JP6888700B2 - パターン描画装置 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 191
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 29
- 238000010422 painting Methods 0.000 claims description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 209
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 95
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 238000013461 design Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- OQCFWECOQNPQCG-UHFFFAOYSA-N 1,3,4,8-tetrahydropyrimido[4,5-c]oxazin-7-one Chemical compound C1CONC2=C1C=NC(=O)N2 OQCFWECOQNPQCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000011370 conductive nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 208000011726 slow pulse Diseases 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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Description
図1は、第1の実施の形態の基板(被照射体)Pに露光処理を施す露光装置EXを含むデバイス製造システム10の概略構成を示す図である。なお、以下の説明においては、特に断わりのない限り、重力方向をZ方向とするXYZ直交座標系を設定し、図に示す矢印にしたがって、X方向、Y方向、およびZ方向を説明する。
fG 2/fC1=fθ2/fC2 ・・・ (1)
φa=2×NA(fθ×fC1/fG)=2×NA×(fG×fC2/fθ)・・・(2)
|S1−S2|<SC1×fθ2/fG 2−SC2 ・・・(3)
S1<SC1×fθ2/fG 2、且つ、S2<SC2 ・・・(4)
|S1−S2|<λ/NAy 2、且つ、|S1−S2|<λ/NAx 2 ・・・(5)
S1<λ/NAy 2、且つ、S2<λ/NAx 2 ・・・(6)
但し、|S1−S2|は球面収差S1と球面収差S2との差の絶対値を表し、SC1は第1シリンドリカルレンズCY1単体にて生じる球面収差を表し、SC2は第2シリンドリカルレンズCY2単体にて生じる球面収差を表し、λはビームLBnの波長を表すものとする。なお、球面収差S1と球面収差S2との差の絶対値|S1−S2|は|S2−S1|であっても同じである。また、走査ユニットU1を例に挙げて説明したが、他の走査ユニットU2〜U6に関しても同様に光学設計されることは言うまでもない。
fC1×fC2=fθ2 ・・・(7)
φa=2×NA×fθ=2×NA×(fC1×fC2/fθ) ・・・(8)
比較例1では、第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2の母線をともに主走査方向(Y方向)に設定し、レンズ系G10は設けられていない。比較例1におけるビームエキスパンダーBEから第2シリンドリカルレンズCY2までの光学設計例によるレンズデータを図6に示す。図7は、比較例1におけるビームエキスパンダーBEから基板(像面)PまでのビームLBnの状態を、ビームLBnの偏向方向(スポット光SPの走査方向)を含む平面と平行な面内で示す概略図である。図8は、図7に示すビームエキスパンダーBEからポリゴンミラーPMの反射面RPまでのビームLBnの状態を、ビームLBnの偏向方向(主走査方向)と直交する平面(副走査方向を含む面)からみた概略図である。図9は、図7に示すポリゴンミラーPMの反射面RPから基板(像面)PまでのビームLBnの状態を、ビームLBnの偏向方向(主走査方向)と直交する平面からみた概略図である。なお、図6においては、ポリゴンミラーPMの反射後は、面間隔と曲率半径の正負の符号を逆転して表してある。図7〜図9は、比較例1におけるビームエキスパンダーBE〜基板Pまでの各光学部材(第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2など)を、図6の数値例に則った縮尺で配置した様子を示す図である。
実施例1では、上述したように、第1シリンドリカルレンズCY1の母線の延長方向を副走査方向(X方向)とし、第2シリンドリカルレンズCY2の母線の延長方向を主走査方向(Y方向)とし、第1シリンドリカルレンズCY1とポリゴンミラーPMとの間にレンズ系G10が設けられている。実施例1におけるビームエキスパンダーBEから第2シリンドリカルレンズCY2までの光学設計用のレンズデータを図14に示す。また、図15は、実施例1におけるビームエキスパンダーBEから基板(像面)PまでのビームLBnの状態を、ビームLBnの偏向方向(スポット光SPの走査方向)を含む平面と平行な面内でみた概略図である。図16は、図15に示すビームエキスパンダーBEからポリゴンミラーPMの反射面RPまでのビームLBnの状態を、ビームLBnの偏向方向(主走査方向)と直交する面内(副走査方向を含む面内)でみた概略図である。図17は、図15に示すポリゴンミラーPMの反射面RPから基板(像面)PまでのビームLBnを、ビームLBnの偏向方向(主走査方向)と直交する面内(副走査方向を含む面内)でみた概略図である。なお、図14においては、ポリゴンミラーPMの反射後は、面間隔と曲率半径の正負の符号を逆転して表してある。図15〜図17は、実施例1におけるビームエキスパンダーBE〜基板Pまでの各光学部材(第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2など)を、図14の数値例に則った実際の縮尺で配置した様子を示す。
本第1の実施の形態によれば、第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2の各々は、実施例1(図14)に示したように、ビーム入射側の面が副走査方向に関して一定の曲率半径を有する円筒面に形成され、ビーム射出側の面が平面に形成されレンズで構成される。しかしながら、第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2の各々の円筒面は、曲率半径が僅かに異なる複数の面を滑らかにつなげた湾曲面(母線と垂直な断面形状では非球面)としてもよい。また、第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2の各々の平面側を、主走査方向、或いは副走査方向に所定の曲率半径(∞以外の有限値)を有する円筒面状に加工してもよい。また走査ユニットUnの各々に入射するビームLBn(光源装置14の射出ビーム)の波長λは、実施例1や比較例1で設定した紫外域の波長354.7nmに限られず、他の波長(可視域、赤外域の光)でもよい。また、レンズ系G10にて色消しを行えば、波長が異なる複数のビームを同軸(または平行)にポリゴンミラーPMに入射させて、波長が異なる複数のスポット光SPで基板Pの表面を走査することができる。或いは、レンズ系G10の色消しによって、ビームLBnを中心波長に対して一定の波長幅内に強度が分布する広波長帯光とすることもできる。また、ビームLBnは非偏光ではなく偏光成分を持っていてもよいし、ビーム断面内の強度分布がガウス分布でなく均一な強度分布(ほぼ矩形または台形の分布)であってもよい。
上記第1の実施の形態では、ポリゴンミラーPMを用いて、ビームLBnを偏向させたが、揺動可能なガルバノミラー(可動偏向部材、揺動反射鏡)を用いてビームLBnを偏向させてもよい。この場合も、ガルバノミラーで反射されたビームLBnはfθレンズ系FTを介して基板P(被照射面)に投射されるので、ガルバノミラーの反射面の面倒れによる補正が必要な場合は、ガルバノミラーの手前に、第1シリンドリカルレンズCY1とレンズ系G10を同様に設け、fθレンズ系FTの後に第2シリンドリカルレンズCY2を設ければよい。また、レンズ系G10は、2枚の球面レンズG10a、G10bで構成したが単一のレンズ、或いは3枚以上のレンズで構成してもよい。また、レンズ系G10を構成する球面レンズG10a、G10bは、非球面レンズで構成してもよい。さらに、第1光学部材CY1および第2光学部材CY2として、シリンドリカルレンズを用いたが、1方向の屈折力が、その方向と直交する方向の屈折力に対して相対的に大きくなるレンズであればよい。例えば、第1光学部材CY1および第2光学部材CY2として、トーリックレンズまたはアナモフィックレンズを採用してもよい。
本第1の実施の形態によれば、第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2の各々は単レンズで構成される。これによって、第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2の製作や組込み(調整)が簡単となり、コストを抑えることができる。しかしながら、ビームLBnの球面収差の補正のために、特に第2シリンドリカルレンズCY2を複数枚のレンズで構成することも可能である。第2シリンドリカルレンズCY2を複数枚(例えば2枚)のレンズで構成する場合、複数枚のレンズ間の母線同士の回転方位を高精度に合致させるための調整作業が必要となる。なお、第2シリンドリカルレンズCY2を複数枚(例えば2枚)のレンズで構成する場合、第1シリンドリカルレンズCY1の母線が延びる方向を、比較例1のように主走査方向と平行にして、レンズ系G10を省略しても、基板Pに投射されるビームLBnの球面収差を良好に補正することが可能になる。但し、その場合、比較例1で示したように第1シリンドリカルレンズCY1の焦点距離fC1をfθレンズ系FTの焦点距離fθよりも長くする必要が生じるため、走査ユニットUnの光路の全長は長くなる。しかしながら、fθレンズ系FTの焦点距離fθに対して第2シリンドリカルレンズCY2の焦点距離fC2を小さく設定することもあって、球面収差を小さく抑えることができる。
先の図4でも簡単に説明したが、走査ユニットUn内のビームエキスパンダーBEを構成するレンズ系Be1、Be2の間の光路中には、描画ラインSLnを副走査方向(X方向)に微小シフトさせるために、ソフト用光学部材としての傾斜可能な平行平板HVPが設けられている。図20A、図20Bは、平行平板HVPの傾斜によって描画ラインSLnがシフトする様子を説明するもので、図20Aは、平行平板HVPの互いに平行な入射面と射出面がビームLBnの中心線(主光線)に対して90度になっている状態を示す図であり、すなわち平行平板HVPがXZ面内で傾斜していない状態を示す図である。図20Bは、平行平板HVPの互いに平行な入射面と射出面がビームLBnの中心線(主光線)に対して90度から傾いている場合、すなわち平行平板HVPがYZ面に対して角度ηだけ傾斜している状態を示す図である。
14…光源装置 16…描画ヘッド
18…制御装置
AOMn(AOM1〜AOM6)…選択用光学素子
BE…ビームエキスパンダー CY1…第1シリンドリカルレンズ
CY2…第2シリンドリカルレンズ DR…回転ドラム
EX…パターン描画装置 FT…fθレンズ系
G10…レンズ系 IMn(IM1〜IM6)…入射ミラー
LB、LBn(LB1〜LB6)…ビーム P…基板
PA…開口絞り PM…ポリゴンミラー
RP…反射面 SLn(SL1〜SL6)…描画ライン
SP…スポット光 Un(U1〜U6)…走査ユニット
Claims (17)
- 光源装置からのビームを被照射体上で主走査方向に走査しつつ、前記被照射体と前記ビームを副走査方向に相対移動させて、前記被照射体にパターンを描画するパターン描画装置であって、
前記ビームを前記主走査方向に1次元に偏向する可動偏向部材と、
前記可動偏向部材で1次元に偏向された前記ビームを前記被照射体上に集光して投射する走査用光学系と、
非等方的な屈折力を有し、前記可動偏向部材に向かう前記ビームを前記主走査方向に関して収斂する第1光学部材と、
非等方的な屈折力を有し、前記走査用光学系から射出して前記被照射体に向かう前記ビームを前記副走査方向に関して収斂する第2光学部材と、
前記第1光学部材と前記可動偏向部材との間に設けられ、前記主走査方向に関して収斂した前記ビームを前記副走査方向に関して収斂するビームに変換して前記可動偏向部材に向けて射出する等方的な屈折力を有する第3光学部材と、
を備え、
前記被照射体に投射される前記ビームの前記主走査方向の開口数と前記副走査方向の開口数とを揃えた、パターン描画装置。 - 請求項1に記載のパターン描画装置であって、
前記第1光学部材は、前記可動偏向部材に向かう前記ビームを前記第1光学部材と前記可動偏向部材との間の第1の位置において前記主走査方向に関してはビームウェストとなるように集光させ、前記副走査方向に関しては非集光な状態とする、パターン描画装置。 - 請求項2に記載のパターン描画装置であって、
前記第3光学部材は、前記第1光学部材からの前記ビームを前記可動偏向部材の偏向位置において前記副走査方向に関してはビームウェストとなるように集光させ、前記主走査方向に関しては非集光な状態とする、パターン描画装置。 - 請求項3に記載のパターン描画装置であって、
前記第1光学部材の前記主走査方向に関する屈折力に応じた後側焦点の位置と前記第3光学部材の前側焦点の位置とを、前記第1の位置と一致させ、
前記第3光学部材の後側焦点の位置と前記走査用光学系の前側焦点の位置とを、前記可動偏向部材の偏向位置と一致させる、パターン描画装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載のパターン描画装置であって、
前記第1光学部材の前記主走査方向に関する屈折力に応じた焦点距離をfC1、前記第2光学部材の前記副走査方向に関する屈折力に応じた焦点距離をfC2、前記第3光学部材の焦点距離をfG、および、前記走査用光学系の焦点距離をfθとしたとき、
fG 2/fC1=fθ2/fC2
の関係を所定の誤差範囲内で満たすように設定される、パターン描画装置。 - 請求項5に記載のパターン描画装置であって、
前記第1光学部材に入射する前記ビームを、所定の直径の円形断面の光束に整形する開口絞りをさらに備える、パターン描画装置。 - 請求項6に記載のパターン描画装置であって、
前記被照射体上に投射される前記ビームの開口数NAと前記開口絞りで整形された前記ビームの直径φaは、
φa=2×NA(fθ×fC1/fG)=2×NA×(fG×fC2/fθ)
の関係を所定の誤差範囲内で満たすように設定される、パターン描画装置。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載のパターン描画装置であって、
前記第1光学部材および前記第2光学部材は非等方な屈折力を有する単レンズで構成され、前記第3光学部材は等方的な屈折力を有する複数枚のレンズで構成される、パターン描画装置。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載のパターン描画装置であって、
前記第1光学部材および前記第2光学部材は、前記ビームが進む光路と垂直な面内で互いに直交する方向に関する屈折力が異なるシリンドリカルレンズ、トーリックレンズ、およびアナモフィックレンズのいずれか1つを含み、
前記第3光学部材は、前記ビームが進む光路と垂直な面内で等方的な屈折力を有する球面レンズまたは非球面レンズを含む、パターン描画装置。 - 請求項1〜9のいずれか1項に記載のパターン描画装置であって、
前記可動偏向部材は、前記ビームを反射させる反射面を有し、該反射面の角度が前記主走査方向に関して変化する回転多面鏡、または揺動反射鏡であり、
前記走査用光学系は、前記可動偏向部材で偏向される前記ビームの偏向角と前記被照射体上に投射される前記ビームの像高位置とが比例関係になるfθレンズ系である、パターン描画装置。 - 光源装置からのビームを被照射体上で主走査方向に走査しつつ、前記被照射体と前記ビームを副走査方向に相対移動させて、前記被照射体にパターンを描画するパターン描画装置であって、
前記ビームを前記主走査方向に1次元に偏向する可動偏向部材と、
前記可動偏向部材で1次元に偏向された前記ビームを前記被照射体上に集光して投射する走査用光学系と、
非等方的な屈折力を有し、前記可動偏向部材に向かう前記ビームを、前記主走査方向に対応した方向に関して収斂させて、後側焦点の位置で1次元のビームウェストにする第1光学部材と、
非等方的な屈折力を有し、前記走査用光学系から射出して前記被照射体に向かう前記ビームを前記副走査方向に関して収斂する第2光学部材と、
等方的な屈折力を有し、前側焦点の位置が前記第1光学部材の前記後側焦点の位置と一致し、後側焦点の位置が前記可動偏向部材の偏向位置と一致するように前記第1光学部材と前記可動偏向部材との間に設けられ、前記第1光学部材からの前記ビームを前記可動偏向部材に向けて射出する第3光学部材と、
を備える、パターン描画装置。 - 請求項11に記載のパターン描画装置であって、
前記第3光学部材は、前記可動偏向部材の前記偏向位置において前記副走査方向に対応した方向に関しては前記ビームをビームウェストとなるように集光させ、前記主走査方向に対応した方向に関しては非集光な状態とする、パターン描画装置。 - 請求項11に記載のパターン描画装置であって、
前記第1光学部材および前記第2光学部材は、非等方な屈折力を有する単レンズで構成され、前記第3光学部材は等方的な屈折力を有する複数枚のレンズで構成される、パターン描画装置。 - 請求項11に記載のパターン描画装置であって、
前記第1光学部材および前記第2光学部材は、前記ビームが進む光路と垂直な面内で互いに直交する方向に関する屈折力が異なるシリンドリカルレンズ、トーリックレンズ、およびアナモフィックレンズのいずれか1つを含み、
前記第3光学部材は、前記ビームが進む光路と垂直な面内で等方的な屈折力を有する球面レンズまたは非球面レンズを含む、パターン描画装置。 - 請求項11〜14のいずれか1項に記載のパターン描画装置であって、
前記第1光学部材の前記主走査方向に対応した方向に関する屈折力に応じた焦点距離をfC1、前記第2光学部材の前記副走査方向に関する屈折力に応じた焦点距離をfC2、前記第3光学部材の焦点距離をfG、および、前記走査用光学系の焦点距離をfθとしたとき、
fG 2/fC1=fθ2/fC2
の関係を所定の誤差範囲内で満たすように設定される、パターン描画装置。 - 請求項15に記載のパターン描画装置であって、
前記第1光学部材に入射する前記ビームを、所定の直径の円形断面の光束に整形する開口絞りを更に備え、
前記被照射体上に投射される前記ビームの開口数NAと前記開口絞りで整形された前記ビームの直径φaは、
φa=2×NA(fθ×fC1/fG)=2×NA×(fG×fC2/fθ)
の関係を所定の誤差範囲内で満たすように設定される、パターン描画装置。 - 請求項11〜16のいずれか1項に記載のパターン描画装置であって、
前記可動偏向部材は、前記ビームを反射させる反射面を有し、該反射面の角度が前記主走査方向に関して変化する回転多面鏡、または揺動反射鏡であり、
前記走査用光学系は、前記可動偏向部材で偏向される前記ビームの偏向角と前記被照射体上に投射される前記ビームの像高位置とが比例関係になるfθレンズ系である、パターン描画装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016093180 | 2016-05-06 | ||
JP2016093180 | 2016-05-06 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018515430A Division JP6954274B2 (ja) | 2016-05-06 | 2017-04-25 | ビーム走査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020101808A JP2020101808A (ja) | 2020-07-02 |
JP6888700B2 true JP6888700B2 (ja) | 2021-06-16 |
Family
ID=60203629
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018515430A Active JP6954274B2 (ja) | 2016-05-06 | 2017-04-25 | ビーム走査装置 |
JP2020015970A Active JP6888700B2 (ja) | 2016-05-06 | 2020-02-03 | パターン描画装置 |
JP2021155417A Active JP7226499B2 (ja) | 2016-05-06 | 2021-09-24 | 描画装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018515430A Active JP6954274B2 (ja) | 2016-05-06 | 2017-04-25 | ビーム走査装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021155417A Active JP7226499B2 (ja) | 2016-05-06 | 2021-09-24 | 描画装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP6954274B2 (ja) |
KR (2) | KR102389080B1 (ja) |
CN (3) | CN109196423B (ja) |
HK (1) | HK1258865A1 (ja) |
TW (2) | TWI724165B (ja) |
WO (1) | WO2017191777A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111279244B (zh) | 2017-10-25 | 2022-03-18 | 株式会社尼康 | 图案描绘装置 |
JP6998488B1 (ja) * | 2021-07-07 | 2022-01-18 | 川崎重工業株式会社 | レーザ走査装置及びレーザ走査方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6187123A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-02 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 走査光学系 |
JP3373079B2 (ja) * | 1995-04-27 | 2003-02-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 光学装置 |
JP3771328B2 (ja) * | 1996-07-31 | 2006-04-26 | 株式会社東芝 | マルチビーム露光装置 |
US5852490A (en) * | 1996-09-30 | 1998-12-22 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
WO1999036832A1 (fr) * | 1998-01-19 | 1999-07-22 | Nikon Corporation | Dispositif d'eclairement et appareil de sensibilisation |
JP2002040345A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Sharp Corp | レーザ走査装置 |
TW528879B (en) * | 2001-02-22 | 2003-04-21 | Ishikawajima Harima Heavy Ind | Illumination optical system and laser processor having the same |
JP2002350763A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-04 | Kyocera Mita Corp | レーザ走査装置およびこれを備えた画像形成装置 |
JP2006030791A (ja) | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光学装置 |
JP4410134B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2010-02-03 | 日立ビアメカニクス株式会社 | パターン露光方法及び装置 |
JP2006301252A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Konica Minolta Business Technologies Inc | レーザ光学ユニット、レーザ光学装置及び画像形成装置 |
JP4984631B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2012-07-25 | 株式会社ニコン | 露光装置及び方法、露光用マスク、並びにデバイス製造方法 |
TWI426295B (zh) * | 2007-03-05 | 2014-02-11 | 尼康股份有限公司 | 反射折射投影光學系統、投影光學裝置以及掃描型曝光裝置 |
TW200844478A (en) * | 2007-05-03 | 2008-11-16 | E Pin Optical Industry Co Ltd | MEMS oscillating laser scanning unit and assembly method of the same |
JP4986754B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2012-07-25 | キヤノン株式会社 | 照明光学系及びそれを有する露光装置 |
JP2009210726A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Hitachi Via Mechanics Ltd | マスクレス露光装置 |
US7885012B2 (en) * | 2008-07-23 | 2011-02-08 | Eastman Kodak Company | Shearing radiation beam for imaging printing media |
DE102008043324B4 (de) | 2008-10-30 | 2010-11-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Anordnung zur dreidimensionalen Strukturierung einer Materialschicht |
JP2011118134A (ja) * | 2009-12-03 | 2011-06-16 | Sharp Corp | 光走査装置およびそれを備えた画像形成装置 |
JP2012037843A (ja) * | 2010-08-11 | 2012-02-23 | Kyocera Mita Corp | 光走査装置及び画像形成装置 |
EP2684636B1 (en) * | 2011-03-08 | 2017-12-13 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Laser machining device with an optical scanning device |
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JPWO2013191255A1 (ja) * | 2012-06-21 | 2016-05-26 | 株式会社ニコン | 照明装置、処理装置、及びデバイス製造方法 |
JP6459234B2 (ja) | 2014-06-16 | 2019-01-30 | 株式会社ニコン | 基板処理装置 |
CN110083018A (zh) * | 2014-04-01 | 2019-08-02 | 株式会社尼康 | 基板处理装置的调整方法 |
KR101988825B1 (ko) * | 2014-04-28 | 2019-06-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 묘화용 광원 장치 및 노광용 광원 장치 |
JP2016033960A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | セイコーエプソン株式会社 | 露光方法および露光装置 |
-
2017
- 2017-04-25 CN CN201780027995.2A patent/CN109196423B/zh active Active
- 2017-04-25 CN CN201910171306.6A patent/CN110031965B/zh active Active
- 2017-04-25 KR KR1020187035184A patent/KR102389080B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-25 WO PCT/JP2017/016274 patent/WO2017191777A1/ja active Application Filing
- 2017-04-25 CN CN201910171295.1A patent/CN110031964B/zh active Active
- 2017-04-25 KR KR1020227012846A patent/KR102496906B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-25 JP JP2018515430A patent/JP6954274B2/ja active Active
- 2017-05-05 TW TW106114890A patent/TWI724165B/zh active
- 2017-05-05 TW TW110108326A patent/TWI811646B/zh active
-
2019
- 2019-01-25 HK HK19101337.9A patent/HK1258865A1/zh unknown
-
2020
- 2020-02-03 JP JP2020015970A patent/JP6888700B2/ja active Active
-
2021
- 2021-09-24 JP JP2021155417A patent/JP7226499B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
HK1258865A1 (zh) | 2019-11-22 |
TW202127096A (zh) | 2021-07-16 |
TW201804212A (zh) | 2018-02-01 |
KR102389080B1 (ko) | 2022-04-22 |
KR102496906B1 (ko) | 2023-02-08 |
TWI724165B (zh) | 2021-04-11 |
JPWO2017191777A1 (ja) | 2019-03-07 |
CN110031964A (zh) | 2019-07-19 |
CN110031964B (zh) | 2022-06-10 |
CN109196423A (zh) | 2019-01-11 |
JP7226499B2 (ja) | 2023-02-21 |
JP2022008529A (ja) | 2022-01-13 |
KR20190003748A (ko) | 2019-01-09 |
JP2020101808A (ja) | 2020-07-02 |
WO2017191777A1 (ja) | 2017-11-09 |
CN110031965B (zh) | 2021-09-10 |
TWI811646B (zh) | 2023-08-11 |
JP6954274B2 (ja) | 2021-10-27 |
CN109196423B (zh) | 2021-08-27 |
CN110031965A (zh) | 2019-07-19 |
KR20220053054A (ko) | 2022-04-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201201 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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