JP6878259B2 - 伝送回路、配線基板および高周波装置 - Google Patents
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Description
送用基板に用いられている。この電子回路は、終端抵抗を有する伝送回路に接続されて終端処理される。また、伝送回路は、バイアス電流を電子回路に与えるためのバイアス線路も有している。
本実施形態の伝送回路1は、信号源SSに接続された信号線路SLと、直流電源DCに接続されたバイアス線路BLとを有し、信号線路SLの長さ方向の一部にバイアス線路BLが接続されている。信号線路SLは、例えば半導体集積回路素子等から伝送される高周波信号(例えば約10GHz以上)RFが伝送される伝送路として機能する。また、バイアス線路BLは、信号線路にバイアス電圧を付与する機能を有している。バイアス電圧によって高周波信号RFに対する外部電磁ノイズの影響が低減される。
第1端L1と第2端L2との間に位置する接点Nを有している。バイアス線路BLは、第3端L3と、第3端L3と反対側に位置し直流電源DCに接続された第4端L4を有している。第3端L3は信号線路SL側に位置している。また、伝送線路1は、信号線路SLの第1端L1と接点Nとの間に直列接続されて位置している終端抵抗R1と、信号線路SLの接点Nと第2端L2との間に直列接続されて位置しているコンデンサCと、第3端L3とバイアス線路BLの第4端L4との間に直列接続された抵抗R2とを備えている。なお、以下において、この抵抗R2をバイアス抵抗R2という場合がある。
周波回路ともいう)であってもよい。この場合の電子回路都実施形態の伝送回路1とは、例えば同じ基体に配置されていても構わない。信号源SSから信号線路SLの第1端L1に高周波信号RFが伝送される。
ができる。これにより、例えば後述する配線基板に用いられたときに、電力の抑制等に有利な伝送回路1を提供することができる。
本実施形態の配線基板10は、第1面2aを有する誘電体基板2と、誘電体基板2の第1面2aに位置する高周波信号の伝送回路とを有している。この配線基板10に含まれる伝送回路は、例えば上記実施形態の伝送回路1と同様の構成を有している。配線基板10の実施形態の一例を図3に示し、この配線基板10から容量素子3(詳細は後述)を省いたもの(配線基板用の基板)(この基板としては符号なし)を図4に示している。図2では、容量素子3を破線で示している。本実施形態の配線基板10は、終端回路としての伝送回路1を有しているため、前述したような信号源SS等の高周波回路の終端基板として用いることができる。また、見やすくするために第2端L2の図示を省略している。
る。
てもよい。
上記いずれかの構成の配線基板10と、信号線路の第1端L1に電気的に接続された半導体素子と、接続パッド9に電気的に接続された直流電源DCとによって、実施形態の高周波装置20が構成される。半導体素子は、例えば前述した半導体集積回路素子であり、信号源SSである。半導体素子を含む高周波回路によって、演算、画像処理または通信等の種々の処理が行なわれる。
本実施形態の配線基板について、シミュレーションにより効果を確認した。シミュレーションによる評価はSパラメータにより行なった。シミュレーションの条件は以下のとおりである。配線基板の比誘電率:9、信号線路SLの線路長:3.5mm、線幅:0.5mm、バイアス抵抗R2として抵抗値が5、50、500Ωのバイアス抵抗器8を設定した。
2・・・誘電体基板
3・・・容量素子
4・・・中継パッド
5・・・終端抵抗器
6・・・接地導体
6a・・・接地パッド
7・・・コート層
8・・・バイアス抵抗器
9・・・接続パッド
10・・・配線基板
20・・・高周波装置
BL・・・バイアス線路
DC・・・直流電源
G1、G2・・・接地層
G3・・・接地導体層
G4・・・接地貫通導体
L1・・・第1端
L2・・・第2端
L3・・・第3端
L4・・・第4端
N・・・接点
SL・・・信号線路
SL1、SL2・・線路導体
SS・・・信号源
Claims (7)
- 信号源に接続された第1端、該第1端と反対側に位置し接地電位に接続された第2端および前記第1端と前記第2端との間に位置する接点を有する信号線路と、
前記信号線路側に位置する第3端および該第3端と反対側に位置し直流電源に接続された第4端を有するバイアス線路と、
前記信号線路の前記第1端と前記接点との間に直列接続されて位置している終端抵抗と、前記信号線路の前記接点と前記第2端との間に直列接続されて位置しているコンデンサと、
前記バイアス線路の前記第3端と前記第4端との間に直列接続された抵抗とを備える伝送回路。 - 第1面を有する誘電体基板と、
該誘電体基板の前記第1面に位置する高周波信号の伝送回路とを備えており、
該伝送回路は、
信号源に接続される第1端および該第1端と反対側に位置する第2端とを有する信号線路と、
該信号線路の前記第1端と前記第2端との間に位置し、前記信号線路と直列接続された中継パッドと、
該中継パッドに接続された第3端および該第3端と反対側に位置し接続パッドに接続された第4端を有するバイアス線路と、
前記信号線路の前記第1端と前記中継パッドとの間に直列接続された終端抵抗器と、
前記信号線路の前記第2端と電気的に接続された接地導体と、
前記中継パッドと前記接地導体との間において前記信号線路に直列接続された容量素子と、
前記バイアス線路の前記第3端と前記第4端との間に直列接続されたバイアス抵抗器とを備える配線基板。 - 前記誘電体基板の内部および前記第1面と反対側の第2面の少なくとも一方に位置する接地導体層と、
前記接地導体から前記接地導体層にかけて前記誘電体基板を厚み方向に貫通している複数の接地貫通導体とをさらに備える請求項2記載の配線基板。 - 前記信号線路が、互いに幅方向に隣り合って位置している一対の線路導体を含む差動線路である請求項2または請求項3記載の配線基板。
- 前記接地導体が前記信号線路の線幅方向の両側に位置しており、
前記容量素子が、前記信号線路の線幅方向の両側においてそれぞれ前記接地導体と接続されている請求項2〜請求項4のいずれか1項記載の配線基板。 - 前記中継パッドを挟んで前記接地導体と反対側に位置しており、前記中継パッドに接続された抵抗体を有している請求項2〜請求項5のいずれか1項記載の配線基板。
- 請求項2〜請求項6のいずれか1項記載の配線基板と、
前記信号線路の前記第1端に電気的に接続された半導体素子と、
前記接続パッドに電気的に接続された直流電源とを備える高周波装置。
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JP2017227986A JP6878259B2 (ja) | 2017-11-28 | 2017-11-28 | 伝送回路、配線基板および高周波装置 |
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WO2021079510A1 (ja) * | 2019-10-25 | 2021-04-29 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置 |
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2017
- 2017-11-28 JP JP2017227986A patent/JP6878259B2/ja active Active
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