JP2014184536A - 電気部品およびその製造方法 - Google Patents
電気部品およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014184536A JP2014184536A JP2013062591A JP2013062591A JP2014184536A JP 2014184536 A JP2014184536 A JP 2014184536A JP 2013062591 A JP2013062591 A JP 2013062591A JP 2013062591 A JP2013062591 A JP 2013062591A JP 2014184536 A JP2014184536 A JP 2014184536A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- spring portion
- spring
- substrate
- anchor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
- B81B3/0067—Mechanical properties
- B81B3/0075—For improving wear resistance
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/01—Switches
- B81B2201/012—Switches characterised by the shape
- B81B2201/014—Switches characterised by the shape having a cantilever fixed on one side connected to one or more dimples
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0145—Flexible holders
- B81B2203/0163—Spring holders
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/03—Static structures
- B81B2203/0307—Anchors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
【課題】所望の特性を含む構造を備えたMEMSデバイスを含む電気部品を提供すること。
【解決手段】実施形態の電気部品は、基板と、前記基板上に設けられたMEMSデバイスとを含む。前記MEMSデバイスは、前記基板上に固定された第1電極と、前記第1電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である第2電極と、前記基板上に設けられ、前記第2電極を支持するためのアンカー部と、前記第2電極の上面上から前記アンカー部の上面上まで連接して形成され、前記第2電極と前記アンカー部とを接続するためのばね部とを含む。実施形態の電気部品は、さらに、前記ばね部の下面に設けられ、前記ばね部の強度を補強するための補強部材24とを含む。
【選択図】図2
【解決手段】実施形態の電気部品は、基板と、前記基板上に設けられたMEMSデバイスとを含む。前記MEMSデバイスは、前記基板上に固定された第1電極と、前記第1電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である第2電極と、前記基板上に設けられ、前記第2電極を支持するためのアンカー部と、前記第2電極の上面上から前記アンカー部の上面上まで連接して形成され、前記第2電極と前記アンカー部とを接続するためのばね部とを含む。実施形態の電気部品は、さらに、前記ばね部の下面に設けられ、前記ばね部の強度を補強するための補強部材24とを含む。
【選択図】図2
Description
本発明の実施形態は、MEMSデバイスを含む電気部品およびその製造に関する。
可動電極と固定電極とで形成されたMEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)デバイスは、低損失、高線形性の特徴を有することから次世代の携帯電話のキーデバイスとして着目されている。このため、電極部分にアルミニウム(Al)等の低抵抗の金属材料を用いることが望ましい。
MEMSデバイスでは、電極構造を上下駆動させる必要がある。可動電極に用いられるAl等は延性材料である。そのため、Al等が用いられた可動電極を繰り返して駆動させると、クリープ現象(応力による形状の変化)によって、可動電極は初期の構造を保てなく、可動電極の構造は変形する。このような構造変形は所望の特性を有する構造を備えたMEMSデバイスの実現を困難にする。
上記の構造変形の問題の発生を防止するために、Alより塑性変形の小さい、例えばW(タングステン)等の材料を可動電極に用いることも可能である。しかし、Wは抵抗値が高いために、低抵抗というMEMSの特性は失われてしまう。
さらに、上記の構造変形の問題を解決するために、延性材料で構成される可動電極とそれを支える支持部(アンカー部)とを接続するばね部の材料として、脆性材料を用いる方法が提案されている。
この方法によれば、可動電極に接続されるばね部の材料は脆性材料であるため、可動電極を駆動させても、構造変形の原因であるクリープ現象は発生しないと考えられている。しかし、この方法を採用しても、構造変形の問題は発生することがある。
所望の特性を有する構造を備えたMEMSデバイスを含む電気部品およびその製造方法を提供する。
実施形態の電気部品は、基板と、前記基板上に設けられたMEMSデバイスとを具備している。前記MEMSデバイスは、前記基板上に固定された第1電極と、前記第1電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である第2電極と、前記基板上に設けられ、前記第2電極を支持するためのアンカー部と、前記第2電極の上面上から前記アンカー部の上面上まで連接して形成され、前記第2電極と前記アンカー部とを接続するためのばね部とを具備している。実施形態の電気部品は、さらに、前記ばね部の下面に設けられ、前記ばね部の強度を補強するための補強部材を具備している。
実施形態の電気部品の製造方法は、基板上にMEMSデバイスを製造する方法を含む電気部品の製造方法である。前記MEMSデバイスを製造する方法は、前記基板上に固定された第1電極を形成する工程と、全面に第1犠牲層を形成する工程と、前記第1犠牲層上に、金属層を形成する工程と、前記金属層上に、ばね部を形成する工程とを具備している。実施形態の電気部品の製造方法は、さらに、前記金属層をエッチングすることにより、前記ばね部により接続される第2電極およびアンカー部を形成し、かつ、前記ばね部の強度を補強するための補強部材を前記ばね部の下面に形成する工程を具備している。
以下、図面を参照しながら実施形態を説明する。図面において、同一部分には同一の参照符号を付してあり、重複した説明は必要に応じて行う。
(第1の実施形態)
図1は、本実施形態に係るMEMSデバイスの構造を示す平面図である。図2は、本実施形態に係るMEMSデバイスの構造を示す断面図であり、図1の矢視II−II方向における断面図である。
図1は、本実施形態に係るMEMSデバイスの構造を示す平面図である。図2は、本実施形態に係るMEMSデバイスの構造を示す断面図であり、図1の矢視II−II方向における断面図である。
本実施形態に係るMEMSデバイスは、上部電極20と第2アンカー部21とを接続する第2ばね部30が、上部電極20の上面上から第2アンカー部21の上面上まで連接して形成され、その間において、第2ばね部30の下面は、なだらかに形成され、好ましくは段差なく水平に形成され、さらに、製造時(犠牲層のキュア時、犠牲層の除去時)における第2ばね部30の変形に伴う上部電極20の変形を抑制するために、第2ばね部30の強度を補強するための補強部材24が、第2ばね部30の下面に形成されている。これにより、MEMSデバイスにおいて、所望の特性を備えた形状の上部電極20を形成することができる。以下に、本実施形態について詳説する。
図1および図2に示すように、本実施形態に係るMEMSデバイスは、支持基板10上の層間絶縁層11上に設けられた下部電極12および上部電極20を備えている。
支持基板10は、例えば、シリコン基板である。層間絶縁層11は、例えば、その寄生容量を小さくするために、誘電率の低い材料で構成される。この材料は、例えば、SiH4 やTEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)を原料とした酸化シリコン(SiOX)である。また、寄生容量を小さくするためには、層間絶縁層11は厚いほうがよく、層間絶縁層11の厚さは、例えば、10μm以上である。
支持基板10の表面には、電界効果トランジスタなどの素子が設けられてもよい。それらの素子は、ロジック回路や記憶回路を構成する。層間絶縁層11は、それらの回路を覆うように、支持基板10上に設けられる。それゆえ、MEMSデバイスは、支持基板10上の回路の上方に設けられる。
オシレータのようなノイズの発生源になる回路は、MEMSデバイスの動作に影響を与える。このようなノイズの影響を避けるには、例えば、MEMSデバイスの下方に、ノイズの発生源になる回路を配置しなければよい。また、支持基板10および層間絶縁層11の代わりに、ガラス基板などの絶縁性基板が用いられてもよい。以下の説明において、支持基板10および層間絶縁層11を基板と称する場合がある。
下部電極12は、基板上に形成され、固定される。下部電極12は、例えば、基板の表面に平行な平板形状を有する。下部電極12は、例えば、アルミニウム(Al)、Alを主成分とする合金、銅(Cu)、金(Au)、または白金(Pt)で構成される。下部電極12は、下部電極12と同じ材料で構成された配線14に接続されている。下部電極12は、配線14を介して種々の回路に接続される。下部電極12の表面には、例えば酸化シリコン(SiOx )、窒化シリコン(SiN)、またはhigh−k材料で構成される絶縁層16が形成される。
上部電極20は、下部電極12の上方に形成され、中空状態に支持され、上下方向(基板に対して垂直方向)に可動である。上部電極20は、第1孔部61および第2孔部62を有する点を除いて、基板の表面に平行した平板形状である。
第1孔部61は、矩形形状を有し、上部電極20の長手方向(第1方向)に延在している。第1孔部61は、上部電極20の短手方向(第2の方向)における略中心部に設けられている。上部電極20の長手方向と、第1孔部61の長手方向(第1の方向)とは、略平行である。そのため、上部電極20は、長手方向よりも短手方向において撓みやすい。これにより、MEMSデバイスのプルイン電圧を低減することができる。
各第2孔部62は、矩形形状を有し、上部電極20の短手方向に延在している。また、複数の第2孔部62は、第1孔部61を挟むように、上部電極20の周縁部と第1孔部61との間に設けられ、そして、第1孔部61に対して略線対称に配置されている。第2の孔部62の長手方向と上部電極20の長手方向とは、略直交している。
第1孔部61および第2孔部62のレイアウトは図1に示しされるレイアウトには限定されず、例えば、図24に示すように、複数の第2孔部62の一部が第1孔部61につながっていても構わない。図24では、上下方向に合い対する二つの第2孔部62が一つおきに第1孔部61につながっている。
上部電極20は、下部電極12に対向して配置される。すなわち、上部電極20は、その長手方向である第1方向(図1における左右方向)およびその短手方向である第1方向に直交する第2方向(図1における上下方向)に広がる平面(基板の表面に平行した平面、以下、単に平面と称す)において、下部電極12にオーバーラップしている。
上部電極20は、例えばAl、Alを主成分とする合金、Cu、Au、またはPtで構成される。すなわち、上部電極20は、延性材料で構成される。延性材料とは、その材料からなる部材に応力を与えて破壊する場合に、その部材が大きな塑性変化(延び)を生じてから破壊される材料のことである。
なお、図面において、下部電極12および上部電極20の平面における形状は、長方形であるが、これに限らず、正方形、円形、または楕円形であってもよい。また、平面における下部電極12の面積は、上部電極20の面積よりも大きいが、これに限らない。本実施形態では、簡単のために、第2ばね部30の平面パターンはライン状としたが、これには限定されず、例えば、図18や図19の平面パターンでも構わない。
中空に支持された可動な上部電極20には、第1ばね部23および複数の第2ばね部30が接続される。これら第1ばね部23および第2ばね部30は、異なる材料で構成される。第2ばね部30の下面(底面)には第1キャップ膜25が形成されている。
第1ばね部23は、上部電極20と上部電極20を支持する第1アンカー部22とを接続する。
より具体的には、第1ばね部23の一端は、上部電極20の第1方向の一端(端部)に接続される。第1ばね部23は、例えば、上部電極20と一体に形成される。すなわち、上部電極20と第1ばね部23とは、1つに繋がった単層構造であり、同レベルに形成される。第1ばね部23は、例えば、メアンダ状の平面形状を有する。言い換えると、第1ばね部23は、平面において、細くかつ長く形成され、曲がりくねった形状を有する。
第1ばね部23は、例えば導電性を有する延性材料から構成され、上部電極20と同じ材料で構成される。すなわち、第1ばね部23は、例えばAl、Alを主成分とする合金、Cu、AuまたはPtなどの金属材料で構成される。
第1ばね部23の他端は、第1アンカー部22に接続される。この第1アンカー部22によって、上部電極20が支持される。第1アンカー部22は、例えば、第1ばね部23と一体に形成される。このため、第1アンカー部22は、例えば、導電性を有する延性材料から構成され、上部電極20および第1ばね部23と同じ材料で構成される。第1アンカー部22は、例えばAl、Alを主成分とする合金、Cu、AuまたはPtなどの金属材料で構成される。なお、第1アンカー部22は、上部電極20および第1ばね部23と異なる材料で構成されてもよい。
第1アンカー部22は、配線15上に設けられる。配線15は、層間絶縁層11上に設けられる。配線15表面は、図示せぬ絶縁層によって、覆われている。絶縁層は、例えば絶縁層16と一体に形成される。この絶縁層には開口部が設けられ、この開口部を経由して第1アンカー部22は、配線15に直接接触する。すなわち、上部電極20は、第1ばね部23および第1アンカー部22を介して配線15に電気的に接続され、種々の回路に接続される。これにより、上部電極20には、配線15、第1アンカー部22、および第1ばね部23を介して電位(電圧)が供給される。
また、長方形状の上部電極20の四隅(第1方向および第2方向の端部のそれぞれ)には、第2ばね部30が1つずつ接続される。なお、本例では、第2ばね部30が4個設けられているが、この個数に限定されない。第2ばね部30は、上部電極20と上部電極20を支持する第2アンカー部21とを接続する。本実施形態に係る第2ばね部30の詳細については、後述する。
第2アンカー部21は、ダミー層13上に設けられる。第2アンカー部21は、例えば導電性を有する延性材料から構成され、上部電極20および第1ばね部23と同じ材料で構成される。第2アンカー部21は、例えばAl、Alを主成分とする合金、Cu、AuまたはPtなどの金属材料で構成される。なお、第2アンカー部21は、上部電極20および第1ばね部23と異なる材料で構成されてもよい。
ダミー層13は、層間絶縁層11上に設けられる。ダミー層13表面は、例えば、絶縁層16と一体に形成される絶縁層によって、覆われている。この絶縁層には開口部が設けられ、この開口部を経由して第2アンカー部21は、ダミー層13に接する。第2アンカー部21はダミー層13に直接接触しているが、第2アンカー部21はダミー層13に直接接触していなくても構わない。
なお、配線15およびダミー層13は、例えば下部電極12と同じ材料で構成される。また、配線15およびダミー層13の厚さは、下部電極12の厚さと同程度である。
本実施形態における第2ばね部30は、上部電極20の上面上から第2アンカー部21の上面上まで連接して形成され、そして、上部電極20の上面から第2アンカー部21の(上部電極20側の)エッジ部21eの上面までの領域Aにおいては段差なく水平に形成される。なお、ここは、MEMSデバイスの動作初期状態の構造を例に説明する。
より具体的には、第2ばね部30の一端は、第1キャップ膜25を介して、上部電極20上に設けられる。このため、第2ばね部30は第1キャップ膜25を介して上部電極の上面上に接して形成され、第2ばね部30と上部電極20との接合部は積層構造になっている。第2ばね部30の他端は、第1キャップ膜25を介して、第2アンカー部21上に設けられる。このため、第2ばね部30は第1キャップ膜25を介して第2アンカー部21の凹部を含む上面上に接して形成され、第2ばね部30と第2アンカー部21との接合部は積層構造になっている。この第2アンカー部21によって、上部電極20が支持される。
第2ばね部30は、上部電極20と第2アンカー部21との間において、中空状態である。そして、第2ばね部30は、上部電極20の上面上、第2アンカー部21のエッジ部21eの上面上、および中空状態において、水平に形成される。言い換えると、第2ばね部30は、上部電極20の上面上、第2アンカー部21のエッジ部21eの上面上、および中空状態において、その下面が平坦に形成される。すなわち、上部電極20の上面および第2アンカー部21のエッジ部21eの上面は同レベル(同等の高さ)であるため、第2ばね部30は上部電極20の上面上、第2アンカー部21のエッジ部21eの上面上、および中空状態において、同レベルに形成される。このため、第2ばね部30の下面は、上部電極20および第2アンカー部21のエッジ部21eの上面と同レベルである。言い換えると、第2ばね部30は、上部電極20の上面上と中空状態との界面、および第2アンカー部21のエッジ部21eの上面上と中空状態の界面において段差を有さない。なお、第2ばね部30は、その下面のみならず、上面も平坦に形成されてもよい。この第2ばね部30は、上部電極20と第2アンカー部21との間において、例えば、メアンダ状の平面形状を有している。
なお、図14に示すように、第2アンカー部21をプラグ状に形成すれば、第2ばね部30の下面下の第2アンカー部21の表面は平坦になるので、第2ばね部30の下面は、上部電極20の上面上、第2アンカー部21の上面上、および、中空状態において平坦に形成される。すなわち、上部電極20と第2アンカー部21とを接続する第2ばね部30は、上部電極20の上面上から第2アンカー部21の上面上まで連接して形成され、その間において段差なく水平に形成される。
上記構造を備えていることにより、第2ばね部30の段差の程度は従来よりも小さくなり、段差部に起因する膜質の劣化は抑制される。したがって、第2ばね部30が切断されたり、細く形成されることによって耐久性が劣化したりすることを抑制できる。これは、所望の特性を備えた形状の第2ばね部30を備えたMEMSデバイスの提供に寄与する。
また、本実施形態に係るMEMSデバイスは、第2ばね部30の下面に、第2ばね部30の強度を補強するための補強部材24が形成されている。そのため、後述するように、第2ばね部30の上面側を中空状態にする工程における、第2ばね部30の湾曲等の変形を抑制することができる。これも所望の特性を備えた形状の第2ばね部30を備えたMEMSデバイスの提供に寄与する。
また、第2ばね部30は、例えば、脆性材料で構成される。脆性材料とは、その材料からなる部材に応力を与えて破壊する場合に、その部材が塑性変化(形状の変化)をほとんど生じないで破壊される材料のことである。脆性材料としては、例えば酸化シリコン(SiOX)、窒化シリコン(SiN)、または酸窒化シリコン(SiON)等が挙げられる。
脆性材料を用いた第2ばね部30のばね定数k2は、例えば、第2ばね部30の線幅、第2ばね部30の厚さ、および第2ばね部30の湾曲部(フレクチャー(Flexure))のうち、少なくともいずれか1つを適宜設定することによって、延性材料を用いた第1ばね部23のばね定数k1よりも大きく設定される。なお、第2ばね部30の脆性材料として、弾性定数が比較的大きなSiNを用いることが望ましい。
本例のように、延性材料の第1ばね部23および脆性材料の第2ばね部30が可動な上部電極20に接続されている場合、上部電極20が上方に引き上げられた状態(以下、up-stateと称す)における容量電極間の間隔は、脆性材料を用いた第2ばね部30のばね定数k2によって、実質的に決定される。
脆性材料で構成される第2ばね部30は、クリープ現象が起こりにくい。そのため、MEMSデバイスの駆動を複数回繰り返しても、up-state時における容量電極間(上部電極20および下部電極12間)の間隔の変動は少ない。なお、材料のクリープ現象とは、経年変化、または、ある部材に応力が与えられたときに、部材の歪み(形状の変化)が増大する現象のことである。
延性材料で構成される第1ばね部23は、複数回の駆動によって、クリープ現象が生じる。しかし、第1ばね部23のばね定数k1は、脆性材料を用いた第2ばね部30のばね係数k2に比較して小さく設定されている。よって、up-state時における容量電極間の間隔に、延性材料を用いた第1ばね部23の形状の変化(たわみ)が、大きな影響を与えることはない。
このため、本例では、可動な上部電極(可動構造)20に、導電性を有する延性材料を用いることができる。すなわち、クリープ現象を考慮せずに、抵抗率の低い材料を可動な上部電極20に用いることができるため、MEMSデバイスの損失を、低減できる。
[製造方法]
次に、本実施形態に係るMEMSデバイスの製造方法について説明する。
次に、本実施形態に係るMEMSデバイスの製造方法について説明する。
図3乃至図13は、本実施形態に係るMEMSデバイスの製造方法を説明するための断面図であり、図1の矢視II−II方向における断面図である。
まず、図3に示すように、例えば、P−CVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)法により、支持基板10上に、層間絶縁層11が形成される。層間絶縁層11は、例えば、SiH4 やTEOSを原料としたSiOXで構成される。その後、例えば、スパッタ法により、層間絶縁層11上に金属層が一様に形成される。金属層は、例えばAl、Alを主成分とする合金、Cu、Au、またはPtで構成される。
次に、例えば、リソグラフィおよびRIE(Reactive Ion Etching)により、金属層がパターニングされる。これにより、層間絶縁層11上に、下部電極12が形成される。また、同時に層間絶縁層11上に、ダミー層13、配線14,15が形成される。
その後、例えばP−CVD法により、全面に絶縁層16が形成される。これにより、下部電極12、ダミー層13、および配線14,15の表面が、絶縁層16によって覆われる。絶縁層16は、例えば、SiOX、SiN、またはhigh−k材料で構成される。
次に、図4に示すように、絶縁層16上に、第1犠牲層17が塗布される。第1犠牲層17は、例えばポリイミドなどの有機材料で構成される。次に、第1犠牲層17(塗布膜)をキュアして硬化した後、例えばリソグラフィおよびRIEにより、第1犠牲層17がパターニングされ、絶縁層16の一部が露出する。その後、例えばRIEにより、露出した絶縁層16がエッチングされる。これにより、第1アンカー部22および第2アンカー部21となる箇所(配線15およびダミー層13の上部)に位置する第1犠牲層17および絶縁層16に開口部が形成され、配線15およびダミー層13が露出する。なお、このとき、ダミー層13は露出されなくてもよい。
次に、図5に示すように、例えばスパッタ法により、全面に、金属層18が形成される。より具体的には、金属層18は、開口部外の第1犠牲層17の上面上、開口部内の第1犠牲層17(および絶縁層16)の側面上、ならびに、開口部内のダミー配線13の上面に形成される。金属層18は、開口部の底面において、配線15およびダミー層13に接して形成される。金属層18は、例えばAl、Alを主成分とする合金、Cu、Au、またはPtで構成される。この金属層18は、後の工程において、上部電極20、第2アンカー部21、第1アンカー部22、および第1ばね部23となる層である。
次に、図6に示すように、金属層18上に、第1キャップ膜(例えば、シリコン酸化膜)25が形成され、その後、第1キャップ膜25上に、例えばP−CVD法により、後に第2ばね部30となる層30aが形成される。層30aは、例えば、脆性材料で構成される。脆性材料としては、例えば、SiOX、SiN、またはSiON等が挙げられる。
次に、図7に示すように、層30a上にレジスト40が形成された後、例えばリソグラフィによりレジスト40がパターニングされる。このとき、第2ばね部30が形成される領域に、レジスト40が残存する。
次に、図8に示すように、例えばレジスト40をマスクとしたRIEにより、脆性材料で構成される層30aがエッチングされ、その後、第1キャップ膜25がエッチングされる。これにより、後に形成される上部電極20と第2アンカー部21とを接続する第2ばね部30が形成される。
このとき、後に上部電極20、第2アンカー部21、第1アンカー部22、および第1ばね部23を形成する金属層18は、加工されていなく、一面に形成されている。このため、その上部に形成される第2ばね部30の領域Aにおいては、段差なく、一定の厚さで水平に形成される。言い換えると、第2ばね部30の領域Aの下面が平坦に形成される。なお、第2ばね部30の領域Aは、その下面のみならず、上面も平坦に形成されてもよい。
次に、図9に示すように、全面にレジスト41が形成された後、例えばリソグラフィによりレジスト41がパターニングされる。このとき、上部電極20、第1アンカー部22、第2アンカー部21、配線23、および補強部材24が形成される領域に、レジスト41が残存する。なお、後述するように、金属層18は等方性エッチングによりエッチングされるため、レジスト41は上部電極20、第1アンカー部22、第2アンカー部21、および配線23が形成される領域よりも大きくなるように形成される。
次に、図10に示すように、等方性エッチング、例えばウェットエッチングにより、金属層18、第1キャップ膜25がパターニングされる。これにより、第1犠牲層17上に下部電極12に対向する上部電極20が形成される。また、開口部のダミー層13上に、第2アンカー部21が形成される。また、上部電極20と第2アンカー部21との間の第1犠牲層17上には、補強部材24が形成される。言い換えれば、上部電極20と第2アンカー部21との間の第2ばね部30の下面には補強部材24が形成される。また、開口部の配線15上に第1アンカー部22が形成され、第1犠牲層17上に上部電極20と第1アンカー部22とを接続する第1ばね部23が形成される。
このとき、上部電極20、第2アンカー部21、補強部材24、第1アンカー部22、および第1ばね部23が形成される領域以外の金属層18は、不要である。すなわち、第2ばね部30の下部に位置する金属層18(第2ばね部20の陰に位置する金属層18)は補強部材24となる部分を除いて除去する必要がある。このため、上述したように、金属層18は、異方性エッチングではなく、等方性エッチングによりエッチングされる。第2ばね部30の幅(短手方向の寸法)は細いので、第2ばね部30のレジスト41で覆われていない部分から、その下の金属層18にエッチング液70は供給され、金属層18は等方性エッチングされる。
また、図22に示すように、等方性エッチングの場合、レジスト41でカバーされてい領域の第2ばね部30の下部に位置する不要な金属層18は、そのサイドからエッチングされる。このため、第2ばね部30の下部に位置する不要な金属層18を十分に除去するためには、例えば、等方性エッチングによるエッチング量を少なくとも第2ばね部30の幅W1の半分(W1/2)以上とする。
一方、図23に示すように、金属層18の最小幅を有する金属層パターン(例えば第1ばね部23)は、その上部にレジスト41が形成され、等方性エッチングによりサイドからエッチングされることで、形成される。このとき、第1ばね部23のサイドからのエッチング量は、第2ばね部30のエッチング量(W1/2)と同程度である。このため、第1ばね部23を形成(残存)するために、その上部のレジスト41の幅W2を第2ばね部30の幅W1よりも大きくする。
なお、等方性エッチングを行う前に、レジスト41および第2ばね部30をマスクとした異方性エッチング、例えばRIEにより金属層18をエッチングしてもよい。すなわち、RIEによりレジスト41および第2ばね部30の下部以外に位置する金属層18を除去した後、等方性エッチングにより第2ばね部30の下部に位置する金属層18を除去する。通常、等方性エッチングよりもRIE(異方性エッチング)のほうが制御しやすい。このため、事前にRIEによるエッチングを行うことにより、等方性エッチングによるエッチング量を小さくすることができ、エッチングの制御性を向上させることができる。
次に、図11に示すように、レジスト41が除去され、MEMS素子の可動部を覆うように第2犠牲層26が塗布され、そして、第2犠牲層26(塗布膜)はキュアされて硬化される。第2犠牲層26は、例えばポリイミドなどの有機材料で構成される。
その後、第2犠牲層26上に絶縁性の第2キャップ膜27(ドーム構造)が形成される。第2キャップ膜27は、例えば、数百nm〜数μmの無機薄膜(例えば、シリコン酸化膜)である。第2キャップ膜27は、例えば、CVD法を用いて形成される。
次に、図12に示すように、図示しないレジストパターンをマスクにして、RIEまたはウエット処理により第2キャップ膜27をエッチングすることにより、第2キャップ膜27に複数の貫通孔28が形成される。上記図示しないレジストパターンは、通常のフォトリソグラフィプロセスにより形成される。
次に、レジスト41が除去された後、等方的なドライエッチング、例えばO2 系およびAr系のアッシング処理により、第1犠牲層17および第2犠牲層26が除去され、これにより、第1ばね部23、第2ばね部30、および上部電極20は、中空状態となる結果になる。このようにして、図2に示したような、下部電極12と上部電極20との間(上部電極20の下および上)に、上部電極20の可動領域が形成され、本実施形態に係るMEMSデバイスが得られる。
図15は、図11の断面図(第2犠牲層26の塗布およびキュアの工程)に対応する比較例の断面図である。比較例の場合、上部電極20と第2アンカー部21との間の第2ばね部30の下面下には、補強部材は存在しない。そのため、第2犠牲層26のキュアによって、第2ばね部30には下向きの力F1がかかり、第2ばね部30は弾性変形する。
このような状態で、図16に示すように、第1犠牲層17および第2犠牲層26を除去すると、弾性変形していた第2ばね部30は元の形に戻ろうとする。このとき、第2ばね部30には上向きの力F2、横方向の力F3,F4がかかる。第2ばね部30は上部電極20に接しているので、上部電極20にも力がかかる。
その結果、上部電極20には、例えば、図17に示すように、V字変形が生じる。すなわち、所望の特性を備えた形状の上部電極20を形成することができくなる。また、上部電極20の変形としては、孔部(例えば部、第1孔部61)の変形もある。
しかし、本実施形態の場合、第2ばね部30の強度を補強するための補強部材24が存在するので、犠牲層の除去時における第2ばね部30の変形は抑制される。その結果、上部電極第20の弾性変形は抑制されるので、所望の特性を備えた形状の上部電極20を形成することができる。
犠牲層の除去が終わった後は、補強部材24は必ずしも必要ではないが、犠牲層の除去が終わった後も補強部材24による第2ばね部30の補強効果は期待できるので、補強部材24は残しておいても構わない。
本実施形態では、補強部材24は、第2アンカー部21と上部電極20との中央部に位置する、第2ばね部30の下面に設けられているが、図20(a)に示すように、補強部材24は、第2アンカー部21側に位置する第2ばね部30の下面、または、図20(b)に示すように、上部電極20に位置する第2ばね部30の下面に設けても構わない。さらに、補強部材24は、上記三つの下面の二つ以上の下面に設けられても構わない。
また、図19に示した平面パターンの場合、補強部材24は、例えば、図21(a)に示すように、第2アンカー部21と上部電極20との中央部に位置する、第2ばね部30の下面、図21(b)に示すように、第2アンカー部21側に位置する第2ばね部30の下面、および、図21(c)に示すように、上部電極20に位置する第2ばね部30の下面の少なくとも一つに設けても構わない。
なお、本実施形態におけるMEMSデバイスは上記構造および製造方法に限定されない。
本実施形態において、例えば、脆性材料からなる第2ばね部30は、単層構造でなくてもよい。例えば、上部電極20および第2アンカー部21との密着性の観点から、第2ばね部30は下層をSiOX、上層をSiNとした積層構造でもよい。この場合、SiN層をエッチングした後、SiOX層をエッチングすることで第2ばね部30のパターニングを行うことができる。
また、本実施形態において、上部電極20および下部電極12間に電圧を印可して静電力で駆動させる方式に適用できるが、上部電極20および下部電極12を異種金属の積層構造に形成してその圧電力で駆動させる方式にも適用できる。
また、本実施形態は、可変容量だけではなく、MEMSスイッチにも適用可能である。この場合、下部電極12上に形成されるキャパシタ絶縁層(絶縁層16)の一部、例えば上部電極20と接触する箇所をエッチングにより除去することで下部電極12表面を露出させる。これにより、上部電極20と下部電極12によるスイッチが形成され、上部電極20が駆動することによりスイッチが動作する。
また、本実施形態において、可動な上部電極20と固定された下部電極12の2つの電極を含む場合について説明したが、どちらも可動な場合でも適用可能であり、また、3つ以上の電極(例えば、固定された上部電極、固定された下部電極、可動な中間電極)を含む場合にも適用可能である。
また、平面における上部電極20および下部電極12の面積は適宜設定可能である。また、上部電極20および下部電極12からなるMEMS構造をCMOS等のトランジスタ回路上に配置することも可能である。さらに、MEMS構造を覆い、保護するドーム構造を形成することも可能である。
以上述べた実施形態の上位概念、中位概念および下位概念の一部または全ては、例えば以下のような付記1−20で表現できる。
[付記1]
基板と、
前記基板上に設けられたMEMSデバイスとを具備してなる電気部品であって、
前記MEMSデバイスは、
前記基板上に固定された第1電極と、
前記第1電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である第2電極と、
前記基板上に設けられ、前記第2電極を支持するためのアンカー部と、
前記第2電極の上面上から前記アンカー部の上面上まで連接して形成され、前記第2電極と前記アンカー部とを接続するためのばね部と、
前記ばね部の下面に設けられ、前記ばね部の強度を補強するための補強部材と
を具備してなることを特徴とする電気部品。
基板と、
前記基板上に設けられたMEMSデバイスとを具備してなる電気部品であって、
前記MEMSデバイスは、
前記基板上に固定された第1電極と、
前記第1電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である第2電極と、
前記基板上に設けられ、前記第2電極を支持するためのアンカー部と、
前記第2電極の上面上から前記アンカー部の上面上まで連接して形成され、前記第2電極と前記アンカー部とを接続するためのばね部と、
前記ばね部の下面に設けられ、前記ばね部の強度を補強するための補強部材と
を具備してなることを特徴とする電気部品。
[付記2]
前記ばね部の前記下面は、前記第2電極の上面上から前記アンカー部の上面上までの間において、平坦であることを特徴とする付記1に記載の電気部品。
前記ばね部の前記下面は、前記第2電極の上面上から前記アンカー部の上面上までの間において、平坦であることを特徴とする付記1に記載の電気部品。
[付記3]
前記ばね部は、脆性材料を具備してなることを特徴とする付記1または2に記載の電気部品。
前記ばね部は、脆性材料を具備してなることを特徴とする付記1または2に記載の電気部品。
[付記4]
前記脆性材料は、絶縁体であることを特徴とする付記3に記載の電気部品。
前記脆性材料は、絶縁体であることを特徴とする付記3に記載の電気部品。
[付記5]
前記脆性材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸窒化シリコンを含むことを特徴とする付記4に記載の電気部品。
前記脆性材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸窒化シリコンを含むことを特徴とする付記4に記載の電気部品。
[付記6]
前記基板上に設けられ、前記第2電極を支持するための、延性材料を具備してなるばね部をさらに具備してなることを特徴とする付記3乃至5のいずれか1項に記載の電気部品。
前記基板上に設けられ、前記第2電極を支持するための、延性材料を具備してなるばね部をさらに具備してなることを特徴とする付記3乃至5のいずれか1項に記載の電気部品。
[付記7]
前記脆性材料を具備してなる前記ばね構造のばね定数は、前記延性材料を具備してなる前記第1のばね構造のばね定数よりも大きいことを特徴とする付記6に記載の電気部品。
前記脆性材料を具備してなる前記ばね構造のばね定数は、前記延性材料を具備してなる前記第1のばね構造のばね定数よりも大きいことを特徴とする付記6に記載の電気部品。
[付記8]
前記延性材料は、導電体であることを特徴とする付記6または7に記載の電気部品。
前記延性材料は、導電体であることを特徴とする付記6または7に記載の電気部品。
[付記9]
前記延性材料は、Al、Alを主成分とする合金、Cu、Au、またはPtを含むことを特徴とする付記8に記載の電気部品。
前記延性材料は、Al、Alを主成分とする合金、Cu、Au、またはPtを含むことを特徴とする付記8に記載の電気部品。
[付記10]
前記第2電極は、第1方向に延在する第1孔部を有し、
前記第1方向は、前記第2電極の長手方向であることを特徴とする付記1乃至9のいずれか1項に記載の電気部品。
前記第2電極は、第1方向に延在する第1孔部を有し、
前記第1方向は、前記第2電極の長手方向であることを特徴とする付記1乃至9のいずれか1項に記載の電気部品。
[付記11]
前記第1孔部は、前記第2電極の短手方向における中心部に設けられたことを特徴とする付記10に記載の電気部品。
前記第1孔部は、前記第2電極の短手方向における中心部に設けられたことを特徴とする付記10に記載の電気部品。
[付記12]
前記第2電極は、第2方向に延在する第2孔部をさらに有し、
前記第2方向と前記第2電極の長手方向とは、直交していることを特徴とする付記10または11に記載の電気部品。
前記第2電極は、第2方向に延在する第2孔部をさらに有し、
前記第2方向と前記第2電極の長手方向とは、直交していることを特徴とする付記10または11に記載の電気部品。
[付記13]
前前記第2孔部は、前記第1孔部と前記第1電極の周縁部との間に設けられていることを特徴とする付記12に記載の電気部品。
前前記第2孔部は、前記第1孔部と前記第1電極の周縁部との間に設けられていることを特徴とする付記12に記載の電気部品。
[付記14]
前記補強部材は、前記アンカー部側に位置する前記ばね部の下面、前記第2電極側に位置する前記ばね部の下面、および、前記アンカー部と前記第2電極との中央部に位置する前記ばね部の下面の少なくとも一箇所に設けられていることを特徴とする付記1乃至13のいずれか1項に記載の電気部品。
前記補強部材は、前記アンカー部側に位置する前記ばね部の下面、前記第2電極側に位置する前記ばね部の下面、および、前記アンカー部と前記第2電極との中央部に位置する前記ばね部の下面の少なくとも一箇所に設けられていることを特徴とする付記1乃至13のいずれか1項に記載の電気部品。
[付記15]
前記第2電極の上方に設けれた絶縁膜をさらに具備してなり、前記絶縁膜は前記基板とともに前記MEMSデバイスを収納するように構成されていることを特徴とする付記1乃至14のいずれか1項に記載の電気部品。
前記第2電極の上方に設けれた絶縁膜をさらに具備してなり、前記絶縁膜は前記基板とともに前記MEMSデバイスを収納するように構成されていることを特徴とする付記1乃至14のいずれか1項に記載の電気部品。
[付記16]
基板上にMEMSデバイスを製造する方法を含む電気部品の製造方法であって、
前記MEMSデバイスを製造する方法は、
前記基板上に固定された第1電極を形成する工程と、
全面に第1犠牲層を形成する工程と、
前記第1犠牲層上に、金属層を形成する工程と、
前記金属層上に、ばね部を形成する工程と、
前記金属層をエッチングすることにより、前記ばね部により接続される第2電極およびアンカー部を形成し、かつ、前記ばね部の強度を補強するための補強部材を前記ばね部の下面に形成する工程と、
を具備することを特徴とする電気部品の製造方法。
基板上にMEMSデバイスを製造する方法を含む電気部品の製造方法であって、
前記MEMSデバイスを製造する方法は、
前記基板上に固定された第1電極を形成する工程と、
全面に第1犠牲層を形成する工程と、
前記第1犠牲層上に、金属層を形成する工程と、
前記金属層上に、ばね部を形成する工程と、
前記金属層をエッチングすることにより、前記ばね部により接続される第2電極およびアンカー部を形成し、かつ、前記ばね部の強度を補強するための補強部材を前記ばね部の下面に形成する工程と、
を具備することを特徴とする電気部品の製造方法。
[付記17]
前記金属層をエッチングすることは、ウエット処理を用いて行われることを特徴とする付記16に記載の電気部品の製造方法。
前記金属層をエッチングすることは、ウエット処理を用いて行われることを特徴とする付記16に記載の電気部品の製造方法。
[付記18]
前記第2電極、前記アンカー部および前記補強部材を形成した後に、全面に第2犠牲層を形成する工程と、
前記第2犠牲層をキュアする工程と、
前記第2犠牲層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記第1および第2犠牲層を除去する工程と
をさらに具備してなることを特徴とする付記16または17に記載の電気部品の製造方法。
前記第2電極、前記アンカー部および前記補強部材を形成した後に、全面に第2犠牲層を形成する工程と、
前記第2犠牲層をキュアする工程と、
前記第2犠牲層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記第1および第2犠牲層を除去する工程と
をさらに具備してなることを特徴とする付記16または17に記載の電気部品の製造方法。
[付記19]
前記第2犠牲層は、塗布膜であることを含むことを特徴とする付記18に記載の電気部品の製造方法。
前記第2犠牲層は、塗布膜であることを含むことを特徴とする付記18に記載の電気部品の製造方法。
[付記20]
前記第1および第2犠牲層を除去する工程は、酸素を含むアッシング処理により行うことを特徴とする付記18または19に記載の電気部品の製造方法。
前記第1および第2犠牲層を除去する工程は、酸素を含むアッシング処理により行うことを特徴とする付記18または19に記載の電気部品の製造方法。
その他、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で、種々に変形することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
10…支持基板、11…層間絶縁膜、12…下部電極、13…ダミー層、14,15…配線、16…絶縁層、17…第1犠牲層、18…金属層、20…上部電極、21…第2アンカー部、22…第1アンカー部、23…第1ばね部、24…補強部材、25…第1キャップ膜、26…第2犠牲層、27…第2キャップ膜、28…貫通孔、30…第2ばね部、30a…層、40,41…レジスト、61…第1孔部、62…第2孔部、70…エッチング液。
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に設けられたMEMSデバイスとを具備してなる電気部品であって、
前記MEMSデバイスは、
前記基板上に固定された第1電極と、
前記第1電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動であり、第1方向に延在する第1孔部を有する第2電極であって、前記第1方向が前記第2電極の長手方向である前記第2電極と、
前記基板上に設けられ、前記第2電極を支持するためのアンカー部と、
前記第2電極の上面上から前記アンカー部の上面上まで連接して形成され、前記第2電極と前記アンカー部とを接続するためのものであって、前記第2電極の上面上から前記アンカー部の上面上までの間において平坦な下面を有し、絶縁体からなる脆性材料を具備してなる第1のばね部と、
前記第1のばね部の下面に設けられ、前記ばね部の強度を補強するための補強部材と
前記基板上に設けられ、前記第2電極を支持するための、延性材料を具備してなる第2のばね部と
を具備してなることを特徴とする電気部品。 - 基板と、
前記基板上に設けられたMEMSデバイスとを具備してなる電気部品であって、
前記MEMSデバイスは、
前記基板上に固定された第1電極と、
前記第1電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である第2電極と、
前記基板上に設けられ、前記第2電極を支持するためのアンカー部と、
前記第2電極の上面上から前記アンカー部の上面上まで連接して形成され、前記第2電極と前記アンカー部とを接続するためのばね部と、
前記ばね部の下面に設けられ、前記ばね部の強度を補強するための補強部材と
を具備してなることを特徴とする電気部品。 - 前記ばね部の前記下面は、前記第2電極の上面上から前記アンカー部の上面上までの間において、平坦であることを特徴とする請求項2に記載の電気部品。
- 前記ばね部は、脆性材料を具備してなることを特徴とする請求項2または3に記載の電気部品。
- 前記脆性材料は、絶縁体であることを特徴とする請求項4に記載の電気部品。
- 前記基板上に設けられ、前記第2電極を支持するための、延性材料を具備してなるばね部をさらに具備してなることを特徴とする請求項4または5に記載の電気部品。
- 前記第2電極は、第1方向に延在する第1孔部を有し、
前記第1方向は、前記第2電極の長手方向であることを特徴とする請求項乃2至6のいずれか1項に記載の電気部品。 - 基板上にMEMSデバイスを製造する方法を含む電気部品の製造方法であって、
前記MEMSデバイスを製造する方法は、
前記基板上に固定された第1電極を形成する工程と、
全面に第1犠牲層を形成する工程と、
前記第1犠牲層上に、金属層を形成する工程と、
前記金属層上に、ばね部を形成する工程と、
前記金属層をエッチングすることにより、前記ばね部により接続される第2電極およびアンカー部を形成し、かつ、前記ばね部の強度を補強するための補強部材を前記ばね部の下面に形成する工程と、
を具備することを特徴とする電気部品の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013062591A JP2014184536A (ja) | 2013-03-25 | 2013-03-25 | 電気部品およびその製造方法 |
US14/021,826 US20140285060A1 (en) | 2013-03-25 | 2013-09-09 | Electrical component and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013062591A JP2014184536A (ja) | 2013-03-25 | 2013-03-25 | 電気部品およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014184536A true JP2014184536A (ja) | 2014-10-02 |
Family
ID=51568669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013062591A Pending JP2014184536A (ja) | 2013-03-25 | 2013-03-25 | 電気部品およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140285060A1 (ja) |
JP (1) | JP2014184536A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019056607A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | 株式会社東芝 | ガスセンサおよびその製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101407489B1 (ko) * | 2012-11-29 | 2014-06-13 | 서울대학교산학협력단 | 액체를 이용한 에너지 전환 장치 |
US11511989B2 (en) * | 2018-12-29 | 2022-11-29 | Texas Instruments Incorporated | MEMS via with enhanced electrical and mechanical integrity |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004181552A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Hitachi Ltd | マイクロマシンキャパシタ |
JP2004261884A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-24 | Sony Corp | Mems素子とその製造方法、回折型mems素子 |
JP2006269127A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Toshiba Corp | マイクロマシンスイッチ及び電子機器 |
JP2007214039A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Toshiba Corp | マイクロマシンスイッチ及び電子機器 |
US7299538B2 (en) * | 2002-07-18 | 2007-11-27 | Wispry, Inc. | Method for fabricating micro-electro-mechanical systems |
US20070278075A1 (en) * | 2004-07-29 | 2007-12-06 | Akihisa Terano | Capacitance Type Mems Device, Manufacturing Method Thereof, And High Frequency Device |
JP2010135634A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2011066150A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | Memsデバイス |
JP2011066156A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | Memsデバイス |
JP2012191052A (ja) * | 2011-03-11 | 2012-10-04 | Toshiba Corp | Mems及びその製造方法 |
JP2012196041A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Toshiba Corp | 静電アクチュエータ |
-
2013
- 2013-03-25 JP JP2013062591A patent/JP2014184536A/ja active Pending
- 2013-09-09 US US14/021,826 patent/US20140285060A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7299538B2 (en) * | 2002-07-18 | 2007-11-27 | Wispry, Inc. | Method for fabricating micro-electro-mechanical systems |
JP2004181552A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Hitachi Ltd | マイクロマシンキャパシタ |
JP2004261884A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-24 | Sony Corp | Mems素子とその製造方法、回折型mems素子 |
US20070278075A1 (en) * | 2004-07-29 | 2007-12-06 | Akihisa Terano | Capacitance Type Mems Device, Manufacturing Method Thereof, And High Frequency Device |
JP2006269127A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Toshiba Corp | マイクロマシンスイッチ及び電子機器 |
JP2007214039A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Toshiba Corp | マイクロマシンスイッチ及び電子機器 |
JP2010135634A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2011066150A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | Memsデバイス |
JP2011066156A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | Memsデバイス |
JP2012191052A (ja) * | 2011-03-11 | 2012-10-04 | Toshiba Corp | Mems及びその製造方法 |
JP2012196041A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Toshiba Corp | 静電アクチュエータ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019056607A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | 株式会社東芝 | ガスセンサおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140285060A1 (en) | 2014-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5951344B2 (ja) | Memsデバイスおよびその製造方法 | |
JP3808052B2 (ja) | 微細電気機械的スイッチ(mems)の製造方法 | |
JP2013103285A (ja) | Mems素子 | |
US20190047849A1 (en) | Mems microphone and method of manufacturing the same | |
JP2011066150A (ja) | Memsデバイス | |
CN102185517A (zh) | 静电致动器 | |
JP2010135634A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP5881635B2 (ja) | Mems装置 | |
JP2014184536A (ja) | 電気部品およびその製造方法 | |
TWI496176B (zh) | 微機電系統裝置和製造微機電系統裝置的方法 | |
US8476995B2 (en) | RF MEMS switch device and manufacturing method thereof | |
JP2007242462A (ja) | メカニカルスイッチ | |
JP6345926B2 (ja) | Mems素子およびその製造方法 | |
JP2013145802A (ja) | Memsデバイスおよびその製造方法 | |
JP2010503179A (ja) | 湾曲バイレイヤーによるメカニカルスイッチ | |
US9287050B2 (en) | MEMS and method of manufacturing the same | |
JP2013248710A (ja) | Mems素子の製造方法及びmems素子 | |
US9202654B2 (en) | MEMS device and manufacturing method thereof | |
JP5870616B2 (ja) | Memsスイッチおよびその製造方法 | |
JP2016129134A (ja) | 多層膜を備えるmems構造体 | |
US20140291780A1 (en) | Mems device and method of manufacturing the same | |
TWI525777B (zh) | MEMS components | |
JP5812096B2 (ja) | Memsスイッチ | |
JP2009009785A (ja) | Memsスイッチ及びその製造方法 | |
JP2018158394A (ja) | 微細素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150616 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20151201 |