (ja) * | 1996-01-18 | 1998-10-27 | 雅則 奥山 | 輻射線の熱形強度検出装置 |
US7551058B1 (en) * | 2003-12-10 | 2009-06-23 | Advanced Design Consulting Usa, Inc. | Sensor for monitoring environmental parameters in concrete |
US7402425B2 (en) * | 2004-03-02 | 2008-07-22 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Stress-based electrostatic monitoring of chemical reactions and binding |
JP2007132762A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Nippon Ceramic Co Ltd | ガスセンサの構造 |
JP2008046078A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Hitachi Ltd | 微小電気機械システム素子およびその製造方法 |
EP2169400A1 (en) * | 2008-09-25 | 2010-03-31 | IEE INTERNATIONAL ELECTRONICS & ENGINEERING S.A. | Hydrogen sensor |
JP2010237196A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-10-21 | Seiko Epson Corp | Memsセンサー、memsセンサーの製造方法、および電子機器 |
US9261472B2 (en) * | 2010-09-09 | 2016-02-16 | Tohoku Gakuin | Specified gas concentration sensor |
JP5750867B2 (ja) * | 2010-11-04 | 2015-07-22 | セイコーエプソン株式会社 | 機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサーおよび電子機器 |
JP5862046B2 (ja) | 2011-04-27 | 2016-02-16 | 株式会社村田製作所 | 水素ガスセンサ |
EP2589958B1 (en) * | 2011-11-04 | 2016-10-26 | Stichting IMEC Nederland | Chemical sensing |
JP5813471B2 (ja) * | 2011-11-11 | 2015-11-17 | 株式会社東芝 | Mems素子 |
JP5177311B1 (ja) * | 2012-02-15 | 2013-04-03 | オムロン株式会社 | 静電容量型センサ及びその製造方法 |
JP2014184536A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 電気部品およびその製造方法 |
EP2806258B1 (en) * | 2013-05-20 | 2018-09-12 | ams international AG | Differential pressure sensor |
JP6256933B2 (ja) * | 2013-05-23 | 2018-01-10 | 木村 光照 | 濃縮機能を有する水素ガスセンサとこれに用いる水素ガスセンサプローブ |
JP5985451B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2016-09-06 | 株式会社東芝 | Memsデバイス |
KR101649586B1 (ko) * | 2014-04-07 | 2016-08-19 | 주식회사 모다이노칩 | 센서 |
JP6279464B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2018-02-14 | 株式会社東芝 | センサおよびその製造方法 |
JP6160667B2 (ja) | 2015-03-12 | 2017-07-12 | Tdk株式会社 | 熱伝導式ガスセンサ |
JP2017042864A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 株式会社東芝 | デバイス |
JP6685839B2 (ja) * | 2016-05-30 | 2020-04-22 | 株式会社東芝 | ガス検出装置 |
-
2017
- 2017-09-20 JP JP2017180740A patent/JP6896576B2/ja active Active
-
2018
- 2018-02-28 EP EP18159186.8A patent/EP3460461A1/en not_active Withdrawn
- 2018-03-07 US US15/914,828 patent/US10598647B2/en active Active
- 2018-03-15 CN CN201810211511.6A patent/CN109521065A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190086377A1 (en) | 2019-03-21 |
EP3460461A1 (en) | 2019-03-27 |
CN109521065A (zh) | 2019-03-26 |
US10598647B2 (en) | 2020-03-24 |
JP2019056607A (ja) | 2019-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6896576B2 (ja) | ガスセンサおよびその製造方法 | |
JP6685839B2 (ja) | ガス検出装置 | |
US10648999B2 (en) | Method for manufacturing an acceleration sensor | |
JP2008533481A (ja) | ダブルホイートストンブリッジによる抵抗検知によって力を測定するためのデバイス | |
US9257587B2 (en) | Suspension and absorber structure for bolometer | |
US11573137B2 (en) | Surface stress sensor, hollow structural element, and method for manufacturing same | |
US20230126952A1 (en) | Surface stress sensor, hollow structural element, and method for manufacturing same | |
JP5260890B2 (ja) | センサ装置およびその製造方法 | |
JP4867792B2 (ja) | ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサ装置 | |
JP6797852B2 (ja) | ガスセンサ | |
JP6884900B2 (ja) | ガス検出装置 | |
JP4960724B2 (ja) | 赤外線センサおよびその製造方法 | |
JP7107527B2 (ja) | センサ、構造および電気機器 | |
JP6860514B2 (ja) | Mems素子及びその製造方法 | |
JP5016382B2 (ja) | センサ装置およびその製造方法 | |
JP2019054143A (ja) | 接続構造およびその製造方法ならびにセンサ | |
JP6773437B2 (ja) | 応力センサ | |
TW201241963A (en) | Methods and systems for MEMS CMOS devices having arrays of elements | |
JP6882850B2 (ja) | 応力センサ | |
JP6818299B2 (ja) | 微細素子およびその製造方法 | |
JP6713321B2 (ja) | 応力センサ及びその製造方法 | |
JP2010243420A (ja) | Memsセンサ及び製造方法 | |
JP6180900B2 (ja) | 応力検知用素子および応力検知方法 | |
KR20190033404A (ko) | 진공 센서 및 진공 센서 제조 방법 | |
JP2017181439A (ja) | 応力センサ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190815 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200908 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210511 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210609 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6896576 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |