JP6877010B2 - 実装基板及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 172
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 71
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 69
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 12
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 52
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011505 plaster Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 1
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
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Description
パターン13の厚み幅方向(紙面Z軸方向)の側面には、内側へと湾曲する窪み部18が形成されている。そして、電極部12C下面の絶縁基板11には、絶縁基板11を貫通するスルーホール11Bが形成されている。上述したように、スルーホール11Bは、電解メッキ法によるCuメッキ層19により埋設され、Cuメッキ層19は、第2の導電パターン13と接続している。
パターン13の厚み幅方向(紙面Z軸方向)の側面には、内側へと湾曲する窪み部18が形成されている。尚、図3(C)に示す断面では、シリコーン樹脂層14のアンカー部14Cは形成されていないが、窪み部18を利用したアンカー効果を高めるために、絶縁基板11の裏面側にアンカー部14Cを形成する場合でも良い。
11 絶縁基板
11A、11B スルーホール
12 第1の導電パターン
12A ランド部
12B、12C 電極部
13 第2の導電パターン
13A、13B 電極部
14 シリコーン樹脂層
14A 第1のリフレクタ部
14B 第2のリフレクタ部
14C アンカー部
17 セル
18 窪み部
19 Cuメッキ層
20 メッキ層
31、32 導電箔
42 発光素子
47 発光装置
Claims (6)
- 絶縁基板の一主面側に形成される第1の導電パターンと、
前記絶縁基板の他の主面側に形成されると共に、前記第1の導電パターンと電気的に接続する第2の導電パターンと、
前記絶縁基板の少なくとも前記一主面側を被覆するシリコーン樹脂層と、を備え、
前記第1の導電パターンの厚みは、前記第2の導電パターンの厚みよりも厚く形成し、
前記シリコーン樹脂層は、
前記絶縁基板の前記一主面側に形成され、前記第1の導電パターン間を埋設する第1のリフレクタ部と、
前記絶縁基板の前記一主面側に前記第1のリフレクタ部と一体にモールド形成され、前記第1の導電パターンの周囲を囲む外輪状の第2のリフレクタ部と、を有し、
前記第1のリフレクタ部は、前記第1の導電パターンの厚み方向の側面にウェットエッチングにて形成される内側へと湾曲する窪み部内も埋設して形成されることで、前記第2のリフレクタ部と共に前記絶縁基板に係止されることを特徴とする実装基板。 - 前記第2のリフレクタ部下面の前記絶縁基板には、前記絶縁基板を厚み方向に貫通するスルーホールが形成され、
前記シリコーン樹脂層は、前記スルーホールを埋設すると共に、前記スルーホールの開口面積よりも広く、前記絶縁基板の前記他の主面側に前記第2のリフレクタ部と一体に形成されるアンカー部を有し、
前記アンカー部は、前記第2のリフレクタ部を前記絶縁基板に係止させることを特徴とする請求項1に記載の実装基板。 - 前記第1の導電パターンは、発光素子が固着されるランド部と、前記発光素子の電極と電気的に接続される電極部と、を有し、
前記ランド部は、前記電極部と分離して島状に形成されると共に、前記ランド部の側面には、環状の前記窪み部が形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の実装基板。 - 前記第1の導電パターンと前記第2の導電パターンにて形成される個別セルは、前記絶縁基板に行列状に多数個配列されることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の実装基板。
- その一主面に貼着される第1の導電箔及びその他の主面に貼着される第2の導電箔を有し、前記第1の導電箔の厚みを前記第2の導電箔の厚みよりも厚く形成した絶縁基板を準備する工程と、
前記第2の導電箔を選択的にエッチングし、前記第2の導電箔をマスクとして前記絶縁基板を貫通し、前記第1の導電箔の裏面を露出する複数のスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホールを電解メッキにより埋設して前記第1の導電箔及び前記第2の導電箔と接続する第1のメッキ層を形成する工程と、
前記第1の導電箔及び前記第2の導電箔を選択的にウェットエッチングし、前記第1の導電箔の厚み方向の側面に内側へと湾曲する窪み部を有する第1の導電パターン及び第2の導電パターンを形成する工程と、
前記第1の導電パターン及び前記第2の導電パターンの表面に第2のメッキ層を形成する工程と、
前記絶縁基板を金型内に配置し、前記金型内にシリコーン樹脂を注入し、前記第1の導電パターン間を埋設する第1のリフレクタ部と、前記絶縁基板の前記一主面側に前記第1の導電パターンの周囲を囲む外輪状の第2のリフレクタ部と、を一体にモールドで形成し、前記第1のリフレクタ部を前記第1の導電パターンの前記窪み部に係止させる工程と、を備えることを特徴とする実装基板の製造方法。 - 前記スルーホールを形成する工程では、前記第2のリフレクタ部の形成領域に同時に前記絶縁基板を貫通する追加のスルーホールを形成し、
前記スルーホールを前記第1のメッキ層にて埋設する工程では、前記追加のスルーホールには絶縁材料を埋設し、前記追加のスルーホールが前記第1のメッキ層にて埋設されることを防止した後、前記絶縁材料を除去し、単なる貫通孔として維持し、
前記金型内に前記シリコーン樹脂を注入する工程では、前記追加のスルーホールに前記シリコーン樹脂を充填して、前記絶縁基板の前記他の主面側に前記第2のリフレクタ部と一体となるアンカー部を形成することを特徴とする請求項5に記載の実装基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018129971A JP6877010B2 (ja) | 2018-07-09 | 2018-07-09 | 実装基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018129971A JP6877010B2 (ja) | 2018-07-09 | 2018-07-09 | 実装基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020009913A JP2020009913A (ja) | 2020-01-16 |
JP6877010B2 true JP6877010B2 (ja) | 2021-05-26 |
Family
ID=69152152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018129971A Active JP6877010B2 (ja) | 2018-07-09 | 2018-07-09 | 実装基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6877010B2 (ja) |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003037344A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
JP2007180445A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
JP2008084998A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 板状体およびそれを用いた回路装置の製造方法 |
JP2008140954A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 放熱配線基板とその製造方法並びにこれを用いた発光モジュール |
JP5493553B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2014-05-14 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP2012028743A (ja) * | 2010-06-22 | 2012-02-09 | Panasonic Corp | 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5670250B2 (ja) * | 2011-04-18 | 2015-02-18 | イビデン株式会社 | Led基板、発光モジュール、発光モジュールを有する機器、led基板の製造方法、発光モジュールの製造方法、及び発光モジュールを有する機器の製造方法 |
JP2012256651A (ja) * | 2011-06-07 | 2012-12-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置用樹脂パッケージ及びその製造方法並びに該樹脂パッケージを有してなる半導体発光装置 |
JP2013041950A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Sharp Corp | 発光装置 |
JP5818149B2 (ja) * | 2011-09-09 | 2015-11-18 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレーム、半導体装置、照明装置、樹脂付リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP6030370B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2016-11-24 | 京セラ株式会社 | 配線基板および電子装置 |
KR102212827B1 (ko) * | 2014-06-30 | 2021-02-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 인쇄회로기판, 패키지 기판 및 이의 제조 방법 |
DE102014112540A1 (de) * | 2014-09-01 | 2016-03-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
DE102015109876A1 (de) * | 2015-06-19 | 2016-12-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
US20200313049A1 (en) * | 2016-06-21 | 2020-10-01 | Soraa, Inc. | Light emitting diode package |
-
2018
- 2018-07-09 JP JP2018129971A patent/JP6877010B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020009913A (ja) | 2020-01-16 |
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